WO2016190090A1 - 圧電振動素子搭載用基板並びに圧電振動子及びその製造方法 - Google Patents

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WO2016190090A1
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bonding
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博之 新家
吉宏 池田
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株式会社村田製作所
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    • H03H9/1021Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device the BAW device being of the cantilever type

Definitions

  • the present invention relates to a piezoelectric vibration element mounting substrate, a piezoelectric vibrator, and a manufacturing method thereof.
  • the lead-out terminal is formed across the bonding region between the substrate and the metal cover from the crystal holding terminal in the center of the substrate to which the crystal piece is connected toward the outer edge thereof.
  • a step due to the lead terminal is generated, and a relatively large gap is generated between the substrate and the metal cover due to the step. Since the sealing material is difficult to enter the gap formed in this way, a gap (bubble) is generated in the sealing material in the bonding area between the substrate and the metal cover, and electrical connection such as a leak failure occurs. Reliability may be impaired.
  • the present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to suppress the occurrence of a leak failure and to improve the electrical connection reliability.
  • a piezoelectric vibrator has a piezoelectric vibration element, a mounting surface on which the piezoelectric vibration element is mounted, a substrate having an electrode pattern formed on the mounting surface, and the piezoelectric vibration element. And a cap bonded to the mounting surface of the substrate via a bonding material, and the electrode pattern includes a connection electrode to which the piezoelectric vibration element is connected, and an extraction electrode that is drawn from the connection electrode toward the outer edge of the mounting surface And a bonding region with the cap on the mounting surface of the substrate is provided over the entire circumference surrounding the connection electrode, so that at least a part of the electrode pattern is exposed in the bonding region with the cap on the mounting surface of the substrate. An insulating material is formed on the surface.
  • the insulating material is formed on the bonding region, the height difference between the electrode pattern portion and the substrate portion on the bonding region can be filled, and voids are generated in the bonding material. Can be suppressed. Accordingly, leakage defects can be reduced and electrical connection reliability can be improved.
  • the insulating material may be formed in contact with the electrode pattern.
  • the insulating material may be formed on the entire portion where the substrate is exposed in the bonding region of the mounting surface.
  • the thickness of the insulating material may be the same as the thickness of the electrode pattern.
  • the insulating material may be glass.
  • the bonding material may be a resin adhesive.
  • the electrode pattern may further include a dummy pattern that is not electrically connected to the piezoelectric vibration element.
  • the cap has a concave portion that opens to face the mounting surface of the substrate, and the inner wall of the opening edge rising from the bottom surface of the concave portion is located on the inner side of the substrate than the insulating material. May be interposed between the cap and the substrate inside the substrate rather than the insulating material.
  • the bonding strength between the cap and the substrate can be improved.
  • the bonding strength can be improved without spreading the bonding material from the outer edge of the cap to the outside.
  • the cap may have a flange portion protruding from the opening edge from the opening center of the recess toward the opening edge.
  • the bonding area between the cap and the substrate can be increased, the bonding strength between the cap and the substrate can be improved, and the sealing performance can be improved.
  • a method of manufacturing a piezoelectric vibrator includes: (a) forming a piezoelectric vibrating element; (b) forming an electrode pattern on a mounting surface of the substrate; and (c) piezoelectric on the mounting surface of the substrate.
  • the insulating material is formed on the bonding region, the height difference between the electrode pattern portion and the substrate portion on the bonding region can be filled, and voids are generated in the bonding material. Can be suppressed. Accordingly, leakage defects can be reduced and electrical connection reliability can be improved.
  • (d) may include providing a bonding material on the cap before bonding the cap to the substrate.
  • a piezoelectric vibration element mounting substrate is a piezoelectric vibration element mounting substrate having a mounting surface on which a piezoelectric vibration element is mounted and an electrode pattern formed on the mounting surface. Includes a connection electrode to which the piezoelectric vibration element is connected when the piezoelectric vibration element is mounted, and an extraction electrode drawn from the connection electrode toward the outer edge of the mounting surface. An insulating material is provided so as to expose at least a part of the electrode pattern in the bonding area between the cap and the cap on the mounting surface of the substrate. Formed.
  • the insulating material is formed on the bonding region, the electrode pattern portion and the substrate portion on the bonding region when the cap is bonded to the piezoelectric vibration element mounting substrate via the bonding material. It is possible to fill the difference in height between the bonding material and the generation of voids in the bonding material. Accordingly, leakage defects can be reduced and electrical connection reliability can be improved.
  • FIG. 1 is an exploded perspective view of the piezoelectric vibrator according to the present embodiment.
  • 2 is a cross-sectional view taken along line II-II in FIG.
  • FIG. 3 is a plan view of the piezoelectric vibration element mounting substrate according to the present embodiment.
  • 4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV in FIG.
  • FIG. 5 is a flowchart showing a method for manufacturing a piezoelectric vibrator according to this embodiment.
  • FIG. 6 is a plan view of a piezoelectric vibration element mounting substrate according to a modification of the present embodiment.
  • 7 is a cross-sectional view taken along line VII-VII in FIG.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view of a piezoelectric vibration element mounting substrate according to a modification of the present embodiment.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view of a piezoelectric vibrator according to a modification of the present embodiment.
  • FIG. 1 is an exploded perspective view of the piezoelectric vibrator
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II of FIG. 3 is a plan view of the piezoelectric vibration element mounting substrate
  • FIG. 4 is a sectional view taken along line IV-IV in FIG.
  • illustration of the insulating material and the bonding material shown in FIG. 2 is omitted.
  • the piezoelectric vibrator 1 includes a piezoelectric vibration element 100, a cap 200, and a substrate 300.
  • the cap 200 and the substrate 300 are a case or a package for housing the piezoelectric vibration element 100.
  • the piezoelectric vibration element 100 includes a piezoelectric substrate 110 and first and second excitation electrodes 120 and 130 formed on the piezoelectric substrate 110.
  • the first excitation electrode 120 is formed on the first surface 112 of the piezoelectric substrate 110
  • the second excitation electrode 130 is formed on the second surface 114 opposite to the first surface 112 of the piezoelectric substrate 110.
  • the piezoelectric substrate 110 is formed from a given piezoelectric material, and the material is not particularly limited.
  • the piezoelectric substrate 110 may be a quartz substrate, for example.
  • the piezoelectric vibration element 100 is a crystal vibration element having a piezoelectric substrate 110 that is an AT-cut crystal substrate.
  • the AT-cut quartz substrate has an X-axis, a Y-axis, and a Z-axis which are crystal axes of the artificial quartz, and the Y-axis and the Z-axis are 35 degrees 15 minutes ⁇ 1 in the direction from the Y-axis to the Z-axis around the X-axis.
  • the piezoelectric substrate 110 that is an AT-cut quartz substrate has a longitudinal direction parallel to the Z′-axis direction, a short direction parallel to the X-axis direction, and a thickness direction parallel to the Y′-axis direction. And has a substantially rectangular shape on the XZ ′ plane.
  • a crystal resonator element using an AT-cut quartz substrate has extremely high frequency stability over a wide temperature range, and can be manufactured with excellent aging characteristics.
  • the AT-cut crystal resonator element often uses a thickness shear vibration mode as a main vibration.
  • the piezoelectric substrate according to the present embodiment is not limited to the above.
  • an AT-cut quartz substrate having a longitudinal direction parallel to the X-axis direction and a short direction parallel to the Z′-axis direction is applied.
  • a quartz substrate with a different cut other than the AT cut may be used, or other piezoelectric materials such as ceramics other than quartz may be applied.
  • the first excitation electrode 120 is formed on the first surface 112 (XZ ′ surface on the Y′-axis positive direction side) of the piezoelectric substrate 110, and the second excitation electrode 130 is different from the first surface 112 of the piezoelectric substrate 110. It is formed on the opposite second surface 114 (that is, the XZ ′ surface on the Y′-axis negative direction side).
  • the first and second excitation electrodes 120 and 130 are a pair of electrodes, and are arranged so as to substantially overlap each other on the XZ ′ plane.
  • the piezoelectric substrate 110 has a connection electrode 124 electrically connected to the first excitation electrode 120 via the extraction electrode 122, and a connection electrode 134 electrically connected to the second excitation electrode 130 via the extraction electrode 132. And are formed. Specifically, the extraction electrode 122 is extracted from the first excitation electrode 120 toward the short side on the Z′-axis negative direction side on the first surface 112 and further passes through the side surface of the piezoelectric substrate 110 on the Z′-axis negative direction side. The connection electrode 124 formed on the second surface 114 is connected.
  • the extraction electrode 132 is extracted from the second excitation electrode 130 toward the short side of the Z′-axis negative direction on the second surface 114, and is connected to the connection electrode 134 formed on the second surface 114.
  • the connection electrodes 124 and 134 are disposed along the short side on the Z′-axis negative direction side, and the connection electrodes 124 and 134 are electrically connected to the substrate 300 via conductive holding members 340 and 342 described later. And mechanically held together.
  • the configurations of the connection electrodes 124 and 134 and the extraction electrodes 122 and 132 are not limited, and can be appropriately changed in consideration of electrical connection with other members.
  • Each of the electrodes including the first and second excitation electrodes 120 and 130 may be formed, for example, by forming a base with a chromium (Cr) layer and forming a gold (Au) layer on the surface of the chromium layer. It is not limited.
  • the cap 200 has a recess 204 that is opened to face the first surface 302 of the substrate 300.
  • the cap 200 has an opening edge 202 of the recess 204.
  • the opening edge 202 may be formed to rise vertically from the bottom surface of the recess 204.
  • the material of the cap 200 is not limited, and may be a metal material, an insulating material, or a composite material thereof.
  • the substrate 300 is a piezoelectric vibration element mounting substrate having a mounting surface (first surface 302) on which the piezoelectric vibration element 100 is mounted.
  • the substrate 300 has a substantially rectangular shape on the XZ ′ plane.
  • the substrate 300 may be formed of, for example, an insulating ceramic.
  • the substrate 300 is made of a glass material (for example, silicate glass or a material mainly composed of materials other than silicate and having a glass transition phenomenon due to a temperature rise), a crystal material (for example, an AT-cut crystal) or You may form with a glass epoxy material.
  • the substrate 300 is preferably made of a heat resistant material.
  • the substrate 300 may be a single layer or a plurality of layers, and may have a main body portion and an insulating film formed thereon.
  • the piezoelectric vibration element 100 is hermetically sealed in an internal space (cavity) 206 surrounded by the concave portion 204 of the cap 200 and the substrate 300. Is done.
  • the piezoelectric vibrating element 100 has one end (end on the conductive holding member 340, 342 side) as a fixed end and the other end as a free end.
  • an electrode pattern 310 is formed on the first surface 302 of the substrate 300.
  • the electrode pattern 310 includes connection electrodes 320 and 322 to which the piezoelectric vibration element 100 is connected, and lead electrodes 320 a and 322 a that are drawn from the connection electrodes 320 and 322 toward the outer edge of the first surface 302.
  • connection electrodes 320 and 322 are arranged on the inner side of the outer edge of the substrate 300 so that the piezoelectric vibration element 100 can be arranged in the approximate center of the substrate 300.
  • the connection electrode 124 is connected to the connection electrode 124 of the piezoelectric vibration element 100 via the conductive holding member 340, while the connection electrode 322 is connected to the connection electrode 134 of the piezoelectric vibration element 100 via the conductive holding member 342. Is connected.
  • the extraction electrode 320a is extracted from the connection electrode 320 toward any one corner portion of the substrate 300, while the extraction electrode 322a is extracted from the connection electrode 322 toward another corner portion of the substrate 300. Yes.
  • a plurality of external electrodes 330, 332, 334, and 336 are formed at each corner of the substrate 300.
  • the extraction electrode 320a is on the X axis negative direction side and the Z ′ axis negative direction side.
  • the lead electrode 322a is connected to the external electrode 332 formed at the corners on the X-axis positive direction side and the Z′-axis positive direction side.
  • the electrode pattern 310 further includes a dummy pattern 310a.
  • the dummy pattern 310a is a pattern that is not electrically connected to the first and second excitation electrodes 120 and 130 of the piezoelectric vibration element 100, and is formed of the same conductive material as the other electrodes.
  • the dummy pattern 310a is formed in the vicinity of the remaining corner portion (a corner portion other than the corner portion where the external electrodes 330 and 332 electrically connected to the piezoelectric vibration element 100 are disposed), and the other external electrodes 334 and 336 It is connected.
  • the dummy pattern 310a may be electrically connected to a terminal (terminal not connected to any other electronic element) provided on a mounting substrate (not shown) on which the piezoelectric vibrator 1 is mounted.
  • a terminal terminal not connected to any other electronic element
  • a mounting substrate not shown
  • the piezoelectric vibrator 1 is mounted.
  • the corner portion of the substrate 300 has a cut-out side surface formed by cutting a part of the corner portion into a cylindrical curved surface shape (also called a castellation shape), and the external electrodes 330 and 332. , 334, 336 are formed continuously over such a cut-out side surface and the second surface 304.
  • the shape of the corner portion of the substrate 300 is not limited to this, and the shape of the cutout may be planar, or the corner of the corner portion may remain without being cutout.
  • the electrode pattern 310 and the external electrode are not limited to the above configuration, and can be applied with various modifications.
  • the connection electrodes 320 and 322 of the electrode pattern 310 may be arranged on different sides such that one is formed on the Z′-axis positive direction side and the other is formed on the Z′-axis negative direction side.
  • the piezoelectric vibration element 100 is supported by the substrate 300 at both one end and the other end in the longitudinal direction.
  • the number of external electrodes is not limited to four, and may be two arranged on a diagonal, for example.
  • the external electrode is not limited to the one disposed at the corner portion, and may be formed on any side surface of the substrate 300 excluding the corner portion.
  • a cut-out side surface obtained by cutting a part of the side surface into a cylindrical curved surface may be formed, and the external electrode may be formed on the side surface excluding the corner portion. Furthermore, the formation of the dummy pattern 310a and other external electrodes 334 and 336 connected thereto may be omitted.
  • the piezoelectric vibrator 1 by applying an AC voltage between the pair of first and second excitation electrodes 120 and 130 in the piezoelectric vibration element 100 via the external electrodes 330 and 332,
  • the piezoelectric substrate 110 vibrates in a predetermined vibration mode such as a thickness shear vibration mode, and resonance characteristics associated with the vibration are obtained.
  • insulating materials 360 and 362 are formed so that at least a part of the electrode pattern 310 is exposed in the bonding region 352 with the cap 200 on the first surface 302 of the substrate 300. ing.
  • the insulating materials 360 and 362 at least partially increase or decrease the level difference generated on the first surface 302 by the formation of the electrode pattern 310, that is, the portion of the electrode pattern 310 and the portion of the substrate 300 on the first surface 302. It is something to fill.
  • the bonding region 352 has an entire circumference that surrounds the connection electrodes 320 and 322 of the electrode pattern 310. Are provided.
  • the external electrodes 330, 332, 334, and 336 of the piezoelectric vibration element 100 are formed on the outer edge of the substrate 300, the extraction electrodes 320 a and 322 a of the electrode pattern 310 on the first surface 302 are formed across the bonding region 352. Therefore, at least a step due to the extraction electrodes 320a and 322a occurs in the bonding region 352.
  • a part of the dummy pattern 310a may be disposed in the bonding region 352, and a step due to the dummy pattern 310a is also generated. Due to these steps, a relatively large gap (space) is formed between the bonding region 352 and the cap 200 on the exposed portion of the substrate 300, but the bonding material 350 is unlikely to enter the gap.
  • the cap 200 is bonded to the substrate 300 via the bonding material 350, there is a possibility that the material of the bonding material 350 cannot be completely filled on the bonding region 352 and a gap (bubble) remains.
  • the insulating materials 360 and 362 are formed so that at least a part of the electrode pattern 310 is exposed in the bonding region 352.
  • a relatively large gap between the first surface 302 of the substrate 300 and the cap 200 is at least partially filled, so that the material of the bonding material 350 uniformly enters the bonding region 352 and the voids are formed in the bonding material 350. Can be prevented from occurring. Accordingly, leakage defects can be reduced and electrical connection reliability can be improved.
  • an insulating material 360 is integrally formed on the exposed portion of the bonding region 352 on the Z′-axis negative direction and the X-axis positive direction side, and the Z′-axis positive direction and the X-axis negative direction are formed.
  • the insulating material 362 is integrally formed on the exposed portion on the side, whereby the insulating materials 360 and 362 are formed on the entire portion of the bonding region 352 where the substrate 300 is exposed. According to such a configuration, since the insulating materials 360 and 362 are formed on the entire portion exposed from the electrode pattern 310, the material of the bonding material 350 enters the bonding region 352 uniformly, and the voids of the bonding material 350 are generated. Can be effectively suppressed.
  • the insulating materials 360 and 362 may be formed in contact with the electrode pattern 310.
  • the insulating materials 360 and 362 may be formed so as to cover the upper surfaces near the end portions of the extraction electrodes 320a and 322a and the dummy pattern 310a.
  • the thickness of the insulating materials 360 and 362 may be substantially the same as the thickness of the electrode pattern 310 (for example, about 20 ⁇ m).
  • the electrode pattern 310 includes a plurality of layers 312, 314, and 316 (for example, Ag layer, Ni layer, and Au layer from the substrate side), and the thickness from the substrate 300 to the upper surface of the electrode pattern 310, The thickness from the substrate 300 to the upper surface of the insulating material 362 is the same. According to such a configuration, since the upper surface of the electrode pattern 310 and the upper surface of the insulating material 362 are flush with each other, the material of the bonding material 350 enters the bonding region 352 more uniformly.
  • the insulating material 362 covers the upper surface near the end of the electrode pattern 310, the portion of the insulating material 362 on the electrode pattern 310 is thinned by the thickness of the lower electrode pattern 310.
  • the upper surface of the electrode pattern 310 and the upper surface of the insulating material 362 can be flush with each other.
  • the insulating materials 360 and 362 can be formed of, for example, a glass material (for example, low melting point glass such as lead borate or tin phosphate). By using the insulating materials 360 and 362 made of a glass material, the adhesion strength with the substrate 300 such as ceramic can be improved. Alternatively, the insulating materials 360 and 362 are not limited to glass materials, and other inorganic materials and organic materials such as resins may be used.
  • the bonding material 350 for example, a resin adhesive can be used.
  • the resin adhesive as the bonding material 350 may be a thermosetting resin, for example, an epoxy adhesive mainly composed of an epoxy resin.
  • the bonding material 350 may be an inorganic material such as a glass material. In the case where both the bonding material 350 and the insulating materials 360 and 362 are made of glass, if they are separately fired, an interface is formed between the bonding material 350 and the insulating materials 360 and 362, and they are separated from each other. It will be provided as a body glass layer.
  • the insulating materials 360 and 362 are formed on the bonding region 352. Generation of voids in the bonding material 350 by uniformly entering the bonding region 352 can be suppressed. Accordingly, leakage defects can be reduced and electrical connection reliability can be improved.
  • the structure of the insulating material is not limited to the above contents, and various modifications can be applied.
  • the insulating materials 360 and 362 are formed on the entire portion of the bonding region 352 where the substrate 300 is exposed.
  • the insulating material is the substrate 300 of the bonding region 352. May be formed in a part of the exposed portion (see a modification example described later).
  • region 352 which has a width direction and a length direction
  • the insulating material and the electrode pattern 310 may be partially separated from each other.
  • a part of the insulating material may extend to the outside of the bonding region 352.
  • the example in which the insulating materials 360 and 362 are formed so that a part of the electrode pattern 310 is exposed in the bonding region 352 is shown, but as a modification, the electrode pattern 310 is formed in the bonding region 352.
  • An insulating material may be formed so that all of the above is exposed (see a modification described later).
  • the thickness of the insulating material is not limited to the above, and may be slightly thinner or thicker than the thickness of the electrode pattern 310, for example.
  • the bonding material 350 has a mode in which the region of the bonding material 350 and the region of the insulating material 360 coincide with each other as a mode provided on the upper surface of the insulating material 360.
  • the bonding material 350 may be provided in a part of the region of the insulating material 360, and the other part of the insulating material 360 may be exposed from the bonding material 350.
  • the bonding material 350 may be provided so as to cover the entire upper surface of the insulating material 360 and further to the outside of the insulating material 360 so as to have a portion in contact with the first surface 302 of the substrate 300.
  • the piezoelectric vibration element 100 is formed (S10).
  • a crystal resonator element as the piezoelectric resonator element 100
  • crystal material is cut into a wafer shape at a predetermined cut angle from an artificial quartz or natural quartz ore, and formed into a predetermined rectangular outer shape by dicing or etching.
  • various electrodes including the first and second excitation electrodes 120 and 130 are formed by sputtering or vacuum deposition (see FIG. 1).
  • the electrode pattern 310 is formed on the first surface 302 of the substrate 300 (S11). Specifically, for example, a paste-like conductive material is applied to a predetermined region of the first surface 302 of the substrate 300, and the applied conductive material is applied.
  • the electrode pattern 310 is formed by baking the material.
  • the electrode pattern 310 includes the dummy pattern 310a
  • the dummy pattern 310a is also formed in the same manner as the connection electrodes 320 and 322 and the extraction electrodes 320a and 322a.
  • the electrode pattern 310 can also be formed by sputtering or vacuum deposition. More specifically, the electrode pattern 310 is formed on the substrate 300 by forming the layer 312 by applying a paste-like conductive material and baking it, and then forming the layers 314 and 316 by plating.
  • insulating materials 360 and 362 are formed in the bonding region 352 with the cap 200 on the first surface 302 of the substrate 300 (S12).
  • the insulating materials 360 and 362 are made of a glass material
  • the glass material is applied to a portion exposed from the electrode pattern 310 in the bonding region 352 by a printing method such as a screen printing method, and the applied glass material is baked.
  • the insulating materials 360 and 362 are formed. According to this, since the glass material can be provided uniformly on the first surface 302 of the substrate 300, the thickness of the insulating materials 360 and 362 can be easily adjusted to a desired thickness.
  • the glass material may be fired before joining the cap 200, which will be described later, or temporarily fired as needed before joining the cap 200, and then fired after joining the cap 200. May be. Further, the insulating materials 360 and 362 may cover the upper surface near the end of the electrode pattern 310.
  • the piezoelectric vibration element 100 is mounted on the first surface 302 of the substrate 300 (S13). Specifically, among the electrode patterns 310 on the first surface 302 of the substrate 300, conductive holding members 340 and 342 are applied to the connection electrodes 320 and 322, respectively, and the connection electrodes 124 and 134 of the piezoelectric vibration element 100 are electrically conductive. The conductive holding members 340 and 342 are cured by electrically connecting to the connection electrodes 320 and 322 of the substrate 300 via the holding members 340 and 342.
  • the cap 200 is bonded to the bonding region 352 of the first surface 302 of the substrate 300 via the bonding material 350 (S14).
  • a paste-like bonding material 350 can be provided on the opening edge 202 (see FIG. 2) of the cap 200 by dipping or the like, and then the cap 200 can be bonded to the substrate 300 via the bonding material 350.
  • a resin adhesive may be used for the bonding material 350.
  • the resin adhesive can be bonded at a relatively lower temperature than glass, and the thermal stress applied to the bonding surface of the substrate 300, the bonding material 350 and the cap 200 is small, and the deformation of the cap 200 is small. Further, when the cap 200 is a metal material, the resin adhesive is easily wetted and has good sealing properties. Further, a glass material may be used for the bonding material 350, and firing is performed after the cap is mounted. In this case, the melting point of the bonding material 350 is preferably lower than that of the insulating materials 360 and 362, and the low melting point glass having a temperature of about 300 ° C. to 360 ° C. can be used for simple and accurate bonding. In addition, the glass material can suppress moisture from entering the internal space 206 and can improve reliability.
  • the insulating material 360 and 362 are formed on the bonding region 352, so that the material of the bonding material 350 is uniformly introduced into the bonding region 352. It is possible to suppress the generation of voids in the bonding material 350. Accordingly, leakage defects can be reduced and electrical connection reliability can be improved.
  • FIG. 6 is a plan view of a piezoelectric vibration element mounting substrate according to a modification of the present embodiment
  • FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line VII-VII in FIG.
  • the piezoelectric vibrator according to this modification includes a piezoelectric vibration element mounting substrate 370, and the structure of the insulating material of the substrate 370 is different from the above.
  • insulating materials 380, 382, 384, and 386 are formed so that the entire electrode pattern 310 is exposed in the bonding region 352 on the first surface 302 of the substrate 370.
  • an insulating material 380 is formed on a substrate exposed portion on the X axis negative direction side
  • an insulating material 382 is formed on a substrate exposed portion on the Z ′ negative direction side.
  • An insulating material 384 is formed on the exposed portion of the substrate, and an insulating material 386 is formed on the exposed portion of the substrate on the Z′-axis positive direction side. As shown in FIG.
  • each of the insulating materials 380, 382, 384, 386 may not be in contact with the electrode pattern 310 and may be formed at a position away from the electrode pattern 310. That is, as shown in the cross-sectional view of FIG. 7, the first surface 302 of the substrate 370 may be exposed between the insulating material 380 and the electrode pattern 310.
  • the relatively large gap between the first surface 302 of the substrate 370 and the cap is partially filled, so that the material of the bonding material uniformly enters the bonding region 352, and bonding It is possible to suppress the generation of voids in the material. Therefore, also in this modification, it is possible to reduce leakage defects and improve electrical connection reliability.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view of a piezoelectric vibration element mounting substrate according to another modification.
  • the relationship between the electrode pattern on the substrate 390 and the insulating material 392 is different from that described above. That is, as shown in FIG. 8, the insulating material 392 covers the upper surface near the end of the lower layer 312 of the electrode pattern 310, and the layers 314 and 316 of the electrode pattern 310 cover the end of the insulating material 392. Good.
  • a method for forming such an insulating material 392 first, the lower layer 312 of the electrode pattern 310 is formed, and then the insulating material 392 is formed so as to cover the vicinity of the end of the lower layer 312, and then the layer of the electrode pattern 310 is formed.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view of a piezoelectric vibrator according to a modification of the present embodiment.
  • the configuration of the cap and the relative positional relationship between the cap and the insulating material are different from those in the above embodiment.
  • the cap 210 has a recess 214 that opens to face the first surface 302 of the substrate 300, and the cap 210 has a flange portion 218 that protrudes from the opening edge toward the opening edge from the opening center of the recess 214. May be. According to this, since the size of the surface of the flange portion 218 facing the first surface 302 of the substrate 300 is large, the bonding area between the cap 210 and the substrate 300 can be increased, and the bonding strength between the two is improved. be able to. In addition, since the joint area between the two is large, it is possible to improve the sealing performance of the internal space 216 in which the piezoelectric vibration element 100 is accommodated.
  • the inner wall 217 of the opening edge rising from the bottom surface of the recess 214 is located on the inner side (substrate center side) of the substrate 300 than the insulating materials 360 and 362.
  • the bonding material 354 may be interposed between the cap 210 and the substrate 300 on the inner side of the substrate 300 (the substrate center side) than the insulating materials 360 and 362. According to this, for example, when the bonding material 354 has a higher bonding strength to the substrate 300 than the insulating materials 360 and 362, the bonding strength between the cap 210 and the substrate 300 can be improved.
  • the bonding material 354 is a resin adhesive
  • the resin adhesive has a higher bonding strength in the substrate 300 made of ceramic than the insulating materials 360 and 362 made of glass
  • the bonding material 354 is a substrate. A region in direct contact with 300 is secured, and the bonding strength can be improved.
  • the bonding material 354 is interposed inside the substrate 300 (on the substrate center side), the bonding strength can be improved without spreading the bonding material 354 from the outer edge of the cap 210 to the outside.
  • the configuration of the relative positional relationship between the cap and the insulating material can also be applied to the cap 200 shown in FIG. 2 that does not have a flange portion, for example.
  • each embodiment described above is for facilitating understanding of the present invention, and is not intended to limit the present invention.
  • the present invention can be changed / improved without departing from the spirit thereof, and the present invention includes equivalents thereof.
  • those obtained by appropriately modifying the design of each embodiment by those skilled in the art are also included in the scope of the present invention as long as they include the features of the present invention.
  • each element included in each embodiment and its arrangement, material, condition, shape, size, and the like are not limited to those illustrated, and can be changed as appropriate.
  • each element included in each embodiment can be combined as much as technically possible, and combinations thereof are included in the scope of the present invention as long as they include the features of the present invention.
  • Piezoelectric vibrator 100 Piezoelectric vibration element 200 Cap 300 Substrate (Piezoelectric vibration element mounting substrate) 302 1st surface (mounting surface) 310 Electrode pattern 310a Dummy pattern 350 Bonding material 360 Insulating material 362 Insulating material

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Abstract

圧電振動子(1)は、圧電振動素子(100)と、搭載面(302)を有するとともに、搭載面(302)に電極パターン(310)が形成された基板(300)と、圧電振動素子(100)を密封封止するように、基板(300)の搭載面(302)に接合材(350)を介して接合されたキャップ(200)とを備え、電極パターン(310)は、圧電振動素子(100)が接続される接続電極(320,322)と、接続電極(320,322)から搭載面(302)の外縁に向かって引き出される引出電極(320a,322a)とを含み、基板(300)の搭載面(302)におけるキャップ(200)との接合領域(352)は、接続電極(320,322)を囲む全周に亘って設けられ、接合領域(352)において、電極パターン(310)の少なくとも一部が露出するように絶縁材(360,362)が形成されている。

Description

圧電振動素子搭載用基板並びに圧電振動子及びその製造方法
 本発明は、圧電振動素子搭載用基板並びに圧電振動子及びその製造方法に関する。
 発振装置や帯域フィルタなどに用いられる圧電振動子の一態様として、水晶片と、水晶片が表面に搭載された基板と、封止材を介して基板に接合された金属カバーとを備える構成が知られている(例えば特許文献1参照)。
 このような構成においては、引出端子が、水晶片が接続される基板中央の水晶保持端子からその外縁に向かって、基板と金属カバーとの接合領域をまたいで形成されるため、当該接合領域に引出端子による段差が発生し、かかる段差によって基板と金属カバーとの間に比較的大きなギャップが発生する。こうして形成されたギャップには、封止材が入り込みにくいため、基板と金属カバーとの接合領域において封止材内に空隙(気泡)が発生してしまい、リーク不良が発生するなど電気的な接続信頼性が損なわれることがあった。
特開2012-191648号公報
 本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、リーク不良の発生を抑制し、電気的な接続信頼性の向上を図ることを目的とする。
 本発明の一側面に係る圧電振動子は、圧電振動素子と、圧電振動素子が搭載された搭載面を有するとともに、搭載面に電極パターンが形成された基板と、圧電振動素子を密封封止するように、基板の搭載面に接合材を介して接合されたキャップとを備え、電極パターンは、圧電振動素子が接続される接続電極と、接続電極から搭載面の外縁に向かって引き出される引出電極とを含み、基板の搭載面におけるキャップとの接合領域は、接続電極を囲む全周に亘って設けられ、基板の搭載面におけるキャップとの接合領域において、電極パターンの少なくとも一部が露出するように絶縁材が形成されている。
 上記構成によれば、接合領域上に絶縁材が形成されるため、接合領域上における、電極パターンの部分と基板の部分との高低差を埋めることができ、接合材内に空隙が発生することを抑制することができる。したがって、リーク不良を低減することができ、電気的な接続信頼性の向上を図ることができる。
 上記圧電振動子において、絶縁材は電極パターンに接して形成されていてもよい。
 上記圧電振動子において、絶縁材は、搭載面の接合領域のうち、基板が露出した部分全体に形成されていてもよい。
 上記圧電振動子において、絶縁材の厚さは、電極パターンの厚さと同じであってもよい。
 上記圧電振動子において、絶縁材はガラスであってもよい。
 上記圧電振動子において、接合材は樹脂接着剤であってもよい。
 上記圧電振動子において、電極パターンは、圧電振動素子に電気的に接続されないダミーパターンをさらに含んでもよい。
 上記圧電振動子において、キャップは、基板の搭載面に対向して開口した凹部を有し、凹部の底面から立ち上がる開口縁の内壁が、絶縁材よりも基板の内側に位置しており、接合材は、絶縁材よりも基板の内側においてキャップと基板との間に介在してもよい。
 これによれば、例えば、接合材が絶縁材よりも基板に対する接合強度のほうが高い場合においてキャップと基板との接合強度を向上させることができる。また、接合材を基板の内側に介在させるため、接合材をキャップの外縁から外側に拡げることなく接合強度の向上を図ることができる。
 上記圧電振動子において、キャップは、凹部の開口中心から開口縁に向かって、開口縁から突出するフランジ部を有してもよい。
 これによれば、キャップと基板との接合面積を大きくすることができるため、キャップと基板との接合強度を向上させることができ、また封止性の向上も図ることができる。
 本発明の一側面に係る圧電振動子の製造方法は、(a)圧電振動素子を形成すること、(b)基板の搭載面に電極パターンを形成すること、(c)基板の搭載面に圧電振動素子を搭載すること、(d)圧電振動素子を密封封止するように、基板の搭載面に接合材を介してキャップを接合することを含み、電極パターンは、圧電振動素子が接続される接続電極と、接続電極から搭載面の外縁に向かって引き出される引出電極とを含み、基板の搭載面におけるキャップとの接合領域は、接続電極を囲む全周に亘って設けられ、(b)後であって(c)前において、基板の搭載面におけるキャップとの接合領域において、電極パターンの少なくとも一部が露出するように絶縁材を形成することをさらに含む。
 上記構成によれば、接合領域上に絶縁材を形成するため、接合領域上における、電極パターンの部分と基板の部分との高低差を埋めることができ、接合材内に空隙が発生することを抑制することができる。したがって、リーク不良を低減することができ、電気的な接続信頼性の向上を図ることができる。
 上記圧電振動子の製造方法において、(d)は、キャップを基板に接合する前に、キャップに接合材を設けることを含んでもよい。
 本発明の一側面に係る圧電振動素子搭載用基板は、圧電振動素子が搭載される搭載面を有するとともに、搭載面に電極パターンが形成された、圧電振動素子搭載用基板であって、電極パターンは、圧電振動素子が搭載されたときに圧電振動素子が接続される接続電極と、接続電極から搭載面の外縁に向かって引き出される引出電極とを含み、基板の搭載面には、接続電極を囲む全周に亘って、キャップと接合材を介して接合される接合領域が設けられており、基板の搭載面におけるキャップとの接合領域において、電極パターンの少なくとも一部が露出するように絶縁材が形成された。
 上記構成によれば、接合領域上に絶縁材が形成されるため、キャップを接合材を介して圧電振動素子搭載用基板に接合するときに、接合領域上における、電極パターンの部分と基板の部分との高低差を埋めることができ、接合材内に空隙が発生することを抑制することができる。したがって、リーク不良を低減することができ、電気的な接続信頼性の向上を図ることができる。
 本発明によれば、リーク不良の発生を抑制し、電気的な接続信頼性の向上を図ることができる。
図1は、本実施形態に係る圧電振動子の分解斜視図である。 図2は、図1のII-II線断面図である。 図3は、本実施形態に係る圧電振動素子搭載用基板の平面図である。 図4は、図3のIV-IV線断面図である。 図5は、本実施形態に係る圧電振動子の製造方法を示すフローチャートである。 図6は、本実施形態の変形例に係る圧電振動素子搭載用基板の平面図である。 図7は、図6のVII-VII線断面図である。 図8は、本実施形態の変形例に係る圧電振動素子搭載用基板の断面図である、 図9は、本実施形態の変形例に係る圧電振動子の断面図である。
 以下に本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の構成要素は同一又は類似の符号で表している。図面は例示であり、各部の寸法や形状は模式的なものであり、本願発明の技術的範囲を当該実施の形態に限定して解するべきではない。
 図1~図4を参照しつつ、本実施形態に係る圧電振動子を説明する。ここで、図1は、圧電振動子の分解斜視図であり、図2は図1のII-II線断面図である。また、図3は圧電振動素子搭載用基板の平面図であり、図4は図3のIV-IV線断面図である。なお、図1においては、図2に示される絶縁材及び接合材の図示を省略している。
 図1に示すように、本実施形態に係る圧電振動子1は、圧電振動素子100と、キャップ200と、基板300とを備える。キャップ200及び基板300は、圧電振動素子100を収容するためのケース又はパッケージである。
 圧電振動素子100は、圧電基板110と、圧電基板110に形成された第1及び第2励振電極120,130とを含む。第1励振電極120は、圧電基板110の第1面112に形成され、また、第2励振電極130は、圧電基板110の第1面112とは反対の第2面114に形成されている。
 圧電基板110は、所与の圧電材料から形成され、その材料は特に限定されるものではない。圧電基板110は、例えば水晶基板であってもよい。図1に示す例では、圧電振動素子100は、ATカット水晶基板である圧電基板110を有する水晶振動素子である。ATカットの水晶基板は、人工水晶の結晶軸であるX軸、Y軸、Z軸のうち、Y軸及びZ軸をX軸の周りにY軸からZ軸の方向に35度15分±1分30秒回転させた軸をそれぞれY´軸及びZ´軸とした場合、X軸及びZ´軸によって特定される面(以下、「XZ´面」と呼ぶ。他の軸によって特定される面についても同様である。)と平行な面を主面として切り出されたものである。図1に示す例では、ATカット水晶基板である圧電基板110は、Z´軸方向に平行な長手方向と、X軸方向に平行な短手方向と、Y´軸方向に平行な厚さ方向を有しており、XZ´面において略矩形形状をなしている。ATカット水晶基板を用いた水晶振動素子は、広い温度範囲で極めて高い周波数安定性を有し、また、経時変化特性にも優れて製造することが可能である。また、ATカット水晶振動素子は、厚みすべり振動モード(Thickness Shear Mode)を主振動として用いられることが多い。
 なお、本実施形態に係る圧電基板は上記に限定されるものではなく、例えば、X軸方向に平行な長手方向と、Z´軸方向に平行な短手方向とを有するATカット水晶基板を適用してもよいし、ATカット以外の異なるカットの水晶基板であってもよいし、又は、水晶以外のセラミックなどのその他の圧電材料を適用してもよい。
 第1励振電極120は、圧電基板110の第1面112(Y´軸正方向側のXZ´面)に形成され、また、第2励振電極130は、圧電基板110の第1面112とは反対の第2面114(すなわち、Y´軸負方向側のXZ´面)に形成されている。第1及び第2励振電極120,130は一対の電極であり、XZ´面において互いに略全体が重なり合うように配置されている。
 圧電基板110には、第1励振電極120に引出電極122を介して電気的に接続された接続電極124と、第2励振電極130に引出電極132を介して電気的に接続された接続電極134とが形成されている。具体的には、引出電極122は、第1面112において第1励振電極120からZ´軸負方向側短辺に向かって引き出され、さらに圧電基板110のZ´軸負方向側の側面を通って、第2面114に形成された接続電極124に接続されている。他方、引出電極132は、第2面114において第2励振電極130からZ´軸負方向側短辺に向かって引き出され、第2面114に形成された接続電極134に接続されている。接続電極124,134は、Z´軸負方向側の短辺に沿って配置され、これらの接続電極124,134は、後述する導電保持部材340,342を介して基板300に電気的導通を図るとともに機械的に保持される。なお、本実施形態において、接続電極124,134及び引出電極122,132の構成は限定されるものではなく、他の部材との電気的接続を考慮して適宜変更することができる。
 第1及び第2励振電極120,130を含む上記各電極は、例えば、下地をクロム(Cr)層で形成し、クロム層の表面に金(Au)層を形成してもよく、その材料は限定されるものではない。
 キャップ200は、基板300の第1面302に対向するように開口された凹部204を有する。また、キャップ200は、凹部204の開口縁部202を有する。開口縁部202は、凹部204の底面から垂直に立ち上がるように形成されてもよい。キャップ200の材料は限定されるものではなく、金属材料、絶縁材料又はこれらの複合材料のいずれであってもよい。
 基板300は、圧電振動素子100が搭載される搭載面(第1面302)を有する圧電振動素子搭載用基板である。基板300は、XZ´面において略矩形形状をなしている。基板300は、例えば絶縁性セラミックで形成されてもよい。あるいは、基板300は、ガラス材料(例えばケイ酸塩ガラス、又はケイ酸塩以外を主成分とする材料であって、昇温によりガラス転移現象を有する材料)、水晶材料(例えばATカット水晶)又はガラスエポキシ材料などで形成してもよい。基板300は耐熱性材料から構成されることが好ましい。基板300は、単層であっても複数層であってもよく、また、本体部分とその上に形成された絶縁膜とを有していてもよい。図2に示すように、キャップ200及び基板300の両者が接合されることによって、圧電振動素子100が、キャップ200の凹部204と基板300とによって囲まれた内部空間(キャビティ)206に密封封止される。図2に示す例では、圧電振動素子100は、その一方端(導電保持部材340,342側の端部)が固定端であり、その他方端が自由端となっている。
 図1に示すように、基板300の第1面302には、電極パターン310が形成されている。電極パターン310は、圧電振動素子100が接続される接続電極320,322と、接続電極320,322から第1面302の外縁に向かって引き出される引出電極320a,322aとを含む。
 接続電極320,322は、圧電振動素子100を基板300の略中央に配置することができるように、基板300の外縁よりも内側に配置されている。接続電極320には、導電保持部材340を介して、圧電振動素子100の接続電極124が接続され、他方、接続電極322には、導電保持部材342を介して、圧電振動素子100の接続電極134が接続される。
 引出電極320aは、接続電極320から基板300のいずれか1つのコーナー部に向かって引き出され、他方、引出電極322aは、接続電極322から基板300の他の1つのコーナー部に向かって引き出されている。また、基板300の各コーナー部には、複数の外部電極330,332,334,336が形成されており、図1に示す例では、引出電極320aがX軸負方向及びZ´軸負方向側のコーナー部に形成された外部電極330に接続され、他方、引出電極322aがX軸正方向及びZ´軸正方向側のコーナー部に形成された外部電極332に接続されている。
 本実施形態では、電極パターン310は、ダミーパターン310aをさらに含む。ダミーパターン310aは、圧電振動素子100の第1及び第2励振電極120,130とは電気的に接続されることがないパターンであり、他の電極と同じ導電材料によって形成されている。ダミーパターン310aは、残りのコーナー部(圧電振動素子100と電気的に接続された外部電極330,332が配置されたコーナー部以外のコーナー部)付近に形成され、他の外部電極334,336と接続されている。ダミーパターン310aは、圧電振動子1が実装される実装基板(図示しない)に設けられた端子(他のいずれの電子素子とも接続されない端子)に電気的に接続されてもよい。このようなダミーパターン310aを形成することにより、外部電極を形成するための導電材料の付与が容易になる。また、全てのコーナー部に外部電極を形成することによって、圧電振動子を他の部材に電気的に接続する処理工程も容易となる。
 図1に示す例では、基板300のコーナー部は、その一部が円筒曲面状(キャスタレーション形状とも呼ばれる。)に切断して形成された切り欠き側面を有しており、外部電極330,332,334,336は、このような切り欠き側面及び第2面304にかけて連続的に形成されている。なお、基板300のコーナー部の形状はこれに限定されるものではなく、切り欠きの形状は平面状であってもよいし、切り欠きがなく、コーナー部の角が残っていてもよい。
 なお、電極パターン310及び外部電極は、上記構成に限定されるものではなく、様々に変形して適用することができる。例えば、電極パターン310の接続電極320,322は、一方がZ´軸正方向側に形成され、他方がZ´軸負方向側に形成されるなど、互いに異なる側に配置されていてもよい。このような構成においては、圧電振動素子100は、長手方向の一方端及び他方端の両方において基板300に支持されることになる。また、外部電極の個数は4つに限るものではなく、例えば対角上に配置された2つであてもよい。また、外部電極はコーナー部に配置されたものに限らず、コーナー部を除く基板300のいずれかの側面に形成されてもよい。この場合、既に説明したとおり、側面の一部を円筒曲面状に切断した切り欠き側面を形成し、コーナー部を除く当該側面に外部電極を形成してもよい。さらに、ダミーパターン310a及びそれに接続される他の外部電極334,336の形成を省略してもよい。
 図1に示すような圧電振動子1においては、外部電極330,332を介して、圧電振動素子100における一対の第1及び第2励振電極120,130の間に交流電圧を印加することにより、厚みすべり振動モードなどの所定の振動モードで圧電基板110が振動し、該振動に伴う共振特性が得られる。
 図3に示すように、本実施形態においては、基板300の第1面302におけるキャップ200との接合領域352において、電極パターン310の少なくとも一部が露出するように絶縁材360,362が形成されている。絶縁材360,362は、電極パターン310の形成によって第1面302上に生じた段差、すなわち、第1面302上における、電極パターン310の部分と、基板300の部分との高低差を少なくとも部分的に埋めるものである。
 詳述すると、キャップ200は、圧電振動素子100を密封封止するように基板300の第1面302に接合されるため、接合領域352は、電極パターン310の接続電極320,322を囲む全周に亘って設けられる。圧電振動素子100の外部電極330,332,334,336が基板300の外縁に形成される場合、第1面302上の電極パターン310の引出電極320a,322aは、接合領域352を横断して形成されることから、接合領域352には少なくとも引出電極320a,322aによる段差が発生する。また、第1面302上にダミーパターン310aも形成した場合には、ダミーパターン310aの一部が接合領域352に配置される場合もあり、併せてダミーパターン310aによる段差も発生する。これらの段差により、接合領域352における基板300が露出した部分上は、キャップ200との間に比較的大きなギャップ(空間)が発生することになるが、かかるギャップには接合材350が入り込みにくい場合があり、キャップ200が接合材350を介して基板300に接合されるときに、接合領域352上に接合材350の材料が充填しきれず空隙(気泡)が残る可能性がある。
 そこで、本実施形態では、接合領域352において、電極パターン310の少なくとも一部が露出するように絶縁材360,362を形成する。これにより、基板300の第1面302とキャップ200との間の比較的大きなギャップが少なくとも部分的に埋められるため、接合材350の材料が接合領域352に均一に入り込み、接合材350内に空隙が発生することを抑制することができる。したがって、リーク不良を低減することができ、電気的な接続信頼性の向上を図ることができる。
 図3に示す例では、接合領域352のうち、Z´軸負方向及びX軸正方向の側の露出部分に絶縁材360が一体的に形成され、Z´軸正方向及びX軸負方向の側の露出部分に絶縁材362が一体的に形成され、これにより、絶縁材360,362が、接合領域352のうち基板300が露出した部分全体に形成されている。このような構成によれば、電極パターン310から露出した部分全体に絶縁材360,362が形成されることから、接合材350の材料が接合領域352により均一に入り込み、接合材350の空隙の発生を効果的に抑制することができる。
 図3に示すように、絶縁材360,362は、電極パターン310に接して形成されていてもよい。例えば、絶縁材360,362が、引出電極320a,322a及びダミーパターン310aの端部付近の上面を覆って形成されていてもよい。
 また、絶縁材360,362の厚さ(基板300の第1面302からの高さ)は、電極パターン310の厚さ(例えば20μm程度)と実質的に同じであってもよい。図4に示す例では、電極パターン310は、複数層312,314,316(例えば基板側からAg層,Ni層及びAu層)から構成され、基板300から電極パターン310の上面までの厚みと、基板300から絶縁材362の上面までの厚みが同じとなっている。このような構成によれば、電極パターン310の上面と絶縁材362の上面とが面一となるため、接合材350の材料が接合領域352にさらに均一に入り込むことから、接合材350内の空隙の発生をさらに効果的に抑制することができる。なお、図4に示すように、絶縁材362が電極パターン310の端部付近の上面を覆う場合、絶縁材362のうち電極パターン310上の部分を、下層の電極パターン310の厚さ分だけ薄く形成することによって、電極パターン310の上面と絶縁材362の上面とを面一とすることができる。
 絶縁材360,362は、例えばガラス材料(例えば鉛ホウ酸系や錫リン酸系等の低融点ガラス)によって形成することができる。ガラス材料からなる絶縁材360,362を用いることによって、セラミックなどの基板300との密着強度を向上させることができる。あるいは、絶縁材360,362は、ガラス材料に限らず、その他の無機系の材料や樹脂などの有機系の材料を用いてもよい。
 接合材350は、例えば樹脂接着剤を用いることができる。接合材350としての樹脂接着剤は、熱硬化性樹脂であってもよく、例えばエポキシ樹脂を主成分とするエポキシ系接着剤であってもよい。あるいは、接合材350は、ガラス材料などの無機系の材料を用いてもよい。接合材350及び絶縁材360,362をいずれもガラス材料とした場合、それらを別々に焼成して形成すると、接合材350と絶縁材360,362との間に界面が形成され、両者は互いに別体のガラス層として設けられることになる。
 以上のとおり、本実施形態に係る圧電振動子1又は圧電振動素子搭載用基板(基板300)によれば、接合領域352上に絶縁材360,362が形成されるため、接合材350の材料が接合領域352に均一に入り込み、接合材350内に空隙が発生することを抑制することができる。したがって、リーク不良を低減することができ、電気的な接続信頼性の向上を図ることができる。
 なお、絶縁材の構成は上記内容に限定されるものではなく様々に変形して適用することが可能である。
 例えば、上記態様においては、絶縁材360,362が、接合領域352のうち基板300が露出した部分全体に形成された例を示したが、変形例として、絶縁材が接合領域352のうち基板300が露出した部分の一部に形成されていてもよい(後述の変形例参照)。また、上記態様においては、幅方向と長さ方向を有する枠状の接合領域352において、その長さ方向に沿って、絶縁材360,362と電極パターン310とが連続的に設けられる例を示したが、変形例として、絶縁材と電極パターン310とが一部において互いに離れて位置していてもよい。また、変形例として、絶縁材の一部が接合領域352の外側に延出していてもよい。また、上記態様においては、接合領域352において、電極パターン310の一部が露出するように絶縁材360,362が形成された例を示したが、変形例として、接合領域352において、電極パターン310の全部が露出するように絶縁材が形成されていてもよい(後述の変形例参照)。さらに、絶縁材の厚さは上記に限定されるものではなく、例えば電極パターン310の厚さよりも若干薄くても厚くても構わない。
 また、図2に示す例では、接合材350は、絶縁材360の上面に設けられた態様として、接合材350の領域と絶縁材360の領域とが一致している態様を示したが、変形例として、接合材350は絶縁材360の領域の一部に設けられ、これにより絶縁材360の他の一部が接合材350から露出していてもよい。あるいは、接合材350は、絶縁材360の上面の全体を覆い、さらに、基板300の第1面302に接する部分を有するように絶縁材360の外側に至るように設けられていてもよい。
 次に、図5のフローチャートに基づいて本実施形態に係る圧電振動子の製造方法を説明する。
 まず、圧電振動素子100を形成する(S10)。圧電振動素子100として水晶振動素子を形成する場合、まず、水晶材料を人工水晶又は天然水晶の原石から所定のカット角でウエハ状に切り出し、ダイシング又はエッチングすることによって所定の矩形の外形形状に形成し、その後、スパッタ法又は真空蒸着法等によって第1及び第2励振電極120,130をはじめとする各種電極を形成する(図1参照)。
 次に、基板300の第1面302に電極パターン310を形成する(S11)具体的には、例えば、ペースト状の導電材料を基板300の第1面302の所定領域に塗布し、塗布した導電材料を焼成することによって電極パターン310を形成する。電極パターン310がダミーパターン310aを含む場合は、接続電極320,322及び引出電極320a,322aと同様に、ダミーパターン310aも形成する。また、電極パターン310は、スパッタ法又は真空蒸着法等によっても形成することができる。より具体的には、電極パターン310の基板300への形成は、層312をペースト状の導電材料を塗布後焼成して形成し、その後、層314、316をめっきで形成する。
 次に、基板300の第1面302におけるキャップ200との接合領域352に、絶縁材360,362を形成する(S12)。例えば、絶縁材360,362がガラス材料からなる場合、スクリーン印刷法などの印刷法によって、接合領域352のうち電極パターン310から露出する部分にガラス材料を塗布し、塗布したガラス材料を焼成することによって絶縁材360,362を形成する。これによれば、ガラス材料を基板300の第1面302上に均一に設けることができるため、絶縁材360,362の厚さを所望の厚さに容易に調整することができる。なお、ガラス材料は、後述のキャップ200の接合前に焼成してもよいし、あるいは、キャップ200の接合する前に必要に応じて仮焼成をしておき、キャップ200を接合した後に本焼成をしてもよい。また、絶縁材360,362は、電極パターン310の端部付近の上面を覆っていてもよい。
 そして、基板300の第1面302に圧電振動素子100を搭載する(S13)。具体的には、基板300の第1面302上の電極パターン310のうち、接続電極320,322にそれぞれ導電保持部材340,342を塗布し、圧電振動素子100の接続電極124,134を、導電保持部材340,342を介して基板300の接続電極320,322に電気的に接続させ、導電保持部材340,342を硬化させる。
 その後、基板300の第1面302の接合領域352に接合材350を介してキャップ200を接合する(S14)。例えば、ディッピング法などによってペースト状の接合材350をキャップ200の開口縁部202(図2参照)に設け、その後、キャップ200を、接合材350を介して基板300に接合することができる。接合材350には、樹脂接着剤を用いてもよく、キャップ搭載後、150℃から180℃程度で加熱し硬化させることによって、キャップ200と基板300とを接合する。樹脂接着剤はガラスよりも比較的低温で接合でき、基板300の接合面、接合材350及びキャップ200にかかる熱応力が小さく、キャップ200の変形が小さい。また、キャップ200が金属材料である場合は樹脂接着剤が濡れ易く封止性がよい。また、接合材350には、ガラス材料を用いてもよく、キャップ搭載後、焼成する。この場合、接合材350の融点は絶縁材360,362よりも低いことが好ましく、300℃から360℃程度である低融点ガラスを用いることで、簡便に精度よく接合することができる。また、ガラス材料は湿気の内部空間206への侵入を抑制でき、信頼性の向上を図ることができる。
 本実施形態に係る圧電振動子の製造方法によれば、既に詳述したとおり、接合領域352上に絶縁材360,362を形成するため、接合材350の材料を接合領域352に均一に入り込ませることが可能となり、接合材350内に空隙が発生することを抑制することができる。したがって、リーク不良を低減することができ、電気的な接続信頼性の向上を図ることができる。
 本発明は、上記実施形態に限定されることなく種々に変形して適用することが可能である。図6は本実施形態の変形例に係る圧電振動素子搭載用基板の平面図であり、図7は図6のVII-VII線断面図である。なお、以下の説明においては上記内容と異なる点を説明することとし、上記内容と同じ構成については図中において同一の符号を付している。
 本変形例に係る圧電振動子は、圧電振動素子搭載用基板370を備え、この基板370は絶縁材の構成が上記内容と異なっている。
 本変形例においては、基板370の第1面302における接合領域352において、電極パターン310の全部が露出するように、絶縁材380,382,384,386が形成されている。具体的には、接合領域352のうち、X軸負方向側の基板露出部分に絶縁材380が形成され、Z´負方向側の基板露出部分に絶縁材382が形成され、X軸正方向側の基板露出部分に絶縁材384が形成され、さらにZ´軸正方向側の基板露出部分に絶縁材386が形成されている。図6に示すように、それぞれの絶縁材380,382,384,386は、いずれも電極パターン310に接しておらず、電極パターン310から離れた位置に形成されていてもよい。すなわち、図7の断面図に示されるように、絶縁材380と電極パターン310との間に基板370の第1面302が露出していてもよい。
 本変形例によれば、基板370の第1面302とキャップとの間の比較的大きなギャップが、部分的に埋められることになるため、接合材の材料が接合領域352に均一に入り込み、接合材内に空隙が発生することを抑制することができる。したがって、本件変形例においても、リーク不良を低減することができ、電気的な接続信頼性の向上を図ることができる。
 図8は、他の変形例に係る圧電振動素子搭載用基板の断面図である。この例においては、基板390上の電極パターンと絶縁材392との関係が上記態様と異なっている。すなわち、図8に示すように、絶縁材392は、電極パターン310の下層312の端部付近の上面を覆い、電極パターン310の層314、316が絶縁材392の端部を覆うようにしてもよい。このような絶縁材392の形成方法としては、まず、電極パターン310の下層312を形成し、次いで、絶縁材392を下層312の端部付近を覆うように形成し、その後、電極パターン310の層314,316を絶縁材392の端部を覆うように形成すればよい。かかる態様によれば、電極パターン310の各層と絶縁材392とを交互に形成するため、絶縁材392と電極パターン310の接続部分における窪み発生をより確実に抑制することができる。
 図9は、本実施形態の変形例に係る圧電振動子の断面図である。図9に示す例では、キャップの構成、及び、キャップと絶縁材との相対的な位置関係が上記態様と異なっている。
 キャップ210は、基板300の第1面302に対向して開口した凹部214を有しており、キャップ210は、凹部214の開口中心から開口縁に向かって開口縁から突出するフランジ部218を有してもよい。これによれば、フランジ部218は、基板300の第1面302に対向する面のサイズが大きいため、キャップ210と基板300との接合面積を大きくすることができ、両者の接合強度を向上させることができる。また、両者の接合面積が大きいことから、圧電振動素子100が収容される内部空間216の封止性の向上も図ることができる。
 図9に示す例では、キャップ210は、凹部214の底面から立ち上がる開口縁の内壁217が、絶縁材360,362よりも基板300の内側(基板中心側)に位置している。そして、接合材354は、絶縁材360,362よりも基板300の内側(基板中心側)においてキャップ210と基板300との間に介在してもよい。これによれば、例えば、接合材354が絶縁材360,362よりも基板300に対する接合強度のほうが高い場合において、キャップ210と基板300との接合強度を向上させることができる。例えば、接合材354が樹脂接着剤の場合、樹脂接着剤はガラスからなる絶縁材360,362よりもセラミックからなる基板300のほうが接合強度が高いため、かかる態様によれば、接合材354が基板300と直接接触する領域が確保され、接合強度の向上を図ることができる。また、接合材354を基板300の内側(基板中心側)に介在させるため、接合材354をキャップ210の外縁から外側に拡げることなく接合強度の向上を図ることができる。なお、かかるキャップと絶縁材との相対的な位置関係の構成は、例えばフランジ部を有していない図2に示されるキャップ200に適用することも可能である。
 なお、以上説明した各実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更/改良され得るととともに、本発明にはその等価物も含まれる。即ち、各実施形態に当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。例えば、各実施形態が備える各要素およびその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。また、各実施形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
   1 圧電振動子
 100 圧電振動素子
 200 キャップ
 300 基板(圧電振動素子搭載用基板)
 302 第1面(搭載面)
 310 電極パターン
 310a ダミーパターン
 350 接合材
 360 絶縁材
 362 絶縁材

Claims (12)

  1.  圧電振動素子と、
     前記圧電振動素子が搭載された搭載面を有するとともに、前記搭載面に電極パターンが形成された基板と、
     前記圧電振動素子を密封封止するように、前記基板の前記搭載面に接合材を介して接合されたキャップと
    を備え、
     前記電極パターンは、前記圧電振動素子が接続される接続電極と、当該接続電極から前記搭載面の外縁に向かって引き出される引出電極とを含み、
     前記基板の前記搭載面における前記キャップとの接合領域は、前記接続電極を囲む全周に亘って設けられ、
     前記基板の前記搭載面における前記キャップとの接合領域において、前記電極パターンの少なくとも一部が露出するように絶縁材が形成された、圧電振動子。
  2.  前記絶縁材は前記電極パターンに接して形成された、請求項1記載の圧電振動子。
  3.  前記絶縁材は、前記搭載面の前記接合領域のうち、前記基板が露出した部分全体に形成された、請求項1又は2に記載の圧電振動子。
  4.  前記絶縁材の厚さは、前記電極パターンの厚さと同じである、請求項1から3のいずれか一項に記載の圧電振動子。
  5.  前記絶縁材はガラスである、請求項1から4のいずれか一項に記載の圧電振動子。
  6.  前記接合材は樹脂接着剤である、請求項1から5のいずれか一項に記載の圧電振動子。
  7.  前記電極パターンは、前記圧電振動素子に電気的に接続されないダミーパターンをさらに含む、請求項1から6のいずれか一項に記載の圧電振動子。
  8.  前記キャップは、前記基板の前記搭載面に対向して開口した凹部を有し、
     前記凹部の底面から立ち上がる開口縁の内壁が、前記絶縁材よりも前記基板の内側に位置しており、
     前記接合材は、前記絶縁材よりも前記基板の内側において前記キャップと前記基板との間に介在する、請求項1から7のいずれか一項に記載の圧電振動子。
  9.  前記キャップは、前記凹部の開口中心から前記開口縁に向かって、前記開口縁から突出するフランジ部を有する、請求項1から8のいずれか一項に記載の圧電振動子。
  10.  (a)圧電振動素子を形成すること、
     (b)基板の搭載面に電極パターンを形成すること、
     (c)前記基板の前記搭載面に圧電振動素子を搭載すること、
     (d)前記圧電振動素子を密封封止するように、前記基板の前記搭載面に接合材を介してキャップを接合すること
    を含み、
     前記電極パターンは、前記圧電振動素子が接続される接続電極と、当該接続電極から前記搭載面の外縁に向かって引き出される引出電極とを含み、
     前記基板の前記搭載面における前記キャップとの接合領域は、前記接続電極を囲む全周に亘って設けられ、
     前記(b)後であって前記(c)前において、前記基板の前記搭載面における前記キャップとの接合領域において、前記電極パターンの少なくとも一部が露出するように絶縁材を形成することをさらに含む、圧電振動子の製造方法。
  11.  前記(d)は、前記キャップを前記基板に接合する前に、前記キャップに前記接合材を設けることを含む、請求項10記載の圧電振動子の製造方法。
  12.  圧電振動素子が搭載される搭載面を有するとともに、前記搭載面に電極パターンが形成された、圧電振動素子搭載用基板であって、
     前記電極パターンは、前記圧電振動素子が搭載されたときに当該圧電振動素子が接続される接続電極と、当該接続電極から前記搭載面の外縁に向かって引き出される引出電極とを含み、
     前記基板の前記搭載面には、前記接続電極を囲む全周に亘って、キャップと接合材を介して接合される接合領域が設けられており、
     前記基板の前記搭載面における前記キャップとの接合領域において、前記電極パターンの少なくとも一部が露出するように絶縁材が形成された、圧電振動素子搭載用基板。
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