CN111066244B - 弹性波装置、高频前端电路以及通信装置 - Google Patents

弹性波装置、高频前端电路以及通信装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种不易产生层叠膜的破裂、碎片且支承基板和层叠膜不易剥离的弹性波装置、高频前端电路以及通信装置。弹性波装置(1)具备：支承基板(2)；层叠膜(3)，设置在支承基板(2)上，在俯视的情况下设置得比支承基板(2)的外缘的至少一部分靠内侧，且包含压电薄膜(6)；IDT电极(16)，设置在层叠膜(3)上；绝缘层(19)，设置在支承基板(2)上以及层叠膜(3)上，从支承基板(2)上到达层叠膜(3)上；连接电极(17)，设置在绝缘层(19)上，与IDT电极(16)电连接；以及外部连接端子，与连接电极(17)电连接，直接或间接地设置在连接电极(17)上，且在俯视的情况下设置在支承基板(2)上且设置在设置有层叠膜(3)的区域的外侧，支承基板(2)中的层叠膜(3)侧的主面在俯视的情况下在层叠膜(3)的外缘的位置具有凹部(12)，凹部(12)被绝缘层(19)覆盖。

Description

弹性波装置、高频前端电路以及通信装置
技术领域
本发明涉及弹性波装置、高频前端电路以及通信装置。
背景技术
以往，弹性波装置被广泛用于便携式电话机的滤波器等。在下述的专利文献1公开了弹性波装置的一个例子。该弹性波装置具有：支承基板；层叠膜，设置在支承基板上，包含压电薄膜；IDT电极，设置在层叠膜上；绝缘层，设置在支承基板上以及层叠膜上，从支承基板上到达层叠膜上；布线电极，设置在绝缘层上，与IDT电极电连接；以及外部连接端子，与布线电极电连接。而且，外部连接端子在俯视的情况下设置在不存在层叠膜的区域，因此接合外部连接端子时的应力不直接施加于层叠膜，使得不易产生包含压电薄膜的层叠膜的破裂、碎片。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2016/208428号
发明内容
发明要解决的课题
在专利文献1记载的弹性波装置中，层叠膜以及支承基板的热膨胀系数不同，因此在热施加于弹性波装置时等，会在层叠膜与支承基板之间附加应力。特别是，有应力集中在层叠膜的外缘与支承基板接触的部分的倾向。因此，容易在层叠膜产生破裂、碎片，或者层叠膜容易从支承基板剥离。
本发明的目的在于，提供一种不易产生层叠膜的破裂、碎片且支承基板和层叠膜不易剥离的弹性波装置、高频前端电路以及通信装置。
用于解决课题的技术方案
本发明涉及的弹性波装置具备：支承基板；层叠膜，设置在所述支承基板上，在俯视的情况下设置得比所述支承基板的外缘的至少一部分靠内侧，且包含压电薄膜；IDT电极，设置在所述层叠膜上；绝缘层，设置在所述支承基板上以及所述层叠膜上，从所述支承基板上到达所述层叠膜上；连接电极，设置在所述绝缘层上，与所述IDT电极电连接；以及外部连接端子，与所述连接电极电连接，直接或间接地设置在所述连接电极上，且在俯视的情况下设置在所述支承基板上且设置在设置有所述层叠膜的区域的外侧，所述支承基板中的所述层叠膜侧的主面在俯视的情况下在所述层叠膜的外缘的位置具有凹部，所述凹部被所述绝缘层覆盖。
在本发明涉及的弹性波装置的某个特定的方面中，所述层叠膜的线膨脤系数与所述支承基板的线膨胀系数不同。
在本发明涉及的弹性波装置的另一个特定的方面中，所述凹部在俯视的情况下形成在所述支承基板上且形成在设置有所述层叠膜的区域的外侧的整体。在该情况下，支承基板和层叠膜更加不易剥离。
在本发明涉及的弹性波装置的另一个特定的方面中，所述凹部设置为包围所述层叠膜。在该情况下，支承基板和层叠膜更加不易剥离。
在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中，所述支承基板由传播的体波(bulk wave)的声速比在所述压电薄膜传播的弹性波的声速高的材料构成，所述层叠膜包含传播的体波的声速比在所述压电薄膜传播的弹性波的声速低的低声速膜，在所述低声速膜上设置有所述压电薄膜。在该情况下，能够有效地封闭弹性波的能量。
在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中，所述层叠膜包含：高声速膜，传播的体波的声速比在所述压电薄膜传播的弹性波的声速高；以及低声速膜，传播的体波的声速比在所述压电薄膜传播的弹性波的声速低，在所述高声速膜上设置有所述低声速膜，在所述低声速膜上设置有所述压电薄膜。在该情况下，能够有效地封闭弹性波的能量。
在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中，所述层叠膜包含：声反射层，具有声阻抗相对高的高声阻抗膜和声阻抗比所述高声阻抗膜低的低声阻抗膜，在所述声反射层上设置有所述压电薄膜。在该情况下，能够有效地封闭弹性波的能量。
在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中，还具备：支承构件，在俯视的情况下，直接或间接地设置在所述支承基板上且设置在设置有所述层叠膜的区域的外侧的区域，并具有包围所述IDT电极的开口部；覆盖构件，设置在所述支承构件上，使得覆盖所述开口部；以及凸块下金属层，贯通所述支承构件以及所述覆盖构件，使得与所述连接电极连接，所述外部连接端子是经由所述凸块下金属层间接地设置在所述连接电极上的凸块，所述IDT电极位于被所述支承基板、所述支承构件以及所述覆盖构件包围的中空空间内。
在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中，所述外部连接端子是直接设置在所述连接电极上的凸块。
本发明的高频前端电路具备按照本发明构成的弹性波装置和功率放大器。
本发明的通信装置具备按照本发明构成的高频前端电路和RF信号处理电路。
发明效果
根据本发明，能够提供一种不易产生层叠膜的破裂、碎片且支承基板和层叠膜不易剥离的弹性波装置、高频前端电路以及通信装置。
附图说明
图1是本发明的第一实施方式涉及的弹性波装置的简图式剖视图。
图2是本发明的第一实施方式涉及的弹性波装置的简图式俯视剖视图。
图3是示出本发明的第一实施方式中的弹性波谐振器附近的示意性放大俯视图。
图4是示出本发明的第一实施方式中的支承基板的除去区域附近的、图1的放大图。
图5是本发明的第一实施方式的变形例涉及的弹性波装置的简图式剖视图。
图6是本发明的第二实施方式涉及的弹性波装置的示意性放大剖视图。
图7是本发明的第三实施方式涉及的弹性波装置的示意性放大剖视图。
图8是本发明的第四实施方式涉及的弹性波装置的示意性放大剖视图。
图9是本发明的第四实施方式的第一变形例涉及的弹性波装置的示意性放大剖视图。
图10是本发明的第四实施方式的第二变形例涉及的弹性波装置的示意性放大剖视图。
图11是本发明的第五实施方式涉及的弹性波装置的简图式剖视图。
图12是本发明的第六实施方式涉及的弹性波装置安装构造体的简图式剖视图。
图13是具有高频前端电路的通信装置的结构图。
图14是示出本发明的第三实施方式涉及的弹性波装置的一部分的扫描型显微镜照片。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的具体的实施方式进行说明，由此明确本发明。
另外，需要指出，在本说明书记载的各实施方式是例示性的，能够在不同的实施方式间进行结构的部分置换或组合。
图1是本发明的第一实施方式涉及的弹性波装置的简图式剖视图。图2是第一实施方式涉及的弹性波装置的简图式俯视剖视图。另外，图1是相当于沿着图2中的I-I线的部分的剖视图。通过在矩形中添加了两条对角线的简图示出图1以及图2中的弹性波谐振器。
如图1以及图2所示，弹性波装置1具有支承基板2。支承基板2例如由玻璃、Si等适当的材料构成。
在支承基板2上设置有包含压电薄膜6的层叠膜3。具体地，层叠膜3在俯视的情况下设置得比支承基板2的外缘的至少一部分靠内侧。另外，在本说明书中，所谓俯视，是指从支承基板2的设置有层叠膜3的主面侧在支承基板2的厚度方向上观察弹性波装置1。如图1所示，层叠膜3除了压电薄膜6以外还具有高声速膜4以及低声速膜5。更具体地，在支承基板2上设置有高声速膜4，在高声速膜4上设置有低声速膜5，在低声速膜5上设置有压电薄膜6。
在本实施方式中，压电薄膜6由LiNbO3、LiTaO3等的压电单晶构成。另外，压电薄膜6也可以由适当的压电陶瓷构成。
高声速膜4是传播的体波的声速比在压电薄膜6传播的弹性波的声速高的膜。高声速膜4例如由以氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮氧化硅、硅、DLC膜或金刚石为主成分的材料等构成。另外，高声速膜4的材料只要是相对高声速的材料即可。
低声速膜5是传播的体波的声速比在压电薄膜6传播的弹性波的声速低的膜。低声速膜5例如由以玻璃、氮氧化硅、氧化钽或氧化硅中添加了氟、碳、硼的化合物为主成分的材料等构成。另外，低声速膜5的材料只要是相对低声速的材料即可。
因为具有层叠了高声速膜4、低声速膜5以及压电薄膜6的层叠膜3，所以在弹性波装置1中，能够有效地封闭弹性波的能量。另外，低声速膜5未必一定要设置。层叠膜3也可以包含上述各膜以外的膜。
在压电薄膜6上，构成了弹性波谐振器13A、弹性波谐振器13B以及弹性波谐振器13C。
图3是示出第一实施方式中的弹性波谐振器附近的示意性放大俯视图。另外，省略了弹性波谐振器的周围的布线。
在压电薄膜6上设置有IDT电极14。通过对IDT电极14施加交流电压，从而激励弹性波。在IDT电极14的弹性波传播方向两侧设置有反射器15A以及反射器15B。由此，构成弹性波谐振器13A。图1所示的弹性波谐振器13B以及弹性波谐振器13C也同样地构成。弹性波谐振器13A、弹性波谐振器13B以及弹性波谐振器13C通过多个布线电极16相互电连接。不过，弹性波装置1中的弹性波谐振器的个数、连接的结构没有特别限定。
另外，IDT电极14也可以间接地设置在压电薄膜6上。例如，层叠膜3也可以在压电薄膜6上具有氧化硅膜。在该情况下，IDT电极14直接设置在氧化硅膜上。也就是说，IDT电极14也可以设置在层叠膜3上。
在此，在俯视下，支承基板2在设置有IDT电极的区域的外侧的区域中具有部分地除去了层叠膜3的除去区域R1。
图4是示出第一实施方式中的支承基板的除去区域附近的、图1的放大图。
本实施方式的弹性波装置1具有绝缘层19，该绝缘层19设置在支承基板2的除去区域R1，且设置为到达压电薄膜6上。绝缘层19具有设置在压电薄膜6上的第一部分19a以及位于除去区域R1的第二部分19b。绝缘层19没有特别限定，例如由聚酰亚胺、环氧树脂、丙烯酸树脂等有机绝缘体、氧化硅等无机绝缘体构成。
在此，支承基板2具有位于与层叠膜3接触的部分的外缘的外缘接触部X。在支承基板2的除去区域R1设置有凹部12，使得与外缘接触部X相连。凹部12包含将外缘接触部X和除去区域R1变低的部分连接的连接部2a。所谓连接了连接部2a的上述除去区域R1变低的部分，在本实施方式中，是凹部12的底部。像这样，凹部12包含除去区域R1在与外缘接触部X直接相连的部分变低的部分。在弹性波装置1中，凹部12包含连接部2a的整体。连接部2a是凹部12内的面中的一个。
凹部12例如能够通过如下方式设置，即，在层叠膜3上形成抗蚀剂层，在除去区域R1的未设置凹部12的部分形成抗蚀剂层，然后对支承基板2进行蚀刻。
如图2所示，凹部12设置为包围层叠膜3。由此，连接部2a与外缘接触部X的整体相连。另外，凹部12也可以不包围层叠膜3，连接部2a只要与外缘接触部X的至少一部分相连即可。
返回到图4，凹部12具有相对于支承基板2的厚度方向倾斜并与连接部2a连接的内表面12b。绝缘层19到达外缘接触部X，且到达凹部12内。另外，凹部12的结构并不限定于上述结构，例如，凹部12也可以具有连接部2a以及内表面12b以外的面。在弹性波装置1中，凹部12的底部是连接部2a和内表面12b相连接的部分。另外，例如，也可以是，连接部2a以外的面和内表面12b相连接的部分为底部。
在本实施方式中，支承基板2的设置有除去区域R1的凹部12的部分以外的高度和与层叠膜3相接的部分的高度相同。另外，在本说明书中，所谓高度，是与支承基板2的厚度方向平行的方向上的位置。与压电薄膜6侧相比，支承基板2侧低。
弹性波装置1具有与图1的弹性波谐振器13A连接的连接电极17。如图4所示，连接电极17从压电薄膜6上起到达绝缘层19的第一部分19a上，进而到达第二部分19b上。
连接电极17到达支承基板2的除去区域R1。连接电极17经由绝缘层19间接地设置在支承基板2上。另外，连接电极17也可以直接设置在支承基板2上。不过，在支承基板2由电阻低的材料构成的情况下，优选设置在绝缘层19上。由此，弹性波装置1的电特性不易劣化。
如图1所示，在支承基板2的除去区域R1设置有支承构件7。支承构件7具有包围弹性波谐振器13A、弹性波谐振器13B以及弹性波谐振器13C的开口部7a。支承构件7设置为覆盖连接电极17的一部分。支承构件7由适当的树脂构成。
在支承构件7上设置有覆盖构件8，使得覆盖开口部7a。设置有凸块下金属层9，使得贯通支承构件7以及覆盖构件8。凸块下金属层9的压电薄膜6侧的面与连接电极17连接。在凸块下金属层9上设置有作为外部连接端子的凸块10。在本实施方式中，凸块10经由凸块下金属层9间接地设置在连接电极17上。凸块10在俯视的情况下设置在支承基板2上且设置在设置有层叠膜3的区域的外侧。另外，本发明中的外部连接端子并不限定于凸块，只要是将弹性波装置1与外部电连接的构件即可。例如，外部连接端子也可以除凸块以外还包含凸块下金属层。
弹性波谐振器13A、弹性波谐振器13B以及弹性波谐振器13C位于被支承基板2、支承构件7以及覆盖构件8包围的中空空间内。弹性波谐振器13A、弹性波谐振器13B以及弹性波谐振器13C经由连接电极17、凸块下金属层9以及凸块10与外部电连接。
像这样，弹性波装置1是WLP(Wafer Level Package，晶片级封装)构造。另外，弹性波装置1并不限定于上述，例如，也可以是包含于CSP(Chip Size Package，芯片尺寸封装)构造的弹性波装置等。
本实施方式的特征在于，一种弹性波装置1，具备：支承基板2；层叠膜3，设置在支承基板2上，在俯视的情况下设置得比支承基板2的外缘的至少一部分靠内侧，且包含压电薄膜6；IDT电极14，设置在层叠膜3上；绝缘层19，设置在支承基板2上以及层叠膜3上，从支承基板2上到达层叠膜3上；连接电极17，设置在绝缘层19上，与IDT电极电连接；以及外部连接端子，与连接电极17电连接，直接或间接地设置在连接电极17上，且在俯视的情况下，设置在支承基板2上且设置在设置有层叠膜3的区域的外侧，支承基板2中的层叠膜3侧的主面在俯视的情况下在层叠膜3的外缘的位置具有凹部12，凹部12被绝缘层19覆盖。
由此，支承基板2中的层叠膜3侧的主面在俯视的情况下在层叠膜3的外缘的位置具有凹部12，凹部12被绝缘层19覆盖，因此，例如即使在支承基板2和层叠膜3的线膨胀系数不同的情况下被施加热应力，也因为处于凹部12之中且热应力被施加得最大的外缘接触部X附近被绝缘层19覆盖，所以在热应力施加得最大的外缘接触部X附近可缓解热应力，支承基板2和层叠膜3不易剥离。
此外，作为外部连接端子的凸块10在俯视的情况下设置在不存在层叠膜3的区域，因此接合凸块10时的应力不直接施加于层叠膜3，能够使得不易产生包含压电薄膜6的层叠膜3的破裂、碎片。
另外，所谓支承基板2中的层叠膜3侧的主面在俯视的情况下在层叠膜3的外缘的位置具有凹部12且凹部12被绝缘层19覆盖，若进行另一种描述，则成为以下的结构1)和2)。1)在支承基板2设置有凹部12，使得包含与上述外缘接触部X相连的连接部2a。2)绝缘层19到达外缘接触部X以及连接部2a。另外，该结构以弹性波装置1具有层叠膜3且支承基板2包含除去区域R1为前提。外缘接触部X被绝缘层19覆盖，因此即使在被施加了应力时等，支承基板2和层叠膜3也不易剥离。进而，绝缘层19到达压电薄膜6上，因此能够抑制层叠膜3向从支承基板2远离的方向产生位移。因而，能够有效地抑制支承基板2和层叠膜3的剥离。
像本实施方式那样，凹部12优选设置为包围层叠膜3。由此，能够通过绝缘层19覆盖外缘接触部X的全部，支承基板2和层叠膜3更加不易剥离。
如图4所示，绝缘层19优选到达凹部12的底部。由此，能够增大绝缘层19与连接部2a相接的面积，能够提高支承基板2与绝缘层19的密接性。因此，支承基板2和层叠膜3更加不易剥离。
可是，在本实施方式中，绝缘层19的第一部分19a中的、包含与压电薄膜6相接的部分的端面相对于厚度方向倾斜。从绝缘层19的第二部分19b到达第一部分19a的部分附近也倾斜。沿着绝缘层19，连接电极17也在从压电薄膜6上到达绝缘层19上的部分附近倾斜，且在从绝缘层19的第二部分19b上到达第一部分19a上的部分附近倾斜。
在此，将绝缘层19的从第二部分19b上到达第一部分19a上的部分设为第三部分。在第三部分垂直地延伸的情况下，设置在连接电极17的第三部分的部分的厚度具有比设置在连接电极17的第一部分19a以及第二部分19b的部分的厚度变薄的倾向。相对于此，在本实施方式中，第三部分倾斜，因此与第三部分不倾斜的情况相比，能够将设置在连接电极17的第三部分的部分的厚度增厚。因而，不易产生连接电极17的断线。另外，绝缘层19以及连接电极17未必一定要像上述那样倾斜。
凹部12的内表面12b优选相对于支承基板2的厚度方向倾斜，使得靠近连接部2a。在该情况下，施加于支承基板2中的除去区域R1与绝缘层19之间的剪切应力的方向和内表面12b延伸的方向不平行。因而，通过设置具有上述内表面12b的凹部12，从而能够缓解上述剪切应力对支承基板2和层叠膜3接触的部分的影响。因此，支承基板2和层叠膜3更加不易剥离。
像本实施方式那样，内表面12b更优选直接与连接部2a连接。由此，能够减小凹部12的容积，绝缘层19的连接电极17侧的面的倾斜不易成为陡峭的角度。因而，能够抑制连接电极17的断线，且支承基板2和层叠膜3不易剥离。
在弹性波装置1中，凹部12的连接部2a与支承基板2的厚度方向平行地延伸。另外，连接部2a只要从外缘接触部X侧起向除去区域R1变低的方向延伸即可，也可以相对于支承基板2的厚度方向倾斜。连接部2a以及内表面12b也可以包含曲面的部分。关于图4所示的凹部12的横截面的形状，在本实施方式中为三角形。另外，凹部12的横截面的形状并不限定于上述形状，例如，也可以是矩形、梯形或扇形等。
在支承基板2例如由Si等相对高声速的材料构成的情况下，也可以不设置高声速膜4。即使在该情况下，也能够得到与上述同样的效果。
图5是本发明的第一实施方式的变形例涉及的弹性波装置的简图式剖视图。
在本变形例中，支承基板2由与上述的高声速膜同样的、传播的体波的声速比在压电薄膜6传播的弹性波的声速高的材料构成。在层叠膜73中，在低声速膜5上设置有压电薄膜6。层叠膜73不包含高声速膜。即使在该情况下，也能够有效地封闭弹性波的能量，且支承基板2和层叠膜73也不易剥离。
图6是第二实施方式涉及的弹性波装置的示意性放大剖视图。另外，图6示出相当于图4所示的剖面的剖面。在后述的各示意性放大剖视图中也是同样的。
本实施方式与第一实施方式的不同点在于，除去区域R2的整体变低，连接部22a与外缘接触部X的整体相连。除上述的方面以外，本实施方式的弹性波装置具有与第一实施方式的弹性波装置1同样的结构。
本实施方式中的连接部22a是支承基板22的与层叠膜3相接的部分和除去区域R2之间的台阶部。绝缘层19到达外缘接触部X以及连接部22a。因而，在本实施方式中，外缘接触部X也被绝缘层19覆盖，因此支承基板22和层叠膜3也不易剥离。
在此，在本说明书中，关于支承基板的凹部，在支承基板设置有台阶部且支承基板的一部分变低的情况下，设为包含该变低的部分。即使在支承基板中变低的部分从支承基板的台阶部到达支承基板的外缘的情况下，也将该变低的部分作为凹部。在图6所示的第二实施方式中，凹部在俯视的情况下形成在支承基板22上且形成在设置有层叠膜3的区域的外侧的整体。
另外，在使除去区域R2的整体变低时，例如，只要在层叠膜3上形成抗蚀剂层，然后对支承基板2进行蚀刻即可。
图7是第三实施方式涉及的弹性波装置的示意性放大剖视图。
本实施方式与第一实施方式的不同点在于，支承基板32具有凹部12，且与第二实施方式同样地，除去区域R3的整体变低。除上述的方面以外，本实施方式的弹性波装置具有与第一实施方式的弹性波装置1同样的结构。
在本实施方式中，凹部12设置为包含连接部32a的一部分。连接部32a具有相当于凹部12内的面的部分和相当于与第二实施方式同样的上述台阶部的部分。绝缘层19到达外缘接触部X以及连接部32a。更具体地，绝缘层19到达连接部32a的相当于上述台阶部的部分以及相当于凹部12内的面的部分。因此，外缘接触部X被绝缘层19覆盖，且能够更进一步提高支承基板32与绝缘层19的密接性，因此支承基板2和层叠膜3更加不易剥离。
另外，例如在图7所示的剖面中，连接部32a中的相当于上述台阶部的部分延伸的方向和相当于凹部12内的面的部分延伸的方向也可以不同。
在此，通过图14的扫描型显微镜照片示出第三实施方式的结构。可知，绝缘层到达台阶部以及凹部内的面，且到达压电薄膜上。
图8是第四实施方式涉及的弹性波装置的示意性放大剖视图。
在本实施方式中，与第一实施方式的不同点在于，层叠膜43包含声反射层43A。除上述的方面以外，本实施方式的弹性波装置具有与第一实施方式的弹性波装置1同样的结构。
声反射层43A具有声阻抗相对高的多个高声阻抗膜和声阻抗比高声阻抗膜低的多个低声阻抗膜。更具体地，如图8所示，高声阻抗膜44a以及高声阻抗膜44b和低声阻抗膜45a以及低声阻抗膜45b交替地层叠。另外，高声阻抗膜以及低声阻抗膜的层数没有特别限定。
在声反射层43A上设置有压电薄膜6。由此，能够有效地封闭弹性波的能量。除此以外，在本实施方式中，外缘接触部X也被绝缘层19覆盖，因此支承基板2和层叠膜43也不易剥离。
另外，即使在层叠膜43包含声反射层43A的情况下，支承基板2、连接部2a的方式也不限定于与第一实施方式相同的方式。即使在以下所示的第一变形例以及第二变形例的情况下，支承基板和层叠膜43也不易剥离。
图9是第四实施方式的第一变形例涉及的弹性波装置的示意性放大剖视图。
本变形例的支承基板22与第二实施方式同样地，除去区域R2的整体变低，连接部22a与外缘接触部X的整体相连。
图10是第四实施方式的第二变形例涉及的弹性波装置的示意性放大剖视图。
本变形例的支承基板32与第三实施方式同样地，具有凹部12，且除去区域R3的整体变低。
图11是第五实施方式涉及的弹性波装置的简图式剖视图。另外，图11示出相当于图1所示的剖面的剖面。在后述的图12中也是同样的。
本实施方式的弹性波装置51与第一实施方式的不同点在于，在连接电极17上直接设置有凸块10。在本实施方式中，也与第一实施方式同样地，支承基板2和层叠膜3不易剥离。
图12是第六实施方式涉及的弹性波装置安装构造体的简图式剖视图。
弹性波装置安装构造体60具有安装基板62。在安装基板62上安装有第五实施方式的弹性波装置51。更具体地，在安装基板62上设置有多个连接端子68。在连接端子68分别接合有弹性波装置51的凸块10。在安装基板62上设置有密封树脂69，使得覆盖弹性波装置51。由此，弹性波装置51安装在安装基板62上。像这样，弹性波装置安装构造体60是CSP构造。
弹性波装置安装构造体60中的弹性波装置51具有第五实施方式的结构，因此在本实施方式中，支承基板2和层叠膜3也不易剥离。
上述各实施方式的弹性波装置能够用作高频前端电路的双工器等。以下对该例子进行说明。
图13是通信装置以及高频前端电路的结构图。另外，在同图中还一并图示了与高频前端电路230连接的各构成要素，例如，天线元件202、RF信号处理电路(RFIC)203。高频前端电路230以及RF信号处理电路203构成通信装置240。另外，通信装置240也可以包含电源、CPU、显示器。
高频前端电路230具备开关225、双工器201A、201B、滤波器231、232、低噪声放大器电路214、224、以及功率放大器电路234a、234b、244a、244b。另外，图13的高频前端电路230以及通信装置240是高频前端电路以及通信装置的一个例子，并不限定于该结构。
双工器201A具有滤波器211、212。双工器201B具有滤波器221、222。双工器201A、201B经由开关225与天线元件202连接。另外，上述弹性波装置可以是双工器201A、201B，也可以是滤波器211、212、221、222。
进而，上述弹性波装置例如也能够应用于将三个滤波器的天线端子公共化的三工器、将六个滤波器的天线端子公共化的六工器等具备三个以上的滤波器的多工器。
即，上述弹性波装置包含弹性波谐振器、滤波器、双工器、具备三个以上的滤波器的多工器。而且，该多工器并不限于具备发送滤波器以及接收滤波器的双方的结构，也可以是仅具备发送滤波器或仅具备接收滤波器的结构。
开关225按照来自控制部(未图示)的控制信号将天线元件202和对应于给定的频段的信号路径连接，例如由SPDT(Single Pole Double Throw，单刀双掷)型的开关构成。另外，与天线元件202连接的信号路径并不限于一个，也可以是多个。也就是说，高频前端电路230也可以应对载波聚合。
低噪声放大器电路214是如下的接收放大电路，即，将经由了天线元件202、开关225以及双工器201A的高频信号(在此为高频接收信号)放大，并向RF信号处理电路203输出。低噪声放大器电路224是如下的接收放大电路，即，将经由了天线元件202、开关225以及双工器201B的高频信号(在此为高频接收信号)放大，并向RF信号处理电路203输出。
功率放大器电路234a、234b是如下的发送放大电路，即，将从RF信号处理电路203输出的高频信号(在此为高频发送信号)放大，并经由双工器201A以及开关225输出到天线元件202。功率放大器电路244a、244b是如下的发送放大电路，即，将从RF信号处理电路203输出的高频信号(在此为高频发送信号)放大，并经由双工器201B以及开关225输出到天线元件202。
RF信号处理电路203通过下变频等对从天线元件202经由接收信号路径输入的高频接收信号进行信号处理，并输出进行该信号处理而生成的接收信号。此外，RF信号处理电路203通过上变频等对输入的发送信号进行信号处理，并向功率放大器电路234a、234b、244a、244b输出进行该信号处理而生成的高频发送信号。RF信号处理电路203例如为RFIC。另外，通信装置也可以包含BB(基带)IC。在该情况下，BBIC对由RFIC进行了处理的接收信号进行信号处理。此外，BBIC对发送信号进行信号处理并输出到RFIC。由BBIC处理的接收信号、BBIC进行信号处理之前的发送信号例如为图像信号、声音信号等。
另外，高频前端电路230也可以代替上述双工器201A、201B而具备双工器201A、201B的变形例涉及的双工器。
另一方面，通信装置240中的滤波器231、232不经由低噪声放大器电路214、224以及功率放大器电路234a、234b、244a、244b而连接在RF信号处理电路203与开关225之间。滤波器231、232也与双工器201A、201B同样地，经由开关225与天线元件202连接。
根据像以上那样构成的高频前端电路230以及通信装置240，通过具备作为本发明的弹性波装置的弹性波谐振器、滤波器、双工器、具备三个以上的滤波器的多工器等，从而支承基板和包含压电薄膜的层叠膜不易剥离，且不易产生层叠膜的破裂、碎片。
以上，列举实施方式及其变形例对本发明的实施方式涉及的弹性波装置、高频前端电路以及通信装置进行了说明，但是关于本发明，将上述实施方式以及变形例中的任意的构成要素组合而实现的其它实施方式、在不脱离本发明的主旨的范围内对上述实施方式实施本领域技术人员想到的各种变形而得到的变形例、内置了本发明涉及的高频前端电路以及通信装置的各种设备也包含于本发明。
本发明作为弹性波谐振器、滤波器、双工器、能够应用于多频段系统的多工器、前端电路以及通信装置，能够广泛利用于便携式电话机等通信设备。
附图标记说明
1：弹性波装置；
2：支承基板；
2a：连接部；
3：层叠膜；
4：高声速膜；
5：低声速膜；
6：压电薄膜；
7：支承构件；
7a：开口部；
8：覆盖构件；
9：凸块下金属层；
10：凸块；
12：凹部；
12b：内表面；
13A～13C：弹性波谐振器；
14：IDT电极；
15A、15B：反射器；
16：布线电极；
17：连接电极；
19：绝缘层；
19a、19b：第一部分、第二部分；
22：支承基板；
22a：连接部；
32：支承基板；
32a：连接部；
43：层叠膜；
43A：声反射层；
44a、44b：高声阻抗膜；
45a、45b：低声阻抗膜；
51：弹性波装置；
60：弹性波装置安装构造体；
62：安装基板；
68：连接端子；
69：密封树脂；
73：层叠膜；
201A、201B：双工器；
202：天线元件；
203：RF信号处理电路；
211、212：滤波器；
214：低噪声放大器电路；
221、222：滤波器；
224：低噪声放大器电路；
225：开关；
230：高频前端电路；
231、232：滤波器；
234a、234b：功率放大器电路；
240：通信装置；
244a、244b：功率放大器电路；
R1～R3：除去区域；
X：外缘接触部。

Claims (11)

1.一种弹性波装置，具备：
支承基板；
层叠膜，设置在所述支承基板上，在俯视的情况下设置得比所述支承基板的外缘的至少一部分靠内侧，且包含压电薄膜；
IDT电极，设置在所述层叠膜上；
绝缘层，设置在所述支承基板上以及所述层叠膜上，从所述支承基板上到达所述层叠膜上；
连接电极，设置在所述绝缘层上，与所述IDT电极电连接；以及
外部连接端子，与所述连接电极电连接，直接或间接地设置在所述连接电极上，且在俯视的情况下设置在所述支承基板上且设置在设置有所述层叠膜的区域的外侧，
所述支承基板中的所述层叠膜侧的主面在俯视的情况下在所述层叠膜的外缘的位置具有凹部，
所述凹部被所述绝缘层覆盖。
2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，
所述层叠膜的线膨脤系数与所述支承基板的线膨胀系数不同。
3.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中，
所述凹部在俯视的情况下形成在所述支承基板上且形成在设置有所述层叠膜的区域的外侧的整体。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的弹性波装置，其中，
所述凹部设置为包围所述层叠膜。
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的弹性波装置，其中，
所述支承基板由传播的体波的声速比在所述压电薄膜传播的弹性波的声速高的材料构成，
所述层叠膜包含传播的体波的声速比在所述压电薄膜传播的弹性波的声速低的低声速膜，
在所述低声速膜上设置有所述压电薄膜。
6.根据权利要求1～4中的任一项所述的弹性波装置，其中，
所述层叠膜包含：高声速膜，传播的体波的声速比在所述压电薄膜传播的弹性波的声速高；以及低声速膜，传播的体波的声速比在所述压电薄膜传播的弹性波的声速低，
在所述高声速膜上设置有所述低声速膜，
在所述低声速膜上设置有所述压电薄膜。
7.根据权利要求1～4中的任一项所述的弹性波装置，其中，
所述层叠膜包含：声反射层，具有声阻抗相对高的高声阻抗膜和声阻抗比所述高声阻抗膜低的低声阻抗膜，
在所述声反射层上设置有所述压电薄膜。
8.根据权利要求1～7中的任一项所述的弹性波装置，其中，还具备：
支承构件，在俯视的情况下，直接或间接地设置在所述支承基板上且设置在设置有所述层叠膜的区域的外侧的区域，并具有包围所述IDT电极的开口部；
覆盖构件，设置在所述支承构件上，使得覆盖所述开口部；以及
凸块下金属层，贯通所述支承构件以及所述覆盖构件，使得与所述连接电极连接，
所述外部连接端子是经由所述凸块下金属层间接地设置在所述连接电极上的凸块，
所述IDT电极位于被所述支承基板、所述支承构件以及所述覆盖构件包围的中空空间内。
9.根据权利要求1～7中的任一项所述的弹性波装置，其中，
所述外部连接端子是直接设置在所述连接电极上的凸块。
10.一种高频前端电路，具备：
权利要求1～9中的任一项所述的弹性波装置；以及
功率放大器。
11.一种通信装置，具备：
权利要求10所述的高频前端电路；以及
RF信号处理电路。
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