CN111566933B - 弹性波装置、高频前端电路以及通信装置和弹性波装置的制造方法 - Google Patents

弹性波装置、高频前端电路以及通信装置和弹性波装置的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种能够更可靠地提高生产率的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：压电性基板(2)，具有支承基板(3)和直接或间接地设置在支承基板(3)上的压电体层(5)，且具有作为压电体层(5)侧的主面的第1主面(2a)和作为支承基板(3)侧的主面的第2主面(2b)；IDT电极(7)，直接或间接地设置在第1主面(2a)上；支承构件(8)，设置在支承基板(3)上；覆盖构件(9)，设置在支承构件(8)上；贯通过孔电极(17)，设置为贯通支承基板(3)，并与IDT电极(7)电连接；第1布线电极(15)，设置在压电性基板(2)的第2主面(2b)上，并与贯通过孔电极(17)电连接；以及保护膜(16)，设置在第2主面(2b)上，使得覆盖第1布线电极(15)的至少一部分。在从第2主面(2b)的法线方向观察时，保护膜(16)设置在比支承构件(8)靠内侧。

Description

弹性波装置、高频前端电路以及通信装置和弹性波装置的制造方法
技术领域
本发明涉及弹性波装置、高频前端电路以及通信装置、和弹性波装置的制造方法。
背景技术
以往，弹性波装置被广泛用于便携式电话机的滤波器等。在下述的专利文献1公开了声表面波装置的一个例子。在该声表面波装置中，在半导体基板的第1面上设置有声表面波元件。在上述第1面上设置有粘接剂层，使得包围声表面波元件，在粘接剂层上设置有密封构件。在半导体基板的第2面上设置有布线。布线被绝缘层覆盖。
上述声表面波装置通过如下方式得到，即，将多个声表面波元件设置在半导体基板上，然后通过切割进行单片化。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-160476号公报
发明内容
发明要解决的课题
在专利文献1中，在俯视下，作为粘接剂层的支承构件和作为绝缘层的保护膜重叠。在对设置有保护膜的部分进行切割的情况下，进行切割的部分将变厚与保护膜相应的量，因此切割要花费时间。另外，例如在使用切割刀进行切割的情况下，切割刀变得容易阻塞。因此，优选避开保护膜进行切割。
然而，即使为了避开保护膜进行切割而将切割的位置设定在相邻的弹性波元件的保护膜彼此的间隙，实际上，也会因为切割的位置产生偏差而难以避开保护膜进行切割，且难以可靠地提高生产率。
另外，在增大了包围单片化前的相邻的弹性波元件的支承构件间的间隔的情况下，能够设置在基板上的弹性波元件的个数变少，会损害生产率。
本发明的目的在于，提供一种能够更可靠地提高生产率的弹性波装置、高频前端电路以及通信装置、和弹性波装置的制造方法。
用于解决课题的技术方案
本发明涉及的弹性波装置，具备：压电性基板，具有支承基板和直接或间接地设置在所述支承基板上的压电体层，且具有作为所述压电体层侧的主面的第1主面和作为所述支承基板侧的主面的第2主面；IDT电极，直接或间接地设置在所述压电性基板的所述第1主面上；支承构件，设置在所述支承基板上，使得在从所述第1主面的法线方向观察时包围所述IDT电极；覆盖构件，设置在所述支承构件上；贯通过孔电极，设置为贯通所述支承基板，并与所述IDT电极电连接；第1布线电极，设置在所述压电性基板的所述第2主面上，并与所述贯通过孔电极电连接；以及保护膜，设置为覆盖所述第1布线电极的至少一部分，在从所述第2主面的法线方向观察时，所述保护膜设置在比所述支承构件靠内侧，使得所述保护膜与所述支承基板不重叠。
本发明涉及的高频前端电路具备按照本发明构成的弹性波装置和功率放大器。
本发明涉及的通信装置具备按照本发明构成的高频前端电路和RF信号处理电路。
本发明涉及的弹性波装置的制造方法是按照本发明构成的弹性波装置的制造方法，具备：准备弹性波装置集合体的工序，所述弹性波装置集合体具有单片化前的压电性基板，分别具有多个所述IDT电极、所述贯通过孔电极、所述第1布线电极、以及所述保护膜，在所述单片化前的压电性基板上设置有单片化前的支承构件，使得分别包围所述多个IDT电极，在所述单片化前的支承构件上设置有单片化前的覆盖构件；以及通过对所述单片化前的压电性基板、所述单片化前的支承构件以及所述单片化前的覆盖构件进行切割，从而对所述弹性波装置集合体进行单片化的工序，在准备所述弹性波装置集合体的工序中，分别设置多个所述保护膜，使得在从所述第2主面的法线方向观察时，不到达与所述单片化前的支承构件重叠的部分，且使得位于比所述单片化前的支承构件靠内侧。
发明效果
根据本发明，能够提供一种能够更可靠地提高生产率的弹性波装置、高频前端电路以及通信装置、和弹性波装置的制造方法。
附图说明
图1是本发明的第1实施方式涉及的弹性波装置的主视剖视图。
图2的(a)以及图2的(b)是用于说明本发明的第1实施方式涉及的弹性波装置的制造方法的一个例子的主视剖视图。
图3的(a)以及图3的(b)是用于说明本发明的第1实施方式涉及的弹性波装置的制造方法的一个例子的主视剖视图。
图4是用于说明本发明的第1实施方式涉及的弹性波装置的制造方法的一个例子的主视剖视图。
图5是示出压电体层的厚度与Q特性的关系的图。
图6是本发明的第1实施方式的第1变形例涉及的弹性波装置的主视剖视图。
图7是本发明的第1实施方式的第2变形例涉及的弹性波装置的主视剖视图。
图8是本发明的第1实施方式的第3变形例涉及的弹性波装置的主视剖视图。
图9是具有高频前端电路的通信装置的结构图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的具体的实施方式进行说明，由此明确本发明。
另外，需要指出的是，在本说明书记载的各实施方式是例示性的，能够在不同的实施方式间进行结构的部分置换或组合。
图1是本发明的第1实施方式涉及的弹性波装置的主视剖视图。
弹性波装置1具有压电性基板2。压电性基板2具有支承基板3以及压电体层5。更具体地，在支承基板3上设置有低声速层4。在低声速层4上设置有压电体层5。像这样，本实施方式的压电性基板2是层叠了支承基板3、低声速层4以及压电体层5的层叠体。压电性基板2具有作为压电体层5侧的主面的第1主面2a和作为支承基板3侧的主面的第2主面2b。
在压电性基板2的第1主面2a上设置有多个IDT电极(Inter Digital Transducer，叉指换能器)7。通过对IDT电极7施加交流电压，从而激励弹性波。
在本实施方式中，多个IDT电极7直接设置在压电性基板2的第1主面2a上。另外，多个IDT电极7例如也可以隔着电介质膜等间接地设置在第1主面2a上。
压电体层5可以由钽酸锂、铌酸锂等适当的压电单晶构成，也可以由ZnO、AlN或PZT等适当的压电陶瓷构成。
低声速层4是传播的体波(bulk wave)的声速比在压电体层5传播的体波的声速低的层。低声速层4例如由以玻璃、氮氧化硅、氧化钽或氧化硅中添加了氟、碳、硼的化合物为主成分的材料等构成。另外，低声速层4的材料只要是相对低声速的材料即可。在本实施方式中，低声速层4由氧化硅构成。
在本实施方式中，支承基板3是传播的体波的声速比在压电体层5传播的弹性波的声速高的高声速层。支承基板3例如由氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、DLC膜、硅(Si)、蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、石英等压电体、矾土、氧化锆、堇青石、多铝红柱石、块滑石、镁橄榄石等各种陶瓷、金刚石、氧化镁、或以上述各材料为主成分的材料、以上述各材料的混合物为主成分的材料中的任一者构成。另外，高声速层的材料只要是相对高声速的材料即可。在本实施方式中，支承基板3是硅基板。另外，支承基板3也可以不是高声速层。
IDT电极7可以由层叠了多个金属层的层叠金属膜构成，也可以由单层的金属膜构成。
弹性波装置1具有依次层叠了作为高声速层的支承基板3、低声速层4以及压电体层5的压电性基板2。由此，能够将弹性波的能量有效地封闭在压电体层5侧。
另外，虽然在本实施方式中，在支承基板3上间接地设置有压电体层5，但是也可以在支承基板3上直接设置有压电体层5。
在支承基板3上设置有支承构件8，使得在从第1主面2a的法线方向观察时包围多个IDT电极7。更具体地，支承构件8具有包围多个IDT电极7的开口部8a。支承构件8由适当的树脂构成。
在支承构件8上设置有覆盖构件9，使得对开口部8a进行密封。在本实施方式中，覆盖构件9是硅覆盖件。另外，覆盖构件9并不限定于上述覆盖构件，例如也可以由适当的树脂构成。覆盖构件9的形状没有特别限定，在本实施方式中是板状。
多个IDT电极7配置在被支承基板3、支承构件8以及覆盖构件9包围的中空空间。像这样，弹性波装置1是WLP(Wafer Level Package，晶片级封装)构造。
在压电性基板2的第2主面2b上设置有作为本发明中的绝缘层的第1绝缘层13A。在此，设置有贯通孔14，使得贯通支承基板3、低声速层4以及压电体层5。第1绝缘层13A从第2主面2b上到达贯通孔14内。
在第2主面2b上隔着第1绝缘层13A间接地设置有第1布线电极15。另一方面，在压电体层5上设置有第2布线电极18。更具体地，在支承基板3上隔着由低声速层4以及压电体层5构成的中间层6间接地设置有第2布线电极18。第2布线电极18与IDT电极7电连接。
在上述贯通孔14内设置有贯通过孔电极17，使得一端与第1布线电极15连接，另一端与第2布线电极18连接。贯通过孔电极17经由第2布线电极18与IDT电极7电连接。第1布线电极15以及第2布线电极18可以具有宽度比其它部分宽的电极连接盘。贯通过孔电极17的两端也可以与第1布线电极15以及第2布线电极18各自的电极连接盘连接。在本实施方式中，贯通过孔电极17和第1布线电极15设置为一体。另外，贯通过孔电极17和第1布线电极15也可以由相互不同的材料设置为独立体。
如上所述，在本实施方式中，支承基板3由硅构成，因此支承基板3的电阻比绝缘体低。在此，上述第1绝缘层13A设置在贯通孔14的内表面与贯通过孔电极17之间、以及压电性基板2的第2主面2b与第1布线电极15之间。由此，能够抑制漏电流，因此弹性波装置1的电特性不易劣化。除此以外，在支承基板3上设置有具有绝缘性的上述中间层6，在中间层6上设置有第2布线电极18。由此，能够更加抑制漏电流，因此弹性波装置1的电特性更加不易劣化。
另外，在支承基板3由绝缘体构成的情况下等，也可以不设置第1绝缘层13A。
在本实施方式中，在压电体层5上设置有第2绝缘层13B，使得覆盖第2布线电极18以及IDT电极7。由此，IDT电极7、第2布线电极18不易破损。另外，也可以不设置第2绝缘层13B。
在压电性基板2的第2主面2b上设置有保护膜16，使得覆盖第1布线电极15的至少一部分。更具体地，在从第2主面2b的法线方向观察时，保护膜16设置在比支承构件8靠内侧。在此，一般来说，特别是弹性波装置中的面向外侧的布线电极有可能破损。在本实施方式中，由于设置有保护膜16，从而第1布线电极15不易破损。
在本实施方式中，保护膜16的厚度比第1绝缘层13A的厚度厚。由此，第1布线电极15更加不易破损。保护膜16例如由聚酰亚胺构成。另外，保护膜16也可以由聚酰亚胺以外的树脂构成，或者也可以由无机绝缘体构成。
第1布线电极15具有未被保护膜16覆盖的部分。设置有凸块19，使得与第1布线电极15上的未被保护膜16覆盖的部分接合。上述多个IDT电极7经由第2布线电极18、贯通过孔电极17、第1布线电极15以及凸块19与外部电连接。
本实施方式的弹性波装置1具有如下的结构，即，具备：压电性基板2，具有支承基板3和间接地设置在支承基板3上的压电体层5；IDT电极7，设置在压电性基板2的第1主面2a上；支承构件8，设置在支承基板3上，使得在从第1主面2a的法线方向观察时包围IDT电极7；覆盖构件9，设置在支承构件8上；贯通过孔电极17，设置为贯通支承基板3，并与IDT电极7电连接；第1布线电极15，设置在压电性基板2的第2主面2b上，并与贯通过孔电极17电连接；以及保护膜16，设置在压电性基板2的第2主面2b上，使得覆盖第1布线电极15的至少一部分，在从第2主面2b的法线方向观察时，保护膜16设置在比支承构件8靠内侧。由此，在切割弹性波装置的集合体的情况下，只要对设置有单片化前的支承构件的部分进行切割，则即使切割的位置产生了偏差，也不会切割保护膜16。因此，变得容易避开保护膜16进行切割，能够更可靠地提高生产率。以下，与本实施方式的弹性波装置1的制造方法一同对此进行说明。
图2的(a)以及图2的(b)是用于说明第1实施方式涉及的弹性波装置的制造方法的一个例子的主视剖视图。图3的(a)以及图3的(b)是用于说明第1实施方式涉及的弹性波装置的制造方法的一个例子的主视剖视图。图4是用于说明第1实施方式涉及的弹性波装置的制造方法的一个例子的主视剖视图。
如图2的(a)所示，准备具有相互对置的第3主面23a以及第4主面23b的、单片化前的支承基板23。接着，在单片化前的支承基板23的第3主面23a上形成多个低声速层4。低声速层4例如能够通过溅射法、真空蒸镀法等形成。接着，在多个低声速层4上设置多个压电体层5。另外，也可以另外制作多个压电体层5以及低声速层4的层叠体，然后将上述多个层叠体配置在单片化前的支承基板23上。由此，得到单片化前的压电性基板22。
接着，在多个压电体层5上形成多个IDT电极7以及多个第2布线电极18。IDT电极7以及第2布线电极18例如能够通过溅射法、真空蒸镀法等进行设置。另外，也可以通过光刻法等适当地进行图案化。接着，在多个压电体层5上形成多个第2绝缘层13B，使得覆盖多个IDT电极7以及多个第2布线电极18。第2绝缘层13B例如能够通过溅射法、真空蒸镀法等进行设置。另外，也可以不设置第2绝缘层13B。
接着，在单片化前的压电性基板22上设置具有多个开口部8a的、单片化前的支承构件28。更具体地，在单片化前的支承基板23的第3主面23a上设置单片化前的支承构件28，使得通过多个开口部8a分别包围多个IDT电极7。单片化前的支承构件28例如能够通过光刻法等进行设置。
接着，在单片化前的支承构件28上设置单片化前的覆盖构件29，使得对多个开口部8a进行密封。
接着，如图2的(b)所示，形成多个贯通单片化前的支承基板23、低声速层4以及压电体层5的贯通孔14。贯通孔14形成为到达第2布线电极18。贯通孔14例如能够通过激光的照射来形成。或者，也可以使用钻头等以机械方式设置贯通孔14。
接着，在单片化前的支承基板23的第4主面23b上以及贯通孔14内形成第1绝缘层13A。在此，第1绝缘层13A形成为不覆盖第2布线电极18的全部。优选在从第2主面2b的法线方向观察时，第1绝缘层13A形成在单片化前的支承构件28的各开口部8a的内侧，细节将在后面叙述。第1绝缘层13A例如能够通过溅射法、真空蒸镀法等形成。另外，也可以通过蚀刻等将形成在第2布线电极18上的第1绝缘层13A除去。在单片化前的支承基板23由绝缘体构成的情况下等，也可以不设置第1绝缘层13A。
接着，如图3的(a)所示，在贯通孔14内形成贯通过孔电极17，使得与第2布线电极18连接。同时，在第1绝缘层13A上形成第1布线电极15。在形成贯通过孔电极17以及第1布线电极15时，例如通过溅射法、真空蒸镀法等在贯通孔14内以及第1绝缘层13A上形成电极种(seed electrode)层。接着，通过镀敷法在电极种层上形成贯通过孔电极17以及第1布线电极15。另外，形成贯通过孔电极17以及第1布线电极15的方法并不限定于上述方法。
接着，在单片化前的支承基板23的第4主面23b上形成多个保护膜16，使得覆盖多个第1布线电极15各自的一部分。更具体地，形成保护膜16，使得覆盖第1布线电极15上的在后述的工程中设置凸块19的部分以外的部分。在此，将多个保护膜16分别设置为，在从第4主面23b的法线方向观察时，不到达与单片化前的支承构件28重叠的部分，且位于比单片化前的支承构件28靠内侧。更具体地，将多个保护膜16分别设置为，在从第4主面23b的法线方向观察时，位于单片化前的支承构件28的各开口部8a的内侧。另外，第4主面23b的法线方向是与通过该制造方法得到的弹性波装置1中的第2主面2b的法线方向相同的方向。保护膜16例如能够通过印刷法等形成。
通过以上，能够准备弹性波装置集合体20。另外，弹性波装置集合体20具有单片化前的压电性基板22，并分别具有多个IDT电极7、贯通过孔电极17、第1布线电极15、以及保护膜16。在弹性波装置集合体20中，在单片化前的压电性基板22上设置有单片化前的支承构件28，在单片化前的支承构件28上设置有单片化前的覆盖构件29。另外，准备弹性波装置集合体20的方法并不限定于上述的方法。
接着，如图3的(b)所示，在第1布线电极15上的未被保护膜16覆盖的部分，分别设置凸块19。通过在第1布线电极15上设置被保护膜16覆盖的部分和未被保护膜16覆盖的部分，从而能够容易地设置凸块19。
接着，如图4所示，沿着用I-I线示出的切割线，对单片化前的压电性基板22、单片化前的支承构件28以及单片化前的覆盖构件29进行切割。由此，对弹性波装置集合体20进行单片化。在本实施方式中，在从第4主面23b的法线方向观察时，保护膜16不到达与单片化前的支承构件28重叠的位置。因而，只要对设置有单片化前的支承构件28的部分进行切割，则即使切割的位置产生了偏差，也不会切割保护膜16。由此，能够更可靠地使进行切割的部分的厚度变薄。因此，能够更可靠地提高进行切割的工序中的时间上的效率，能够更可靠地提高生产率。
除此以外，在本实施方式中，在从第4主面23b的法线方向观察时，第1绝缘层13A不到达与单片化前的支承构件28重叠的位置。因而，只要对设置有单片化前的支承构件28的部分进行切割，则即使切割的位置产生了偏差，也不会切割第1绝缘层13A。因此，能够在不损害进行切割的工序中的时间上的效率的情况下抑制弹性波装置1的电特性的劣化。
在本实施方式中，通过激光的照射来进行切割。另外，例如也可以通过蚀刻来进行切割，还可以使用切割轮等以机械方式进行切割。
另外，也可以是，在从第2主面2b的法线方向观察时，在与支承构件8重叠的部分设置有不损害本发明的效果的程度的厚度的第1绝缘层13A。
可是，在压电性基板2具有像图1所示的第1实施方式那样的层叠构造的情况下，压电体层5是压电薄膜，比使用了通常的压电基板的弹性波装置中的压电基板薄。在此，将由IDT电极7的电极指间距规定的波长设为λ。如图5所示，在压电体层5的厚度比3.5λ厚的情况下，Q特性劣化。因而，压电体层5的厚度优选为3.5λ以下。由此，能够有效地改善Q特性。
另外，在本发明中，也可以是，在所述支承基板与所述第1布线电极之间、以及所述支承基板与所述贯通过孔电极之间设置有绝缘层。在该情况下，能够在支承基板由半导体构成的情况下等抑制漏电流，因此弹性波装置的电特性不易劣化。
在本发明中，也可以是，在从所述第2主面的法线方向观察时，所述绝缘层设置在比所述支承构件靠内侧。在该情况下，能够更加可靠地提高生产率。
在本发明中，也可以是，所述保护膜的厚度比所述绝缘层的厚度厚。在该情况下，第1布线电极更加不易破损。
在本发明中，也可以是，所述支承基板是传播的体波的声速比在所述压电体层传播的弹性波的声速高的高声速层。在该情况下，能够将弹性波的能量有效地封闭在压电体层侧。
在本发明中，也可以是，在所述支承基板与所述压电体层之间设置有传播的体波的声速比在所述压电体层传播的弹性波的声速高的高声速层。在该情况下，能够将弹性波的能量有效地封闭在压电体层侧。
在本发明中，也可以是，在所述高声速层与所述压电体层之间设置有传播的体波的声速比在所述压电体层传播的体波的声速低的低声速层。在该情况下，能够将弹性波的能量更加有效地封闭在压电体层侧。
在本发明中，也可以是，在所述支承基板与所述压电体层之间设置有声反射膜，所述声反射膜具有声阻抗相对低的低声阻抗层和声阻抗相对高的高声阻抗层。在该情况下，能够将弹性波的能量有效地封闭在压电体层侧。
在本发明中，也可以是，所述支承基板是硅基板。
在本发明中，也可以是，包含至少一层具有绝缘性的层，且包含所述压电体层的中间层设置在所述支承基板上，在所述中间层上设置有与所述IDT电极电连接的第2布线电极。在该情况下，能够在支承基板由半导体构成的情况下等抑制漏电流，因此弹性波装置的电特性不易劣化。
在本发明中，也可以是，在所述压电体层上设置有所述第2布线电极。在该情况下，能够在支承基板由半导体构成的情况下等抑制漏电流，因此弹性波装置的电特性不易劣化。
在本发明中，也可以是，所述覆盖构件是硅覆盖件。
在本发明中，也可以是，所述第1布线电极具有未被所述保护膜覆盖的部分，设置有凸块，使得与所述第1布线电极上的未被所述保护膜覆盖的部分接合。
在本发明中，也可以是，在将由所述IDT电极的电极指间距规定的波长设为λ时，所述压电体层的厚度为3.5λ以下。在该情况下，能够有效地改善弹性波装置的Q特性。
以下，示出第1实施方式的第1变形例～第3变形例。在第1变形例～第3变形例中，也与第1实施方式同样地设置有保护膜16，因此能够更可靠地提高生产率。
图6是第1实施方式的第1变形例涉及的弹性波装置的主视剖视图。
本变形例与第1实施方式的不同点在于，在支承基板3与压电体层5之间，与支承基板3独立地设置有高声速层34。在高声速层34与压电体层5之间设置有低声速层4。除了上述的方面以外，本变形例的弹性波装置具有与第1实施方式的弹性波装置1同样的结构。另外，本变形例的中间层36包含高声速层34。
高声速层34例如由氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、DLC膜、硅(Si)、蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、石英等压电体、矾土、氧化锆、堇青石、多铝红柱石、块滑石、镁橄榄石等各种陶瓷、金刚石、氧化镁或以上述各材料为主成分的材料、以及以上述各材料的混合物为主成分的材料中的任一者构成。另外，高声速层34的材料只要是相对高声速的材料即可。
在本变形例中，也在压电性基板32中依次层叠有高声速层34、低声速层4以及压电体层5，因此能够将弹性波的能量有效地封闭在压电体层5侧。
图7是第1实施方式的第2变形例涉及的弹性波装置的主视剖视图。
本变形例与第1实施方式的不同点在于，在支承基板3与压电体层5之间设置有声反射膜44。除了上述的方面以外，本变形例的弹性波装置具有与第1实施方式的弹性波装置1同样的结构。另外，本变形例的中间层由压电体层5和声反射膜44构成。
声反射膜44具有声阻抗相对低的多个低声阻抗层和声阻抗相对高的多个高声阻抗层。更具体地，声反射膜44具有低声阻抗层45a、低声阻抗层45b以及低声阻抗层45c这三层低声阻抗层。声反射膜44具有高声阻抗层46a以及高声阻抗层46b这两层高声阻抗层。在本变形例中，交替地层叠有低声阻抗层和高声阻抗层。在声反射膜44中，位于最靠压电体层5侧的层是低声阻抗层45a。
在压电性基板42中，在压电体层5与支承基板3之间设置有声反射膜44，由此能够使弹性波有效地反射到压电体层5侧。因此，能够将弹性波的能量有效地封闭在压电体层5侧。
图8是第1实施方式的第3变形例涉及的弹性波装置的主视剖视图。
在本变形例中，与第1实施方式的不同点在于，压电体层55的配置、以及第2布线电极58到达低声速层4上。除了上述的方面以外，本变形例的弹性波装置具有与第1实施方式的弹性波装置1同样的结构。在从第1主面2a的法线方向观察时，压电体层55设置在贯通过孔电极17的内侧。
在本变形例中，与第1实施方式同样地，支承基板3由硅构成，低声速层4由氧化硅构成。第2布线电极58隔着中间层56中的低声速层4间接地设置在支承基板3上。因而，能够抑制漏电流，因此弹性波装置的电特性不易劣化。
上述各实施方式的弹性波装置能够用作高频前端电路的双工器等。以下，对该例子进行说明。
图9是通信装置以及高频前端电路的结构图。另外，在同图还一并图示了与高频前端电路230连接的各构成要素，例如，天线元件202、RF信号处理电路(RFIC)203。高频前端电路230以及RF信号处理电路203构成通信装置240。另外，通信装置240也可以包含电源、CPU、显示器。
高频前端电路230具备开关225、双工器201A、201B、滤波器231、232、低噪声放大器电路214、224、功率放大器电路234a、234b、244a、244b。另外，图9的高频前端电路230以及通信装置240是高频前端电路以及通信装置的一个例子，并不限定于该结构。
双工器201A具有滤波器211、212。双工器201B具有滤波器221、222。双工器201A、201B经由开关225与天线元件202连接。另外，上述弹性波装置可以是双工器201A、201B，也可以是滤波器211、212、221、222。
进而，上述弹性波装置例如也能够对将三个滤波器的天线端子公共化的三工器、将六个滤波器的天线端子公共化的六工器等具备三个以上的滤波器的多工器进行应用。
即，上述弹性波装置包含弹性波谐振器、滤波器、双工器、以及具备三个以上的滤波器的多工器。而且，该多工器并不限于具备发送滤波器以及接收滤波器的双方的结构，也可以是仅具备发送滤波器或仅具备接收滤波器的结构。
开关225按照来自控制部(未图示)的控制信号对天线元件202和对应于给定的频段的信号路径进行连接，例如由SPDT(Single Pole Double Throw，单刀双掷)型的开关构成。另外，与天线元件202连接的信号路径并不限于一个，也可以是多个。也就是说，高频前端电路230也可以应对载波聚合。
低噪声放大器电路214是如下的接收放大电路，即，对经由了天线元件202、开关225以及双工器201A的高频信号(在此为高频接收信号)进行放大，并向RF信号处理电路203输出。低噪声放大器电路224是如下的接收放大电路，即，对经由了天线元件202、开关225以及双工器201B的高频信号(在此为高频接收信号)进行放大，并向RF信号处理电路203输出。
功率放大器电路234a、234b是如下的发送放大电路，即，对从RF信号处理电路203输出的高频信号(在此为高频发送信号)进行放大，并经由双工器201A以及开关225输出到天线元件202。功率放大器电路244a、244b是如下的发送放大电路，即，对从RF信号处理电路203输出的高频信号(在此为高频发送信号)进行放大，并经由双工器201B以及开关225输出到天线元件202。
RF信号处理电路203通过下变频等对从天线元件202经由接收信号路径输入的高频接收信号进行信号处理，并输出进行该信号处理而生成的接收信号。此外，RF信号处理电路203通过上变频等对输入的发送信号进行信号处理，并向功率放大器电路234a、234b、244a、244b输出进行该信号处理而生成的高频发送信号。RF信号处理电路203例如是RFIC。另外，通信装置也可以包含BB(基带)IC。在该情况下，BBIC对由RFIC处理的接收信号进行信号处理。此外，BBIC对发送信号进行信号处理，并输出到RFIC。由BBIC处理的接收信号、BBIC进行信号处理之前的发送信号例如是图像信号、声音信号等。
另外，高频前端电路230也可以代替上述双工器201A、201B而具备双工器201A、201B的变形例涉及的双工器。
另一方面，通信装置240中的滤波器231、232不经由低噪声放大器电路214、224以及功率放大器电路234a、234b、244a、244b而连接在RF信号处理电路203与开关225之间。滤波器231、232也与双工器201A、201B同样地经由开关225与天线元件202连接。
根据像以上那样构成的高频前端电路230以及通信装置240，能够通过作为本发明的弹性波装置的弹性波谐振器、滤波器、双工器、以及具备三个以上的滤波器的多工器等更可靠地提高生产率。
以上，列举实施方式及其变形例对本发明的实施方式涉及的弹性波装置、高频前端电路以及通信装置进行了说明，但是关于本发明，将上述实施方式以及变形例中的任意的构成要素进行组合而实现的其它实施方式、在不脱离本发明的主旨的范围内对上述实施方式实施本领域技术人员想到的各种变形而得到的变形例、以及内置了本发明涉及的高频前端电路以及通信装置的各种设备也包含于本发明。
本发明作为弹性波谐振器、滤波器、双工器、能够应用于多频段系统的多工器、前端电路以及通信装置，能够广泛利用于便携式电话机等通信设备。
附图标记说明
1：弹性波装置；
2：压电性基板；
2a、2b：第1主面、第2主面；
3：支承基板；
4：低声速层；
5：压电体层；
6：中间层；
7：IDT电极；
8：支承构件；
8a：开口部；
9：覆盖构件；
13A、13B：第1绝缘层、第2绝缘层；
14：贯通孔；
15：第1布线电极；
16：保护膜；
17：贯通过孔电极；
18：第2布线电极；
19：凸块；
20：弹性波装置集合体；
22：单片化前的压电性基板；
23：单片化前的支承基板；
23a、23b：第3主面、第4主面；
28：单片化前的支承构件；
29：单片化前的覆盖构件；
32：压电性基板；
34：高声速层；
36：中间层；
42：压电性基板；
44：声反射膜；
45a、45b、45c：低声阻抗层；
46a、46b：高声阻抗层；
55：压电体层；
56：中间层；
58：第2布线电极；
201A、201B：双工器；
202：天线元件；
203：RF信号处理电路；
211、212：滤波器；
214：低噪声放大器电路；
221、222：滤波器；
224：低噪声放大器电路；
225：开关；
230：高频前端电路；
231、232：滤波器；
234a、234b：功率放大器电路；
240：通信装置；
244a、244b：功率放大器电路。

Claims (18)

1.一种弹性波装置，具备：
压电性基板，具有支承基板和直接或间接地设置在所述支承基板上的压电体层，且具有作为所述压电体层侧的主面的第1主面和作为所述支承基板侧的主面的第2主面；
IDT电极，直接或间接地设置在所述压电性基板的所述第1主面上；
支承构件，设置在所述支承基板上，使得在从所述第1主面的法线方向观察时包围所述IDT电极；
覆盖构件，设置在所述支承构件上；
贯通过孔电极，设置为贯通所述支承基板，并与所述IDT电极电连接；
第1布线电极，设置在所述压电性基板的所述第2主面上，并与所述贯通过孔电极电连接；以及
保护膜，设置为覆盖所述第1布线电极的至少一部分，
在从所述第2主面的法线方向观察时，所述保护膜设置在比所述支承构件靠内侧，使得所述保护膜与所述支承基板不重叠。
2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，
在所述支承基板与所述第1布线电极之间、以及所述支承基板与所述贯通过孔电极之间设置有绝缘层。
3.根据权利要求2所述的弹性波装置，其中，
在从所述第2主面的法线方向观察时，所述绝缘层设置在比所述支承构件靠内侧。
4.根据权利要求2或3所述的弹性波装置，其中，
所述保护膜的厚度比所述绝缘层的厚度厚。
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的弹性波装置，其中，
所述支承基板是传播的体波的声速比在所述压电体层传播的弹性波的声速高的高声速层。
6.根据权利要求1～4中的任一项所述的弹性波装置，其中，
在所述支承基板与所述压电体层之间设置有传播的体波的声速比在所述压电体层传播的弹性波的声速高的高声速层。
7.根据权利要求5或6所述的弹性波装置，其中，
在所述高声速层与所述压电体层之间设置有传播的体波的声速比在所述压电体层传播的体波的声速低的低声速层。
8.根据权利要求1～4中的任一项所述的弹性波装置，其中，
在所述支承基板与所述压电体层之间设置有声反射膜，
所述声反射膜具有声阻抗相对低的低声阻抗层和声阻抗相对高的高声阻抗层。
9.根据权利要求1～8中的任一项所述的弹性波装置，其中，
所述支承基板是硅基板。
10.根据权利要求1～9中的任一项所述的弹性波装置，其中，
包含至少一层具有绝缘性的层，且包含所述压电体层的中间层设置在所述支承基板上，
在所述中间层上设置有与所述IDT电极电连接的第2布线电极。
11.根据权利要求10所述的弹性波装置，其中，
在所述压电体层上设置有所述第2布线电极。
12.根据权利要求1～11中的任一项所述的弹性波装置，其中，
所述覆盖构件是硅覆盖件。
13.根据权利要求1～12中的任一项所述的弹性波装置，其中，
所述第1布线电极具有未被所述保护膜覆盖的部分，
设置有凸块，使得与所述第1布线电极上的未被所述保护膜覆盖的部分接合。
14.根据权利要求1～13中的任一项所述的弹性波装置，其中，
在将由所述IDT电极的电极指间距规定的波长设为λ时，所述压电体层的厚度为3.5λ以下。
15.一种高频前端电路，具备：
权利要求1～14中的任一项所述的弹性波装置；以及
功率放大器。
16.一种通信装置，具备：
权利要求15所述的高频前端电路；以及
RF信号处理电路。
17.一种弹性波装置的制造方法，所述弹性波装置是权利要求1～14中的任一项所述的弹性波装置，所述弹性波装置的制造方法具备：
准备弹性波装置集合体的工序，所述弹性波装置集合体具有单片化前的压电性基板，分别具有多个所述IDT电极、所述贯通过孔电极、所述第1布线电极、以及所述保护膜，在所述单片化前的压电性基板上设置有单片化前的支承构件，使得分别包围所述多个IDT电极，在所述单片化前的支承构件上设置有单片化前的覆盖构件；以及
通过对所述单片化前的压电性基板、所述单片化前的支承构件以及所述单片化前的覆盖构件进行切割，从而对所述弹性波装置集合体进行单片化的工序，
在准备所述弹性波装置集合体的工序中，分别设置多个所述保护膜，使得在从所述第2主面的法线方向观察时，不到达与所述单片化前的支承构件重叠的部分，且使得位于比所述单片化前的支承构件靠内侧。
18.根据权利要求17所述的弹性波装置的制造方法，其中，
在对所述弹性波装置集合体进行单片化的工序中，通过激光的照射进行切割。
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