JP2018207524A - 弾性波装置および電子部品 - Google Patents

Abstract

【課題】振動空間の気密性を長時間にわたって保持することができる弾性波装置を提供する。【解決手段】弾性波装置１は、素子基板３と、励振電極５と、カバー９とを備えている。励振電極は、素子基板の主面３ａに位置している。カバーは、枠部２と蓋部４を含む。枠部は、励振電極を囲むようにして素子基板の主面上に位置し、上面に枠部側凹凸部を有するとともに外壁が素子基板の主面に向かうほど外側に向かうように傾斜している。蓋部は、下面に蓋部側凹凸部を有し、枠部に重なって枠部を塞ぐ。蓋部側凹凸部は枠部側凹凸部に嵌まっている。【選択図】図２

Description

本発明は、弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）装置や圧電薄膜共振器（Ｆ
ＢＡＲ：Film Bulk Acoustic Resonator）等の弾性波装置およびそれを用いた電子部品に関する。

小型化等を目的とした、いわゆるウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ：Wafer Level Package）型の弾性波装置が知られている。このＷＬＰ型の弾性波装置は、圧電基板と、圧電基板に設けられた励振電極と、励振電極を封止するカバーとを有する（例えば、特許文献１参照）。

カバーは圧電基板の上面に配置された励振電極を囲む環状の枠部と枠部の開口を塞ぐように枠部の上面に配置された蓋部とからなる。このように枠部の開口が蓋部で塞がれることによって、励振電極上に枠部の内壁と蓋部の下面とで囲まれた領域である振動空間が確保される。

特開２００８−２２７７４８号公報

カバーを構成する枠部と蓋部とは同一材料によって形成されることが多いものの、枠部と蓋部とが別のプロセスを経て形成された場合等に枠部と蓋部との間にわずかな隙間が形成されることがある。

枠部と蓋部との間に隙間が形成されると、その隙間を介してカバーの外側と振動空間とが繋がることによって振動空間内の雰囲気が変化する。例えば、隙間を介して外気中の水分が振動空間内に入ると励振電極の腐食を招く要因となる。励振電極が腐食すると弾性波装置の電気特性が劣化することとなる。

そこで、カバーが枠部と蓋部とで構成された場合であっても振動空間の気密性が長時間にわたって保持することができる弾性波装置が提供されることが望ましい。

本発明の一態様としての弾性波装置は、素子基板と、該素子基板の主面に位置した励振電極と、該励振電極を囲むようにして前記素子基板の主面上に位置した枠部、および該枠部に重なって該枠部を塞ぐとともに、該枠部の内壁の上辺または外壁の上辺から連なって前記内壁または前記外壁の少なくとも一部を被覆している下垂部を有する蓋部を含むカバーとを備えたものである。

また、本発明の一態様としての弾性波装置は、素子基板と、該素子基板の主面に位置した励振電極と、該励振電極を囲むようにして前記素子基板の主面上に位置した枠部および該枠部に重なって該枠部を塞ぐ蓋部を含むカバーとを備え、前記枠部は上面に枠部側凹凸部を有しており、前記蓋部は下面に蓋部側凹凸部を有し、該蓋部側凹凸部は前記枠部側凹凸部に嵌まっている。

また、本発明の一態様としての電子部品は、実装基板と、該実装基板の主面に前記素子基板の主面を対面させた状態で導電性接合材を介して実装された上記弾性波装置と、該弾性波装置を被覆するモールド樹脂とを備えたものである。

上記の構成からなる弾性波装置は、蓋部に枠部の内壁の上辺から連なって該内壁の少なくとも一部を被覆している下垂部が設けられていることから、下垂部が存在する分だけ外気から振動空間への水分等の浸入経路が長くなるため、振動空間の気密性を長時間にわたって正常な状態に保持することができる。

（ａ）は本発明の第１の実施形態に係るＳＡＷ装置の平面図であり、（ｂ）は図１（ａ）のＳＡＷ装置の蓋部を外した状態の平面図である。 図１（ａ）のII−II線における断面図である。 図２のIIIで示した領域の拡大図である。 本発明の実施形態に係る電子部品の断面図である。 （ａ）から（ｄ）は、図４の電子部品の製造方法を説明する断面図である。 （ａ）から（ｃ）は、図５（ｄ）の続きを示す断面図である。 図１に示すＳＡＷ装置の変形例を示す拡大断面図である。 第２の実施形態に係るＳＡＷ装置を示す断面図である。 第３の実施形態に係るＳＡＷ装置を示す断面図である。 第４の実施形態に係るＳＡＷ装置を示す断面図である。 （ａ）から（ｃ）は、それぞれ第４の実施形態に係るＳＡＷ装置の製造方法を説明する断面図である。 （ａ）から（ｃ）は、それぞれ第４の実施形態に係るＳＡＷ装置の製造方法を説明する断面図であり、図１１（ｃ）に続く工程を示すものである。 第２貫通孔の内周面に微小突起が形成される理由を説明するための断面図である。 第４の実施形態に係るＳＡＷ装置の変形例を示す断面図である。 第５の実施形態に係るＳＡＷ装置の平面図である。 図１５のＸVI−ＸVI線における部分断面図である。 シミュレーションに使用した基準解析モデルの断面図である。 シミュレーションに使用した解析モデルの断面図である。 第５の実施形態に係るＳＡＷ装置の変形例を示す部分断面図である。 第５の実施形態に係るＳＡＷ装置の変形例を示す平面図である。 第６の実施形態に係るＳＡＷ装置の断面図である。 図２１に示す領域Ｅの拡大図である。 （ａ）および（ｂ）は、図１に示すＳＡＷ装置の別の変形例を示す拡大断面図である。 （ａ）から（ｃ）は、第７の実施形態に係るＳＡＷ装置を示す拡大断面図である。

以下、本発明の実施形態に係るＳＡＷ装置について図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。

第２の実施形態以降において、既に説明された実施形態と共通または類似する構成について、既に説明された実施形態と共通の符号を用い、また、図示や説明を省略することがある。

＜第１の実施形態＞
（ＳＡＷ装置等の構成）
図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係るＳＡＷ装置１の平面図であり、図１（ｂ）は、ＳＡＷ装置１の蓋部４を外した状態における平面図である。また、図２は図１（ａ）のII−II線における断面図である。

ＳＡＷ装置１は、素子基板３と、素子基板３の第１主面３ａ上に設けられた励振電極５と、第１主面３ａ上に設けられ、励振電極５に接続されたパッド７と、励振電極５を覆うとともにパッド７を露出させるカバー９と、素子基板３の第２主面３ｂに設けられた裏面部１１とを有している。

ＳＡＷ装置１は、複数のパッド７のいずれかを介して信号の入力がなされる。入力された信号は、励振電極５等によってフィルタリングされる。そして、ＳＡＷ装置１は、フィルタリングした信号を複数のパッド７のいずれかを介して出力する。各部材の具体的構成は以下のとおりである。

素子基板３は、圧電基板によって構成されている。具体的には、例えば、素子基板３は、タンタル酸リチウム単結晶，ニオブ酸リチウム単結晶等の圧電性を有する単結晶の基板によって構成されている。素子基板３は、例えば、直方体状に形成されており、矩形状で互いに平行かつ平坦な第１主面３ａおよび第２主面３ｂを有している。素子基板３の大きさは適宜に設定されてよいが、例えば、厚さ（Ｚ方向）は０．２ｍｍ〜０．５ｍｍであり、１辺の長さ（Ｘ方向またはＹ方向）は０．５ｍｍ〜３ｍｍである。

励振電極５は、第１主面３ａ上に形成されている。励振電極５は、いわゆるＩＤＴ（InterDigitalTransducer）であり、一対の櫛歯状電極を有している。各櫛歯状電極は、素子基板３における弾性表面波の伝搬方向に延びるバスバーと、バスバーから弾性表面波の伝搬方向に直交する方向に伸びる複数の電極指とを有している。２つの櫛歯状電極同士は、それぞれの電極指が互いに噛み合うように設けられている。

なお、図１等は模式図であることから、数本の電極指を有する１対の櫛歯状電極を示しているが、実際には、これよりも多数の電極指を有する複数対の櫛歯状電極が設けられてよい。また、複数の励振電極５が直列接続や並列接続等の方式で接続されたラダー型ＳＡＷフィルタが構成されてもよいし、複数の励振電極５が弾性表面波の伝搬方向に配列された２重モードＳＡＷ共振器フィルタが構成されてもよい。

パッド７は、第１主面３ａ上に形成されている。パッド７の平面形状は適宜に設定されてよく、例えば、その平面形状は円形である。パッド７の数および配置位置は、励振電極５によって構成されるフィルタの構成等に応じて適宜に設定される。ＳＡＷ装置１では、６つのパッド７が第１主面３ａの外周に沿って配列されている場合を例示している。

励振電極５とパッド７とは配線１５によって接続されている。配線１５は、第１主面３ａ上に形成され、励振電極５のバスバーとパッド７とを接続している。なお、配線１５は、第１主面３ａ上に形成された部分だけでなく、異なる信号が流れる２つの配線１５同士を間に絶縁体を介在させた状態で立体交差させるようにしてもよい。

励振電極５、パッド７および配線１５は、例えば、互いに同一の導電材料によって構成されている。導電材料は、例えば、ＡｌまたはＡｌ−Ｃｕ合金等のＡｌ合金である。また、励振電極５、パッド７および配線１５は、例えば、互いに同一の厚さで形成されており、これらの厚さは、例えば、１００〜５００ｎｍである。また、配線１５同士を立体交差させる場合は、第１主面３ａ側の配線１５を例えばＡｌ−Ｃｕ合金で形成し、その上に絶縁体を介して配置される配線１５を、例えば下から順にＣｒ／Ｎｉ／Ａｕ、あるいはＣｒ／Ａｌとした多層構造の配線によって形成する。なお、立体配線の上側の配線をＣｒ／Ｎｉ／Ａｕによって形成した場合は、最上層のＡｕと樹脂との密着性が比較的弱いことから、樹脂からなるカバー９がこの立体配線上に積層されないようにするとよい。これにより、カバー９の剥がれを抑制することができる。一方、立体配線の上側の配線をＣｒ／Ａｌによって形成した場合は、この立体配線上にカバー９が積層されるようにしてもよい。

なお、パッド７には、励振電極５と同一の材料および同一厚さの層に加えて、導電性接合材との接続性を高める等の目的で接続強化層６が設けられている。接続強化層６は、例えば、パッド７に重ねられたニッケルの層と、ニッケルの層に重ねられた金の層とからなる。

カバー９は、例えば、隣接するパッド７の間に張り出す張出部９ａを有し、張出部９ａを除いた平面形状が、概略、矩形状をなしている。換言すれば、カバー９はパッド７を覆う程度の大きさを有する矩形からパッド７が露出するように切り欠いた形状と捉えることもできる。

カバー９は、第１主面３ａ上に設けられ、第１主面３ａの平面視において励振電極５を囲む枠部２と、枠部２に重ねられ、枠部２の開口を塞ぐ蓋部４とを有している。そして、第１主面３ａ、枠部２および蓋部４により囲まれた空間によって、励振電極５により励振されるＳＡＷの振動を妨げないようにするための振動空間２１が形成されている。

振動空間２１の平面形状は、適宜に設定されてよいが、ＳＡＷ装置１では、概ね矩形状である。なお、カバー９は、振動空間２１を構成する凹部が下面側に形成された形状であると捉えてもよい。

枠部２は、概ね一定の厚さの層に振動空間２１となる開口が１以上形成されることによって構成されている。枠部２の厚さ（振動空間２１の高さ）は、例えば、数μｍ〜３０μｍである。蓋部４は、概ね一定の厚さの層によって構成されている。蓋部４の厚さは、例えば、数μｍ〜３０μｍである。

蓋部は４の平面形状は、例えば、枠部２の平面形状と概ね同じであり、枠部２よりも蓋部４の方が一回り小さくなるように形成されている。換言すれば、枠部２は、平面視したときに枠部２の外周に沿った部分が蓋部４からわずかにはみ出るような大きさとされている。

枠部２および蓋部４は、同一の材料によって形成されていてもよいし、互いに異なる材料によって形成されていてもよい。本願では、説明の便宜上、枠部２と蓋部４との間を境界線として明示しているが、現実の製品においては、枠部２と蓋部４とは、同一材料によって一体的に形成されていてもよい。

カバー９（枠部２および蓋部４）は、感光性の樹脂によって形成されている。感光性の樹脂は、例えば、アクリル基やメタクリル基等のラジカル重合により硬化する、ウレタンアクリレート系、ポリエステルアクリレート系、エポキシアクリレート系の樹脂である。その他、ポリイミド系の樹脂等も用いることができる。

裏面部１１は、例えば、素子基板３の第２主面３ｂの概ね全面を覆う裏面電極と、裏面電極を覆う絶縁性の保護層とを有している。裏面電極により、温度変化等によって素子基板３表面にチャージされた電荷が放電される。保護層により、素子基板３の損傷が抑制さ
れる。なお、以下では、裏面部１１について、図示や説明を省略することがある。

図３は図２における領域IIIの拡大図である。

素子基板３の第１主面３ａ上には保護層８が配置されており、カバー９は保護層８の上に配置されている。保護層８は、励振電極５を覆って励振電極５の酸化防止等に寄与するものである。保護層８は、例えば、酸化珪素（ＳｉＯ_２など）、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化チタン、窒化珪素またはシリコンによって形成されている。保護層８の厚さは、例えば、励振電極５の厚さの１／１０程度（１０〜３０ｎｍ）、または励振電極５よりも厚く、２００ｎｍ〜１５００ｎｍである。

パッド７あるいは接続強化層６は保護層８から露出している。なお、図３では、保護層８の接続強化層６を露出させるための開口は、接続強化層６と同一の形状および面積とされているが、当該開口は、接続強化層６よりも大きくてもよいし、小さくても（保護層８の開口周囲の部分が接続強化層６の外周部を覆っていても）よい。

同図に示すように、ＳＡＷ装置１は蓋部４が下垂部４ａを有している。下垂部４ａは、蓋部４のうち、枠部２の内壁２ａの上辺から連なって内壁２ａの少なくとも一部を被覆している部分である。ＳＡＷ装置１では、下垂部４ａは枠部２の内壁２ａの概ね上半分を被覆している。蓋部４にこのような下垂部４ａを設けることによって、蓋部４と枠部２との接触面積が増加するため、蓋部４と枠部２との剥がれを抑制することができる。加えて、蓋部４と枠部２との境界部分から外部の水分が浸入するときに、その浸入経路が白抜き矢印で示したように下垂部４ａが枠部２の内壁に接触している分だけ長くなるため、振動空間２１内に水分が入り込みにくくなる。よって、振動空間内の励振電極５等の腐食を抑制することができ、長期にわたってＳＡＷ装置１の電気特性を安定化させることができる。

下垂部４ａは、平面視したときに例えば環状に形成されている。すなわち、枠部２の内壁２ａに沿って一回りするように内壁２ａを被覆している。これによって、蓋部４と枠部２との間からの水分の浸入抑制効果をより高めることができる。

下垂部４ａは、例えば、蓋部４を枠部２に貼り付ける際の温度等の条件を調整することによって形成することができる。例えば、樹脂製の蓋部４と樹脂製の枠部２と貼り付けるためにある程度高い温度で加熱を行うことがあるがその際の温度を通常より若干高めにし、その温度の保持時間を通常より若干長めにするなど温度や保持時間を調整することによって樹脂製の蓋部４の一部が枠部２の内壁２ａに沿って垂れてその部分が固り、それによって下垂部４ａとすることができる。なお、下垂部４ａが形成されるのに伴って蓋部４の上面のうち下垂部４ａの直上領域には微小凹部４ｂが形成されることがある。

枠部２の外壁２ｂは素子基板３の第１主面３ａに向かうほど外側に向かうように傾斜している。枠部２の外壁２ｂの第１主面３ａに対する角度αは、例えば、８０°程度である。外壁２ｂの下端は接続強化層６（接続強化層６がない場合はパッド７）から離れている。その距離は、例えば、４０μｍから６５μｍである。

蓋部４の側壁４ｃは、枠部２の外壁２ｂと同様に素子基板３の第１主面３ａに向かうほど外側に向かうように傾斜していてもよいし、傾斜していなくてもよい。蓋部４の外壁４ｂの主面３ａに対する角度βは、例えば、角度αと同じであってもよいし、大きくしてもよいし、小さくしてもよい。また、蓋部４の側壁４ｃは枠部２の外壁２ｂよりも若干内側に位置している。換言すれば、平面視したときに蓋部４は枠部２より一回り小さくされている。例えば、蓋部４の側壁４ｃは、枠部２の外壁２ｂよりも数μｍから数十μｍ内側に位置している。

図４は、ＳＡＷ装置１が実装された電子部品５１の一部を示す断面図である。

電子部品５１は、実装基板５３と、実装基板５３の実装面５３ａ上に設けられたパッド５５と、パッド５５上に配置された導電性接合材５７と、導電性接合材５７を介して実装面５３ａに実装されたＳＡＷ装置１と、ＳＡＷ装置１を封止するモールド樹脂５９とを有している。

なお、電子部品５１は、例えば、この他に、実装基板５３に実装されモールド樹脂５９によってＳＡＷ装置１とともに封止されたＩＣ等を有し、モジュールを構成している。

実装基板５３は、例えば、プリント配線板によって構成されている。プリント配線板は、リジッド基板であってもよいし、フレキシブル基板であってもよい。また、プリント配線板は、１層板であってもよいし、２層板であってもよいし、２層以上の多層板であってもよい。また、プリント配線板の基材、絶縁材料および導電材料は適宜な材料から選択されてよい。

導電性接合材５７は、ＳＡＷ装置１のパッド７および実装基板５３のパッド５５の両方に当接している。導電性接合材５７は、加熱によって溶融してパッド７に接着される金属によって形成されている。導電性接合材５７は、例えば、はんだからなる。はんだは、Ｐｂ−Ｓｎ合金はんだ等の鉛を用いたはんだであってもよいし、Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ、Ａｕ−Ｇｅ合金はんだ、Ｓｎ−Ａｇ合金はんだ、Ｓｎ−Ｃｕ合金はんだ等の鉛フリーはんだであってもよい。

モールド樹脂５９は、例えば、エポキシ樹脂、硬化材およびフィラーを主成分としている。モールド樹脂５９は、ＳＡＷ装置１を裏面部１１側および側方から覆うだけでなく、ＳＡＷ装置１と実装基板５３との間にも充填されている。具体的には、モールド樹脂５９は、カバー９の上面と実装基板５３の実装面５３ａとの間および導電性接合材５７の周囲にも充填されている。

導電性接合材５７は、例えば導体バンプなどの概ね球状であったものがパッド７とパッド５５とによって潰された形状である。すなわち、導電性接合材５７はパッド７およびパッド５５に接する２平面と、２平面を接続する外周面とを有し、その２平面および外周面は平面視において円形状であり、外周面は側面視において中央側が外側に突出する曲面状となっている。

導電性接合材５７のパッド７およびパッド５５に接する平面の面積は、好適には、パッド７およびパッド５５の面積と同じかそれ以下である。

枠部２の側壁２ｂおよび蓋部４の側壁４ｂは、その全体に亘って、導電性接合材５７に接していない。従って、カバー９（枠部２および蓋部４）の外壁と導電性接合材５７との隙間は、カバー９の上面から下面に亘るまで形成され、その隙間にモールド樹脂５９が充填されている。

このように枠部２の側壁２ｂおよび蓋部４の側壁４ｂが、その全体に亘って導電性接合材５７に接しておらず、それらの側壁と導電性接合材５７との間にモールド樹脂が充填されていることから、導電性接合材５７は、カバー９の外壁の形状の影響を受けにくい。その結果、例えば、カバー９の外壁とカバーの上面との角部等によって、導電性接合材５７に応力集中が生じやすい形状が形成されることが抑制され、導電性接合材５７のクラックの発生が抑制される。これらの効果は、特に、実施形態のように、モールド樹脂５９が、
カバー９の上面から下面に亘って、導電性接合材５７とカバー９の外壁との間に充填されているときに顕著となる。

また、先に述べたようにカバー９を構成する枠部２の外壁２ｂは、素子基板３の主面３ａに向かうほど広がるように傾斜しており、この傾斜した外壁２ｂにモールド樹脂５９が接している。

従って、例えば、傾斜した外壁２ｂと導電性接合材５７との間において、モールド樹脂５９がカバー９の上面側から下面側へ流れ込みやすくなり、モールド樹脂５９に空洞ができることが抑制される。モールド樹脂５９に空洞が存在すると、リフロー時に熱が印加された際にその空洞が膨張し、ＳＡＷ装置１の実装不良の要因となることがあるが、空洞の形成が抑制されるため、そのような実装不良等の発生が抑制される。

また、蓋部４の外壁４ｃが枠部２の外壁２ｂよりも内側に位置しているため、上述した枠部２の外壁２ｂが傾斜していることによる効果と同様の効果が期待される。すなわち、カバー９の外壁と導電性接合材５７との間において、モールド樹脂５９がカバー９の上面側から下面側へ流れ込みやすくなる。

（ＳＡＷ装置の製造方法）
図５（ａ）〜図６（ｃ）は、ＳＡＷ装置１および電子部品５１の製造方法を説明する断面図（図１のIII−III線に対応）である。製造工程は、図５（ａ）から図６（ｃ）まで順に進んでいく。

ＳＡＷ装置１の製造方法に対応する図５（ａ）〜図６（ａ）の工程は、いわゆるウエハプロセスにおいて実現される。すなわち、分割されることによって素子基板３となる母基板を対象に、薄膜形成やフォトリソグラフィー法等が行われ、その後、ダイシングされることにより、多数個分のＳＡＷ装置１が並行して形成される。ただし、図５（ａ）〜図６（ａ）では、１つのＳＡＷ装置１に対応する部分のみを図示する。また、導電層や絶縁層は、プロセスの進行に伴って形状が変化するが、変化の前後で共通の符号を用いることがあるものとする。

図５（ａ）に示すように、まず、素子基板３の主面３ａ上には、励振電極５、パッド７および配線１５が形成される。具体的には、まず、スパッタリング法、蒸着法またはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等の薄膜形成法によって、主面３ａ上に金属層が形
成される。次に、金属層に対して、縮小投影露光機（ステッパー）とＲＩＥ（Reactive Ion Etching）装置とを用いたフォトリソグラフィー法等によってパターニングが行われる。パターニングにより、励振電極５、配線１５およびパッド７が形成される。

励振電極５等が形成されると、図５（ｂ）に示すように、保護層８が形成される。具体的には、まず、適宜な薄膜形成法によって保護層８となる薄膜が形成される。薄膜形成法は、例えば、スパッタリング法またはＣＶＤである。次に、パッド７が露出するように、ＲＩＥ等によって薄膜の一部が除去される。これにより、保護層８が形成される。

保護層８が形成されると、図５（ｃ）に示すように、枠部２となる、感光性樹脂からなる薄膜が形成される。薄膜は、例えば、フィルムが貼り付けられることによって形成される。フィルムは、例えば、ベースフィルム３１と、ベースフィルム３１に貼り付けられた枠部２となる樹脂層１７とを有している。樹脂層１７を保護層８に密着させた後、矢印ｙ１によって示すように、ベースフィルム３１が剥がされる。なお、枠部２となる薄膜は、保護層８と同様の薄膜形成法によって形成されてもよいし、その他、スピンコート法等によって形成されてもよい。

枠部２となる薄膜が形成されると、図５（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィー法等によって、励振電極５上の薄膜およびパッド７が配置された素子基板３の外周に沿った領域の薄膜が除去される。また、薄膜は、ダイシングライン上においても、一定の幅で除去される。このようにして枠部２が形成される。なお、枠部２となる薄膜がフィルムの貼り付けによって形成される場合において、ベースフィルム３１を剥がす工程は、フォトリソグラフィーの露光工程後に行われてもよい。

枠部２が形成されると、図６（ａ）に示すように、蓋部４となる、感光性樹脂からなる薄膜が形成される。薄膜は、例えば、フィルムが貼り付けられることによって形成される。フィルムは、例えば、ベースフィルム３２と、ベースフィルム３２に貼り付けられた蓋部４となる樹脂層１８とを有している。そしてベースフィルム３２が張り付けられた状態の樹脂層１８を加熱することによって樹脂層１８と枠部２とを接着する。樹脂層１８と枠部２との接着は、例えば、素子基板３を４０℃から５０℃程度に加熱したステージ２９に置き、その状態で同じく４０℃から５０℃程度に加熱したローラー３０を回転させながらベースフィルム３２が貼り付けられた樹脂層１８に押し当てることによって行う。このときにステージ２９およびローラー３０の温度、ローラーの回転速度等を所定の条件に設定すると、軟化した樹脂層１８を枠部２の内壁２ａに沿って垂れるようにすることができ、この垂れた部分が下垂部４ａとなる。下垂部４ａの形状は、ステージ２９およびローラー３０の温度、ステージ２９への保持時間、ローラーの回転速度等を調整することによってある程度制御することができる。例えば、枠部２および樹脂層１８の材料としてエポキシアクリレートを使用し、枠部２および樹脂層１８の厚みがともに３０μｍである場合に、ステージ２９およびローラー３０を通常の接着時の温度よりも数℃高い４２℃から４５℃程度にすることによって、枠部２の内壁２ａのおおよそ上半分を被覆する下垂部４ａを形成することができる。

その後、ベースフィルム３２を剥がし、図６（ｂ）に示すようにフォトリソグラフィー法等により、蓋部４となる樹脂層１８の外周に沿った領域が除去され、下垂部４ａを有する蓋部４が形成される。また、薄膜はダイシングライン上においても一定の幅で除去される。蓋部４が形成されることによって、保護層８、枠部２および蓋部４によって囲まれた空間からなる振動空間２１が形成されることとなる。なお、振動空間２１の形成方法はこれに限らず、例えば、振動空間２１を形成すべき部分に犠牲層をあらかじめ形成しておき、カバーとなる樹脂を犠牲層を覆うようにして形成した後、最後に犠牲層を除去することによって形成するようにしてもよい。

蓋部４が形成されると、図６（ｃ）に示すように、ＳＡＷ装置１はウェハから切り出され、実装基板５３に実装される。ＳＡＷ装置１の実装前において、実装基板５３の実装面５３ａには、パッド５５および導電性接合材５７が設けられている。導電性接合材５７は、ＳＡＷ装置１を接合する前に導体バンプである場合であれば、例えば、蒸着法、めっき法もしくは印刷法によって、表面張力の影響等を利用することによって概ね球状もしくは半球状に形成されている。

そして、ＳＡＷ装置１は、カバー９の上面を実装面５３ａに対向させて配置される。導電性接合材５７は、ＳＡＷ装置１側のパッド７に当接し、ＳＡＷ装置１を支持する。その後、ＳＡＷ装置１および実装基板５３は、リフロー炉に通されることなどによって一時的に加熱され、導電性接合材５７の溶融および凝固によって導電性接合材５７とパッド７とが固定される。

その後、ＳＡＷ装置１は、モールド樹脂５９によって覆われる。モールド樹脂５９は、例えばトランスファーモールド法もしくは印刷法によってＳＡＷ装置１の周囲に供給され
る。ＳＡＷ装置１の周囲に供給されたモールド樹脂５９は、付与された圧力によってカバー９の上面と実装面５３ａとの間に流れ込み、さらには、カバー９の側面と導電性接合材５７との間に流れ込む。そして、図４に示したように電子部品５１が製造される。

（変形例）
図７は第１の実施形態におけるＳＡＷ装置１の変形例を示す拡大断面図である。なお、図７の断面図は図４で示した部分に対応している。

この変形例にかかるＳＡＷ装置１は、下垂部４ａの形状が図１に示したＳＡＷ装置１とは異なっている。具体的には、変形例に係るＳＡＷ装置１では下垂部４ａの下端が素子基板３の第１主面３ａまで達している。このように下垂部４ａの下端を第１主面３ａまで達していることによって下垂部４ａと枠部２の内壁２ａとの接触面積が増えるため、蓋部４と枠部２との接着強度をより向上させることができると同時に、蓋部４と枠部２との間における水分の浸入経路が長くなるため、振動空間２１に水分がより入り込みにくくなる。さらに、枠部２の素子基板３からの剥がれが生じた場合でも、下垂部４ａの下端が素子基板３が接触している分、枠部２の外壁２ｂ下端から振動空間２１までの水分の浸入経路が長くなる。よって、これによっても水分の振動空間２１への浸入を抑制し、励振電極５等の腐食を抑制することができる。

図２３は第１の実施形態におけるＳＡＷ装置１の別の変形例を示す拡大断面図であり、図４で示した部分に対応する箇所の拡大断面図である。

まず図２３（ａ）に示す変形例では、下垂部４ａが枠部２の外壁側にも設けられている。すなわち、図２３（ａ）に示すＳＡＷ装置１は、枠部２の内壁２ａの上辺から連なって内壁２ａの一部を被覆している下垂部４ａおよび枠部２の外壁２ｂの上辺から連なって外壁２ｂの一部を被覆している下垂部４ａを有している。

このように内壁２ａ側だけでなく外壁２ｂ側にも下垂部４ａを形成することによって、枠部２と蓋部４との接触面積がより増加するため、枠部２と蓋部４との剥がれ抑制効果を向上させることができる。また、外部からの水分の浸入経路となり得る枠部２と蓋部４との間の部分が長くなるため、振動空間２１への水分の浸入抑制効果も向上する。

一方、図２３（ｂ）に示す変形例では、下垂部４ａは枠部２の外壁側にのみ設けられており、枠部２の内壁側には設けられていない。このように枠部２の外壁側にのみ下垂部４ａを設けた場合も、枠部２の内壁側にのみ下垂部４ａを設けた上述のＳＡＷ装置１と同様に、枠部２と蓋部４との剥がれを抑制するとともに、振動空間２１への水分の浸入を抑制できる。特に、励振電極５と枠部２の内壁２ａとの距離が近い場合は、内壁２ａ側に下垂部４ａを形成すると下垂部４ａが励振電極５に接触しやすくなるため、図２３（ｂ）に示すＳＡＷ装置のように枠部２の外壁２ｂ側にのみ下垂部４ａを形成することによって、下垂部４ａの励振電極５への接触を防ぎつつ枠部２と蓋部４との剥がれおよび振動空間２１への水分の浸入を抑制することができる。

なお、下垂部４ａをいずれの箇所に形成するかは、例えば、図６（ａ）で示したローラー３０の回転速度を下垂部４ａを形成する位置では遅くするなど、ローラー３０の回転速度や温度等を調整することによって制御することができる。

＜第２の実施形態＞
図８は、第２の実施形態のＳＡＷ装置１０１を示す、図２に相当する断面図である。ＳＡＷ装置１０１は、カバー９の上面に配置された補強層２２を有している。

補強層２２は、カバー９（特に蓋部４）の強度を補強するためのものである。補強層２２は、カバー９の比較的広い範囲に亘って形成されている。例えば、補強層２２は、カバー９の上面の概ね全面に亘って形成されている。従って、補強層２２は、平面視において、振動空間２１の概ね全体を覆うとともに振動空間２１の外側に延出し、蓋部４とともに枠部２に支持されている。

ＳＡＷ装置１０１は下垂部４ａを有していることから、カバー９の上面のうち下垂部４ａの直上領域には微小凹部４ｂが形成されているが、補強層２２はこの微小凹部４ｂの内面に接しながら形成されている。よって補強層２２とカバー９の上面との接触面積が増えるなどして補強層２２のカバー９からの剥がれを抑制することができる。

補強層２２は、カバー９の材料よりもヤング率が高い材料によって構成されている。例えば、カバー９がヤング率０．５〜１ＧＰａの樹脂によって形成されているのに対し、補強層２２はヤング率１００〜２５０ＧＰａの金属によって形成されている。補強層２２の厚さは、例えば、１〜５０μｍである。

補強層２２は、例えば、カバー９の上面に直に位置する下地層と、下地層に重なる金属部とを有している。下地層は、例えば、銅、チタン、またはこれらを積層したものによって形成されている。下地層の厚さは、例えば、下地層が銅からなる場合は３００ｎｍ〜１μｍ、下地層がチタンからなる場合は１０ｎｍ〜１００ｎｍである。金属部は、例えば、銅によって形成されている。

＜第３の実施形態＞
図９は、第３の実施形態のＳＡＷ装置２０１を示す、図２に相当する断面図である。

ＳＡＷ装置２０１は、枠部２の外壁２ｂから蓋部４の側壁４ｃにかけて被覆する封止膜２３を有している。

このように枠部２の外壁２ｂから蓋部４の側壁４ｃにかけて被覆する封止膜２３を設けることによって、枠部２と蓋部４との間から浸入し得る水分等の振動空間２１への浸入抑制効果をより高めることができる。

封止膜２３としては、例えば、酸化珪素、窒化珪素等の絶縁材料、銅等の金属材料を使用することができる。ＳＡＷ装置２０１では、封止膜２３を金属材料によって形成し、枠部２の外壁２ｂから蓋部４の側壁４ｃにかけてだけでなく、カバー９の上面まで連続して形成している。これによって、封止膜２３を第２の実施形態におけるＳＡＷ装置１０１の補強層２２としても使用することができる。

また、蓋部４の側壁４ｃを枠部２の外壁２ｂよりも内側に位置させておくことによって、枠部２の外壁２ｂと蓋部４の側壁４ｃとの間の部分に段差ができるため、枠部２の外壁２ｂと蓋部４の側壁４ｃとの間の部分に十分な厚みの封止膜２３を形成しやすくなる。

＜第４の実施形態＞
図１０は、第４の実施形態のＳＡＷ装置３０１を示す、図２に相当する断面図である。ＳＡＷ装置３０１は、端子２５を有している。この端子２５はパッド７と電気的に接続された状態でパッド７の上に位置している。また端子２５はカバー９を縦方向に貫通し、パッド７と接続されない方の端部はカバー９の上面から露出している。端子７は例えば銅等を用いてめっき法によって形成される。

また、このようなカバー９を貫通する端子２５を設けた上、補強層２２も設けている場
合には、補強層２２全体を絶縁膜２４によって覆っておくことが好ましい。これにより、ＳＡＷ装置３０１を実装基板に実装した際に補強層２２と端子２５とが短絡するのを抑制することができる。

かかるＳＡＷ装置３０１の製造方法について、図１１および図１２を用いて説明する。ＳＡＷ装置３０１の製造工程のうち、枠部２を形成する前までの工程（図５（ａ）〜図５（ｃ）に示した工程）はＳＡＷ装置１の製造工程と同じであるため、その部分の説明は省略し、以下では枠部２を形成する工程から説明する。

まず、図１１（ａ）に示すように、ＳＡＷ装置３０１では、柱状の端子２５を形成する必要があるため、柱状の端子２５が形成されるパッド７上に第１貫通孔３３が形成されるように、枠部２となる樹脂層１７のパターニングを行う。

続いて、図１１（ｂ）に示すように、蓋部４となる樹脂層１８を枠部２に接着するとともに下垂部４ａを形成する。かかる工程は、図６（ａ）に示したＳＡＷ装置１の工程と基本的に同じである。ここで、樹脂層１８として感光性のネガ型レジストを使用している。

次に、図１１（ｃ）に示すように、マスク４０を介して樹脂層１８の露光を行う。マスク４０は、透明基板３８および透明基板３８の下面に所定のパターンで形成された遮光部３９を有する。

樹脂層１８はネガ型であることから、樹脂層１８のうち遮光部３８によって露光されない部分が露光後の現像によって除去されることとなる。よって、遮光部３８はマスク４０の位置設定をしたときに樹脂層１８を除去すべき位置に対応する位置に配置され、除去すべき部分の形状に対応する形状とされている。この実施形態においては、第１貫通孔３３の直上部分に配置された遮光部３９と、第１貫通孔３３と振動空間２１の間の領域の直上部分に配置された遮光部３９が設けられている。

ここで、第１貫通孔３３と振動空間２１との間の領域の直上部分にも遮光部３９を設けた理由について、そのような遮光部３９を設けない場合と比較しながら説明する。

第１貫通孔３３と振動空間２１との間の領域の直上部分に遮光部３９を設けていないマスク４０を用いて露光を行い、その後、現像処理をすると、図１３（ｂ）に示すように、端子２５の上側部分を配置するための第２貫通孔３４の内周面に微小突起２６が形成される場合がある。

このような微小突起２６が形成されるメカニズムは明確にはなっていないが、樹脂層１８への露光工程において、以下の現象が起こっていることによるものと推測される。

図１３（ａ）は、第１貫通孔３３と振動空間２１との間の領域の直上部分に遮光部３９が設けられていないマスク４０を用いて露光を行う工程を示す断面図である。図１３（ａ）に示すように、露光用の光Ｌの一部は、下垂部４ａの下端において散乱され、散乱された光の一部が樹脂層１８のうち第１貫通孔３３の直上部分に達すると考えられる。そうすると、本来は露光させない部分が露光されてしまい、この後に現像処理を行うと、図１３（ｂ）に示す微小突起２６が形成されるものと推測される。

このような微小突起２６が第２貫通孔３４の内周面に存在すると、第２貫通孔３４の内周面にスパッタリング法等によってめっき下地膜を形成する際に、微小突起２６が障害となって、めっき下地膜の形成されない部分ができる。めっき下地膜が存在しない部分にはめっきが成長しないため、端子２５の形状がいびつになり、実装不良等の要因となる。

一方、図１１（ｃ）に示すように、第１貫通孔３３と振動空間２１との間の領域の直上部分に遮光部３９を設けておくと、下垂部４ａの下端部で散乱した露光用の光Ｌの一部が第１貫通孔３３の直上領域に向かったとしても、そこに達する前に露光されていない第１貫通孔３３の直上領域よりも内側の部分（図１１（ｃ）において点線で囲った領域Ｔ）を露光し、その領域Ｔの感光に使用されるため、第１貫通孔３３の直上領域に達しにくくなる。これによって、散乱光による第１貫通孔３３の直上領域への露光が抑制され、微小突起２６が形成されにくくなる。

その後、現像処理を行うことによって、図１２（ａ）に示すように、第１貫通孔３３に連結された第２貫通孔３４が形成され、蓋部４と枠部２とからなるカバー９が完成する。また、散乱光による領域Ｔへの露光の照度は比較的弱いため、領域Ｔの感光が十分されず、溝部１２が形成される。なお、溝部１２が形成されないようにする場合には、図１１（ｃ）において、領域Ｔに対応する遮光部３９の幅を所定寸法よりも小さくすればよい。遮光部３９の幅を所定寸法よりも小さくすることによって、散乱光による弱い露光によっても領域Ｔ全体が感光されるためである。

次に、図１２（ｂ）に示すように、めっき用レジスト層４１を形成する。このめっき用レジスト層４１は、端子２５を形成すべき部分および補強層２２を形成すべき部分に開口を有するようにパターニングされている。なお、めっき用レジスト層４１を形成する前に蓋部４の上面、第１貫通孔３３および第２貫通孔３４の内周面、ならびに第１貫通孔の底面にめっき下地膜を形成しておく。めっき下地膜の成膜は、例えば、スパッタリング法等によって行われる。

次に、図１２（ｃ）に示すように、めっき法によって端子２５と補強層２２とを形成する。

具体的には、まず、めっき用レジスト層４１から露出しているめっき下地膜に対してめっき処理を施し、めっきを成長させる。そして、成長しためっきの上面を化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）等によって平坦化し、めっき用レジスト層４１を除去する。これによって、端子２５と補強層２２とが完成する。

めっき法は、適宜に選択されてよいが、電気めっき法が好適である。電気めっき法は、柱状の端子２５の高さの自由度が高く、また、めっき下地膜との密着性が良好なためである。

最後に、補強層２２を覆う絶縁膜２４を形成する。絶縁膜２４は、例えば、ネガ型の感光性樹脂をスピンコート法等によってカバー９の上面に塗布した後、露光・現像処理をしてパターニングを行うことによって形成することができる。なお、この絶縁膜２４を溝部１２に充填するようにしてもよい。以上の工程を経て、ＳＡＷ装置３０１が完成する。

（変形例）
図１４は、第４の実施形態におけるＳＡＷ装置３０１の変形例を示す断面図である。この変形例は、カバー９の上面のうち、カバー９を平面視したときに端子２５と振動空間２１との間に位置する部分に溝部１２を形成し、その溝部１２に補強層２２の一部が嵌まるようにしたものである。このように、補強層２２の一部を溝部１２に嵌めることによって、補強層２２のカバー９からの剥がれを抑制することができる。補強層２２を嵌めるための溝部１２は、例えば、図１１（ｃ）に示したように、溝部１２を形成すべき位置に遮光部３９を設けたマスク４０を用いて露光を行うことによって形成することができる。

＜第５の実施形態＞
図１５は、第５の実施形態のＳＡＷ装置４０１を示す平面図である。なお、図１５では振動空間２１の外周（枠部の内壁２ａ）を点線で示している。

ＳＡＷ装置４０１は、素子基板３の主面３ａの所定の領域に凹部１０を有している。凹部１０は、図１５に示すように、平面視したときに枠部２から露出するようにして設けられている。

図１６は、図１５のＸVI−ＸVI線における部分断面図である。ＳＡＷ装置４０１では、平面視したときに凹部１０がちょうど枠部２の外壁２ｂに接する位置に設けられている。

このような凹部１０を素子基板３の主面３ａに設けることによって、周囲の温度が変化した際などにカバー９にかかる応力を低減させることができることを、シミュレーションによって確かめた。

図１７はそのシミュレーションに用いたＳＡＷ装置の基準解析モデルＳである。なお、基準解析モデルＳは、回転対称軸Ａを回転軸として形成される立体の一部分を切り出して簡易モデル化したものである。素子基板３の材料はタンタル酸リチウム単結晶とし、カバー９は、−４０℃における熱膨張率が３８．５ｐｐｍ／℃（実測値）で、８５℃における熱膨張率が５０ｐｐｍ／℃（実測値）である材料とした。各部分の寸法は図１７に示したとおりである。そして基準解析モデルＳのＳＡＷ装置に、各種凹部１０または切欠き部１３を形成したものを解析モデルＡ〜Ｅとした。

解析モデルＡは、基準解析モデルＳに図１６に示した凹部１０を形成したものであり、凹部１０は枠部２の外壁２ｂに接する位置に形成されている。解析モデルＢは、基準解析モデルＳに図１８（ａ）に示した凹部１０を形成したものであり、凹部１０は、一部が枠部２の下に位置し、残りの部分が枠部２から外側の領域に露出している。解析モデルＣは、基準解析モデルＳに図１８（ｂ）に示した凹部１０を形成したものであり、凹部１０は、全体が枠部２の下に位置している。解析モデルＤは、図１８（ｃ）に示した凹部１０を基準解析モデルＳに形成したものであり、凹部１０は、全部が枠部２から露出している。解析モデルＥは、基準解析モデルＳに凹部１０ではなく切欠き部１３を形成したものである。この切欠き部１３は、枠部２の外壁２ｂの素子基板３の主面に接する部分を起点として素子基板３の角部を側面に至るまで切り欠くようにして形成されたものである。

これらの各解析モデルについて、環境温度を８５℃から−４０℃にしたときに、カバー９にかかる最大主応力を有限要素法によるシミュレーションによって調べた。その結果を表１に示す。なお、表１には各解析モデルに設けた凹部１０または切欠き部１３の深さｄおよび幅ｗの寸法も併せて記載している。

この表に示す結果からわかるように、解析モデルＣ以外、すなわち解析モデルＡ、解析モデルＢ、解析モデルＤおよび解析モデルＥでは、基準解析モデルＳと比べてカバー９にかかる最大主応力が小さくなった。一方、解析モデルＣは、逆に最大主応力が基準解析モデルＳに比べて大きくなった。

この結果から考察するに、素子基板３の主面３ａのうち振動空間２１を区画する枠部２の内壁２ａの下端に位置する部位よりも外側の領域に、平面視したときに、一部が枠部２の下に位置するか、または全部が枠部２の外側に位置する凹部１０、あるいは枠部２の外壁２ｂの下端の近傍から素子基板３の側面まで達している切欠き部１３を形成することによって、大きな温度変化が生じた際などにカバー９にかかる応力を低減させることができるといえる。このようにカバー９にかかる応力が低減されることによって、カバー９の素子基板３からの剥がれを抑制することができる。

このように凹部１０または切欠き部１３を形成することによって、カバー９にかかる応力を低減させることができる理由は必ずしも明らかではないが、１つの理由としては、熱応力が緩和されることによるものであると考えられる。ＳＡＷ装置において、素子基板３を圧電材料によって形成し、カバー９を樹脂によって形成した場合は、素子基板３とカバー９との熱膨張係数の違いによって、周囲の環境の温度変化に応じてカバー９に熱応力が生じる。このときに例えば、図１６に示すように凹部１０を設けておくと、カバー９（枠部２）の白抜き矢印Ｓ１で示す収縮に追従して素子基板３も白抜き矢印Ｓ２に示すように幾分変形するようになり、これによってカバー９の熱応力が低減されるものと考えられる。

なお、図１８（ｃ）に示した解析モデルＤにおいては、凹部１０の枠部２側の縁と枠部２の外壁２ｂとの間隔を４μｍとしたが、その間隔が４μｍより大きくなるとカバー９によって発生する応力を緩和する効果が低減する。このことから、凹部１０または切欠き部１３は、枠部２の近傍、より具体的には少なくとも枠部２側の縁が枠部２に接する位置に形成すれば、応力緩和効果を高めることができると考えられる。

凹部１０の断面形状は、図１６、図１８（ａ）〜（ｃ）に示したように、矩形状のものに限られず、図１９（ａ）に示すように三角形状のものでもよいし、図１９（ｂ）に示すように底が円弧状になったものなどでもよい。また、切欠き部１３の断面形状についても、図１８（ｄ）に示したように三角形状に切り欠いたものに限られず、図１９（ｃ）に示すように、例えば、矩形状に切り欠いたものでもよい。

また、図１５に示すように、素子基板３の平面形状が長方形状である場合には、素子基板３の短辺側において枠部２にクラックが発生しやすくなるという傾向が見られる。これについての原因は明らかではないが、素子基板３の短辺側は素子基板３に反りが生じた場合に大きな応力がかかりやすいため、その部分に蓋部４の収縮応力が加わることによって、蓋部４のエッジを起点としてクラックが生じるということが１つの要因として考えられる。そこで、素子基板３の平面形状が長方形状である場合には、凹部１０あるいは切欠き部１３を、素子基板３の主面３ａの短辺側に形成しておけば、枠部２にかかる応力が緩和される結果、枠部２におけるクラックの発生を抑制することができるものと考えられる。

なお、凹部１０または切欠き部１３の形成位置は、図１５に示したものに限られず、例えば、図２０に示すように、主面３ａの各辺に形成してもよい。その他、素子基板３の主面３ａの外周に沿って枠状に形成してもよいし、凹部１０と切欠き部１３の両方を混在させて形成してもよい。

このような凹部１０および切欠き部１３は、上述したＳＡＷ装置の製造方法の過程において、例えば、図５（ｂ）で示した保護層８を形成した段階、図５（ｄ）で示した枠部２を形成した段階、あるいは図６（ｃ）の前のウエハ状の素子基板３の集合体を素子基板３ごとに切断する前の段階などにおいて、ダイシングブレード等を用いて素子基板３の主面３ａに切り込みを入れることなどによって形成することができる。

＜第６の実施形態＞
図２１は、第６の実施形態のＳＡＷ装置５０１を示す断面図であり、図２２は図２１に示す領域Ｅの拡大図である。

第６の実施形態におけるＳＡＷ装置５０１は、カバー９（枠部２）の下端部に伸長部１４を有している。伸長部１４は、カバー９の素子基板３との接合部の外面側および内面側に素子基板３の主面３ａに沿って伸びている。換言すれば、伸長部１４は、枠部２の内壁２ａ側においては、この内壁２ａから振動空間２１に向かって伸び、枠部２の外壁２ｂ側においては、この外壁２ｂから素子基板３の外周に向かって伸びている。また、伸長部１４は、カバー９の下端部のほぼ全周にわたって設けられているが、配線１５の近傍には設けられていない。

このような伸長部１４が形成されていることによって、伸長部１４の分だけカバー９と主面３ａとの間における振動空間２１への水分等の浸入経路が長くなるため、振動空間２１の気密性を長時間にわたって正常な状態に保持することができる。よって、振動空間内の励振電極５等の腐食を抑制することができ、長期にわたってＳＡＷ装置１の電気特性を安定化させることができる。

伸長部１４は、例えば、カバー９と同一材料からなり、カバー９と一体的に形成されている。このように伸長部１４をカバー９と一体的に形成すれば、カバー９の主面３ａ側への接触面積が伸長部１４の分だけ大きくなるとみなすことができるため、カバー９の素子基板３への密着性が向上し、カバー９の素子基板３からの剥離を抑制することができる。なお、伸長部１４はカバー９とは別の材料によって形成してもよい。

外部からの水分等の浸入経路を長くするという観点からすれば、枠部２の幅をそのまま大きくすることも考えられる。しかし、枠部２のように厚みの大きいものは、励振電極５および素子基板３に対し所定の距離だけ離しておく必要があるため、単純に大きくすることはできない。これは、励振電極５側においては、励振電極５に枠部２のように厚みの大きいものが触れると励振電極５の振動に大きな影響を与えてしまい電気特性の劣化を招くためであり、素子基板３の外周側では、その部分がウエハのダイシングラインになっていることから、ダイシングライン上に厚みの大きい枠部２が存在していると、ウエハの切断時に素子基板３等に欠けが発生しやすくなることによるものである。さらには後述するようにＳＡＷ装置５０１を他の実装基板に実装し、そのＳＡＷ装置５０１全体を外装樹脂によって被覆するような場合には、カバー９の外壁が素子基板２の外周付近まできていると、ＳＡＷ装置１と実装基板の主面との間に外装樹脂が入りこみにくくなり、その部分に空隙ができやすくなるという不具合も発生する。

これに対し、伸長部１４はカバー９の下端部から伸びるようにして薄く形成されていることから、仮に伸長部１４が励振電極５に触れたり、あるいは素子基板３の外周付近まで伸びていたとしても上記の不具合が抑制される。特に伸長部１４を外方に向かうにつれて漸次厚みが小さくなるように形成しておけば、その先端が励振電極５に触れても電気特性に大きな影響を与えることがなく、また、素子基板３の外周付近まで伸びていたとしてもウエハのダイシング時に素子基板３等に欠けが発生するのをより効果的に抑制することができる。さらには、ＳＡＷ装置５０１を他の実装基板に実装して、外装樹脂によって被覆するような場合には、ＳＡＷ装置１と実装基板との間に空隙が形成されるのを抑制することができる。伸長部１４の最も厚みの厚い部分、すなわちカバー９との接続部分における厚みは、例えば、枠部２の厚みの１／３０〜１／１０となっている。具体的には、枠部２の厚みが３０μｍである場合に伸長部１４の最も厚みの厚い部分の大きさは１．５μｍである。なお、伸長部１４の水平方向の幅は例えば４０μｍ程度である。

伸長部１４の断面形状は、図２２に示した三角形状のものに限らず、外周が円弧状のもの、台形状のもの、矩形状のもの等も可能である。

＜第７の実施形態＞
図２４（ａ）乃至（ｃ）は、第７の実施形態のＳＡＷ装置６０１を示す、図３に対応する部分の拡大断面図である。

図２４（ａ）乃至（ｃ）に示すＳＡＷ装置６０１は、いずれも枠部２の上面に凹凸部が形成されている。一方、蓋部４の下面には枠部２に形成した凹凸部に嵌まる凹凸部が形成されており、蓋部４が枠部２に重なった状態において、蓋部４の凹凸部は枠部２の凹凸部に嵌まっている。

このような凹凸部を枠部２および蓋部４に形成することによっても、上述した第１実施形態のＳＡＷ装置１における下垂部４ａと同様に蓋部４と枠部２との接触面積が増加するため、蓋部４と枠部２との剥がれを抑制することができるとともに振動空間２１に外部から水分が浸入するのを抑制することができる。

図２４（ａ）に示すように枠部２の上面に比較的大きな凹部を形成するには、例えば、枠部２を形成した段階（図５（ｄ））で枠部２の上面をドライエッチングまたはウェットエッチングにより削ればよい。

図２４（ｂ）に示すように枠部２の上面に比較的大きな凸部を形成するには、例えば、枠部２を２層構造とすればよい。具体的には、凸部よりも下の１層目を通常の枠部２を形
成する場合と同じようにフォトリソグラフィー法等によって形成し（図５（ｄ））、その後、１層目の上に凸部となる２層目をフォトリソグラフィー法等によって形成すればよい。

図２４（ｃ）に示すように枠部２の上面に比較的小さな凹凸を形成するには、例えば、枠体２を形成した段階（図５（ｄ））において、枠体２の上面に酸素プラズマ等を用いてアッシング処理を施せばよい。

枠部２の上面に形成した凹凸部に嵌まる蓋部４の凹凸部は、例えば、蓋部４となる薄膜を枠部２に貼り付ける段階（図６（ａ））において、ローラー３０の回転速度や温度、ステージ２９の温度等を所定の条件に設定することによって形成することができる。

図２４（ａ）乃至（ｃ）には、凹凸部の断面形状が矩形状である例を示したが、凹凸部の断面形状はこれに限らず、例えば、三角状、台形状、円弧状など任意の形状が可能である。凹凸部における凹部の深さ（凸部の高さ）は、図２４（ａ）および（ｂ）のように比較的大きな凹凸を形成する場合には、例えば、枠部２の厚みの１０％〜６０％であり、具体的には１μｍ〜２０μｍである。また図２４（ｃ）のように比較的小さな凹凸を形成する場合には、枠部２の上面が粗面化されていると見ることができ、粗面化された枠部２の上面の算術平均粗さ（レーザー顕微鏡で測定したときの算術平均粗さ）は０．５μｍ〜２μｍである。

また、枠部２の上面に形成する凹凸部は、枠部２を平面視したときに枠部２の上面に一様に点在するようにして形成してもよいし、凹部が枠部２の上面に沿って一続きの溝になるように形成してもよい。

なお、第１の実施形態に係るＳＡＷ装置１も枠部２の上面に形成された枠部側凹凸部と蓋部４の下面に形成された蓋部側凹凸部とが嵌まった形状であると見ることもできる。すなわち、蓋部４に下垂部４ａが形成されていることによって蓋部４の下面に比較的大きな凹部が形成されており、その凹部に嵌まる凸部が枠部２の上面に形成されていると見ることができる。

本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよく、また上述した実施形態は、適宜に組み合わされてよい。例えば、下垂部４ａが形成された第１の実施形態のＳＡＷ装置１に対して、第６の実施形態に係るＳＡＷ装置６０１のように枠部２の上面に凹凸部を形成し、蓋部４の下面に枠部２の凹凸部に嵌まる凹凸部を形成してもよい。

弾性波装置は、ＳＡＷ装置に限定されない。例えば、弾性波装置は、圧電薄膜共振器であってもよい。

また、弾性波装置において、保護層８および裏面部１１は必須の要件ではなく、省略されてもよい。

１・・・弾性波装置
２・・・枠部
３・・・素子基板
４・・・蓋部
４ａ・・・下垂部
５・・・励振電極
６・・・接続強化層
７・・・パッド
９・・・カバー
１０・・・凹部

Claims (9)

1. 素子基板と、
   該素子基板の主面に位置した励振電極と、
   該励振電極を囲むようにして前記素子基板の主面上に位置した枠部および該枠部に重なって該枠部を塞ぐ蓋部を含むカバーとを備えた弾性波装置であって、
   前記枠部は上面に枠部側凹凸部を有するとともに外壁が前記素子基板の主面に向かうほど外側に向かうように傾斜しており、
   前記蓋部は下面に蓋部側凹凸部を有し、該蓋部側凹凸部は前記枠部側凹凸部に嵌まっており、
   前記素子基板は、主面のうち前記枠部の外壁の下端の近傍から側面まで達している切欠き部を有している弾性波装置。
2. 前記蓋部は、前記枠部の内壁の上辺または外壁の上辺から連なって前記内壁または前記外壁の少なくとも一部を被覆している下垂部を有している請求項１に記載の弾性波装置。
3. 前記枠部は、内壁側および外壁側の少なくとも一方の前記素子基板との接合部に、前記素子基板の主面に沿って伸びた伸長部を有している請求項１または２に記載の弾性波装置。
4. 前記蓋部の前記素子基板と反対側の主面に配置された、外周が前記枠部上に位置している金属製の補強層をさらに備えた請求項１乃至３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
5. 素子基板と、
   該素子基板の主面に位置した励振電極と、
   該励振電極を囲むようにして前記素子基板の主面上に位置した枠部および該枠部に重なって該枠部を塞ぐ蓋部を含むカバーとを備えた弾性波装置であって、
   前記枠部は上面に枠部側凹凸部を有するとともに外壁が前記素子基板の主面に向かうほど外側に向かうように傾斜しており、
   前記蓋部は下面に蓋部側凹凸部を有し、該蓋部側凹凸部は前記枠部側凹凸部に嵌まっており、
   前記蓋部の前記素子基板と反対側の主面に配置された、外周が前記枠部上に位置している金属製の補強層をさらに備え、
   前記素子基板の主面のうち前記枠部に前記蓋部が重なっている部分に位置している、前記励振電極に電気的に接続されたパッドと、該パッドから前記枠部および前記蓋部を貫通して伸びて前記蓋部の前記素子基板と反対側の主面に露出した端子とをさらに備えており、
   前記蓋部は、平面視したときに、前記素子基板と反対側の主面のうち前記端子と前記枠部の内壁との間に位置する部分に設けられた溝部を有し、該溝部には前記補強層の一部が嵌まっている弾性波装置。
6. 素子基板と、
   該素子基板の主面に位置した励振電極と、
   該励振電極を囲むようにして前記素子基板の主面上に位置した枠部および該枠部に重なって該枠部を塞ぐ蓋部を含むカバーとを備えた弾性波装置であって、
   前記枠部は上面に枠部側凹凸部を有するとともに外壁が前記素子基板の主面に向かうほど外側に向かうように傾斜しており、
   前記蓋部は下面に蓋部側凹凸部を有し、該蓋部側凹凸部は前記枠部側凹凸部に嵌まっており、
   前記素子基板は、主面のうち前記枠部の内壁の下端よりも外側の領域に、平面視したとき
   に一部が前記枠部の下に位置するか、または全部が前記枠部の外側に位置する凹部を有している弾性波装置。
7. 素子基板と、
   該素子基板の主面に位置した励振電極と、
   該励振電極を囲むようにして前記素子基板の主面上に位置した枠部および該枠部に重なって該枠部を塞ぐ蓋部を含むカバーとを備えた弾性波装置であって、
   前記枠部は上面に一様に点在する枠部側凹凸部を有しており、
   前記蓋部は下面に蓋部側凹凸部を有し、該蓋部側凹凸部は前記枠部側凹凸部に嵌まっており、
   前記素子基板は、主面のうち前記枠部の外壁の下端の近傍から側面まで達している切欠き部を有している弾性波装置。
8. 素子基板と、
   該素子基板の主面に位置した励振電極と、
   該励振電極を囲むようにして前記素子基板の主面上に位置した枠部および該枠部に重なって該枠部を塞ぐ蓋部を含むカバーとを備えた弾性波装置であって、
   前記枠部は上面に一様に点在する枠部側凹凸部を有しており、
   前記蓋部は下面に蓋部側凹凸部を有し、該蓋部側凹凸部は前記枠部側凹凸部に嵌まっており、
   前記素子基板は、主面のうち前記枠部の内壁の下端よりも外側の領域に、平面視したときに一部が前記枠部の下に位置するか、または全部が前記枠部の外側に位置する凹部を有している弾性波装置。
9. 実装基板と、
   該実装基板の主面に前記素子基板の主面を対面させた状態で導電性接合材を介して実装された請求項１乃至８のいずれか１項に記載の弾性波装置と、
   該弾性波装置を被覆するモールド樹脂とを備えた電子部品。