JP7454141B2 - 圧電振動子及び圧電振動子の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、圧電振動子及び圧電振動子の製造方法に関する。

従来、圧電振動素子を基板に搭載し、圧電振動素子を封止する封止空間を形成するように、蓋部材を基板に接合することを含む、圧電振動子の製造方法が知られている。

例えば、特許文献１には、上記圧電振動子の製造方法において、基体の主面にガラス成分を含む電極材料を印刷して焼成することで電極を形成した後に、その電極上に絶縁枠を形成してから、電極に対してめっき処理を行うことが開示されている。

特許第５７０４２３１号公報

上記構成においては、電極を焼成することにより電極の表面にはガラスフリット層が形成される。ガラスフリット層は、電極の表面と絶縁枠の裏面との間に存在する。また、電極材料に含まれたガラス成分が析出する場合、電極の短手方向の中央部に析出したガラスが電極の短手方向の両端部に流れ込みやすい。その結果、電極の短手方向の両端部に対応するガラスフリット層の両端部の厚みは、電極の短手方向の中央部に対応するガラスフリット層の中央部の厚みよりも大きい。こうして、ガラスフリット層はめっき液によって除去されるため、絶縁枠と電極との間に形成された空間も同様に、電極の短手方向の両端部に対応する空間中央部の寸法は、電極の短手方向の中央部に対応する空間両端部の寸法よりも大きい。

このような形状を有する空間をめっき金属層によって埋めるためには、めっき処理に必要以上に時間がかかってしまうことになり、他方で、めっき処理の時間が不十分であると、封止空間の密閉性が損なわれる場合がある。

本発明はこのような事情に鑑みて発明されたものであり、本発明の目的は、良好な密閉性及び生産性を得ることができる圧電振動子及び圧電振動子の製造方法を提供することである。

本発明の一側面に係る圧電振動子は、圧電振動素子と、圧電振動素子が導電性保持部材を介在して搭載された主面を有する基板と、圧電振動素子を封止する封止空間を形成するように基板に接合された蓋部材と、を備え、基板は、主面に設けられかつ圧電振動素子に電圧を供給する第１電極と、主面の平面視において、圧電振動素子を囲んで設けられかつ第１電極の一部を覆うように設けられた絶縁枠と、主面の平面視において、絶縁枠と第１電極との継ぎ目部を覆うように設けられた第２電極と、を有する。

本発明によれば、良好な密閉性及び生産性を得ることができる圧電振動子及び圧電振動子の製造方法を提供することが可能となる。

本実施形態に係る水晶振動子の構成を示す斜視図である。 図１のＩＩ－ＩＩ線断面図である。 本実施形態に係る水晶振動子の接続電極及び封止電極を説明するための拡大図である。 図３のＩＶ－ＩＶ線断面図である。 図３のＶ－Ｖ線断面図である。 本実施形態に係る水晶振動子の製造方法を説明するためのフローチャート図である。 図６のステップＳ１０の詳細を説明するためのフローチャートである。 図７のステップＳ１４が行われた場合に係る接続電極及び封止電極の状態を示す図である。 図８のＩＸ－ＩＸ線断面図である。 図８のＸ－Ｘ線断面図である。 比較例に係る水晶振動子の封止状態を示す図である。

以下に本発明の実施形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の構成要素は同一又は類似の符号で表している。図面は例示であり、各部の寸法や形状は模式的なものであり、本願発明の技術的範囲を前記実施形態に限定して解するべきではない。

＜水晶振動子１の概要＞
まず、図１及び図２を参照しつつ、本実施形態に係る水晶振動子（Ｑｕａｒｔｚ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ Ｕｎｉｔ）１の構成を説明する。図１は、水晶振動子１の構成を示す斜視図である。図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線断面図である。以下の説明では、図２に示す水晶振動子１の状態を「組立状態」と呼ぶことがある。

本実施形態に係る水晶振動子１は、圧電振動子の一例である。水晶振動子１は、水晶振動素子（Ｑｕａｒｔｚ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）１０と、蓋部材２０と、基板３０と、を備える。また、水晶振動子１は、絶縁層４２と、接合部材４３と、導電性保持部材４５と、を備える。

組立状態において、水晶振動素子１０は、図２に示すように、水晶振動素子１０の長手方向の一端側に設けられた導電性保持部材４５を介して、基板３０に搭載されている。蓋部材２０は、絶縁層４２及び接合部材４３を介して、水晶振動素子１０を覆うように基板３０と接合されている。こうして、水晶振動素子１０が、蓋部材２０及び基板３０によって構成される箱状容器の内部にある封止空間Ｓに封止されている。

また、組立状態において、水晶振動子１の各構成、すなわち、水晶振動素子１０、蓋部材２０、及び基板３０のそれぞれの長手方向、短手方向、及び厚み方向は、図１に示されているＸ軸方向、Ｚ´軸方向、及びＹ´軸方向と一致している。

＜水晶振動子１の詳細＞
次に、図１乃至図５を参照しつつ、水晶振動子１の各構成について詳細に説明する。図３は、水晶振動子１の接続電極３５ａ，３５ｂ及び封止電極３６ａ，３６ｂを説明するための拡大図である。図４は、図３のＩＶ－ＩＶ線断面図である。図５は、図３のＶ－Ｖ線断面図である。なお、図１及び図２において、水晶振動素子１０及び基板３０の一部電極、の図示は省略されている。また、図１に示すように、後述する接続電極３５ａの第１端３５１ａ及び接続電極３５ｂの第１端３５１ｂが設けられた基板３０の２つの角部の構成は同じであるため、図３乃至図５は、両者を合わせて表示している。また、図８乃至図１０も、同様の方法で表示している。

［水晶振動素子１０］
水晶振動素子１０は、圧電振動素子の一例であり、板状をなしている。また、水晶振動素子１０は、水晶片１１と、水晶片１１に設けられている複数の電極と、を備える。水晶振動素子１０の複数の電極は、励振電極１４ａ，１４ｂと、接続電極１５ａ，１５ｂと、引出電極１６ａ，１６ｂと、を含む。

水晶片１１は、圧電片の一例であり、例えば、ＡＴカットの水晶基板である。ＡＴカットの水晶基板は、Ｘ軸及びＺ’軸によって特定される面と平行な面が主面となり、Ｙ’軸と平行な方向が厚みとなるように形成されている。ＡＴカットの水晶片１１を採用する水晶振動素子１０は、厚みすべり振動モードを主要振動とする。なお、水晶片１１のカット角度は限定されるものではなく、例えば、ＢＴカット、ＧＴカット又はＳＣカット等を適用することもできる。

また、水晶片１１は、板状部材である。図１及び図２に示す例では、水晶片１１は、直方体をなしている。なお、水晶片１１は、水晶片の形状は直方体に限定されないものではなく、例えば、中央部が厚くて周辺が薄いメサ構造であってもよい。また、水晶片１１は、厚み方向の両側にある主面１２ａ，１２ｂと、複数の側面１２ｃと、を有する。

励振電極１４ａ，１４ｂは、電圧が印加されることで水晶片１１を厚みすべり振動をさせるための電極である。励振電極１４ａ，１４ｂは、図１に示すように、主面１２ａ，１２ｂのそれぞれの中央に設けている。また、励振電極１４ａ，１４ｂは、同じ材料によって構成された金属膜である。本実施形態では、励振電極１４ａ，１４ｂは、例えば、アルミニウム、銀、銅、金等の金属や、これらの金属のうちの一種以上を含む電極材料によって構成された金属膜である。また、後述する水晶振動子１の他の電極は、励振電極１４ａ，１４ｂと同じ材料によって構成されている。

接続電極１５ａ，１５ｂは、水晶振動素子１０を基板３０に電気的に接続するための端子である。接続電極１５ａ，１５ｂは、図１及び図２に示すように、主面１２ｂの一方側の端部に、互いに間隔をあけて設けられている。

引出電極１６ａ，１６ｂは、励振電極１４ａ，１４ｂを接続電極１５ａ，１５ｂに電気的に接続するための電極である。引出電極１６ａ，１６ｂは、図１及び図２に示すように、励振電極１４ａ，１４ｂを接続電極１５ａ，１５ｂのそれぞれに接続させるように、主面１２ａ，１２ｂ及び側面１２ｃに設けられている。

［基板３０］
基板３０は、水晶振動素子１０を搭載するための構成の一例であり、板状をなしている。基板３０は、図１及び図２に示すように、基体３１と、基体３１に設けられた絶縁枠３３と、基体３１に設けられた複数の基板電極と、を有する。基板３０の複数の基板電極は、接続電極３５ａ，３５ｂ，３５ｃ，３５ｄと、封止電極３６ａ，３６ｂと、外部電極３７ａ，３７ｂ，３７ｃ，３７ｄと、側面電極３８ａ，３８ｂ，３８ｃ，３８ｄと、を含む。それらの基板電極の表面には、めっき金属層３４ａ，３４ｂが設けられている。

（基体３１）
基体３１は、絶縁材料、例えばセラミックによって構成されている。基体３１は、板状部材である。また、基体３１は、図１及び図２に示すように、厚み方向の両側にある主面３２ａ，３２ｂと、複数の側面３２ｃと、を有する。主面３２ａは、組立状態において、封止空間Ｓに向かい、水晶振動素子１０が導電性保持部材４５を介在して搭載される主面である。主面３２ｂは、図示しない外部の実装基板に向かう面である。

また、主面３２ａは、図１に示すように、周縁部３２１と、周縁部３２１によって囲まれた中央部３２２と、を有する。周縁部３２１は、基板３０と蓋部材２０とを接合するための領域である。中央部３２２は、水晶振動素子１０を搭載するための領域である。

（接続電極３５、外部電極３７、側面電極３８）
接続電極３５ａ，３５ｂは、第１電極の一例である。また、接続電極３５ａ，３５ｂは、水晶振動素子１０の励振電極１４ａ，１４ｂに電圧を供給するための電極である。接続電極３５ａ，３５ｂは、主面３２ａに設けられている。組立状態において、接続電極３５ａ，３５ｂは、図２に示すように、導電性保持部材４５ａ，４５ｂを介して接続電極１５ａ，１５ｂと電気的に接続されている。こうして、接続電極３５ａ，３５ｂは、導電性保持部材４５ａ，４５ｂ及び接続電極１５ａ，１５ｂを介して、励振電極１４ａ，１４ｂに電圧を供給することができる。

また、接続電極３５ａ，３５ｂは、図１に示すように、周縁部３２１に設けられた第１端３５１ａ，３５１ｂと、中央部３２２に設けられた第２端３５２ａ，３５２ｂと、を有する。組立状態において、第１端３５１ａ，３５１ｂは、図３に示すように、絶縁枠３３と接触する。第２端３５２ａ，３５２ｂは、図１及び図２に示すように、水晶振動素子１０の接続電極１５ａ，１５ｂに対応する位置に設けられ、導電性保持部材４５ａ，４５ｂと接触する。

接続電極３５ｃ，３５ｄは、水晶振動素子１０に電圧を供給するための電極ではなく、いわゆるダミー電極である。あるいは、接続電極３５ｃ，３５ｄは、接地電圧を供給する電極であってもよい。接続電極３５ｃ，３５ｄは、図１に示すように、周縁部３２１に設けられている。組立状態において、接続電極３５ｃ，３５ｄは、絶縁枠３３と接触する。

外部電極３７ａ，３７ｂ，３７ｃ，３７ｄは、外部の実装基板と電気的に接続するための端子である。具体的には、外部電極３７ａ，３７ｂは、水晶振動素子１０に電圧を供給するための電極である。外部電極３７ｃ，３７ｄは、水晶振動素子１０に電圧を供給するための電極ではなく、いわゆるダミー電極である。あるいは、外部電極３７ｃ，３７ｄは、接地電圧を供給する電極であってもよい。また、外部電極３７ａ，３７ｂ，３７ｃ，３７ｄは、図１に示すように、主面３２ｂの４つの角部に設けられている。

側面電極３８ａ，３８ｂ，３８ｃ，３８ｄは、接続電極３５ａ，３５ｂ，３５ｃ，３５ｄを外部電極３７ａ，３７ｂ，３７ｃ，３７ｄに電気的に接続するための電極である。側面電極３８ａ，３８ｂ，３８ｃ，３８ｄは、図１に示すように、側面３２ｃの４つの角部に設けられている。

（絶縁枠３３）
絶縁枠３３は、蓋部材２０と基板３０とを接合するための接着剤、すなわち硬化される前の絶縁層４２及び接合部材４３の広がりを抑制するための構成である。絶縁枠３３は、絶縁材料、例えばガラス材料によって構成されている。また、絶縁枠３３は、図１に示すように、枠状部材である。主面３２ａの平面視において、絶縁枠３３は、水晶振動素子１０を囲んで設けられかつ接続電極３５ａ，３５ｂの一部及び接続電極３５ｃ，３５ｄを覆うように、主面３２ａの周縁部３２１に設けられている。また、絶縁枠３３と、絶縁枠３３によって覆われた、接続電極３５ａ，３５ｂの一部及び接続電極３５ｃ，３５ｄとの間に、めっき金属層３４ａ，３４ｂが介在している。

主面３２ａの平面視において、図３に示すように、絶縁枠３３と接続電極３５ａ，３５ｂとの間に継ぎ目部５０ａ，５０ｂが形成されている。継ぎ目部５０ａ，５０ｂは、第１継ぎ目部５１ａ，５１ｂと、第２継ぎ目部５２ａ，５２ｂと、を有する。

より詳細に説明すると、絶縁枠３３は、図１及び図３に示すように、内周縁３３１と、外周縁３３２と、を有する。主面３２ａの平面視において、絶縁枠３３は、図３に示すように、内周縁３３１の側から外周縁３３２の側に亘って、接続電極３５ａ，３５ｂと交差するように設けられている。こうして、主面３２ａの平面視において、絶縁枠３３の内周縁３３１と接続電極３５ａ，３５ｂとの交差箇所に第１継ぎ目部５１ａ，５１ｂが形成されており、絶縁枠３３の外周縁３３２と接続電極３５ａ，３５ｂとの交差箇所に第２継ぎ目部５２ａ，５２ｂが形成されている。

（封止電極３６及びめっき金属層３４）
封止電極３６ａ，３６ｂは、第２電極の一例である。また、封止電極３６ａ，３６ｂは、封止空間Ｓの密閉性を向上させるための電極である。封止電極３６ａ，３６ｂは、絶縁枠３３と接続電極３５ａ，３５ｂとの継ぎ目部５０ａ，５０ｂを覆うように設けられている。図３に示す例では、封止電極３６ａ，３６ｂは、第１継ぎ目部５１ａ，５１ｂを覆うように設けられている。

なお、封止電極３６ａ，３６ｂの配置位置は上述した内容に限定されるものではなく、例えば、第１継ぎ目部５１ａ，５１ｂに設けられることの代わりに、封止電極３６ａ，３６ｂは、第２継ぎ目部５２ａ，５２ｂを覆うように、第２継ぎ目部５２ａ，５２ｂに設けられてもよい。また、封止電極３６ａ，３６ｂは、第１継ぎ目部５１ａ，５１ｂ及び第２継ぎ目部５２ａ，５２ｂとの両方に設けられてもよい。さらに、封止電極３６ａ，３６ｂは、継ぎ目部５０ａ，５０ｂの両端側に対応する継ぎ目部５０ａ，５０ｂの両端部に設けられてもよい。

めっき金属層３４ａ，３４ｂは、ニッケル（Ｎｉ）成分及び金（Ａｕ）成分を含むめっき層である。具体的には、めっき金属層３４ａ，３４ｂは、各基板電極の表面上に直接形成されたＮｉめっき層と、Ｎｉめっき層上に形成されたＡｕめっき層と、を含む。

また、めっき金属層３４ａ，３４ｂは、接続電極３５ａ，３５ｂと封止電極３６ａ，３６ｂとの間を含む部分に形成されている。具体的には、めっき金属層３４ａ，３４ｂは、図３乃至図５に示すように、互いに対向している接続電極３５ａ，３５ｂの第１表面３５８ａ，３５８ｂと封止電極３６ａ，３６ｂの第２裏面３６９ａ，３６９ｂとの間、封止電極３６ａ，３６ｂの第２表面３６８ａ，３６８ｂ上、及び互いに対向している接続電極３５ａ，３５ｂの第１表面３５８ａ，３５８ｂと絶縁枠３３の裏面３３９との間に形成されている。

言い換えれば、めっき金属層３４ａ，３４ｂは、図３乃至図５に示すように、接続電極３５ａ，３５ｂの第１表面３５８ａ，３５８ｂと封止電極３６ａ，３６ｂの第２裏面３６９ａ，３６９ｂとの間に形成された第１めっき金属層３４１ａ，３４１ｂと、封止電極３６ａ，３６ｂの第２表面３６８ａ，３６８ｂに形成あれた第２めっき金属層３４２ａ，３４２ｂと、接続電極３５ａ，３５ｂの第１表面３５８ａ，３５８ｂと絶縁枠３３の裏面３３９との間に形成された絶縁枠側めっき金属層（後述するめっき金属層３４１１ａ，３４１１ｂの一部）と、を有する。

第１めっき金属層３４１ａ，３４１ｂは、図４及び図５に示すように、第１表面３５８ａ，３５８ｂ及び第２裏面３６９ａ，３６９ｂのそれぞれと密着している。また、第１めっき金属層３４１ａ，３４１ｂは、第１表面３５８ａ，３５８ｂ及び第２裏面３６９ａ，３６９ｂのそれぞれの表面に形成された２つのＮｉめっき層と、２つのＮｉめっき層によって挟まれたＡｕめっき層と、を有する。

第２めっき金属層３４２ａ，３４２ｂは、図５に示すように、第２表面３６８ａ，３６８ｂ上に形成されている。また、第２めっき金属層３４２ａ，３４２ｂは、第２表面３６８ａ，３６８ｂの表面に直接形成されたＮｉめっき層と、そのＮｉめっき層上に形成されたＡｕめっき層と、を有する。

絶縁枠側めっき金属層は、図５に示すように、第１表面３５８ａ，３５８ｂ及び裏面３３９の中央部分と密着しているが、裏面３３９の両端側と密着していない。よって、絶縁枠側めっき金属層と絶縁枠３３との間、具体的には、絶縁枠側めっき金属層の短手方向の両端側に絶縁枠側隙間Ｓ２０が形成されている。また、絶縁枠側めっき金属層は、第１表面３５８ａ，３５８ｂの表面に直接に形成されたＮｉめっき層と、そのＮｉめっき層上に形成されたＡｕめっき層と、を有する。

ここで、絶縁枠側めっき金属層と絶縁枠３３との間の絶縁枠側隙間Ｓ２０は、絶縁枠３３の内周縁３３１側にある、接続電極３５ａ，３５ｂと絶縁枠３３の間にある第１めっき金属層３４１ａ，３４１ｂによって塞がれている。こうして、第１めっき金属層３４１ａ，３４１ｂによれば、絶縁枠側隙間Ｓ２０が存在しても、封止空間Ｓの密閉性に影響を与えることがない。言い換えれば、第１めっき金属層３４１ａ，３４１ｂによって、封止空間Ｓの密閉性が守られている。なお、絶縁枠側隙間Ｓ２０は、基板３０の製造工程において生じたものである。その絶縁枠側隙間Ｓ２０の形成のメカニズムは、基板３０の製造工程の説明に合わせて説明する。

［導電性保持部材４５］
導電性保持部材４５は、水晶振動素子１０の接続電極１５ａ，１５ｂと基板３０の接続電極３５ａ，３５ｂとを電気的に接続するための接着材の硬化物である。また、導電性保持部材４５は、例えば、導電性接着剤が熱硬化して形成されたものである。このように形成された導電性保持部材４５によって、水晶振動素子１０は、基板３０に励振可能に保持されることができる。

［蓋部材２０］
蓋部材２０は、図１及び図２に示すように、基板３０と接合する側に開口が形成されている箱状をなしている。また、蓋部材２０の材質は、例えば金属等の導電材料で構成される。組立状態において、蓋部材２０は、図２に示すように、水晶振動素子１０を封止するように、基板３０の主面３２ａに接合されている。こうして、蓋部材２０の内面と、基板３０の主面３２ａの中央部３２２とは、水晶振動素子１０を封止する封止空間Ｓを構成している。

［絶縁層４２及び接合部材４３］
絶縁層４２は、蓋部材２０と基板３０の電極とを絶縁させるための構成である。絶縁層４２は、図１及び図２に示すように、周縁部３２１の、絶縁枠３３の内周縁３３１の内側に設けられている。絶縁層４２は、絶縁部材、例えば、エポキシ系、シリコン系、ウレタン系またはイミド系の樹脂、又は金属酸化物によって形成されている。

接合部材４３は、蓋部材２０と基板３０とを接合するための構成である。接合部材４３は、図２に示すように、絶縁枠３３の上に、絶縁枠３３と重なるように設けられている。接合部材４３は、熱硬化性樹脂及び光硬化性樹脂のいずれか一種であってもよい。また、接合部材４３は、例えば、エポキシ系、シリコン系、ウレタン系、又はイミド系の樹脂接着剤によって形成されている。

また、組立状態において、図２に示すように、基板３０の厚み方向において積層された絶縁層４２及び接合部材４３の合計高さは、絶縁枠３３の高さ以下であることが好ましい。こうして、硬化される前の絶縁層４２及び接合部材４３の広がりを確実に抑制することができる。

＜水晶振動子１の製造＞
続いて、図１乃至図１０を参照しつつ、水晶振動子１の製造方法について説明する。図６は、水晶振動子１の製造方法を説明するためのフローチャート図である。図７は、図６のステップＳ１０の詳細を説明するためのフローチャートである。図８は、図７のステップＳ１４が行われた場合に係る接続電極及び封止電極の状態を示す図である。図９は、図８のＩＸ－ＩＸ線断面図である。図１０は、図８のＸ－Ｘ線断面図である。

まず、基板３０を準備する（Ｓ１０）。

ここで、図７を参照しつつ、ステップＳ１０の詳細を説明する。
まず、基体３１を準備する（Ｓ１１）。

ステップＳ１１は、準備工程の一例である。具体的には、主面３２ａ，３２ｂを有する、セラミックによって構成された基体３１を準備する。

次に、基体３１の主面３２ａに接続電極３５ａ，３５ｂを形成する（Ｓ１２）。

ステップＳ１２は、第１電極形成工程の一例である。具体的には、主面３２ａに、ガラス成分を含む電極材料を印刷して焼成することで、接続電極３５ａ，３５ｂを形成する。また、ステップＳ１２において、電極材料が焼成されることによって、電極材料に含まれたガラス成分が析出する。こうして、焼成された接続電極３５ａ，３５ｂは、図８及び図９に示すように、その表面を覆うように形成された第１ガラスフリット層３５０ａ，３５０ｂを有する。

また、図９に示すように、接続電極３５ａ，３５ｂの短手方向の形状によって、電極材料に含まれたガラス成分が析出する場合、接続電極３５ａ，３５ｂの短手方向の中央部に析出したガラスは、接続電極３５ａ，３５ｂの短手方向の両端部に流れ込む。その結果、第１ガラスフリット層３５０ａ，３５０ｂは、接続電極３５ａ，３５ｂの表面に均一の厚みで形成されたものではない。図９に示すように、接続電極３５ａ，３５ｂの短手方向の両端部に対応する第１ガラスフリット層３５０ａ，３５０ｂの両端部の厚みは、接続電極３５ａ，３５ｂの短手方向の中央部に対応する第１ガラスフリット層３５０ａ，３５０ｂの中央部の厚みよりも大きい。

なお、ステップＳ１２において、その他の基板電極（封止電極３６ａ，３６ｂを除き）は、接続電極３５ａ，３５ｂと同様の電極材料及び同様の形成方法を用いて、主面３２ａ、主面３２ｂ、及び各側面３２ｃに形成されている。このため、それらの基板電極の製造の説明を省略する。

続いて、基体３１の主面３２ａに絶縁枠３３を形成する（Ｓ１３）。

ステップＳ１３は、絶縁枠形成工程の一例である。具体的には、主面３２ａの周縁部３２１の全周に亘って、ガラス材料を印刷して焼成することで、絶縁枠３３を形成する。この場合、主面３２ａの平面視において、絶縁枠３３は、図２に示すように、水晶振動素子１０が搭載される領域を囲んで設けられているとともに、図８に示すように、接続電極３５ａ，３５ｂの表面にある第１ガラスフリット層３５０ａ，３５０ｂの一部を覆うように形成されている。こうして、第１ガラスフリット層３５０ａ，３５０ｂのその一部は、図１０に示すように、接続電極３５ａ，３５ｂ及び絶縁枠３３によって挟まれるように形成されている。以下では、第１ガラスフリット層３５０ａ，３５０ｂのその一部を「絶縁枠側一部」と呼ぶことがある。

また、主面３２ａの平面視において、絶縁枠３３は、内周縁３３１の側から外周縁３３２の側に亘って、接続電極３５ａ，３５ｂと交差するように設けられている。こうして、図８に示すように、絶縁枠３３の内周縁３３１と、接続電極３５ａ，３５ｂの表面にある第１ガラスフリット層３５０ａ，３５０ｂとの接続する位置に継ぎ目部５０ａ，５０ｂが形成される。

次に、絶縁枠３３と接続電極３５ａ，３５ｂとの継ぎ目部５０ａ，５０ｂに、封止電極３６ａ，３６ｂを形成する（Ｓ１４）。

ステップＳ１４は、第２電極形成工程の一例である。具体的には、継ぎ目部５０ａ，５０ｂのうちの絶縁枠３３の内周縁３３１側にある第１継ぎ目部５１ａ，５１ｂに、ガラス成分を含む電極材料を印刷して焼成することで、封止電極３６ａ，３６ｂを形成する。また、ステップＳ１４において、ステップＳ１２と同様に、電極材料が焼成されることによって、電極材料に含まれたガラス成分が析出する。こうして、焼成された封止電極３６ａ，３６ｂは、図８及び図１０に示すように、その表面を覆うように形成された第２ガラスフリット層３６０ａ，３６０ｂを有する。

また、この場合、封止電極３６ａ，３６ｂは、図８及び図９に示すように、接続電極３５ａ，３５ｂの表面にありかつ絶縁枠側３３の内周縁３３１側にある、第１ガラスフリット層３５０ａ，３５０ｂの他の一部と、絶縁枠３３の一部と覆うように形成されている。以下では、第１ガラスフリット層３５０ａ，３５０ｂのその他の一部を「封止電極側一部」と呼ぶことがある。

こうして、封止電極３６ａ，３６ｂが形成された後に、接続電極３５ａ，３５ｂの表面にある第１ガラスフリット層３５０ａ，３５０ｂは、絶縁枠側一部が、図９に示すように、接続電極３５ａ，３５ｂ及び絶縁枠３３によって挟まれており、一方、封止電極側一部が、図１０に示すように、接続電極３５ａ，３５ｂ及び封止電極３６ａ，３６ｂによって挟まれている。

その後、接続電極３５ａ，３５ｂ及び封止電極３６ａ，３６ｂに対してめっき処理を行う（Ｓ１５）。

ステップＳ１５は、めっき処理工程の一例である。また、ステップＳ１５は、ステップＳ１１乃至ステップＳ１４が順次に行われた後に行われる工程である。具体的には、ステップＳ１５において、Ｎｉ成分及びＡｕ成分を含むめっき液を用いて、接続電極３５ａ，３５ｂ及び封止電極３６ａ，３６ｂの間を含む部分にめっき金属を成長させて、めっき金属層３４ａ，３４ｂを形成する。

より詳細に説明すると、ステップＳ１５において、まず、めっき液と第１ガラスフリット層３５０ａ，３５０ｂ及び第２ガラスフリット層３６０ａ，３６０ｂとの化学反応を利用して、第１ガラスフリット層３５０ａ，３５０ｂ及び第２ガラスフリット層３６０ａ，３６０ｂを除去する。こうして、図３に示すように、第１ガラスフリット層３５０ａ，３５０ｂの封止電極側一部が除去されて、接続電極３５ａ，３５ｂと封止電極３６ａ，３６ｂとの間にある第１空間Ｓ１を形成する。それとともに、図５に示すように、第１ガラスフリット層３５０ａ，３５０ｂの絶縁枠側一部が除去されて、接続電極３５ａ，３５ｂと絶縁枠３３との間にある第２空間Ｓ２を形成する。ここで、第１空間Ｓ１及び第２空間Ｓ２は、互いに接続された空間であり、同じ形状を有する。

そして、図４および図５に示すように、めっき液に含まれたＮｉ成分及びＡｕ成分は、第１空間Ｓ１及び第２空間Ｓ２に浸入すると、接続電極３５ａ，３５ｂの第１表面３５８ａ，３５８ｂと、封止電極３６ａ，３６ｂの第２裏面３６９ａ，３６９ｂとのそれぞれに、めっき金属を成長させて、めっき金属層３４１１ａ，３４１１ｂと、めっき金属層３４１２ａ，３４１２ｂと、を形成する。

ここで、図３乃至図５に示すように、接続電極３５ａ，３５ｂは第１空間Ｓ１から第２空間Ｓ２までに亘って形成されているため、接続電極３５ａ，３５ｂの第１表面３５８ａ，３５８ｂに形成されためっき金属層３４１１ａ，３４１１ｂも第１空間Ｓ１から第２空間Ｓ２までに亘って形成されている。一方、めっき金属層３４１２ａ，３４１２ｂは、図３及び図４に示すように、封止電極３６ａ，３６ｂの第２裏面３６９ａ，３６９ｂに形成されるものであるため、第１空間Ｓ１のみに形成されている。

この場合、図４に示すように、めっき金属層の形成過程において、第１表面３５８ａ，３５８ｂに形成されるめっき金属層３４１１ａ，３４１１ｂは、第１方向Ｄ１にて成長し、一方、第２裏面３６９ａ，３６９ｂに形成されるめっき金属層３４１２ａ，３４１２ｂは、第１方向Ｄ１と逆方向である第２方向Ｄ２にて成長する。また、本実施形態に係るめっき処理は、めっき金属層３４１１ａ，３４１１ｂとめっき金属層３４１２ａ，３４１２ｂと接触するまでに行われる。言い換えれば、本実施形態に係るめっき処理時間ｔは、成膜が開始したときから、めっき金属層３４１１ａ，３４１１ｂがめっき金属層３４１２ａ，３４１２ｂと接触するまでにかかる時間である。めっき処理時間ｔが経過すると、めっき処理が終了する。

また、めっき処理が終了したとき、第１空間Ｓ１は、図４に示すように、めっき金属層３４１１ａ，３４１１ｂの第１空間Ｓ１にある部分及びめっき金属層３４１２ａ，３４１２ｂによって構成された第１めっき金属層３４１ａ，３４１ｂによって充填される。一方、第２空間Ｓ２には、図５に示すように、めっき金属層３４１１ａ，３４１１ｂの第２空間Ｓ２にある部分のみが形成されているため、第２空間Ｓ２の両端側に絶縁枠側隙間Ｓ２０が残っている。一方、絶縁枠側隙間Ｓ２０の第１空間Ｓ１に向かう開口部、すなわち、絶縁枠側隙間Ｓ２０の絶縁枠３３の内周縁３３１側の開口部は、図３に示すように、第１空間Ｓ１に形成された第１めっき金属層３４１ａ，３４１ｂ、具体的には、第１めっき金属層３４１ａ，３４１ｂのうちのめっき金属層３４１２ａ，３４１２ｂによって塞がれている。

こうして、基板３０の準備が完了する。なお、基板３０のその他の基板電極は、上述しためっき処理と同様の方法によってめっき処理されているため、それらの基板電極のめっき処理の説明を省略する。

図６の説明に戻る。次に、導電性保持部材４５を介して、水晶振動素子１０を基板３０の主面３２ａに搭載する（Ｓ２０）。

ステップＳ２０は、水晶振動素子１０の接続電極１５ａ，１５ｂと基板３０との間に導電性接着剤を設ける工程、及び導電性接着剤を硬化させて得られる導電性保持部材４５ａ，４５ｂによって、水晶振動素子１０を基板３０に接合する接合工程の一例である。具体的には、基板３０の主面３２ａに設けられた接続電極３５ａ，３５ｂの上に導電性接着剤、すなわち、熱硬化される前の導電性保持部材４５ａ，４５ｂを設ける。次に、水晶振動素子１０の接続電極１５ａ，１５ｂのそれぞれが導電性保持剤と接触するように、水晶振動素子１０を導電性保持剤の上に載置する。続いて、導電性接着剤を熱硬化させる。こうして、導電性接着剤を熱硬化させて得られる導電性保持部材４５ａ，４５ｂによって、水晶振動素子１０を基板３０に接合する。

その後、蓋部材２０を基板３０に接合する（Ｓ３０）。

具体的には、基板３０の主面３２ａの周縁部３２１の、絶縁枠３３の内周縁３３１側に部分に、接合部材４３及び絶縁層４２を設け、接合部材４３及び絶縁層４２を蓋部材２０の開口部の上面と基板３０の主面３２ａとの間に介在させる。そして、接合部材４３及び絶縁層４２を加熱することで、蓋部材２０を基板３０に接合する。こうして、水晶振動素子１０が蓋部材２０及び基板３０によって構成された封止空間Ｓに封止される。

このように、水晶振動子１の製造は完了する。

なお、上記基板３０の製造に係る説明では、接続電極３５ａ，３５ｂ、絶縁枠３３、及び封止電極３６ａ，３６ｂのそれぞれの焼成工程は、ステップＳ１２、ステップＳ１３、及びステップＳ１４のそれぞれに行われていることとして説明したが、焼成工程は、上述した内容に限定されるものではない。例えば、ステップＳ１２、ステップＳ１３、及びステップＳ１４において、接続電極３５ａ，３５ｂ、絶縁枠３３、及び封止電極３６ａ，３６ｂの印刷のみを行い、ステップＳ１２、ステップＳ１３、及びステップＳ１４が行われた後にかつステップＳ１５が行われる前に、印刷された、接続電極３５ａ，３５ｂ、絶縁枠３３、及び封止電極３６ａ，３６ｂを一緒に焼成してもよい。この場合、第１ガラスフリット層３５０ａ，３５０ｂ及び第２ガラスフリット層３６０ａ，３６０ｂは、焼成がされた後に形成される。

＜封止電極３６の効果＞
続いて、図３乃至図５及び図１１を参照しつつ、図１１に示された比較例の封止状態と比較しながら、本実施形態に係る封止電極３６の効果を説明する。図１１は、比較例に係る水晶振動子の封止状態を示す図である。

ここで、まず、図１１に示された比較例に係る基板９０の構成について説明する。比較例に係る基板９０と、本実施形態に係る基板３０との違いは、比較例に係る基板９０は、本実施形態に係る封止電極３６ａ，３６ｂを採用していないことである。基板９０のほかの構成は、本実施形態に係る基板３０と同じである。このため、基板９０の製造工程において、基板９０の接続電極９５ａ，９５ｂの表面９５８ａ，９５８ｂに形成されるガラスフリット層の形状は、第１ガラスフリット層３５０ａ，３５０ｂと同じである。すなわち、比較例に係るガラスフリット層は、本実施形態に係る第１ガラスフリット層３５０ａ，３５０ｂと同様に、接続電極９５ａ，９５ｂの短手方向の両端部に対応するガラスフリット層の厚みは、接続電極９５ａ，９５ｂの短手方向の中央部に対応するガラスフリット層の厚みよりも大きい。

また、比較例に係る接続電極９５ａ，９５ｂに対してのめっき処理工程は、めっき液を用いて、ガラスフリット層を除去して、接続電極９５ａ，９５ｂと絶縁枠９３との間に成膜空間Ｓ３を形成することと、成膜空間Ｓ３にめっき金属層９４ａ，９４ｂを形成することと、を含む。ここで、前述したように、ガラスフリット層の形状は、第１ガラスフリット層３５０ａ，３５０ｂと同じであるため、成膜空間Ｓ３も、本実施形態に係る第２空間Ｓ２と同じ形状を有する。こうして、例えば、本実施形態に係るめっき処理時間ｔと同様の時間を用いて、めっき金属層９４ａ，９４ｂを形成させると、図１１に示すように、成膜空間Ｓ３におけるめっき金属層９４ａ，９４ｂの形成状態は、本実施形態に係るめっき金属層３４１１ａ，３４１１ｂの第２空間Ｓ２にある部分と同じである。すなわち、成膜空間Ｓ３は、めっき金属層９４ａ，９４ｂによって充填されておらず、成膜空間Ｓ３の両端側に隙間が残っている。その結果、封止空間Ｓの密閉性が低下してしまい、水晶振動子１の品質に影響を与えることがある。

一方、比較例に係るめっき処理時間を本実施形態に係るめっき処理時間ｔよりも長くすれば、成膜空間Ｓ３を充填できるが、その時間は、本実施形態に係るめっき処理時間ｔの倍になる。その結果、比較例に係る基板の製造時間が長くなってしまい、生産効率が悪化する。

これに対して、本実施形態では、封止電極３６ａ，３６ｂを採用することで、第１空間Ｓ１に第１めっき金属層３４１ａ，３４１ｂを形成するとき、接続電極３５ａ，３５ｂの第１表面３５８ａ，３５８ｂと、封止電極３６ａ，３６ｂの第２裏面３６９ａ，３６９ｂとのそれぞれに、めっき金属を成長させて、めっき金属層３４１１ａ，３４１１ｂとめっき金属層３４１２ａ，３４１２ｂとを同時に形成する。また、第１表面３５８ａ，３５８ｂに形成されるめっき金属層３４１１ａ，３４１１ｂは、図４に示すように、第１方向Ｄ１にて成長し、一方、第２裏面３６９ａ，３６９ｂに形成されるめっき金属層３４１２ａ，３４１２ｂは、第１方向Ｄ１と逆方向である第２方向Ｄ２にて成長する。こうして、めっき処理時間ｔを経過したとき、めっき金属層３４１１ａ，３４１１ｂとめっき金属層３４１２ａ，３４１２ｂとは接触して一体になって、第１空間Ｓ１を充填する第１めっき金属層３４１ａ，３４１ｂを形成する。

また、この場合、前述したように、第２空間Ｓ２の両端側に絶縁枠側隙間Ｓ２０が残っているが、その絶縁枠側隙間Ｓ２０の絶縁枠３３の内周縁３３１側の開口部は、図３に示すように、第１空間Ｓ１に形成された第１めっき金属層３４１ａ，３４１ｂ、具体的には、第１めっき金属層３４１ａ，３４１ｂのうちのめっき金属層３４１２ａ，３４１２ｂによって塞がれている。その結果、封止空間Ｓと外部空間との連結は、第１めっき金属層３４１ａ，３４１ｂによって遮断されて、封止空間Ｓの密閉性の向上を実現している。

また、前述したように、本実施形態に係るめっき処理時間ｔは、比較例に係るめっき処理時間の約半分である。このため、封止電極３６ａ，３６ｂを採用することによって、基板３０の製造時間を短縮できる。よって、水晶振動子１の製造時間も短縮できる。その結果、基板３０及び水晶振動子１の生産性を向上させることができる。

以上のとおり、本実施形態に係る封止電極３６ａ，３６ｂによれば、良好な密閉性及び生産性を得ることができる水晶振動子１及び水晶振動子１の製造方法を提供する。

以上、本発明の例示的な実施形態について説明した。
本発明の一実施形態に係る水晶振動子１では、水晶振動素子１０と、水晶振動素子１０が導電性保持部材４５を介在して搭載された主面３２ａを有する基板３０と、水晶振動素子１０を封止する封止空間Ｓを形成するように基板３０に接合された蓋部材２０と、を備え、基板３０は、主面３２ａに設けられかつ水晶振動素子１０に電圧を供給する第１電極の一例である接続電極３５ａ，３５ｂと、主面３２ａの平面視において、水晶振動素子１０を囲んで設けられかつ接続電極３５ａ，３５ｂの一部を覆うように設けられた絶縁枠３３と、主面３２ａの平面視において、絶縁枠３３と接続電極３５ａ，３５ｂとの継ぎ目部５０ａ，５０ｂを覆うように設けられた第２電極の一例である封止電極３６ａ，３６ｂと、を有する。
上記構成によれば、良好な密閉性及び生産性を有する水晶振動子を提供することができる。

また、上記構成において、接続電極３５ａ，３５ｂは、主面３２ａの平面視において、絶縁枠３３の内周縁３３１の側から絶縁枠３３の外周縁３３２の側に亘って絶縁枠３３と交差して設けられており、継ぎ目部５０ａ，５０ｂは、絶縁枠３３の内周縁３３１の側の第１継ぎ目部５１ａ，５１ｂを含み、封止電極３６ａ，３６ｂは、少なくとも、第１継ぎ目部５１ａ，５１ｂに設けられてもよい。
上記構成によれば、封止電極の構成を簡易化させることができるとともに、封止空間Ｓの密閉性を向上させることができる。

また、上記構成において、接続電極３５ａ，３５ｂと封止電極３６ａ，３６ｂとの間を含む部分にめっき金属層３４ａ，３４ｂが形成されてもよい。
上記構成によれば、良好な密閉性を有する水晶振動子を取得することができる。

また、上記構成において、めっき金属層３４ａ，３４ｂは、接続電極３５ａ，３５ｂと封止電極３６ａ，３６ｂとの互いに対向する面である第１表面３５８ａ，３５８ｂ及び第２裏面３６９ａ，３６９ｂと密着してもよい。
上記構成によれば、封止空間Ｓの密閉性の向上を実現できる。

本発明の他の実施形態に係る水晶振動子１の製造方法では、基板３０を準備する工程（Ｓ１０）と、導電性保持部材４５を介在して、水晶振動素子１０を基板３０の主面３２ａに搭載する工程（Ｓ２０）と、水晶振動素子１０を封止する封止空間Ｓを形成するように、蓋部材を基板に接合する工程（Ｓ３０）と、を含み、基板を準備する工程（Ｓ１０）は、主面を有する基体を準備する準備工程（Ｓ１１）と、主面に第１電極の一例である接続電極３５ａ，３５ｂを形成する、第１電極形成工程の一例である接続電極形成工程（Ｓ１２）と、主面の平面視において、水晶振動素子１０が搭載される領域を囲んで設けられかつ接続電極３５ａ，３５ｂの一部を覆う絶縁枠を形成する、絶縁枠形成工程（Ｓ１３）と、主面の平面視において、絶縁枠３３と接続電極３５ａ，３５ｂとの継ぎ目部を覆うように、第２電極の一例である封止電極３６ａ，３６ｂを形成する、第２電極形成工程の一例である封止電極形成工程（Ｓ１４）と、接続電極３５ａ，３５ｂ及び封止電極３６ａ，３６ｂに対してめっき処理を行う、めっき処理工程（Ｓ１５）と、を含む。
上記方法によれば、良好な密閉性及び生産性を有する水晶振動子の製造方法を提供することができる。

また、上記方法において、絶縁枠形成工程（Ｓ１３）は、主面３２ａの平面視において、接続電極３５ａ，３５ｂが、絶縁枠３３の内周縁３３１の側から絶縁枠３３の外周縁３３２の側に亘って絶縁枠３３と交差するように、主面３２ａに絶縁枠３３を形成することを含み、封止電極形成工程（Ｓ１４）は、少なくとも、継ぎ目部５０ａ，５０ｂに含まれた絶縁枠３３の内周縁３３１の側の第１継ぎ目部５１ａ，５１ｂに、封止電極３６ａ，３６ｂを形成することを含んでもよい。
上記方法によれば、封止電極の形成を簡易化させることができるとともに、封止空間Ｓの密閉性を向上させることができる。

また、上記方法において、めっき処理工程（Ｓ１５）は、接続電極３５ａ，３５ｂと封止電極３６ａ，３６ｂとの間を含む部分にめっき金属を成長させて、めっき金属層３４ａ，３４ｂを形成することを含んでもよい。
上記方法によれば、簡易な方法を用いて、良好な密閉性を有する水晶振動子を取得することができる。

また、上記方法において、めっき金属層を形成することは、接続電極３５ａ，３５ｂと封止電極３６ａ，３６ｂとの互いに対向する面と密着する第１めっき金属層３４１ａ，３４１ｂを形成してもよい。
上記方法によれば、良好な密閉性を有する封止空間Ｓを取得することができる。

また、上記方法において、接続電極形成工程（Ｓ１２）及び封止電極形成工程（Ｓ１４）のそれぞれにおいて、又は、接続電極形成工程（Ｓ１２）及び封止電極形成工程（Ｓ１４）が行われた後に、接続電極３５ａ，３５ｂ及び封止電極３６ａ，３６ｂを焼成して、接続電極３５ａ，３５ｂ及び封止電極３６ａ，３６ｂのそれぞれの表面を覆う第１ガラスフリット層３５０ａ，３５０ｂ及び第２ガラスフリット層３６０ａ，３６０ｂを形成することが行われており、めっき処理工程（Ｓ１５）は、第１ガラスフリット層３５０ａ，３５０ｂ及び第２ガラスフリット層３６０ａ，３６０ｂが形成された後に行われる工程であり、第１ガラスフリット層３５０ａ，３５０ｂ及び第２ガラスフリット層３６０ａ，３６０ｂを除去して、接続電極３５ａ，３５ｂと封止電極３６ａ，３６ｂとの間に第１空間Ｓ１を形成することと、第１空間Ｓ１に第１めっき金属層３４１ａ，３４１ｂを形成することと、を含んでもよい。
上記方法によれば、接続電極と封止電極との隙間の形成を回避して、封止空間Ｓの密閉性を向上させることができる。

また、上記方法において、第１めっき金属層３４１ａ，３４１ｂを形成することは、Ｎｉめっき層及びＡｕめっき層を形成することを含んでもよい。
上記方法によれば、良好な性能を有するめっき金属層を得ることができる。

なお、以上説明した各実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更／改良され得るとともに、本発明にはその等価物も含まれる。即ち、各実施形態に当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。例えば、各実施形態が備える各要素及びその配置、材料、条件、形状、サイズ等は、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。また、各実施形態は例示であり、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換又は組み合わせが可能であることは言うまでもなく、これらも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。

１…水晶振動子、１０…水晶振動素子、１１…水晶片、１４ａ，１４ｂ…励振電極、１５ａ，１５ｂ…接続電極、２０…蓋部材、３０…基板、３１…基体、３３…絶縁枠、３４ａ，３４ｂ…めっき金属層、３５ａ，３５ｂ…接続電極、３６ａ，３６ｂ…封止電極、４５ａ，４５ｂ…導電性保持部材、３３１…内周縁、５０ａ，５０ｂ…継ぎ目部

Claims (10)

1. 圧電振動素子と、
   前記圧電振動素子が導電性保持部材を介在して搭載された主面を有する基板と、
   前記圧電振動素子を封止する封止空間を形成するように前記基板に接合された蓋部材と、
   を備え、
   前記基板は、
   前記主面に設けられかつ前記圧電振動素子に電圧を供給する第１電極と、
   前記主面の平面視において、前記圧電振動素子を囲んで設けられかつ前記第１電極の一部を覆うように設けられた絶縁枠と、
   前記主面の平面視において、前記絶縁枠と前記第１電極との継ぎ目部を覆うように設けられた第２電極と、を有する、
   圧電振動子。
2. 前記第１電極は、前記主面の平面視において、前記絶縁枠の内周縁の側から前記絶縁枠の外周縁の側に亘って前記絶縁枠と交差して設けられており、
   前記継ぎ目部は、前記絶縁枠の前記内周縁の側の第１継ぎ目部を含み、
   前記第２電極は、少なくとも、前記第１継ぎ目部に設けられている、
   請求項１に記載の圧電振動子。
3. 前記第１電極と前記第２電極との間を含む部分にめっき金属層が形成されている、
   請求項１又は２に記載の圧電振動子。
4. 前記めっき金属層は、前記第１電極と前記第２電極との互いに対向する面と密着している、
   請求項３に記載の圧電振動子。
5. 圧電振動子の製造方法であって、
   基板を準備する工程と、
   導電性保持部材を介在して、圧電振動素子を前記基板の主面に搭載する工程と、
   前記圧電振動素子を封止する封止空間を形成するように、蓋部材を前記基板に接合する工程と、
   を含み、
   前記基板を準備する工程は、
   前記主面を有する基体を準備する準備工程と、
   前記主面に第１電極を形成する第１電極形成工程と、
   前記主面の平面視において、前記圧電振動素子が搭載される領域を囲んで設けられかつ前記第１電極の一部を覆う絶縁枠を形成する、絶縁枠形成工程と、
   前記主面の平面視において、前記絶縁枠と前記第１電極との継ぎ目部を覆うように、第２電極を形成する、第２電極形成工程と、
   前記第１電極及び前記第２電極に対してめっき処理を行う、めっき処理工程と、
   を含む、
   圧電振動子の製造方法。
6. 前記絶縁枠形成工程は、前記主面の平面視において、前記第１電極が、前記絶縁枠の内周縁の側から前記絶縁枠の外周縁の側に亘って前記絶縁枠と交差するように、前記主面に前記絶縁枠を形成することを含み、
   前記第２電極形成工程は、少なくとも、前記継ぎ目部に含まれた前記絶縁枠の内周縁の側の第１継ぎ目部に、前記第２電極を形成することを含む、
   請求項５に記載の圧電振動子の製造方法。
7. 前記めっき処理工程は、前記第１電極と前記第２電極との間を含む部分にめっき金属を成長させて、めっき金属層を形成することを含む、
   請求項５又は６に記載の圧電振動子の製造方法。
8. 前記めっき金属層を形成することは、前記第１電極と前記第２電極との互いに対向する面と密着する前記めっき金属層を形成する、
   請求項７に記載の圧電振動子の製造方法。
9. 前記第１電極形成工程及び前記第２電極形成工程のそれぞれにおいて、又は、前記第１電極形成工程及び前記第２電極形成工程が行われた後に、前記第１電極及び前記第２電極を焼成して、前記第１電極及び前記第２電極のそれぞれの表面を覆うガラスフリット層を形成することが行われており、
   前記めっき処理工程は、
   前記ガラスフリット層が形成された後に行われる工程であり、
   前記ガラスフリット層を除去して、前記第１電極と前記第２電極との間に第１空間を形成することと、
   前記第１空間に前記めっき金属層を形成することと、を含む、
   請求項８に記載の圧電振動子の製造方法。
10. 前記めっき金属層を形成することは、Ｎｉめっき層及びＡｕめっき層を形成することを含む、
    請求項９に記載の圧電振動子の製造方法。

Images