JP2014007722A - 弾性波装置および電子部品 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】弾性波装置は、素子基板3と、素子基板3の主面に位置した励振電極5と、励振電極5を囲むようにして素子基板3の主面上に位置した枠部2、および枠部2に重なって枠部2を塞ぐ蓋部4を含むカバー9とを備えている。枠部2は上面に枠部側凹凸部を有するとともに外壁が素子基板3の主面に向かうほど外側に向かうように傾斜しており、蓋部4は下面に蓋部側凹凸部を有し、該蓋部側凹凸部は枠部側凹凸部に嵌まっている。
【選択図】図24
Description
BAR:Film Bulk Acoustic Resonator)等の弾性波装置およびそれを用いた電子部品に関する。
基板に設けられた励振電極と、励振電極を封止するカバーとを有する(例えば、特許文献1参照)。
(SAW装置等の構成)
図1(a)は、本発明の第1の実施形態に係るSAW装置1の平面図であり、図1(b)は、SAW装置1の蓋部4を外した状態における平面図である。また、図2は図1(a)のII−II線における断面図である。
させる場合は、第1主面3a側の配線15を例えばAl−Cu合金で形成し、その上に絶縁体を介して配置される配線15を、例えば下から順にCr/Ni/Au、あるいはCr/Alとした多層構造の配線によって形成する。なお、立体配線の上側の配線をCr/Ni/Auによって形成した場合は、最上層のAuと樹脂との密着性が比較的弱いことから、樹脂からなるカバー9がこの立体配線上に積層されないようにするとよい。これにより、カバー9の剥がれを抑制することができる。一方、立体配線の上側の配線をCr/Alによって形成した場合は、この立体配線上にカバー9が積層されるようにしてもよい。
れる。なお、以下では、裏面部11について、図示や説明を省略することがある。
カバー9の上面から下面に亘って、導電性接合材57とカバー9の外壁との間に充填されているときに顕著となる。
図5(a)〜図6(c)は、SAW装置1および電子部品51の製造方法を説明する断面図(図1のIII−III線に対応)である。製造工程は、図5(a)から図6(c)まで順に進んでいく。
成される。次に、金属層に対して、縮小投影露光機(ステッパー)とRIE(Reactive Ion Etching)装置とを用いたフォトリソグラフィー法等によってパターニングが行われる。パターニングにより、励振電極5、配線15およびパッド7が形成される。
る。SAW装置1の周囲に供給されたモールド樹脂59は、付与された圧力によってカバー9の上面と実装面53aとの間に流れ込み、さらには、カバー9の側面と導電性接合材57との間に流れ込む。そして、図4に示したように電子部品51が製造される。
図7は第1の実施形態におけるSAW装置1の変形例を示す拡大断面図である。なお、図7の断面図は図4で示した部分に対応している。
図8は、第2の実施形態のSAW装置101を示す、図2に相当する断面図である。SAW装置101は、カバー9の上面に配置された補強層22を有している。
図9は、第3の実施形態のSAW装置201を示す、図2に相当する断面図である。
図10は、第4の実施形態のSAW装置301を示す、図2に相当する断面図である。SAW装置301は、端子25を有している。この端子25はパッド7と電気的に接続された状態でパッド7の上に位置している。また端子25はカバー9を縦方向に貫通し、パッド7と接続されない方の端部はカバー9の上面から露出している。端子7は例えば銅等を用いてめっき法によって形成される。
合には、補強層22全体を絶縁膜24によって覆っておくことが好ましい。これにより、SAW装置301を実装基板に実装した際に補強層22と端子25とが短絡するのを抑制することができる。
1を除去する。これによって、端子25と補強層22とが完成する。
図14は、第4の実施形態におけるSAW装置301の変形例を示す断面図である。この変形例は、カバー9の上面のうち、カバー9を平面視したときに端子25と振動空間21との間に位置する部分に溝部12を形成し、その溝部12に補強層22の一部が嵌まるようにしたものである。このように、補強層22の一部を溝部12に嵌めることによって、補強層22のカバー9からの剥がれを抑制することができる。補強層22を嵌めるための溝部12は、例えば、図11(c)に示したように、溝部12を形成すべき位置に遮光部39を設けたマスク40を用いて露光を行うことによって形成することができる。
図15は、第5の実施形態のSAW装置401を示す平面図である。なお、図15では振動空間21の外周(枠部の内壁2a)を点線で示している。
すように、例えば、矩形状に切り欠いたものでもよい。
図21は、第6の実施形態のSAW装置501を示す断面図であり、図22は図21に示す領域Eの拡大図である。
きいものが触れると励振電極5の振動に大きな影響を与えてしまい電気特性の劣化を招くためであり、素子基板3の外周側では、その部分がウエハのダイシングラインになっていることから、ダイシングライン上に厚みの大きい枠部2が存在していると、ウエハの切断時に素子基板3等に欠けが発生しやすくなることによるものである。さらには後述するようにSAW装置501を他の実装基板に実装し、そのSAW装置501全体を外装樹脂によって被覆するような場合には、カバー9の外壁が素子基板2の外周付近まできていると、SAW装置1と実装基板の主面との間に外装樹脂が入りこみにくくなり、その部分に空隙ができやすくなるという不具合も発生する。
図24(a)乃至(c)は、第7の実施形態のSAW装置601を示す、図3に対応する部分の拡大断面図である。
枠体2を形成した段階(図5(d))において、枠体2の上面に酸素プラズマ等を用いてアッシング処理を施せばよい。
2・・・枠部
3・・・素子基板
4・・・蓋部
4a・・・下垂部
5・・・励振電極
6・・・接続強化層
7・・・パッド
9・・・カバー
10・・・凹部
Claims (9)
- 素子基板と、
該素子基板の主面に位置した励振電極と、
該励振電極を囲むようにして前記素子基板の主面上に位置した枠部および該枠部に重なって該枠部を塞ぐ蓋部を含むカバーとを備えた弾性波装置であって、
前記枠部は上面に枠部側凹凸部を有するとともに外壁が前記素子基板の主面に向かうほど外側に向かうように傾斜しており、
前記蓋部は下面に蓋部側凹凸部を有し、該蓋部側凹凸部は前記枠部側凹凸部に嵌まっている弾性波装置。 - 前記蓋部は、前記枠部の内壁の上辺または外壁の上辺から連なって前記内壁または前記外壁の少なくとも一部を被覆している下垂部を有している請求項1に記載の弾性波装置。
- 前記枠部は、内壁側および外壁側の少なくとも一方の前記素子基板との接合部に、前記素子基板の主面に沿って伸びた伸長部を有している請求項1または2に記載の弾性波装置。
- 前記蓋部の前記素子基板と反対側の主面に配置された、外周が前記枠部上に位置している金属製の補強層をさらに備えた請求項1乃至3のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記素子基板の主面のうち前記枠部に前記蓋部が重なっている部分に位置している、前記励振電極に電気的に接続されたパッドと、
該パッドから前記枠部および前記蓋部を貫通して伸びて前記蓋部の前記素子基板と反対側の主面に露出した端子とをさらに備えており、
前記蓋部は、平面視したときに、前記素子基板と反対側の主面のうち前記端子と前記枠部の内壁との間に位置する部分に設けられた溝部を有し、該溝部には前記補強層の一部が嵌まっている請求項4に記載の弾性波装置。 - 前記素子基板は、主面のうち前記枠部の内壁の下端よりも外側の領域に、平面視したときに一部が前記枠部の下に位置するか、または全部が前記枠部の外側に位置する凹部を有している請求項1乃至5のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記素子基板は、主面のうち前記枠部の外壁の下端の近傍から側面まで達している切欠き部を有している請求項1乃至5のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 素子基板と、
該素子基板の主面に位置した励振電極と、
該励振電極を囲むようにして前記素子基板の主面上に位置した枠部および該枠部に重なって該枠部を塞ぐ蓋部を含むカバーとを備えた弾性波装置であって、
前記枠部は上面に一様に点在する枠部側凹凸部を有しており、
前記蓋部は下面に蓋部側凹凸部を有し、該蓋部側凹凸部は前記枠部側凹凸部に嵌まっている弾性波装置。 - 実装基板と、
該実装基板の主面に前記素子基板の主面を対面させた状態で導電性接合材を介して実装された請求項1乃至8のいずれか1項に記載の弾性波装置と、
該弾性波装置を被覆するモールド樹脂とを備えた電子部品。
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