CN111066241B - 滤波器装置 - Google Patents

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Abstract

滤波器装置(1)具备：基板(50)，具有压电性；包含IDT电极(52)的第一滤波器(10)，设置在基板(50)上；端子用电极(30a)，设置在基板(50)上；第一布线电极(41)，设置在基板(50)上，将第一滤波器(10)和端子用电极(30a)相连；以及电介质膜(61)，设置在基板(50)上，使得覆盖IDT电极(52)。第一布线电极(41)的至少一部分未被电介质膜(61)覆盖。

Description

滤波器装置
技术领域
本发明涉及包含弹性波元件的滤波器装置及其制造方法。
背景技术
对于近年来的通信终端，要求由一个终端来应对多个频带以及多个无线方式，即，所谓的多频段化以及多模式化。为了应对于此，在一个天线配置对具有多个无线载波频率的高频信号进行分波的多工器。作为这种多工器的一个例子，在专利文献1公开了使用多个弹性波元件以及LC元件并组合了低通滤波器、带通滤波器的滤波器装置。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2016/117676号
发明内容
发明要解决的课题
然而，在上述通信终端中，例如，在处理WiFi(注册商标)频带以及Band7(Tx：2500～2570MHz，Rx：2620～2690MHz)的双方的频带的情况下，存在如下的问题，即，在滤波器装置产生互调失真(IMD(Intermodulation Distortion))、高次谐波失真，Band7的接收灵敏度下降。
因此，本发明的目的在于，在包含弹性波元件的滤波器装置中抑制IMD、高次谐波失真的产生。
用于解决课题的技术方案
为了达到上述目的，本发明的一个方式涉及的滤波器装置具备：基板，具有压电性；包含IDT(InterDigital Transducer，叉指换能器)电极的第一滤波器，设置在所述基板上；端子用电极，设置在所述基板上；第一布线电极，设置在所述基板上，将所述第一滤波器和所述端子用电极相连；以及电介质膜，设置在基板上，使得覆盖所述IDT电极，所述第一布线电极的至少一部分未被所述电介质膜覆盖。
像这样，通过与端子用电极连接的第一布线电极未被电介质膜覆盖，从而能够抑制在第一布线电极中阻碍电流的流动。由此，能够抑制在滤波器装置中产生IMD、高次谐波失真。
此外，也可以是，所述端子用电极未被所述电介质膜覆盖，并与天线端子连接。
由此，能够抑制在传输电力大的天线端子的近处产生的IMD、高次谐波失真。
滤波器装置还具备：第二滤波器，设置在所述基板上，包含与所述IDT电极不同的IDT电极；以及第二布线电极，设置在所述基板上，将所述第二滤波器和所述端子用电极相连，所述第二滤波器的所述IDT电极被所述电介质膜覆盖，所述第二布线电极的至少一部分未被所述电介质膜覆盖。
像这样，通过与端子用电极连接的第二布线电极未被电介质膜覆盖，从而能够抑制在第一布线电极中阻碍电流的流动。由此，能够抑制在滤波器装置中产生IMD、高次谐波失真。
此外，也可以是，所述第一布线电极以及所述第二布线电极各自全部未被电介质膜覆盖。
由此，能够进一步抑制在滤波器装置中产生IMD、高次谐波失真。
此外，也可以是，所述第一布线电极以及所述第二布线电极的未被所述电介质膜覆盖的部分与空气层相接。
像这样，通过使相对介电常数比电介质膜小的空气层与布线电极的未被上述电介质膜覆盖的部分相接，从而能够抑制在未被上述电介质膜覆盖的部分的布线电极中阻碍电流的流动。由此，能够进一步抑制在滤波器装置中产生IMD、高次谐波失真。
也可以是，在所述第一布线电极上以及所述第二布线电极上设置有覆盖层，所述空气层设置在所述第一布线电极以及所述第二布线电极与所述覆盖层之间。
像这样，通过在布线电极与覆盖层之间设置空气层，从而能够使空气层可靠地接触布线电极。此外，能够尽可能抑制空气层以外的异物与布线电极接触，抑制在布线电极中阻碍电流的流动。由此，能够抑制在滤波器装置中产生IMD、高次谐波失真。
此外，也可以是，所述第一滤波器的所述IDT电极以及所述第二滤波器的所述IDT电极各自为梳齿状，包含多个电极指和与所述多个电极指连接的汇流条电极。
由此，对包含电极指以及汇流条电极的IDT电极形成电介质膜，因此能够在可靠地维持IDT电极的耐湿性的同时抑制在滤波器装置中产生IMD、高次谐波失真。
此外，也可以是，所述电介质膜包含氧化硅。
像这样，即使在电介质膜包含氧化硅的情况下，也能够通过使与端子用电极连接的布线电极不被电介质膜覆盖，从而抑制在布线电极中阻碍电流的流动。由此，能够抑制在滤波器装置中产生IMD、高次谐波失真。
为了达到上述目的，本发明的一个方式涉及的滤波器装置的制造方法包括：在具有压电性的基板上形成包含IDT电极的第一滤波器、与天线端子连接的端子用电极、以及将所述第一滤波器和所述端子用电极相连的布线电极的工序；在所述基板上形成电介质膜，使得覆盖所述IDT电极、所述端子用电极、以及所述布线电极的工序；以及除去形成在所述端子用电极上以及所述布线电极上的所述电介质膜的工序。
由此，能够在与端子用电极连接的布线电极高精度地形成不被电介质膜覆盖的部分。通过高精度地形成不被上述电介质膜覆盖的部分，从而能够在滤波器装置中抑制IMD、高次谐波失真的产生。
为了达到上述目的，在本发明的一个方式涉及的滤波器装置的制造方法中，所述滤波器装置具备：基板，具有压电性；第一滤波器以及端子用电极，设置在所述基板上；以及布线电极，设置在所述基板上，将所述第一滤波器和所述端子用电极相连，其中，所述滤波器装置的制造方法包括：在所述基板上形成包含IDT电极的所述第一滤波器、以及下侧布线层的工序，其中，该下侧布线层构成所述布线电极中的一部分的厚度部分；在所述基板上形成电介质膜，使得覆盖所述IDT电极以及所述下侧布线层的工序；除去所述电介质膜中的、形成上侧布线层的区域以及形成所述端子用电极的区域的工序，其中，该上侧布线层构成所述布线电极的剩余的厚度部分；以及在除去了所述电介质膜的区域形成所述上侧布线层以及所述端子用电极的工序。
由此，能够在布线电极高精度地形成不被电介质膜覆盖的部分。通过高精度地形成不被上述电介质膜覆盖的部分，从而能够在滤波器装置中抑制IMD、高次谐波失真的产生。
此外，为了达到上述目的，本发明的一个方式涉及的滤波器装置具备：基板，具有压电性；包含弹性波元件的第一滤波器，设置在所述基板上；端子用电极，设置在所述基板上；第一布线电极，设置在所述基板上，将所述第一滤波器和所述端子用电极相连；以及电介质膜，设置在基板上，使得覆盖所述弹性波元件，所述第一布线电极的至少一部分未被所述电介质膜覆盖。
像这样，通过使与端子用电极连接的第一布线电极露出，从而能够抑制在第一布线电极中阻碍电流的流动。由此，能够抑制在滤波器装置中产生IMD、高次谐波失真。
发明效果
本发明在滤波器装置中抑制IMD、高次谐波失真的产生。
附图说明
图1是实施方式涉及的滤波器装置的基本的电路结构图。
图2是实施方式涉及的滤波器装置的具体的电路结构图。
图3是示意性地示出构成实施方式涉及的滤波器装置的弹性波元件的IDT电极的图。
图4A是实施方式涉及的滤波器装置的电极布局，是示出在电极上设置电介质膜之前的状态的俯视图。
图4B是实施方式涉及的滤波器装置的电极布局，是示出设置了电介质膜且布线电极的一部分露出的状态的俯视图。
图5是示意性地示出在图4B的V-V线处切断了实施方式涉及的滤波器装置的剖面的图。
图6是示出实施方式涉及的滤波器装置的制造方法的流程图。
图7是示意性地示出实施方式涉及的滤波器装置的制造方法的一部分的图。
图8是示出在实施方式的滤波器装置中产生的二阶的IMD(互调失真)的图。
图9是示出实施方式的变形例1涉及的滤波器装置的制造方法的流程图。
图10是示意性地示出实施方式的变形例1涉及的滤波器装置的制造方法的一部分的图。
图11是示意性地示出实施方式的变形例2涉及的滤波器装置的弹性波元件的图。
具体实施方式
[1.实现本发明的背景]
首先，参照图1对实现本发明的背景进行说明。图1是实施方式涉及的滤波器装置1的基本的电路结构图。
滤波器装置1具备第一滤波器10以及第二滤波器20。第一滤波器10经由布线w1以及布线w0而与天线端子Ta连接。第二滤波器20经由布线w2以及布线w0而与天线端子Ta连接。第一滤波器10以及第二滤波器20在布线w1和布线w2连线的连接点cp1处相互连接。
第一滤波器10以及第二滤波器20例如包含SAW(Surface Acoustic Wave，声表面波)滤波器等弹性波元件，该弹性波元件由IDT(InterDigital Transducer，叉指换能器)电极形成。此外，布线w0～w2由布线电极形成。
滤波器装置1设置在构成便携式电话等通信设备的通信装置9。滤波器装置1例如是对2.4GHz频带WiFi、中频频带以及高频频带进行分波的多工器。滤波器装置1例如在第一滤波器10输入输出Band7(发送频率f2t：2500～2570MHz，接收频率f2r：2620～2690MHz)的高频信号，在第二滤波器20输入输出2.4GHz频带WiFi(频率fx：2401～2483MHz)的高频信号。具体地，第一滤波器10使频率f2t以及频率f2r的高频信号通过，此外，第二滤波器20使频率fx的高频信号通过。另外，第一滤波器10包含阻止频率fx的高频信号的通过的带阻滤波器。
在具有图1所示的基本结构的滤波器装置1的情况下，有时会由从相同的通信设备内的其它天线端子输出并输入到天线端子Ta的5GHzWiFi(频率f1：5150～5850MHz)的信号和经由第一滤波器10输出的Band7的发送频率f2t的信号产生互调失真(IMD(Intermodulation Distortion))。
特别是，滤波器装置1由在输入和输出的关系上具有非线性的压电基板构成的情况下，认为从配置在该压电基板上的引绕布线容易产生IMD。此外，在传播发送信号时会在与天线端子Ta连接的布线w0～w2被传输大的电力，因此认为在天线端子Ta的近处容易产生IMD。此外，在构成弹性波元件的IDT电极上，以温度特性的改善或耐湿性的提高为目的，形成包含SiO2的电介质膜，但该电介质膜不仅形成在IDT电极上，还形成在构成上述布线w0～w2的布线电极上。当高频信号在布线电极传播时，电流集中在布线电极的表面附近，因此认为例如若电介质膜等异物与布线电极的表面相接，则电流的流动被阻碍，容易产生IMD等失真。
在这些情况下产生的IMD的频率例如为二阶的IMD(f1-f2t)(频率：2580～3350MHz)，IMD(f1-f2t)的一部分与Band7的接收频率f2r一致。因此，产生的IMD(f1-f2t)不被第一滤波器10阻止而通过。由此，Band7的接收灵敏度下降。
本实施方式的滤波器装置1例如成为如下结构，即，通过使天线端子Ta与第一滤波器10之间的布线电极的一部分以及天线端子Ta与第二滤波器20的布线电极的一部分中的至少一者不被电介质膜覆盖，从而抑制产生IMD等失真。
以下，使用实施方式以及附图对本发明的实施方式进行详细地说明。另外，以下说明的实施方式均示出总括性或具体的例子。在以下的实施方式中示出的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置以及连接方式等是一个例子，其主旨并不在于限定本发明。关于以下的实施方式中的构成要素之中、未记载于独立权利要求的构成要素，作为任意的构成要素进行说明。此外，附图所示的构成要素的大小或大小之比未必严谨。
[2.滤波器装置的结构]
参照图2对实施方式涉及的滤波器装置1的结构进行说明。图2是滤波器装置1的具体的电路结构图。
滤波器装置1具备：与天线2连接的天线端子Ta、从第一滤波器10观察设置在天线端子Ta的相反侧的第一端子T1、以及从第二滤波器20观察设置在天线端子Ta的相反侧的第二端子T2。例如，第一端子T1是连接于与Band7有关的信号处理电路的端子，第二端子T2是连接于与2.4GHz频带WiFi有关的信号处理电路的端子。
即，第一滤波器10设置在连结天线端子Ta和第一端子T1的路径上，第二滤波器20设置在连结天线端子Ta和第二端子T2的路径上。第一滤波器10以及第二滤波器20在连接点cp1处相互连接。此外，在天线端子Ta与连接点cp1之间并联有电感器L1。
第一滤波器10具有串联谐振器NS1以及NS2。串联谐振器NS1、NS2各自设置在第一端子T1与连接点cp1之间的路径上。此外，第一滤波器10具有并联谐振器NP1和与并联谐振器NP1并联连接的电感器L2。并联谐振器NP1的一端与串联谐振器NS1、NS2之间的连接点cp2连接，另一端经由电感器L3而与接地连接。
第二滤波器20具有串联谐振器S1、S2、S3、S4以及S5。串联谐振器S1～S5各自设置在第二端子T2与连接点cp1之间的路径上。此外，第二滤波器20具有并联谐振器P1、P2、P3以及P4。并联谐振器P1的一端与串联谐振器S1、S2之间的连接点cp3连接，另一端与接地连接。并联谐振器P2的一端与串联谐振器S2、S3之间的连接点cp4连接，并联谐振器P3的一端与串联谐振器S3、S4之间的连接点cp5连接，并联谐振器P4的一端与串联谐振器S4、S5之间的连接点cp6连接。并联谐振器P2～P4的另一端相互连线，并与接地连接。
串联谐振器NS1、NS2、S1～S5以及并联谐振器NP1、P1～P4各自为弹性波元件，具有IDT电极。
参照图3，对构成弹性波元件的IDT电极52进行说明。图3是示意性地示出构成弹性波元件的IDT电极52的图，(a)为俯视图，(b)为剖视图。另外，IDT电极52用于说明弹性波元件的典型的构造，构成电极的电极指的根数、长度等并不限定于此。
如图3的(a)所示，IDT电极52为梳齿状，具有相互对置的一组IDT电极520a以及520b。IDT电极520a由相互平行的多个电极指522a和连接多个电极指522a的汇流条电极521a构成。IDT电极520b由相互平行的多个电极指522b和连接多个电极指522b的汇流条电极521b构成。多个电极指522a、522b沿着与弹性波的传播方向正交的方向形成。即，电极指522a、522b在弹性波的传播方向上排列形成。以下，存在指代汇流条电极521a、521b中的一部分或全部而称为汇流条电极521的情况。此外，存在指代电极指522a、522b中的一部分或全部而称为电极指522的情况。
如图3的(b)所示，IDT电极52设置在基板50的主面50a侧。IDT电极52成为密接层523和主电极层524的层叠构造。例如，作为密接层523，使用Ti(厚度为12nm)。例如，作为主电极层524，由Ti、Al、Cu、Au、Pt、Ag、Pd、Ni等金属或合金、或者这些金属或合金的层叠体构成。本实施方式中的主电极层524使用含有1％的Cu的Al(厚度为162nm)。电介质膜61例如是以二氧化硅为主成分的保护膜，形成为覆盖IDT电极52。电介质膜61的厚度例如为25nm。另外，电介质膜61也可以是以氮化硅为主成分的保护膜。基板50例如由LiTaO3压电单晶、LiNbO3压电单晶、或压电陶瓷构成。
参照图4A以及图4B对滤波器装置1的具体的构造进行说明。图4A是滤波器装置1的电极布局，是示出在电极上设置电介质膜61之前的状态的俯视图。
在图4A中，布线电极41相当于图2所示的布线w1，布线电极42相当于图2所示的布线w2，端子用电极30a相当于图2所示的连接点cp1。以下，对各谐振器S1～S5、P1～P4、NS1、NS2、NP1的配置等进行说明。另外，存在如下情况，即，在图4A中，从各IDT电极52的电极指522观察，将位于Y轴负方向的汇流条电极称为一方的汇流条电极，将位于Y轴正方向的汇流条电极称为另一方的汇流条电极。
如图4A所示，在基板50上形成有构成第一滤波器10的串联谐振器NS1、NS2以及并联谐振器NP1、和构成第二滤波器20的串联谐振器S1～S5以及并联谐振器P1～P4。此外，在基板50上形成有与天线端子Ta连接的端子用电极30a、与第一端子T1连接的输入输出用电极31、与第二端子T2连接的输入输出用电极32、以及与四个接地端子对应地连接的四个接地用电极35g、36g、37g、38g。端子用电极30a、输入输出用电极31、32以及接地用电极35g～38g各自设置在基板50的外周附近。
在图4A中，在基板50的左侧(X轴负方向)区域形成有构成串联谐振器NS1、NS2、并联谐振器NP1的各IDT电极52。串联谐振器NS1的IDT电极52中的一方的汇流条电极521a经由第一布线电极41而与端子用电极30a连接，另一方的汇流条电极521b经由布线电极45而与接地用电极35g连接。串联谐振器NS2的IDT电极52中的一方的汇流条电极经由布线电极49而与串联谐振器NS1的另一方的汇流条电极521b连接，另一方的汇流条电极经由布线电极43而与输入输出用电极31连接。
并联谐振器NP1的IDT电极52中的一方的汇流条电极与串联谐振器NS1的另一方的汇流条电极521b连接，另一方的汇流条电极经由布线电极46而与接地用电极36g连接。
另外，图2所示的电感器L1～L3既可以形成在后述的覆盖层66上(省略图示)，也可以设置在与基板50不同的其它基板。
在图4A中，在基板50的中央以及右侧(X轴正方向)区域形成有构成串联谐振器S1～S5、并联谐振器P1～P4的各IDT电极52。串联谐振器S1的IDT电极52中的一方的汇流条电极与串联谐振器S2的另一方的汇流条电极连接，另一方的汇流条电极经由布线电极44而与输入输出用电极32连接。串联谐振器S2的IDT电极52中的一方的汇流条电极与串联谐振器S3的另一方的汇流条电极连接，另一方的汇流条电极与串联谐振器S1的一方的汇流条电极连接。串联谐振器S3的IDT电极52中的一方的汇流条电极与串联谐振器S4的另一方的汇流条电极连接，另一方的汇流条电极与串联谐振器S2的一方的汇流条电极连接。串联谐振器S4的IDT电极52中的一方的汇流条电极与串联谐振器S5的另一方的汇流条电极521b连接，另一方的汇流条电极与串联谐振器S3的一方的汇流条电极连接。串联谐振器S5的IDT电极52中的一方的汇流条电极521a经由第二布线电极42而与端子用电极30a连接，另一方的汇流条电极521b与串联谐振器S4的一方的汇流条电极连接。
此外，并联谐振器P1的IDT电极52中的一方的汇流条电极经由布线电极49而与串联谐振器S1的一方的汇流条电极连接，另一方的汇流条电极经由布线电极47而与接地用电极37g连接。并联谐振器P2的IDT电极52中的一方的汇流条电极经由布线电极49而与串联谐振器S2的一方的汇流条电极连接，另一方的汇流条电极经由布线电极48而与接地用电极38g连接。并联谐振器P3的IDT电极52中的一方的汇流条电极经由布线电极49而与串联谐振器S3的一方的汇流条电极连接，另一方的汇流条电极经由布线电极48而与接地用电极38g连接。并联谐振器P4的IDT电极52中的一方的汇流条电极经由布线电极49而与串联谐振器S4的一方的汇流条电极连接，另一方的汇流条电极经由布线电极48而与接地用电极38g连接。
图4B是滤波器装置1的电极布局，是示出设置了电介质膜61且布线电极41、42的一部分露出的状态的俯视图。
如图4B所示，在基板50的主面50a形成有电介质膜61，使得覆盖构成各滤波器的谐振器中的各IDT电极52。具体地，电介质膜61设置为覆盖IDT电极52的电极指522、汇流条电极521、基板50的主面50a以及布线电极43～49。在本实施方式中，第一布线电极41的一部分和第二布线电极42的一部分未被电介质膜61覆盖而露出。换言之，第一布线电极41以及第二布线电极42各自具有未被电介质膜61覆盖的露出部E1。另外，布线电极43～48各自在输入输出用电极31、32以及接地用电极35g～38g的近处具有未被电介质膜61覆盖的部分，但是这些未被电介质膜61覆盖的部分被后述的支承层65覆盖而成为不露出的构造。
接着，参照图5的剖视图对电介质膜61以及露出部E1的形成部位进行说明。图5是示意性地示出在图4B的V-V线处切断了滤波器装置1的剖面的图。
如图5所示，滤波器装置1具有IDT电极52、布线电极41以及43、端子用电极30a、以及输入输出用电极31。此外，滤波器装置1具有基板50、支承层65、覆盖层66、以及过孔电极67。
如前所述，基板50由LiTaO3压电单晶、LiNbO3压电单晶、或压电陶瓷构成。在本实施方式中，基板50例如从上起依次由具有50°的切割角的LiTaO3压电层(厚度为600nm)、作为低声速膜的SiO2层(厚度为670nm)、以及包含Si材料的支承基板(厚度为200μm)形成。支承基板兼具作为高声速膜的功能。
支承层65是比IDT电极52以及布线电极41～49的高度高的层，竖立设置在基板50的主面50a中的设置了IDT电极52的区域的周围。支承层65例如由包含聚酰亚胺、环氧、苯并环丁烯(Benzocyclobutene：BCB)、聚苯并恶唑(Polybenzoxazole：PBO)、树脂以及氧化硅中的至少一种的材料构成。
覆盖层66由包含聚酰亚胺、环氧、BCB、PBO、树脂以及氧化硅中的至少一种的材料构成。覆盖层66配置在支承层65上，且隔着空气层68覆盖IDT电极52。像这样，在滤波器装置1形成有空气层68，该空气层68被基板50、竖立设置在基板50的周围的支承层65、以及配置在支承层65上的覆盖层66所包围。空气层68的相对介电常数比电介质膜61的相对介电常数小，因此例如在布线电极41、42上存在空气层68的情况下，变得不易阻碍在布线电极41、42中传播的高频信号的流动，变得不易产生IMD等。
过孔电极67是形成为贯通支承层65以及覆盖层66的柱状电极，是将布线电极41～48和外部端子(天线端子Ta、第一端子T1、第二端子T3、接地端子)连接的布线路径。
IDT电极52是激励弹性波的电极，设置在基板50的主面50a。另外，也可以在基板50与IDT电极52之间形成有硅氧化膜等。
在IDT电极52的电极指522以及汇流条电极521上形成有前述的电介质膜61。为了减小电阻，汇流条电极521形成得比电极指522厚。同样地，为了减小电阻，布线电极41、43以及端子用电极30a以及输入输出用电极31形成得比电极指522厚。
如图5的破断线的左侧(Y轴正方向)所示，串联谐振器NS2的IDT电极52的汇流条电极521b经由布线电极43而与输入输出用电极31连接。输入输出用电极31经由过孔电极67而与第一端子T1连接。在布线电极43形成有电介质膜61。
如图5的破断线的右侧(Y轴负方向)所示，串联谐振器NS1的IDT电极52的汇流条电极521a经由布线电极41而与端子用电极30a连接。端子用电极30a经由过孔电极67而与天线端子Ta连接。在本实施方式中，如前所述，在布线电极41上未形成电介质膜61，布线电极41露出。即，滤波器装置1成为如下的构造，即，配置在天线端子Ta的相反侧的布线电极43不具有露出部E1，但是配置在天线端子Ta侧的布线电极41具有露出部E1。
[3.滤波器装置的制造方法]
参照图6以及图7对实施方式涉及的滤波器装置1的制造方法进行说明。图6是示出滤波器装置1的制造方法的流程图。图7是示意性地示出滤波器装置1的制造方法的一部分的图。在该例子中，对作为基板50而使用了LiTaO3压电基板的情况进行说明。此外，在该例子中，列举第一滤波器10以及第二滤波器20中的第一滤波器10为例对滤波器装置1的制造方法进行说明。
首先，如图7的(a)所示，在基板50上形成包含IDT电极52的第一滤波器10、端子用电极30a以及布线电极41(S11)。为了减小电阻，这些端子用电极30a以及布线电极41在对电极指522进行了成膜之后进一步追加进行成膜。
接着，如图7的(b)所示，在基板50的主面50a的整个面形成电介质膜61，使得覆盖IDT电极52、端子用电极30a以及布线电极41(S12)。电介质膜61例如通过溅射或蒸镀来形成。
接着，如图7的(c)所示，除去形成在基板50上的电介质膜61的一部分(S13)。具体地，通过蚀刻除去形成在端子用电极30a上以及布线电极41上的电介质膜61。由此，在布线电极41上形成露出部E1。
接着，在基板50上形成支承层65(S14)。支承层65例如通过在基板50上涂敷树脂而形成。具体地，支承层65通过光刻法设置在基板50的主面50a。
接着，在支承层65上形成覆盖层66(S15)。覆盖层66例如为片状的聚酰亚胺树脂，通过粘接而粘附在支承层65(省略图示)。由此，在IDT电极52与覆盖层66之间形成空气层68。
接着，在支承层65以及覆盖层66形成多个过孔电极67(S16)。具体地，在支承层65以及覆盖层66形成了通孔之后，在通孔填充导电材料，由此形成过孔电极67。通孔既可以通过光刻法形成，也可以通过激光加工来形成。导电材料例如也可以通过镀覆、蒸镀、溅射等方法埋入到通孔。
接着，在所形成的多个过孔电极67形成外部端子(S17)。具体地，与多个过孔电极67各自对应地形成天线端子Ta、第一端子T1、第二端子T2以及接地端子。通过这些步骤S11～S17所示的工序而形成滤波器装置1。
[4.效果等]
参照图8对实施方式的滤波器装置1的效果进行说明。图8是示出在滤波器装置1中产生的二阶的IMD的图。图8中的“实施方式”为具有前述的结构的滤波器装置1。图8中的“比较例”为由电介质膜61覆盖了布线电极41、42全部的例子。另外，在比较例中，在基板50直接制作了布线电极41、42。
在实施方式以及比较例中测定的频率的范围与Band7的接收频率f2r相同。而且，作为Band7而在第一端子T1输入了23dBm的信号，此外，作为5GHz频带WiFi而在天线端子Ta输入了5dBm的信号。而且，根据这些信号测定了输出到第一端子T1的二阶的IMD。
如图8所示，实施方式与比较例相比，二阶的IMD整体上变小，平均减小大约2dBm。
本实施方式涉及的滤波器装置1具备：基板50，具有压电性；包含IDT电极52的第一滤波器10，设置在基板50上；端子用电极30a，设置在基板50上；第一布线电极41，设置在基板50上，将第一滤波器10和端子用电极30a相连；以及电介质膜61，设置在基板50上，使得覆盖IDT电极52。第一布线电极41的至少一部分未被电介质膜61覆盖而露出。像这样，通过使与端子用电极30a连接的第一布线电极41露出，从而能够抑制在第一布线电极41中阻碍电流的流动。由此，能够抑制在滤波器装置1中产生IMD、高次谐波失真。
[5.变形例1]
参照图9以及图10对实施方式的变形例1涉及的滤波器装置1的制造方法进行说明。图9是示出变形例1的滤波器装置1的制造方法的流程图。图10是示意性地示出变形例1的滤波器装置1的制造方法的一部分的图。在该变形例1中，对作为基板50而使用了LiNbO3压电基板的情况进行说明。此外，在该变形例1中，列举第一滤波器10以及第二滤波器20中的第一滤波器10为例对滤波器装置1的制造方法进行说明。
如图10的(a)所示，在基板50形成IDT电极52以及下侧布线层41a、43a(S11A)。下侧布线层41a是构成布线电极41中的一部分的厚度的部分。下侧布线层43a是构成布线电极43中的一部分的厚度的部分。
接着，如图10的(b)所示，在基板50的主面50a的整个面形成电介质膜61，使得覆盖IDT电极52以及下侧布线层41a、43a(S12A)。电介质膜61例如通过溅射或蒸镀来形成。
接着，如图10的(c)所示，除去形成在基板50上的电介质膜61的一部分(S13A)。具体地，通过蚀刻而除去形成上侧布线层41b、43b的区域以及形成端子用电极30a、输入输出用电极31的区域的电介质膜61。另外，上侧布线层41b是构成布线电极41中的剩余的厚度部分的部分。上侧布线层43b是构成布线电极43中的剩余的厚度部分的部分。上侧布线层41b、43b的厚度比下侧布线层41a、43a的厚度大。
接着，在除去了电介质膜61的区域形成上侧布线层41b、43b以及端子用电极30a、输入输出用电极31(S13B)。由此，形成布线电极41中的露出部E1。此外，在布线电极43也形成露出部。
接着，与实施方式同样地，在基板50上形成支承层65(S14)，在支承层65上形成覆盖层66(S15)。此外，在支承层65以及覆盖层66形成多个过孔电极67(S16)，在多个过孔电极67形成外部端子(S17)。通过这些步骤S11A～S17所示的工序而形成变形例1的滤波器装置1。另外，虽然在上述中列举第一滤波器10为例进行了说明，但是关于第二滤波器20，也同样地形成。
[6.变形例2]
参照图11对实施方式的变形例2涉及的滤波器装置1进行说明。变形例2的弹性波元件是利用体波(Bulk wave)的厚度扩展振动的压电薄膜谐振器，在这一点上不同于利用表面波的实施方式1的弹性波元件。
图11是示意性地示出变形例2涉及的滤波器装置1的弹性波元件201的图。
如图11所示，在构成有弹性波元件201的部分，在基板202上依次层叠有声反射层208、薄膜层叠部209以及电介质膜61。
电介质膜61例如是以二氧化硅为主成分的保护膜，形成为覆盖后述的另一方的电极层205以及压电体层203。另外，电介质膜61既可以是以氮化硅为主成分的保护膜，也可以是以氮化铝为主成分的保护膜。
声反射层208具有交替地层叠了由声阻抗相对低的材料构成的第一声阻抗层208a～208c和由声阻抗相对高的材料构成的第二声阻抗层208d、208e的构造。即，从后述的压电振动部起朝向基板202侧，按照第一声阻抗层208a、第二声阻抗层208d、第一声阻抗层208b、第二声阻抗层208e、第一声阻抗层208c的顺序层叠有声阻抗层208a～208e。
上述第一声阻抗层208a～208c以及第二声阻抗层208d、208e能够由适当的无机材料或有机材料形成。
例如，第一声阻抗层208a～208c例如能够由SiO2、SiOC等无机材料、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺等那样的高分子材料那样的有机材料形成。此外，第二声阻抗层208d、208e例如能够列举W、Ir、Pt或Mo等金属或AlN、SiN、Al2O3或Ta2O5等无机化合物、或者适当的有机材料。
在声反射层208上层叠有前述的薄膜层叠部209。薄膜层叠部209具备：压电体层203，极化轴与厚度方向一致；一方的电极层204，设置在压电体层203的下表面203a侧(存在声反射层208的一侧)；以及另一方的电极层205，设置在压电体层203的上表面203b侧。在弹性波元件201中，通过改变一方的电极层204或另一方的电极层205的厚度，从而能够改变谐振频率。
压电体层203由示出压电性的适当的压电单晶或压电陶瓷构成。作为这样的压电材料，能够列举AlN、ZnO、LiNbO3、LiTaO3、KNbO3或锆钛酸铅类压电性陶瓷等。
一方的电极层204以及另一方的电极层205由适当的导电性材料构成。作为这样的导电性材料，能够列举Al、Pt、Au、Mo、W、Ti、Cr、Cu、Ru、Ir、Ta等适当的金属或这些金属的合金。此外，一方的电极层204以及另一方的电极层205也可以由层叠了多个由这些金属或合金构成的金属膜的层叠金属膜构成。
在本变形例中，由一方的电极层204和另一方的电极层205隔着压电体层203相互重叠的部分构成了压电振动部。若对一方的电极层204以及另一方的电极层205施加交流电场，则在压电振动部被施加电场，压电振动部被激励。由此，能够得到利用了能量封闭型的厚度扩展振动的谐振特性。
变形例2涉及的滤波器装置1具备：基板202，具有压电性；包含弹性波元件201的第一滤波器10，设置在基板202上；端子用电极30a，设置在基板202上；第一布线电极41，设置在基板202上，将第一滤波器10和端子用电极30a相连；以及电介质膜61，设置在基板202上，使得覆盖弹性波元件201。第一布线电极41的至少一部分未被电介质膜61覆盖而露出。像这样，通过使与端子用电极30a连接的第一布线电极41露出，从而能够抑制在第一布线电极41中阻碍电流的流动。由此，能够抑制在变形例2的滤波器装置1中产生IMD、高次谐波失真。
(其它方式等)
以上，对本发明的实施方式涉及的滤波器装置1进行了说明，但是本发明并不限定于上述实施方式。例如，对上述实施方式实施了如下的变形的方式也包含于本发明。
例如，虽然在实施方式1的图4B中是各布线电极41、42的至少一部分露出的状态，但是并不限于此，也可以是，在俯视的情况下，布线电极41、42全部露出。
例如，弹性波元件并不限于声表面波谐振器，也可以是声边界波谐振器。
例如，虽然在本实施方式中作为滤波器装置而列举将多个收发滤波器捆绑的多工器为例进行了说明，但是滤波器装置1既可以是捆绑了发送滤波器以及接收滤波器的双工器，也可以是捆绑了多个接收滤波器的多工器。
例如，本实施方式并不限于WiFi用的通信设备，在对GPS信号和蜂窝频带的信号进行分波的GPS分波器、组合了Band25和Band66双工器或Band1和Band3双工器的四工器、进一步增加了捆绑的滤波器数的多工器中也能够应用。
产业上的可利用性
本发明作为能够应用于被进行了多频段化以及多模式化的频率标准的滤波器装置，能够广泛地利用于便携式电话等通信设备。
附图标记说明
1：滤波器装置；
2：天线；
9：通信装置；
10：第一滤波器；
20：第二滤波器；
30a：端子用电极；
35g、36g、37g、38g：接地用电极；
31、32：输入输出用电极；
41：第一布线电极；
41a：下侧布线层；
41b：上侧布线层；
42：第二布线电极；
43、44、45、46、47、48、49：布线电极；
50：基板；
50a：主面；
52：IDT电极；
61：电介质膜；
65：支承层；
66：覆盖层；
67：过孔电极；
68：空气层；
520a、520b：IDT电极；
521、521a、521b：汇流条电极；
522、522a、522b：电极指；
523：密接层；
524：主电极层；
cp1、cp2、cp3、cp4、cp5、cp6：连接点；
E1：露出部；
L1、L2、L3：电感器；
P1、P2、P3、P4、NP1：并联谐振器；
S1、S2、S3、S4、S5、NS1、NS2：串联谐振器；
Ta：天线端子；
T1：第一端子；
T2：第二端子；
w0、w1、w2：布线。

Claims (7)

1.一种滤波器装置，具备：
基板，具有压电性；
第一滤波器，设置在所述基板上，包含多个IDT电极；
第二滤波器，设置在所述基板上，包含与所述第一滤波器的IDT电极不同的多个IDT电极；
端子用电极，设置在所述基板上；
第一布线电极，设置在所述基板上，将所述第一滤波器和所述端子用电极相连；
第二布线电极，设置在所述基板上，将所述第二滤波器和所述端子用电极相连；以及
电介质膜，设置在所述基板上，使得覆盖所述第一滤波器以及所述第二滤波器的IDT电极，
所述第一布线电极以及所述第二布线电极的至少一部分未被所述电介质膜覆盖，
所述第一布线电极以及所述第二布线电极的未被所述电介质膜覆盖的部分与空气层相接。
2.根据权利要求1所述的滤波器装置，其中，
所述端子用电极未被所述电介质膜覆盖，并与天线端子连接。
3.根据权利要求1或2所述的滤波器装置，其中，
所述第一布线电极以及所述第二布线电极各自全部未被电介质膜覆盖。
4.根据权利要求1或2所述的滤波器装置，其中，
在所述第一布线电极上以及所述第二布线电极上设置有覆盖层，
所述空气层设置在所述第一布线电极以及所述第二布线电极与所述覆盖层之间。
5.根据权利要求1或2所述的滤波器装置，其中，
所述第一滤波器的所述IDT电极以及所述第二滤波器的所述IDT电极各自为梳齿状，包含多个电极指和与所述多个电极指连接的汇流条电极。
6.根据权利要求1或2所述的滤波器装置，其中，
所述电介质膜包含氧化硅。
7.一种滤波器装置，具备：
基板，具有压电性；
第一滤波器，设置在所述基板上，包含多个弹性波元件；
第二滤波器，设置在所述基板上，包含与所述第一滤波器的弹性波元件不同的多个弹性波元件；
端子用电极，设置在所述基板上；
第一布线电极，设置在所述基板上，将所述第一滤波器和所述端子用电极相连；
第二布线电极，设置在所述基板上，将所述第二滤波器和所述端子用电极相连；以及
电介质膜，设置在所述基板上，使得覆盖所述第一滤波器以及所述第二滤波器的弹性波元件，
所述第一布线电极以及所述第二布线电极的至少一部分未被所述电介质膜覆盖，
所述第一布线电极以及所述第二布线电极的未被所述电介质膜覆盖的部分与空气层相接。
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