JP2001217679A - 端面反射型表面波装置、共用器及び通信機 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 バルク波に起因するリップルを効果的に抑圧
することができ、反射端面の高さ方向寸法を小さくした
場合であっても容易に製造することができるＳＨタイプ
の表面波を利用した端面反射型表面波装置を提供する。 【解決手段】 圧電基板１上にＩＤＴ３，４が形成され
ており、ＳＨタイプの表面波を反射させるために、溝
５，６がＩＤＴ３，４が設けられている領域の両側に形
成されており、溝５，６の内側面５ａ，６ａが反射端面
を構成しており、反射端面５ａ，６ａの下端と溝の底部
との間に傾斜面部５ｂ，６ｂが形成されている、端面反
射型表面波装置１。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＳＨタイプの表面
波を利用した端面反射型の表面波装置に関し、より詳細
には、反射端面及びその近傍の構造が改良された端面反
射型表面波装置、該端面反射型表面波装置を用いた共用
器及び通信機に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、ＢＧＳ波やラブ波などのＳＨタイ
プの表面波を利用した端面反射型表面波装置が知られて
いる。端面反射型表面波装置では、一対の端面間で表面
波が反射されるため、反射器を必要としない。従って、
端面反射型表面波装置を用いることにより、小型の共振
子や帯域フィルタを構成することができる。

【０００３】しかしながら、端面反射型表面波装置で
は、ＳＨタイプの表面波だけでなく、バルク波も同時に
発生する。このバルク波が端面で反射され、それによっ
て端面反射型表面波装置の特性に影響を与えるという問
題があった。

【０００４】特公平８−２１８３０号公報には、上記バ
ルク波を抑圧する構成が備えられた端面反射型表面波装
置が開示されている。図１４に示すように、この先行技
術に記載の端面反射型表面波装置１０１では、圧電基板
１０２上に、インターデジタルトランスデューサ（以
下、ＩＤＴ）１０３が形成されている。ＩＤＴ１０３
は、一対のくし歯電極を互いの電極指が間挿し合うよう
に圧電基板１０２上に形成することにより構成されてい
る。図１４では、この電極指と直交する方向に沿った断
面部分が示されている。

【０００５】ＩＤＴ１０３の表面波伝搬方向両側には、
ＳＨタイプの表面波を反射させるために、反射端面１０
２ａ，１０２ｂが形成されている。そして、圧電基板１
０２の側面には、段差１０２ｃ，１０２ｄが形成されて
いる。段差１０２ｃ，１０２ｄの上方の側面部分に上記
反射端面１０２ａ，１０２ｂが構成されている。そし
て、段差１０２ｃ，１０２ｄの下方の側面部分１０２
ｅ，１０２ｆは粗面とされている。側面部分１０２ｅ，
１０２ｆが粗面とされているので、ＳＨタイプの表面波
に比べて圧電基板の下方部分まで伝搬するバルク波の特
性を利用して、不要バルク波の反射が抑制される。

【０００６】上記反射端面１０２ａ，１０２ｂ、段差１
０２ｃ，１０２ｄ及び側面部分１０２ｅ，１０２ｆの形
成に際しては、まずマザーの圧電基板２の一方主面側か
ら、ダイサーを用いて段差１０２ｃ，１０２ｄが設けら
れる位置に至る溝を形成する。この溝の内側面が反射端
面１０２ａ，１０２ｂを構成する。しかる後、溝の底部
において、マザーの圧電基板を折ることにより、側面部
分１０２ｅ，１０２ｆが形成される。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ＳＨタイプの表面波
は、圧電基板１０２のＩＤＴ１０３が構成されている主
面から極浅い領域を主として伝搬する。従って、反射端
面１０２ａ，１０２ｂの高さ方向寸法は比較的小さくて
もよい。ところが、上記先行技術に記載の方法では、反
射端面１０２ａ，１０２ｂの高さ方向寸法を小さくする
ために、ダイサーにより浅い溝を形成した場合には、段
差１０２ｃ，１０２ｄよりも下方の圧電基板部分の厚み
が厚くなる。そのため、溝を形成した後に圧電基板を折
ることが困難となり、側面部分１０２ｅ，１０２ｆを粗
面化することができないという問題があった。

【０００８】逆に、反射端面１０２ａ，１０２ｂの高さ
方向寸法を大きくし、すなわち溝の深さを深くした場合
には、バルク波の反射を効果的に抑制することができ
ず、良好な特性を得ることができなくなる。

【０００９】本発明の目的は、上述した従来技術の欠点
を解消し、バルク波の影響をより効果的に抑圧すること
ができ、良好な共振特性フィルタ特性を発揮し得る端面
反射型表面波装置、該端面反射型表面波装置を用いた共
用器及び通信機を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本願の第１の発明は、圧
電基板と、前記圧電基板の一方主面上に形成されたＩＤ
Ｔとを備え、前記ＩＤＴの両側において圧電基板の一方
主面に溝が形成されており、該溝の内側の側面により表
面波を反射させるための反射端面が形成されている端面
反射型表面波装置において、前記反射端面の下端と溝の
底部との間に傾斜面部もしくは曲面部が形成されている
ことを特徴とする。

【００１１】本願の第２の発明は、対向し合う一対の側
面を有する圧電基板と、圧電基板の一方主面上に形成さ
れたインターデジタルトランスデューサとを備え、前記
一対の側面の前記一方主面寄りの側面部分が反射端面を
構成している端面反射型表面波装置において、前記反射
端面の下端に傾斜面部もしくは曲面部が連ねられている
ことを特徴とする。

【００１２】第１，第２の発明の特定の曲面では、縦結
合共振子型フィルタを構成するように前記圧電基板の上
面に複数のＩＤＴが構成されている。第１，第２の発明
の端面反射型表面波装置の他の特定の曲面では、横結合
共振子型フィルタを構成するように前記圧電基板の上面
に複数のＩＤＴが構成されている。

【００１３】第１，第２の発明に係る端面反射型表面波
装置のさらに他の特定の曲面では、前記圧電基板の上面
に複数のＩＤＴが、ラダー型フィルタを構成するように
形成されている。第１，第２の発明に係る端面反射型表
面波装置は、表面波共振子としても好適に用いられる。

【００１４】本発明に係る共用器は、第１，第２の発明
に係る端面反射型表面波装置を用いて構成されているこ
とを特徴とする。また、本発明に係る通信機は、本発明
に係る共用器を用いて構成されていることに特徴を有す
る。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ、本発明
に係る端面反射型表面波装置、共用器及び通信機の具体
的な実施例を説明することにより、本発明を明らかにす
る。

【００１６】図１は、本発明の第１の実施例に係る端面
反射型表面波装置を示す斜視図である。端面反射型表面
波装置１は、端面反射型の縦結合共振子フィルタであ
る。端面反射型表面波装置１は、矩形板状の圧電基板２
を有する。圧電基板２は、ＬｉＴａＯ₃ や水晶などの圧
電単結晶または圧電セラミックスにより構成される。

【００１７】上記圧電基板２の一方主面としての上面２
ａ上に、ＩＤＴ３，４が構成されている。ＩＤＴ３，４
は、それぞれ、一対のくし歯電極３ａ，３ｂ，４ａ，４
ｂを有する。くし歯電極３ａ，４ａの電極指と、くし歯
電極３ｂ，４ｂの電極指が、それぞれ、互いに間挿し合
うように配置されている。

【００１８】ＩＤＴ３，４の表面波伝搬方向両側には、
溝５，６が形成されている。溝５，６の内側面５ａ，６
ａが反射端面を構成している。ここで、内側面とは、表
面波伝搬方向において内側の側面をいうものとする。

【００１９】図２に部分切欠断面図で示すように、溝５
は、反射端面５ａと、５ａの下端から溝の底部との間に
構成された傾斜面部５ｂとを有する。本実施例では、上
記溝５は、図３に部分切欠断面図で示すブレード７を用
いて構成されている。すなわち、ブレード７により、圧
電基板２の上面２ａ側から切削加工を施すことにより、
溝５が形成されている。ブレード７の先端部分は横断面
Ｖ字状の形状を有し、すなわち、一対の側面７ａ，７ｂ
と、該側面７ａ，７ｂと下端７ｃとを連ねている傾斜面
部７ｄ，７ｅを有する形状とされている。

【００２０】従って、上記切削加工により、ブレード７
の形状に応じて、すなわち側面７ｂ及び傾斜面部７ｅに
応じて、反射端面５ａ及び傾斜面部５ｂが形成されてい
る。本実施例では、傾斜面部５ｂは、反射端面５ａの下
端から斜め下方外側に延びるように形成されている。な
お、本明細書において、「傾斜面部」とは、上記のよう
に圧電基板２の主面と直交する方向に延びる反射端面５
ａに対して、０°以上の角度をなして交差するように傾
斜されている面をいうものとする。

【００２１】本実施例では、図７に示した横断面Ｖ字状
のブレード７が用いられているので、反射端面５ａと対
向するように外側面５ｃが形成され、かつ外側面５ｃと
溝５の底部との間にも傾斜面部５ｄが形成されている。
図１に戻り、溝６も溝５と同様に形成されている。すな
わち、反射端面６ａの下端と底部との間に傾斜面部６ｂ
が形成されている。

【００２２】次に、本実施例の端面反射型表面波装置１
の動作を説明する。一方のＩＤＴ３に入力電圧を印加す
ると、ＳＨタイプの表面波が励振される。励振されたＳ
Ｈタイプの表面波は、ＩＤＴ３の電極指の延びる方向と
直交する方向に伝搬する。従って、反射端面５ａ，５ｂ
に向かって伝搬し、反射端面５ａ，６ａ間で反射され
る。さらに、基本波と高次モードの波が結合し、定在波
が端面５ａ，６ａ間に発生する。この定在波に基づく出
力が、他方のＩＤＴ４で取り出される。従って、ＳＨタ
イプの表面波を利用した縦結合型共振子フィルタとして
動作させることができる。

【００２３】本実施例の端面反射型表面波装置において
も、ＩＤＴ３に入力電圧を印加した場合、上記のように
ＳＨタイプの表面波が励振されるだけでなく、バルク波
も励振される。しかしながら、ＳＨタイプの表面波はＩ
ＤＴ３が形成されている圧電基板２の上面２ａ側の比較
的浅い領域を主として伝搬するのに対し、バルク波は圧
電基板２のかなり深い位置においても伝搬する。

【００２４】従って、反射端面５ａ，６ａの下端よりも
下方にもバルク波は伝搬し、伝搬してきたバルク波は、
上記傾斜面部５ｂ，６ｂにおいて反射される。ところ
が、傾斜面部５ｂ，６ｂは、反射端面５ａ，６ａに対し
て傾斜されているので、他方側の反射端面６ａ，５ａに
は向かわず散乱されることになる。従って、バルク波に
よる影響を確実に抑制することができる。これを具体的
な実験例に基づく説明する。

【００２５】３６°ＹカットＸ方向伝搬のＬｉＴａＯ₃
からなり、１．４×２．０×厚み０．３５ｍｍの圧電基
板を用意した。この圧電基板上に、３重量％のＣｕを含
有するＡｌ−Ｃｕ合金からなる電極を形成し、ＩＤＴ
３，４を形成した。しかる後、図３に示したブレード７
を用い、溝５，６を形成した。反射端面５ａ，６ａ間の
距離が０．７６ｍｍとなるように、かつ反射端面５ａ，
６ａの上端から下端までの寸法が０．１０ｍｍ、傾斜面
部５ｂ，６ｂが、反射端面５ａ，６ａの下端から図２の
傾斜角度θ＝６０°をなすように、かつ溝５，６の幅が
０．１７ｍｍとなるように、溝５，６を形成した。上記
のようにして得られた端面反射型表面波装置１の挿入損
失及び群遅延時間特性を図４に示す。

【００２６】比較のために、上記傾斜面部５ｂ，６ｂを
設けずに、溝５，６と同じ深さで、かつ一対の側壁が溝
の下端にまで至るように形成されている溝を形成したこ
とを除いては、上記と同様にして構成された端面反射型
表面波装置の挿入損失及び群遅延時間特性を図５に示
す。

【００２７】図５から明らかなように、傾斜面部を設け
なかった端面反射型表面波装置では、通過帯域中央にお
いて、バルク波が原因の１ｄＢ以上の大きなリップルＡ
ａが表れており、群遅延時間特性においても同じ周波数
域において大きなへこみＡｂが表れた。

【００２８】これに対して、図４から明らかなように、
本実施例の端面反射型表面波装置では、バルク波が原因
と思われるこのようなリップルが効果的に低減されてい
ることがわかる。

【００２９】従って、上記のように溝５，６の深さが浅
い場合であっても、上記傾斜面部５ｂ，６ｂを形成する
ことにより、すなわち本発明に従って傾斜面部を構成す
ることにより、リップルが小さく、良好なフィルタ特性
を有する端面反射型表面波装置１を提供し得ることがわ
かる。

【００３０】図６は、本発明の第２の実施例に係る端面
反射型表面波装置を説明するための斜視図である。本実
施例の端面反射型表面波装置１１は、端面反射型の縦結
合共振子フィルタである。

【００３１】端面反射型表面波装置１１は、矩形板状の
圧電基板１２を有する。圧電基板１２の上面１２ａ上に
は、２個のＩＤＴ１３，１４が形成されている。ＩＤＴ
１３，１４は、第１の実施例のＩＤＴ３，４と同様に構
成されている。

【００３２】圧電基板１２は、対向し合う第１，第２の
側面１５，１６を有する。側面１５，１６の中間高さ位
置には、傾斜面部１５ａ，１６ａが形成されている。こ
の傾斜面部１５ａ，１６ａの上方の側面部分が反射端面
１５ｂ，１６ｂを構成している。傾斜面部１５ａ，１６
ａは、反射端面１５ｂ，１６ｂの下端から表面波伝搬方
向外側方向であって、斜め下方に延びるように形成され
ている。また、傾斜面部１５ａ，１６ａの下方に、側面
部１５ｃ，１６ｃが形成されている。側面部１５ｃ，１
６ｃは、反射端面１５ｂ，１６ｂとは平行に延ばされて
いる。

【００３３】本実施例では、反射端面１５ｂ，１６ｂの
下方に傾斜面部１５ａ，１６ａが形成されているので、
第１の実施例と同様に、励振されたバルク波が、傾斜面
部１５ａ，１６ａで反射され、散乱される。従って、第
１の実施例の端面反射型表面波装置１と同様に、バルク
波に基づくリップルを抑圧することができる。

【００３４】本実施例の端面反射型表面波装置１１を得
るにあたっては、マザーの圧電基板状態で、第１の実施
例の端面反射型表面波装置１を製造する方法において、
溝５，６を形成した後に、溝５，６の下端で圧電基板２
を切断刃により切断することにより容易に得ることがで
きる。この場合、溝の深さが浅い場合であっても、側面
部分１５ｃ，１６ｃは粗面化する必要がないので、切断
刃を用いて上記切断を容易に行うことができる。

【００３５】第１，第２の実施例の端面反射型表面波装
置１，１１を製造するにあたり、図３に示すブレード７
が用いられていたが、本発明においては、溝の形状や傾
斜面部の形状に応じて、様々な断面形状を有するブレー
ドを用いることができる。例えば、図８（ａ）に示すよ
うに、先端中央に平面部２１ａを有し、該平面部２１ａ
の両側から側面２１ｂ，２１ｃに向かって傾斜されてい
る傾斜面部２１ｄ，２１ｅ有するブレード２１を用いて
もよい。

【００３６】また、図８（ｂ）に示すように、側面２２
ａ，２２ｂの下端の位置が異ならされており、先端の平
面部２２ｃに一方の側面２２ｂの下端が連ねられてお
り、平面部２２ｃと他方の側面２２ａとの間に傾斜面部
２２ｄが形成されているブレード２２を用いてもよい。
この場合には、傾斜面部２２ｄにより、溝加工後に、端
面反射型表面波装置の圧電基板に傾斜面部２２ｄに応じ
た傾斜面部が構成される。

【００３７】さらに、図９（ａ）に示すように、一対の
平行な側面２３ａ，２３ｂの下端の位置が異ならされて
おり、側面２３ａ，２３ｂの下端が傾斜面部２３ｃによ
り連結されているブレード２３を用いてもよい。

【００３８】また、第１，第２の実施例では、傾斜面部
を反射端面の下端に連ねることにより、バルク波を傾斜
面部で反射させて、バルク波を散乱させていたが、傾斜
面部に代えて曲面部を用いてもよい。このような曲面部
を構成するには、図１０（ｂ）に示すブレード５１を用
いればよい。

【００３９】ブレード５１では、互いに平行な側面５１
ａ，５１ｂの下端と、平坦な先端部５１ｃとが、それぞ
れ、曲面部５１ｄ，５１ｅで連ねられている。ブレード
５１を用いて圧電基板を切削し、溝を形成した場合、溝
内に、曲面部５１ｄ，５１ｅに対応した曲面部が構成さ
れることになる。

【００４０】従って、側面５１ａ，５１ｂにより切り出
されたいずれかの面が反射端面を構成し、該反射端面に
連なるように曲面部が構成される。この場合において
も、圧電基板に形成された曲面部でバルク波が反射され
るため、第１，第２の実施例と同様に、バルク波に起因
するリップルを効果的に抑圧することができる。

【００４１】第１，第２の実施例では、縦結合共振子フ
ィルタに適用した例を示したが、本発明に係る端面反射
型表面波装置は、横結合共振子フィルタやラダー型フィ
ルタなどの様々な端面反射型表面波装置に適用すること
ができる。

【００４２】図１０は、このような横結合共振子フィル
タの電極構造の一例を示す平面図である。図１０に示す
端面反射型表面波装置３１では、図示しない圧電基板上
に、２個のＩＤＴ３２，３３が構成されており、各ＩＤ
Ｔ３２，３３は、表面波伝搬方向と直交する方向に並設
されている。ＩＤＴ３２，３３の表面波伝搬方向両側に
おいては、第１，第２の実施例と同様に圧電基板に反射
端面が構成されており、該反射端面の下端に連ねられる
ように、傾斜面部や曲面部が構成され、それによって、
バルク波に起因するリップルを効果的に抑圧することが
できる。

【００４３】また、図１１に示すように、１個のＩＤＴ
を有する端面反射型の表面波共振子にも本発明を適用す
ることができる。図１１に示す端面反射型表面波共振子
４１では、圧電基板４２の上面に１個のＩＤＴ４３が構
成されている。ＩＤＴの構造を除いては、端面反射型表
面波共振子４１は、第１の実施例の端面反射型表面波装
置１と同様に構成されている。

【００４４】また、本発明に係る端面反射型表面波装置
は、複数のＩＤＴを圧電基板上に形成し、複数のＩＤＴ
からなる端面反射型表面波共振子を圧電基板上に接続
し、ラダー型フィルタを構成してもよい。また、上記ラ
ダー型フィルタを用いて、例えば移動体通信機用のアン
テナ共用器を構成することができる。

【００４５】次に、本発明に係る端面反射型弾性表面波
フィルタを用いて構成されたアンテナ共用器の実施例
を、図１２を参照して説明する。図１２は、本実施例の
アンテナ共用器を説明するための回路図である。本実施
例のアンテナ共用器７０は、本発明に従って構成された
ラダー型フィルタ６１を一対用いている。すなわち、各
ラダー型フィルタ６１の入力端子６２，６２が共通接続
されて、第１のポート７１が構成されている。他方、各
ラダー型フィルタ６１，６１の出力端子６３，６３はそ
のまま用いられ、それぞれ、本実施例のアンテナ共用器
の第２，第３のポートを構成している。このように、一
対のラダー型フィルタ６１，６１を用いることにより、
アンテナ共用器を構成することができる。

【００４６】また、上記アンテナ共用器を用いて、通信
機を構成することができ、このような通信機の一例を図
１３に示す。本実施例の通信機８１では、アンテナ共用
器７０と、送信もしくは受信回路８２，８３とが備えら
れている。アンテナ共用器７０の第１のポート７１がア
ンテナ８４に接続されており、第２，第３のポートを構
成している出力端子６３，６３が、それぞれ、送信もし
くは受信回路８２，８３に接続されている。

【００４７】このアンテナ共用器７０においては、一対
のラダー型フィルタ６１，６１は、通過帯域が異なるよ
うに構成されており、それによってアンテナ８４は、送
信アンテナ及び受信アンテナとして用いられ得る。

【００４８】

【発明の効果】本願の第１の発明に係る端面反射型表面
波装置では、反射端面の下端と溝の底部との間に傾斜面
部もしくは曲面部が形成されている。バルク波は圧電基
板の厚み方向の全域にわたり伝搬するので、バルク波が
傾斜面部もしくは曲面部により反射されて、散乱され
る。従って、圧電基板の表面付近を主体に伝搬するＳＨ
タイプの表面波を利用した共振特性やフィルタ特性への
バルク波による影響を低減することができる。従って、
良好な共振特性やフィルタ特性を有する端面反射型表面
波装置を提供することができる。

【００４９】特に、圧電基板側面に粗面を形成する必要
がないため、反射端面の圧電基板の厚み方向に沿う寸法
を小さくした場合であっても、ブレードを用いて上記傾
斜面部や曲面部を容易に形成することができる。

【００５０】同様に、第２の発明においても、圧電基板
の側面において、一方主面側に反射端面が構成されてお
り、反射端面の下方の側面部分が傾斜面部もしくは曲面
部とされているので、バルク波を傾斜面部もしくは曲面
部により反射し、散乱させることができる。従って、第
２の発明においても、バルク波に起因するリップルを効
果的に抑圧することができ、良好な共振特性やフィルタ
特性を得ることができる。

【００５１】第２の発明に係る端面反射型表面波装置に
おいても、上記傾斜面部もしくは曲面部によりバルク波
を反射させるものであるため、圧電基板の側面を粗面化
する必要がない。従って、第１の発明と同様に、反射端
面の圧電基板の厚み方向寸法を小さくした場合であって
も、上記傾斜面部や曲面部を容易に形成することができ
る。

【００５２】第１，第２の発明に係る端面反射型表面波
装置は、縦結合共振子型フィルタ、横結合共振子フィル
タあるいはラダー型フィルタなどの様々な表面波フィル
タや１個のＩＤＴのみを有する表面波共振子に適用する
ことができ、それぞれの電極構造に応じて適宜、ＩＤＴ
が圧電基板上に形成される。第１，第２の発明に従っ
て、このような様々な表面波フィルタや表面波共振子を
構成することにより、本発明に従って良好なフィルタ特
性や共振特性を有する表面波フィルタや表面波共振子を
提供することができる。

【００５３】また、本発明に係る端面反射型表面波装置
を用いた共用器では、通過帯域内リップルを効果的に抑
圧することができ、従って、例えば携帯電話などの移動
体通信機のアンテナ共用器に好適に用いることができ
る。また、本発明に係る上記共用器を用いて構成された
通信機では、通過帯域内の特性が平坦化されるため、良
好な通信品質を確保することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例に係る端面反射型表面波
装置を示す斜視図。

【図２】第１の実施例の端面反射型表面波装置の要部を
示す部分切欠断面図。

【図３】第１の実施例の端面反射型表面波装置の製造に
際して用いられるブレードの横断面図。

【図４】第１の実施例の端面反射型表面波装置の挿入損
失及び群遅延時間特性を示す図。

【図５】比較のために用意した傾斜面部を有しない端面
反射型表面波装置の挿入損失及び群遅延時間特性を示す
図。

【図６】本発明の第２の実施例に係る端面反射型表面波
装置を示す斜視図。

【図７】第２の実施例の端面反射型表面波装置の要部を
説明するための部分切欠断面図。

【図８】（ａ）及び（ｂ）は、傾斜端面及び傾斜面部を
形成するためのブレードの他の例を示す各部分切欠横断
面図。

【図９】（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、反射端面と、
傾斜面部もしくは曲面部を形成するためのブレードを説
明するための各横断面図。

【図１０】本発明が適用される横結合型共振子フィルタ
を説明するための略図的平面図。

【図１１】第１の実施例の変形例としての端面反射型表
面波共振子を示す斜視図。

【図１２】複数のラダー型フィルタを用いて構成された
共用器の回路構成を示す図。

【図１３】図１２に示した回路構成を有する共用器を備
えた通信機を説明するための概略ブロック図。

【図１４】従来の端面反射型表面波装置の一例を説明す
るための断面図。

【符号の説明】

１…端面反射型表面波装置 ２…圧電基板 ２ａ…上面 ３，４…ＩＤＴ ５，６…溝 ５ａ，６ａ…反射端面 ５ｂ，６ｂ…傾斜面部 ６ｃ，６ｄ…底部 ７…ブレード １１…端面反射型表面波装置 １２…圧電基板 １３，１４…ＩＤＴ １２ａ…上面 １５，１６…側面 １５ａ，１６ａ…傾斜面部 １５ｂ，１６ｂ…反射端面 １５ｃ，１６ｃ…側面部 ４１…端面反射型表面波共振子 ４２…圧電基板 ４３…ＩＤＴ ６１…ラダー型フィルタ ７０…共用器 ８１…通信機

フロントページの続き (72)発明者 堀内 秀哉 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 5J097 AA05 AA15 BB02 BB03 BB15 CC01 CC03 EE01 EE03 EE09 FF03 GG03 GG05 GG07 KK04

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 圧電基板と、前記圧電基板の一方主面上
   に形成されたインターデジタルトランスデューサとを備
   え、前記インターデジタルトランスデューサの両側にお
   いて圧電基板の一方主面に溝が形成されており、該溝の
   内側の側面により表面波を反射させるための反射端面が
   形成されている端面反射型表面波装置において、 前記反射端面の下端と溝の底部との間に傾斜面部もしく
   は曲面部が形成されていることを特徴とする、端面反射
   型表面波装置。
2. 【請求項２】 対向し合う一対の側面を有する圧電基板
   と、圧電基板の一方主面上に形成されたインターデジタ
   ルトランスデューサとを備え、前記一対の側面の前記一
   方主面寄りの側面部分が反射端面を構成している端面反
   射型表面波装置において、 前記反射端面の下端に傾斜面部もしくは曲面部が連ねら
   れていることを特徴とする、端面反射型表面波装置。
3. 【請求項３】 縦結合共振子型フィルタを構成するよう
   に前記圧電基板の上面に複数のインターデジタルトラン
   スデューサが構成されている、請求項１または２に記載
   の端面反射型表面波装置。
4. 【請求項４】 横結合共振子型フィルタを構成するよう
   に前記圧電基板の上面に複数のインターデジタルトラン
   スデューサが構成されている、請求項１または２に記載
   の端面反射型表面波装置。
5. 【請求項５】 前記圧電基板の上面に複数のインターデ
   ジタルトランスデューサが、ラダー型フィルタを構成す
   るように形成されている、請求項１または２に記載の端
   面反射型表面波装置。
6. 【請求項６】 表面波共振子である、請求項１または２
   のいずれかに記載の端面反射型表面波装置。
7. 【請求項７】 請求項１〜６のいずれかに記載の端面反
   射型表面波装置を用いた共用器。
8. 【請求項８】 請求項７に記載の共用器を用いたことを
   特徴とする通信機。