JPH11150442A

JPH11150442A - 弾性表面波フィルタ

Info

Publication number: JPH11150442A
Application number: JP24196798A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiko Morozumi; 和彦諸角; Haruo Morii; 春雄森井; Michio Kadota; 道雄門田
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1997-08-29
Filing date: 1998-08-27
Publication date: 1999-06-02

Abstract

(57)【要約】【課題】小型であり、かつ通過帯域外スプリアスが効
果的に抑圧されているフィルタ特性の良好な端面反射型
の縦結合型ＳＡＷフィルタを得る。【解決手段】圧電基板２上に、ＩＤＴ３，４を形成し
てなり、対向２端面２ａ，２ｂ間でＳＨタイプの表面波
を反射させている端面反射型の縦結合型ＳＡＷフィルタ
１において、対向２端面２ａ，２ｂ間の距離に起因する
スプリアスの現れる位置を、第１，第２のＩＤＴ３，４
の周波数特性の減衰極に近接させることにより、対向２
端面間の距離に起因するスプリアスを抑圧してなるＳＡ
Ｗフィルタ１。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＳＨタイプの表面
波を利用した弾性表面波フィルタに関し、より詳細に
は、縦結合型の弾性表面波（以下、ＳＡＷと略す。）フ
ィルタに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、表面波を利用した縦結合型の二重
モードＳＡＷフィルタが知られている。この種の縦結合
型のＳＡＷフィルタの一例を、図８に示す。

【０００３】ＳＡＷフィルタ５１は、矩形の圧電基板５
２上に、第１，第２のインターデジタルトランスデュー
サ（以下、ＩＤＴと略す。）５３，５４を配置した構造
を有する。ＩＤＴ５３，５４の表面波伝搬方向両側に
は、反射器５５，５６が形成されている。

【０００４】ＳＡＷフィルタ５１では、ＩＤＴ５３の一
方のくし歯電極５３ａが入力端、他方のＩＤＴ５４の一
方のくし歯電極５４ａが出力端とされている。また、Ｉ
ＤＴ５３，５４の他方のくし歯電極５３ｂ，５４ｂはア
ース電位に接続される。

【０００５】従って、ＩＤＴ５３に入力電圧が印加され
た場合、表面波が励振され、励振された表面波は電極指
の延びる方向と直交する方向に伝搬し、反射器５５，５
６間で反射され、定在波となる。この定在波に基づく出
力が、ＩＤＴ５４で取り出される。この場合、表面波と
して、基本モードと、高次モード（反対称モード）とが
発生され、従って、ＳＡＷフィルタ５１は、縦結合型の
二重モードＳＡＷフィルタとして動作する。

【０００６】しかしながら、従来の縦結合型ＳＡＷフィ
ルタ５１は、反射器５５，５６を有するため、全体の寸
法が大きくなるという問題があった。また、ＳＡＷフィ
ルタ５１では、圧電基板２の電気機械結合係数がさほど
大きくないため、狭帯域のフィルタしか構成することが
できなかった。

【０００７】上記のような問題を解決するものとして、
特開平９−６９７５１号公報には、ＳＨタイプの表面波
を利用した端面反射型の縦結合型弾性表面波フィルタが
開示されている。この弾性表面波フィルタを、図９に示
す。

【０００８】ＳＡＷフィルタ６１は、矩形の圧電基板６
２を用いて構成されている。圧電基板６２は、対向２端
面６２ａ，６２ｂを有する。圧電基板６２上には、第
１，第２のＩＤＴ６３，６４が形成されている。ＩＤＴ
６３，６４は、それぞれ、一対のくし歯電極６３ａ，６
３ｂ，６４ａ，６４ｂを有し、また、電極指の対数はほ
ぼ同じとされている。

【０００９】ＢＧＳ波などのＳＨタイプの表面波を励振
し、対向２端面６２ａ，６２ｂ間で反射させるために、
くし歯電極６３ａの最外側の電極指は端面６２ａと圧電
基板６２の上面６２ｃとの端縁に沿うように形成されて
いる。同様に、くし歯電極６４ｂの最も外側の電極指
は、圧電基板６２の端面６２ｂと上面６２ｃとの端縁に
沿うように形成されている。第１のＩＤＴ６３の一方の
くし歯電極６３ａが入力端、ＩＤＴ６４の一方のくし歯
電極６４ａが出力端とされ、くし歯電極６３ｂ，６４ｂ
はアース電位に接続される。

【００１０】ＩＤＴ６３に入力電圧を印加すると、表面
波が励振され、励振された表面波は電極指の延びる方向
と直交する方向に伝搬し、すなわち対向２端面６２ａ，
６２ｂ間を結ぶ方向に伝搬する。この表面波が、端面６
２ａ，６２ｂで反射され、定在波となり、この定在波に
基づく出力がＩＤＴ６４から取り出される。

【００１１】従って、ＳＨタイプの表面波を利用した端
面反射型のＳＡＷフィルタ６１では、反射器を必要とし
ないため、縦結合型二重モードＳＡＷフィルタの小型化
を図ることができ、かつ反射器による損失が生じないの
で、広い帯域特性を有する弾性表面波フィルタを構成す
ることができる。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＳＡＷ
フィルタ６１では、対向２端面６２ａ，６２ｂ間の距離
に依存するスプリアスが、フィルタ特性上フィルタ通過
帯域外全般にわたり現れ、特に、通過帯域外の通過帯域
近傍の周波数領域に比較的大きなスプリアスが現れると
いう問題があった。上記ＳＡＷフィルタ５１では、基板
材料やＩＤＴ・反射器の材料、膜厚、ＩＤＴや反射器の
電極幅、ＩＤＴや反射器の電極本数により使用している
反射器の反射率周波数特性が決定されるため、ＳＡＷフ
ィルタの通過帯域外では低く設定することができるた
め、フィルタ通過帯域のごく近傍以外では実用上問題と
なるレベルのスプリアスは発生しない。すなわち、この
ようなスプリアスから生じる問題はＳＡＷフィルタ６１
のような端面反射型のＳＡＷフィルタ特有の問題であ
る。

【００１３】本発明の目的は、基板材料や、電極の材
料、膜厚、電極幅、電極の本数を考慮することなく、対
向２端面間の距離に依存するスプリアスを効果的に抑制
することができ、従って良好なフィルタ特性を得ること
ができ、かつ小型に構成し得る、ＳＨタイプの表面波を
利用した端面反射型のＳＡＷフィルタを提供することに
ある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、端面反射型のＳＨタイプの表面波を利用した縦結合
型の弾性表面波フィルタであって、対向２端面を有する
圧電基板と、前記圧電基板上に形成されており、かつ電
極指が前記端面と平行な方向へ延ばされた第１，第２の
ＩＤＴとを備え、前記対向２端面間でＳＨタイプの表面
波が反射されるように構成されており、第１，第２のＩ
ＤＴの周波数特性の減衰極が、対向２端面間の距離によ
り表されるスプリアスの周波数位置と近接されているこ
とを特徴とする。

【００１５】また、請求項２に記載の発明では、第１，
第２のＩＤＴの電極指の対数の比が１．２：１．０〜
１．７：１．０の範囲とされていることを特徴とする。
本発明の弾性表面波フィルタでは、第１，第２のＩＤＴ
は、それぞれ請求項２に記載のように、少なくとも一方
が複数設けられていてもよい。

【００１６】また、本発明に係る弾性表面波フィルタ
は、複数段接続されるものであってもよく、その場合、
請求項３に記載のように、前記第１，第２のＩＤＴのう
ち、電極指の対数の大きい側のＩＤＴが入力側もしくは
出力側とされており、相対的に電極指の対数が少ない側
のＩＤＴが段間接続に用いられることが好ましい。

【００１７】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１の実施例に
係るＢＧＳ波を利用した縦結合型の二重モードＳＡＷフ
ィルタを示す平面図である。ＳＡＷフィルタ１は、矩形
の圧電基板２を有する。圧電基板２は、ＬｉＮｂＯ₃ 、
ＬｉＴａＯ₃ 、水晶などの圧電単結晶もしくはチタン酸
ジルコン酸鉛系セラミックスのような圧電セラミックス
により構成することができる。本実施例では、圧電基板
２は、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）により構成され
ている。

【００１８】圧電基板２は、対向２端面２ａ，２ｂを有
する。端面２ａと端面２ｂとは、互いに平行となるよう
に形成されている。圧電基板２の上面２ｃ上には、第１
のＩＤＴ３及び第２のＩＤＴ４が形成されている。ＩＤ
Ｔ３は、くし歯電極３ａ，３ｂを、互いに電極指が間挿
し合うように配置した構造を有する。同様に、ＩＤＴ４
は、くし歯電極４ａ，４ｂを互いの電極指が間挿し合う
ように配置した構造を有する。ＩＤＴ３，４の電極指
は、端面２ａ，２ｂと平行に延ばされている。

【００１９】ＩＤＴ３の最も外側の電極指は、端面２ａ
と上面２ｃとの端縁に沿うように形成されている。同様
に、ＩＤＴ４の最も外側に位置する電極指も、上面２ｃ
と端面２ｂとのなす端縁に沿うように形成されている。

【００２０】くし歯電極３ａには、入力電極５ａが連ね
られて形成されており、くし歯電極３ｂには、アース電
極５ｂが連ねられて形成されている。同様に、ＩＤＴ４
側においては、くし歯電極４ａに連ねられて出力電極６
ａが、くし歯電極４ｂに連ねられてアース電極６ｂが形
成されている。

【００２１】上記ＩＤＴ３，４及び電極５ａ，５ｂ，６
ａ，６ｂは、例えばアルミニウムなどの金属材料により
構成されている。これらの電極の形成については、フォ
トリソグラフィ技術などの公知の方法により行うことが
できる。

【００２２】本実施例のＳＡＷフィルタ１の特徴は、第
１のＩＤＴ３の電極指の対数と第２のＩＤＴ４の電極指
の対数との比が、１．３：１とされていることにある。
すなわち、ＩＤＴ３の電極指の対数は３０対、ＩＤＴ４
の電極指の対数は２３対とされている。このように、第
１，第２のＩＤＴの電極指の対数の比を１．３：１とす
ることにより、対向２端面２ａ，２ｂ間の距離に起因す
るスプリアスを抑制することができ、良好なフィルタ特
性が得られる。これを、具体的な実験例に基づき説明す
る。

【００２３】ＳＡＷフィルタ１として、対向２端面２
ａ，２ｂ間の距離が２．７５ｍｍであるＰＺＴよりなる
圧電基板２上に、電極指の幅を１２．９４μｍ、電極指
間ピッチを２５．８８μｍとし、それぞれ、電極指の対
数が３０対の第１のＩＤＴ３及び２３対の第２のＩＤＴ
４を形成したものを用意した。このＳＡＷフィルタ１の
フィルタ特性を図３に実線で示す。なお、図３における
破線は、実線の特性を、縦軸のスケールを１０倍、横軸
のスケールを５倍に拡大したものである。

【００２４】比較のために、図９に示したＳＡＷフィル
タ６１をＩＤＴの対数を除いては、上記と同様の仕様で
作製した。なお、ＳＡＷフィルタ６１においては、第１
のＩＤＴ６３の電極指の対数を２６．５対、第２のＩＤ
Ｔ６４の対数を２６．５対とし、第１，第２のＩＤＴ６
３，６４の電極指の対数の比は１：１とした。このＳＡ
Ｗフィルタ６１のフィルタ特性を図１０に実線で示す。
なお、図１０の破線は、実線の特性を、縦軸のスケール
を１０倍、横軸のスケールを５倍に拡大したものであ
る。

【００２５】図３と図１０に示した特性を比較すれば明
らかなように、図１０に示したフィルタ特性では、通過
帯域外に、特に、通過帯域よりも低周波数側において、
矢印Ａ１〜矢印Ａ５で示す比較的大きなスプリアスが現
れている。これに対して、図３に示すフィルタ特性で
は、上記スプリアスに対応する位置におけるスプリアス
レベルがかなり小さくなっていることがわかる。すなわ
ち、上記スプリアスのうち、図１０における最も大きな
スプリアスＡ１のレベル（以下、スプリアスピークレベ
ルとする。）は、１２．１ｄＢであるのに対し、図３に
示す本実施例のＳＡＷフィルタ１の特性では、スプリア
スピークレベルは２４．６ｄＢとされ、ＳＡＷフィルタ
６１に比べて、スプリアスピークレベルを１４．５ｄＢ
抑圧し得ることがわかる。

【００２６】上記のように、本実施例のＳＡＷフィルタ
１においてスプリアスを抑制し得るのは、以下の利用に
よると考えられる。端面反射型の縦結合型ＳＡＷフィル
タでは、対向２端面間の距離は、ＳＨタイプの表面波の
波長をλ、第１，第２のＩＤＴの電極指の対数を、それ
ぞれ、Ｎ₁，Ｎ₂ 、ＩＤＴ間の距離をｒとしたときに、
対向２端面間の距離Ｒは、Ｒ＝λ×（Ｎ₁ ＋Ｎ₂ ）＋ｒで表される。

【００２７】従って、対向２端面間の距離Ｒに依存する
スプリアスの応答は、（Ｎ₁ ＋Ｎ₂）に依存することが
わかる。その結果、従来のＳＡＷフィルタ６１では、フ
ィルタ特性で使用するメインレスポンスを２Ｎ次とした
場合、図４に示すように、破線Ａで示す２Ｎ±（４ｎ−
２）（ｎ＝１，２，・・・）次のレスポンスは電極の極
性の対称性から発生しないが、それ以外の次数ではスプ
リアスが発生する。そのうち、実線Ｂで示す周波数スペ
クトラムの減衰極あるいはスペクトラムの減衰量の大き
い点に相当するスプリアスは抑制されるが、実線Ｃで示
す上記２端面間の距離Ｒで決定される２Ｎ±（２ｎ＋
１）（ｎ＝１，２，・・・）次のレスポンスが、ＩＤＴ
スペクトラムの減衰が少ないところに生じるため、この
レスポンスがフィルタ特性のスプリアスとして現れるこ
とになる。

【００２８】これに対して、本実施例のＳＡＷフィルタ
１では、図５に示すように、端面間の距離で決定される
スプリアスが、実線Ｂで示すように減衰極に一致する
か、実線Ｂ´で示すように減衰量が大きい点に相当する
ので、ごくわずかなスプリアスレスポンスしかフィルタ
特性に現れない。

【００２９】図５から明らかなように、本実施例では、
端面間の距離Ｒで決定されるスプリアスの現れる位置
に、入力側ＩＤＴ３または出力側ＩＤＴ４の周波数特性
上の減衰極が近接されている。従って、ＩＤＴ３または
４の減衰極に端面間の距離Ｒで決定されるスプリアスが
近接するため、端面間の距離Ｒで決定されるスプリアス
のレベルを抑圧することが可能とされている。

【００３０】このように、入力側ＩＤＴ３または出力側
ＩＤＴ４の減衰極と、端面間の距離Ｒで決定されるスプ
リアスの現れる位置とを近接させるには、図５に示すよ
うに、入力側ＩＤＴ３の周波数特性と出力側ＩＤＴ４の
周波数特性とをずらせることが必要であり、本実施例で
は、ＩＤＴ３とＩＤＴ４の電極指の対数の比を上記のよ
うに１．３：１とすることにより果たされている。

【００３１】言い換えれば、第１，第２のＩＤＴ３，４
を有する構成において、第１，第２のＩＤＴ３，４の電
極指の対数を異ならせ、それぞれの周波数特性を異なら
せれば、第１，第２のＩＤＴ３，４の周波数特性上に現
れる減衰極をずらせることが可能となる。従って、これ
らの減衰極を、端面間の距離Ｒで決定されるスプリアス
の現れる位置に近接させるように、好ましくは、一致さ
せるように、第１，第２のＩＤＴ３，４の電極指の対数
を設定することにより、端面間の距離Ｒで決定されるス
プリアスを効果的に抑圧することができる。

【００３２】上記の結果を基に、第１，第２のＩＤＴ
３，４の電極指の対数の比Ｎ₁ ／Ｎ₂を種々異ならせ、
帯域外スプリアスレベルがどの程度抑圧されるかを測定
した。結果を図６に示す。図６の横軸は、第１，第２の
ＩＤＴ３，４の電極指の対数の比Ｎ₁ ／Ｎ₂ を示し、縦
軸は帯域外スプリアスのスプリアスピークレベルを示
す。

【００３３】図６から明らかなように、第１，第２のＩ
ＤＴ３，４の電極指の対数の比を、１．２：１〜１．
７：１とすれば、第１，第２のＩＤＴの電極指の対数を
等しくした場合に比べてスプリアスピークレベルを１０
ｄＢ以上抑圧し得ることがわかる。従って、ＳＡＷフィ
ルタ１においては、第１，第２のＩＤＴ３，４の電極指
の対数の比を、上記のように１．２：１〜１．７：１の
範囲とすることにより、帯域外スプリアス、特に通過帯
域よりも低域側に現れる端面間の距離Ｒに起因するスプ
リアスを効果的に抑圧し得ることがわかる。

【００３４】また、ＳＡＷフィルタ１においては、第１
のＩＤＴ３及び第２のＩＤＴ４の一方を入力側ＩＤＴ、
他方のＩＤＴを出力側ＩＤＴ４としたが、ＩＤＴ３，４
は、何れを入力側及び出力側としてもよい。さらに、本
願発明者の実験によれば、ＳＡＷフィルタ１を他のＳＡ
Ｗフィルタと接続し複数段構成とする場合には、電極指
の対数が多いＩＤＴ３側を入力側または出力側ＩＤＴと
し、電極指の対数の少ない第２のＩＤＴ４側を段間接続
に用いることにより、良好なフィルタ特性の得られるこ
とが確かめられた。これは、インピーダンスマッチング
が良好となることによると考えられる。

【００３５】本発明に係るＳＡＷフィルタは、ＳＡＷフ
ィルタ１のように、それぞれ、１個の第１のＩＤＴ３及
び１個の第２のＩＤＴ４を有するものに限定されず、第
１，第２のＩＤＴ３，４は、少なくとも一方が複数配置
されていてもよい。図２は、第１のＩＤＴが１個、第２
のＩＤＴが２個設けられている実施例を示す平面図であ
る。

【００３６】図２に示すＳＡＷフィルタ１１では、圧電
基板２と同様に構成された圧電基板１２の上面１２ｃ上
に、第１のＩＤＴ１３が形成されている。ＩＤＴ１３の
両側には、第２のＩＤＴ１４，１５が形成されている。

【００３７】ＩＤＴ１３は、互いの電極指が間挿し合う
ように配置されたくし歯電極１３ａ，１３ｂを有する。
くし歯電極１３ａに連ねられて入力電極１６ａが形成さ
れており、くし歯電極１３ｂに連ねられてアース電極１
６ｂが形成されている。ＩＤＴ１４，１５は、それぞ
れ、くし歯電極１４ａ，１４ｂ，１５ａ，１５ｂを有す
る。くし歯電極１４ａ，１５ａに連ねられて、それぞ
れ、出力電極１７ａ，１８ａが形成されている。また、
くし歯電極１４ｂ，１５ｂに連ねられて、それぞれ、ア
ース電極１７ｂ，１８ｂが形成されている。

【００３８】なお、ＩＤＴ１４，１５の最も外側の電極
指、すなわち端面１２ａ，１２ｂに最も近い電極指は、
端面１２ａまたは１２ｂと上面１２ｃとのなす端縁に沿
うように形成されている。

【００３９】ＳＡＷフィルタ１１は、ＢＧＳ波を利用し
た端面反射型の縦結合二重モードＳＡＷフィルタとして
動作するように構成されている。また、本実施例のＳＡ
Ｗフィルタ１１では、第１のＩＤＴ１３の電極指の対数
Ｎ₁ が７、出力側ＩＤＴである第２のＩＤＴ１４，１５
の電極指の対数Ｎ₂ が、何れも５とされている。すなわ
ち、第１，第２のＩＤＴの電極指の対数の比は、７：５
とされている。

【００４０】上記ＳＡＷフィルタ１１のフィルタ特性
を、図７に実線で示す。図７の破線は、実線の特性を縦
軸のスケールを１０倍、横軸のスケールを５倍に拡大し
たものである。

【００４１】図７の実線で示すように、ＳＡＷフィルタ
１１においても、通過帯域よりも低域側のスプリアスが
抑制され、スプリアスピークレベルは、１８ｄＢとされ
ていることがわかる。なお、特に図示はしないが、ＳＡ
Ｗフィルタ１１において、中央のＩＤＴ１５，１６の電
極指の対数をＩＤＴ１４と等しく７対とした場合には、
スプリアスピークレベルは１０ｄＢであった。従って、
ＳＡＷフィルタ１１において、電極指の対数の比を上記
のように７：５とすることにより、３個のＩＤＴの電極
指の対数が全て等しい相当のＳＡＷフィルタに比べてス
プリアスピークレベルを８ｄＢ抑圧し得ることがわか
る。

【００４２】なお、上述した第１，第２の実施例のＳＡ
Ｗフィルタ１，１１では、ＳＨタイプの表面波として、
ＢＧＳ波を利用したものを説明したが、ＢＧＳ波以外
に、ラブ波、漏洩弾性表面波などの他のＳＨタイプの表
面波を用いてもよい。

【００４３】

【発明の効果】請求項１に記載の発明によれば、対向２
端面間の距離で決定されるスプリアスの現れる位置に、
第１または第２のＩＤＴの周波数特性の減衰極が近接さ
れているので、対向２端面間の距離で決定されるスプリ
アスレベルを効果的に抑制することができ、それによっ
て良好なフィルタ特性を得ることができる。また、本発
明に係るＳＡＷフィルタは、ＳＨタイプの表面波を利用
した端面反射型のＳＡＷフィルタであるため反射器を必
要としない。従って、小型であり、かつ良好なフィルタ
特性を有する帯域フィルタを提供することが可能とな
る。

【００４４】請求項２に記載の発明によれば、第１，第
２のＩＤＴの電極指の対数の比が、１．２：１〜１．
７：１の範囲とされているため、第１，第２のＩＤＴの
周波数特性の減衰極と、対向２端面間の距離に起因する
スプリアスの位置とが近接され、請求項１に記載の発明
のように、対向２端面間の距離に起因するスプリアスを
効果的に抑圧することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例に係るＳＡＷフィルタを
示す平面図。

【図２】本発明の第２の実施例に係るＳＡＷフィルタを
示す平面図。

【図３】第１の実施例のＳＡＷフィルタのフィルタ特性
を示す図。

【図４】従来の端面反射型の縦結合型ＳＡＷフィルタに
おけるＩＤＴの周波数特性と、端面間の距離に起因する
スプリアスの現れる位置との関係を説明するための図。

【図５】第１の実施例のＳＡＷフィルタにおける第１，
第２のＩＤＴの周波数特性と、端面間の距離に起因する
スプリアスの現れる位置との関係を説明するための図。

【図６】第１の実施例のＳＡＷフィルタにおける第１，
第２のＩＤＴの電極指の対数の比と、スプリアスピーク
レベルとの関係を示す図。

【図７】第２のＳＡＷフィルタのフィルタ特性を示す
図。

【図８】従来の縦結合型ＳＡＷフィルタの一例を示す斜
視図。

【図９】従来の端面反射型の縦結合型ＳＡＷフィルタを
示す斜視図。

【図１０】図９に示した縦結合型ＳＡＷフィルタのフィ
ルタ特性を示す図。

【符号の説明】

１…ＳＡＷフィルタ２…圧電基板２ａ，２ｂ…端面２ｃ…上面３…第１のＩＤＴ４…第２のＩＤＴ１１…ＳＡＷフィルタ１２…圧電基板１２ａ，１２ｂ…端面１３…第１のＩＤＴ１４…第２のＩＤＴ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】端面反射型のＳＨタイプの表面波を利用
した縦結合型の弾性表面波フィルタであって、対向２端面を有する圧電基板と、前記圧電基板上に形成されており、かつ電極指が前記端
面と平行な方向へ延ばされた第１，第２のインターデジ
タルトランスデューサとを備え、前記対向２端面間でＳＨタイプの表面波が反射されるよ
うに構成されており、第１，第２のインターデジタルトランスデューサの周波
数特性の減衰極が、対向２端面間の距離により表される
スプリアスの周波数位置と近接されていることを特徴と
する、弾性表面波フィルタ。
【請求項２】前記第１，第２のインターデジタルトラ
ンスデューサの電極指の対数の比が１．２：１．０〜
１．７：１．０の範囲とされていることを特徴とする、
請求項１に記載の弾性表面波フィルタ。
【請求項３】前記第１，第２のインターデジタルトラ
ンスデューサのうち少なくとも一方が複数設けられてい
ることを特徴とする、請求項１または２に記載の弾性表
面波フィルタ。
【請求項４】前記第１，第２のインターデジタルトラ
ンスデューサのうち、電極指の対数の大きい側のインタ
ーデジタルトランスデューサが入力側もしくは出力側と
されており、相対的に電極指の対数が少ない側のインタ
ーデジタルトランスデューサが段間接続に用いられる、
請求項１〜３の何れかに記載の弾性表面波フィルタ。