KR20220147638A - 탄성파 장치 - Google Patents
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Abstract
레일리파에 의한 응답이 억제된 탄성파 장치를 제공한다.
압전성 기판 상에 마련된 IDT 전극(5)과, IDT 전극(5)의 탄성파 전파 방향 양측에 배치되고, 갭을 두고 배치된 복수개의 전극지(6a 또는 7a)를 가지는 반사기 전극(6, 7)을 포함하며, 반사기 전극(6, 7)의 복수개의 전극지(6a, 7a) 및 갭이 마련된 영역에서 반사기 전극(6, 7)과 압전성 기판 사이에 배치된 유전체막(10, 11)이 더 포함되는, 탄성파 장치(1).
압전성 기판 상에 마련된 IDT 전극(5)과, IDT 전극(5)의 탄성파 전파 방향 양측에 배치되고, 갭을 두고 배치된 복수개의 전극지(6a 또는 7a)를 가지는 반사기 전극(6, 7)을 포함하며, 반사기 전극(6, 7)의 복수개의 전극지(6a, 7a) 및 갭이 마련된 영역에서 반사기 전극(6, 7)과 압전성 기판 사이에 배치된 유전체막(10, 11)이 더 포함되는, 탄성파 장치(1).
Description
본 발명은 IDT 전극 및 반사기 전극을 가지는 탄성파 장치에 관한 것이다.
하기의 특허문헌 1에 기재된 탄성파 장치에서는 지지 기판 상에 압전막이 적층된다. 이 압전막 상에, IDT 전극과, IDT 전극의 탄성파 전파 방향 양측에 배치된 반사기 전극이 마련된다. 특허문헌 1에서는 IDT 전극의 교차 영역이, 중앙 영역과, 중앙 영역의 전극지가 연장되는 방향 외측으로 배치된 제1, 제2 에지(edge) 영역을 가진다. 제1, 제2 에지 영역에서 전극지와 압전막 사이에 유전체막이 마련된다.
특허문헌 1에 기재된 발명에서는 SH파를 이용한 공진 특성을 얻을 수 있는데, 레일리파에 의한 응답이 크기 때문에, 레일리파에 의한 스퓨리어스가 크다는 문제가 있었다.
본 발명의 목적은 레일리파에 의한 응답이 억제된 탄성파 장치를 제공하는 것에 있다.
본원의 제1 발명에 따른 탄성파 장치는 압전성 기판과, 상기 압전성 기판 상에 마련된 IDT 전극과, 상기 IDT 전극의 탄성파 전파 방향 양측에 배치되고, 갭을 두고 배치된 복수개의 전극지(電極指)를 가지는 반사기 전극을 포함하고, 상기 반사기 전극의 상기 복수개의 전극지 및 상기 갭이 마련된 영역에서 상기 반사기 전극과 상기 압전성 기판 사이에 배치된 제1 유전체막을 더 포함한다.
본원의 제2 발명에 따른 탄성파 장치는 압전성 기판과, 상기 압전성 기판 상에 마련된 IDT 전극과, 상기 IDT 전극의 탄성파 전파 방향 양측에 배치되며 갭을 두고 배치된 복수개의 전극지를 가지는 반사기 전극을 포함하고, 상기 반사기 전극의 상기 갭이 배치된 영역과 상기 압전성 기판 사이의 전체 영역에 배치되지 않고, 상기 반사기 전극의 상기 복수개의 전극지와 상기 압전성 기판 사이에 배치된 제1 유전체막을 더 포함한다.
이하, 제1 발명 및 제2 발명을 총칭하여 본 발명이라고 약칭한다.
본 발명에 따르면, 레일리파에 의한 응답을 억제하는 것이 가능한 탄성파 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 탄성파 장치의 평면도이다.
도 2의 도 2(a) 및 도 2(b)는 도 1 중의 A-A선 및 B-B선을 따르는 각 단면도이다.
도 3은 실시예 1 및 비교예 1의 탄성파 장치의 위상-주파수 특성을 나타내는 도면이다.
도 4는 도 3 중의 C로 나타낸 부분을 확대하여 나타내는, 실시예 1 및 비교예 1의 위상-주파수 특성을 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시형태에 따른 탄성파 장치의 평면도이다.
도 6은 도 5 중의 D-D선을 따르는 단면도이다.
도 7은 실시예 1, 실시예 2 및 비교예 1의 탄성파 장치의 위상-주파수 특성을 나타내는 도면이다.
도 8은 도 7 중의 E로 나타낸 부분을 확대하여 나타내는, 실시예 1, 실시예 2 및 비교예 1의 위상-주파수 특성을 나타내는 도면이다.
도 9는 유전체막으로서 산화니오브 및 산화텅스텐을 사용한 실시예와, 비교예의 탄성파 장치에서의, Y커트 LiTaO3의 커트 각과, 레일리파의 위상 크기의 관계를 나타내는 도면이다.
도 10은 변형예의 압전성 기판을 나타내는 정면 단면도이다.
도 11은 압전성 기판의 변형예를 설명하기 위한 정면 단면도이다.
도 2의 도 2(a) 및 도 2(b)는 도 1 중의 A-A선 및 B-B선을 따르는 각 단면도이다.
도 3은 실시예 1 및 비교예 1의 탄성파 장치의 위상-주파수 특성을 나타내는 도면이다.
도 4는 도 3 중의 C로 나타낸 부분을 확대하여 나타내는, 실시예 1 및 비교예 1의 위상-주파수 특성을 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시형태에 따른 탄성파 장치의 평면도이다.
도 6은 도 5 중의 D-D선을 따르는 단면도이다.
도 7은 실시예 1, 실시예 2 및 비교예 1의 탄성파 장치의 위상-주파수 특성을 나타내는 도면이다.
도 8은 도 7 중의 E로 나타낸 부분을 확대하여 나타내는, 실시예 1, 실시예 2 및 비교예 1의 위상-주파수 특성을 나타내는 도면이다.
도 9는 유전체막으로서 산화니오브 및 산화텅스텐을 사용한 실시예와, 비교예의 탄성파 장치에서의, Y커트 LiTaO3의 커트 각과, 레일리파의 위상 크기의 관계를 나타내는 도면이다.
도 10은 변형예의 압전성 기판을 나타내는 정면 단면도이다.
도 11은 압전성 기판의 변형예를 설명하기 위한 정면 단면도이다.
이하, 도면을 참조하면서, 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명함으로써 본 발명을 분명하게 한다.
한편, 본 명세서에 기재된 각 실시형태는 예시적인 것이며, 다른 실시형태 간에 구성의 부분적인 치환 또는 조합이 가능한 것을 지적해 둔다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 탄성파 장치의 평면도이며, 도 2(a) 및 도 2(b)는 도 1 중의 A-A선 및 B-B선을 따르는 단면도이다.
탄성파 장치(1)는 지지 기판(2)을 가진다. 지지 기판(2)은 Si로 이루어진다. 지지 기판(2) 상에 저음속막으로서의 산화규소막(3)이 마련된다. 산화규소막(3) 상에 LiTaO3으로 이루어지는 압전막(4)이 마련된다. 즉, 지지 기판(2), 산화규소막(3) 및 압전막(4)이 적층된 압전성 기판이 구성된다. 압전막(4)을 구성하는 압전체로는 LiTaO3에 한정되지 않고, LiNbO3 등을 사용해도 된다. 본 실시형태에서는 Y커트의 LiTaO3이 사용된다.
압전막(4) 상에 IDT 전극(5)이 마련된다. IDT 전극(5)은 서로 맞물리는 복수개의 제1 전극지(5a)와, 복수개의 제2 전극지(5b)를 가진다.
탄성파 전파 방향은 제1, 제2 전극지(5a, 5b)가 연장되는 방향과 직교하는 방향이다. 탄성파 전파 방향에서 IDT 전극(5)의 양측에 반사기 전극(6, 7)이 배치된다. 반사기 전극(6, 7)은 각각 복수개의 전극지(6a, 7a)의 양단을 단락시킨 구조를 가진다.
IDT 전극(5) 및 반사기 전극(6, 7)은 Al, Mo, Cu, W 등의 금속 혹은 이들을 주체로 하는 합금으로 이루어진다. 또한, IDT 전극(5) 및 반사기 전극(6, 7)은 복수개의 금속막을 적층하여 이루어지는 적층 금속막으로 이루어지는 것이어도 된다.
IDT 전극(5)에서 제1 전극지(5a)와 제2 전극지(5b)가 탄성파 전파 방향에서 겹치는 영역이 교차 영역이다. 이 교차 영역이 제1, 제2 전극지(5a, 5b)가 연장되는 방향 중앙에 위치하는 중앙 영역과, 중앙 영역의 제1, 제2 전극지(5a, 5b)가 연장되는 방향 양측에 마련된 제1, 제2 에지 영역을 가진다. 그리고 제1, 제2 에지 영역에서 제2 유전체막으로서의 유전체막(8, 9)이 마련된다. 제2 유전체막(8, 9)은 IDT 전극(5)과 압전막(4) 사이에 마련된다. 유전체막(8, 9)은 본 실시형태에서는 산화탄탈막으로서의 Ta2O5막으로 이루어진다. 유전체막(8, 9)을 마련함으로써, 제1, 제2 에지 영역에서의 음속이 중앙 영역보다도 낮게 되어 있다. 그로써, 횡모드 리플의 억압이 가능하게 되어 있다.
탄성파 장치(1)의 특징은 반사기 전극(6, 7)에서 반사기 전극(6, 7)과 압전막(4) 사이에 제1 유전체막으로서의 유전체막(10, 11)이 마련되는 것에 있다.
유전체막(10, 11)은 본 실시형태에서는 산화탄탈막으로서의 Ta2O5막으로 이루어진다. 한편, 유전체막(10, 11)을 구성하는 유전체는 이에 한정되지 않고, 예를 들면 Nb2O3과 같은 산화니오브, 예를 들면 WO3과 같은 산화텅스텐, 예를 들면 Hf2O5와 같은 산화하프늄 및 예를 들면 CeO2와 같은 산화셀렌으로 이루어지는 군에서 선택된 1종의 산화물을 알맞게 사용할 수 있다.
탄성파 장치(1)에서는 유전체막(10, 11)이 마련됨으로써, 레일리파에 의한 응답을 억제할 수 있다. 이것을 실시예 1 및 비교예 1의 위상-주파수 특성을 나타냄으로써 분명하게 한다.
실시예 1로서, 하기의 설계 파라미터로 탄성파 장치(1)를 제작했다.
지지 기판(2); Si
산화규소막(3); 두께 600㎚의 SiO2막
압전막(4); 50° Y커트의 LiTaO3, 두께=600㎚
IDT 전극(5) 및 반사기 전극(6, 7); 재료 AlCu, 전극 두께=140㎚,
IDT 전극(5)의 전극지 피치로 정해지는 파장λ=2㎛
IDT 전극(5)의 전극지의 쌍수=100쌍
교차 영역의 치수=15λ
제1, 제2 에지 영역에서의 제1, 제2 전극지(5a, 5b)가 연장되는 방향의 치수=350㎚
제1, 제2 전극지(5a, 5b)의 폭=500㎚
전극지(6a)의 개수=40개
전극지(7a)의 개수=40개
전극지(6a, 7a)의 폭=500㎚
Ta2O5막으로 이루어지는 유전체막(8, 9); 두께=30㎚
유전체막(10, 11)으로서의 Ta2O5막; 두께=30㎚
한편, 도 1에 나타내는 바와 같이, 유전체막(10, 11)은 반사기 전극(6, 7)에서 전극지(6a, 7a)의 하방뿐만 아니라, 전극지(6a, 6a) 사이의 갭 영역 및 전극지(7a, 7a) 사이의 갭 영역에도 위치하도록 배치했다.
비교예 1로서, 상기 유전체막(10, 11)을 마련하지 않은 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 마찬가지로 하여 비교예 1의 탄성파 장치를 구성했다.
도 3에, 실선으로 실시예 1의 위상-주파수 특성을, 파선으로 비교예 1의 위상-주파수 특성을 나타낸다. 도 3에서는 1900㎒~1990㎒ 부근에, 이용하는 메인모드인 SH파의 응답이 나타나있다. 그리고 1400㎒ 부근에 레일리파에 의한 응답이 나타나있다.
도 4는 도 3 중의 C로 나타낸 부분을 확대하여 나타내는, 실시예 1 및 비교예 1의 위상-주파수 특성을 나타내는 도면이다. 도 4에서도 실선이 실시예 1의 결과를, 파선이 비교예 1의 결과를 나타낸다. 도 4로부터 분명한 바와 같이, 비교예 1에 비해, 실시예 1에서는 레일리파에 의한 응답을 억제할 수 있는 것을 알 수 있다. 즉, 실시예 1에 따르면, 레일리파에 의한 스퓨리어스를 효과적으로 억제할 수 있다.
상기와 같이, 유전체막(10, 11)을 마련함으로써, 레일리파에 의한 응답을 억제할 수 있는 것은 이하의 이유에 의한다고 생각된다.
레일리파는 전파 방향 성분과 깊이 방향 성분을 가진다. 상기 유전체막(10, 11)이 마련됨으로써 이 전파 방향 성분이 저해되고, 레일리파가 여진(勵振)되기 어려워진다. 그 때문에, 레일리파에 의한 응답을 억제할 수 있었던 것으로 생각된다.
또한, 본 실시형태에서는 유전체막(10, 11)은 IDT 전극(5)이 마련된 부분에는 배치되지 않았다. 그 때문에, IDT 전극(5)에서의 용량이 작아지는 일이 없기 때문에, 탄성파 장치의 대형화를 피할 수 있다.
도 5는 본 발명의 제2 실시형태에 따른 탄성파 장치의 평면도이며, 도 6은 도 5 중의 D-D선을 따르는 부분을 나타내는 단면도이다.
탄성파 장치(21)에서는 유전체막(10, 11)이 반사기 전극(6)의 전극지(6a)의 하방 및 반사기 전극(7)의 전극지(7a)의 하방에 마련되고, 전극지(6a, 6a) 사이의 갭 영역 및 전극지(7a, 7a) 사이의 갭 영역에 마련되지 않는다. 또한, 유전체막(10, 11)은 반사기 전극(6, 7)의 탄성파 전파 방향 양측으로 밀려나오도록 마련되지도 않는다. 즉, 전극지(6a, 7a)의 하방에서만 유전체막(10, 11)이 마련된다. 그 밖의 구성은 탄성파 장치(21)는 탄성파 장치(1)와 마찬가지이다. 따라서, 동일 부분에 대해서는 동일한 참조 번호를 붙임으로써 그 설명을 생략한다.
탄성파 장치(21)와 같이, 본 발명에서는 유전체막(10, 11)은 반사기 전극(6, 7)의 전극지(6a, 7a)와 압전막(4) 사이에만 마련되어도 된다. 이 경우에도 레일리파에 의한 응답을 효과적으로 억제할 수 있다. 이것을 실시예 2의 위상-주파수 특성과, 전술한 실시예 1 및 비교예 1의 각 위상-주파수 특성을 대비함으로써 설명한다.
유전체막(10, 11)을 전극지(6a, 7a)의 하방에만 배치하고, 그 밖의 구성은 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 2의 탄성파 장치를 구성했다.
도 7은 실시예 1, 실시예 2 및 비교예 1의 탄성파 장치의 위상-주파수 특성을 나타내는 도면이며, 도 8은 도 7 중의 E로 나타낸 부분을 확대하여 나타내는, 실시예 1, 실시예 2 및 비교예 1의 위상-주파수 특성을 나타내는 도면이다.
도 7 및 도 8에서 실선으로 실시예 1의 결과를, 일점쇄선으로 실시예 2의 결과를, 파선으로 비교예 1의 결과를 나타낸다.
도 8로부터 분명한 바와 같이, 실시예 2에서도 실시예 1과 마찬가지로, 비교예 1에 비해 레일리파를 효과적으로 억압할 수 있음을 알 수 있다. 또한, 실시예 2에서는 실시예 1보다도 더 레일리파의 응답을 억압할 수 있다.
상기와 같이, 본 발명에서는 반사기 전극(6, 7)의 전극지(6a, 7a)의 하방에만 유전체막(10, 11)을 마련한 경우에도 레일리파에 의한 응답을 효과적으로 억제할 수 있다. 그리고 본 실시형태에서도 IDT 전극(5)이 배치된 부분에 유전체막(10, 11)을 마련할 필요는 없다. 따라서, 용량이 작아지는 일이 없기 때문에, 탄성파 장치(21)의 대형화를 피할 수 있다.
또한, 제2 실시형태에 따른 탄성파 장치(21)에서는 반사기 전극(6, 7)의 갭 영역에도 유전체막(10, 11)이 마련되지 않는다. 그 때문에, 반사 계수가 충분히 확보되고, 그로써, 레일리파에 의한 응답을 한층 더 작게 할 수 있다.
상기 제1, 제2 실시형태에서는 유전체막(10, 11)은 Ta2O5로 이루어지지만, 본 발명에서는 전술한 바와 같이, 다른 산화물 유전체를 사용해도 된다.
도 9는 유전체막(10, 11)으로서, 산화니오브로서의 Nb2O5, 산화텅스텐으로서의 WO3으로 이루어지는 것을 사용한 경우의, Y커트의 LiTaO3의 커트 각과, 레일리파의 위상 크기의 관계를 나타내는 도면이다. 한편, 도 9 중, ○가 Nb2O5를 사용한 경우의 결과를, △가 WO3을 사용한 경우의 결과를 나타낸다. 또한, 도 9 중 ×는 전술한 비교예 1의 결과를 나타낸다.
한편, 상기 산화물 유전체의 재료를 다르게 한 것, 및 커트 각을 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 마찬가지로 하여 각 탄성파 장치를 구성했다.
도 9로부터 분명한 바와 같이, LiTaO3의 커트 각이 10° 이상, 90° 이하인 범위 내에서, 어느 경우에도 비교예 1에 비해, Nb2O5 또는 WO3으로 이루어지는 유전체막(10, 11)을 마련함으로써, 레일리파의 위상을 작게 할 수 있음을 알 수 있다. 특히, 커트 각이 40° 이하, 또는 60° 이상인 경우에 비교예 1에 비해, 레일리파의 응답을 보다 효과적으로 억제할 수 있음을 알 수 있다.
한편, 도 2(a), 도 2(b)에 나타낸 바와 같이, 탄성파 장치(1)에서는 Si로 이루어지는 지지 기판(2) 상에 산화규소막(3)으로 이루어지는 저음속막 및 압전막(4)이 적층된 압전성 기판이 사용되었다. 이 경우, 저음속막이란, 전파하는 벌크파의 음속이 압전막(4)을 전파하는 벌크파의 음속보다도 낮은 저음속 재료로 이루어지는 막을 말한다. 이와 같은 저음속 재료로는 산화규소, 유리, 산질화규소, 산화탄탈, 또한 산화규소에 불소나 탄소나 붕소를 첨가한 화합물 등, 상기 재료를 주성분으로 한 매질 등을 사용할 수 있다.
또한, 지지 기판(2)은 Si로 구성되어 있었는데, 지지 기판(2)은 Si를 포함하는 다양한 고음속 재료에 의해 구성할 수 있다. 즉, 고음속 재료층이 지지 기판과 일체화되어 있으면 된다. 고음속 재료란, 전파하는 벌크파의 음속이 압전막(4)을 전파하는 탄성파의 음속보다도 높은 재료를 말하고, 산화알루미늄, 탄화규소, 질화규소, 산질화규소, 실리콘, 사파이어, 탄탈산리튬, 니오브산리튬, 수정, 알루미나, 지르코니아, 코디에라이트, 멀라이트, 스테아타이트, 포스테라이트, 마그네시아, DLC(다이아몬드 라이크 카본)막 또는 다이아몬드, 상기 재료를 주성분으로 하는 매질, 상기 재료의 혼합물을 주성분으로 하는 매질 등의 다양한 재료를 들 수 있다.
또한, 도 2(a)에 파선(F)으로 나타내는 위치와 산화규소막(3) 사이에 고음속 재료로 이루어지는 고음속 재료층을 배치해도 된다. 그 경우에는 지지 기판(2)으로서, 고음속 재료 이외의 절연체나 반도체를 사용해도 된다.
또한, 탄성파 장치(1)에서는 도 10에 나타내는 압전성 기판을 사용해도 된다. 압전성 기판(31)에서는 지지 기판(2)과 압전막(4) 사이에 음향 반사막(32)이 배치된다. 음향 반사막(32)은 상대적으로 음향 임피던스가 낮은 저음향 임피던스층(32a, 32c, 32e)과, 상대적으로 음향 임피던스가 높은 고음향 임피던스층(32b, 32d, 32f)을 가진다. 한편, 저음향 임피던스층 및 고음향 임피던스층의 적층 수는 특별히 한정되지 않았다.
또한, 본 발명에서는 도 11에 나타내는 압전성 기판(41)을 사용해도 된다. 압전성 기판(41)은 단일의 압전체로 이루어진다. 이와 같은 압전체로는 LiTaO3이나, LiNbO3을 사용할 수 있다.
1: 탄성파 장치 2: 지지 기판
3: 산화규소막 4: 압전막
5: IDT 전극 5a, 5b: 제1, 제2 전극지
6, 7: 반사기 전극 6a, 7a: 전극지
8, 9, 10, 11: 유전체막 21: 탄성파 장치
31: 압전성 기판 32: 음향 반사막
32a, 32c, 32e: 저음향 임피던스층 32b, 32d, 32f: 고음향 임피던스층
41: 압전성 기판
3: 산화규소막 4: 압전막
5: IDT 전극 5a, 5b: 제1, 제2 전극지
6, 7: 반사기 전극 6a, 7a: 전극지
8, 9, 10, 11: 유전체막 21: 탄성파 장치
31: 압전성 기판 32: 음향 반사막
32a, 32c, 32e: 저음향 임피던스층 32b, 32d, 32f: 고음향 임피던스층
41: 압전성 기판
Claims (11)
- 압전성 기판과,
상기 압전성 기판 상에 마련된 IDT 전극과, 상기 IDT 전극의 탄성파 전파 방향 양측에 배치되며 갭을 두고 배치된 복수개의 전극지(電極指)를 가지는 반사기 전극을 포함하고,
상기 반사기 전극의 상기 복수개의 전극지 및 상기 갭이 마련된 영역에서 상기 반사기 전극과 상기 압전성 기판 사이에 배치된 제1 유전체막을 더 포함하는, 탄성파 장치. - 압전성 기판과,
상기 압전성 기판 상에 마련된 IDT 전극과, 상기 IDT 전극의 탄성파 전파 방향 양측에 배치되며 갭을 두고 배치된 복수개의 전극지(電極指)를 가지는 반사기 전극을 포함하고,
상기 반사기 전극의 상기 갭이 배치된 영역과 상기 압전성 기판 사이의 전체영역에 배치되지 않고, 상기 반사기 전극의 상기 복수개의 전극지와 상기 압전성 기판 사이에 배치되는 제1 유전체막을 더 포함하는, 탄성파 장치. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 IDT 전극은 맞물리는 복수개의 제1 전극지 및 복수개의 제2 전극지를 가지며, 상기 제1 전극지와 상기 제2 전극지가 탄성파 전파 방향에서 겹치는 영역이 교차 영역이고, 상기 교차 영역이 중앙 영역과, 중앙 영역의 상기 제1, 제2 전극지가 연장되는 방향 양측에 배치된 제1, 제2 에지(edge) 영역을 가지며, 상기 제1, 제2 에지 영역에서 상기 IDT 전극과 상기 압전성 기판 사이에 배치된 제2 유전체막을 더 포함하는, 탄성파 장치. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 유전체막이 산화탄탈, 산화니오브, 산화텅스텐, 산화하프늄, 산화셀렌으로 이루어지는 군에서 선택된 1종의 산화물로 이루어지는, 탄성파 장치. - 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 압전성 기판이 압전체로 이루어지고, 상기 압전체가 LiNbO3 또는 LiTaO3인, 탄성파 장치. - 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 압전성 기판이 지지 기판과, 상기 지지 기판에 직접 또는 간접적으로 적층된 압전막을 가지며, 상기 압전막이 LiNbO3 또는 LiTaO3인, 탄성파 장치. - 제6항에 있어서,
상기 압전성 기판이 상기 압전막과 상기 지지 기판 사이에 배치되고, 전파하는 벌크파의 음속이 상기 압전막을 전파하는 탄성파의 음속보다도 높은 고음속 재료로 이루어지는 고음속 재료층을 더 포함하는, 탄성파 장치. - 제7항에 있어서,
상기 고음속 재료층과 상기 압전막 사이에 배치되며 전파하는 벌크파의 음속이 상기 압전막을 전파하는 벌크파의 음속보다도 낮은 저음속 재료로 이루어지는 저음속막을 더 포함하는, 탄성파 장치. - 제7항 또는 제8항에 있어서,
상기 고음속 재료층이 상기 지지 기판과 일체화된, 탄성파 장치. - 제6항에 있어서,
상기 압전성 기판이 상기 압전막과 상기 지지 기판 사이에 적층된 음향 반사막을 더 포함하는, 탄성파 장치. - 제10항에 있어서,
상기 음향 반사막이 상대적으로 음향 임피던스가 낮은 저음향 임피던스층과, 상대적으로 음향 임피던스가 높은 고음향 임피던스층을 가지는, 탄성파 장치.
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