JP2000278091A - 端面反射型表面波装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 チッピングによる電極指の断線が生じ難く、
良好な共振特性やフィルタ特性を得ることができるＳＨ
タイプの表面波を利用した端面反射型表面波装置を得
る。 【解決手段】 表面波基板２上にＩＤＴ３，４が形成さ
れており、ＩＤＴ３，４が設けられている領域の表面波
伝搬方向両側において、溝２ｂ，２ｃが形成されてお
り、溝２ｂ，２ｃの内側面２ｂ1 ，２ｃ1 が表面波を反
射させる第１，第２の端面を構成している、端面反射型
表面波装置１。
良好な共振特性やフィルタ特性を得ることができるＳＨ
タイプの表面波を利用した端面反射型表面波装置を得
る。 【解決手段】 表面波基板２上にＩＤＴ３，４が形成さ
れており、ＩＤＴ３，４が設けられている領域の表面波
伝搬方向両側において、溝２ｂ，２ｃが形成されてお
り、溝２ｂ，２ｃの内側面２ｂ1 ，２ｃ1 が表面波を反
射させる第１，第２の端面を構成している、端面反射型
表面波装置１。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、通信機器などにお
いて共振子や帯域フィルタとして用いられる表面波装置
に関し、より詳細には、ＳＨタイプの表面波を利用した
端面反射型の表面波装置に関する。
いて共振子や帯域フィルタとして用いられる表面波装置
に関し、より詳細には、ＳＨタイプの表面波を利用した
端面反射型の表面波装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＢＧＳ波やラブ波などのＳＨタイプの表
面波を利用した端面反射型表面波装置が知られている。
端面反射型表面波装置では、インターデジタルトランス
デューサ（ＩＤＴ）が設けられている領域の表面波伝搬
方向両側に、表面波伝搬方向に直交する端面が形成され
ており、該端面により表面波が反射される。従って、反
射器を必要しないので、表面波装置の小型化を図ること
ができる。
面波を利用した端面反射型表面波装置が知られている。
端面反射型表面波装置では、インターデジタルトランス
デューサ（ＩＤＴ）が設けられている領域の表面波伝搬
方向両側に、表面波伝搬方向に直交する端面が形成され
ており、該端面により表面波が反射される。従って、反
射器を必要しないので、表面波装置の小型化を図ること
ができる。
【０００３】ところで、特開平７−２６３９９８号公報
には、表面波基板に溝を形成し、該溝の内側面により反
射端面が構成されている端面反射型表面波共振子が開示
されている。図７に示すように、この端面反射型表面波
共振子５１では、表面波基板５２上にＩＤＴ５３が形成
されている。ＩＤＴ５３の表面波伝搬方向両側に、溝５
２ａ，５２ｂが形成されている。溝５２ａ，５２ｂの内
側面５２ａ1 ，５２ｂ 1 により反射端面が構成されてい
る。
には、表面波基板に溝を形成し、該溝の内側面により反
射端面が構成されている端面反射型表面波共振子が開示
されている。図７に示すように、この端面反射型表面波
共振子５１では、表面波基板５２上にＩＤＴ５３が形成
されている。ＩＤＴ５３の表面波伝搬方向両側に、溝５
２ａ，５２ｂが形成されている。溝５２ａ，５２ｂの内
側面５２ａ1 ，５２ｂ 1 により反射端面が構成されてい
る。
【０００４】端面反射型表面波共振子５１において溝５
２ａ，５２ｂの内側面５２ａ1 ，５２ｂ1 を反射端面と
して利用しているのは、実装時の安定性を高めるためで
ある。すなわち、端面反射型表面波共振子５１では、１
個のＩＤＴ５３のみが形成されており、該ＩＤＴ５３の
電極指の対数が少ない場合には、表面波伝搬方向に沿う
チップ寸法が非常に小さくなり、実装時の安定性が損な
われる。そこで、反射端面を構成する内側面５２ａ1 ，
５２ｂ1 よりも外側に基板部分５２ｃ，５２ｄを構成
し、それによって表面波伝搬方向に沿ったチップ寸法の
増大を図り、実装時の安定性を高めている。
２ａ，５２ｂの内側面５２ａ1 ，５２ｂ1 を反射端面と
して利用しているのは、実装時の安定性を高めるためで
ある。すなわち、端面反射型表面波共振子５１では、１
個のＩＤＴ５３のみが形成されており、該ＩＤＴ５３の
電極指の対数が少ない場合には、表面波伝搬方向に沿う
チップ寸法が非常に小さくなり、実装時の安定性が損な
われる。そこで、反射端面を構成する内側面５２ａ1 ，
５２ｂ1 よりも外側に基板部分５２ｃ，５２ｄを構成
し、それによって表面波伝搬方向に沿ったチップ寸法の
増大を図り、実装時の安定性を高めている。
【０００５】他方、端面反射型表面波装置の中には、例
えば複数のＩＤＴを有する端面反射型縦結合ＳＡＷ共振
子フィルタのように、電極指の対数が比較的多いものも
存在する。例えば、図８に示すように、端面反射型縦結
合ＳＡＷ共振子フィルタ６１では、２個のＩＤＴ６３，
６４が表面波基板６２上に構成されている。この場合に
は、ＩＤＴ６３，６４が設けられているので、全体とし
ての電極指の数は比較的多く、従って、表面波基板６２
の端面６２ａ，６２ｂ間を結ぶ寸法が比較的大きくな
る。よって、表面波伝搬方向に沿ったチップ寸法が十分
な大きさを有するので、実装時の安定性は良好である。
えば複数のＩＤＴを有する端面反射型縦結合ＳＡＷ共振
子フィルタのように、電極指の対数が比較的多いものも
存在する。例えば、図８に示すように、端面反射型縦結
合ＳＡＷ共振子フィルタ６１では、２個のＩＤＴ６３，
６４が表面波基板６２上に構成されている。この場合に
は、ＩＤＴ６３，６４が設けられているので、全体とし
ての電極指の数は比較的多く、従って、表面波基板６２
の端面６２ａ，６２ｂ間を結ぶ寸法が比較的大きくな
る。よって、表面波伝搬方向に沿ったチップ寸法が十分
な大きさを有するので、実装時の安定性は良好である。
【０００６】すなわち、端面反射型縦結合ＳＡＷ共振子
フィルタでは、図７に示した端面反射型表面波共振子５
１のように溝５２ａ，５２ｂの外側に基板部分５２ｃ，
５２ｄを形成する必要はない。むしろ、基板部分５２
ｃ，５２ｄを設けた場合には、小型化が妨げられること
となる。
フィルタでは、図７に示した端面反射型表面波共振子５
１のように溝５２ａ，５２ｂの外側に基板部分５２ｃ，
５２ｄを形成する必要はない。むしろ、基板部分５２
ｃ，５２ｄを設けた場合には、小型化が妨げられること
となる。
【０００７】ところで、端面反射縦結合型ＳＡＷ共振子
フィルタ６１のように、端面反射型表面波装置では、端
面６２ａ，６２ｂにＩＤＴ６３，６４の電極指が近接し
ている。すなわち、表面波伝搬方向最外側の電極指６５
ａ，６５ｂは、端面６２ａ，６２ｂと上面６２ｃとのな
す端縁に沿うように形成されている。
フィルタ６１のように、端面反射型表面波装置では、端
面６２ａ，６２ｂにＩＤＴ６３，６４の電極指が近接し
ている。すなわち、表面波伝搬方向最外側の電極指６５
ａ，６５ｂは、端面６２ａ，６２ｂと上面６２ｃとのな
す端縁に沿うように形成されている。
【０００８】他方、ＳＡＷ共振子フィルタ６１の製造に
際しては、大きな表面波基板上にＩＤＴ６３，６４を形
成した後、表面波基板を厚み方向に切断することによ
り、端面６２ａ，６２ｂが形成されていた。端面６２
ａ，６２ｂは、表面波を反射させるものであるため、高
精度に形成されねばならない。加えて、端面６２ａ，６
２ｂに電極指６５ａ，６５ｂがそれぞれ近接しているの
で、切断に際しての表面波基板６２の表面におけるチッ
ピングは可能な限り押さえられねばならない。チッピン
グ、すなわち基板材料の欠けが大きくなると、電極指６
５ａ，６５ｂが断線したりし、フィルタ特性に大きな影
響を及ぼす。
際しては、大きな表面波基板上にＩＤＴ６３，６４を形
成した後、表面波基板を厚み方向に切断することによ
り、端面６２ａ，６２ｂが形成されていた。端面６２
ａ，６２ｂは、表面波を反射させるものであるため、高
精度に形成されねばならない。加えて、端面６２ａ，６
２ｂに電極指６５ａ，６５ｂがそれぞれ近接しているの
で、切断に際しての表面波基板６２の表面におけるチッ
ピングは可能な限り押さえられねばならない。チッピン
グ、すなわち基板材料の欠けが大きくなると、電極指６
５ａ，６５ｂが断線したりし、フィルタ特性に大きな影
響を及ぼす。
【０００９】上記のような問題は、端面反射縦結合型Ｓ
ＡＷ共振子フィルタ６１だけでなく、端面反射型表面波
共振子のような他の端面反射型表面波装置においても同
様である。
ＡＷ共振子フィルタ６１だけでなく、端面反射型表面波
共振子のような他の端面反射型表面波装置においても同
様である。
【００１０】一方、特開平９−３２６３７３号公報に
は、半導体ウエハなどの切断工程における基板のチッピ
ングを抑制する方法が開示されている。すなわち、基板
の切断方法として、図９（ａ）に示すベベルカット法
と、図９（ｂ）に示すステップカット法とが示されてい
る。
は、半導体ウエハなどの切断工程における基板のチッピ
ングを抑制する方法が開示されている。すなわち、基板
の切断方法として、図９（ａ）に示すベベルカット法
と、図９（ｂ）に示すステップカット法とが示されてい
る。
【００１１】図９（ａ）に示すように、ベベルカット法
では、先ず、断面Ｖ字状のブレード７２を用いて基板７
１にＶ字溝７１ａが形成される。次に、Ｖ字溝７１ａが
形成されている部分を、別の切削ブレード７３を用いて
基板７１の下面７１ｂに至るように切削する。このよう
にして基板７１が切断される。この方法では、予めＶ字
溝７１ａが形成されているので、ブレード７３による切
断に際し、基板７１の上面７１ｄと端面７１ｃとのなす
端縁におけるチッピングが抑制される。
では、先ず、断面Ｖ字状のブレード７２を用いて基板７
１にＶ字溝７１ａが形成される。次に、Ｖ字溝７１ａが
形成されている部分を、別の切削ブレード７３を用いて
基板７１の下面７１ｂに至るように切削する。このよう
にして基板７１が切断される。この方法では、予めＶ字
溝７１ａが形成されているので、ブレード７３による切
断に際し、基板７１の上面７１ｄと端面７１ｃとのなす
端縁におけるチッピングが抑制される。
【００１２】他方、図９（ｂ）に示すステップカット法
では、先ず、基板７１に、相対的に切断幅の大きな切削
ブレード７４を用いて切削代を僅かに残した不完全切断
を行い、溝７１ｅが形成される。次に、溝７１ｅ内に、
相対的に切断幅の狭いブレード７５を用いて、基板７１
の裏面側に至るように切断を行う。この場合、ブレード
７５による切削は、溝７１ｅの底面から基板７１の下面
７１ｂまでの部分であるため、２回目の切削が容易に行
われ、それによって基板７１の下面７１ｂ側におけるチ
ッピングを抑制することができる。
では、先ず、基板７１に、相対的に切断幅の大きな切削
ブレード７４を用いて切削代を僅かに残した不完全切断
を行い、溝７１ｅが形成される。次に、溝７１ｅ内に、
相対的に切断幅の狭いブレード７５を用いて、基板７１
の裏面側に至るように切断を行う。この場合、ブレード
７５による切削は、溝７１ｅの底面から基板７１の下面
７１ｂまでの部分であるため、２回目の切削が容易に行
われ、それによって基板７１の下面７１ｂ側におけるチ
ッピングを抑制することができる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、端面反
射型表面波装置において切削加工により反射端面を形成
するに際しては、上記チッピングの抑制だけでなく、端
面を基板表面に対して可能な限り垂直となるように形成
する必要がある。従って、ベベルカット法では、基板７
１のＩＤＴが形成される上面７１ｄと端面７１ｃとの間
にＶ字溝７１ａに起因する傾斜面部分が構成されるの
で、端面上方部分の垂直性が損なわれる。
射型表面波装置において切削加工により反射端面を形成
するに際しては、上記チッピングの抑制だけでなく、端
面を基板表面に対して可能な限り垂直となるように形成
する必要がある。従って、ベベルカット法では、基板７
１のＩＤＴが形成される上面７１ｄと端面７１ｃとの間
にＶ字溝７１ａに起因する傾斜面部分が構成されるの
で、端面上方部分の垂直性が損なわれる。
【００１４】他方、ステップカット法は、基板裏面側の
チッピングを抑制する方法である。従って、本発明の目
的は、表面波基板のＩＤＴが形成されている面に対して
直交するように高精度に反射端面が形成されており、か
つチッピングによる電極指の断線等が生じ難く、良好な
共振特性やフィルタ特性を有する端面反射型表面波装置
及びその製造方法を提供することにある。
チッピングを抑制する方法である。従って、本発明の目
的は、表面波基板のＩＤＴが形成されている面に対して
直交するように高精度に反射端面が形成されており、か
つチッピングによる電極指の断線等が生じ難く、良好な
共振特性やフィルタ特性を有する端面反射型表面波装置
及びその製造方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本願の第１の発明は、Ｓ
Ｈタイプの表面波を利用した端面反射型表面波装置であ
って、表面波基板と、前記表面波基板の一方主面上に形
成された少なくとも１つのＩＤＴとを備え、前記ＩＤＴ
が設けられている領域の表面波伝搬方向両側において表
面波を反射させるための第１，第２の端面を形成するた
めに、前記表面波基板の一方主面から他方主面に向かっ
て、但し他方主面には至らないように、かつ表面波伝搬
方向と直交する方向に延びるように第１，第２の溝が形
成されており、第１，第２の溝の内側の側面により第
１，第２の端面がそれぞれ構成されていることを特徴と
する。
Ｈタイプの表面波を利用した端面反射型表面波装置であ
って、表面波基板と、前記表面波基板の一方主面上に形
成された少なくとも１つのＩＤＴとを備え、前記ＩＤＴ
が設けられている領域の表面波伝搬方向両側において表
面波を反射させるための第１，第２の端面を形成するた
めに、前記表面波基板の一方主面から他方主面に向かっ
て、但し他方主面には至らないように、かつ表面波伝搬
方向と直交する方向に延びるように第１，第２の溝が形
成されており、第１，第２の溝の内側の側面により第
１，第２の端面がそれぞれ構成されていることを特徴と
する。
【００１６】第１の発明においては、好ましくは、厚み
滑り振動の電気機械結合係数をｋ15、表面波の波長をλ
としたときに、第１，第２の溝の深さＨは、下記の式
（１）を満たすように構成されている。
滑り振動の電気機械結合係数をｋ15、表面波の波長をλ
としたときに、第１，第２の溝の深さＨは、下記の式
（１）を満たすように構成されている。
【００１７】
【数３】
【００１８】また、好ましくは、第１，第２の溝の深さ
Ｈは、励振される表面波の波長λ以上とされる。本願の
第２の発明は、ＳＨタイプの表面波を利用した端面反射
型表面波装置であって、表面波基板と、前記表面波基板
上に形成された少なくとも１つのＩＤＴとを備え、前記
表面波基板の表面波伝搬方向外側に位置する第１，第２
の側面の中間高さ位置に段差が形成されており、第１，
第２の側面において該段差よりも上方の側面部分により
表面波を反射させるための第１，第２の端面がそれぞれ
形成されていることを特徴とする。
Ｈは、励振される表面波の波長λ以上とされる。本願の
第２の発明は、ＳＨタイプの表面波を利用した端面反射
型表面波装置であって、表面波基板と、前記表面波基板
上に形成された少なくとも１つのＩＤＴとを備え、前記
表面波基板の表面波伝搬方向外側に位置する第１，第２
の側面の中間高さ位置に段差が形成されており、第１，
第２の側面において該段差よりも上方の側面部分により
表面波を反射させるための第１，第２の端面がそれぞれ
形成されていることを特徴とする。
【００１９】第２の発明においては、好ましくは、厚み
滑り振動の電気機械結合係数をｋ15、表面波の波長をλ
としたときに、前記表面波基板の一方主面と前記段差と
の間の距離Ｄが下記の式（２）を満たすように構成され
ている。
滑り振動の電気機械結合係数をｋ15、表面波の波長をλ
としたときに、前記表面波基板の一方主面と前記段差と
の間の距離Ｄが下記の式（２）を満たすように構成され
ている。
【００２０】
【数４】
【００２１】第２の発明においては、好ましくは、表面
波基板の一方主面から段差までの距離Ｄは、表面波の波
長λ以上とされる。また、第１，第２の発明に係る端面
反射型表面波装置の特定の局面においては、前記表面波
基板上に複数のＩＤＴが表面波伝搬方向に並べられて形
成されて縦結合型共振子フィルタが構成される。
波基板の一方主面から段差までの距離Ｄは、表面波の波
長λ以上とされる。また、第１，第２の発明に係る端面
反射型表面波装置の特定の局面においては、前記表面波
基板上に複数のＩＤＴが表面波伝搬方向に並べられて形
成されて縦結合型共振子フィルタが構成される。
【００２２】第１，第２の発明に係る端面反射型表面波
装置のさらに他の特定の局面では、前記表面波基板上
に、複数のＩＤＴが表面波伝搬方向に直交する方向に配
置されて横結合共振子フィルタが構成される。
装置のさらに他の特定の局面では、前記表面波基板上
に、複数のＩＤＴが表面波伝搬方向に直交する方向に配
置されて横結合共振子フィルタが構成される。
【００２３】また、第１，第２の発明に係る端面反射型
表面波装置の別の特定の局面では、前記表面波基板上に
複数のＩＤＴが形成されて複数の共振子が構成されてお
り、かつ該複数の共振子を電気的に接続する接続導電部
がさらに備えられており、それによってラダー型フィル
タが構成されている。
表面波装置の別の特定の局面では、前記表面波基板上に
複数のＩＤＴが形成されて複数の共振子が構成されてお
り、かつ該複数の共振子を電気的に接続する接続導電部
がさらに備えられており、それによってラダー型フィル
タが構成されている。
【００２４】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１の実施例に
係る端面反射型表面波装置としての端面反射型縦結合Ｓ
ＡＷ共振子フィルタを示す斜視図である。ＳＡＷ共振子
フィルタ１は、略矩形の表面波基板２を用いて構成され
ている。表面波基板２は、ＬｉＴａＯ 3 、ＬｉＮｂ
Ｏ3 、水晶などの圧電単結晶、またはチタン酸ジルコン
酸鉛系セラミックスのような圧電セラミックスにより構
成されている。圧電セラミックスにより構成されている
場合、後述のＩＤＴ３，４の電極指の延びる方向と平行
な方向に分極処理されている。
係る端面反射型表面波装置としての端面反射型縦結合Ｓ
ＡＷ共振子フィルタを示す斜視図である。ＳＡＷ共振子
フィルタ１は、略矩形の表面波基板２を用いて構成され
ている。表面波基板２は、ＬｉＴａＯ 3 、ＬｉＮｂ
Ｏ3 、水晶などの圧電単結晶、またはチタン酸ジルコン
酸鉛系セラミックスのような圧電セラミックスにより構
成されている。圧電セラミックスにより構成されている
場合、後述のＩＤＴ３，４の電極指の延びる方向と平行
な方向に分極処理されている。
【００２５】また、表面波基板２は、絶縁性基板や圧電
基板上にＺｎＯ薄膜などの圧電薄膜を積層することによ
り形成してもよい。圧電薄膜を積層する場合には、後述
のＩＤＴ３，４は圧電薄膜の上面または下面に形成され
る。
基板上にＺｎＯ薄膜などの圧電薄膜を積層することによ
り形成してもよい。圧電薄膜を積層する場合には、後述
のＩＤＴ３，４は圧電薄膜の上面または下面に形成され
る。
【００２６】ＩＤＴ３，４は、表面波基板２の上面２ａ
上に形成されている。ＩＤＴ３，４は、それぞれ、一対
のくし歯電極を有する。一対のくし歯電極の電極指は互
いに間挿し合うように配置されている。また、ＩＤＴ
３，４の電極指は、表面波伝搬方向と直交する方向に延
ばされている。
上に形成されている。ＩＤＴ３，４は、それぞれ、一対
のくし歯電極を有する。一対のくし歯電極の電極指は互
いに間挿し合うように配置されている。また、ＩＤＴ
３，４の電極指は、表面波伝搬方向と直交する方向に延
ばされている。
【００２７】ＩＤＴ３，４の表面波伝搬方向外側には、
溝２ｂ，２ｃが形成されている。溝２ｂ，２ｃの内側面
２ｂ1 ，２ｃ1 が、表面波を反射させる端面を構成して
いる。従って、内側面２ｂ1 ，２ｃ1 は、表面波伝搬方
向と正確に直交する方向に延びるように形成されてい
る。
溝２ｂ，２ｃが形成されている。溝２ｂ，２ｃの内側面
２ｂ1 ，２ｃ1 が、表面波を反射させる端面を構成して
いる。従って、内側面２ｂ1 ，２ｃ1 は、表面波伝搬方
向と正確に直交する方向に延びるように形成されてい
る。
【００２８】また、溝２ｂ，２ｃの外側には、基板部分
２ｄ，２ｅが構成されている。溝２ｂ，２ｃは、表面波
基板２の上面２ａ側から切削加工を施すことにより形成
されている。この場合、溝２ｂ，２ｃの深さをＨとした
場合、深さＨは、上述した式（１）を満たすように構成
されていることが好ましく、それによって後述するよう
に良好なフィルタ特性を得ることができる。あるいは、
溝２ｂ，２ｃの深さＨは表面波の波長λ以上とされる。
２ｄ，２ｅが構成されている。溝２ｂ，２ｃは、表面波
基板２の上面２ａ側から切削加工を施すことにより形成
されている。この場合、溝２ｂ，２ｃの深さをＨとした
場合、深さＨは、上述した式（１）を満たすように構成
されていることが好ましく、それによって後述するよう
に良好なフィルタ特性を得ることができる。あるいは、
溝２ｂ，２ｃの深さＨは表面波の波長λ以上とされる。
【００２９】ＳＡＷ共振子フィルタ１において溝２ｂ，
２ｃが形成されているのは、ＳＡＷ共振子フィルタ１の
実装時の安定化を図るためではなく、チッピングの抑制
によるフィルタ特性の向上を図るためである。これを、
以下において説明する。
２ｃが形成されているのは、ＳＡＷ共振子フィルタ１の
実装時の安定化を図るためではなく、チッピングの抑制
によるフィルタ特性の向上を図るためである。これを、
以下において説明する。
【００３０】端面反射縦結合型ＳＡＷ共振子フィルタ１
を動作させるに際しては、一方のＩＤＴ３に入力電圧が
印加され、ＳＨタイプの表面波が励振される。励振され
た表面波は、ＩＤＴ３，４の電極指の延びる方向と直交
する方向、すなわち、反射端面としての内側面２ｂ1 ，
２ｃ1 を結ぶ方向に伝搬する。そして、内側面２ｂ1，
２ｃ1 で反射され、さらに、表面波の基本波と高次モー
ドとの波とが結合し、定在波が内側面２ｂ1 ，２ｃ1 間
に発生する。この定在波に基づく出力が、他方のＩＤＴ
４から取り出され、それによってＳＨ波を利用した縦結
合ＳＡＷ共振子フィルタとして動作させることができ
る。
を動作させるに際しては、一方のＩＤＴ３に入力電圧が
印加され、ＳＨタイプの表面波が励振される。励振され
た表面波は、ＩＤＴ３，４の電極指の延びる方向と直交
する方向、すなわち、反射端面としての内側面２ｂ1 ，
２ｃ1 を結ぶ方向に伝搬する。そして、内側面２ｂ1，
２ｃ1 で反射され、さらに、表面波の基本波と高次モー
ドとの波とが結合し、定在波が内側面２ｂ1 ，２ｃ1 間
に発生する。この定在波に基づく出力が、他方のＩＤＴ
４から取り出され、それによってＳＨ波を利用した縦結
合ＳＡＷ共振子フィルタとして動作させることができ
る。
【００３１】ところで、本発明のＳＡＷ共振子フィルタ
１では、反射端面が溝２ｂ，２ｃの内側面２ｂ1 ，２ｃ
1 で形成されている。この溝２ｂ，２ｃの形成は、図９
（ｂ）に示したステップカット法と同様の方法で行うこ
とができる。すなわち、先ず、表面波基板２上にＩＤＴ
３，４を形成した後、表面波基板２の上面２ａ側から、
切削ブレードを用いて溝２ｂ，２ｃを形成する。この溝
２ｂ，２ｃの形成は、表面波基板２を貫く必要がない。
従来例特開平９−３２６３７３号公報に示されているよ
うに、ステップカット法は基板裏面のチッピングを低減
させる方法であるが、表面波基板を裏面まで完全に切断
しないため、完全切断した場合と比較して、表面波基板
２の上面２ａにおけるチッピングも低減させることがで
きる。よって、チッピングを低減させ、すなわち電極指
の断線をほとんど生じさせずに、溝２ｂ，２ｃを正確に
形成することができる。
１では、反射端面が溝２ｂ，２ｃの内側面２ｂ1 ，２ｃ
1 で形成されている。この溝２ｂ，２ｃの形成は、図９
（ｂ）に示したステップカット法と同様の方法で行うこ
とができる。すなわち、先ず、表面波基板２上にＩＤＴ
３，４を形成した後、表面波基板２の上面２ａ側から、
切削ブレードを用いて溝２ｂ，２ｃを形成する。この溝
２ｂ，２ｃの形成は、表面波基板２を貫く必要がない。
従来例特開平９−３２６３７３号公報に示されているよ
うに、ステップカット法は基板裏面のチッピングを低減
させる方法であるが、表面波基板を裏面まで完全に切断
しないため、完全切断した場合と比較して、表面波基板
２の上面２ａにおけるチッピングも低減させることがで
きる。よって、チッピングを低減させ、すなわち電極指
の断線をほとんど生じさせずに、溝２ｂ，２ｃを正確に
形成することができる。
【００３２】すなわち、図８に示した従来の端面反射型
の縦結合ＳＡＷ共振子フィルタ６１では、端面６２ａ，
６２ｂの形成に際し、表面波基板６２を表面側から下面
側まで完全に切断しなければならない。そのため、チッ
ピングが生じ、電極指の断線等が生じ、フィルタ特性が
劣化しがちであるという問題があった。これに対して、
本実施例のＳＡＷ共振子フィルタ１では、表面波基板の
上面２ａから下面２ｆまで完全に切断する必要がないた
め、チッピングをほとんど生じることなく溝２ｂ，２ｃ
を形成することができる。よって、良好なフィルタ特性
を得ることができる。
の縦結合ＳＡＷ共振子フィルタ６１では、端面６２ａ，
６２ｂの形成に際し、表面波基板６２を表面側から下面
側まで完全に切断しなければならない。そのため、チッ
ピングが生じ、電極指の断線等が生じ、フィルタ特性が
劣化しがちであるという問題があった。これに対して、
本実施例のＳＡＷ共振子フィルタ１では、表面波基板の
上面２ａから下面２ｆまで完全に切断する必要がないた
め、チッピングをほとんど生じることなく溝２ｂ，２ｃ
を形成することができる。よって、良好なフィルタ特性
を得ることができる。
【００３３】図２は、本実施例の縦結合ＳＡＷ共振子フ
ィルタ１の減衰量周波数特性及び従来の端面反射型の縦
結合ＳＡＷ共振子フィルタ６１の減衰量−周波数特性を
示す。一点鎖線が実施例の結果を、実線が従来例の結果
を示す。なお、実施例の縦結合ＳＡＷ共振子フィルタ１
については、表面波基板２をＬｉＴａＯ3 で構成し、Ｉ
ＤＴ３，４の電極指の対数は３４対とし、溝２ｂ，２ｃ
の内側面２ｂ1 ，２ｃ 1 間の距離を０．７４ｍｍとし、
溝２ｂ，２ｃの深さを０．１ｍｍとした。他方、従来例
の縦結合ＳＡＷ共振子フィルタ６１としては、溝２ｂ，
２ｃ及び基板部分２ｄ，２ｅを有しないことを除いて
は、上記実施例と同様にして構成した。
ィルタ１の減衰量周波数特性及び従来の端面反射型の縦
結合ＳＡＷ共振子フィルタ６１の減衰量−周波数特性を
示す。一点鎖線が実施例の結果を、実線が従来例の結果
を示す。なお、実施例の縦結合ＳＡＷ共振子フィルタ１
については、表面波基板２をＬｉＴａＯ3 で構成し、Ｉ
ＤＴ３，４の電極指の対数は３４対とし、溝２ｂ，２ｃ
の内側面２ｂ1 ，２ｃ 1 間の距離を０．７４ｍｍとし、
溝２ｂ，２ｃの深さを０．１ｍｍとした。他方、従来例
の縦結合ＳＡＷ共振子フィルタ６１としては、溝２ｂ，
２ｃ及び基板部分２ｄ，２ｅを有しないことを除いて
は、上記実施例と同様にして構成した。
【００３４】上記実施例及び従来例のＳＡＷ共振子フィ
ルタの表面を観察したところ、実施例のＳＡＷ共振子フ
ィルタではチッピングは見られず、従来例のＳＡＷ共振
子フィルタ６１では、チッピングが認められた。また、
図２から明らかなように、実線で示す従来例のフィルタ
特性に比べ、チッピングが認められない実施例のフィル
タ特性（一点破線）では、通過帯域が広げられることが
わかる。
ルタの表面を観察したところ、実施例のＳＡＷ共振子フ
ィルタではチッピングは見られず、従来例のＳＡＷ共振
子フィルタ６１では、チッピングが認められた。また、
図２から明らかなように、実線で示す従来例のフィルタ
特性に比べ、チッピングが認められない実施例のフィル
タ特性（一点破線）では、通過帯域が広げられることが
わかる。
【００３５】なお、ＳＡＷ共振子フィルタ１では、溝２
ｂ，２ｃの内側面２ｂ1 ，２ｃ1 が反射端面を構成して
おり、この反射端面は表面波基板２の下面までは至って
いない。しかしながら、ＳＨタイプの表面波では、表面
波のエネルギーは、上面２ａに近い側で大きく、表面波
基板２の下面２ｆ側では非常に小さい。従って、溝２
ｂ，２ｃの内側面２ｂ1 ，２ｃ1 を反射端面とした場合
であっても、表面波のエネルギーの大半を反射すること
ができ、それによって端面反射型のＳＡＷ共振子フィル
タとして確実に動作させることができる。
ｂ，２ｃの内側面２ｂ1 ，２ｃ1 が反射端面を構成して
おり、この反射端面は表面波基板２の下面までは至って
いない。しかしながら、ＳＨタイプの表面波では、表面
波のエネルギーは、上面２ａに近い側で大きく、表面波
基板２の下面２ｆ側では非常に小さい。従って、溝２
ｂ，２ｃの内側面２ｂ1 ，２ｃ1 を反射端面とした場合
であっても、表面波のエネルギーの大半を反射すること
ができ、それによって端面反射型のＳＡＷ共振子フィル
タとして確実に動作させることができる。
【００３６】特に、前述したように、溝の深さをＨとし
た場合、式（１）を満たすように構成した場合には、よ
り効果的に表面波のエネルギーを内側面２ｂ1 ，２ｃ1
により反射させることができる。これを図３を参照して
説明する。
た場合、式（１）を満たすように構成した場合には、よ
り効果的に表面波のエネルギーを内側面２ｂ1 ，２ｃ1
により反射させることができる。これを図３を参照して
説明する。
【００３７】図３は、表面波基板の上面にＩＤＴが形成
されている場合のＳＨタイプの表面波の粒子変位を説明
するための図である。図３において、縦軸は、表面波基
板の上面を０とした場合、基板表面からの深さｈを表面
波の波長λで規格化した寸法を示す。また、横軸は、Ｓ
Ｈタイプの表面波の粒子変位Ｕ3i／Ｕ30である。なお、
Ｕ3iは、基板内における粒子変位を、Ｕ30は基板表面に
おける粒子変位を示す。このＳＨタイプの表面波の粒子
変位比Ｕ3i／Ｕ30は、
されている場合のＳＨタイプの表面波の粒子変位を説明
するための図である。図３において、縦軸は、表面波基
板の上面を０とした場合、基板表面からの深さｈを表面
波の波長λで規格化した寸法を示す。また、横軸は、Ｓ
Ｈタイプの表面波の粒子変位Ｕ3i／Ｕ30である。なお、
Ｕ3iは、基板内における粒子変位を、Ｕ30は基板表面に
おける粒子変位を示す。このＳＨタイプの表面波の粒子
変位比Ｕ3i／Ｕ30は、
【００３８】
【数５】
【００３９】で表される。なお、ｋ15は厚み滑り振動の
電気機械結合係数、ｈは基板表面からの深さ、λは表面
波の波長である。式（３）から明らかなように、ＳＨタ
イプの表面波の粒子変位Ｕ3i／Ｕ30は、表面波基板２を
構成する圧電材料の電気機械結合係数ｋ15に依存する。
従って、式（３）の結果から、種々の圧電材料からなる
表面波基板を用いた場合のＳＨタイプの粒子変位をグラ
フ化すると、図３に示すとおりとなる。
電気機械結合係数、ｈは基板表面からの深さ、λは表面
波の波長である。式（３）から明らかなように、ＳＨタ
イプの表面波の粒子変位Ｕ3i／Ｕ30は、表面波基板２を
構成する圧電材料の電気機械結合係数ｋ15に依存する。
従って、式（３）の結果から、種々の圧電材料からなる
表面波基板を用いた場合のＳＨタイプの粒子変位をグラ
フ化すると、図３に示すとおりとなる。
【００４０】図２の曲線Ａ１，Ａ２は、表面波基板２を
構成する材料として、ｋ15が６１．４％のＰＺＴ系圧電
セラミックスを用いた場合及びｋ15が６３．８％のＰＺ
Ｔ系圧電セラミックスを用いた場合の結果である。
構成する材料として、ｋ15が６１．４％のＰＺＴ系圧電
セラミックスを用いた場合及びｋ15が６３．８％のＰＺ
Ｔ系圧電セラミックスを用いた場合の結果である。
【００４１】曲線Ｂは、ｋ15が４４．３％のＰＺＴ系圧
電セラミックスを用いた場合の結果であり、曲線Ｃは、
絶縁性基板上にＺｎＯ薄膜を積層してなる表面波基板
（ｋ15＝２５．９％）を用いた場合の結果である。
電セラミックスを用いた場合の結果であり、曲線Ｃは、
絶縁性基板上にＺｎＯ薄膜を積層してなる表面波基板
（ｋ15＝２５．９％）を用いた場合の結果である。
【００４２】上述した式（１）は、ＳＨタイプの粒子変
位が、基板表面における粒子変位の２０％以下となる深
さ以上の溝を形成することを示しており、その場合、表
面波のエネルギーの大半が反射されることになる。ま
た、溝２ｂ，２ｃの深さＨについては、表面波の波長λ
以上としても同様に表面波のエネルギーをほとんど内側
面２ｂ1 ，２ｃ1 において反射させることができる。
位が、基板表面における粒子変位の２０％以下となる深
さ以上の溝を形成することを示しており、その場合、表
面波のエネルギーの大半が反射されることになる。ま
た、溝２ｂ，２ｃの深さＨについては、表面波の波長λ
以上としても同様に表面波のエネルギーをほとんど内側
面２ｂ1 ，２ｃ1 において反射させることができる。
【００４３】よって、本実施例のＳＡＷ共振子フィルタ
１では、好ましくは、式（１）を満たすように溝２ｂ，
２ｃを形成することにより、ＳＨタイプの表面波の大半
を確実に反射させることができ、しかも溝２ｂ，２ｃの
形成に際してのチッピングが生じ難いので、良好なフィ
ルタ特性を得ることができる。
１では、好ましくは、式（１）を満たすように溝２ｂ，
２ｃを形成することにより、ＳＨタイプの表面波の大半
を確実に反射させることができ、しかも溝２ｂ，２ｃの
形成に際してのチッピングが生じ難いので、良好なフィ
ルタ特性を得ることができる。
【００４４】図４は、本発明の第２の実施例に係る端面
反射縦結合型ＳＡＷ共振子フィルタを示す斜視図であ
る。第２の実施例の端面反射型縦結合ＳＡＷ共振子フィ
ルタ１１は、溝２ｂ，２ｃに代えて、段差１２ｇ，１２
ｈを形成したことを除いては、第１の実施例のＳＡＷ共
振子フィルタ１と同様に構成されている。従って、相当
の部分については、相当の参照番号を付することによ
り、第１の実施例の説明を援用することにより省略す
る。
反射縦結合型ＳＡＷ共振子フィルタを示す斜視図であ
る。第２の実施例の端面反射型縦結合ＳＡＷ共振子フィ
ルタ１１は、溝２ｂ，２ｃに代えて、段差１２ｇ，１２
ｈを形成したことを除いては、第１の実施例のＳＡＷ共
振子フィルタ１と同様に構成されている。従って、相当
の部分については、相当の参照番号を付することによ
り、第１の実施例の説明を援用することにより省略す
る。
【００４５】ＳＡＷ共振子フィルタ１１では、表面波基
板２の上面２ａにＩＤＴ３，４が形成されており、ＩＤ
Ｔ３，４が形成されている領域の表面波伝搬方向両側
に、表面波を反射させるための端面１２ｂ，１２ｃが形
成されている。また、端面１２ｂ，１２ｃは、段差１２
ｇ，，１２ｈの上方に位置している。すなわち、本実施
例のＳＡＷ共振子フィルタ１１では、表面波基板１２の
表面波伝搬方向外側の一対の側面において、段差１２
ｇ，１２ｈが形成されている。そして、段差１２ｇ，１
２ｈの上方の側面部分が表面波を反射させる端面１２
ｂ，１２ｃとされている。
板２の上面２ａにＩＤＴ３，４が形成されており、ＩＤ
Ｔ３，４が形成されている領域の表面波伝搬方向両側
に、表面波を反射させるための端面１２ｂ，１２ｃが形
成されている。また、端面１２ｂ，１２ｃは、段差１２
ｇ，，１２ｈの上方に位置している。すなわち、本実施
例のＳＡＷ共振子フィルタ１１では、表面波基板１２の
表面波伝搬方向外側の一対の側面において、段差１２
ｇ，１２ｈが形成されている。そして、段差１２ｇ，１
２ｈの上方の側面部分が表面波を反射させる端面１２
ｂ，１２ｃとされている。
【００４６】上記端面１２ｂ，１２ｃの高さ方向に沿う
寸法、すなわち表面波基板１２の上面１２ｃから段差１
２ｇ，１２ｈまでの距離をＤとしたとき、距離Ｄは、式
（２）を満たすことが望ましく、あるいは表面波の波長
λ以上とされることが望ましい。
寸法、すなわち表面波基板１２の上面１２ｃから段差１
２ｇ，１２ｈまでの距離をＤとしたとき、距離Ｄは、式
（２）を満たすことが望ましく、あるいは表面波の波長
λ以上とされることが望ましい。
【００４７】
【数６】
【００４８】第２の実施例のＳＡＷ共振子フィルタ１１
においても、上記端面１２ｂ，１２ｃが、式（２）を満
たすように形成されている場合には、第１の実施例の溝
２ｂ，２ｃの深さＨが式（１）を満たす場合と同様に、
表面波の大半のエネルギーが端面１２ｂ，１２ｃで反射
される。従って、良好なフィルタ特性を得ることができ
る。
においても、上記端面１２ｂ，１２ｃが、式（２）を満
たすように形成されている場合には、第１の実施例の溝
２ｂ，２ｃの深さＨが式（１）を満たす場合と同様に、
表面波の大半のエネルギーが端面１２ｂ，１２ｃで反射
される。従って、良好なフィルタ特性を得ることができ
る。
【００４９】しかも、段差１２ｇ，１２ｈを形成し、端
面１２ｂ，１２ｃを正確にかつ容易に形成することがで
きる。これを、以下において説明する。ＳＡＷ共振子フ
ィルタ１１を得るにあたっては、平板状の表面波基板を
用意し、その上面にＩＤＴ３，４を形成する。しかる
後、ステップカット法の第１の切断工程と同様に、表面
波基板の上面から切削ブレードを用い、深さＤの溝を形
成する。この場合、切削は表面波基板の下面まで至らな
いように行われるため、チッピングをほとんど生じさせ
ずに行うことができる。従って、ＩＤＴ３，４の電極指
の断線が生じ難いので、良好なフィルタ特性を得ること
ができる。
面１２ｂ，１２ｃを正確にかつ容易に形成することがで
きる。これを、以下において説明する。ＳＡＷ共振子フ
ィルタ１１を得るにあたっては、平板状の表面波基板を
用意し、その上面にＩＤＴ３，４を形成する。しかる
後、ステップカット法の第１の切断工程と同様に、表面
波基板の上面から切削ブレードを用い、深さＤの溝を形
成する。この場合、切削は表面波基板の下面まで至らな
いように行われるため、チッピングをほとんど生じさせ
ずに行うことができる。従って、ＩＤＴ３，４の電極指
の断線が生じ難いので、良好なフィルタ特性を得ること
ができる。
【００５０】上記溝を形成した後に、ステップカット法
に従い、相対的に幅の狭い切断刃を用い、段差１２ｇ，
１２ｈよりも下方の基板部分を切断することにより、Ｓ
ＡＷ共振子フィルタ１１を得ることができる。あるい
は、最初に深さＤの溝を形成した後に、溝の底面部分に
おいて基板を折ることにより、段差１２ｇ，１２ｈを形
成してもよい。すなわち、段差１２ｇ，１２ｈの下方の
側面部分１２ｉ，１２ｊの形成方法については任意であ
る。
に従い、相対的に幅の狭い切断刃を用い、段差１２ｇ，
１２ｈよりも下方の基板部分を切断することにより、Ｓ
ＡＷ共振子フィルタ１１を得ることができる。あるい
は、最初に深さＤの溝を形成した後に、溝の底面部分に
おいて基板を折ることにより、段差１２ｇ，１２ｈを形
成してもよい。すなわち、段差１２ｇ，１２ｈの下方の
側面部分１２ｉ，１２ｊの形成方法については任意であ
る。
【００５１】なお、第１，第２の実施例のＳＡＷ共振子
フィルタ１，１１は、２個のＩＤＴを表面波伝搬方向に
配置してなる縦結合型のＳＡＷ共振子フィルタである
が、本発明は、このような縦結合型のＳＡＷ共振子フィ
ルタに限定されない。すなわち、図５に示す横結合型の
ＳＡＷ共振子フィルタや、図６に示すラダー型フィルタ
にも本発明を適用することができる。
フィルタ１，１１は、２個のＩＤＴを表面波伝搬方向に
配置してなる縦結合型のＳＡＷ共振子フィルタである
が、本発明は、このような縦結合型のＳＡＷ共振子フィ
ルタに限定されない。すなわち、図５に示す横結合型の
ＳＡＷ共振子フィルタや、図６に示すラダー型フィルタ
にも本発明を適用することができる。
【００５２】図５に示す横結合型ＳＡＷ共振子フィルタ
２１では、表面波基板２２の上面にＩＤＴ２３，２４が
横結合型ＳＡＷ共振子フィルタを構成するように形成さ
れている。ここでも、表面波基板２２の表面波伝搬方向
両側に溝２２ｂ，２２ｃが形成されており、従って第１
の実施例の場合と同様に良好なフィルタ特性を得ること
ができる。
２１では、表面波基板２２の上面にＩＤＴ２３，２４が
横結合型ＳＡＷ共振子フィルタを構成するように形成さ
れている。ここでも、表面波基板２２の表面波伝搬方向
両側に溝２２ｂ，２２ｃが形成されており、従って第１
の実施例の場合と同様に良好なフィルタ特性を得ること
ができる。
【００５３】また、図６に示すラダー型フィルタ３１で
は、表面波基板３２の上面に、ラダー型フィルタを構成
するように複数のＩＤＴ３３〜３８が形成されている。
ここでも、表面波基板３２の表面波伝搬方向両側に溝３
２ｂ，３２ｃが形成されており、第１の実施例と同様
に、溝３２ｂ，３２ｃの深さを選択することにより良好
なフィルタ特性を得ることができる。
は、表面波基板３２の上面に、ラダー型フィルタを構成
するように複数のＩＤＴ３３〜３８が形成されている。
ここでも、表面波基板３２の表面波伝搬方向両側に溝３
２ｂ，３２ｃが形成されており、第１の実施例と同様
に、溝３２ｂ，３２ｃの深さを選択することにより良好
なフィルタ特性を得ることができる。
【００５４】
【発明の効果】本願の第１の発明に係る端面反射型表面
波装置では、ＩＤＴが設けられている領域の表面波伝搬
方向両側において、表面波基板の一方主面から他方主面
に向かって、但し他方主面には至らないように、かつ表
面波伝搬方向と直交する方向に延びるように第１，第２
の溝が形成されており、第１，第２の溝の内側の側面に
より第１，第２の反射端面が構成されている。第１，第
２の溝の形成に際しては、表面波基板の一方主面から他
方主面には至らないように表面波基板を切削すればよい
だけであるため、表面波基板のチッピングやＩＤＴの電
極指の断線をほとんど生じさせることなく、溝を高精度
に形成することができる。よって、良好な共振特性やフ
ィルタ特性を有する端面反射型表面波装置を容易に提供
することが可能となる。
波装置では、ＩＤＴが設けられている領域の表面波伝搬
方向両側において、表面波基板の一方主面から他方主面
に向かって、但し他方主面には至らないように、かつ表
面波伝搬方向と直交する方向に延びるように第１，第２
の溝が形成されており、第１，第２の溝の内側の側面に
より第１，第２の反射端面が構成されている。第１，第
２の溝の形成に際しては、表面波基板の一方主面から他
方主面には至らないように表面波基板を切削すればよい
だけであるため、表面波基板のチッピングやＩＤＴの電
極指の断線をほとんど生じさせることなく、溝を高精度
に形成することができる。よって、良好な共振特性やフ
ィルタ特性を有する端面反射型表面波装置を容易に提供
することが可能となる。
【００５５】第１の発明において、第１，第２の溝の深
さＨを式（１）を満たすように構成した場合には、並び
に溝の深さＨを表面波の波長λ以上とした場合には、表
面波のエネルギーのほとんどが溝の内側の側面により確
実に反射されるので、より一層良好な共振特性やフィル
タ特性を有する端面反射型表面波装置を提供することが
できる。
さＨを式（１）を満たすように構成した場合には、並び
に溝の深さＨを表面波の波長λ以上とした場合には、表
面波のエネルギーのほとんどが溝の内側の側面により確
実に反射されるので、より一層良好な共振特性やフィル
タ特性を有する端面反射型表面波装置を提供することが
できる。
【００５６】第２の発明に係る端面反射型表面波装置で
は、表面波基板の表面波伝搬方向外側に位置する第１，
第２の側面の中間高さ位置に段差が形成されており、第
１，第２の側面において該段差よりも上方の側面部分に
より表面波を反射させるための第１，第２の端面が構成
されている。上記段差は、表面波基板の一方主面から他
方主面に至らない溝を形成した後に、該溝の底部から下
方部分を切削もしくは分割することにより形成すること
ができる。
は、表面波基板の表面波伝搬方向外側に位置する第１，
第２の側面の中間高さ位置に段差が形成されており、第
１，第２の側面において該段差よりも上方の側面部分に
より表面波を反射させるための第１，第２の端面が構成
されている。上記段差は、表面波基板の一方主面から他
方主面に至らない溝を形成した後に、該溝の底部から下
方部分を切削もしくは分割することにより形成すること
ができる。
【００５７】従って、最初の溝の形成に際しては、チッ
ピングやＩＤＴの電極指の断線がほとんど生じない。よ
って、第２の発明においても、良好な共振特性やフィル
タ特性を有する端面反射型表面波装置を提供することが
可能となる。
ピングやＩＤＴの電極指の断線がほとんど生じない。よ
って、第２の発明においても、良好な共振特性やフィル
タ特性を有する端面反射型表面波装置を提供することが
可能となる。
【００５８】第２の発明においても、表面波基板の一方
主面と段差との間の距離Ｄを、式（２）を満たすように
構成した場合、あるいは距離Ｄを表面波の波長λ以上と
した場合には、前述したように、表面波のエネルギーの
大半が上記段差よりも上方の側面部分により確実に反射
されるので、より一層良好な共振特性やフィルタ特性を
有する端面反射型表面波装置を提供することができる。
主面と段差との間の距離Ｄを、式（２）を満たすように
構成した場合、あるいは距離Ｄを表面波の波長λ以上と
した場合には、前述したように、表面波のエネルギーの
大半が上記段差よりも上方の側面部分により確実に反射
されるので、より一層良好な共振特性やフィルタ特性を
有する端面反射型表面波装置を提供することができる。
【００５９】第１，第２の発明に係る端面反射型表面波
装置は、端面反射型表面波共振子や端面反射型表面波フ
ィルタなど様々な端面反射型表面波装置に適用すること
ができる。
装置は、端面反射型表面波共振子や端面反射型表面波フ
ィルタなど様々な端面反射型表面波装置に適用すること
ができる。
【００６０】例えば、複数のＩＤＴが表面波伝搬方向に
並べられて形成された縦結合型ＳＡＷ共振子フィルタを
構成した場合には、フィルタ特性の良好な縦結合型ＳＡ
Ｗ共振子フィルタを得ることができ、表面波伝搬方向と
直交する方向に複数のＩＤＴを配置することにより、フ
ィルタ特性の良好な横結合共振子フィルタを得ることが
できる。
並べられて形成された縦結合型ＳＡＷ共振子フィルタを
構成した場合には、フィルタ特性の良好な縦結合型ＳＡ
Ｗ共振子フィルタを得ることができ、表面波伝搬方向と
直交する方向に複数のＩＤＴを配置することにより、フ
ィルタ特性の良好な横結合共振子フィルタを得ることが
できる。
【００６１】さらに、単一の表面波基板上に複数のＩＤ
Ｔを形成して複数の端面反射型表面波共振子を構成し、
これらの共振子をラダー型フィルタを構成するように接
続導電部により電気的に接続した場合には、良好なフィ
ルタ特性を有するラダー型フィルタを得ることができ
る。
Ｔを形成して複数の端面反射型表面波共振子を構成し、
これらの共振子をラダー型フィルタを構成するように接
続導電部により電気的に接続した場合には、良好なフィ
ルタ特性を有するラダー型フィルタを得ることができ
る。
【図１】本発明の第１の実施例に係る端面反射型表面波
装置としての端面反射縦結合型ＳＡＷ共振子フィルタを
示す斜視図。
装置としての端面反射縦結合型ＳＡＷ共振子フィルタを
示す斜視図。
【図２】第１の実施例に係るＳＡＷ共振子フィルタ及び
従来のＳＡＷ共振子フィルタの減衰量周波数特性を示す
図。
従来のＳＡＷ共振子フィルタの減衰量周波数特性を示す
図。
【図３】表面波基板上にＩＤＴが形成されている場合の
基板表面からの深さｈ／λとＳＨタイプの表面波の粒子
変位との関係を示す図。
基板表面からの深さｈ／λとＳＨタイプの表面波の粒子
変位との関係を示す図。
【図４】第２の実施例に係る端面反射型表面波装置とし
ての端面反射縦結合型ＳＡＷ共振子フィルタを示す斜視
図。
ての端面反射縦結合型ＳＡＷ共振子フィルタを示す斜視
図。
【図５】本発明の端面反射型表面波装置の変形例として
の横結合型ＳＡＷ共振子フィルタを示す斜視図。
の横結合型ＳＡＷ共振子フィルタを示す斜視図。
【図６】本発明に係る端面反射型表面波装置の他の変形
例としてのラダー型フィルタを示す平面図。
例としてのラダー型フィルタを示す平面図。
【図７】従来の端面反射型表面波共振子の一例を示す斜
視図。
視図。
【図８】従来の端面反射縦結合型ＳＡＷ共振子フィルタ
の一例を示す斜視図。
の一例を示す斜視図。
【図９】（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、表面波基板の
切削方法を説明するための各模式的断面図。
切削方法を説明するための各模式的断面図。
１…端面反射縦結合型ＳＡＷ共振子フィルタ ２…表面波基板 ２ａ…上面 ２ｂ，２ｃ…溝 ２ｂ1 ，２ｃ1 …内側面 ２ｄ…下面 ３，４…ＩＤＴ １１…端面反射縦結合型ＳＡＷ共振子フィルタ １２…表面波基板 １２ｂ，１２ｃ…側面 １２ｂ1 ，１２ｃ1 …端面 １２ｇ，１２ｈ…段差 ２１…端面反射横結合型ＳＡＷ共振子フィルタ ２２…表面波基板 ２２ａ…上面 ２２ｂ，２２ｃ…溝 ２３，２４…ＩＤＴ ３１…ラダー型フィルタ ３２…表面波基板 ３２ａ…上面 ３２ｂ，３２ｃ…溝
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吾郷 純也 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 向井 孝雄 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 5J097 AA13 AA19 AA28 BB01 BB11 CC01 EE03 GG07 KK04
Claims (9)
- 【請求項１】 ＳＨタイプの表面波を利用した端面反射
型表面波装置であって、 表面波基板と、 前記表面波基板の一方主面上に形成された少なくとも１
つのインターデジタルトランスデューサとを備え、 前記インターデジタルトランスデューサが設けられてい
る領域の表面波伝搬方向両側において表面波を反射させ
るための第１，第２の端面を形成するために、前記表面
波基板の一方主面から他方主面に向かって、但し他方主
面には至らないように、かつ表面波伝搬方向と直交する
方向に延びるように第１，第２の溝が形成されており、
第１，第２の溝の内側の側面により第１，第２の端面が
それぞれ構成されている、端面反射型表面波装置。 - 【請求項２】 厚み滑り振動の電気機械結合係数を
ｋ15、表面波の波長をλとしたときに、第１，第２の溝
の深さＨが、下記の式（１）を満たすように構成されて
いる、請求項１に記載の端面反射型表面波装置。 【数１】 - 【請求項３】 前記第１，第２の溝の深さＨが、表面波
の波長λ以上である、請求項１または２に記載の端面反
射型表面波装置。 - 【請求項４】 ＳＨタイプの表面波を利用した端面反射
型表面波装置であって、 表面波基板と、 前記表面波基板上に形成された少なくとも１つのインタ
ーデジタルトランスデューサとを備え、 前記表面波基板の表面波伝搬方向外側に位置する第１，
第２の側面の中間高さ位置に段差が形成されており、第
１，第２の側面において該段差よりも上方の側面部分に
より表面波を反射させるための第１，第２の端面がそれ
ぞれ構成されている、端面反射型表面波装置。 - 【請求項５】 厚み滑り振動の電気機械結合係数を
ｋ15、表面波の波長をλとしたときに、前記表面波基板
の一方主面と前記段差との間の距離Ｄが下記の式（２）
を満たすように構成されている、請求項４に記載の端面
反射型表面波装置。 【数２】 - 【請求項６】 前記表面波基板の一方主面から段差まで
の距離Ｄが、表面波の波長λ以上である、請求項４また
は５に記載の端面反射型表面波装置。 - 【請求項７】 前記表面波基板上に複数のインターデジ
タルトランスデューサが表面波伝搬方向に並べられて形
成されて縦結合型共振子フィルタが構成されている、請
求項１〜６のいずれかに記載の端面反射型表面波装置。 - 【請求項８】 前記表面波基板上に、複数のインターデ
ジタルトランスデューサが表面波伝搬方向に直交する方
向に配置されて横結合型共振子フィルタが構成されてい
る、請求項１〜６のいずれかに記載の端面反射型表面波
装置。 - 【請求項９】 前記表面波基板上に複数のインターデジ
タルトランスデューサが形成されて複数の共振子が構成
されており、かつ前記複数の共振子を電気的に接続する
接続導電部をさらに備え、それによってラダー型フィル
タが構成されている、請求項１〜６のいずれかに記載の
端面反射型表面波装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11075976A JP2000278091A (ja) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | 端面反射型表面波装置 |
| US09/521,829 US6377139B1 (en) | 1999-03-19 | 2000-03-09 | Edge reflection type surface acoustic wave device with grooves or steps at the reflection edges |
| TW089104235A TW466828B (en) | 1999-03-19 | 2000-03-09 | Edge reflection type surface acoustic wave device and a method of forming the same |
| SG200001512A SG91263A1 (en) | 1999-03-19 | 2000-03-15 | Edge reflection type surface acoustic wave device |
| KR1020000013326A KR100319809B1 (ko) | 1999-03-19 | 2000-03-16 | 단면 반사형 표면 탄성파 장치 |
| EP00400746A EP1039633A3 (en) | 1999-03-19 | 2000-03-17 | Edge reflection type surface acoustic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11075976A JP2000278091A (ja) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | 端面反射型表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000278091A true JP2000278091A (ja) | 2000-10-06 |
Family
ID=13591798
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11075976A Pending JP2000278091A (ja) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | 端面反射型表面波装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6377139B1 (ja) |
| EP (1) | EP1039633A3 (ja) |
| JP (1) | JP2000278091A (ja) |
| KR (1) | KR100319809B1 (ja) |
| SG (1) | SG91263A1 (ja) |
| TW (1) | TW466828B (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005050836A1 (ja) * | 2003-11-19 | 2005-06-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 端面反射型弾性表面波装置及びその製造方法 |
| DE112011101252T5 (de) | 2010-04-06 | 2013-05-02 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Stator für eine elektrische umlaufende Maschine, und umlaufende elektrische Maschine |
| JP2013093791A (ja) * | 2011-10-27 | 2013-05-16 | Kyocera Corp | 電子部品の実装構造体 |
| JP2015106857A (ja) * | 2013-11-29 | 2015-06-08 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波素子 |
| WO2018163860A1 (ja) * | 2017-03-06 | 2018-09-13 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置、高周波フロントエンド回路、通信装置及び弾性波装置の製造方法 |
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| JP4063000B2 (ja) * | 2001-08-14 | 2008-03-19 | 株式会社村田製作所 | 端面反射型表面波フィルタ |
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| CN114257206B (zh) * | 2022-01-18 | 2023-03-24 | 深圳新声半导体有限公司 | 声表面波谐振器、滤波器和通讯装置 |
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-
1999
- 1999-03-19 JP JP11075976A patent/JP2000278091A/ja active Pending
-
2000
- 2000-03-09 TW TW089104235A patent/TW466828B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-03-09 US US09/521,829 patent/US6377139B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-03-15 SG SG200001512A patent/SG91263A1/en unknown
- 2000-03-16 KR KR1020000013326A patent/KR100319809B1/ko active IP Right Grant
- 2000-03-17 EP EP00400746A patent/EP1039633A3/en not_active Withdrawn
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Also Published As
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