JP2001060846A - 弾性表面波素子およびその製造方法ならびにそれを用いた弾性表面波デバイス - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 素子分離後の取り扱いが容易で欠陥の少ない
弾性表面波素子およびその製造方法、ならびにそれを用
いた弾性表面波デバイスを提供する。 【解決手段】 圧電性材料からなる第１の基板１０１と
第１の基板１０１とは異なる材料からなる第２の基板１
０２とが積層された積層基板１０３と、第１の基板１０
１上に形成された櫛形電極１０４とを備える。積層基板
１０３の第１の基板１０１側の周縁部には、段差部１０
６が形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、積層基板を備える
弾性表面波素子およびその製造方法、ならびにそれを用
いた弾性表面波デバイスに関する。

【０００２】

【従来の技術】移動体通信機器の発展にともない、機器
を構成するキーデバイスの１つである弾性表面波素子の
高性能化が求められている。近年の移動体通信システム
にみられるように送信帯域と受信帯域が近接している場
合には、使用温度範囲において急峻なカットオフ特性を
実現することが困難となっている。これは、従来の弾性
表面波素子に用いられる圧電基板の特性に依存するもの
である。すなわち、従来の圧電基板は、システムの要求
帯域幅を実現するに十分な結合係数を有しているもの
の、一般に周波数温度係数が大きいためである。この問
題に対応するため、既存の圧電基板とその圧電基板とは
熱膨張係数の異なる補助基板とを張り合わせることによ
って、結合係数が大きくかつ温度安定性に優れた特性を
有する弾性表面波素子が得られることが報告されている
（Ｐｒｏｃ． １９９７ ＩＥＥＥＵｌｔｒａｓｏｎｉ
ｃｓ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ、ｐｐ．２２７−２３０）。

【０００３】以下に、従来の弾性表面波素子について説
明する。従来の弾性表面波素子の一例について、図１３
（ａ）に斜視図を、図１３（ｂ）に図１３（ａ）の線Ｚ
−Ｚにおける断面図を示す。図１３を参照して、従来の
弾性表面波素子は、第１の基板４０１と、第２の基板４
０２と、電極４０３ａおよび４０３ｂからなる櫛形電極
４０３と、反射器４０４とを備える。ここで、第１の基
板４０１には、たとえば３６°ＹカットＸ伝搬のタンタ
ル酸リチウム単結晶が用いられ、第２の基板４０２に
は、たとえば第１の基板４０１の弾性表面波伝搬方向に
おける熱膨張係数よりも小さい熱膨張係数を有するガラ
ス基板が用いられる。第１の基板４０１の厚さは、第２
の基板４０２よりも十分に薄く、かつ弾性表面波の波長
に比べて十分厚い。たとえば、第１の基板４０１を４０
ミクロン程度にし、第２の基板４０２を３１０ミクロン
程度にする。第１の基板４０１と第２の基板４０２と
は、接着剤等を介さずに実質的に直接接合されている。
このような構造を備えることで、既存の圧電基板の特性
を維持したまま、その周波数温度係数を制御することが
可能となっていた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の弾性表面波素子の場合には、厚さ数十ミクロンの圧
電単結晶とガラス基板とを積層した積層構造を有するた
め、弾性表面波素子の取り扱いが困難であるという課題
を有していた。たとえば、上記弾性表面波素子をパッケ
ージに実装する際、特に、弾性表面波素子をピックアッ
プする際に、圧電単結晶層にクラックや割れが発生する
場合があった。また、ウエハから個々の弾性表面波素子
に分割する際に、ガラス基板に対応した切断ブレードで
切断すると、その材料特性の違いにより切断時に圧電単
結晶部に割れや欠けが発生するという課題を有してい
た。

【０００５】本発明は、上記従来の課題を解決するもの
であり、取り扱いが容易で欠陥の少ない弾性表面波素子
およびそれを用いた弾性表面波デバイスを提供すること
を目的とする。また、素子分離工程において欠陥が発生
することを防止することによって、信頼性よく低コスト
で弾性表面波素子を製造できる弾性表面波素子の製造方
法を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の弾性表面波素子は、圧電性材料からなる第
１の基板が前記第１の基板とは異なる材料からなる第２
の基板上に積層された積層基板を備える弾性表面波素子
であって、前記第１の基板の一主面上に形成された少な
くとも１対の櫛形電極を備え、前記積層基板の前記第１
の基板側の周縁部には、段差部または切り欠き部が形成
されていることを特徴とする。上記本発明の弾性表面波
素子によれば、取り扱いが容易で欠陥の少ない弾性表面
波素子が得られる。

【０００７】上記弾性表面波素子では、前記第１の基板
が圧電単結晶からなることが好ましい。上記構成によっ
て、伝搬損失の小さい弾性表面波素子が得られる。

【０００８】上記弾性表面波素子では、前記第２の基板
がガラスからなることが好ましい。上記構成によって、
接合強度の高い積層基板を得ることができ、第１の基板
表面に熱応力を効果的に印加することができるため、温
度安定性に優れた弾性表面波素子が得られる。

【０００９】上記弾性表面波素子では、前記第１の基板
が、前記第２の基板上に直接積層されてもよい。

【００１０】上記弾性表面波素子では、前記第１の基板
が、前記第２の基板上に接着剤によって積層されてもよ
い。上記構成によって、基板種の選択の自由度が増すと
ともに、製造が特に容易な弾性表面波素子が得られる。

【００１１】上記弾性表面波素子では、前記段差部また
は前記切り欠き部が、前記第１の基板のみに形成されて
いてもよい。

【００１２】上記弾性表面波素子では、前記段差部また
は前記切り欠き部が、前記第１の基板から前記第２の基
板にわたって形成されていてもよい。

【００１３】また、本発明の弾性表面波素子の製造方法
は、弾性表面波素子の製造方法であって、（ａ）一主面
に一対の櫛形電極が形成され圧電性材料からなる第１の
基板が、前記第１の基板とは異なる材料からなる第２の
基板上に積層された積層基板を形成する工程と、（ｂ）
前記積層基板のうち前記櫛形電極の周囲の部分に溝を形
成する工程と、（ｃ）前記積層基板のうち前記溝の略中
央部を前記溝よりも細い幅で研削して前記積層基板を切
断する工程とを含むことを特徴とする。上記製造方法に
よれば、信頼性よく低コストに、本発明の弾性表面波素
子を製造できる。

【００１４】上記製造方法では、前記（ｂ）の工程にお
いて前記溝が前記積層基板を研削することによって形成
され、前記（ｂ）の工程の研削が前記（ｃ）の工程の研
削よりも遅い速度で行われることが好ましい。上記構成
によって、圧電性材料からなる第１の基板に欠陥が生じ
ることを抑制するとともに、生産性よく弾性表面波素子
を製造できる。

【００１５】上記製造方法では、前記溝が断面略Ｖ字状
の溝であってもよい。上記構成によれば、第１の基板側
の周縁部に切り欠き部を形成できる。

【００１６】また、本発明の弾性表面波デバイスは、基
板と、前記基板に実装された弾性表面波素子とを備える
弾性表面波デバイスであって、前記弾性表面波素子が上
記本発明の弾性表面波素子であることを特徴とする。

【００１７】上記弾性表面波デバイスでは、前記弾性表
面波素子が、前記基板にフェイスダウン方式で実装され
ていることが好ましい。上記構成によれば、特性劣化の
ない弾性表面波デバイスが得られる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら詳細に説明する。

【００１９】（実施形態１）実施形態１では、本発明の
弾性表面波素子について、一例を説明する。

【００２０】実施形態１の弾性表面波素子１００につい
て斜視図を図１（ａ）に示し、図１（ａ）の線Ｘ−Ｘに
おける断面図を図１（ｂ）に示す。

【００２１】図１を参照して、弾性表面波素子１００
は、第１の基板１０１および第２の基板１０２を含む積
層基板１０３と、櫛形電極１０４と、反射器１０５とを
備える。そして、積層基板１０３の第１の基板１０１側
の周縁部（側面）には、段差部１０６が形成されてい
る。

【００２２】第１の基板１０１は、圧電性材料からなる
基板であり、たとえば圧電単結晶を用いることができ
る。圧電単結晶としては、たとえば、タンタル酸リチウ
ム、ニオブ酸リチウム、水晶、またはランガサイトなど
を用いることができる。具体的には、たとえば、３６°
ＹカットＸ伝搬のタンタル酸リチウムを用いることがで
きる。第１の基板１０１の厚さは、素子によって異なる
が、たとえば、５μｍ〜１００μｍとすることができ
る。第１の基板１０１は、第２の基板１０２上に直接積
層されている。すなわち、第１の基板１０１は、接着剤
などを介さずに、第２の基板１０２上に直接接合されて
いる。

【００２３】第２の基板１０２は、第１の基板１０１と
は異なる材料からなり、第１の基板１０１とは異なる熱
膨張係数を有する。第２の基板１０２には、たとえば、
第１の基板１０１の弾性表面波伝搬方向における熱膨張
係数よりも小さい熱膨張係数を有するガラス、シリコ
ン、または石英などを用いることができる。第２の基板
１０２の厚さは、素子によって異なるが、たとえば、２
００μｍ〜４００μｍとすることができる。

【００２４】櫛形電極１０４は、対向する一対の櫛形電
極１０４ａおよび１０４ｂからなる。櫛形電極１０４
は、第１の基板１０１の表面１０１ｓ上に形成される。
表面１０１ｓは、第１の基板１０１の主面の１つであ
る。櫛形電極１０４は、たとえば、アルミニウム合金か
らなる。なお、櫛形電極１０４は、複数形成されていて
もよい。

【００２５】反射器１０５は、櫛形電極１０４で励振さ
れた弾性表面波を閉じこめるために形成される。なお、
櫛形電極１０４および反射器１０５には、必要に応じて
様々な形状のものを用いることができる。

【００２６】段差部１０６は、積層基板１０３のうち櫛
形電極１０４が形成されている部分の側面に形成され
る。すなわち、段差部１０６は、積層基板１０３のう
ち、第１の基板１０１側の周縁部に形成される。これに
よって、第１の基板１０１の表面側（第２の基板１０２
に接している面と反対側）の形状が、第２の基板１０２
の底面側（第１の基板１０１に接している面と反対側）
の形状よりも実質的に小さくなる。

【００２７】図１には、段差部１０６の高さが第１の基
板１０１の厚さに等しい場合を示しているが、段差部１
０６の高さは、第１の基板１０１の厚さよりも大きくて
も小さくてもよい。段差部１０６の高さが第１の基板１
０１の厚さよりも大きい場合の素子断面図を図２に、段
差部１０６の高さが第１の基板１０１の厚さよりも小さ
い場合の素子断面図を図３に示す。図２の弾性表面波素
子１００ａでは、段差部１０６が第１の基板１０１から
第２の基板１０２にわたって形成されており、図３の弾
性表面波素子１００ｂでは、段差部１０６が第１の基板
１０１のみに形成されている。

【００２８】上記実施形態１の弾性表面波素子１００で
は、積層基板１０３のうち第１の基板１０１側の周縁部
に段差部１０６が形成されている。このため、弾性表面
波素子１００を取り扱う場合に、圧電性材料からなる基
板１０１に触れることなくピンセットや真空チャック等
でピックアップすることができ、第１の基板１０１に欠
陥が生じることを抑制できる。したがって、実施形態１
の弾性表面波素子１００によれば、第１の基板１０１に
触れることなく素子を取り扱うことができ、取り扱いが
容易で欠陥が少ない弾性表面波素子が得られる。

【００２９】なお、上記実施形態１では、櫛形電極１０
４が第１の基板１０１の表面１０１ｓに形成された場合
を示したが（図１参照）、櫛形電極１０４は、第１の基
板１０１の主面のうち第２の基板１０２側の一主面に形
成されてもよい（以下の実施形態において同様であ
る）。第１の基板１０１の主面のうち第２の基板１０２
側の一主面（第１の基板１０１と第２の基板１０２との
界面）上に櫛形電極１０４が形成された場合の弾性表面
波素子１００ｃを図４に示す。これは、いわゆる境界波
素子といわれるものであるが、この場合でも、上記実施
形態１の弾性表面波素子１００と同様の効果が得られ
る。

【００３０】また、上記実施形態１では、第１の基板１
０１と第２の基板１０２とが、接着剤を介さずに直接積
層されている場合を示したが、第１の基板１０１と第２
の基板１０２とが、接着剤を介して積層される場合でも
よい（以下の実施形態において同様である）。この場合
の弾性表面波素子の断面図を図５（ａ）、（ｂ）および
（ｃ）に示す。図５（ａ）、（ｂ）および（ｃ）の弾性
表面波素子は、それぞれ、図１、図２および図３の弾性
表面波素子に対応している。図５を参照して、第１の基
板１０１は、接着剤１０７を介して第２の基板１０２上
に積層（接合）されている。接着剤１０７には、たとえ
ば、紫外線硬化型接着剤または常温硬化型接着剤などを
用いることができる。図５に示す弾性表面波素子でも、
上記実施形態１の弾性表面波素子１００と同様の効果が
得られる。

【００３１】（実施形態２）実施形態２では、本発明の
弾性表面波素子について、他の一例を説明する。なお、
実施形態１で説明した部分については、重複する説明を
省略する。

【００３２】実施形態２の弾性表面波素子２００につい
て斜視図を図６（ａ）に示し、図６（ａ）の線Ｙ−Ｙに
おける断面図を図６（ｂ）に示す。

【００３３】図６を参照して、弾性表面波素子２００
は、第１の基板１０１および第２の基板１０２を含む積
層基板１０３と、第１の基板１０１の表面１０１ｓ上に
形成された櫛形電極１０４と、反射器１０５とを備え
る。そして、積層基板１０３の第１の基板１０１側の周
縁部には、切り欠き部２０１が形成されている。

【００３４】切り欠き部２０１は、積層基板１０３のう
ち櫛形電極１０４が形成されている部分の側面に形成さ
れる。すなわち、切り欠き部２０１は、積層基板１０３
のうち、第１の基板１０１側の周縁部に形成される。こ
れによって、第１の基板１０１の表面側（第２の基板１
０２に接している面と反対側）の形状が、第２の基板１
０２の底面側（第１の基板１０１に接している面と反対
側）の形状よりも実質的に小さくなる。

【００３５】図６には、切り欠き部２０１の高さが第１
の基板１０１の厚さに等しい場合を示しているが、切り
欠き部２０１の高さは、第１の基板１０１の厚さよりも
大きくても小さくてもよい。切り欠き部２０１の高さが
第１の基板１０１の厚さよりも大きい場合の素子断面図
を図７に、切り欠き部２０１の高さが第１の基板１０１
の厚さよりも小さい場合の素子断面図を図８に示す。図
７の弾性表面波素子２００ａでは、切り欠き部２０１が
第１の基板１０１から第２の基板１０２にわたって形成
されており、図８の弾性表面波素子２００ｂでは、切り
欠き部２０１が第１の基板１０１のみに形成されてい
る。

【００３６】上記実施形態２の弾性表面波素子２００で
は、積層基板１０３のうち第１の基板１０１側の周縁部
に切り欠き部２０１が形成されている。したがって、実
施形態２の弾性表面波素子２００によれば、圧電性材料
からなる第１の基板１０１に触れることなく素子を取り
扱うことができ、取り扱いが容易で欠陥が少ない弾性表
面波素子が得られる。

【００３７】なお、上記実施形態２では、櫛形電極１０
４が第１の基板１０１の表面１０１ｓに形成された場合
を示したが、櫛形電極１０４は、第１の基板の主面のう
ち第２の基板１０２側の一主面に形成されてもよい。こ
の場合でも、上記実施形態２の弾性表面波素子２００と
同様の効果が得られる。

【００３８】また、上記実施形態２では、第１の基板１
０１が、接着剤を介さずに第２の基板１０２上に直接積
層（接合）されている場合を示した。しかし、第１の基
板１０１は、接着剤を介して第２の基板１０２上に積層
（接合）されてもよい。この場合でも、上記実施形態２
の弾性表面波素子２００と同様の効果が得られる。

【００３９】（実施形態３）実施形態３では、実施形態
１で説明した弾性表面波素子１００を製造する方法の一
例について説明する。なお、実施形態１で説明した部分
については、重複する説明を省略する。

【００４０】図９を参照して、実施形態３の製造方法で
は、まず、図９（ａ）に示すように、第１の基板１０１
となる第１の基板１０１ａ（厚さが、たとえば０．２ｍ
ｍ）を、第２の基板１０２となる第２の基板１０２ａ
（厚さが、たとえば１ｍｍ）上に直接積層（接合）す
る。本実施の形態では、出発材料として、たとえば厚さ
０．２ｍｍの第１の基板１０１ａと、厚さ１ｍｍの第２
の基板１０２ａとを用いて接合を行うことができるが、
これは、基板洗浄工程でのハンドリングや、それぞれの
基板の平行度、平坦度の確保等を考慮して設定すればよ
く、特に厚さに関しては制限はない。

【００４１】第１の基板１０１ａを、第２の基板１０２
ａ上に直接積層する方法について、一例を以下に説明す
る。まず、表面を平坦化し清浄化した第１の基板１０１
ａおよび第２の基板１０２ａを準備し、それぞれの基板
表面を、たとえばアンモニア系水溶液を用いて親水化処
理する。次に、それぞれの基板を純水でリンスし、乾燥
させる。乾燥させるにはスピン乾燥機等を利用すること
が好ましい。この工程により、それぞれの基板表面は水
酸基（−ＯＨ）で終端されており親水性を有する。

【００４２】次に、親水化された第１の基板１０１ａの
一主面と第２の基板１０２ａの一主面とを向かい合わ
せ、重ね合わせる。これにより、第１の基板１０１ａお
よび第２の基板１０２ａは、主に水素結合を介して接合
される（初期接合）。この段階では、接合強度が不十分
であるため、初期接合された基板を熱処理し接合強度を
高める。これにより、前記初期接合は主に分子間力によ
るものに変化し、強固な接合体を得ることができる。な
お、基板同士を重ね合わせる際、あらかじめ乾燥させた
基板を用いなくともよく、両基板を乾燥させずに、水を
介したまま重ね合わせ、熱処理を行ってもよい。

【００４３】その後、図９（ｂ）に示すように、第１の
基板１０１ａと第２の基板１０２ａとを適当な厚さにな
るまで薄くする。第１の基板１０１および第２の基板１
０２は、素子の目的に応じて所定の厚さ（たとえば、第
１の基板１０１の厚さが０．０３ｍｍ、第２の基板１０
２の厚さが０．３２ｍｍ）にする必要がある。そこで、
直接接合された第１の基板１０１ａおよび第２の基板１
０２ａを、上記設定厚さにまで機械研削および研磨によ
り薄板化を行う。なお、直接接合により積層化された第
１の基板１０１ａおよび第２の基板１０２ａは、従来の
機械研削や研磨工程に対しても、十分な接合強度を有し
ており、薄板化工程において両基板の剥離等が生じるこ
とはない。

【００４４】薄板化については、具体的には、以下のよ
うに行うことができる。第１の基板１０１ａの表面側
は、弾性表面波が伝搬するため、ある程度まで、たとえ
ば０．１ｍｍ程度まで機械的研削により薄板化を行った
後、通常のメカノケミカル研磨により鏡面仕上げを行
い、最終的に所定の厚さ（たとえば、０．０３ｍｍ）に
なるようにすればよい。また、第２の基板１０２ａは、
機械的研削のみにより所定の厚さまで薄板化を行えばよ
い。

【００４５】なお、図９（ａ）および（ｂ）では、初期
接合された基板を熱処理した後、薄板化処理を行う場合
について説明したが、基板の組み合わせや最終基板厚さ
に応じて、熱処理と薄板化を複数回繰り返しながら、熱
処理温度を段階的に高めていってもよい。これによっ
て、高い接合強度有する積層基板を得ることができる。

【００４６】以上の工程により、圧電単結晶等の圧電性
材料からなる第１の基板１０１ａと、低熱膨張係数を有
するガラスなどからなる第２の基板１０２ａとの積層基
板を得ることができる。

【００４７】その後、図９（ｃ）に示すように、櫛形電
極１０４および反射器１０５を、第１の基板１０１ａの
表面１０１ｓに形成する。櫛形電極１０４および反射器
１０５は、従来のフォトリソグラフィ技術を用いて形成
できる。このようにして、第１の基板１０１ａおよび第
２の基板１０２ａが積層された積層基板と、櫛形電極１
０４とが形成される。通常、この工程まではウエハ単位
で行われ、以下の工程によって素子分離が行われる。以
上のように、実施形態３の製造方法は、表面１０１ｓに
一対の櫛形電極１０４が形成され圧電性材料からなる第
１の基板１０１ａが、第１の基板１０１ａとは異なる材
料からなる第２の基板１０２ａ上に積層された積層基板
を形成する工程を含む。

【００４８】その後、図９（ｄ）および（ｅ）に示すよ
うに、２つの工程によってウエハの切断（素子の分離）
を行う。以下に、素子の分離工程を説明する。

【００４９】まず、図９（ｄ）に示すように、第１の基
板１０１ａおよび第２の基板１０２ａからなる積層基板
をウエハ固定用のベースフィルム１０８に固定した後、
積層基板のうち第１の基板１０１ａ側であって櫛形電極
１０４の周囲の部分に溝１０９を形成する。溝１０９
は、基板１０１ａを研削することによって形成できる。
第１の基板１０１ａは、溝１０９によって切断され、第
１の基板１０１となる。第１の基板１０１ａを研削する
ことによって除去する部分は、素子の分離部分に対応す
る部分である。このとき、第１の基板１０１ａの研削
（切断）には、たとえば、厚さ０．２ｍｍ、砥粒の粒子
径が８．５±０．７μｍ（累積高さ５０％点での粒子
径：ＪＩＳ Ｒ ６００１、ＩＳＯ８４８６−１、ＩＳ
Ｏ８４８６−２）の切断ブレードを用いることができ
る。なお、溝１０９の深さを第１の基板１０１ａの厚さ
よりも大きくすることによって図２に示した弾性表面波
素子を製造することができる。また、溝１０９の深さを
第１の基板１０１ａの厚さよりも小さくすることによっ
て図３に示した弾性表面波素子を製造することができ
る。

【００５０】なお、第１の基板１０１ａの除去は、エッ
チングによって行ってもよい。この場合には、通常のフ
ォトリソ工程およびエッチング工程によって、第１の基
板１０１ａの一部を除去すればよい。

【００５１】その後、図９（ｅ）に示すように、第１の
基板１０１ａおよび第２の基板１０２ａからなる積層基
板のうち、上記図９（ｄ）の工程で形成した溝１０９の
略中央部を溝１０９よりも細い幅で研削して切断するこ
とによって素子ごとに分離する。このとき、たとえば、
図９（ｄ）の研削工程で用いた切断ブレードよりも薄い
切断ブレード、たとえば厚さ０．０８ｍｍの切断ブレー
ドを用いて、形成される溝１１０（第２の切断溝）の中
心が溝１０９の中心と略一致するようにして切断すれば
よい。切断された第２の基板１０２ａは、第２の基板１
０２となる。また、溝１０９を形成する際に除去された
部分は、段差部１０６となる。

【００５２】その後、ベースフィルム１０８から各素子
を分離することによって、第１の基板１０１の周囲に段
差部１０６が形成された弾性表面波素子１００が得られ
る。

【００５３】なお、第１の基板１０１ａを研削して切断
する上記工程では、第１の基板１０１ａを構成する圧電
単結晶の機械的性質に合わせて、砥粒粒径の細かい切断
ブレードで切断することにより、チッピングや基板割れ
等の欠陥を抑えることができる。一方、第２の基板１０
２ａは比較的柔らかい材質であるガラスなどからなる。
したがって、第２の基板１０２ａを第１の基板１０１ａ
と同様の切断ブレードで切断した場合には、切断ブレー
ドの摩耗が激しく、また目詰まりを起こしてブレードが
破損する場合がある。そこで、第２の基板１０２ａを切
断する工程では、砥粒粒径の粗い、たとえば砥粒の粒子
径が２４．０±１．５μｍ程度（累積高さ５０％点の粒
子径）の切断ブレードで切断することが好ましい。すな
わち、第１の基板１０１ａの切断に用いる切断ブレード
よりも砥粒粒径が粗い切断ブレードを用いて第２の基板
１０２ａを切断することによって、切断ブレードを長寿
命化することができ、生産性よく低コストに弾性表面波
素子を製造できる。

【００５４】なお、図９（ｄ）および（ｅ）の各工程で
使用する切断ブレードの幅や、材料、砥粒粒径に特に制
限はなく、段差部１０６が形成できれば、それぞれの基
板を構成する材料に適した切断ブレードを選択すればよ
い。

【００５５】また、第１の基板１０１ａを切断するとき
の切断速度（研削速度）は、弾性表面波素子の欠陥の発
生を抑えるため低速である方が好ましく、たとえば、２
ｍｍ／ｓｅｃ．で実施することができる。同様に、第２
の基板１０２ａを切断するときの切断速度（研削速度）
は、切断速度が遅いほど良好な切断面を得ることができ
るが、生産性の観点から、第１の基板１０１ａの切断速
度よりも速いことが好ましい。第２の基板１０２ａは、
たとえば、４ｍｍ／ｓｅｃ．の切断速度で切断すればよ
い。実施形態３の製造方法では、図９（ｄ）の切断工程
によって第１の基板１０１ａに幅が広い溝１０９が形成
されるため、図９（ｅ）の切断工程の切断速度を前記速
度よりも速くしても、第１の基板１０１にチッピングや
ウエハ欠けなどの悪影響を与えることはない。すなわ
ち、第２の基板１０２ａを切断中にチッピングが生じて
も、第１の基板１０１と第２の基板１０２ａとの接合境
界を越えて第１の基板１０１に欠けを生じることはな
い。このように、第１の基板１０１ａの研削を、第２の
基板１０２ａの研削よりも遅い速度で行うことによっ
て、欠陥が少ない弾性表面波素子が得られる。また、第
２の基板１０２ａの研削を、第１の基板１０１ａの研削
よりも速い速度で行うことによって、生産性よく低コス
トに弾性表面波素子を製造できる。

【００５６】上記実施形態３の製造方法によれば、実施
形態１で説明した弾性表面波素子１００を容易に製造で
きる。また、実施形態３の製造方法によれば、製造過程
で圧電性材料からなる基板に欠けやチッピングが生じる
ことがないため、信頼性および歩留まりよく、低コスト
に弾性表面波素子を製造できる。

【００５７】なお、図９では、図１に示した弾性表面波
素子１００を製造する場合について説明したが、図４に
示した弾性表面波素子を製造する場合には、第１の基板
１０１ａまたは第２の基板１０２ａ上に櫛形電極１０４
および反射器１０５を形成してから、第１の基板１０１
ａと第２の基板１０２ａとを積層すればよい（以下の実
施形態において同様である）。このとき、まず第１の基
板１０１ａまたは第２の基板１０２ａに凹部を形成し、
この凹部に櫛形電極１０４および反射器１０５を形成し
てもよい。

【００５８】また、図９では、図１に示した弾性表面波
素子１００を製造する場合について示したが、図５に示
した弾性表面波素子を製造する場合には、第１の基板１
０１ａと第２の基板１０２ａとを接着剤によって接着す
ればよい（以下の実施形態において同様である）。

【００５９】（実施形態４）実施形態４では、実施形態
２で説明した弾性表面波素子２００を製造する方法につ
いて、一例を説明する。なお、上記実施形態で説明した
部分については、重複する説明を省略する。

【００６０】図１０を参照して、実施形態４の製造方法
では、まず、図１０（ａ）に示すように、第１の基板１
０１となる第１の基板１０１ａと、第２の基板１０２と
なる第２の基板１０２ａとを接合する。

【００６１】その後、図１０（ｂ）に示すように、第１
の基板１０１ａと第２の基板１０２ａとを適当な厚さに
薄板化する。

【００６２】その後、図１０（ｃ）に示すように、櫛形
電極１０４および反射器１０５を、第１の基板１０１ａ
の表面側の一主面に形成する。図１０（ａ）〜（ｃ）の
工程は、実施形態３で説明した工程と同様である。

【００６３】その後、図１０（ｄ）および（ｅ）に示す
ように、２つの工程によってウエハの切断（素子の分
離）を行う。以下に、素子の分離工程を説明する。

【００６４】まず、図１０（ｄ）に示すように、第１の
基板１０１ａおよび第２の基板１０２ａからなる積層基
板をウエハ固定用のベースフィルム１０８に固定した
後、積層基板のうち第１の基板１０１ａ側であって櫛形
電極１０４の周囲の部分を研削することによって除去
し、断面略Ｖ字状の溝２０２を形成する。第１の基板１
０１ａは、溝２０２によって切断され、第１の基板１０
１となる。第１の基板１０１ａを研削によって除去する
部分は、素子の分離部分に対応する部分である。このと
きの工程は、切断ブレードとしてＶ字型の切断ブレード
を用いる点以外は上記実施形態３で説明した図９（ｄ）
の工程と同様である。

【００６５】その後、図１０（ｅ）に示すように、第１
の基板１０１ａおよび第２の基板１０２ａからなる積層
基板のうち、上記図１０（ｄ）の工程で形成した溝２０
２の略中央部を溝２０２よりも細い幅で研削して切断す
ることによって素子ごとに分離する。このときの切断工
程は、たとえば、図１０（ｄ）の研削工程で用いた切断
ブレードよりも薄い切断ブレードを用いて、形成される
溝２０３（第２の切断溝）の中心が、溝２０２の中心と
略一致するようにして行うことができる。切断された第
２の基板１０２ａは、第２の基板１０２となる。なお、
溝２０２の形状と溝２０３の幅とを変更することによっ
て、図７または図８に示した弾性表面波素子を製造する
ことができる。

【００６６】以上の工程によって、第１の基板１０１の
周囲に切り欠き部２０１が形成された弾性表面波素子２
００が得られる。

【００６７】上記実施形態４の製造方法によれば、実施
形態２で説明した弾性表面波素子２００を容易に製造で
きる。また、実施形態４の製造方法によれば、製造過程
で圧電性材料からなる基板に欠けやチッピングが生じる
ことがないため、信頼性および歩留まりよく、低コスト
に弾性表面波素子を製造できる。

【００６８】（実施形態５）実施形態５では、本発明の
弾性表面波デバイスについて、２つの例を説明する。実
施形態５の弾性表面波デバイスについて、一例の断面図
を図１１に、他の一例の断面図を図１２に示す。

【００６９】図１１の弾性表面波デバイス３００は、回
路基板３０１（ハッチングは省略する）と、接着剤３０
２によって回路基板３０１に固定された弾性表面波素子
３０３とを備える。なお、弾性表面波素子３０３は、パ
ッケージに固定されてもよい。弾性表面波素子の周囲の
気密を確保するため、弾性表面波素子３０３の上方は、
接着剤３０４とリッド３０５とによって封止されてい
る。なお、リッド３０５をはんだによって溶接してもよ
い。回路基板３０１と弾性表面波素子３０３とは、金属
ワイヤ３０６によって、電気的に接続されている。ま
た、弾性表面波デバイス３００は、必要に応じて他の電
子部品を備える。

【００７０】回路基板３０１には、アルミナや低温焼成
セラミクスからなる多層基板などを用いることができ
る。リッド３０５には、金属またはセラミクスからなる
リッドを用いることができる。金属ワイヤ３０６には、
アルミニウムや金からなるワイヤを用いることができ
る。

【００７１】弾性表面波素子３０３は、実施形態１また
は２で説明した本発明の弾性表面波素子である。図１１
に示すように、弾性表面波素子３０３は、回路基板３０
１にフェイスアップ方式で実装されている。

【００７２】なお、弾性表面波素子３０３は、フェイス
ダウン方式で実装されてもよい。このような弾性表面波
デバイス３００ａについて、図１２に示す。弾性表面波
デバイス３００ａでは、弾性表面波素子３０３が導電性
バンプ３０７によって、回路基板３０１上の電気配線
（図示せず）に電気的に接続されている。そして、弾性
表面波素子３０３は、封止樹脂３０８によって封止され
ている。なお、振動空間を確保するため、弾性表面波素
子３０３と回路基板３０１との間には空隙が設けられて
いる。

【００７３】フェイスダウン方式で実装する方法につい
て以下に一例を説明する。まず、弾性表面波素子３０３
上に導電性バンプ３０７を形成する。その後、弾性表面
波素子３０３の機能部と回路基板３０１とを対向させ、
電気的に接続させる。電気的に接続させる方法として
は、超音波を印加する方法、導電性接着剤を用いる方
法、はんだを用いる方法などを用いることができる。そ
の後、たとえば、エポキシ系の封止樹脂３０８を塗布し
て硬化させることによって、弾性表面波素子３０３の機
能部の周囲を気密状態にする。なお、弾性表面波素子３
０３の機能部の周囲を気密状態にするために、金属やセ
ラミクスからなる蓋を配置してもよい。

【００７４】上記本発明の弾性表面波デバイスは、本発
明の弾性表面波素子を用いている。したがって、本発明
によれば、歩留まりよく容易に製造でき、信頼性が高い
弾性表面波デバイスが得られる。特に、弾性表面波デバ
イス３００ａでは、弾性表面波素子３０３を封止樹脂３
０８によって封止する際に、段差部がダムの役割を果た
し、封止樹脂３０８が機能部（振動領域）に侵入するこ
とを防止できる。これによって、封止樹脂３０８の粘度
が変化した場合でも振動空間を確実に確保することがで
き、特性劣化のない弾性表面波デバイスが得られる。

【００７５】上記本発明の弾性表面波デバイスは、携帯
電話などの移動体通信機器において弾性表面波フィルタ
として用いることができる。弾性表面波フィルタは、所
望の周波数の信号だけを通過させる機能を有し、無線回
路のキーデバイスとなっている。一般的な弾性表面波デ
バイスは、誘電体フィルタなどに比べて選択性に優れた
デバイスである。しかしながら、近年の急速な移動体通
信の進展によってより高い選択性が求められており、従
来の弾性表面波デバイスでは特性の温度依存性が大きい
という問題があった。これに対し、本発明の弾性表面波
デバイスは、積層基板を用いた弾性表面波素子３０３を
備えるため、温度特性が良好で、周波数の選択性が高
い。

【００７６】また、上記本発明の弾性表面波デバイス
は、自動車のキーレスエントリー用の発振子などにも使
用できる。

【００７７】

【実施例】（実施例１）実施例１では、図１に示した弾
性表面波素子を製造した一例について説明する。

【００７８】実施例１の弾性表面波素子では、第１の基
板１０１に３６°ＹカットＸ伝搬のタンタル酸リチウム
（厚さ０．０３ｍｍ）を用いた。また、第２の基板１０
２として、第１の基板１０１の弾性表面波伝搬方向の熱
膨張係数よりも小さい熱膨張係数を有するガラス（厚さ
０．３２ｍｍ）を用いた。また、第１の基板１０１およ
び第２の基板１０２は、接着剤等を介さずに実質的に直
接接合した。

【００７９】以下に、上記実施例１の弾性表面波素子に
ついて、実施形態３で説明した製造方法で製造した一例
を説明する。

【００８０】まず、あらかじめ、平坦化、清浄化された
第１の基板１０１ａ（厚さ０．２ｍｍ）および第２の基
板１０２ａ（厚さ１ｍｍ）を準備し、それぞれの基板表
面を、アンモニア系水溶液を用いて親水化処理した。次
に、それぞれの基板を純水でリンスし、乾燥させた。乾
燥にはスピン乾燥機等を利用した。この工程により、そ
れぞれの基板表面は水酸基（−ＯＨ）で終端され親水性
を有するようになった。

【００８１】次に、親水化された第１の基板１０１ａお
よび第２の基板１０２ａの一方主面同士を向かい合わ
せ、重ね合わせた。これによって、第１の基板１０１ａ
と第２の基板１０２ａとは、主に水素結合を介して接合
された。その後、２００℃で１２０分間熱処理すること
によって接合強度を高めた。

【００８２】次に、第１の基板１０１ａおよび第２の基
板１０２ａを所定の厚さ（０．０３ｍｍと０．３２ｍ
ｍ）に薄板化した。薄板化は、機械研削および研磨によ
って行った。

【００８３】具体的には、第１の基板１０１ａの表面側
は、基板表面を弾性表面波が伝搬するため、ある程度ま
で、たとえば０．１ｍｍ程度まで機械的研削により薄板
化を行った後、通常のメカノケミカル研磨により鏡面仕
上げを行い、最終的に厚さが０．０３ｍｍとなるように
した。また、第２の基板１０２ａは、機械的研削のみに
より所定の厚さまで薄板化を行った。

【００８４】以上の工程により、圧電単結晶からなる第
１の基板１０１ａと、低熱膨張係数を有するガラスから
なる第２の基板１０２ａとの積層基板を得ることができ
た。

【００８５】次に、櫛形電極１０４および反射器１０５
を、従来のフォトリソグラフィ技術を用いて、第１の基
板１０１ａの表面に形成した。

【００８６】次に、ウエハの切断（素子の分離）を行っ
た。まず、上記積層基板をベースフィルム１０８に固定
した。

【００８７】次に、第１の切断工程で、第１の基板１０
１ａの厚さと同等の深さの溝１０９を形成した。本実施
例では、厚さ０．２ｍｍ、砥粒の粒子径が８．５±０．
７μｍ（累積高さ５０％点での粒子径）の切断ブレード
を用いて、溝１０９の形成（第１の基板１０１ａの切
断）を行った。

【００８８】次に、第２の切断工程で、前記第１の切断
工程よりも薄い切断ブレードである厚さ０．０８ｍｍの
切断ブレードを用いて、溝１１０を形成した。このと
き、形成される溝１１０（第２の切断溝）の中心が溝１
０９の中心と略一致するようにして、素子分離を行っ
た。

【００８９】このようにして、基板１０１の周囲におよ
そ０．０５ｍｍの幅を有する段差部１０６を備えた弾性
表面波素子を得ることができた。

【００９０】なお、前記第１の切断工程では、第１の基
板を構成する圧電単結晶の機械的性質に合わせて、砥粒
粒径の細かい切断ブレードで切断することにより、チッ
ピングや基板割れ等の欠陥を抑えることができる。一
方、比較的柔らかい材質であるガラスからなる第２の基
板を、第１の基板と同様の切断ブレードで切断した場合
には、切断ブレードの摩耗が激しく、また目詰まりを起
こしブレードが破損する場合がある。そこで、前記第２
の切断工程では、砥粒の粒子径が粗い、たとえば粒子径
が２４．０±１．５μｍ程度の切断ブレードで切断する
ことが好ましい。

【００９１】また、第１の切断工程の切断速度は、弾性
表面波素子の欠陥を抑えるため、低速である方が好まし
い。実施例１では、２ｍｍ／ｓｅｃ．で実施した。同様
に、第２の基板の切断においても、切断速度が遅いほど
良好な切断面を得ることができるが、実施例１では生産
性の観点から、４ｍｍ／ｓｅｃ．で行った。実施例１で
は、第１の切断工程によって溝１０９が形成されている
ために、第２の切断工程の切断速度を前記速度よりも速
くしても、第１の基板１０１にチッピングやウエハ欠け
など悪影響を与えることはない。すなわち、第２の基板
１０２ａを切断中にチッピングが生じても、第１の基板
１０１と第２の基板１０２との接合境界を越えて第１の
基板１０１に欠けを生じることはない。

【００９２】（実施例２）実施例２では、図２で説明し
た弾性表面波素子を製造した一例について説明する。

【００９３】実施例２の弾性表面波素子では、第１の基
板１０１に６４°ＹカットＸ伝搬のニオブ酸リチウム
（厚さ０．０２ｍｍ）を用いた。また、第２の基板１０
２として、第１の基板１０１の弾性表面波伝搬方向の熱
膨張係数よりも小さい熱膨張係数を有するガラス（厚さ
０．３３ｍｍ）を用いた。また、第１の基板１０１およ
び第２の基板１０２は、接着剤等を介さずに実質的に直
接接合した。

【００９４】以下に、実施例２の弾性表面波素子につい
て、実施形態３で説明した製造方法で製造した一例を説
明する。

【００９５】まず、第１の基板１０１ａ（厚さ０．２ｍ
ｍ）と第２の基板１０２ａ（厚さ１ｍｍ）とを接合し
た。このときの工程は実施例１で説明した方法と同様に
行った。以上の工程により、圧電単結晶からなる第１の
基板１０１ａと、低熱膨張係数を有するガラスからなる
第２の基板１０２ａとの積層基板を得ることができた。

【００９６】次に、第１の基板１０１ａおよび第２の基
板１０２ａを、それぞれ所定の厚さ（０．０２ｍｍと
０．３３ｍｍ）に薄板化した。薄板化は、機械研削およ
び研磨によって行った。

【００９７】具体的には、第１の基板１０１ａの表面側
は、基板表面を弾性表面波が伝搬するため、ある程度ま
で、たとえば０．１ｍｍ程度まで機械的研削により薄板
化を行った後、通常のメカノケミカル研磨により鏡面仕
上げを行い、最終的に厚さが０．０２ｍｍとなるように
した。また、第２の基板１０２ａは、機械的研削のみに
より所定の厚さまで薄板化を行った。

【００９８】次に、櫛形電極１０４および反射器１０５
を、従来のフォトリソグラフィ技術を用いて、第１の基
板１０１ａ表面に形成した。この工程まではウエハ単位
で行った。

【００９９】次に、ウエハの切断（素子の分離）を実施
例１と同様に、第１および第２の切断工程によって行っ
た。ただし、実施例２では、第１の切断工程で形成する
溝１０９を、第１の基板１０１ａと第２の基板１０２ａ
との接合界面から、さらに約０．０３ｍｍ深く形成し
た。実施例２では、厚さが０．２ｍｍで、砥粒の粒子径
が８．５±０．７μｍ（累積高さ５０％点での粒子径）
の切断ブレードを用いて、第１の切断工程を行った。

【０１００】次に、第２の切断工程で、前記第１の切断
工程よりも薄い切断ブレード、たとえば厚さ０．０８ｍ
ｍの切断ブレードを用いて、溝１１０を形成した。この
とき、形成される溝１１０（第２の切断溝）の中心が溝
１０９の中心と略一致するようにして、素子分離を行っ
た。

【０１０１】このようにして、第１の基板１０１の周囲
におよそ０．０５ｍｍの幅を有する段差部１０６を備え
た弾性表面波素子を得ることができた。

【０１０２】（実施例３）実施例３では、図３で説明し
た弾性表面波素子を製造した一例について説明する。

【０１０３】実施例３の弾性表面波素子では、第１の基
板１０１に４１°ＹカットＸ伝搬のニオブ酸リチウム
（厚さ０．１０ｍｍ）を用いた。また、第２の基板１０
２として、第１の基板１０１の弾性表面波伝搬方向の熱
膨張係数よりも小さい熱膨張係数を有するガラス（厚さ
０．２５ｍｍ）を用いた。また、第１の基板１０１およ
び第２の基板１０２は、接着剤等を介さずに実質的に直
接接合した。

【０１０４】以下に、実施例３の弾性表面波素子につい
て、実施形態３で説明した製造方法で製造した一例を説
明する。

【０１０５】まず、第１の基板１０１ａ（厚さ０．２ｍ
ｍ）と第２の基板１０２ａ（厚さ１ｍｍ）とを接合し
た。このときの工程は実施例１で説明した方法と同様に
行った。以上の工程により、圧電単結晶からなる第１の
基板１０１ａと、低熱膨張係数を有するガラスからなる
第２の基板１０２ａとの積層基板を得ることができた。

【０１０６】次に、第１の基板１０１ａおよび第２の基
板１０２ａを所定の厚さ（０．１０ｍｍと０．２５ｍ
ｍ）に薄板化した。薄板化は、機械研削および研磨によ
って行った。

【０１０７】具体的には、第１の基板１０１ａの表面側
は、基板表面を弾性表面波が伝搬するため、通常のメカ
ノケミカル研磨により鏡面仕上げを行い、最終的に厚さ
が０．１０ｍｍとなるようにした。また、第２の基板１
０２ａは、機械的研削のみにより所定の厚さまで薄板化
を行った。

【０１０８】次に、櫛形電極１０４を、従来のフォトリ
ソグラフィ技術を用いて、第１の基板１０１ａ表面に形
成した。この工程まではウエハ単位で行った。

【０１０９】次に、ウエハの切断（素子の分離）を実施
例１と同様に、第１および第２の切断工程によって行っ
た。ただし、実施例３では、第１の切断工程で形成する
溝１０９を、第１の基板１０１ａの表面から約０．０５
ｍｍの深さ（第１の基板１０１ａと第２の基板１０２ａ
の界面に到達しない深さ）になるように形成した。実施
例３では、厚さが０．２ｍｍで、砥粒の粒子径が８．５
±０．７μｍ（累積高さ５０％点での粒子径）の切断ブ
レードを用いて、第１の切断工程を行った。

【０１１０】次に、第２の切断工程で、前記第１の切断
工程よりも薄い切断ブレード、たとえば厚さ０．０８ｍ
ｍの切断ブレードを用いて、形成される溝１１０（第２
の切断溝）の中心が溝１０９の中心と略一致するように
して、溝１１０を形成し、素子分離を行った。

【０１１１】このようにして、第１の基板１０１の周囲
におよそ０．０５ｍｍの幅を有する段差部１０６を備え
た弾性表面波素子を得ることができた。

【０１１２】以上、本発明の実施の形態について例を挙
げて説明したが、本発明は、上記実施形態に限定され
ず、本発明の技術的思想に基づき、他の実施形態へ適用
することができる。

【０１１３】たとえば、上記実施形態では、反射器を備
える弾性表面波素子を示したが、反射器がない弾性表面
波素子でもよい。

【０１１４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の弾性表面
波素子では、圧電性材料からなる第１の基板側の周縁部
に段差部または切り欠き部が形成されている。したがっ
て、本発明の弾性表面波素子によれば、取り扱いが容易
で欠陥の少ない弾性表面波素子が得られる。

【０１１５】また、本発明の弾性表面波素子の製造方法
によれば、信頼性よく低コストに、取り扱いが容易な本
発明の弾性表面波素子を製造することができる。

【０１１６】また、本発明の弾性表面波デバイスは、本
発明の弾性表面波素子を用いているため、製造が容易で
信頼性が高い。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の弾性表面波素子について一例を示す
図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図である。

【図２】 本発明の弾性表面波素子について、他の一例
を示す断面図である。

【図３】 本発明の弾性表面波素子について、その他の
一例を示す断面図である。

【図４】 本発明の弾性表面波素子について、その他の
一例を示す断面図である。

【図５】 本発明の弾性表面波素子について、その他の
例を示す断面図である。

【図６】 本発明の弾性表面波素子についてその他の一
例を示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図で
ある。

【図７】 本発明の弾性表面波素子について、その他の
一例を示す断面図である。

【図８】 本発明の弾性表面波素子について、その他の
一例を示す断面図である。

【図９】 本発明の弾性表面波素子の製造方法につい
て、一例を示す工程図である。

【図１０】 本発明の弾性表面波素子の製造方法につい
て、他の一例を示す工程図である。

【図１１】 本発明の弾性表面波デバイスについて、一
例を示す断面図である。

【図１２】 本発明の弾性表面波デバイスについて、他
の一例を示す断面図である。

【図１３】 従来の弾性表面波素子について一例を示す
図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図である。

【符号の説明】

１００、２００、３０３ 弾性表面波素子 １０１、１０１ａ 第１の基板 １０１ｓ 表面 １０２、１０２ａ 第２の基板 １０３ 積層基板 １０４、１０４ａ、１０４ｂ 櫛形電極 １０５ 反射器 １０６ 段差部 １０９、１１０、２０２、２０３ 溝 ２０１ 切り欠き部 ３００ 弾性表面波デバイス ３０１ 基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 冨田 佳宏 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5J097 AA24 AA34 EE01 EE08 FF01 HA03 KK09

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 圧電性材料からなる第１の基板が前記第
   １の基板とは異なる材料からなる第２の基板上に積層さ
   れた積層基板を備える弾性表面波素子であって、 前記第１の基板の一主面上に形成された少なくとも１対
   の櫛形電極を備え、 前記積層基板の前記第１の基板側の周縁部には、段差部
   または切り欠き部が形成されていることを特徴とする弾
   性表面波素子。
2. 【請求項２】 前記第１の基板が圧電単結晶からなる請
   求項１に記載の弾性表面波素子。
3. 【請求項３】 前記第２の基板がガラスからなる請求項
   １に記載の弾性表面波素子。
4. 【請求項４】 前記第１の基板が、前記第２の基板上に
   直接積層されている請求項１ないし３のいずれかに記載
   の弾性表面波素子。
5. 【請求項５】 前記第１の基板が、前記第２の基板上に
   接着剤によって積層されている請求項１ないし３のいず
   れかに記載の弾性表面波素子。
6. 【請求項６】 前記段差部または前記切り欠き部が、前
   記第１の基板のみに形成されている請求項１ないし５の
   いずれかに記載の弾性表面波素子。
7. 【請求項７】 前記段差部または前記切り欠き部が、前
   記第１の基板から前記第２の基板にわたって形成されて
   いる請求項１ないし５のいずれかに記載の弾性表面波素
   子。
8. 【請求項８】 弾性表面波素子の製造方法であって、 （ａ）一主面に一対の櫛形電極が形成され圧電性材料か
   らなる第１の基板が、前記第１の基板とは異なる材料か
   らなる第２の基板上に積層された積層基板を形成する工
   程と、 （ｂ）前記積層基板のうち前記櫛形電極の周囲の部分に
   溝を形成する工程と、 （ｃ）前記積層基板のうち前記溝の略中央部を前記溝よ
   りも細い幅で研削して前記積層基板を切断する工程とを
   含むことを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。
9. 【請求項９】 前記（ｂ）の工程において前記溝が前記
   積層基板を研削することによって形成され、前記（ｂ）
   の工程の研削が前記（ｃ）の工程の研削よりも遅い速度
   で行われる請求項８に記載の弾性表面波素子の製造方
   法。
10. 【請求項１０】 前記溝が断面略Ｖ字状の溝である請求
    項８または９に記載の弾性表面波素子の製造方法。
11. 【請求項１１】 基板と、前記基板に実装された弾性表
    面波素子とを備える弾性表面波デバイスであって、 前記弾性表面波素子が請求項１ないし７のいずれかに記
    載の弾性表面波素子である弾性表面波デバイス。
12. 【請求項１２】 前記弾性表面波素子が、前記基板にフ
    ェイスダウン方式で実装されている請求項１１に記載の
    弾性表面波デバイス。