CN213906641U - 高频模块和通信装置 - Google Patents

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Abstract

本实用新型提供一种高频模块和通信装置。高频模块具备：具有彼此相向的主面的模块基板；配置于主面的功率放大器；配置于主面的低噪声放大器；配置于主面的发送滤波器(第一弹性波滤波器)；以及配置于主面的接收滤波器(第二弹性波滤波器)，其中，发送滤波器的TCF的绝对值小于接收滤波器的TCF的绝对值，发送滤波器与功率放大器之间的距离小于接收滤波器与功率放大器之间的距离。

Description

高频模块和通信装置
技术领域
本实用新型涉及一种高频模块和通信装置。
背景技术
在便携式电话等移动通信设备中，特别是，随着多频段化的进展，构成高频前端电路的电路元件的配置结构变得复杂。
专利文献1公开了一种半导体模块，该半导体模块具有以下结构：在能够进行两面安装的布线基板的上表面安装滤波器，在下表面安装功率放大器和低噪声放大器。作为配置于布线基板的滤波器，例如使用声表面波(Surface Acoustic Wave)滤波器。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-40602号公报
实用新型内容
实用新型要解决的问题
然而，在专利文献1中公开的半导体模块中，在例如将声表面波滤波器等用作滤波器的情况下，声表面波滤波器的带通特性依赖于温度地发生频率变化(具有频率温度特性)。另外，在半导体模块中配置有发热量大的功率放大器，因此半导体模块的温度局部地发生变化。该半导体模块的温度变化导致具有频率温度特性的滤波器的带通特性变动，有时半导体模块的信号传输特性劣化。
本实用新型是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供一种使温度变化所引起的信号传输特性的劣化得以抑制的高频模块和通信装置。
用于解决问题的方案
为了实现上述目的，本实用新型的一个方式所涉及的高频模块具备：模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；功率放大器，其配置于所述第一主面；低噪声放大器，其配置于所述第二主面；第一弹性波滤波器，其配置于所述第一主面或所述第二主面；以及第二弹性波滤波器，其配置于所述第一主面或所述第二主面，其中，所述第一弹性波滤波器的频率温度系数的绝对值小于所述第二弹性波滤波器的频率温度系数的绝对值，所述第一弹性波滤波器与所述功率放大器之间的距离小于所述第二弹性波滤波器与所述功率放大器之间的距离。
优选地，所述高频模块还具备外部连接端子，所述外部连接端子配置于所述第二主面。
优选地，所述第一弹性波滤波器配置于所述第一主面，所述第二弹性波滤波器配置于所述第一主面。
优选地，所述第一弹性波滤波器配置于所述第一主面和所述第二主面中的一方，所述第二弹性波滤波器配置于所述第一主面和所述第二主面中的另一方。
优选地，所述第一弹性波滤波器配置于所述第二主面，所述第二弹性波滤波器配置于所述第一主面，所述第一弹性波滤波器是具有体波声速互不相同的多个层或者声阻抗互不相同的多个层层叠而成的构造的声速膜层叠型的弹性波滤波器。
本实用新型的一个方式所涉及的高频模块具备：模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；功率放大器，其配置于所述第一主面；低噪声放大器，其配置于所述第一主面；第一弹性波滤波器，其配置于所述第二主面；以及第二弹性波滤波器，其配置于所述第二主面，其中，所述第一弹性波滤波器的频率温度系数的绝对值小于所述第二弹性波滤波器的频率温度系数的绝对值，所述第一弹性波滤波器与所述功率放大器之间的距离小于所述第二弹性波滤波器与所述功率放大器之间的距离。
优选地，所述高频模块还具备外部连接端子，所述外部连接端子配置于所述第一主面。
优选地，所述高频模块还具备天线连接端子，所述第一弹性波滤波器是配置在将所述功率放大器与所述天线连接端子连结的发送路径上的、使被所述功率放大器放大后的发送信号通过的发送用滤波器，所述第二弹性波滤波器是配置在将所述天线连接端子与所述低噪声放大器连结的接收路径上的、使接收信号通过的接收用滤波器。
优选地，所述第一弹性波滤波器是利用了体声波的滤波器，所述第二弹性波滤波器是利用了在由LiTaO3形成的压电基板中传播的声表面波的滤波器。
优选地，所述第一弹性波滤波器是具有体波声速互不相同的多个层或者声阻抗互不相同的多个层层叠而成的构造的声速膜层叠型的弹性波滤波器，所述第二弹性波滤波器是以下滤波器中的任一个：利用了体声波的滤波器；利用了在由LiTaO3形成的压电基板中传播的声表面波的滤波器；以及形成有用于调整频率温度特性的绝缘层、且利用了在由LiNbO3形成的压电基板中传播的声表面波的滤波器。
优选地，所述第一弹性波滤波器是形成有用于调整频率温度特性的绝缘层、且利用了在由LiNbO3形成的压电基板中传播的声表面波的滤波器，所述第二弹性波滤波器是利用了在由LiTaO3形成的压电基板中传播的声表面波的滤波器。
本实用新型的一个方式所涉及的高频模块具备：模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；功率放大器，其配置于所述第一主面；低噪声放大器，其配置于所述第二主面；第一弹性波滤波器，其配置于所述第一主面或所述第二主面；以及第二弹性波滤波器，其配置于所述第一主面或所述第二主面，其中，所述第一弹性波滤波器是利用了体声波的滤波器，所述第二弹性波滤波器是利用了在由LiTaO3形成的压电基板中传播的声表面波的滤波器，所述第一弹性波滤波器与所述功率放大器之间的距离小于所述第二弹性波滤波器与所述功率放大器之间的距离。
本实用新型的一个方式所涉及的高频模块具备：模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；功率放大器，其配置于所述第一主面；低噪声放大器，其配置于所述第二主面；第一弹性波滤波器，其配置于所述第一主面或所述第二主面；以及第二弹性波滤波器，其配置于所述第一主面或所述第二主面，其中，所述第一弹性波滤波器是具有体波声速互不相同的多个层或者声阻抗互不相同的多个层层叠而成的构造的声速膜层叠型的弹性波滤波器，所述第二弹性波滤波器是以下滤波器中的任一个：利用了体声波的滤波器；利用了在由LiTaO3形成的压电基板中传播的声表面波的滤波器；以及形成有用于调整频率温度特性的绝缘层、且利用了在由LiNbO3形成的压电基板中传播的声表面波的滤波器，所述第一弹性波滤波器与所述功率放大器之间的距离小于所述第二弹性波滤波器与所述功率放大器之间的距离。
优选地，所述高频模块还具备外部连接端子，所述外部连接端子配置于所述第二主面。
本实用新型的一个方式所涉及的通信装置具备：射频信号处理电路，其对利用天线发送接收的高频信号进行处理；以及上述的高频模块，其在所述天线与所述射频信号处理电路之间传输所述高频信号。
实用新型的效果
根据本实用新型，能够提供使温度变化所引起的信号传输特性的劣化得以抑制的高频模块和通信装置。
附图说明
图1是实施方式所涉及的高频模块和通信装置的电路结构图。
图2A是示意性地表示声速膜层叠型弹性波滤波器的构造的俯视图和截面图。
图2B是示意性地表示温度补偿LN基板型弹性波滤波器的构造的截面图。
图2C是示意性地表示LT基板型弹性波滤波器的构造的截面图。
图2D是示意性地表示体声波滤波器的构造的截面图。
图3是表示LT基板型弹性波滤波器和声速膜层叠型弹性波滤波器的带通特性的图表。
图4A是实施例1所涉及的高频模块的平面结构概要图。
图4B是实施例1所涉及的高频模块的截面结构概要图。
图4C是变形例所涉及的高频模块的截面结构概要图。
图5A是实施例2所涉及的高频模块的平面结构概要图。
图5B是实施例2所涉及的高频模块的截面结构概要图。
图6A是实施例3所涉及的高频模块的平面结构概要图。
图6B是实施例3所涉及的高频模块的截面结构概要图。
具体实施方式
下面，详细说明本实用新型的实施方式。此外，下面说明的实施方式表示总括性或具体性的例子。另外，下面的实施方式、实施例以及变形例所示的数值、形状、材料、结构要素、结构要素的配置以及连接方式等是一个例子，其主旨并不在于限定本实用新型。另外，将下面的实施例和变形例的结构要素中的未记载于独立权利要求的结构要素作为任意的结构要素来进行说明。另外，附图所示的结构要素的大小或者大小之比未必是严格的。在各图中，对实质上相同的结构标注相同的标记，有时省略或简化重复的说明。
另外，下面，平行及垂直等表示要素之间的关系性的用语、矩形形状等表示要素的形状的用语以及数值范围表示实质上等同的范围，例如还包括百分之几左右的差异，而不是仅表示严格的含义。
另外，下面，在配置于基板的物体A和物体B中，“A与B之间的距离”表示A与B的最短距离。换言之，“A与B之间的距离”是指将物体A的外缘与物体B的外缘连结的多个线段中的最短的线段的长度。
另外，下面，“发送路径”表示由传播高频发送信号的布线、与该布线直接连接的电极、以及与该布线或该电极直接连接的端子等构成的传输线路。另外，“接收路径”表示由传播高频接收信号的布线、与该布线直接连接的电极、以及与该布线或该电极直接连接的端子等构成的传输线路。
另外，下面，“A与B连接”不仅适用于A与B物理连接的情况，也适用于A与B电连接的情况。
(实施方式)
[1.高频模块1和通信装置5的电路结构]
图1是实施方式所涉及的高频模块1和通信装置5的电路结构图。如该图所示，通信装置5具备高频模块1、天线2、RF(Radio Frequency：射频)信号处理电路(RFIC)3以及基带信号处理电路(BBIC)4。
RFIC 3是对利用天线2发送接收的高频信号进行处理的RF信号处理电路。具体地说，RFIC 3对经由高频模块1的接收路径输入的接收信号通过下变频等进行信号处理，将该信号处理后生成的接收信号输出到BBIC 4。另外，RFIC 3将基于从BBIC 4输入的信号进行处理后的高频发送信号输出到高频模块1的发送路径。
BBIC 4是使用频率比在高频模块1中传输的高频信号的频率低的信号来进行数据处理的电路。由BBIC 4处理后的信号例如被用作图像信号以显示图像，或者被用作声音信号以借助扬声器进行通话。
另外，RFIC 3具有基于所使用的通信频段(频带)来控制高频模块1所具有的开关40的连接的作为控制部的功能。具体地说，RFIC 3通过控制信号(未图示)来切换高频模块1所具有的开关40的连接。此外，控制部也可以设置于RFIC 3的外部，例如也可以设置于高频模块1或BBIC 4。
天线2与高频模块1的天线连接端子100连接，辐射从高频模块1输出的高频信号，另外，接收来自外部的高频信号后输出到高频模块1。
此外，在本实施方式所涉及的通信装置5中，天线2和BBIC 4不是必需的结构要素。
接着，说明高频模块1的详细结构。
如图1所示，高频模块1具备天线连接端子100、功率放大器10、低噪声放大器20、发送滤波器30T、接收滤波器30R以及开关40。
天线连接端子100与天线2连接。
功率放大器10是对从发送输入端子110输入的通信频段A的发送信号进行放大的放大器。
低噪声放大器20是将通信频段A的接收信号以低噪声进行放大后输出到接收输出端子120的放大器。
发送滤波器30T配置于将天线连接端子100与发送输入端子110连结的发送路径AT，使被功率放大器10放大后的发送信号中的通信频段A的发送信号通过。
接收滤波器30R配置于将天线连接端子100与接收输出端子120连结的接收路径AR，使从天线连接端子100输入的接收信号中的通信频段A的接收信号通过。
发送滤波器30T和接收滤波器30R构成了以通信频段A为通带的双工器30。
开关40是天线开关的一例，与天线连接端子100连接，对(1)天线连接端子100与发送路径AT及接收路径AR的连接、以及(2)天线连接端子100与其它的发送路径及接收路径的连接进行切换。此外，开关40也可以由能够同时进行上述(1)和(2)的多连接型的开关电路构成。
此外，也可以是，在构成高频模块1的各信号路径上，还配置有阻抗匹配电路、滤波器以及开关等。
在高频模块1的结构中，功率放大器10、发送滤波器30T以及开关40构成向天线连接端子100传输通信频段A的发送信号的发送电路。另外，开关40、接收滤波器30R以及低噪声放大器20构成从天线2经由天线连接端子100传输通信频段A的接收信号的接收电路。
根据上述的电路结构，高频模块1能够执行通信频段A的高频信号的发送、接收、以及发送接收中的至少任一个。
此外，也可以是，高频模块1除了具有上述发送电路和上述接收电路以外，还具有传输不同于通信频段A的通信频段的发送信号的发送电路以及传输不同于通信频段A的通信频段的接收信号的接收电路。另外，在高频模块1中，也可以是，上述发送电路和上述接收电路没有经由开关40连接于天线连接端子100。
另外，功率放大器10和低噪声放大器20例如由Si系的CMOS(Complementary MetalOxide Semiconductor：互补金属氧化物半导体)或以GaAs为材料的场效应型晶体管(FET)或异质结双极型晶体管(HBT)等构成。
另外，低噪声放大器20和开关40也可以形成于半导体IC(Integrated Circuit：集成电路)。并且，半导体IC也可以包括功率放大器10。半导体IC例如由CMOS构成。具体地说，是通过SOI(Silicon On Insulator：绝缘体上的硅)工艺来形成的。由此，能够廉价地制造半导体IC。此外，半导体IC也可以由GaAs、SiGe以及GaN中的至少任一个构成。由此，能够输出具有高质量的放大性能和噪声性能的高频信号。
另外，在本实施方式所涉及的高频模块1中，发送滤波器30T和接收滤波器30R构成了以频分双工(FDD：Frequency Division Duplex)方式传输发送信号和接收信号的双工器30，但是也可以是以时分双工(TDD：Time Division Duplex)方式传输发送信号和接收信号。在该情况下，在发送滤波器30T和接收滤波器30R的前级和后级中的至少一方配置用于在发送与接收之间切换的开关。
另外，发送滤波器30T和接收滤波器30R中的各滤波器也可以是以下中的任一个：(1)声速膜层叠型的弹性波滤波器、(2)温度补偿LN基板型的弹性波滤波器、(3)LT基板型的弹性波滤波器、以及(4)体声波滤波器。
下面，说明上述(1)-(4)的弹性波滤波器的构造和特性。
[2.弹性波滤波器的构造和特性]
图2A是示意性地表示声速膜层叠型的弹性波滤波器的构造的俯视图和截面图。具体地说，在图2A中，示出了示意性地表示构成声速膜层叠型的弹性波滤波器的弹性波谐振器60的一例的概要图，(a)是构成弹性波谐振器60的IDT(Inter Digital Transducer：叉指换能器)电极54的俯视图，(b)和(c)是(a)中示出的弹性波谐振器60的点划线处的截面图。
此外，作为上述(1)-(4)的弹性波滤波器的类型，例如可以列举出：串联和并联地配置多个图2A中示出的弹性波谐振器60而成的梯型的滤波器；或者沿弹性波传播方向排列地配置多个图2A中示出的弹性波谐振器60而成的纵向耦合型的滤波器等。此外，图2A中示出的弹性波谐振器60用于说明典型的构造，例如，弹性波谐振器60的构成IDT电极54的电极指的根数和长度等不限定于此。
如图2A的(c)所示，构成声速膜层叠型的弹性波滤波器的1个弹性波谐振器60具有：具有压电性的基板50；IDT电极54；以及保护层55。
如图2A的(a)所示，在基板50之上形成有彼此相向的一对梳状电极60a及60b。梳状电极60a由彼此平行的多个电极指61a以及将多个电极指61a连接的汇流条电极62a构成。另外，梳状电极60b由彼此平行的多个电极指61b以及将多个电极指61b连接的汇流条电极62b构成。多个电极指61a及61b是沿着与弹性波传播方向(X轴方向)正交的方向形成的。
另外，如图2A的(b)所示，由多个电极指61a及61b以及汇流条电极62a及62b构成的IDT电极54例如为贴合层540与主电极层542的层叠构造。
贴合层540是用于提高基板50与主电极层542的贴合性的层，作为贴合层540的材料，例如使用Ti。作为主电极层542的材料，例如使用含有1％的Cu的Al。
保护层55形成为覆盖梳状电极60a及60b。保护层55是以保护主电极层542免受外部环境影响、调整频率温度特性以及提高耐湿性等为目的的层，例如是以二氧化硅为主成分的电介质膜。
此外，构成贴合层540、主电极层542以及保护层55的材料不限定于上述的材料。并且，IDT电极54也可以不是上述层叠结构。IDT电极54例如可以由Ti、Al、Cu、Pt、Au、Ag、Pd等金属或合金构成，另外，也可以由利用上述的金属或合金构成的多个层叠体构成。另外，也可以不形成保护层55。
接着，说明基板50的层叠构造。
如图2A的(c)所示，基板50具备高声速支承基板51、低声速膜52以及压电膜53，具有高声速支承基板51、低声速膜52以及压电膜53按该顺序层叠而成的构造。
压电膜53例如由θ°Y切割X传播LiTaO3压电单晶体或压电陶瓷(是沿着将以X轴为中心轴从Y轴旋转θ°的轴作为法线的面切割的钽酸锂单晶体或者陶瓷、且是声表面波沿X轴方向传播的单晶体或陶瓷)构成。此外，也可以根据各滤波器的要求规格来适当选择被用作压电膜53的压电单晶体的材料和切割角θ。
高声速支承基板51是支承低声速膜52、压电膜53以及IDT电极54的基板。高声速支承基板51还是使高声速支承基板51中的体波的声速比在压电膜53中传播的表面波和界面波等弹性波的声速高的高声速层，高声速支承基板51发挥以下功能：将声表面波封闭在压电膜53与低声速膜52相层叠的部分，避免声表面波泄漏到高声速支承基板51的下方。高声速支承基板51例如是硅基板。
低声速膜52是低声速膜52中的体波的声速比在压电膜53中传播的体波的声速低的膜，配置于压电膜53与高声速支承基板51之间。通过该构造以及弹性波在本质上能量集中于低声速的介质这样的性质，能够抑制声表面波能量泄漏到IDT电极外。低声速膜52例如是以二氧化硅为主成分的膜。
也就是说，声速膜层叠型的弹性波滤波器具有体波声速互不相同的多个层(低声速层和高声速层)层叠而成的构造。
此外，根据基板50的上述层叠构造，与使用单层的压电基板的构造相比，能够大幅提高谐振频率和反谐振频率下的Q值。即，能够构成Q值高的弹性波谐振器，因此能够使用该弹性波谐振器来构成插入损耗小的滤波器。
此外，高声速支承基板51也可以具有支承基板与高声速膜层叠而成的构造，在该高声速膜中传播的体波的声速比在压电膜53中传播的表面波和界面波等弹性波的声速高。在该情况下，作为支承基板，能够使用蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂及石英等压电体、氧化铝、氧化镁、氮化硅、氮化铝、碳化硅、氧化锆、堇青石、莫来石、滑石及镁橄榄石等的各种陶瓷、玻璃等电介质、硅及氮化镓等半导体、以及树脂基板等。另外，作为高声速膜，能够使用氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、DLC膜、金刚石、以这些材料为主成分的介质、以这些材料的混合物为主成分的介质等各种高声速材料。
此外，构成声速膜层叠型的弹性波滤波器的基板50也可以不是如上所述那样将高声速支承基板51、低声速膜52以及压电膜53按该顺序层叠而成的构造，也可以具有以下的层叠构造。
即，基板50也可以具有将支承基板、能量封闭层以及压电膜按该顺序层叠而成的构造。在压电膜上形成IDT电极54。关于压电膜，例如使用LiTaO3压电单晶体或压电陶瓷。支承基板是支承压电膜、能量封闭层以及IDT电极54的基板。
能量封闭层具有声阻抗互不相同的多个层层叠而成的构造，例如也可以将声阻抗相对低的低声阻抗层与声阻抗相对高的高声阻抗层交替层叠。
也就是说，声速膜层叠型的弹性波滤波器具有多个层(低声阻抗层和高声阻抗层)层叠而成的构造，该多个层具有声阻抗互不相同的多个层层叠而成的构造。
下面，在本说明书中，将具有体波声速互不相同的多个层层叠而成的构造或者声阻抗互不相同的多个层层叠而成的构造的滤波器记载为声速膜层叠型弹性波滤波器。
图2B是示意性地表示温度补偿LN基板型的弹性波滤波器(TC-SAW)的构造的截面图。在图2A中示出的声速膜层叠型的弹性波滤波器中，IDT电极54形成在具有压电性的基板50上。与此相对，在温度补偿LN基板型的弹性波滤波器中，如图2B所示，用于形成IDT电极54的基板也可以是由单层的压电体层形成的基板57。温度补偿LN基板型的弹性波滤波器例如具有基板57、IDT电极54以及温度补偿层58，为将基板57、IDT电极54以及温度补偿层58按该顺序层叠而成的结构。
基板57由LiNbO3压电单晶体或压电陶瓷形成。此外，也可以根据弹性波滤波器的要求带通特性等来适当地变更切割角。
IDT电极54为与图2A的(a)中示出的IDT电极54相同的结构。
温度补偿层58形成在基板57上和IDT电极54上。温度补偿层58层是以使频率温度系数(TCF：Temperature Coefficientof Frequency)的绝对值小为目的的绝缘层，例如是以二氧化硅为主成分的电介质膜。此外，温度补偿层58也可以还具有保护主电极层542免受外部环境影响和提高耐湿性等的功能。
也就是说，温度补偿LN基板型的弹性波滤波器是形成有用于调整频率温度特性的绝缘层、且利用了在由LiNbO3形成的压电基板中传播的声表面波的滤波器。
下面，在本说明书中，将形成有用于调整频率温度特性的绝缘层、且利用了在由LiNbO3形成的压电基板中传播的声表面波的滤波器记载为温度补偿LN基板型弹性波滤波器。
图2C是示意性地表示LT基板型的弹性波滤波器(LT-SAW)的构造的截面图。在LT基板型的弹性波滤波器中，如图2C所示，用于形成IDT电极54的基板也可以是由单层的压电体层形成的基板59。LT基板型的弹性波滤波器例如具有基板59和IDT电极54，为将基板59与IDT电极54层叠而成的结构。
基板59由LiTaO3压电单晶体或压电陶瓷形成。此外，也可以根据弹性波滤波器的要求带通特性等来适当地变更切割角θ。
IDT电极54为与图2A的(a)中示出的IDT电极54相同的结构。
此外，在LT基板型的弹性波滤波器中，也可以是，在基板59上和IDT电极54上形成有以保护主电极层542免受外部环境影响和提高耐湿性等为目的的保护层。上述保护层例如是以二氧化硅为主成分的电介质膜。
也就是说，LT基板型的弹性波滤波器是利用了在由LiTaO3形成的压电基板中传播的声表面波的滤波器。
下面，在本说明书中，将利用了在由LiTaO3形成的压电基板中传播的声表面波的滤波器记载为LT基板型弹性波滤波器。
图2D是示意性地表示体声波滤波器(BAW)的构造的截面图。如图2D所示，体声波滤波器例如具有支承基板65、下部电极66、压电膜67以及上部电极68，为将支承基板65、下部电极66、压电膜67以及上部电极68按该顺序层叠而成的结构。
支承基板65是用于支承下部电极66、压电膜67以及上部电极68的基板，例如是硅基板。此外，在支承基板65的与下部电极66接触的区域设置有空洞。由此，能够使压电膜67自由地振动。
作为下部电极66和上部电极68的材料，例如使用含有1％的Cu的Al。
压电膜67例如以ZnO(氧化锌)、AlN(氮化铝)、PZT(钛酸锆酸铅)、KN(铌酸钾)、LN(铌酸锂)、LT(钽酸锂)、晶体以及LiBO(硼酸锂)中的至少1个为主成分。
在体声波滤波器的上述结构中，下部电极66、压电膜67以及上部电极68构成了体声波(BAW)谐振器。BAW谐振器通过在下部电极66与上部电极68之间施加电能来在压电膜67内感应出体声波从而产生谐振。由该BAW谐振器生成的体声波在下部电极66与上部电极68之间沿与压电膜67的膜面垂直的方向传播。
也就是说，体声波滤波器是利用了体声波的滤波器。
下面，在本说明书中，将利用了体声波的滤波器记载为体声波滤波器。
图3是表示LT基板型弹性波滤波器和声速膜层叠型弹性波滤波器的带通特性的图表。在该图的(a)中示出了LT基板型弹性波滤波器的相对于温度变化的带通特性，在该图的(b)中示出了声速膜层叠型弹性波滤波器的相对于温度变化的带通特性。如该图所示，当变为高温(在图3中为+85℃)时，弹性波滤波器的带通特性向高频侧移位，当变为低温(在图3中为-35℃)时，弹性波滤波器的带通特性向低频侧移位。
在此，如图3的(a)所示，在LT基板型弹性波滤波器中，表示相对于温度变化的频移度的频率温度系数(TCF)例如为-40ppm/℃。另一方面，如图3的(b)所示，在声速膜层叠型弹性波滤波器中，频率温度系数(TCF)例如为-8ppm/℃。也就是说，声速膜层叠型弹性波滤波器的TCF的绝对值小于LT基板型弹性波滤波器的TCF的绝对值。
表1中示出各弹性波滤波器的典型的TCF。
[表1]
Figure BDA0002851592950000141
根据表1，声速膜层叠型弹性波滤波器的TCF的绝对值小于体声波滤波器、LT基板型弹性波滤波器以及温度补偿LN基板型弹性波滤波器的TCF的绝对值。
另外，体声波滤波器的TCF的绝对值小于LT基板型弹性波滤波器的TCF的绝对值。
另外，温度补偿LN基板型弹性波滤波器的TCF的绝对值小于LT基板型弹性波滤波器的TCF的绝对值。
在此，在将构成上述高频模块1的各电路元件作为小型的前端电路安装于1个模块基板的情况下，需要使模块基板表面的电路部件布局面积小。在该情况下，当将发热量大的功率放大器配置在模块基板上时，高频模块1的温度局部地发生变化。该高频模块1的温度变化导致产生以下问题：如上所述那样具有频率温度特性的弹性波滤波器的带通特性变动，高频模块1的信号传输特性劣化。
对此，在本实施方式所涉及的高频模块1中，具有抑制功率放大器的发热导致弹性波滤波器的带通特性发生变化的结构。下面，说明本实施方式所涉及的抑制弹性波滤波器的带通特性的变化的结构。
[3.实施例1所涉及的高频模块1A的电路元件配置结构]
图4A是实施例1所涉及的高频模块1A的平面结构概要图。另外，图4B是实施例1所涉及的高频模块1A的截面结构概要图，具体地说，是图4A的IVB-IVB线处的截面图。此外，图4A的(a)中示出了从z轴正方向侧观察模块基板91的彼此相向的主面91a及91b中的主面91a的情况下的电路元件的配置图。另一方面，图4A的(b)中示出了透视在从z轴正方向侧观察主面91b的情况下的电路元件的配置所得到的图。
实施例1所涉及的高频模块1A具体地示出了构成实施方式所涉及的高频模块1的各电路元件的配置结构。
如图4A和图4B所示，本实施例所涉及的高频模块1A除了具有图1中示出的电路结构以外，还具有模块基板91、树脂构件92及93以及外部连接端子150。
模块基板91具有彼此相向的主面91a(第一主面)和主面91b(第二主面)，是安装上述发送电路和上述接收电路的基板。作为模块基板91，例如使用具有多个电介质层的层叠构造的低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramics：LTCC)基板、高温共烧陶瓷(High Temperature Co-fired Ceramics：HTCC)基板、部件内置基板、具有重新布线层(Redistribution Layer：RDL)的基板、或者印刷电路板等。
树脂构件92配置于模块基板91的主面91a，覆盖上述发送电路的一部分、上述接收电路的一部分以及模块基板91的主面91a，具有确保构成上述发送电路和上述接收电路的电路元件的机械强度和耐湿性等的可靠性的功能。树脂构件93配置于模块基板91的主面91b，覆盖上述发送电路的一部分、上述接收电路的一部分以及模块基板91的主面91b，具有确保构成上述发送电路和上述接收电路的电路元件的机械强度和耐湿性等的可靠性的功能。此外，树脂构件92及93不是本实用新型所涉及的高频模块所必需的结构要素。
如图4A和图4B所示，在本实施例所涉及的高频模块1A中，功率放大器10、发送滤波器30T以及接收滤波器30R配置于模块基板91的主面91a(第一主面)。另一方面，低噪声放大器20和开关40配置于模块基板91的主面91b(第二主面)。此外，开关40也可以配置于主面91a。
发送滤波器30T是第一弹性波滤波器的一例，接收滤波器30R是第二弹性波滤波器的一例。在此，发送滤波器30T的TCF的绝对值小于接收滤波器30R的TCF的绝对值。也就是说，第一弹性波滤波器的TCF的绝对值小于第二弹性波滤波器的TCF的绝对值。
另外，如图4A的(a)所示，发送滤波器30T与功率放大器10之间的距离D30T小于接收滤波器30R与功率放大器10之间的距离D30R。
根据高频模块1A的上述结构，TCF的绝对值相对大的接收滤波器30R比TCF的绝对值相对小的发送滤波器30T更远离发热量大的功率放大器10地配置。因此，发送滤波器30T的距离D30T小，但是发送滤波器30T的TCF的绝对值相对小，因此即使经受因功率放大器10引起的大的温度变化也能够抑制带通特性的变动。另一方面，接收滤波器30R的TCF的绝对值相对大，但是接收滤波器30R的距离D30R大，因此因功率放大器10引起的温度变化小，能够抑制带通特性的变动。因此，能够抑制因温度变化引起的高频模块1A的传输特性的劣化。
此外，在本实施例中，设为发送滤波器30T的TCF的绝对值小于接收滤波器30R的TCF的绝对值。由于被功率放大器10放大后的高输出的发送信号被输入到发送滤波器30T，因此发送滤波器30T的温度容易上升，因此期望的是发送滤波器30T的TCF的绝对值小。此外，在高频模块1A为输入信号的功率水平对温度上升的影响小的结构的情况下，发送滤波器30T的TCF的绝对值也可以大于接收滤波器30R的TCF的绝对值。但是，在该情况下，发送滤波器30T与功率放大器10之间的距离D30T被设定为大于接收滤波器30R与功率放大器10之间的距离D30R。
也就是说，本实用新型所涉及的高频模块的特征在于，在第一弹性波滤波器的TCF的绝对值小于第二弹性波滤波器的TCF的绝对值的情况下，第一弹性波滤波器与功率放大器10之间的距离小于第二弹性波滤波器与功率放大器10之间的距离。
另外，在本实施例中，发送滤波器30T和接收滤波器30R均配置于主面91a(第一主面)，但是发送滤波器30T和接收滤波器30R也可以被分配到主面91a及91b。
在该情况下也同样地，只要发送滤波器30T与功率放大器10之间的距离D30T小于接收滤波器30R与功率放大器10之间的距离D30R，就能够抑制因温度变化引起的高频模块1A的传输特性的劣化。
另外，在本实施例所涉及的高频模块1A中，也可以是，发送滤波器30T(第一弹性波滤波器)是体声波滤波器，接收滤波器30R(第二弹性波滤波器)是LT基板型弹性波滤波器。
据此，发送滤波器30T(第一弹性波滤波器)的距离D30T小，但是发送滤波器30T的TCF的绝对值相对小，因此即使经受因功率放大器10引起的大的温度变化也能够抑制带通特性的变动。另一方面，接收滤波器30R(第二弹性波滤波器)的TCF的绝对值相对大，但是接收滤波器30R的距离D30R大，因此因功率放大器10引起的温度变化小，能够抑制带通特性的变动。因此，能够抑制因温度变化引起的高频模块1A的传输特性的劣化。
另外，在本实施例所涉及的高频模块1A中，也可以是，发送滤波器30T(第一弹性波滤波器)是声速膜层叠型弹性波滤波器，接收滤波器30R(第二弹性波滤波器)是体声波滤波器、LT基板型弹性波滤波器以及温度补偿LN基板型弹性波滤波器中的任一个。
据此，发送滤波器30T(第一弹性波滤波器)的距离D30T小，但是发送滤波器30T的TCF的绝对值相对小，因此即使经受因功率放大器10引起的大的温度变化也能够抑制带通特性的变动。另一方面，接收滤波器30R(第二弹性波滤波器)的TCF的绝对值相对大，但是接收滤波器30R的距离D30R大，因此因功率放大器10引起的温度变化小，能够抑制带通特性的变动。因此，能够抑制因温度变化引起的高频模块1A的传输特性的劣化。
另外，在本实施例所涉及的高频模块1A中，也可以是，发送滤波器30T(第一弹性波滤波器)是温度补偿LN基板型弹性波滤波器，接收滤波器30R(第二弹性波滤波器)是LT基板型弹性波滤波器。
据此，发送滤波器30T(第一弹性波滤波器)的距离D30T小，但是发送滤波器30T的TCF的绝对值相对小，因此即使经受因功率放大器10引起的大的温度变化也能够抑制带通特性的变动。另一方面，接收滤波器30R(第二弹性波滤波器)的TCF的绝对值相对大，但是接收滤波器30R的距离D30R大，因此因功率放大器10引起的温度变化小，能够抑制带通特性的变动。因此，能够抑制因温度变化引起的高频模块1A的传输特性的劣化。
另外，在本实施例所涉及的高频模块1A中，在模块基板91的主面91b(第二主面)侧配置有多个外部连接端子150。高频模块1A与配置于高频模块1A的z轴负方向侧的外部基板经由多个外部连接端子150来进行电信号的交换。也可以是，如图4A的(b)所示，多个外部连接端子150配置于主面91b的外缘区域。多个外部连接端子150中的几个被设定为外部基板的地电位。
根据外部连接端子150的上述配置结构，在低噪声放大器20的周围配置多个被应用为地电极的外部连接端子150，因此能够抑制外来噪声流入到接收电路。
另外，在本实施例所涉及的高频模块1A中，也可以是，多个外部连接端子150配置于主面91b，并且，发送滤波器30T(第一弹性波滤波器)配置于主面91b，并且，接收滤波器30R(第二弹性波滤波器)配置于主面91a。在该情况下，发送滤波器30T(第一弹性波滤波器)也可以是声速膜层叠型弹性波滤波器。声速膜层叠型弹性波滤波器由硅基板构成，因此能够通过从硅基板侧进行研磨来降低高度。
据此，在与外部基板相向的主面91b，配置易于降低高度的低噪声放大器20、开关40以及声速膜层叠型弹性波滤波器，因此能够使高频模块1A整体高度降低。
另外，在本实施例所涉及的高频模块1A中，功率放大器10安装于主面91a(第一主面)。
功率放大器10是高频模块1A所具有的电路部件中发热量大的部件。为了提高高频模块1A的散热性，利用具有小的热阻的散热路径将功率放大器10的发热散出到外部基板是很重要的。假如在将功率放大器10安装于主面91b的情况下，与功率放大器10连接的电极布线被配置在主面91b上。因此，作为散热路径，会包括仅经由主面91b上的(沿着xy平面方向的)平面布线图案的散热路径。上述平面布线图案由金属薄膜形成，因此热阻大。因此，在将功率放大器10配置在主面91b上的情况下，散热性会下降。
与此相对，在将功率放大器10安装于主面91a的情况下，能够借助贯通主面91a与主面91b之间的贯通电极来将功率放大器10与外部连接端子150连接。因此，作为功率放大器10的散热路径，能够排除仅经由模块基板91内的布线中的热阻大的沿着xy平面方向的平面布线图案的散热路径。因此，能够提供提高了从功率放大器10向外部基板的散热性的高频模块1A。
此外，从散热性的观点出发，期望的是，如图4A的(b)所示，在主面91b的与主面91a的配置有功率放大器10的区域相向的区域配置上述贯通电极或散热构件，因此期望的是在该区域不配置电路元件。
另外，在本实施例中，功率放大器10配置于主面91a，低噪声放大器20配置于主面91b。据此，功率放大器10与低噪声放大器20以将模块基板91夹在中间的方式配置，因此能够提高发送接收之间的隔离度。
另外，如图4A和图4B所示，低噪声放大器20和开关40也可以内置于1个半导体IC70。由此，能够降低主面91b侧的z轴方向上的高度，另外能够使主面91b的部件安装面积小。因此，能够使高频模块1A小型化。
此外，外部连接端子150既可以是如图4A及4B所示那样沿z轴方向贯通树脂构件93的柱状电极，另外也可以是如图4C所示那样形成在主面91b上的凸块电极160。如图4C所示，在外部连接端子150是凸块电极160的情况下，在主面91b上不配置树脂构件93。
另外，在本实施例所涉及的高频模块1A中，外部连接端子150也可以配置于主面91a。
此外，在本实施例所涉及的高频模块1A中，在发送滤波器30T(第一弹性波滤波器)是体声波滤波器、且接收滤波器30R(第二弹性波滤波器)是LT基板型弹性波滤波器的情况下，第一弹性波滤波器的TCF的绝对值始终小于第二弹性波滤波器的TCF的绝对值。因此，在该情况下，也可以不将第一弹性波滤波器的TCF的绝对值小于第二弹性波滤波器的TCF的绝对值作为实用新型特定事项。
另外，在本实施例所涉及的高频模块1A中，在发送滤波器30T(第一弹性波滤波器)是声速膜层叠型弹性波滤波器、且接收滤波器30R(第二弹性波滤波器)是体声波滤波器、LT基板型弹性波滤波器以及温度补偿LN基板型弹性波滤波器中的任一个的情况下，第一弹性波滤波器的TCF的绝对值始终小于第二弹性波滤波器的TCF的绝对值。因此，在该情况下，也可以不将第一弹性波滤波器的TCF的绝对值小于第二弹性波滤波器的TCF的绝对值作为实用新型特定事项。
[4.实施例2所涉及的高频模块1C的电路元件配置结构]
图5A是实施例2所涉及的高频模块1C的平面结构概要图。另外，图5B是实施例2所涉及的高频模块1C的截面结构概要图，具体地说，是图5A的VB-VB线处的截面图。此外，图5A的(a)中示出了从z轴正方向侧观察模块基板91的彼此相向的主面91a及91b中的主面91a的情况下的电路元件的配置图。另外，在图5A的(a)中，以虚线示出了配置在主面91b上的功率放大器10。另一方面，图5A的(b)中示出了透视在从z轴正方向侧观察主面91b的情况下的电路元件的配置所得到的图。
实施例2所涉及的高频模块1C具体地示出了构成实施方式所涉及的高频模块1的各电路元件的配置结构。
本实施例所涉及的高频模块1C与实施例1所涉及的高频模块1A相比，功率放大器10和开关40的配置结构不同。下面，关于本实施例所涉及的高频模块1C，省略其与实施例1所涉及的高频模块1A相同的方面的说明，以不同的方面为中心来进行说明。
模块基板91具有彼此相向的主面91a(第二主面)和主面91b(第一主面)，是安装上述发送电路和上述接收电路的基板。作为模块基板91，例如使用具有多个电介质层的层叠构造的LTCC基板、HTCC基板、部件内置基板、具有RDL的基板、或者印刷电路板等。
如图5A和图5B所示，在本实施例所涉及的高频模块1C中，发送滤波器30T、接收滤波器30R以及开关40配置于模块基板91的主面91a(第二主面)。另一方面，功率放大器10和低噪声放大器20配置于模块基板91的主面91b(第一主面)。此外，开关40也可以配置于主面91b。
发送滤波器30T是第一弹性波滤波器的一例，接收滤波器30R是第二弹性波滤波器的一例。在此，发送滤波器30T的TCF的绝对值小于接收滤波器30R的TCF的绝对值。也就是说，第一弹性波滤波器的TCF的绝对值小于第二弹性波滤波器的TCF的绝对值。
另外，如图5B所示，发送滤波器30T与功率放大器10之间的距离D30T小于接收滤波器30R与功率放大器10之间的距离D30R。
根据高频模块1C的上述结构，TCF的绝对值相对大的接收滤波器30R比TCF的绝对值相对小的发送滤波器30T更远离发热量大的功率放大器10地配置。因此，发送滤波器30T的距离D30T小，但是发送滤波器30T的TCF的绝对值相对小，因此即使经受因功率放大器10引起的大的温度变化也能够抑制带通特性的变动。另一方面，接收滤波器30R的TCF的绝对值相对大，但是接收滤波器30R的距离D30R大，因此因功率放大器10引起的温度变化小，能够抑制带通特性的变动。因此，能够抑制因温度变化引起的高频模块1C的传输特性的劣化。
另外，在本实施例中，发送滤波器30T和接收滤波器30R均配置于主面91a(第二主面)，但是发送滤波器30T和接收滤波器30R也可以被分配到主面91a及91b。
在该情况下也同样地，只要发送滤波器30T与功率放大器10之间的距离D30T小于接收滤波器30R与功率放大器10之间的距离D30R，就能够抑制因温度变化引起的高频模块1C的传输特性的劣化。
另外，在本实施例所涉及的高频模块1C中，也可以是，发送滤波器30T(第一弹性波滤波器)是体声波滤波器，接收滤波器30R(第二弹性波滤波器)是LT基板型弹性波滤波器。
另外，在本实施例所涉及的高频模块1C中，也可以是，发送滤波器30T(第一弹性波滤波器)是声速膜层叠型弹性波滤波器，接收滤波器30R(第二弹性波滤波器)是体声波滤波器、LT基板型弹性波滤波器以及温度补偿LN基板型弹性波滤波器中的任一个。
另外，在本实施例所涉及的高频模块1C中，也可以是，发送滤波器30T(第一弹性波滤波器)是温度补偿LN基板型弹性波滤波器，接收滤波器30R(第二弹性波滤波器)是LT基板型弹性波滤波器。
根据这些第一弹性波滤波器与第二弹性波滤波器的组合，发送滤波器30T(第一弹性波滤波器)的距离D30T小，但是发送滤波器30T的TCF的绝对值相对小，因此即使经受因功率放大器10引起的大的温度变化也能够抑制带通特性的变动。另一方面，接收滤波器30R(第二弹性波滤波器)的TCF的绝对值相对大，但是接收滤波器30R的距离D30R大，因此因功率放大器10引起的温度变化小，能够抑制带通特性的变动。因此，能够抑制因温度变化引起的高频模块1C的传输特性的劣化。
另外，在本实施例所涉及的高频模块1C中，在模块基板91的主面91b(第一主面)侧配置有多个外部连接端子150。也可以是，如图5A的(b)所示，多个外部连接端子150配置于主面91b的外缘区域。多个外部连接端子150中的几个被设定为外部基板的地电位。
根据外部连接端子150的上述配置结构，在低噪声放大器20的周围配置多个被应用为地电极的外部连接端子150，因此能够抑制外来噪声流入到接收电路。
另外，在本实施例所涉及的高频模块1C中，外部连接端子150也可以配置于主面91a。
[5.实施例3所涉及的高频模块1D的电路元件配置结构]
图6A是实施例3所涉及的高频模块1D的平面结构概要图。另外，图6B是实施例3所涉及的高频模块1D的截面结构概要图，具体地说，是图6A的VIB-VIB线处的截面图。此外，图6A的(a)中示出了从z轴正方向侧观察模块基板91的彼此相向的主面91a及91b中的主面91a的情况下的电路元件的配置图。另一方面，图6A的(b)中示出了透视在从z轴正方向侧观察主面91b的情况下的电路元件的配置所得到的图。
实施例3所涉及的高频模块1D具体地示出了构成实施方式所涉及的高频模块1的各电路元件的配置结构。
本实施例所涉及的高频模块1D与实施例1所涉及的高频模块1A相比，接收滤波器30R和开关40的配置结构不同。下面，关于本实施例所涉及的高频模块1D，省略其与实施例1所涉及的高频模块1A相同的方面的说明，以不同的方面为中心来进行说明。
模块基板91具有彼此相向的主面91a(第一主面)和主面91b(第二主面)，是安装上述发送电路和上述接收电路的基板。作为模块基板91，例如使用具有多个电介质层的层叠构造的LTCC基板、HTCC基板、部件内置基板、具有RDL的基板、或者印刷电路板等。
如图6A和图6B所示，在本实施例所涉及的高频模块1D中，功率放大器10、发送滤波器30T以及开关40配置于模块基板91的主面91a(第一主面)。另一方面，低噪声放大器20和接收滤波器30R配置于模块基板91的主面91b(第二主面)。此外，开关40也可以配置于主面91b。
发送滤波器30T是第一弹性波滤波器的一例，接收滤波器30R是第二弹性波滤波器的一例。在此，发送滤波器30T的TCF的绝对值小于接收滤波器30R的TCF的绝对值。也就是说，第一弹性波滤波器的TCF的绝对值小于第二弹性波滤波器的TCF的绝对值。
另外，如图6B所示，发送滤波器30T与功率放大器10之间的距离D30T小于接收滤波器30R与功率放大器10之间的距离D30R。
根据高频模块1D的上述结构，TCF的绝对值相对大的接收滤波器30R比TCF的绝对值相对小的发送滤波器30T更远离发热量大的功率放大器10地配置。因此，发送滤波器30T的距离D30T小，但是发送滤波器30T的TCF的绝对值相对小，因此即使经受因功率放大器10引起的大的温度变化也能够抑制带通特性的变动。另一方面，接收滤波器30R的TCF的绝对值相对大，但是接收滤波器30R的距离D30R大，因此因功率放大器10引起的温度变化小，能够抑制带通特性的变动。因此，能够抑制因温度变化引起的高频模块1D的传输特性的劣化。
另外，在本实施例所涉及的高频模块1D中，也可以是，发送滤波器30T(第一弹性波滤波器)是体声波滤波器，接收滤波器30R(第二弹性波滤波器)是LT基板型弹性波滤波器。
另外，在本实施例所涉及的高频模块1D中，也可以是，发送滤波器30T(第一弹性波滤波器)是声速膜层叠型弹性波滤波器，接收滤波器30R(第二弹性波滤波器)是体声波滤波器、LT基板型弹性波滤波器以及温度补偿LN基板型弹性波滤波器中的任一个。
另外，在本实施例所涉及的高频模块1D中，也可以是，发送滤波器30T(第一弹性波滤波器)是温度补偿LN基板型弹性波滤波器，接收滤波器30R(第二弹性波滤波器)是LT基板型弹性波滤波器。
根据这些第一弹性波滤波器与第二弹性波滤波器的组合，发送滤波器30T(第一弹性波滤波器)的距离D30T小，但是发送滤波器30T的TCF的绝对值相对小，因此即使经受因功率放大器10引起的大的温度变化也能够抑制带通特性的变动。另一方面，接收滤波器30R(第二弹性波滤波器)的TCF的绝对值相对大，但是接收滤波器30R的距离D30R大，因此因功率放大器10引起的温度变化小，能够抑制带通特性的变动。因此，能够抑制因温度变化引起的高频模块1D的传输特性的劣化。
另外，在本实施例所涉及的高频模块1D中，在模块基板91的主面91b(第二主面)侧配置有多个外部连接端子150。也可以是，如图6A的(b)所示，多个外部连接端子150配置于主面91b的外缘区域。多个外部连接端子150中的几个被设定为外部基板的地电位。
根据外部连接端子150的上述配置结构，在低噪声放大器20的周围配置多个被应用为地电极的外部连接端子150，因此能够抑制外来噪声流入到接收电路。
另外，在本实施例所涉及的高频模块1D中，功率放大器10安装于主面91a(第一主面)。
据此，能够借助贯通主面91a与主面91b之间的贯通电极来将功率放大器10与外部连接端子150连接。因此，作为功率放大器10的散热路径，能够排除仅经由模块基板91内的布线中的热阻大的沿着xy平面方向的平面布线图案的散热路径。因此，能够提供提高了从功率放大器10向外部基板的散热性的高频模块1D。
另外，在本实施例中，功率放大器10配置于主面91a，低噪声放大器20配置于主面91b。据此，功率放大器10与低噪声放大器20以将模块基板91夹在中间的方式配置，因此能够提高发送接收之间的隔离度。
另外，在本实施例所涉及的高频模块1D中，外部连接端子150也可以配置于主面91a。
[6.效果等]
以上，实施例1所涉及的高频模块1A具备：模块基板91，其具有彼此相向的主面91a及91b；功率放大器10，其配置于主面91a；低噪声放大器20，其配置于主面91b；发送滤波器30T(第一弹性波滤波器)，其配置于主面91a或91b；以及接收滤波器30R(第二弹性波滤波器)，其配置于主面91a或91b，其中，发送滤波器30T的TCF的绝对值小于接收滤波器30R的TCF的绝对值，发送滤波器30T与功率放大器10之间的距离D30T小于接收滤波器30R与功率放大器10之间的距离D30R。
据此，TCF的绝对值相对大的接收滤波器30R(第二弹性波滤波器)比TCF的绝对值相对小的发送滤波器30T(第一弹性波滤波器)更远离发热量大的功率放大器10地配置。因此，发送滤波器30T的距离D30T小，但是发送滤波器30T的TCF的绝对值相对小，因此即使经受因功率放大器10引起的大的温度变化也能够抑制带通特性的变动。另一方面，接收滤波器30R的TCF的绝对值相对大，但是接收滤波器30R的距离D30R大，因此因功率放大器10引起的温度变化小，能够抑制带通特性的变动。因此，能够抑制因温度变化引起的高频模块1A的传输特性的劣化。
另外，也可以是，高频模块1A还具备外部连接端子150，外部连接端子150配置于主面91b。
由此，能够在低噪声放大器20的周围配置多个被应用为地电极的外部连接端子150，因此能够抑制外来噪声流入到接收电路。
另外，也可以是，发送滤波器30T(第一弹性波滤波器)配置于主面91a，接收滤波器30R(第二弹性波滤波器)配置于主面91a。
另外，也可以是，发送滤波器30T(第一弹性波滤波器)配置于主面91a及91b中的一方，接收滤波器30R(第二弹性波滤波器)配置于主面91a及91b中的另一方。
另外，也可以是，发送滤波器30T(第一弹性波滤波器)配置于主面91b，接收滤波器30R(第二弹性波滤波器)配置于主面91a，发送滤波器30T(第一弹性波滤波器)是声速膜层叠型弹性波滤波器。
据此，在与外部基板相向的主面91b，配置易于降低高度的低噪声放大器20和声速膜层叠型弹性波滤波器，因此能够使高频模块1A整体高度降低。
另外，实施例2所涉及的高频模块1C具备：模块基板91，其具有彼此相向的主面91a及91b；功率放大器10，其配置于主面91b；低噪声放大器20，其配置于主面91b；发送滤波器30T(第一弹性波滤波器)，其配置于主面91a；以及接收滤波器30R(第二弹性波滤波器)，其配置于主面91a，其中，发送滤波器30T的TCF的绝对值小于接收滤波器30R的TCF的绝对值，发送滤波器30T与功率放大器10之间的距离D30T小于接收滤波器30R与功率放大器10之间的距离D30R。
据此，TCF的绝对值相对大的接收滤波器30R(第二弹性波滤波器)比TCF的绝对值相对小的发送滤波器30T(第一弹性波滤波器)更远离发热量大的功率放大器10地配置。因此，发送滤波器30T的距离D30T小，但是发送滤波器30T的TCF的绝对值相对小，因此即使经受因功率放大器10引起的大的温度变化也能够抑制带通特性的变动。另一方面，接收滤波器30R的TCF的绝对值相对大，但是接收滤波器30R的距离D30R大，因此因功率放大器10引起的温度变化小，能够抑制带通特性的变动。因此，能够抑制因温度变化引起的高频模块1C的传输特性的劣化。
另外，也可以是，高频模块1C还具备外部连接端子150，外部连接端子150配置于主面91b。
由此，能够在低噪声放大器20的周围配置多个被应用为地电极的外部连接端子150，因此能够抑制外来噪声流入到接收电路。
另外，也可以是，本实施方式所涉及的高频模块1还具备天线连接端子100，发送滤波器30T(第一弹性波滤波器)是配置在将功率放大器10与天线连接端子100连结的发送路径AT上的、使被功率放大器10放大后的发送信号通过的发送用滤波器，接收滤波器30R(第二弹性波滤波器)是配置在将天线连接端子100与低噪声放大器20连结的接收路径AR上的、使接收信号通过的接收用滤波器。
由于被功率放大器10放大后的高输出的发送信号被输入到发送滤波器30T，因此发送滤波器30T的温度容易上升，因此期望的是发送滤波器30T的TCF的绝对值小。因此，能够更进一步抑制因温度变化引起的高频模块1的传输特性的劣化。
另外，在高频模块1中，也可以是，发送滤波器30T(第一弹性波滤波器)是体声波滤波器，接收滤波器30R(第二弹性波滤波器)是LT基板型弹性波滤波器。
另外，在高频模块1中，也可以是，发送滤波器30T(第一弹性波滤波器)是声速膜层叠型弹性波滤波器，接收滤波器30R(第二弹性波滤波器)是体声波滤波器、LT基板型弹性波滤波器以及温度补偿LN基板型弹性波滤波器中的任一个。
另外，在高频模块1中，也可以是，发送滤波器30T(第一弹性波滤波器)是温度补偿LN基板型弹性波滤波器，接收滤波器30R(第二弹性波滤波器)是LT基板型弹性波滤波器。
据此，发送滤波器30T(第一弹性波滤波器)的距离D30T小，但是发送滤波器30T的TCF的绝对值相对小，因此即使经受因功率放大器10引起的大的温度变化也能够抑制带通特性的变动。另一方面，接收滤波器30R(第二弹性波滤波器)的TCF的绝对值相对大，但是接收滤波器30R的距离D30R大，因此因功率放大器10引起的温度变化小，能够抑制带通特性的变动。因此，能够抑制因温度变化引起的高频模块1的传输特性的劣化。
另外，实施例1所涉及的高频模块1A具备：模块基板91，其具有彼此相向的主面91a及91b；功率放大器10，其配置于主面91a；低噪声放大器20，其配置于主面91b；发送滤波器30T(第一弹性波滤波器)，其配置于主面91a或91b；以及接收滤波器30R(第二弹性波滤波器)，其配置于主面91a或91b，其中，发送滤波器30T是体声波滤波器，接收滤波器30R是LT基板型弹性波滤波器，发送滤波器30T与功率放大器10之间的距离D30T小于接收滤波器30R与功率放大器10之间的距离D30R。
据此，TCF的绝对值相对大的LT基板型弹性波滤波器比TCF的绝对值相对小的体声波滤波器更远离发热量大的功率放大器10地配置。因此，能够抑制因温度变化引起的高频模块1A的传输特性的劣化。
另外，实施例1所涉及的高频模块1A具备：模块基板91，其具有彼此相向的主面91a及91b；功率放大器10，其配置于主面91a；低噪声放大器20，其配置于主面91b；发送滤波器30T(第一弹性波滤波器)，其配置于主面91a或91b；接收滤波器30R(第二弹性波滤波器)，其配置于主面91a或91b，其中，发送滤波器30T是声速膜层叠型弹性波滤波器，接收滤波器30R是体声波滤波器、LT基板型弹性波滤波器以及温度补偿LN基板型弹性波滤波器中的任一个，发送滤波器30T与功率放大器10之间的距离D30T小于接收滤波器30R与功率放大器10之间的距离D30R。
据此，TCF的绝对值相对大的体声波滤波器、LT基板型弹性波滤波器、或者温度补偿LN基板型弹性波滤波器比TCF的绝对值相对小的声速膜层叠型弹性波滤波器更远离发热量大的功率放大器10地配置。因此，能够抑制因温度变化引起的高频模块1A的传输特性的劣化。
另外，通信装置5具备对利用天线2发送接收的高频信号进行处理的RFIC3以及在天线2与RFIC 3之间传输高频信号的高频模块1。
由此，能够提供使因温度变化引起的信号传输特性的劣化得以抑制的通信装置5。
(其它实施方式等)
以上，关于本实用新型的实施方式所涉及的高频模块和通信装置，列举实施方式、实施例以及变形例来进行了说明，但是本实用新型所涉及的高频模块和通信装置不限定于上述实施方式、实施例以及变形例。将上述实施方式、实施例以及变形例中的任意的结构要素进行组合来实现的其它实施方式、对上述实施方式、实施例以及变形例实施本领域技术人员在不脱离本实用新型的宗旨的范围内想到的各种变形来得到的变形例、内置有上述高频模块和通信装置的各种设备也包含在本实用新型中。
例如，在上述实施方式、实施例以及变形例所涉及的高频模块和通信装置中，也可以在附图中公开的对各电路元件以及信号路径进行连接的路径之间插入其它的电路元件和布线等。
产业上的可利用性
本实用新型作为配置于支持多频段的前端部的高频模块，能够广泛利用于便携式电话等通信设备。

Claims (15)

1.一种高频模块，其特征在于，具备：
模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；
功率放大器，其配置于所述第一主面；
低噪声放大器，其配置于所述第二主面；
第一弹性波滤波器，其配置于所述第一主面或所述第二主面；以及
第二弹性波滤波器，其配置于所述第一主面或所述第二主面，
其中，所述第一弹性波滤波器的频率温度系数的绝对值小于所述第二弹性波滤波器的频率温度系数的绝对值，
所述第一弹性波滤波器与所述功率放大器之间的距离小于所述第二弹性波滤波器与所述功率放大器之间的距离。
2.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，
还具备外部连接端子，
所述外部连接端子配置于所述第二主面。
3.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，
所述第一弹性波滤波器配置于所述第一主面，
所述第二弹性波滤波器配置于所述第一主面。
4.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，
所述第一弹性波滤波器配置于所述第一主面和所述第二主面中的一方，
所述第二弹性波滤波器配置于所述第一主面和所述第二主面中的另一方。
5.根据权利要求4所述的高频模块，其特征在于，
所述第一弹性波滤波器配置于所述第二主面，
所述第二弹性波滤波器配置于所述第一主面，
所述第一弹性波滤波器是具有体波声速互不相同的多个层或者声阻抗互不相同的多个层层叠而成的构造的声速膜层叠型的弹性波滤波器。
6.一种高频模块，其特征在于，具备：
模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；
功率放大器，其配置于所述第一主面；
低噪声放大器，其配置于所述第一主面；
第一弹性波滤波器，其配置于所述第二主面；以及
第二弹性波滤波器，其配置于所述第二主面，
其中，所述第一弹性波滤波器的频率温度系数的绝对值小于所述第二弹性波滤波器的频率温度系数的绝对值，
所述第一弹性波滤波器与所述功率放大器之间的距离小于所述第二弹性波滤波器与所述功率放大器之间的距离。
7.根据权利要求6所述的高频模块，其特征在于，
还具备外部连接端子，
所述外部连接端子配置于所述第一主面。
8.根据权利要求1或6所述的高频模块，其特征在于，
还具备天线连接端子，
所述第一弹性波滤波器是配置在将所述功率放大器与所述天线连接端子连结的发送路径上的、使被所述功率放大器放大后的发送信号通过的发送用滤波器，
所述第二弹性波滤波器是配置在将所述天线连接端子与所述低噪声放大器连结的接收路径上的、使接收信号通过的接收用滤波器。
9.根据权利要求1或6所述的高频模块，其特征在于，
所述第一弹性波滤波器是利用了体声波的滤波器，
所述第二弹性波滤波器是利用了在由LiTaO3形成的压电基板中传播的声表面波的滤波器。
10.根据权利要求1或6所述的高频模块，其特征在于，
所述第一弹性波滤波器是具有体波声速互不相同的多个层或者声阻抗互不相同的多个层层叠而成的构造的声速膜层叠型的弹性波滤波器，
所述第二弹性波滤波器是以下滤波器中的任一个：利用了体声波的滤波器；利用了在由LiTaO3形成的压电基板中传播的声表面波的滤波器；以及形成有用于调整频率温度特性的绝缘层、且利用了在由LiNbO3形成的压电基板中传播的声表面波的滤波器。
11.根据权利要求1或6所述的高频模块，其特征在于，
所述第一弹性波滤波器是形成有用于调整频率温度特性的绝缘层、且利用了在由LiNbO3形成的压电基板中传播的声表面波的滤波器，
所述第二弹性波滤波器是利用了在由LiTaO3形成的压电基板中传播的声表面波的滤波器。
12.一种高频模块，其特征在于，具备：
模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；
功率放大器，其配置于所述第一主面；
低噪声放大器，其配置于所述第二主面；
第一弹性波滤波器，其配置于所述第一主面或所述第二主面；以及
第二弹性波滤波器，其配置于所述第一主面或所述第二主面，
其中，所述第一弹性波滤波器是利用了体声波的滤波器，
所述第二弹性波滤波器是利用了在由LiTaO3形成的压电基板中传播的声表面波的滤波器，
所述第一弹性波滤波器与所述功率放大器之间的距离小于所述第二弹性波滤波器与所述功率放大器之间的距离。
13.一种高频模块，其特征在于，具备：
模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；
功率放大器，其配置于所述第一主面；
低噪声放大器，其配置于所述第二主面；
第一弹性波滤波器，其配置于所述第一主面或所述第二主面；以及
第二弹性波滤波器，其配置于所述第一主面或所述第二主面，
其中，所述第一弹性波滤波器是具有体波声速互不相同的多个层或者声阻抗互不相同的多个层层叠而成的构造的声速膜层叠型的弹性波滤波器，
所述第二弹性波滤波器是以下滤波器中的任一个：利用了体声波的滤波器；利用了在由LiTaO3形成的压电基板中传播的声表面波的滤波器；以及形成有用于调整频率温度特性的绝缘层、且利用了在由LiNbO3形成的压电基板中传播的声表面波的滤波器，
所述第一弹性波滤波器与所述功率放大器之间的距离小于所述第二弹性波滤波器与所述功率放大器之间的距离。
14.根据权利要求12或13所述的高频模块，其特征在于，
还具备外部连接端子，
所述外部连接端子配置于所述第二主面。
15.一种通信装置，其特征在于，具备：
射频信号处理电路，其对利用天线发送接收的高频信号进行处理；以及
根据权利要求1～14中的任一项所述的高频模块，其在所述天线与所述射频信号处理电路之间传输所述高频信号。
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