JP7029691B2 - パッケージ用カバー部材、電子デバイス、及びパッケージ用カバー部材の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、一般にパッケージ用カバー部材、電子デバイス、及びパッケージ用カバー部材の製造方法に関し、より詳細には、電子デバイスに用いられるパッケージ用カバー部材、そのパッケージ用カバー部材を備える電子デバイス、及びパッケージ用カバー部材の製造方法に関する。

従来、電子デバイスとしては、例えば、実装基板と、紫外線発光素子と、スペーサと、カバーと、を備える発光装置が提案されている（特許文献１）。紫外線発光素子は、実装基板に実装されている。スペーサは、実装基板上に配置されている。スペーサは、紫外線発光素子を露出させる貫通孔が形成されている。カバーは、スペーサの貫通孔を塞ぐようにスペーサ上に配置されている。発光装置は、スペーサとカバーとで、紫外線発光素子を覆うキャップ（パッケージ用カバー部材）を構成している。また、発光装置は、実装基板とスペーサとカバーとで、紫外線発光素子を収納するパッケージを構成している。

特許文献１には、上述の発光装置の製造方法も記載されている。特許文献１に記載された発光装置の製造方法では、キャップを形成する際に、例えば、複数のスペーサを形成した第１ウェハと複数のカバーの元になる第２ウェハとをウェハレベルで接合してから、複数のキャップに分割する。

特許第５８７７４８７号

発光装置等の電子デバイスの分野では、パッケージ用カバー部材及び電子デバイスそれぞれの信頼性をより高めることが望まれる場合がある。

本発明の目的は、信頼性をより高めることが可能なパッケージ用カバー部材、電子デバイス、及びパッケージ用カバー部材の製造方法を提供することにある。

本発明の一態様に係るパッケージ用カバー部材は、スペーサと、カバーと、を備える。前記スペーサは、貫通孔を有する。前記カバーは、前記スペーサの前記貫通孔を塞ぐように前記スペーサ上に配置されている。前記スペーサは、前記カバーに対向する第１面と、前記カバーとは反対側の第２面と、を含む。前記第２面の外周形は、前記第１面の、前記スペーサの厚さ方向における投影領域の外周形に沿っている。前記第２面の前記外周形は、前記第１面の外周形と大きさが異なっている。前記第１面の前記外周形が、前記第２面の前記外周形よりも小さい。前記スペーサは、前記厚さ方向において外周形の大きさが漸次変化する領域を含む。前記スペーサは、前記厚さ方向において前記第１面から所定範囲では同一形状の断面を有する。前記所定範囲は、前記スペーサの前記第１面と前記領域との間である。

本発明の一態様に係る電子デバイスは、実装基板と、素子と、上記のパッケージ用カバー部材と、を備える。前記素子は、前記実装基板上に配置されている。前記パッケージ用カバー部材は、前記実装基板上に配置され前記素子を覆っている。

本発明の一態様に係るパッケージ用カバー部材の製造方法は、貫通孔を有するスペーサと前記スペーサの前記貫通孔を塞ぐように前記スペーサ上に配置されたカバーとを備えるパッケージ用カバー部材の製造方法である。パッケージ用カバー部材の製造方法は、接合工程と、分割工程と、を含む。前記接合工程では、前記スペーサを複数形成可能なスペーサ形成用ウェハと前記カバーを複数形成可能なカバー形成用ウェハとを接合することでウェハ積層体を形成する。前記ウェハ積層体は、前記カバー形成用ウェハにおける前記スペーサ形成用ウェハ側とは反対の面である第１面と、前記スペーサ形成用ウェハにおける前記カバー形成用ウェハ側とは反対の面である第２面と、を有する。前記分割工程は、第１工程と、第２工程と、を含む。前記第１工程では、前記ウェハ積層体を第１のダイシング方法で前記ウェハ積層体の前記第１面から前記スペーサ形成用ウェハの途中までダイシングすることによって前記ウェハ積層体に複数の第１溝を形成する。前記第２工程では、前記ウェハ積層体を第２のダイシング方法で前記ウェハ積層体の前記第２面から前記スペーサ形成用ウェハの厚み寸法内でダイシングすることによって前記ウェハ積層体に複数の第２溝を形成する。前記第１のダイシング方法で用いるダイシングブレードの厚みが、前記第２のダイシング方法で用いるダイシングブレードの厚みよりも厚い。前記分割工程では、前記第１工程と前記第２工程との両方を行うことによって前記複数の第１溝と前記複数の第１溝に一対一に対応する前記複数の第２溝とを繋げる。

本発明のパッケージ用カバー部材、電子デバイス及びパッケージ用カバー部材の製造方法では、信頼性をより高めることが可能となる。

図１は、本発明の一実施形態に係る電子デバイスの平面図である。 図２は、同上の電子デバイスを示し、図１のＸ－Ｘ線断面図である。 図３は、同上の電子デバイスにおける素子の断面図である。 図４は、同上の電子デバイスの製造方法を説明するための工程断面図である。 図５Ａ～５Ｄは、同上の電子デバイスにおけるパッケージ用カバー部材の製造方法を説明するための工程断面図である。 図６は、本発明の一実施形態の変形例１に係るパッケージ用カバー部材の断面図である。 図７は、本発明の一実施形態の変形例２に係るパッケージ用カバー部材の断面図である。 図８は、本発明の一実施形態の変形例３に係るパッケージ用カバー部材の断面図である。 図９Ａ～９Ｄは、本発明の一実施形態の他の変形例に係るパッケージ用カバー部材の製造方法を説明するための工程断面図である。

下記の実施形態等において説明する各図は、模式的な図であり、各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。

（実施形態）
（１）電子デバイスの全体構成
以下、実施形態に係る電子デバイス１について、図面を参照して説明する。

本実施形態に係る電子デバイス１は、図１及び２に示すように、実装基板２と、素子３と、パッケージ用カバー部材６と、を備える。素子３は、実装基板２の一面上に配置されている。パッケージ用カバー部材６は、実装基板２の一面上に配置され素子３を覆っている。

パッケージ用カバー部材６は、貫通孔４５を有するスペーサ４と、スペーサ４の貫通孔４５を塞ぐようにスペーサ４上に配置されているカバー５と、を備えている。スペーサ４は、カバー５に対向する第１面４１と、カバー５とは反対側の第２面４２と、を含む。パッケージ用カバー部材６では、スペーサ４とカバー５とが接合されている。電子デバイス１は、実装基板２とパッケージ用カバー部材６とを含むパッケージ７を備えている。電子デバイス１は、実装基板２とスペーサ４とカバー５とで囲まれた空間８を不活性ガス雰囲気としてある。不活性ガス雰囲気は、例えば、Ｎ₂ガス雰囲気である。

本実施形態に係る電子デバイス１は、発光装置である。また、実装基板２は、素子３が実装される実装基板であり、第１導体部２１及び第２導体部２２を有する。また、実装基板２は、パッケージ用カバー部材６と接合するための第１接合用金属層２３を有する。素子３は、発光素子である。素子３は、第１導体部２１に電気的に接続された第１電極３１と第２導体部２２に電気的に接続された第２電極３２と、を有する。素子３は、実装基板２にフリップチップ実装されている。

電子デバイス１では、第１電極３１と第１導体部２１とが、第１接合部６１により接合され、第２電極３２と第２導体部２２とが、第２接合部６２により接合されている。また、電子デバイス１では、スペーサ４の第２面４２に設けられた第２接合用金属層４３と実装基板２の第１接合用金属層２３とが、第３接合部６３により接合されている。第１接合用金属層２３、第２接合用金属層４３及び第３接合部６３は、スペーサ４の第２面４２の外周縁に沿って全周に亘って形成されている。これにより、電子デバイス１では、スペーサ４が全周に亘って第３接合部６３を介して実装基板２と接合されている。電子デバイス１では、第１接合部６１、第２接合部６２及び第３接合部６３の各々がＡｕＳｎにより形成されている。

電子デバイス１は、例えば、配線基板に実装して用いることができる。配線基板は、マザー基板である。配線基板は、例えば、金属ベースプリント配線板により形成することができる。

（２）電子デバイスの各構成要素
次に、電子デバイス１の各構成要素について、図面を参照して説明する。

（２．１）実装基板
実装基板２は、素子３を実装する基板である。電子デバイス１では、実装基板２に１つの素子３が実装されている。実装基板２は、平面視において素子３よりも大きい。

実装基板２は、支持体２０と、支持体２０に支持された第１導体部２１、第２導体部２２及び第１接合用金属層２３と、を含んでいる。

支持体２０は、平板状であり、厚さ方向において互いに反対側にある表面２０１及び裏面２０２を有する。支持体２０の外周形状は、正方形状である。支持体２０は、ＡｌＮセラミックにより形成されている。支持体２０は、第１導体部２１、第２導体部２２及び第１接合用金属層２３を支持する機能を有する。

第１導体部２１、第２導体部２２及び第１接合用金属層２３は、支持体２０の表面２０１上に形成されている。

第１導体部２１は、素子３の第１電極３１が電気的に接続される導電層である。第２導体部２２は、素子３の第２電極３２が電気的に接続される導電層である。

第１接合用金属層２３は、平面視において第１導体部２１及び第２導体部２２を囲んでいる。第１接合用金属層２３は、支持体２０の外周に沿って形成されている。第１接合用金属層２３の平面視形状は、矩形枠状である。

第１導体部２１、第２導体部２２及び第１接合用金属層２３の各々は、例えば、支持体２０の表面２０１上のＴｉ膜と、このＴｉ膜上のＰｔ膜と、このＰｔ膜上のＡｕ膜と、の積層膜により構成されている。

実装基板２は、第１外部接続電極２４及び第２外部接続電極２５と、支持体２０の厚さ方向に貫通して形成された第１貫通配線２６及び第２貫通配線２７と、を更に含んでいる。第１外部接続電極２４及び第２外部接続電極２５は、支持体２０の裏面２０２に形成されている。第１外部接続電極２４は、第１貫通配線２６を介して第１導体部２１と電気的に接続されている。第２外部接続電極２５は、第２貫通配線２７を介して第２導体部２２と電気的に接続されている。第１外部接続電極２４及び第２外部接続電極２５の各々は、例えば、支持体２０の裏面２０２上のＴｉ膜と、このＴｉ膜上のＰｔ膜と、このＰｔ膜上のＡｕ膜と、の積層膜により構成することができる。第１貫通配線２６及び第２貫通配線２７は、例えば、Ｗ、Ｃｕ等により形成することができる。

（２．２）素子
素子３として用いる発光素子は、ＵＶ－Ｃの波長域の紫外線を放射する紫外線ＬＥＤチップである。紫外線ＬＥＤチップの発光ピーク波長は、例えば、２７５ｎｍである。紫外線ＬＥＤチップのチップサイズは、例えば、４００μｍ□（４００μｍ×４００μｍ）である。

素子３は、図３に示すように、基板３０と、半導体多層膜３９と、第１電極３１と、第２電極３２と、を備える。

基板３０は、その厚さ方向において互いに反対側にある第１面３０１及び第２面３０２を有する。基板３０の外周形状は、正方形状である。基板３０は、半導体多層膜３９を支持している。

半導体多層膜３９は、基板３０の第１面３０１上に形成されている。半導体多層膜３９は、第１導電型半導体層３３と、発光層３４と、第２導電型半導体層３５と、を含んでいる。半導体多層膜３９では、基板３０側から第１導電型半導体層３３、発光層３４及び第２導電型半導体層３５が、この順に並んでいる。第１導電型半導体層３３の外周形は、基板３０の外周形と大きさが同じである。発光層３４及び第２導電型半導体層３５それぞれの外周形は、第１導電型半導体層３３の外周形よりも小さい。

素子３では、第１電極３１が第１導電型半導体層３３と電気的に接続され、第２電極３２が第２導電型半導体層３５と電気的に接続されている。第１電極３１は、第１オーミック電極層３１Ａと、第１パッド電極層３１Ｂと、を含む。

第１オーミック電極層３１Ａは、第１導電型半導体層３３とオーミック接触を得るために、第１導電型半導体層３３の表面３３１上に形成されている。第１パッド電極層３１Ｂは、例えばＡｕＳｎからなる第１接合部６１を介して実装基板２と接合するために、第１オーミック電極層３１Ａを覆うように形成されている。

第２電極３２は、第２オーミック電極層３２Ａと、第２パッド電極層３２Ｂと、を含む。第２オーミック電極層３２Ａは、第２導電型半導体層３５とオーミック接触を得るために、第２導電型半導体層３５の表面３５１上に形成されている。第２パッド電極層３２Ｂは、例えばＡｕＳｎからなる第２接合部６２を介して実装基板２と接合するために、第２オーミック電極層３２Ａを覆うように形成されている。

素子３では、基板３０は、例えば、サファイア基板である。第１導電型半導体層３３は、例えば、ｎ型Ａｌ_0.60Ｇａ_0.40Ｎ層である。発光層３４は、例えば、基板３０の厚さ方向において、複数（例えば、４つ）の障壁層と複数（例えば、４つ）の井戸層とが交互に並んでいる多重量子井戸構造を有する。複数の井戸層の各々は、例えば、Ａｌ_0.45Ｇａ_0.55Ｎ層である。複数の障壁層の各々は、例えば、Ａｌ_0.60Ｇａ_0.40Ｎ層である。第２導電型半導体層３５は、例えば、ｐ型Ａｌ_0.80Ｇａ_0.20Ｎ層と、ｐ型ＧａＮ層と、を含む。半導体多層膜３９は、基板３０と第１導電型半導体層３３との間に介在するバッファ層（例えば、ＡｌＮ層）を含んでいる。素子３の光取り出し面は、基板３０の第２面３０２を含む。

（２．３）パッケージ用カバー部材
パッケージ用カバー部材６は、上述のように、スペーサ４と、カバー５と、を含む。

スペーサ４は、カバー５に対向する第１面４１と、カバー５とは反対側の第２面４２と、を含む。電子デバイス１においては、スペーサ４は、実装基板２とカバー５との間に介在する部材である。したがって、スペーサ４の第２面４２は、実装基板２に対向する。電子デバイス１では、スペーサ４の貫通孔４５内に素子３が配置されている。スペーサ４の厚さ（高さ）は、素子３の厚さよりも大きい。

スペーサ４は、平面視で、中央に貫通孔４５を有する。スペーサ４の平面視での外周形状（スペーサ４の厚さ方向から見たスペーサ４の外周形状）は、正方形状である。スペーサ４は、平面視において実装基板２よりも小さい。より詳細には、スペーサ４の平面視における外周形は、実装基板２の平面視における外周形よりも小さい。言い換えれば、スペーサ４の平面視における外周線は、実装基板２の平面視における外周線よりも内側にある。

スペーサ４は、シリコンにより形成されている。スペーサ４の貫通孔４５は、四角錐台状の孔である。貫通孔４５は、スペーサ４の厚さ方向（貫通孔４５の貫通方向）において第２面４２から離れて第１面４１に近づくにつれて開口面積が漸次増加している。要するに、貫通孔４５は、実装基板２の厚さ方向において実装基板２から離れるにつれて開口面積が漸次増加している。電子デバイス１では、スペーサ４における貫通孔４５の内側面が、素子３である紫外線ＬＥＤチップから放射された紫外線を反射する反射面の機能を有する。

電子デバイス１は、スペーサ４の第２面４２と第２接合用金属層４３との間に介在するシリコン酸化膜４４を含んでいる。第２接合用金属層４３は、例えば、Ａｌ膜４３１とＡｕ膜４３２との積層膜により構成されている。

カバー５は、平板状である。カバー５の平面視での外周形状（カバー５の厚さ方向から見たカバー５の外周形状）は、正方形状である。カバー５は、平面視において実装基板２よりも小さく、かつ、スペーサ４よりも小さい。より詳細には、カバー５の平面視における外周形は、スペーサ４の平面視における外周形よりも小さい。言い換えれば、カバー５の平面視における外周線は、スペーサ４の平面視における外周線よりも内側にある。

カバー５は、ガラスにより形成されている。より詳細には、カバー５は、素子３である紫外線ＬＥＤチップから放射される紫外線を透過するガラスにより形成されている。

カバー５を形成するガラスは、アルカリ成分を含んでいる。アルカリ成分は、例えば、Ｎａ、Ｋ、Ｎａ₂Ｏ、Ｋ₂Ｏ等である。ここにおいて、カバー５を形成するガラスは、硼珪酸ガラスである。

パッケージ用カバー部材６では、上述のようにスペーサ４がシリコンにより形成され、カバー５がガラスにより形成されているから、スペーサ４とカバー５とが互いに異なる材料により形成されている。また、パッケージ用カバー部材６では、スペーサ４の線膨張係数とカバー５の線膨張係数とが異なる。電子デバイス１では、カバー５とスペーサ４との線膨張係数差に起因してカバー５等に発生する応力を低減する観点から、カバー５とスペーサ４との線膨張係数差がより小さいのが好ましい。パッケージ用カバー部材６では、スペーサ４とカバー５とが直接接合されている。「直接接合されている」とは、接合材等を用いることなく接合されていることを意味する。スペーサ４とカバー５とは、陽極接合によって直接接合されている。スペーサ４とカバー５とが陽極接合によって直接接合されていることは、例えば、断面ＴＥＭ像（Cross-Sectional Transmission Electron Microscope Image）の観察結果、ＥＤＸ法（Energy Dispersive X-ray Spectroscopy）による組成分析の結果、ＳＩＭＳ（Secondary Ion Mass Spectroscopy）によって測定した元素の深さプロファイル等によって確認することができる。

パッケージ用カバー部材６では、スペーサ４の第２面４２の外周形は、第１面４１の、スペーサ４の厚さ方向における投影領域の外周形に沿っている。ここにおいて、パッケージ用カバー部材６では、スペーサ４の第２面４２の外周形は、第１面４１の外周形と大きさが異なっている。本実施形態におけるパッケージ用カバー部材６では、スペーサ４の第１面４１の外周形が、第２面４２の外周形よりも小さい。ここで、スペーサ４は、その厚さ方向において外周形の大きさが漸次変化（本実施形態では、第１面４１から第２面４２に向かって漸次増加）する領域４６を含んでいる。スペーサ４の領域４６の外周縁４６０は、４つの傾斜面４６１を含んでいる。各傾斜面４６１それぞれの傾きは、略一定である。したがって、スペーサ４の領域４６は、四角錐台状の形状である。また、スペーサ４は、その厚さ方向において第１面４１から所定範囲（第１面４１と領域４６との間）では同一形状の断面を有する。パッケージ用カバー部材６では、スペーサ４の第１面４１の外周形の大きさとカバー５の外周形の大きさとが略同じである。

（３）電子デバイスの製造方法
以下では、電子デバイス１の製造方法について図４に基づいて簡単に説明する。

電子デバイス１の製造方法では、パッケージ用カバー部材６と、実装基板２と、を接合する前に、図４に示すように、予め、スペーサ４の第２面４２にシリコン酸化膜４４と第２接合用金属層４３との積層構造を設ける一方で、実装基板２の第１導体部２１、第２導体部２２及び第１接合用金属層２３上に第１接合部６１、第２接合部６２及び第３接合部６３それぞれの元になる第１ＡｕＳｎ層７１、第２ＡｕＳｎ層７２及び第３ＡｕＳｎ層７３を設ける。ここにおいて、第１導体部２１、第２導体部２２及び第１接合用金属層２３と第１ＡｕＳｎ層７１、第２ＡｕＳｎ層７２及び第３ＡｕＳｎ層７３との間に、第１バリア層８１、第２バリア層８２及び第３バリア層８３を設ける。第１バリア層８１、第２バリア層８２及び第３バリア層８３の材料は、例えば、Ｐｔである。また、第１ＡｕＳｎ層７１、第２ＡｕＳｎ層７２及び第３ＡｕＳｎ層７３上に、第１Ａｕ層９１、第２Ａｕ層９２及び第３Ａｕ層９３をそれぞれ設ける。第１Ａｕ層９１、第２Ａｕ層９２及び第３Ａｕ層９３は、第１ＡｕＳｎ層７１、第２ＡｕＳｎ層７２及び第３ＡｕＳｎ層７３のＳｎの酸化を抑制するために設ける層である。第１Ａｕ層９１、第２Ａｕ層９２及び第３Ａｕ層９３の厚さは、第１ＡｕＳｎ層７１、第２ＡｕＳｎ層７２及び第３ＡｕＳｎ層７３が溶融したときに、第１ＡｕＳｎ層７１、第２ＡｕＳｎ層７２及び第３ＡｕＳｎ層７３へＡｕが熱拡散され、第１導体部２１、第２導体部２２及び第１接合用金属層２３と第１電極３１、第２電極３２及び第２接合用金属層４３との接合が行われるように決められている。以下では、第１バリア層８１と第１ＡｕＳｎ層７１と第１Ａｕ層９１との積層膜を第１接合用層１０１と称し、第２バリア層８２と第２ＡｕＳｎ層７２と第２Ａｕ層９２との積層膜を第２接合用層１０２と称する。また、以下では、第３バリア層８３と第３ＡｕＳｎ層７３と第３Ａｕ層９３との積層膜を第３接合用層１０３と称する。第１接合用層１０１は、少なくとも第１ＡｕＳｎ層７１を備えていればよく、積層膜に限らず、単層膜でもよい。第２接合用層１０２は、少なくとも第２ＡｕＳｎ層７２を備えていればよく、積層膜に限らず、単層膜でもよい。第３接合用層１０３は、少なくとも第３ＡｕＳｎ層７３を備えていればよく、積層膜に限らず、単層膜でもよい。

また、電子デバイス１の製造方法では、パッケージ用カバー部材６と実装基板２とを接合する前に素子３を実装基板２に実装し、引き続き、パッケージ用カバー部材６と実装基板２とを接合する。

素子３を実装基板２に実装する際には、素子３の第１電極３１、第２電極３２と実装基板２上の第１接合用層１０１、第２接合用層１０２とが接触するように重ね合わせた状態で、適宜の加熱及び加圧を行いながら第１ＡｕＳｎ層７１及び第２ＡｕＳｎ層７２を溶融させてから、冷却凝固させることで第１接合部６１及び第２接合部６２を形成する。ここにおいて、第１ＡｕＳｎ層７１が溶融すると、溶融したＡｕＳｎに、第１Ａｕ層９１からＡｕが拡散し、溶融したＡｕＳｎにおけるＡｕの組成比が増加する。また、第２ＡｕＳｎ層７２が溶融すると、溶融したＡｕＳｎに、第２Ａｕ層９２からＡｕが拡散し、溶融したＡｕＳｎにおけるＡｕの組成比が増加する。

パッケージ用カバー部材６と実装基板２とを接合する際には、パッケージ用カバー部材６に設けた第２接合用金属層４３と実装基板２上の第３接合用層１０３とが接触するように重ね合わせた状態で、適宜の加熱及び加圧を行いながら第３ＡｕＳｎ層７３を溶融させてから、冷却凝固させることで第３接合部６３を形成する。第３ＡｕＳｎ層７３が溶融すると、溶融したＡｕＳｎに、第３Ａｕ層９３からＡｕが拡散し、溶融したＡｕＳｎにおけるＡｕの組成比が増加する。

（４）パッケージ用カバー部材の製造方法
以下では、パッケージ用カバー部材６の製造方法について図５Ａ～５Ｄに基づいて簡単に説明する。

パッケージ用カバー部材６の製造方法では、例えば、下記の接合工程、分割工程を順次行う。

接合工程では、図５Ａに示すように、スペーサ４（図５Ｄ参照）を複数形成可能なスペーサ形成用ウェハ４００とカバー５（図５Ｄ参照）を複数形成可能なカバー形成用ウェハ５００とを接合することでウェハ積層体６００を形成する。スペーサ形成用ウェハ４００は、シリコンにより形成されている。要するに、スペーサ形成用ウェハ４００は、シリコンウェハである。より詳細には、スペーサ形成用ウェハ４００は、複数のスペーサ４の第１面４１の元になる表面が（１００）面のシリコンウェハである。カバー形成用ウェハ５００は、ガラスにより形成されている。要するに、カバー形成用ウェハ５００は、ガラスウェハである。本実施形態では、スペーサ形成用ウェハ４００は、接合工程よりも前に複数のスペーサ４の各々の貫通孔４５を形成している。複数の貫通孔４５を形成する際には、シリコンウェハの表面及び裏面それぞれに適宜のエッチングマスクを形成した後に、シリコンウェハを表面からＴＭＡＨ水溶液によってエッチングする。また、本実施形態では、接合工程よりも前において、スペーサ形成用ウェハ４００に対して複数の貫通孔４５を形成するよりも前に、シリコン酸化膜４４と第２接合用金属層４３との積層構造を複数形成しているが、図５Ａ～５Ｄでは、これらの図示を省略している。

接合工程では、スペーサ形成用ウェハ４００とカバー形成用ウェハ５００とを直接接合することによってウェハ積層体６００を形成する。より詳細には、接合工程では、スペーサ形成用ウェハ４００とカバー形成用ウェハ５００とを陽極接合によって直接接合している。陽極接合を行う際には、例えば、真空雰囲気中において、スペーサ形成用ウェハ４００とカバー形成用ウェハ５００とを直接接触させ、スペーサ形成用ウェハ４００とカバー形成用ウェハ５００との積層体に対し、スペーサ形成用ウェハ４００を高電位側、カバー形成用ウェハ５００を低電位側として、所定の直流電圧を印加する。所定の直流電圧は、例えば、６００Ｖである。陽極接合を行う際には、例えば、スペーサ形成用ウェハ４００とカバー形成用ウェハ５００との積層体を所定の接合温度に加熱した状態で、所定の直流電圧を所定の時間だけ印加した後に、積層体の温度を降温させる。接合温度は、例えば、４００℃である。

ウェハ積層体６００は、第１面６０１と、第２面６０２と、を有する。第１面６０１は、カバー形成用ウェハ５００におけるスペーサ形成用ウェハ４００側とは反対の面である。第２面６０２は、スペーサ形成用ウェハ４００におけるカバー形成用ウェハ５００側とは反対の面である。

分割工程では、ウェハ積層体６００を分割することにより、図５Ｄに示すようなパッケージ用カバー部材６を複数得ることができる。分割工程は、第１工程と、第２工程と、を含む。本実施形態における分割工程では、第１工程、第２工程を、この順に行う。

第１工程では、ウェハ積層体６００を第１のダイシング方法で第１面６０１からスペーサ形成用ウェハ４００の途中までダイシングすることでウェハ積層体６００に複数の第１溝６０３を形成する（図５Ｂ参照）。第１工程では、第１のダイシングテープによってウェハ積層体６００を保持した状態でダイシングを行う。第１のダイシング方法では、例えば、第１のダイシングブレード（ダイシングソー）を用いる。第１のダイシングブレードの厚みは、例えば、５０μｍ～１００μｍである。第１のダイシング方法では、第１のダイシングブレードの回転数は、例えば、３００００ｒｐｍである。

第２工程では、ウェハ積層体６００を第２のダイシング方法で第２面６０２からスペーサ形成用ウェハ４００の厚み寸法内でダイシングすることでウェハ積層体６００に複数の第２溝６０４を形成する（図５Ｃ参照）。第２工程では、第２のダイシングテープによってウェハ積層体６００を保持した状態でダイシングを行う。分割工程では、第１工程と第２工程とを行うことにより、ウェハ積層体６００を複数のパッケージ用カバー部材６に分割する。第２のダイシング方法では、例えば、第１のダイシングブレードとは厚みの異なる第２のダイシングブレードを用いる。第２のダイシングブレードの厚みは、例えば、２０μｍ～３５μｍである。第２のダイシング方法では、第２のダイシングブレードの回転数は、例えば、３５０００ｒｐｍである。

分割工程では、第１工程と第２工程との両方を行うことによって複数の第１溝６０３と複数の第１溝６０３に一対一に対応する複数の第２溝６０４とを繋げる。本実施形態に係るパッケージ用カバー部材６の製造方法では、一対一に対応する第１溝６０３と第２溝６０４とはウェハ積層体６００の厚さ方向に沿った互いの中心線が一直線上に揃うように第１溝６０３及び第２溝６０４を形成する。ただし、第１溝６０３に対する第２溝６０４のアライメント精度は、例えば、±１０μｍ程度である。

本実施形態のパッケージ用カバー部材６の製造方法では、分割工程を行うことにより、ウェハ積層体６００を複数のパッケージ用カバー部材６（図５Ｄでは１つのパッケージ用カバー部材６のみ図示してある）に分割することができる。

分割工程では、スペーサ形成用ウェハ４００の材料（シリコン）よりも硬い材料（ガラス）により形成されたカバー形成用ウェハ５００をダイシングするために、第１工程において、第２のダイシングブレードよりも厚い第１のダイシングブレードを用いている。これにより、スペーサ形成用ウェハ４００をダイシングするときよりも大きなパワーが必要なカバー形成用ウェハ５００のダイシング時に、そのパワーに耐え得る厚みの第１のダイシングブレードを用いることができ、また、チッピング、クラック等が、より発生しにくくなる。ここにおいて、第１のダイシングブレードによって第１のダイシングブレードの厚さと第２のダイシングブレードの厚さとの差に応じてスペーサ４の第１面４１の外周形の大きさと第２面４２の外周形の大きさとの相対的な関係が略決まる。

また、分割工程では、スペーサ形成用ウェハ４００の材料（シリコン）よりも脆性材料（ガラス）により形成されたカバー形成用ウェハ５００をダイシングするために、第１のダイシングブレードの回転数を第２のダイシングブレードの回転数よりも遅くしている。これにより、カバー形成用ウェハ５００をダイシングする際に、チッピング、クラック等が、より発生しにくくなる。

（５）効果
本実施形態に係るパッケージ用カバー部材６は、スペーサ４と、カバー５と、を備える。スペーサ４は、貫通孔４５を有する。カバー５は、スペーサ４の貫通孔４５を塞ぐようにスペーサ４上に配置されている。スペーサ４は、カバー５に対向する第１面４１と、カバー５とは反対側の第２面４２と、を含む。第２面４２の外周形は、第１面４１の、スペーサ４の厚さ方向における投影領域の外周形に沿っている。第２面４２の外周形は、第１面４１の外周形と大きさが異なっている。これにより、本実施形態に係るパッケージ用カバー部材６では、信頼性をより高めることが可能となる。ここにおいて、本実施形態に係るパッケージ用カバー部材６では、その製造時に、スペーサ４を複数形成可能なスペーサ形成用ウェハ４００とカバー５を複数形成可能なカバー形成用ウェハ５００とを接合してから、スペーサ形成用ウェハ４００及びカバー形成用ウェハ５００をそれぞれの形状、材料等に適したダイシング方法でダイシングする製造方法を採用することが可能となる。

また、本実施形態に係るパッケージ用カバー部材６では、スペーサ４とカバー５とは互いに異なる材料により形成されている。これにより、本実施形態に係るパッケージ用カバー部材６では、スペーサ４とカバー５とが同じ材料により形成されている場合と比べて、スペーサ４及びカバー５それぞれに必要な特性を得やすい。

また、本実施形態に係るパッケージ用カバー部材６では、第１面４１の外周形が、第２面４２の外周形よりも小さい。これにより、本実施形態に係るパッケージ用カバー部材６では、例えば、第２面４２の外周形を第１面４１の外周形と同じとした場合と比べて、スペーサ４とカバー５との接合面積を小さくすることが可能となる。よって、本実施形態に係るパッケージ用カバー部材６では、残留応力、熱応力等を緩和することが可能となり、信頼性をより高めることが可能となる。

また、本実施形態に係るパッケージ用カバー部材６では、スペーサ４は、厚さ方向において外周形の大きさが漸次変化する領域４６を含む。これにより、本実施形態に係るパッケージ用カバー部材６では、応力を緩和することが可能となる。

また、本実施形態に係るパッケージ用カバー部材６では、スペーサ４は、厚さ方向において第１面４１から所定範囲では同一形状の断面を有する。これにより、パッケージ用カバー部材６では、スペーサ４の第１面４１が露出するのを防止することが可能となり、ハンドリング時等にスペーサ４の第１面４１に外部物体が接触するのを防止することが可能となる。また、パッケージ用カバー部材６では、上述の製造方法を採用することができる。すなわち、パッケージ用カバー部材６では、ウェハ積層体６００を第１のダイシングブレードによってカバー形成用ウェハ５００側からスペーサ形成用ウェハ４００の途中までダイシングする一方で、ウェハ積層体６００を第２のダイシングブレードによってスペーサ形成用ウェハ４００側からスペーサ形成用ウェハ４００の厚み寸法内でダイシングする、という製造方法を採用できる。

また、本実施形態に係るパッケージ用カバー部材６では、カバー５は、ガラスにより形成され、スペーサ４は、シリコンにより形成されている。これにより、本実施形態に係るパッケージ用カバー部材６は、例えば、カバー５の材料としてガラスが適し、スペーサ４の材料としてシリコンが適している電子デバイス１（発光装置）に用いることができる。

また、本実施形態に係るパッケージ用カバー部材６では、カバー５とスペーサ４とが直接接合されている。これにより、本実施形態に係るパッケージ用カバー部材６では、製造プロセスの簡略化を図れ、製造が容易になる。また、本実施形態に係るパッケージ用カバー部材６では、例えばカバー５とスペーサ４とが樹脂によって接合されている場合と比べて、耐湿性及び耐紫外線性をより高めることが可能となる。

また、本実施形態に係る電子デバイス１は、実装基板２と、素子３と、パッケージ用カバー部材６と、を備える。素子３は、実装基板２上に配置されている。パッケージ用カバー部材６は、実装基板２上に配置され素子３を覆っている。したがって、本実施形態に係る電子デバイス１では、信頼性をより高めることが可能となる。

また、本実施形態に係る電子デバイス１では、素子３は、発光素子である。これにより、本実施形態に係る電子デバイス１は、素子３として発光素子を備える発光装置の信頼性をより高めることが可能となる。

また、本実施形態に係るパッケージ用カバー部材の製造方法は、貫通孔４５を有するスペーサ４とスペーサ４の貫通孔４５を塞ぐようにスペーサ４上に配置されたカバー５とを備えるパッケージ用カバー部材の製造方法である。パッケージ用カバー部材の製造方法は、接合工程と、分割工程と、を含む。接合工程では、スペーサ４を複数形成可能なスペーサ形成用ウェハ４００とカバー５を複数形成可能なカバー形成用ウェハ５００とを接合することでウェハ積層体６００を形成する。ウェハ積層体６００は、カバー形成用ウェハ５００におけるスペーサ形成用ウェハ４００側とは反対の面である第１面６０１と、スペーサ形成用ウェハ４００におけるカバー形成用ウェハ５００側とは反対の面である第２面６０２と、を有する。分割工程は、第１工程と、第２工程と、を含む。第１工程では、ウェハ積層体６００を第１のダイシング方法で第１面６０１からスペーサ形成用ウェハ４００の途中までダイシングすることでウェハ積層体６００に複数の第１溝６０３を形成する。第２工程では、ウェハ積層体６００を第２のダイシング方法で第２面６０２からスペーサ形成用ウェハ４００の厚み寸法内でダイシングすることでウェハ積層体６００に複数の第２溝６０４を形成する。分割工程では、第１工程と第２工程との両方を行うことによって複数の第１溝６０３と複数の第１溝６０３に一対一に対応する複数の第２溝６０４とを繋げる。したがって、本実施形態に係るパッケージ用カバー部材６の製造方法では、パッケージ用カバー部材６の信頼性をより高めることが可能となる。

また、本実施形態に係るパッケージ用カバー部材６の製造方法では、スペーサ形成用ウェハ４００は、シリコンにより形成されており、カバー形成用ウェハ５００は、ガラスにより形成されている。これにより、本実施形態に係るパッケージ用カバー部材６の製造方法では、シリコンにより形成されたスペーサ４とガラスにより形成されたカバー５とを含むパッケージ用カバー部材６を製造することが可能となる。

（６）変形例
上記の実施形態は、本発明の様々な実施形態の一つに過ぎない。上記の実施形態は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。

（６．１）変形例１
実施形態の変形例１に係るパッケージ用カバー部材６ａは、図６に示すように、スペーサ４ａの形状が実施形態のパッケージ用カバー部材６におけるスペーサ４と相違する。パッケージ用カバー部材６ａのカバー５ａは、実施形態のパッケージ用カバー部材６におけるカバー５と同じである。

スペーサ４ａは、その厚さ方向において外周形の大きさが漸次変化（本変形例では漸次増加）する領域４６ａを含んでいる。スペーサ４ａでは、領域４６ａの外周縁４６０ａが４つの傾斜面４６１ａを有している。各傾斜面４６１ａは、凹曲面である。

パッケージ用カバー部材６ａの製造方法は、実施形態のパッケージ用カバー部材６の製造方法と略同じであり、分割工程における第１工程でのダイシングの条件を適宜変えればよい。

変形例１に係るパッケージ用カバー部材６ａは、実施形態に係る電子デバイス１のパッケージ用カバー部材６に代えて用いることができる。

（６．２）変形例２
実施形態の変形例２に係るパッケージ用カバー部材６ｂは、図７に示すように、スペーサ４ｂの形状が実施形態のパッケージ用カバー部材６におけるスペーサ４と相違する。パッケージ用カバー部材６ｂのカバー５ｂは、実施形態のパッケージ用カバー部材６におけるカバー５と同じである。

スペーサ４ｂは、厚さ方向において第１面４１よりも第２面４２側へ後退した段差４６２が形成されており、厚さ方向において外周形の大きさが大きくなっている。スペーサ４ｂは、その厚さ方向において第１面４１から所定範囲では同一形状の断面を有する。パッケージ用カバー部材６ｂでは、スペーサ４ｂの第１面４１の外周形の大きさとカバー５の外周形の大きさとが略同じである。

パッケージ用カバー部材６ｂの製造方法は、実施形態のパッケージ用カバー部材６の製造方法と略同じであり、分割工程における第１工程でのダイシングの条件を適宜変えればよい。

変形例２に係るパッケージ用カバー部材６ｂは、実施形態に係る電子デバイス１のパッケージ用カバー部材６に代えて用いることができる。

（６．３）変形例３
実施形態の変形例３に係るパッケージ用カバー部材６ｃは、図８に示すように、スペーサ４の第１面４１の外周形が、第２面４２の外周形よりも大きい点で実施形態のパッケージ用カバー部材６と相違する。パッケージ用カバー部材６ｃのカバー５ｃは、実施形態のパッケージ用カバー部材６におけるカバー５と同じである。

スペーサ４ｃは、その厚さ方向において外周形の大きさが漸次変化（本変形例では、第１面４１から第２面４２に向かって漸次減少）する領域４６ｃを含んでいる。スペーサ４ｃの領域４６ｃの外周縁４６０ｃは、４つの傾斜面４６１ｃを含んでいる。各傾斜面４６１ｃそれぞれの傾きは、略一定である。また、スペーサ４ｃは、その厚さ方向において第１面４１から所定範囲（第１面４１と領域４６ｃとの間）では同一形状の断面を有する。パッケージ用カバー部材６では、スペーサ４の第１面４１の外周形の大きさとカバー５の外周形の大きさとが略同じである。

パッケージ用カバー部材６ｂの製造方法は、実施形態のパッケージ用カバー部材６の製造方法と略同じであり、例えば、分割工程における第２工程で用いる第２のダイシングブレードの厚さを第１工程で用いる第１のダイシングブレードの厚さよりも大きくすればよい。

変形例３に係るパッケージ用カバー部材６ｃは、実施形態に係る電子デバイス１のパッケージ用カバー部材６に代えて用いることができる。変形例３に係るパッケージ用カバー部材６ｃでは、例えば、第２面４２の外周形を第１面４１の外周形と同じとした場合と比べて、スペーサ４と実装基板２との接合面積を小さくすることが可能となり、実装基板２からの応力を緩和することが可能となる。

（６．４）その他の変形例
また、パッケージ用カバー部材６では、カバー５がアルカリ成分を含むガラスに限らず、例えば、石英ガラス等によって形成されていてもよい。この場合、スペーサ４とカバー５とが、例えば、低融点ガラスにより形成された第４接合部により接合されていてもよい。低融点ガラスは、軟化点が６００℃以下のガラスであり、軟化点が５００℃以下のガラスが好ましく、軟化点が４００℃以下のガラスが更に好ましい。低融点ガラスは、例えば、主成分として酸化鉛（ＰｂＯ）と無水ほう酸（Ｂ₂Ｏ₃）とを含むガラスである。

また、ガラスは、硼珪酸ガラス、石英ガラスに限らず、例えば、ソーダライムガラス、無アルカリガラス等であってもよい。

また、パッケージ用カバー部材６は、電子デバイス１の種類によってはスペーサ４とカバー５とが互いに同じ材料により形成されていてもよい。例えば、スペーサ４とカバー５との両方がシリコンにより形成されていてもよいし、スペーサ４とカバー５との両方がガラスにより形成されていてもよい。また、スペーサ４及びカバー５の材料は、ガラス、シリコンに限らず、例えば、セラミック、サファイア等であってもよい。

また、カバー５は、平板状に限らず、例えば、レンズが一体に形成された形状でもよい。要するに、電子デバイス１である発光装置では、カバー５の一部がレンズを構成してもよい。

また、素子３としての発光素子は、紫外線ＬＥＤチップに限らず、可視光ＬＥＤチップ、赤外線ＬＥＤチップ、紫外線レーザダイオードチップ、可視光レーザダイオードチップ等であってもよい。

また、実装基板２上においてスペーサ４の貫通孔４５内に配置される素子３の数は、１つに限らず、複数であってもよい。また、電子デバイス１では、スペーサ４の貫通孔４５内に配置される複数の素子３を備えている場合、複数の素子３が同じ種類の素子でもよいし、複数の素子３のうちの少なくとも１つの素子３が残りの素子３と異なる種類の素子であってもよい。例えば、電子デバイス１は、４つの素子３として、１つの青色ＬＥＤチップと２つの緑色ＬＥＤチップと１つの赤色ＬＥＤチップとを備えていてもよい。

また、素子３は、発光素子に限らず、例えば、受光素子、赤外線検出素子、圧電素子、加速度センサ、ジャイロセンサ、ＭＥＭＳミラー（ＭＥＭＳ：Micro Electro Mechanical Systems）等であってもよい。

また、電子デバイス１に関し、素子３は、実装基板２に対して導電性バンプによって接合されていてもよい。

また、電子デバイス１は、実装基板２とパッケージ用カバー部材６とで囲まれる空間８において素子３を覆う封止部を更に備えていてもよい。

また、電子デバイス１の素子３の種類によっては（例えば、エアダンピング効果を利用するＭＥＭＳ素子等の場合）、スペーサ４は、貫通孔４５の周辺が一部切れていてもよい。

また、パッケージ用カバー部材６の製造方法では、接合工程において、スペーサ形成用ウェハ４００とカバー形成用ウェハ５００とを陽極接合によって直接接合しているが、陽極接合に限らない。例えば、接合工程では、スペーサ形成用ウェハ４００とカバー形成用ウェハ５００とを表面活性化接合法によって直接接合してもよい。表面活性化接合法では、真空中において、スペーサ形成用ウェハ４００とカバー形成用ウェハ５００との接合前に互いの接合表面へアルゴンイオンビーム等を照射して各接合表面の清浄化・活性化を行ってから、スペーサ形成用ウェハ４００とカバー形成用ウェハ５００との接合表面同士を接触させた積層体を加圧して直接接合する。

また、接合工程では、スペーサ形成用ウェハ４００とカバー形成用ウェハ５００とを共晶接合法によって接合してもよい。また、接合工程では、スペーサ形成用ウェハ４００及びカバー形成用ウェハ５００の互いの対向面に予め形成した金属層同士を、表面活性化接合法によって接合してもよい。また、例えば発光素子が上記の紫外線ＬＥＤチップではなくて可視光ＬＥＤチップ等の場合には、接合工程では、スペーサ形成用ウェハ４００とカバー形成用ウェハ５００とを樹脂接合法によって接合してもよい。

また、パッケージ用カバー部材６の製造方法では、スペーサ形成用ウェハ４００に貫通孔４５を形成した後で、スペーサ形成用ウェハ４００とカバー形成用ウェハ５００とを接合しているが、これに限らない。例えば、パッケージ用カバー部材の製造方法では、複数の貫通孔４５を形成していないスペーサ形成用ウェハ４００とカバー形成用ウェハ５００とを接合した後に、スペーサ形成用ウェハ４００に複数の貫通孔４５を形成してもよい。

第１のダイシング方法及び第２ダイシング方法は、互いに厚さの異なるダイシングブレードを用いる方法に限らず、例えば、互いに波長の異なるレーザを用いるレーザダイシングでもよい。第１のダイシング方法で用いるレーザは、例えば、ＣＯ_２レーザである。第２のダイシング方法で用いるレーザは、例えば、Ｔｉ：サファイアレーザ、ＹＶＯ₄レーザ、ＳＨＧ－ＹＡＧレーザ、ＴＨＧ－ＹＡＧレーザ、ＦＨＧ－ＹＡＧレーザ、ＫｒＦエキシマレーザ、ＡｒＦエキシマレーザ等である。

また、第１ダイシング方法と第２ダイシング方法との一方でダイシングブレードを用い、他方でレーザを用いてもよい。

また、パッケージ用カバー部材６の製造方法の分割工程における第１工程と第２工程との順序は、第１工程、第２工程の順に限らず、例えば、第２工程、第１工程の順であってもよい。この場合のパッケージ用カバー部材６の製造方法について図９Ａ～９Ｄに基づいて簡単に説明するが、実施形態に係るパッケージ用カバー部材６の製造方法と同様の点については説明を適宜省略する。

接合工程では、図９Ａに示すように、スペーサ４（図９Ｄ参照）を複数形成可能なスペーサ形成用ウェハ４００とカバー５（図９Ｄ参照）を複数形成可能なカバー形成用ウェハ５００とを接合することでウェハ積層体６００を形成する。

分割工程では、第２工程、第１工程を順次行う。

第２工程では、ウェハ積層体６００を第２のダイシング方法で第２面６０２からスペーサ形成用ウェハ４００の厚み寸法内でダイシングすることでウェハ積層体６００に複数の第２溝６０５を形成する（図９Ｂ参照）。

第１工程では、ウェハ積層体６００を第１のダイシング方法で第１面６０１からスペーサ形成用ウェハ４００の途中までダイシングすることでウェハ積層体６００に複数の第１溝６０６を形成する（図９Ｂ参照）。

分割工程では、第２工程と第１工程との両方を行うことによって複数の第２溝６０５と複数の第２溝６０５に一対一に対応する複数の第１溝６０６とを繋げる。よって、パッケージ用カバー部材６の製造方法では、ウェハ積層体６００を複数のパッケージ用カバー部材６に分割することができる。

（まとめ）
以上説明した実施形態等から以下の態様が開示されていることは明らかである。

第１の態様に係るパッケージ用カバー部材（６；６ａ；６ｂ；６ｃ）は、スペーサ（４）と、カバー（５）と、を備える。スペーサ（４；４ａ；４ｂ；４ｃ）は、貫通孔（４５）を有する。カバー（５）は、スペーサ（４；４ａ；４ｂ；４ｃ）の貫通孔（４５）を塞ぐようにスペーサ（４；４ａ；４ｂ；４ｃ）上に配置されている。スペーサ（４；４ａ；４ｂ；４ｃ）は、カバー（５；５ａ；５ｂ；５ｃ）に対向する第１面（４１）と、カバー（５；５ａ；５ｂ；５ｃ）とは反対側の第２面（４２）と、を含む。第２面（４２）の外周形は、第１面（４１）の、スペーサ（４；４ａ；４ｂ；４ｃ）の厚さ方向における投影領域の外周形に沿っている。第２面（４２）の外周形は、第１面（４１）の外周形と大きさが異なっている。

第１の態様に係るパッケージ用カバー部材（６；６ａ；６ｂ；６ｃ）では、信頼性をより高めることが可能となる。

第２の態様に係るパッケージ用カバー部材（６；６ａ；６ｂ；６ｃ）は、第１の態様において、スペーサ（４；４ａ；４ｂ；４ｃ）とカバー（５；５ａ；５ｂ；５ｃ）とは互いに異なる材料により形成されている。

第２の態様に係るパッケージ用カバー部材（６；６ａ；６ｂ；６ｃ）では、スペーサ（４；４ａ；４ｂ；４ｃ）とカバー（５；５ａ；５ｂ；５ｃ）とが同じ材料により形成されている場合と比べて、スペーサ（４；４ａ；４ｂ；４ｃ）及びカバー（５；５ａ；５ｂ；５ｃ）それぞれに必要な特性を得やすい。

第３の態様に係るパッケージ用カバー部材（６；６ａ；６ｂ）は、第１又は２の態様において、第１面（４１）の外周形が、第２面（４２）の外周形よりも小さい。

第３の態様に係るパッケージ用カバー部材（６；６ａ；６ｂ）では、例えば、第２面（４２）の外周形を第１面（４１）の外周形と同じとした場合と比べて、スペーサ（４；４ａ；４ｂ）とカバー（５；５ａ；５ｃ）との接合面積を小さくすることが可能となり、残留応力、熱応力等を緩和することが可能となり、信頼性をより高めることが可能となる。

第４の態様に係るパッケージ用カバー部材（６ｃ）は、第１又は２の態様において、第１面（４１）の外周形が、第２面（４２）の外周形よりも大きい。

第４の態様に係るパッケージ用カバー部材（６ｃ）では、例えば、第２面（４２）の外周形を第１面（４１）の外周形と同じとした場合と比べて、パッケージ用カバー部材（６ｃ）とともにパッケージ（７）を構成する実装基板（２）と、スペーサ（４）と、の接合面積を小さくすることが可能となり、実装基板（２）からの応力を緩和することが可能となる。

第５の態様に係るパッケージ用カバー部材（６；６ａ；６ｃ）は、第１乃至４の態様のいずれか一つにおいて、スペーサ（４；４ａ；４ｃ）は、厚さ方向において外周形の大きさが漸次変化する領域（４６；４６ａ；４６ｃ）を含む。

第５の態様に係るパッケージ用カバー部材（６；６ａ；６ｃ）では、応力を緩和することが可能となる。

第６の態様に係るパッケージ用カバー部材（６；６ａ；６ｂ；６ｃ）では、第１乃至５の態様のいずれか一つにおいて、スペーサ（４；４ａ；４ｂ；４ｃ）は、厚さ方向において第１面（４１）から所定範囲では同一形状の断面を有する。

第６の態様に係るパッケージ用カバー部材（６；６ａ；６ｂ；６ｃ）では、スペーサ（４；４ａ；４ｂ；４ｃ）の第１面（４１）が露出するのを防止することが可能となり、ハンドリング時等にスペーサ（４）の第１面（４１）に外部物体が接触するのを防止することが可能となる。これにより、パッケージ用カバー部材（６；６ａ；６ｂ；６ｃ）では、信頼性をより高めることが可能となる。

第７の態様に係るパッケージ用カバー部材（６；６ａ；６ｂ；６ｃ）では、第１乃至６の態様のいずれか一つにおいて、カバー（５；５ａ；５ｂ；５ｃ）は、ガラスにより形成され、スペーサ（４；４ａ；４ｂ；４ｃ）は、シリコンにより形成されている。

第７の態様に係るパッケージ用カバー部材（６；６ａ；６ｂ；６ｃ）では、例えば、カバー（５；５ａ；５ｂ；５ｃ）の材料としてガラスが適し、スペーサ（４；４ａ；４ｂ；４ｃ）の材料としてシリコンが適している電子デバイス（１）に用いることができる。

第８の態様に係るパッケージ用カバー部材（６；６ａ；６ｂ；６ｃ）では、第７の態様において、カバー（５；５ａ；５ｂ；５ｃ）とスペーサ（４；４ａ；４ｂ；４ｃ）とが直接接合されている。

第８の態様に係るパッケージ用カバー部材（６；６ａ；６ｂ；６ｃ）では、製造プロセスの簡略化を図れ、製造が容易になる。また、第８の態様に係るパッケージ用カバー部材（６；６ａ；６ｂ；６ｃ）では、例えばカバー（５；５ａ；５ｂ；５ｃ）とスペーサ（４；４ａ；４ｂ；４ｃ）とが樹脂によって接合されている場合と比べて、耐紫外線性をより高めることが可能となる。

第９の態様に係る電子デバイス（１）は、実装基板（２）と、素子（３）と、第１乃至８の態様のいずれか一つのパッケージ用カバー部材（６；６ａ；６ｂ；６ｃ）と、を備える。素子（３）は、実装基板（２）上に配置されている。パッケージ用カバー部材（６；６ａ；６ｂ；６ｃ）は、実装基板（２）上に配置され素子（３）を覆っている。

第９の態様に係る電子デバイス（１）では、信頼性をより高めることが可能となる。

第１０の態様に係る電子デバイス（１）では、第９の態様において、素子（３）は、発光素子である。

第１０の態様に係る電子デバイス（１）では、素子（３）として発光素子を備える電子デバイス（１）の信頼性をより高めることが可能となる。

第１１の態様に係るパッケージ用カバー部材の製造方法は、貫通孔（４５）を有するスペーサ（４；４ａ；４ｂ；４ｃ）とスペーサ（４；４ａ；４ｂ；４ｃ）の貫通孔（４５）を塞ぐようにスペーサ（４；４ａ；４ｂ；４ｃ）上に配置されたカバー（５；５ａ；５ｂ；５ｃ）とを備えるパッケージ用カバー部材の製造方法である。パッケージ用カバー部材の製造方法は、接合工程と、分割工程と、を含む。接合工程では、スペーサ（４；４ａ；４ｂ；４ｃ）を複数形成可能なスペーサ形成用ウェハ（４００）とカバー（５；５ａ；５ｂ；５ｃ）を複数形成可能なカバー形成用ウェハ（５００）とを接合することでウェハ積層体（６００）を形成する。ウェハ積層体（６００）は、カバー形成用ウェハ（５００）におけるスペーサ形成用ウェハ（４００）側とは反対の面である第１面（６０１）と、スペーサ形成用ウェハ（４００）におけるカバー形成用ウェハ（５００）側とは反対の面である第２面（６０２）と、を有する。分割工程は、第１工程と、第２工程と、を含む。第１工程では、ウェハ積層体（６００）を第１のダイシング方法で第１面（６０１）からスペーサ形成用ウェハ（４００）の途中までダイシングすることでウェハ積層体（６００）に複数の第１溝（６０３；６０６）を形成する。第２工程では、ウェハ積層体（６００）を第２のダイシング方法で第２面（６０２）からスペーサ形成用ウェハ（４００）の厚み寸法内でダイシングすることでウェハ積層体（６００）に複数の第２溝（６０４；６０５）を形成する。分割工程では、第１工程と第２工程との両方を行うことによって複数の第１溝（６０３；６０６）と複数の第１溝（６０３；６０６）に一対一に対応する複数の第２溝（６０４；６０５）とを繋げる。

第１１の態様に係るパッケージ用カバー部材の製造方法では、パッケージ用カバー部材（６；６ａ；６ｂ；６ｃ）の信頼性をより高めることが可能となる。

第１２の態様に係るパッケージ用カバー部材の製造方法では、第１１の態様において、スペーサ形成用ウェハ（４００）は、シリコンにより形成されており、カバー形成用ウェハ（５００）は、ガラスにより形成されている。

第１２の態様に係るパッケージ用カバー部材の製造方法では、シリコンにより形成されたスペーサ（４；４ａ；４ｂ；４ｃ）とガラスにより形成されたカバー（５；５ａ；５ｂ；５ｃ）とを含むパッケージ用カバー部材（６；６ａ；６ｂ；６ｃ）を製造することが可能となる。

１ 電子デバイス
２ 実装基板
３ 素子
４、４ａ、４ｂ、４ｃ スペーサ
４１ 第１面
４２ 第２面
４５ 貫通孔
４６、４６ａ、４６ｃ 領域
５、５ａ、５ｂ、５ｃ カバー
６、６ａ、６ｂ、６ｃ パッケージ用カバー部材
４００ スペーサ形成用ウェハ
５００ カバー形成用ウェハ
６００ ウェハ積層体
６０１ 第１面
６０２ 第２面
６０３、６０６ 第１溝
６０４、６０５ 第２溝

Claims (8)

1. 貫通孔を有するスペーサと、
   前記スペーサの前記貫通孔を塞ぐように前記スペーサ上に配置されているカバーと、を備え、
   前記スペーサは、前記カバーに対向する第１面と、前記カバーとは反対側の第２面と、を含み、
   前記第２面の外周形は、前記第１面の、前記スペーサの厚さ方向における投影領域の外周形に沿っており、前記第１面の外周形と大きさが異なっており、
   前記第１面の前記外周形が、前記第２面の前記外周形よりも小さく、
   前記スペーサは、前記厚さ方向において外周形の大きさが漸次変化する領域を含み、
   前記スペーサは、前記厚さ方向において前記第１面から所定範囲では同一形状の断面を有し、
   前記所定範囲は、前記スペーサの前記第１面と前記領域との間である、
   ことを特徴とするパッケージ用カバー部材。
2. 前記スペーサと前記カバーとは互いに異なる材料により形成されている
   ことを特徴とする請求項１記載のパッケージ用カバー部材。
3. 前記カバーは、ガラスにより形成され、
   前記スペーサは、シリコンにより形成されている
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載のパッケージ用カバー部材。
4. 前記カバーと前記スペーサとが直接接合されている
   ことを特徴とする請求項３記載のパッケージ用カバー部材。
5. 実装基板と、前記実装基板上に配置されている素子と、前記実装基板上に配置され前記素子を覆っている請求項１乃至４のいずれか一項に記載のパッケージ用カバー部材と、を備える
   ことを特徴とする電子デバイス。
6. 前記素子は、発光素子である
   ことを特徴とする請求項５記載の電子デバイス。
7. 請求項１～４のいずれか一項に記載のパッケージ用カバー部材の製造方法であって、
   前記スペーサを複数形成可能なスペーサ形成用ウェハと前記カバーを複数形成可能なカバー形成用ウェハとを接合することでウェハ積層体を形成する接合工程と、
   前記ウェハ積層体を分割する分割工程と、を含み、
   前記ウェハ積層体は、前記カバー形成用ウェハにおける前記スペーサ形成用ウェハ側とは反対の面である第１面と、前記スペーサ形成用ウェハにおける前記カバー形成用ウェハ側とは反対の面である第２面と、を有し、
   前記分割工程は、
   前記ウェハ積層体を第１のダイシング方法で前記ウェハ積層体の前記第１面から前記スペーサ形成用ウェハの途中までダイシングすることによって前記ウェハ積層体に複数の第１溝を形成する第１工程と、
   前記ウェハ積層体を第２のダイシング方法で前記ウェハ積層体の前記第２面から前記スペーサ形成用ウェハの厚み寸法内でダイシングすることによって前記ウェハ積層体に複数の第２溝を形成する第２工程を、を含み、
   前記第１のダイシング方法で用いるダイシングブレードの厚みが、前記第２のダイシング方法で用いるダイシングブレードの厚みよりも厚く、
   前記第１工程と前記第２工程との両方を行うことによって前記複数の第１溝と前記複数の第１溝に一対一に対応する前記複数の第２溝とを繋げる
   ことを特徴とするパッケージ用カバー部材の製造方法。
8. 前記スペーサ形成用ウェハは、シリコンにより形成されており、
   前記カバー形成用ウェハは、ガラスにより形成されている
   ことを特徴とする請求項７記載のパッケージ用カバー部材の製造方法。

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