JP6288533B2 - 圧電振動子 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 155
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 91
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 84
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 21
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 18
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 11
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 9
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 18
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 17
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 13
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- LGCAEZFHFWVARK-UHFFFAOYSA-N boric acid;lead Chemical compound [Pb].OB(O)O LGCAEZFHFWVARK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- QUBMWJKTLKIJNN-UHFFFAOYSA-B tin(4+);tetraphosphate Chemical compound [Sn+4].[Sn+4].[Sn+4].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O QUBMWJKTLKIJNN-UHFFFAOYSA-B 0.000 description 1
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
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- H01L23/02—Containers; Seals
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/06—Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties
- H01L23/08—Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties the material being an electrical insulator, e.g. glass
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0504—Holders; Supports for bulk acoustic wave devices
- H03H9/0514—Holders; Supports for bulk acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
- H03H9/0519—Holders; Supports for bulk acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps for cantilever
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- H—ELECTRICITY
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- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
- H03H9/1014—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device
- H03H9/1021—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device the BAW device being of the cantilever type
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Description
100 圧電振動素子
200 キャップ
300 基板(圧電振動素子搭載用基板)
302 第1面(搭載面)
310 電極パターン
310a ダミーパターン
350 接合材
360 絶縁材
362 絶縁材
Claims (8)
- 圧電振動素子と、
前記圧電振動素子が搭載された搭載面を有するとともに、前記搭載面に電極パターンが形成された基板と、
前記圧電振動素子を密封封止するように、前記基板の前記搭載面に接合材を介して接合されたキャップと
を備え、
前記電極パターンは、前記圧電振動素子が接続される接続電極と、当該接続電極から前記搭載面の外縁に向かって引き出される引出電極とを含み、
前記基板の前記搭載面における前記キャップとの接合領域は、前記接続電極を囲む全周に亘って設けられ、
前記基板の前記搭載面における前記キャップとの接合領域において、前記電極パターンの少なくとも一部が露出するように絶縁材が形成され、
前記絶縁材の厚さは、前記電極パターンの厚さと同じである、圧電振動子。 - 圧電振動素子と、
前記圧電振動素子が搭載された搭載面を有するとともに、前記搭載面に電極パターンが形成された基板と、
前記圧電振動素子を密封封止するように、前記基板の前記搭載面に接合材を介して接合されたキャップと
を備え、
前記電極パターンは、前記圧電振動素子が接続される接続電極と、当該接続電極から前記搭載面の外縁に向かって引き出される引出電極とを含み、
前記基板の前記搭載面における前記キャップとの接合領域は、前記接続電極を囲む全周に亘って設けられ、
前記基板の前記搭載面における前記キャップとの接合領域において、前記電極パターンの少なくとも一部が露出するように絶縁材が形成され、
前記電極パターンは、前記圧電振動素子に電気的に接続されないダミーパターンをさらに含む、圧電振動子。 - 圧電振動素子と、
前記圧電振動素子が搭載された搭載面を有するとともに、前記搭載面に電極パターンが形成された基板と、
前記圧電振動素子を密封封止するように、前記基板の前記搭載面に接合材を介して接合されたキャップと
を備え、
前記電極パターンは、前記圧電振動素子が接続される接続電極と、当該接続電極から前記搭載面の外縁に向かって引き出される引出電極とを含み、
前記基板の前記搭載面における前記キャップとの接合領域は、前記接続電極を囲む全周に亘って設けられ、
前記基板の前記搭載面における前記キャップとの接合領域において、前記電極パターンの少なくとも一部が露出するように絶縁材が形成され、
前記キャップは、前記基板の前記搭載面に対向して開口した凹部を有し、
前記凹部の底面から立ち上がる開口縁の内壁が、前記絶縁材よりも前記基板の内側に位置しており、
前記接合材は、前記絶縁材よりも前記基板の内側において前記キャップと前記基板との間に介在する、圧電振動子。 - 前記キャップは、前記凹部の開口中心から前記開口縁に向かって、前記開口縁から突出するフランジ部を有する、請求項3記載の圧電振動子。
- 前記絶縁材は前記電極パターンに接して形成された、請求項1から4のいずれか一項に記載の圧電振動子。
- 前記絶縁材は、前記搭載面の前記接合領域のうち、前記基板が露出した部分全体に形成された、請求項1から5のいずれか一項に記載の圧電振動子。
- 前記絶縁材はガラスである、請求項1から6のいずれか一項に記載の圧電振動子。
- 前記接合材は樹脂接着剤である、請求項1から7のいずれか一項に記載の圧電振動子。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015107744 | 2015-05-27 | ||
JP2015107744 | 2015-05-27 | ||
PCT/JP2016/063923 WO2016190090A1 (ja) | 2015-05-27 | 2016-05-10 | 圧電振動素子搭載用基板並びに圧電振動子及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2016190090A1 JPWO2016190090A1 (ja) | 2018-02-22 |
JP6288533B2 true JP6288533B2 (ja) | 2018-03-07 |
Family
ID=57394177
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017520605A Active JP6288533B2 (ja) | 2015-05-27 | 2016-05-10 | 圧電振動子 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10938368B2 (ja) |
JP (1) | JP6288533B2 (ja) |
CN (1) | CN107615652B (ja) |
WO (1) | WO2016190090A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6537029B2 (ja) * | 2016-09-08 | 2019-07-03 | 株式会社村田製作所 | 水晶振動子及びその製造方法 |
JP7454141B2 (ja) | 2021-06-23 | 2024-03-22 | 株式会社村田製作所 | 圧電振動子及び圧電振動子の製造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3183169B2 (ja) * | 1996-05-09 | 2001-07-03 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の製造方法 |
JP2000134055A (ja) * | 1998-10-23 | 2000-05-12 | Tokyo Denpa Co Ltd | 圧電体用気密容器 |
US20100107389A1 (en) * | 2002-01-11 | 2010-05-06 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method of fabricating an electrode for a bulk acoustic resonator |
JP3843983B2 (ja) * | 2003-03-20 | 2006-11-08 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電振動子 |
CN102484462B (zh) * | 2009-09-14 | 2015-02-18 | 株式会社村田制作所 | 压电振动装置的制造方法 |
JP5526188B2 (ja) | 2009-12-09 | 2014-06-18 | 日本電波工業株式会社 | 表面実装水晶振動子 |
JP2012151698A (ja) * | 2011-01-19 | 2012-08-09 | Taiyo Yuden Co Ltd | 弾性波デバイス |
JP5704231B2 (ja) * | 2011-04-11 | 2015-04-22 | 株式会社村田製作所 | 電子部品及び電子部品の製造方法 |
JP5259024B1 (ja) * | 2011-08-22 | 2013-08-07 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置および電子部品 |
WO2013172440A1 (ja) * | 2012-05-18 | 2013-11-21 | 株式会社村田製作所 | 水晶振動子の製造方法及び水晶振動子 |
CN104079251A (zh) * | 2013-03-27 | 2014-10-01 | 日本电波工业株式会社 | 压电装置及压电装置的制造方法 |
TWI523286B (zh) * | 2013-04-22 | 2016-02-21 | Murata Manufacturing Co | Crystal Oscillator |
-
2016
- 2016-05-10 CN CN201680030721.4A patent/CN107615652B/zh active Active
- 2016-05-10 WO PCT/JP2016/063923 patent/WO2016190090A1/ja active Application Filing
- 2016-05-10 JP JP2017520605A patent/JP6288533B2/ja active Active
-
2017
- 2017-11-14 US US15/811,802 patent/US10938368B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10938368B2 (en) | 2021-03-02 |
JPWO2016190090A1 (ja) | 2018-02-22 |
US20180069522A1 (en) | 2018-03-08 |
CN107615652A (zh) | 2018-01-19 |
CN107615652B (zh) | 2020-06-23 |
WO2016190090A1 (ja) | 2016-12-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171122 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171122 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20171122 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
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