KR102292154B1 - 탄성파 장치, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치 - Google Patents

탄성파 장치, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치 Download PDF

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Abstract

적층막의 균열이나 깨짐이 발생하기 어렵고, 지지 기판과 적층막이 박리되기 어려운 탄성파 장치, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치를 제공한다.
탄성파 장치(1)는 지지 기판(2)과, 지지 기판(2) 상에 마련되어 있고 평면에서 본 경우에 지지 기판(2)의 바깥 가장자리의 적어도 일부보다도 내측에 마련되어 있으면서 압전 박막(6)을 포함하는 적층막(3)과, 적층막(3) 상에 마련되어 있는 IDT 전극(14)과, 지지 기판(2) 상 및 적층막(3) 상에 마련되어 있고 지지 기판(2) 상으로부터 적층막(3) 상으로 연장되어 있는 절연층(19)과, 절연층(19) 상에 마련되어 있고 IDT 전극(14)과 전기적으로 접속되어 있는 접속 전극(17)과, 접속 전극(17)과 전기적으로 접속되어 있고 접속 전극(17) 상에 직접적으로 또는 간접적으로 마련되어 있으면서 평면에서 본 경우에 지지 기판(2) 상이며 적층막(3)이 마련되어 있는 영역의 외측에 마련되어 있는 외부 접속 단자를 포함하며, 지지 기판(2)에서의 적층막(3) 측의 주면은 평면에서 본 경우에 적층막(3)의 바깥 가장자리 위치에 오목부(12)를 가지며, 오목부(12)는 절연층(19)에 의해 덮여 있다.

Description

탄성파 장치, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치
본 발명은 탄성파 장치, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치에 관한 것이다.
종래, 탄성파 장치는 휴대전화기의 필터 등에 널리 이용되고 있다. 하기 특허문헌 1에는 탄성파 장치의 일례가 개시되어 있다. 이 탄성파 장치는 지지 기판과, 지지 기판 상에 마련되어 있고 압전 박막을 포함하는 적층막과, 적층막 상에 마련된 IDT 전극과, 지지 기판 상 및 적층막 상에 마련되어 있고 지지 기판 상으로부터 적층막 상으로 연장되어 있는 절연층과, 절연층 상에 마련되어 있고 IDT 전극과 전기적으로 접속되어 있는 배선 전극과, 배선 전극과 전기적으로 접속되어 있는 외부 접속 단자를 가진다. 그리고 외부 접속 단자는 평면에서 본 경우에 적층막이 존재하지 않는 영역에 마련되어 있기 때문에, 외부 접속 단자를 접합할 때의 응력이 적층막에 직접 가해지지 않고, 압전 박막을 포함하는 적층막의 균열이나 깨짐이 발생하기 어렵다고 여겨지고 있다.
국제공개공보 WO2016/208428
특허문헌 1에 기재된 탄성파 장치에서는 적층막 및 지지 기판의 열팽창 계수는 다르기 때문에, 탄성파 장치에 열이 가해졌을 때 등에는 적층막과 지지 기판 사이에 응력이 부가되게 된다. 특히, 적층막의 바깥 가장자리와 지지 기판이 접촉하고 있는 부분에서 응력이 집중되는 경향이 있다. 그 때문에, 적층막에 균열이나 깨짐이 발생하기 쉽거나, 적층막이 지지 기판으로부터 박리되기 쉬웠다.
본 발명의 목적은 적층막의 균열이나 깨짐이 발생하기 어렵고, 지지 기판과 적층막이 박리되기 어려운 탄성파 장치, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치는 지지 기판과, 상기 지지 기판 상에 마련되고 평면에서 본 경우에 상기 지지 기판의 바깥 가장자리의 적어도 일부보다도 내측에 마련되면서 압전 박막을 포함하는 적층막과, 상기 적층막 상에 마련되는 IDT 전극과, 상기 지지 기판 상 및 상기 적층막 상에 마련되고 상기 지지 기판 상으로부터 상기 적층막 상으로 연장되는 절연층과, 상기 절연층 상에 마련되고 상기 IDT 전극과 전기적으로 접속되는 접속 전극과, 상기 접속 전극과 전기적으로 접속되고 상기 접속 전극 상에 직접적으로 또는 간접적으로 마련되면서 평면에서 본 경우에 상기 지지 기판 상이며 상기 적층막이 마련되는 영역의 외측에 마련되는 외부 접속 단자를 포함하며, 상기 지지 기판에서의 상기 적층막 측의 주면(主面)은 평면에서 본 경우에 상기 적층막의 바깥 가장자리 위치에 오목부를 가지며, 상기 오목부는 상기 절연층에 의해 덮인다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 어느 특정 국면에서는 상기 적층막의 선팽창 계수와 상기 지지 기판의 선팽창 계수는 다르다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 다른 특정 국면에서는 상기 오목부가 평면에서 본 경우에 상기 지지 기판 상이며 상기 적층막이 마련되는 영역의 외측 전체에 형성된다. 이 경우에는 지지 기판과 적층막이 한층 더 박리되기 어렵다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 다른 특정 국면에서는 상기 오목부가 상기 적층막을 둘러싸도록 마련된다. 이 경우에는 지지 기판과 적층막이 한층 더 박리되기 어렵다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 또 다른 특정 국면에서는 상기 지지 기판이 상기 압전 박막을 전파하는 탄성파의 음속보다도 전파하는 벌크파의 음속이 높은 재료로 이루어지고, 상기 적층막이 상기 압전 박막을 전파하는 탄성파의 음속보다도 전파하는 벌크파의 음속이 낮은 저음속막을 포함하며, 상기 저음속막 상에 상기 압전 박막이 마련된다. 이 경우에는 탄성파의 에너지를 효과적으로 가둘 수 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 또 다른 특정 국면에서는 상기 적층막이 상기 압전 박막을 전파하는 탄성파의 음속보다도 전파하는 벌크파의 음속이 높은 고음속막과, 상기 압전 박막을 전파하는 탄성파의 음속보다도 전파하는 벌크파의 음속이 낮은 저음속막을 포함하고, 상기 고음속막 상에 상기 저음속막이 마련되며, 상기 저음속막 상에 상기 압전 박막이 마련된다. 이 경우에는 탄성파의 에너지를 효과적으로 가둘 수 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 또 다른 특정 국면에서는 상기 적층막이, 음향 임피던스가 상대적으로 높은 고음향 임피던스막과, 상기 고음향 임피던스막에 비해 음향 임피던스가 낮은 저음향 임피던스막을 가지는 음향 반사층을 포함하고, 상기 음향 반사층 상에 상기 압전 박막이 마련된다. 이 경우에는 탄성파의 에너지를 효과적으로 가둘 수 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 또 다른 특정 국면에서는 평면에서 본 경우에 상기 지지 기판 상이며 상기 적층막이 마련되는 영역의 외측 영역에 직접적으로 또는 간접적으로 마련되고 상기 IDT 전극을 둘러싸는 개구부를 가지는 지지 부재와, 상기 지지 부재 상에 상기 개구부를 덮도록 마련되는 커버 부재와, 상기 접속 전극에 접속되도록 상기 지지 부재 및 상기 커버 부재를 관통하는 언더범프 메탈층이 더 포함되며, 상기 외부 접속 단자는 상기 접속 전극 상에 상기 언더범프 메탈층을 개재하여 간접적으로 마련되는 범프이고, 상기 지지 기판, 상기 지지 부재 및 상기 커버 부재에 의해 둘러싸인 중공 공간 내에 상기 IDT 전극이 위치한다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 또 다른 특정 국면에서는 상기 외부 접속 단자가 상기 접속 전극 상에 직접적으로 마련되는 범프이다.
본 발명의 고주파 프론트 엔드 회로는 본 발명에 따라 구성된 탄성파 장치와, 파워 앰프를 포함한다.
본 발명의 통신 장치는 본 발명에 따라 구성된 고주파 프론트 엔드 회로와, RF 신호 처리 회로를 포함한다.
본 발명에 의하면, 적층막의 균열이나 깨짐이 발생하기 어렵고, 지지 기판과 적층막이 박리되기 어려운 탄성파 장치, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 탄성파 장치의 약도적 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 탄성파 장치의 약도적 평면 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시형태에서의 탄성파 공진자 부근을 나타내는 모식적 확대 평면도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시형태에서의 지지 기판의 제거 영역 부근을 나타내는, 도 1의 확대도이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시형태의 변형예에 따른 탄성파 장치의 약도적 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시형태에 따른 탄성파 장치의 모식적 확대 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제3 실시형태에 따른 탄성파 장치의 모식적 확대 단면도이다.
도 8은 본 발명의 제4 실시형태에 따른 탄성파 장치의 모식적 확대 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제4 실시형태의 제1 변형예에 따른 탄성파 장치의 모식적 확대 단면도이다.
도 10은 본 발명의 제4 실시형태의 제2 변형예에 따른 탄성파 장치의 모식적 확대 단면도이다.
도 11은 본 발명의 제5 실시형태에 따른 탄성파 장치의 약도적 단면도이다.
도 12는 본 발명의 제6 실시형태에 따른 탄성파 장치 실장 구조체의 약도적 단면도이다.
도 13은 고주파 프론트 엔드 회로를 가지는 통신 장치의 구성도이다.
도 14는 본 발명의 제3 실시형태에 따른 탄성파 장치의 일부를 나타내는 주사형 현미경 사진이다.
이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명함으로써, 본 발명을 분명하게 한다.
한편, 본 명세서에 기재된 각 실시형태는 예시적인 것이며, 다른 실시형태 간에 구성의 부분적인 치환 또는 조합이 가능한 것을 지적해 둔다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 탄성파 장치의 약도적 단면도이다. 도 2는 제1 실시형태에 따른 탄성파 장치의 약도적 평면 단면도이다. 한편, 도 1은 도 2 중의 I-I선을 따르는 부분에 상당하는 단면도이다. 도 1 및 도 2에서의 탄성파 공진자를 직사각형에 2개의 대각선을 추가한 약도에 의해 나타낸다.
도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이, 탄성파 장치(1)는 지지 기판(2)을 가진다. 지지 기판(2)은 예를 들면, 유리나 Si 등의 적절한 재료로 이루어진다.
지지 기판(2) 상에는 압전 박막(6)을 포함하는 적층막(3)이 마련되어 있다. 구체적으로는, 적층막(3)은 평면에서 본 경우에 지지 기판(2)의 바깥 가장자리의 적어도 일부보다도 내측에 마련되어 있다. 한편, 본 명세서에서 평면에서 본다란, 지지 기판(2)의 적층막(3)이 마련되어 있는 주면 측에서 탄성파 장치(1)를 지지 기판(2)의 두께방향으로 보는 것을 말한다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 적층막(3)은 압전 박막(6) 외에 고음속막(4) 및 저음속막(5)을 가진다. 보다 구체적으로는 지지 기판(2) 상에 고음속막(4)이 마련되어 있고, 고음속막(4) 상에 저음속막(5)이 마련되어 있으며, 저음속막(5) 상에 압전 박막(6)이 마련되어 있다.
본 실시형태에서는 압전 박막(6)은 LiNbO3이나 LiTaO3 등의 압전 단결정으로 이루어진다. 한편, 압전 박막(6)은 적절한 압전 세라믹스로 이루어져 있어도 된다.
고음속막(4)은 압전 박막(6)을 전파하는 탄성파의 음속보다도, 전파하는 벌크파의 음속이 높은 막이다. 고음속막(4)은 예를 들면, 질화알루미늄, 산화알루미늄, 탄화규소, 산질화규소, 규소, DLC막 또는 다이아몬드를 주성분으로 하는 재료 등으로 이루어진다. 한편, 고음속막(4)의 재료는 상대적으로 고음속인 재료이면 된다.
저음속막(5)은 압전 박막(6)을 전파하는 탄성파의 음속보다도, 전파하는 벌크파의 음속이 낮은 막이다. 저음속막(5)은 예를 들면, 유리, 산질화규소, 산화탄탈 또는 산화규소에 불소, 탄소나 붕소를 첨가한 화합물을 주성분으로 하는 재료 등으로 이루어진다. 한편, 저음속막(5)의 재료는 상대적으로 저음속인 재료이면 된다.
고음속막(4), 저음속막(5) 및 압전 박막(6)이 적층된 적층막(3)을 가지기 때문에, 탄성파 장치(1)에서는 탄성파의 에너지를 효과적으로 가둘 수 있다. 한편, 저음속막(5)은 반드시 마련되어 있지 않아도 된다. 적층막(3)은 상기 각 막 이외의 막을 포함하고 있어도 된다.
압전 박막(6) 상에서는 탄성파 공진자(13A), 탄성파 공진자(13B) 및 탄성파 공진자(13C)가 구성되어 있다.
도 3은 제1 실시형태에서의 탄성파 공진자 부근을 나타내는 모식적 확대 평면도이다. 한편, 탄성파 공진자 주위의 배선은 생략하고 있다.
압전 박막(6) 상에는 IDT 전극(14)이 마련되어 있다. IDT 전극(14)에 교류 전압을 인가함으로써 탄성파가 여진(勵振)된다. IDT 전극(14)의 탄성파 전파방향 양측에는 반사기(15A) 및 반사기(15B)가 마련되어 있다. 이로써, 탄성파 공진자(13A)가 구성되어 있다. 도 1에 나타내는 탄성파 공진자(13B) 및 탄성파 공진자(13C)도 동일하게 구성되어 있다. 탄성파 공진자(13A), 탄성파 공진자(13B) 및 탄성파 공진자(13C)는 복수개의 배선 전극(16)에 의해 서로 전기적으로 접속되어 있다. 물론, 탄성파 장치(1)에서의 탄성파 공진자의 개수나 접속의 구성은 특별히 한정되지 않는다.
한편, IDT 전극(14)은 압전 박막(6) 상에 간접적으로 마련되어 있어도 된다. 예를 들면, 적층막(3)은 압전 박막(6) 상에 산화규소막을 가지고 있어도 된다. 이 경우에는, IDT 전극(14)은 산화규소막 상에 직접적으로 마련되는 것이 된다. 즉, IDT 전극(14)은 적층막(3) 상에 마련되어 있어도 된다.
여기서, 평면에서 보았을 때 지지 기판(2)은 IDT 전극이 마련되어 있는 영역의 외측 영역에서 적층막(3)이 부분적으로 제거되어 있는 제거 영역(R1)을 가진다.
도 4는 제1 실시형태에서의 지지 기판의 제거 영역 부근을 나타내는, 도 1의 확대도이다.
본 실시형태의 탄성파 장치(1)는 지지 기판(2)의 제거 영역(R1)에 마련되어 있으면서 압전 박막(6) 상으로 연장되도록 마련되어 있는 절연층(19)을 가진다. 절연층(19)은 압전 박막(6) 상에 마련되어 있는 제1 부분(19a) 및 제거 영역(R1)에 위치하고 있는 제2 부분(19b)을 가진다. 절연층(19)은 특별히 한정되지 않는데, 예를 들면, 폴리이미드, 에폭시 수지, 아크릴 수지 등의 유기 절연체나 산화규소 등의 무기 절연체로 이루어진다.
여기서, 지지 기판(2)은 적층막(3)에 접촉하고 있는 부분의 바깥 가장자리에 위치하는 바깥 가장자리 접촉부(X)를 가진다. 바깥 가장자리 접촉부(X)에 이어지도록, 지지 기판(2)의 제거 영역(R1)에 오목부(12)가 마련되어 있다. 오목부(12)는 바깥 가장자리 접촉부(X)와 제거 영역(R1)이 낮아져 있는 부분을 접속하고 있는 접속부(2a)를 포함한다. 접속부(2a)가 접속된 상기 제거 영역(R1)이 낮아져 있는 부분이란, 본 실시형태에서는 오목부(12)의 저부이다. 이와 같이, 오목부(12)는 제거 영역(R1)이 바깥 가장자리 접촉부(X)에 직접 이어져 있는 부분에서 낮아져 있는 부분을 포함한다. 탄성파 장치(1)에서는, 오목부(12)는 접속부(2a) 전체를 포함한다. 접속부(2a)는 오목부(12) 내의 면 중 하나이다.
오목부(12)는 예를 들면, 적층막(3) 상에 레지스트층을 형성하고, 제거 영역(R1)의 오목부(12)를 마련하지 않는 부분에 레지스트층을 형성한 후에, 지지 기판(2)을 에칭함으로써 마련할 수 있다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 오목부(12)는 적층막(3)을 둘러싸도록 마련되어 있다. 이로써, 접속부(2a)는 바깥 가장자리 접촉부(X) 전체에 이어져 있다. 한편, 오목부(12)는 적층막(3)을 둘러싸고 있지 않아도 되고, 접속부(2a)는 바깥 가장자리 접촉부(X)의 적어도 일부에 이어져 있으면 된다.
도 4로 돌아가, 오목부(12)는 지지 기판(2)의 두께방향에 대하여 경사져 있고, 접속부(2a)에 접속되어 있는 내면(12b)을 가진다. 절연층(19)은 바깥 가장자리 접촉부(X)로 연장되어 있으면서 오목부(12) 내로 연장되어 있다. 한편, 오목부(12)의 구성은 상기에 한정되지 않고, 예를 들면, 오목부(12)는 접속부(2a) 및 내면(12b) 이외의 면을 가지고 있어도 된다. 오목부(12)의 저부는 탄성파 장치(1)에서는 접속부(2a)와 내면(12b)이 접속된 부분이다. 한편, 예를 들면, 접속부(2a) 이외의 면과 내면(12b)이 접속된 부분이 저부이어도 된다.
본 실시형태에서는 지지 기판(2)의 제거 영역(R1)의 오목부(12)가 마련되어 있는 부분 이외의 높이는 적층막(3)과 접하고 있는 부분의 높이와 동일하다. 한편, 본 명세서에서 높이란, 지지 기판(2)의 두께방향에 평행한 방향에서의 위치이다. 압전 박막(6) 측보다도 지지 기판(2) 측 쪽이 낮다.
탄성파 장치(1)는 도 1에 나타내는 탄성파 공진자(13A)에 접속되어 있는 접속 전극(17)을 가진다. 도 4에 나타내는 바와 같이, 접속 전극(17)은 압전 박막(6) 상으로부터 절연층(19)의 제1 부분(19a) 상으로 연장되고, 더욱이 제2 부분(19b) 상으로 연장되어 있다.
지지 기판(2)의 제거 영역(R1)에 접속 전극(17)이 연장되어 있다. 접속 전극(17)은 절연층(19)을 개재하여 지지 기판(2) 상에 간접적으로 마련되어 있다. 한편, 접속 전극(17)은 지지 기판(2) 상에 직접적으로 마련되어 있어도 된다. 다만, 지지 기판(2)이 전기 저항이 낮은 재료로 이루어지는 경우에는 절연층(19) 상에 마련되어 있는 것이 바람직하다. 그로써, 탄성파 장치(1)의 전기적 특성이 열화(劣化)되기 어렵다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 지지 기판(2)의 제거 영역(R1)에는 지지 부재(7)가 마련되어 있다. 지지 부재(7)는 탄성파 공진자(13A), 탄성파 공진자(13B) 및 탄성파 공진자(13C)를 둘러싸고 있는 개구부(7a)를 가진다. 지지 부재(7)는 접속 전극(17)의 일부를 덮도록 마련되어 있다. 지지 부재(7)는 적절한 수지로 이루어진다.
지지 부재(7) 상에는 개구부(7a)를 덮도록 커버 부재(8)가 마련되어 있다. 지지 부재(7) 및 커버 부재(8)를 관통하도록 언더범프 메탈층(9)이 마련되어 있다. 언더범프 메탈층(9)의 압전 박막(6) 측의 면은 접속 전극(17)에 접속되어 있다. 언더범프 메탈층(9) 상에는 외부 접속 단자로서의 범프(10)가 마련되어 있다. 본 실시형태에서는, 범프(10)는 접속 전극(17) 상에 언더범프 메탈층(9)을 개재하여 간접적으로 마련되어 있다. 범프(10)는 평면에서 본 경우에 지지 기판(2) 상이며 적층막(3)이 마련되어 있는 영역의 외측에 마련되어 있다. 한편, 본 발명에서의 외부 접속 단자는 범프에 한정되지는 않고, 탄성파 장치(1)를 외부에 전기적으로 접속하는 부재이면 된다. 예를 들면, 외부 접속 단자는 범프에 추가로 언더범프 메탈층을 포함하고 있어도 된다.
지지 기판(2), 지지 부재(7) 및 커버 부재(8)에 의해 둘러싸인 중공 공간 내에 탄성파 공진자(13A), 탄성파 공진자(13B) 및 탄성파 공진자(13C)가 위치하고 있다. 탄성파 공진자(13A), 탄성파 공진자(13B) 및 탄성파 공진자(13C)는 접속 전극(17), 언더범프 메탈층(9) 및 범프(10)를 통해 외부에 전기적으로 접속된다.
이와 같이, 탄성파 장치(1)는 WLP(Wafer Level Package) 구조이다. 한편, 탄성파 장치(1)는 상기에 한정되지 않고, 예를 들면, CSP(Chip Size Package) 구조에 포함되는 탄성파 장치 등이어도 된다.
본 실시형태의 특징은 지지 기판(2)과, 지지 기판(2) 상에 마련되어 있고 평면에서 본 경우에 지지 기판(2)의 바깥 가장자리의 적어도 일부보다도 내측에 마련되어 있으면서 압전 박막(6)을 포함하는 적층막(3)과, 적층막(3) 상에 마련되어 있는 IDT 전극(14)과, 지지 기판(2) 상 및 적층막(3) 상에 마련되어 있고 지지 기판(2) 상으로부터 적층막(3) 상으로 연장되어 있는 절연층(19)과, 절연층(19) 상에 마련되어 있고 IDT 전극과 전기적으로 접속되어 있는 접속 전극(17)과, 접속 전극(17)과 전기적으로 접속되어 있고 접속 전극(17) 상에 직접적으로 또는 간접적으로 마련되어 있으면서, 평면에서 본 경우에 지지 기판(2) 상이며 적층막(3)이 마련되어 있는 영역의 외측에 마련되어 있는 외부 접속 단자를 포함한 탄성파 장치(1)로서, 지지 기판(2)에서의 적층막(3) 측의 주면은 평면에서 본 경우에 적층막(3)의 바깥 가장자리 위치에 오목부(12)를 가지며, 오목부(12)가 절연층(19)에 의해 덮여 있는 것에 있다.
이로써, 지지 기판(2)에서의 적층막(3) 측의 주면은 평면에서 본 경우에 적층막(3)의 바깥 가장자리 위치에 오목부(12)를 가지며, 오목부(12)가 절연층(19)에 의해 덮여 있기 때문에, 예를 들면, 지지 기판(2)과 적층막(3)의 선팽창 계수가 다른 경우에 열응력이 가해졌다고 해도, 오목부(12) 중에 있고 가장 열응력이 가해지는 바깥 가장자리 접촉부(X) 부근이 절연층(19)에 의해 덮여 있기 때문에, 가장 열응력이 가해지는 바깥 가장자리 접촉부(X) 부근에서 열응력이 완화되고, 지지 기판(2)과 적층막(3)이 박리되기 어렵다.
또한, 외부 접속 단자로서의 범프(10)는 평면에서 본 경우에 적층막(3)이 존재하지 않는 영역에 마련되어 있기 때문에, 범프(10)를 접합할 때의 응력이 적층막(3)에 직접 가해지지 않고, 압전 박막(6)을 포함하는 적층막(3)의 균열이나 깨짐을 발생시키기 어렵게 하는 것을 가능하게 하고 있다.
한편, 지지 기판(2)에서의 적층막(3) 측의 주면은 평면에서 본 경우에 적층막(3)의 바깥 가장자리 위치에 오목부(12)를 가지며, 오목부(12)는 절연층(19)에 의해 덮여 있다는 것은, 다른 표현을 하면, 이하의 구성 1)과 2)가 된다. 1) 지지 기판(2)에 상기 바깥 가장자리 접촉부(X)에 이어져 있는 접속부(2a)를 포함하도록 오목부(12)가 마련되어 있다. 2) 절연층(19)이 바깥 가장자리 접촉부(X) 및 접속부(2a)로 연장되어 있다. 한편, 이 구성은 탄성파 장치(1)가 적층막(3)을 가지며, 지지 기판(2)이 제거 영역(R1)을 포함하는 것을 전제로 한다. 바깥 가장자리 접촉부(X)는 절연층(19)에 의해 덮여 있기 때문에, 응력이 가해졌을 때 등에서도 지지 기판(2)과 적층막(3)이 박리되기 어렵다. 더욱이, 절연층(19)은 압전 박막(6) 상으로 연장되어 있기 때문에, 적층막(3)이 지지 기판(2)으로부터 떨어지는 방향으로 변위되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 지지 기판(2)과 적층막(3)의 박리를 효과적으로 억제할 수 있다.
오목부(12)는 본 실시형태와 같이, 적층막(3)을 둘러싸도록 마련되어 있는 것이 바람직하다. 그로써, 바깥 가장자리 접촉부(X) 전체를 절연층(19)에 의해 덮을 수 있고, 지지 기판(2)과 적층막(3)이 한층 더 박리되기 어렵다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 절연층(19)은 오목부(12)의 저부로 연장되어 있는 것이 바람직하다. 그로써, 절연층(19)이 접속부(2a)에 접하는 면적을 크게 할 수 있고, 지지 기판(2)과 절연층(19)의 밀착성을 높일 수 있다. 따라서, 지지 기판(2)과 적층막(3)이 한층 더 박리되기 어렵다.
그런데, 본 실시형태에서는 절연층(19)의 제1 부분(19a)에서의, 압전 박막(6)에 접하고 있는 부분을 포함하는 단면(端面)은 두께방향에 대하여 경사져 있다. 절연층(19)의 제2 부분(19b)으로부터 제1 부분(19a)으로 연장되는 부분 부근도 경사져 있다. 절연층(19)을 따라 접속 전극(17)도 압전 박막(6) 상으로부터 절연층(19) 상으로 연장되는 부분 부근에서 경사져 있고, 절연층(19)의 제2 부분(19b) 상으로부터 제1 부분(19a) 상으로 연장되는 부분 부근에서 경사져 있다.
여기서, 절연층(19)의 제2 부분(19b) 상으로부터 제1 부분(19a) 상으로 연장되는 부분을 제3 부분으로 한다. 제3 부분이 수직으로 연장되어 있는 경우에는 접속 전극(17)의 제3 부분에 마련되는 부분의 두께는, 접속 전극(17)의 제1 부분(19a) 및 제2 부분(19b)에 마련되는 부분의 두께보다도 얇아지는 경향이 있다. 이에 반해, 본 실시형태에서는 제3 부분은 경사져 있기 때문에, 제3 부분이 경사져 있지 않은 경우보다도 접속 전극(17)의 제3 부분에 마련되는 부분의 두께를 두껍게 할 수 있다. 따라서 접속 전극(17)의 단선이 발생하기 어렵다. 한편, 절연층(19) 및 접속 전극(17)은 반드시 상기한 바와 같이 경사져 있지 않아도 된다.
오목부(12)의 내면(12b)은 지지 기판(2)의 두께방향에 대하여, 접속부(2a)에 가까워지도록 경사져 있는 것이 바람직하다. 이 경우에는 지지 기판(2)에서의 제거 영역(R1)과 절연층(19) 사이에 가해지는 전단 응력의 방향과, 내면(12b)이 연장되는 방향은 평행이 아니다. 따라서, 상기 내면(12b)을 가지는 오목부(12)가 마련되어 있음으로써, 지지 기판(2)과 적층막(3)이 접촉하고 있는 부분에 대한 상기 전단 응력의 영향을 완화시킬 수 있다. 따라서, 지지 기판(2)과 적층막(3)이 한층 더 박리되기 어렵다.
내면(12b)은 본 실시형태와 같이, 접속부(2a)에 직접적으로 접속되어 있는 것이 보다 바람직하다. 그로써, 오목부(12)의 용적을 작게 할 수 있고, 절연층(19)의 접속 전극(17) 측의 면의 경사가 급각도가 되기 어렵다. 따라서, 접속 전극(17)의 단선을 억제할 수 있으면서 지지 기판(2)과 적층막(3)이 박리되기 어렵다.
탄성파 장치(1)에서는 오목부(12)의 접속부(2a)는 지지 기판(2)의 두께방향에 평행으로 연장되어 있다. 한편, 접속부(2a)는 바깥 가장자리 접촉부(X) 측으로부터 제거 영역(R1)이 낮아지는 방향으로 연장되어 있으면 되고, 지지 기판(2)의 두께방향에 대하여 경사져 있어도 된다. 접속부(2a) 및 내면(12b)은 곡면 부분을 포함하고 있어도 된다. 도 4에 나타내는 오목부(12)의 횡단면의 형상은 본 실시형태에서는 삼각형이다. 한편, 오목부(12)의 횡단면의 형상은 상기에 한정되지 않고, 예를 들면, 직사각형, 사다리꼴, 혹은 부채꼴 등이어도 된다.
지지 기판(2)이, 예를 들면, Si 등의 상대적으로 고음속인 재료로 이루어져 있는 경우에는, 고음속막(4)은 마련되어 있지 않아도 된다. 이 경우에도 상기와 동일한 효과를 얻을 수 있다.
도 5는 본 발명의 제1 실시형태의 변형예에 따른 탄성파 장치의 약도적 단면도이다.
본 변형예에서는, 지지 기판(2)은 상술한 고음속막과 동일한, 압전 박막(6)을 전파하는 탄성파의 음속보다도 전파하는 벌크파의 음속이 높은 재료로 이루어진다. 적층막(73)에서는 저음속막(5) 상에 압전 박막(6)이 마련되어 있다. 적층막(73)은 고음속막을 포함하지 않는다. 이 경우에도 탄성파의 에너지를 효과적으로 가둘 수 있으면서 지지 기판(2)과 적층막(73)이 박리되기 어렵다.
도 6은 제2 실시형태에 따른 탄성파 장치의 모식적 확대 단면도이다. 한편, 도 6은 도 4가 나타내는 절단면에 상당하는 절단면을 나타낸다. 후술할 각 모식적 확대 단면도에서도 마찬가지이다.
본 실시형태는 제거 영역(R2) 전체가 낮아져 있고, 접속부(22a)가 바깥 가장자리 접촉부(X) 전체에 이어져 있는 있는 점에서 제1 실시형태와 다르다. 상기한 점 이외에는, 본 실시형태의 탄성파 장치는 제1 실시형태의 탄성파 장치(1)와 동일한 구성을 가진다.
본 실시형태에서의 접속부(22a)는 지지 기판(22)의 적층막(3)에 접하고 있는 부분과 제거 영역(R2) 사이에서의 단차부이다. 절연층(19)은 바깥 가장자리 접촉부(X) 및 접속부(22a)로 연장되어 있다. 따라서, 본 실시형태에서도 바깥 가장자리 접촉부(X)는 절연층(19)에 의해 덮여 있기 때문에, 지지 기판(22)과 적층막(3)이 박리되기 어렵다.
여기서, 본 명세서에서 지지 기판의 오목부는 지지 기판에 단차부가 마련되어 있고, 지지 기판의 일부가 낮아져 있는 경우에서의, 상기 낮아져 있는 부분을 포함하는 것으로 한다. 지지 기판에서 낮아져 있는 부분이 지지 기판의 단차부로부터 지지 기판의 바깥 가장자리로 연장되어 있는 경우에도, 상기 낮아져 있는 부분은 오목부인 것으로 한다. 도 6에 나타내는 제2 실시형태에서는, 오목부는 평면에서 본 경우에 지지 기판(22) 상이며 적층막(3)이 마련되어 있는 영역의 외측 전체에 형성되어 있다.
한편, 제거 영역(R2) 전체를 낮게 할 때, 예를 들면, 적층막(3) 상에 레지스트층을 형성한 후에 지지 기판(2)을 에칭하면 된다.
도 7은 제3 실시형태에 따른 탄성파 장치의 모식적 확대 단면도이다.
본 실시형태는 지지 기판(32)이 오목부(12)를 가지면서 제2 실시형태와 마찬가지로 제거 영역(R3) 전체가 낮아져 있는 점에서 제1 실시형태와 다르다. 상기한 점 이외에는, 본 실시형태의 탄성파 장치는 제1 실시형태의 탄성파 장치(1)와 동일한 구성을 가진다.
본 실시형태에서는, 오목부(12)는 접속부(32a)의 일부를 포함하도록 마련되어 있다. 접속부(32a)는 오목부(12) 내의 면에 상당하는 부분과, 제2 실시형태와 동일한 상기 단차부에 상당하는 부분을 가진다. 절연층(19)은 바깥 가장자리 접촉부(X) 및 접속부(32a)로 연장되어 있다. 보다 구체적으로는, 절연층(19)은 접속부(32a)의 상기 단차부에 상당하는 부분 및 오목부(12) 내의 면에 상당하는 부분으로 연장되어 있다. 따라서, 바깥 가장자리 접촉부(X)는 절연층(19)에 의해 덮여 있으면서 지지 기판(32)과 절연층(19)의 밀착성을 한층 더 높일 수 있기 때문에, 지지 기판(2)과 적층막(3)이 한층 더 박리되기 어렵다.
한편, 예를 들면 도 7에 나타내는 절단면에서, 접속부(32a)에서의 상기 단차부에 상당하는 부분이 연장되는 방향과, 오목부(12) 내의 면에 상당하는 부분이 연장되는 방향이 달라도 된다.
여기서, 제3 실시형태의 구성을 도 14의 주사형 현미경 사진에 의해 나타낸다. 절연층이 단차부 및 오목부 내의 면으로 연장되어 있으면서 압전 박막 상으로 연장되어 있는 것을 알 수 있다.
도 8은 제4 실시형태에 따른 탄성파 장치의 모식적 확대 단면도이다.
본 실시형태에서는 적층막(43)이 음향 반사층(43A)을 포함하는 점에서 제1 실시형태와 다르다. 상기한 점 이외에는 본 실시형태의 탄성파 장치는 제1 실시형태의 탄성파 장치(1)와 동일한 구성을 가진다.
음향 반사층(43A)은 음향 임피던스가 상대적으로 높은 복수개의 고음향 임피던스막과, 고음향 임피던스막에 비해 음향 임피던스가 낮은 복수개의 저음향 임피던스막을 가진다. 보다 구체적으로는 도 8에 나타내는 바와 같이, 고음향 임피던스막(44a) 및 고음향 임피던스막(44b) 그리고 저음향 임피던스막(45a) 및 저음향 임피던스막(45b)이 교대로 적층되어 있다. 한편, 고음향 임피던스막 및 저음향 임피던스막의 층수는 특별히 한정되지 않는다.
음향 반사층(43A) 상에 압전 박막(6)이 마련되어 있다. 그로써, 탄성파의 에너지를 효과적으로 가둘 수 있다. 또한, 본 실시형태에서도 바깥 가장자리 접촉부(X)는 절연층(19)에 의해 덮여 있기 때문에, 지지 기판(2)과 적층막(43)이 박리되기 어렵다.
한편, 적층막(43)이 음향 반사층(43A)을 포함하는 경우에도 지지 기판(2)이나 접속부(2a)의 형태는 제1 실시형태와 동일한 것에 한정되지는 않는다. 이하에 나타내는 제1 변형예 및 제2 변형예의 경우에도 지지 기판과 적층막(43)이 박리되기 어렵다.
도 9는 제4 실시형태의 제1 변형예에 따른 탄성파 장치의 모식적 확대 단면도이다.
본 변형예의 지지 기판(22)은 제2 실시형태와 마찬가지로 제거 영역(R2) 전체가 낮아져 있고, 접속부(22a)가 바깥 가장자리 접촉부(X) 전체에 이어져 있다.
도 10은 제4 실시형태의 제2 변형예에 따른 탄성파 장치의 모식적 확대 단면도이다.
본 변형예의 지지 기판(32)은 제3 실시형태와 마찬가지로 오목부(12)를 가지면서 제거 영역(R3) 전체가 낮아져 있다.
도 11은 제5 실시형태에 따른 탄성파 장치의 약도적 단면도이다. 한편, 도 11은 도 1이 나타내는 절단면에 상당하는 절단면을 나타낸다. 후술할 도 12에서도 마찬가지이다.
본 실시형태의 탄성파 장치(51)는 접속 전극(17) 상에 직접적으로 범프(10)가 마련되어 있는 점에서 제1 실시형태와 다르다. 본 실시형태에서도, 제1 실시형태와 마찬가지로 지지 기판(2)과 적층막(3)이 박리되기 어렵다.
도 12는 제6 실시형태에 따른 탄성파 장치 실장 구조체의 약도적 단면도이다.
탄성파 장치 실장 구조체(60)는 실장 기판(62)을 가진다. 실장 기판(62) 상에 제5 실시형태의 탄성파 장치(51)가 실장되어 있다. 보다 구체적으로는, 실장 기판(62) 상에는 복수개의 접속 단자(68)가 마련되어 있다. 접속 단자(68)에는 각각 탄성파 장치(51)의 범프(10)가 접합되어 있다. 실장 기판(62) 상에는 탄성파 장치(51)를 덮도록 봉지(封止) 수지(69)가 마련되어 있다. 이로써, 탄성파 장치(51)는 실장 기판(62) 상에 실장되어 있다. 이와 같이, 탄성파 장치 실장 구조체(60)는 CSP 구조이다.
탄성파 장치 실장 구조체(60)에서의 탄성파 장치(51)는 제5 실시형태의 구성을 가지기 때문에, 본 실시형태에서도 지지 기판(2)과 적층막(3)이 박리되기 어렵다.
상기 각 실시형태의 탄성파 장치는 고주파 프론트 엔드 회로의 듀플렉서 등으로 이용할 수 있다. 이 예를 하기에서 설명한다.
도 13은 통신 장치 및 고주파 프론트 엔드 회로의 구성도이다. 한편, 동(同)도면에는 고주파 프론트 엔드 회로(230)와 접속되는 각 구성 요소, 예를 들면, 안테나 소자(202)나 RF 신호 처리 회로(RFIC)(203)도 함께 도시되어 있다. 고주파 프론트 엔드 회로(230) 및 RF 신호 처리 회로(203)는 통신 장치(240)를 구성하고 있다. 한편, 통신 장치(240)는 전원, CPU나 디스플레이를 포함하고 있어도 된다.
고주파 프론트 엔드 회로(230)는 스위치(225)와 듀플렉서(201A, 201B)와 필터(231, 232)와 로우 노이즈 앰프 회로(214, 224)와 파워 앰프 회로(234a, 234b, 244a, 244b)를 포함한다. 한편, 도 13의 고주파 프론트 엔드 회로(230) 및 통신 장치(240)는 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치의 일례로서, 이 구성에 한정되는 것은 아니다.
듀플렉서(201A)는 필터(211, 212)를 가진다. 듀플렉서(201B)는 필터(221, 222)를 가진다. 듀플렉서(201A, 201B)는 스위치(225)를 통해 안테나 소자(202)에 접속된다. 한편, 상기 탄성파 장치는 듀플렉서(201A, 201B)이어도 되고, 필터(211, 212, 221, 222)이어도 된다.
더욱이, 상기 탄성파 장치는 예를 들면, 3개의 필터의 안테나 단자가 공통화된 트리플렉서나, 6개의 필터의 안테나 단자가 공통화된 헥사플렉서 등, 3 이상의 필터를 포함하는 멀티플렉서에 대하여도 적용할 수 있다.
즉, 상기 탄성파 장치는 탄성파 공진자, 필터, 듀플렉서, 3 이상의 필터를 포함하는 멀티플렉서를 포함한다. 그리고 상기 멀티플렉서는 송신 필터 및 수신 필터 쌍방을 포함는 구성에 한정되지 않고, 송신 필터만 또는 수신 필터만을 포함하는 구성이어도 상관 없다.
스위치(225)는 제어부(도시하지 않음)로부터의 제어 신호에 따라, 안테나 소자(202)와 소정의 밴드에 대응하는 신호 경로를 접속하고, 예를 들면, SPDT(Single Pole Double Throw)형 스위치에 의해 구성된다. 한편, 안테나 소자(202)와 접속되는 신호 경로는 하나에 한정되지 않고, 복수개이어도 된다. 즉, 고주파 프론트 엔드 회로(230)는 캐리어 어그리게이션에 대응하고 있어도 된다.
로우 노이즈 앰프 회로(214)는 안테나 소자(202), 스위치(225) 및 듀플렉서(201A)를 경유한 고주파 신호(여기서는 고주파 수신 신호)를 증폭시키고, RF 신호 처리 회로(203)에 출력하는 수신 증폭 회로이다. 로우 노이즈 앰프 회로(224)는 안테나 소자(202), 스위치(225) 및 듀플렉서(201B)를 경유한 고주파 신호(여기서는 고주파 수신 신호)를 증폭시키고, RF 신호 처리 회로(203)에 출력하는 수신 증폭 회로이다.
파워 앰프 회로(234a, 234b)는 RF 신호 처리 회로(203)로부터 출력된 고주파 신호(여기서는 고주파 송신 신호)를 증폭시키고, 듀플렉서(201A) 및 스위치(225)를 경유하여 안테나 소자(202)에 출력하는 송신 증폭 회로이다. 파워 앰프 회로(244a, 244b)는 RF 신호 처리 회로(203)로부터 출력된 고주파 신호(여기서는 고주파 송신 신호)를 증폭시키고, 듀플렉서(201B) 및 스위치(225)를 경유하여 안테나 소자(202)에 출력하는 송신 증폭 회로이다.
RF 신호 처리 회로(203)는 안테나 소자(202)로부터 수신 신호 경로를 통해 입력된 고주파 수신 신호를 다운 컨버트 등에 의해 신호 처리하고, 상기 신호 처리하여 생성된 수신 신호를 출력한다. 또한, RF 신호 처리 회로(203)는 입력된 송신 신호를 업 컨버트 등에 의해 신호 처리하고, 상기 신호 처리하여 생성된 고주파 송신 신호를 파워 앰프 회로(234a, 234b, 244a, 244b)에 출력한다. RF 신호 처리 회로(203)는 예를 들면, RFIC이다. 한편, 통신 장치는 BB(베이스 밴드)IC를 포함하고 있어도 된다. 이 경우, BBIC는 RFIC로 처리된 수신 신호를 신호 처리한다. 또한, BBIC는 송신 신호를 신호 처리하고, RFIC에 출력한다. BBIC로 처리된 수신 신호나, BBIC가 신호 처리하기 전의 송신 신호는 예를 들면, 화상 신호나 음성 신호 등이다.
한편, 고주파 프론트 엔드 회로(230)는 상기 듀플렉서(201A, 201B) 대신에 듀플렉서(201A, 201B)의 변형예에 따른 듀플렉서를 포함하고 있어도 된다.
한편, 통신 장치(240)에서의 필터(231, 232)는 로우 노이즈 앰프 회로(214, 224) 및 파워 앰프 회로(234a, 234b, 244a, 244b)를 통하지 않고, RF 신호 처리 회로(203)와 스위치(225) 사이에 접속되어 있다. 필터(231, 232)도 듀플렉서(201A, 201B)와 마찬가지로, 스위치(225)를 통해 안테나 소자(202)에 접속된다.
이상과 같이 구성된 고주파 프론트 엔드 회로(230) 및 통신 장치(240)에 의하면, 본 발명의 탄성파 장치인 탄성파 공진자, 필터, 듀플렉서, 3 이상의 필터를 포함하는 멀티플렉서 등을 포함함으로써, 지지 기판과, 압전 박막을 포함하는 적층막이 박리되기 어려우면서 적층막의 균열이나 깨짐이 발생하기 어렵다.
이상, 본 발명의 실시형태에 따른 탄성파 장치, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치에 대해 실시형태 및 그 변형예를 들어 설명했는데, 본 발명은 상기 실시형태 및 변형예에서의 임의의 구성 요소를 조합하여 실현되는 다른 실시형태나, 상기 실시형태에 대하여 본 발명의 주지를 일탈하지 않는 범위에서 당업자가 생각해내는 각종 변형을 실시하여 얻어지는 변형예나, 본 발명에 따른 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치를 내장한 각종 기기도 본 발명에 포함된다.
본 발명은 탄성파 공진자, 필터, 듀플렉서, 멀티 밴드 시스템에 적용할 수 있는 멀티플렉서, 프론트 엔드 회로 및 통신 장치로서, 휴대전화기 등의 통신기기에 널리 이용할 수 있다.
1: 탄성파 장치 2: 지지 기판
2a: 접속부 3: 적층막
4: 고음속막 5: 저음속막
6: 압전 박막 7: 지지 부재
7a: 개구부 8: 커버 부재
9: 언더범프 메탈층 10: 범프
12: 오목부 12b: 내면
13A~13C: 탄성파 공진자 14: IDT 전극
15A, 15B: 반사기 16: 배선 전극
17: 접속 전극 19: 절연층
19a, 19b: 제1, 제2 부분 22: 지지 기판
22a: 접속부 32: 지지 기판
32a: 접속부 43: 적층막
43A: 음향 반사층 44a, 44b: 고음향 임피던스막
45a, 45b: 저음향 임피던스막 51: 탄성파 장치
60: 탄성파 장치 실장 구조체 62: 실장 기판
68: 접속 단자 69: 봉지 수지
73: 적층막 201A, 201B: 듀플렉서
202: 안테나 소자 203: RF 신호 처리 회로
211, 212: 필터 214: 로우 노이즈 앰프 회로
221, 222: 필터 224: 로우 노이즈 앰프 회로
225: 스위치 230: 고주파 프론트 엔드 회로
231, 232: 필터 234a, 234b: 파워 앰프 회로
240: 통신 장치 244a, 244b: 파워 앰프 회로
R1~R3: 제거 영역 X: 바깥 가장자리 접촉부

Claims (11)

  1. 지지 기판과,
    상기 지지 기판 상에 마련되고 평면에서 본 경우에 상기 지지 기판의 바깥 가장자리의 적어도 일부보다도 내측에 마련되면서 압전 박막을 포함하는 적층막과,
    상기 적층막 상에 마련되는 IDT 전극과,
    상기 지지 기판 상 및 상기 적층막 상에 마련되고 상기 지지 기판 상으로부터 상기 적층막 상으로 연장되는 절연층과,
    상기 절연층 상에 마련되고 상기 IDT 전극과 전기적으로 접속되는 접속 전극과,
    상기 접속 전극과 전기적으로 접속되고 상기 접속 전극 상에 직접적으로 또는 간접적으로 마련되면서 평면에서 본 경우에 상기 지지 기판 상이며 상기 적층막이 마련되는 영역의 외측에 마련되는 외부 접속 단자를 포함하고,
    상기 지지 기판에서의 상기 적층막 측의 주면(主面)은 평면에서 본 경우에 상기 적층막의 바깥 가장자리 위치에 오목부를 가지며,
    상기 오목부는 상기 절연층에 의해 덮이는, 탄성파 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 적층막의 선팽창 계수와 상기 지지 기판의 선팽창 계수는 다른, 탄성파 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 오목부가 평면에서 본 경우에 상기 지지 기판 상이며 상기 적층막이 마련되는 영역의 외측 전체에 형성되는, 탄성파 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 오목부가 상기 적층막을 둘러싸도록 마련되는, 탄성파 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 지지 기판이 상기 압전 박막을 전파하는 탄성파의 음속보다도 전파하는 벌크파의 음속이 높은 재료로 이루어지고,
    상기 적층막이 상기 압전 박막을 전파하는 탄성파의 음속보다도 전파하는 벌크파의 음속이 낮은 저음속막을 포함하며,
    상기 저음속막 상에 상기 압전 박막이 마련되는, 탄성파 장치.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 적층막이 상기 압전 박막을 전파하는 탄성파의 음속보다도 전파하는 벌크파의 음속이 높은 고음속막과, 상기 압전 박막을 전파하는 탄성파의 음속보다도 전파하는 벌크파의 음속이 낮은 저음속막을 포함하고,
    상기 고음속막 상에 상기 저음속막이 마련되며,
    상기 저음속막 상에 상기 압전 박막이 마련되는, 탄성파 장치.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 적층막이, 음향 임피던스가 상대적으로 높은 고음향 임피던스막과, 상기 고음향 임피던스막에 비해 음향 임피던스가 낮은 저음향 임피던스막을 가지는 음향 반사층을 포함하고,
    상기 음향 반사층 상에 상기 압전 박막이 마련되는, 탄성파 장치.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    평면에서 본 경우에 상기 지지 기판 상이며 상기 적층막이 마련되는 영역의 외측 영역에 직접적으로 또는 간접적으로 마련되고 상기 IDT 전극을 둘러싸는 개구부를 가지는 지지 부재와,
    상기 지지 부재 상에 상기 개구부를 덮도록 마련되는 커버 부재와,
    상기 접속 전극에 접속되도록 상기 지지 부재 및 상기 커버 부재를 관통하는 언더범프 메탈층을 더 포함하며,
    상기 외부 접속 단자는 상기 접속 전극 상에 상기 언더범프 메탈층을 개재하여 간접적으로 마련되는 범프이고,
    상기 지지 기판, 상기 지지 부재 및 상기 커버 부재에 의해 둘러싸인 중공 공간 내에 상기 IDT 전극이 위치하는, 탄성파 장치.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 외부 접속 단자가 상기 접속 전극 상에 직접적으로 마련되는 범프인, 탄성파 장치.
  10. 제1항 또는 제2항에 기재된 탄성파 장치와,
    파워 앰프를 포함하는, 고주파 프론트 엔드 회로.
  11. 제10항에 기재된 고주파 프론트 엔드 회로와,
    RF 신호 처리 회로를 포함하는, 통신 장치.
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