JPH09186553A - 弾性表面波装置及びその製造方法 - Google Patents
弾性表面波装置及びその製造方法Info
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- JPH09186553A JPH09186553A JP34358295A JP34358295A JPH09186553A JP H09186553 A JPH09186553 A JP H09186553A JP 34358295 A JP34358295 A JP 34358295A JP 34358295 A JP34358295 A JP 34358295A JP H09186553 A JPH09186553 A JP H09186553A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 通過帯域内において低損失であり、耐電力性
に優れ、阻止域における反射係数が大きくされており、
さらに通過帯域よりも低周波数側の減衰域における減衰
量を拡大し得るだけでなく、通過帯域よりも高周波数側
の減衰域における減衰量も拡大し得る弾性表面波装置を
提供し得る。 【解決手段】 ３６°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ3 より
なる圧電基板２２上に、少なくとも５個のＩＤＴ２５〜
２９を有する多電極型縦結合２重モードＳＡＷ共振子フ
ィルタ２３を構成し、入力端子３３と入力側ＩＤＴ２
５，２７，２９との間の接続点３４と、アース電位との
間に、共振周波数がＳＡＷ共振子フィルタ２３の通過帯
域よりも低周波数側の周波数領域に位置するように並列
腕共振子２４を接続してなる弾性表面波装置２１。
に優れ、阻止域における反射係数が大きくされており、
さらに通過帯域よりも低周波数側の減衰域における減衰
量を拡大し得るだけでなく、通過帯域よりも高周波数側
の減衰域における減衰量も拡大し得る弾性表面波装置を
提供し得る。 【解決手段】 ３６°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ3 より
なる圧電基板２２上に、少なくとも５個のＩＤＴ２５〜
２９を有する多電極型縦結合２重モードＳＡＷ共振子フ
ィルタ２３を構成し、入力端子３３と入力側ＩＤＴ２
５，２７，２９との間の接続点３４と、アース電位との
間に、共振周波数がＳＡＷ共振子フィルタ２３の通過帯
域よりも低周波数側の周波数領域に位置するように並列
腕共振子２４を接続してなる弾性表面波装置２１。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、帯域フィルタとし
て用いられる弾性表面波装置に関し、特に、多電極型縦
結合２重モードＳＡＷ共振子フィルタを用いて構成され
た弾性表面波装置の改良に関する。
て用いられる弾性表面波装置に関し、特に、多電極型縦
結合２重モードＳＡＷ共振子フィルタを用いて構成され
た弾性表面波装置の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】移動体通信機などの各種通信機器におい
て、帯域フィルタとして弾性表面波装置が多用されてい
る。ところで、携帯電話のアンテナトップの受信側にお
いて帯域フィルタとして用いられている弾性表面波装置
では、低損失であり、かつ通過帯域外の減衰量が大きい
ことが求められる。
て、帯域フィルタとして弾性表面波装置が多用されてい
る。ところで、携帯電話のアンテナトップの受信側にお
いて帯域フィルタとして用いられている弾性表面波装置
では、低損失であり、かつ通過帯域外の減衰量が大きい
ことが求められる。
【０００３】そこで、低損失化、通過帯域内におけるＶ
ＳＷＲ（定在波比）の低減並びに阻止域における減衰量
の拡大が図られている弾性表面波装置が、特開平６−９
７５２５号公報に開示されている。
ＳＷＲ（定在波比）の低減並びに阻止域における減衰量
の拡大が図られている弾性表面波装置が、特開平６−９
７５２５号公報に開示されている。
【０００４】この先行技術に記載の弾性表面波装置の電
極構造を図１に示す。この弾性表面波装置では、圧電基
板上において、３電極型ＳＡＷ共振子フィルタ１と、直
列腕共振子２と、並列腕共振子３とが構成されている。
極構造を図１に示す。この弾性表面波装置では、圧電基
板上において、３電極型ＳＡＷ共振子フィルタ１と、直
列腕共振子２と、並列腕共振子３とが構成されている。
【０００５】ＳＡＷ共振子フィルタ１は、中央領域に３
個のインターデジタルトランスデューサ（以下、ＩＤ
Ｔ）４〜６を有する。ＩＤＴ４〜６は、それぞれ、一対
のくし型電極４ａ，４ｂ，５ａ，５ｂ，６ａ，６ｂから
なる。ＩＤＴ４〜６が設けられている領域の表面波伝搬
方向両側には、反射器７，８が配置されている。また、
ＩＤＴ４，６の一方のくし型電極４ａ，６ａは、共通接
続されて、接続点９に接続されている。この接続点９
と、入力端子１０との間に、直列腕共振子２が接続され
ている。直列腕共振子２は、ＩＤＴ１１の両側に反射器
１２，１３を配置した構造を有する。
個のインターデジタルトランスデューサ（以下、ＩＤ
Ｔ）４〜６を有する。ＩＤＴ４〜６は、それぞれ、一対
のくし型電極４ａ，４ｂ，５ａ，５ｂ，６ａ，６ｂから
なる。ＩＤＴ４〜６が設けられている領域の表面波伝搬
方向両側には、反射器７，８が配置されている。また、
ＩＤＴ４，６の一方のくし型電極４ａ，６ａは、共通接
続されて、接続点９に接続されている。この接続点９
と、入力端子１０との間に、直列腕共振子２が接続され
ている。直列腕共振子２は、ＩＤＴ１１の両側に反射器
１２，１３を配置した構造を有する。
【０００６】また、出力側ＩＤＴ５の一方のくし型電極
５ａが接続点１４に接続されている。接続点１４は、出
力端子１５に接続されている。また、接続点１４とアー
ス電位との間に並列腕共振子３が接続されている。並列
腕共振子３は、ＩＤＴ１６と、ＩＤＴ１６の両側に配置
された反射器１７，１８とを有する。
５ａが接続点１４に接続されている。接続点１４は、出
力端子１５に接続されている。また、接続点１４とアー
ス電位との間に並列腕共振子３が接続されている。並列
腕共振子３は、ＩＤＴ１６と、ＩＤＴ１６の両側に配置
された反射器１７，１８とを有する。
【０００７】ＳＡＷ共振子フィルタ１のくし型電極４
ｂ，５ｂ，６ｂは、それぞれ、アース電位に接続されて
いる。また、上記直列腕共振子２の共振周波数が、ＳＡ
Ｗ共振子フィルタ１の通過帯域内に位置するように該直
列腕共振子２が接続されており、かつ並列腕共振子３の
反共振周波数がＳＡＷ共振子フィルタ１の通過帯域内に
位置するように該並列腕共振子３が並列接続されてい
る。
ｂ，５ｂ，６ｂは、それぞれ、アース電位に接続されて
いる。また、上記直列腕共振子２の共振周波数が、ＳＡ
Ｗ共振子フィルタ１の通過帯域内に位置するように該直
列腕共振子２が接続されており、かつ並列腕共振子３の
反共振周波数がＳＡＷ共振子フィルタ１の通過帯域内に
位置するように該並列腕共振子３が並列接続されてい
る。
【０００８】すなわち、上記弾性表面波装置では、３電
極型縦結合２重モードＳＡＷ共振子フィルタ１の３個の
ＩＤＴ４〜６のうち、外側のＩＤＴ４，６に直列腕共振
子２を、共振周波数がＳＡＷ共振子フィルタ１の通過帯
域内に位置するように直列接続することにより、該直列
腕共振子のインピーダンス−周波数特性により、ＳＡＷ
共振子フィルタ１の外側のＩＤＴ４，６側におけるＶＳ
ＷＲの低減が図られ、かつ通過帯域外の、特に高周波数
側の減衰域における減衰量が拡大されている。また、上
記ＳＡＷ共振子フィルタの中央のＩＤＴ５に、上記並列
腕共振子３を、その反共振周波数がＳＡＷ共振子フィル
タ１の通過帯域内に位置するように並列接続することに
より、該並列腕共振子３のインピーダンス−周波数特性
により、ＳＡＷ共振子フィルタ１の中央のＩＤＴ５側に
おけるＶＳＷＲの低減並びに通過帯域外、特に低周波数
側の減衰域における減衰量の拡大が図られている。
極型縦結合２重モードＳＡＷ共振子フィルタ１の３個の
ＩＤＴ４〜６のうち、外側のＩＤＴ４，６に直列腕共振
子２を、共振周波数がＳＡＷ共振子フィルタ１の通過帯
域内に位置するように直列接続することにより、該直列
腕共振子のインピーダンス−周波数特性により、ＳＡＷ
共振子フィルタ１の外側のＩＤＴ４，６側におけるＶＳ
ＷＲの低減が図られ、かつ通過帯域外の、特に高周波数
側の減衰域における減衰量が拡大されている。また、上
記ＳＡＷ共振子フィルタの中央のＩＤＴ５に、上記並列
腕共振子３を、その反共振周波数がＳＡＷ共振子フィル
タ１の通過帯域内に位置するように並列接続することに
より、該並列腕共振子３のインピーダンス−周波数特性
により、ＳＡＷ共振子フィルタ１の中央のＩＤＴ５側に
おけるＶＳＷＲの低減並びに通過帯域外、特に低周波数
側の減衰域における減衰量の拡大が図られている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述した弾性表面波装
置では、３電極型縦結合２重モードＳＡＷ共振子フィル
タ１に、直列腕共振子２及び並列腕共振子３を上記のよ
うに接続することにより、損失の低減並びに通過帯域外
の減衰域における減衰量の拡大が図られている。
置では、３電極型縦結合２重モードＳＡＷ共振子フィル
タ１に、直列腕共振子２及び並列腕共振子３を上記のよ
うに接続することにより、損失の低減並びに通過帯域外
の減衰域における減衰量の拡大が図られている。
【００１０】他方、携帯電話などのアンテナトップで
は、その受信側（Ｒｘ側）フィルタの阻止域（送信側の
通過帯域）には、送信側からの大きな電力が印加され
る。このような受信側フィルタとして、上記弾性表面波
装置を用いた場合には、送信側からの大電力に耐え得な
いことがあり、例えば２Ｗの電力が印加された場合に
は、瞬時に破壊してしまうという問題があった。
は、その受信側（Ｒｘ側）フィルタの阻止域（送信側の
通過帯域）には、送信側からの大きな電力が印加され
る。このような受信側フィルタとして、上記弾性表面波
装置を用いた場合には、送信側からの大電力に耐え得な
いことがあり、例えば２Ｗの電力が印加された場合に
は、瞬時に破壊してしまうという問題があった。
【００１１】また、上記弾性表面波装置を携帯電話用の
アンテナトップの受信側フィルタとして用いる場合に
は、ストリップラインなどを用いて阻止域のインピーダ
ンスが開放となるように設定して、例えば誘電体共振器
を用いたフィルタやＳＡＷフィルタからなる送信側フィ
ルタに接続している。しかしながら、この場合、送信側
の損失を抑制するには、送信側の通過帯域における受信
側フィルタの反射係数が大きいことが望まれるが、上記
弾性表面波装置では、送信側の通過帯域における反射係
数を十分に高め得なかった。
アンテナトップの受信側フィルタとして用いる場合に
は、ストリップラインなどを用いて阻止域のインピーダ
ンスが開放となるように設定して、例えば誘電体共振器
を用いたフィルタやＳＡＷフィルタからなる送信側フィ
ルタに接続している。しかしながら、この場合、送信側
の損失を抑制するには、送信側の通過帯域における受信
側フィルタの反射係数が大きいことが望まれるが、上記
弾性表面波装置では、送信側の通過帯域における反射係
数を十分に高め得なかった。
【００１２】加えて、ＳＡＷ共振子フィルタの一般的な
特徴として、通過帯域よりも高周波数側の減衰域におけ
る減衰量が十分でなく、従って、高周波数側の減衰域に
おける減衰量の拡大が強く求められている。
特徴として、通過帯域よりも高周波数側の減衰域におけ
る減衰量が十分でなく、従って、高周波数側の減衰域に
おける減衰量の拡大が強く求められている。
【００１３】本発明は、上述した従来の弾性表面波装置
の欠点を解消し、低損失であり、かつ通過帯域よりも低
周波数側の減衰域における減衰量を拡大し得るだけでな
く、耐電力性に優れ、さらに通過帯域よりも高周波数側
における減衰域の減衰量が拡大されている弾性表面波装
置を提供することを目的とする。
の欠点を解消し、低損失であり、かつ通過帯域よりも低
周波数側の減衰域における減衰量を拡大し得るだけでな
く、耐電力性に優れ、さらに通過帯域よりも高周波数側
における減衰域の減衰量が拡大されている弾性表面波装
置を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段及び発明の効果】本発明
は、上記課題を達成するために成されたものであり、本
発明の広い局面によれば、圧電基板または圧電薄膜を有
する表面波基板と、前記圧電基板上または前記圧電薄膜
に接するように形成されている５個以上のＩＤＴ及び前
記ＩＤＴが設けられている領域の表面波伝搬方向両側に
配置された一対の反射器を有する多電極型縦結合２重モ
ードＳＡＷ共振子フィルタと、反射器を有せず、かつ共
振周波数が前記ＳＡＷ共振子フィルタの通過帯域よりも
低周波数側に位置するように前記ＳＡＷ共振子フィルタ
に並列接続された一端子対ＳＡＷ共振子よりなる並列腕
共振子とを備え、入力側端子が、前記ＳＡＷ共振子フィ
ルタと前記並列腕共振子との接続点であることを特徴と
する、弾性表面波装置が提供される。
は、上記課題を達成するために成されたものであり、本
発明の広い局面によれば、圧電基板または圧電薄膜を有
する表面波基板と、前記圧電基板上または前記圧電薄膜
に接するように形成されている５個以上のＩＤＴ及び前
記ＩＤＴが設けられている領域の表面波伝搬方向両側に
配置された一対の反射器を有する多電極型縦結合２重モ
ードＳＡＷ共振子フィルタと、反射器を有せず、かつ共
振周波数が前記ＳＡＷ共振子フィルタの通過帯域よりも
低周波数側に位置するように前記ＳＡＷ共振子フィルタ
に並列接続された一端子対ＳＡＷ共振子よりなる並列腕
共振子とを備え、入力側端子が、前記ＳＡＷ共振子フィ
ルタと前記並列腕共振子との接続点であることを特徴と
する、弾性表面波装置が提供される。
【００１５】本発明によれば、多電極型縦結合２重モー
ドＳＡＷ共振子フィルタに上記並列腕共振子が上記の関
係で並列接続されているため、入力端子から印加される
電力は、ＳＡＷ共振子フィルタと並列腕共振子とに分散
されることになり、それによって耐電力性が効果的に高
められる。
ドＳＡＷ共振子フィルタに上記並列腕共振子が上記の関
係で並列接続されているため、入力端子から印加される
電力は、ＳＡＷ共振子フィルタと並列腕共振子とに分散
されることになり、それによって耐電力性が効果的に高
められる。
【００１６】また、上記並列腕共振子は、その共振周波
数がＳＡＷ共振子フィルタの通過帯域よりも低周波数側
の領域に位置するように設けられているため、通過帯域
の低周波数側の減衰域における減衰量が高められる。加
えて、後述の実施形態の説明から明らかなように、阻止
域における反射係数も高められる。
数がＳＡＷ共振子フィルタの通過帯域よりも低周波数側
の領域に位置するように設けられているため、通過帯域
の低周波数側の減衰域における減衰量が高められる。加
えて、後述の実施形態の説明から明らかなように、阻止
域における反射係数も高められる。
【００１７】また、本発明の特定的な局面では、上記多
電極型縦結合２重モードＳＡＷ共振子フィルタは、５以
上の奇数個のＩＤＴを有し、該奇数個のＩＤＴは、表面
波伝搬方向に沿って交互に入力側ＩＤＴまたは出力側Ｉ
ＤＴとされている。この場合、上記一対の反射器に最も
近い２個のＩＤＴは入力側ＩＤＴとされる。また、該一
対の反射器に最も近い２個のＩＤＴを含む入力側ＩＤＴ
の電極指の数の総和が、出力側ＩＤＴの電極指の数の総
和よりも多くされ、上記並列腕共振子は、入力側ＩＤＴ
に接続されている。
電極型縦結合２重モードＳＡＷ共振子フィルタは、５以
上の奇数個のＩＤＴを有し、該奇数個のＩＤＴは、表面
波伝搬方向に沿って交互に入力側ＩＤＴまたは出力側Ｉ
ＤＴとされている。この場合、上記一対の反射器に最も
近い２個のＩＤＴは入力側ＩＤＴとされる。また、該一
対の反射器に最も近い２個のＩＤＴを含む入力側ＩＤＴ
の電極指の数の総和が、出力側ＩＤＴの電極指の数の総
和よりも多くされ、上記並列腕共振子は、入力側ＩＤＴ
に接続されている。
【００１８】この特定的な局面により提供される弾性表
面波装置では、上記本発明の広い局面により提供される
弾性表面波装置の作用効果に加えて、入力側ＩＤＴの数
が出力側ＩＤＴの数よりも多くなるため、すなわち一対
の反射器に最も近い２個のＩＤＴが入力側ＩＤＴとなる
ように入力側ＩＤＴ及び出力側ＩＤＴが表面波伝搬方向
に沿って交互に配置されているため、電力が印加される
側のＩＤＴの電極指総面積が大きくなり、従って、入力
側端子の阻止域における耐電力性をより一層高めること
ができる。
面波装置では、上記本発明の広い局面により提供される
弾性表面波装置の作用効果に加えて、入力側ＩＤＴの数
が出力側ＩＤＴの数よりも多くなるため、すなわち一対
の反射器に最も近い２個のＩＤＴが入力側ＩＤＴとなる
ように入力側ＩＤＴ及び出力側ＩＤＴが表面波伝搬方向
に沿って交互に配置されているため、電力が印加される
側のＩＤＴの電極指総面積が大きくなり、従って、入力
側端子の阻止域における耐電力性をより一層高めること
ができる。
【００１９】また、本発明のさらに特定的な局面では、
圧電基板として、３６°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ3 基
板が用いられ、ＩＤＴの電極指の幅ｗと表面波の波長λ
との比ｗ／λが、ｗ／λ≦０．３２とされる。この場
合、圧電基板として、電気機械結合係数が大きくかつ温
度特性が良好な３６°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ3 基板
が用いられているため、温度特性が良好であり、かつ十
分な帯域幅を有する弾性表面波装置を容易に提供し得
る。加えて、ＩＤＴの電極指の幅ｗと表面波の波長λと
の比が上記のように０．３２以下とされているため、後
述の実施形態の説明から明らかなように、５個以上の奇
数個のＩＤＴを構成した構成において、相対的に多数で
ある入力側ＩＤＴの電極指総面積を相対的に出力側ＩＤ
Ｔの電極指総面積に比べてより一層大きくすることがで
き、それによって耐電力性をさらに高め得る。
圧電基板として、３６°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ3 基
板が用いられ、ＩＤＴの電極指の幅ｗと表面波の波長λ
との比ｗ／λが、ｗ／λ≦０．３２とされる。この場
合、圧電基板として、電気機械結合係数が大きくかつ温
度特性が良好な３６°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ3 基板
が用いられているため、温度特性が良好であり、かつ十
分な帯域幅を有する弾性表面波装置を容易に提供し得
る。加えて、ＩＤＴの電極指の幅ｗと表面波の波長λと
の比が上記のように０．３２以下とされているため、後
述の実施形態の説明から明らかなように、５個以上の奇
数個のＩＤＴを構成した構成において、相対的に多数で
ある入力側ＩＤＴの電極指総面積を相対的に出力側ＩＤ
Ｔの電極指総面積に比べてより一層大きくすることがで
き、それによって耐電力性をさらに高め得る。
【００２０】本発明においては、好ましくは、上記本発
明の特定の局面により提供される５個以上の奇数個のＩ
ＤＴを有する構成において、出力側ＩＤＴには、反共振
周波数がＳＡＷ共振子フィルタの通過帯域よりも高周波
数側となるように一端子対ＳＡＷ共振子よりなる少なく
とも１個の直列腕共振子が接続される。少なくとも１個
の直列腕共振子をさらに接続した構成では、耐電力性、
阻止域における反射係数だけでなく、位相を損なうこと
なく通過帯域よりも高周波数側の減衰域における減衰量
を効果的に増大し得る。
明の特定の局面により提供される５個以上の奇数個のＩ
ＤＴを有する構成において、出力側ＩＤＴには、反共振
周波数がＳＡＷ共振子フィルタの通過帯域よりも高周波
数側となるように一端子対ＳＡＷ共振子よりなる少なく
とも１個の直列腕共振子が接続される。少なくとも１個
の直列腕共振子をさらに接続した構成では、耐電力性、
阻止域における反射係数だけでなく、位相を損なうこと
なく通過帯域よりも高周波数側の減衰域における減衰量
を効果的に増大し得る。
【００２１】また、本発明の別の局面では、圧電基板ま
たは圧電薄膜を有する表面波基板と、前記圧電基板上ま
たは前記圧電薄膜に接するように形成されている５以上
の奇数個のインターデジタルトランスデューサ及び該イ
ンターデジタルトランスデューサが設けられている領域
の表面波伝搬方向両側に配置された反射器とを有する多
電極型縦結合２重モードＳＡＷ共振子フィルタと、反射
器を有せず、かつ共振周波数が前記ＳＡＷ共振子フィル
タの通過帯域よりも低周波数側の周波数領域に位置する
ようにＳＡＷ共振子フィルタに並列接続された一端子対
ＳＡＷ共振子よりなる第１の並列腕共振子と、前記出力
側インターデジタルトランスデューサに接続されてお
り、かつその反共振周波数が前記ＳＡＷ共振子フィルタ
の通過帯域よりも高周波数側となるように接続された一
端子対ＳＡＷ共振子よりなる少なくとも１個の直列腕共
振子とを備え、前記ＳＡＷ共振子フィルタにおいて、一
対の反射器に最も近い２つのインターデジタルトランス
デューサを含む入力側インターデジタルトランスデュー
サの電極指の数の総和が、出力側インターデジタルトラ
ンスデューサの電極指の数の総和よりも多くされてお
り、かつ前記入力側インターデジタルトランスデューサ
に前記第１の並列腕共振子が接続されており、かつ前記
出力側インターデジタルトランスデューサに、その共振
周波数が前記直列腕共振子の反共振周波数よりも高周波
数側となるように第２の並列腕共振子が接続されている
弾性表面波装置の製造方法において、前記第２の並列腕
共振子を接続した後に、少なくとも１個の前記直列腕共
振子を接続することを特徴とする、弾性表面波装置の製
造方法が提供される。この製造方法によれば、上述した
本発明の弾性表面波装置の作用効果に加えて、さらに通
過帯域よりも高周波数側において、より広い周波数範囲
にわたり減衰量を拡大することができる。
たは圧電薄膜を有する表面波基板と、前記圧電基板上ま
たは前記圧電薄膜に接するように形成されている５以上
の奇数個のインターデジタルトランスデューサ及び該イ
ンターデジタルトランスデューサが設けられている領域
の表面波伝搬方向両側に配置された反射器とを有する多
電極型縦結合２重モードＳＡＷ共振子フィルタと、反射
器を有せず、かつ共振周波数が前記ＳＡＷ共振子フィル
タの通過帯域よりも低周波数側の周波数領域に位置する
ようにＳＡＷ共振子フィルタに並列接続された一端子対
ＳＡＷ共振子よりなる第１の並列腕共振子と、前記出力
側インターデジタルトランスデューサに接続されてお
り、かつその反共振周波数が前記ＳＡＷ共振子フィルタ
の通過帯域よりも高周波数側となるように接続された一
端子対ＳＡＷ共振子よりなる少なくとも１個の直列腕共
振子とを備え、前記ＳＡＷ共振子フィルタにおいて、一
対の反射器に最も近い２つのインターデジタルトランス
デューサを含む入力側インターデジタルトランスデュー
サの電極指の数の総和が、出力側インターデジタルトラ
ンスデューサの電極指の数の総和よりも多くされてお
り、かつ前記入力側インターデジタルトランスデューサ
に前記第１の並列腕共振子が接続されており、かつ前記
出力側インターデジタルトランスデューサに、その共振
周波数が前記直列腕共振子の反共振周波数よりも高周波
数側となるように第２の並列腕共振子が接続されている
弾性表面波装置の製造方法において、前記第２の並列腕
共振子を接続した後に、少なくとも１個の前記直列腕共
振子を接続することを特徴とする、弾性表面波装置の製
造方法が提供される。この製造方法によれば、上述した
本発明の弾性表面波装置の作用効果に加えて、さらに通
過帯域よりも高周波数側において、より広い周波数範囲
にわたり減衰量を拡大することができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の非限定的な実施形
態を説明することにより、本発明を明らかにする。
態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００２３】第１の実施形態 図２は、本発明の第１の実施形態に係る弾性表面波装置
の略図的平面図である。
の略図的平面図である。
【００２４】弾性表面波装置２１は、圧電基板２２を用
いて構成されている。圧電基板２２は、３６°Ｙカット
Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ3 基板よりなる。圧電基板２２上に後
述の種々の電極を形成することにより多電極型縦結合２
重モードＳＡＷ共振子フィルタ２３と並列腕共振子２４
とが構成されている。
いて構成されている。圧電基板２２は、３６°Ｙカット
Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ3 基板よりなる。圧電基板２２上に後
述の種々の電極を形成することにより多電極型縦結合２
重モードＳＡＷ共振子フィルタ２３と並列腕共振子２４
とが構成されている。
【００２５】すなわち、圧電基板２２上に、５個のＩＤ
Ｔ２５〜２９がＳＡＷ共振子フィルタ２３における表面
波伝搬方向に沿って配置されている。ＩＤＴ２５〜２９
のうち、ＩＤＴ２５，２７，２９が入力側ＩＤＴであ
り、ＩＤＴ２６，２８が出力側ＩＤＴである。各ＩＤＴ
２５〜２９は、それぞれ、一対のくし型電極２５ａ，２
５ｂ〜２９ａ，２９ｂを有する。ＩＤＴ２５〜２９が設
けられている領域の表面波伝搬方向外側には、反射器３
０，３１が形成されている。反射器３０，３１は、複数
本の電極指を有するグレーティング反射器により構成さ
れている。
Ｔ２５〜２９がＳＡＷ共振子フィルタ２３における表面
波伝搬方向に沿って配置されている。ＩＤＴ２５〜２９
のうち、ＩＤＴ２５，２７，２９が入力側ＩＤＴであ
り、ＩＤＴ２６，２８が出力側ＩＤＴである。各ＩＤＴ
２５〜２９は、それぞれ、一対のくし型電極２５ａ，２
５ｂ〜２９ａ，２９ｂを有する。ＩＤＴ２５〜２９が設
けられている領域の表面波伝搬方向外側には、反射器３
０，３１が形成されている。反射器３０，３１は、複数
本の電極指を有するグレーティング反射器により構成さ
れている。
【００２６】また、並列腕共振子２４は、一端子対ＳＡ
Ｗ共振子により構成されており、５個のＩＤＴ３２ａ〜
３２ｄを直列に接続してなる構成を有する。各ＩＤＴ３
２ａ〜３２ｄは、それぞれ、互いに間挿し合う複数本の
電極指を有する一対のくし型電極により構成されてい
る。また、ＩＤＴ３２ａ〜３２ｄの開口長及び電極指の
対数は全て同一とされている。
Ｗ共振子により構成されており、５個のＩＤＴ３２ａ〜
３２ｄを直列に接続してなる構成を有する。各ＩＤＴ３
２ａ〜３２ｄは、それぞれ、互いに間挿し合う複数本の
電極指を有する一対のくし型電極により構成されてい
る。また、ＩＤＴ３２ａ〜３２ｄの開口長及び電極指の
対数は全て同一とされている。
【００２７】並列腕共振子２４は、その共振周波数が、
ＳＡＷ共振子フィルタ２３の通過帯域よりも低周波数側
であって、特に、阻止域よりも高周波数側となるよう
に、入力側ＩＤＴ２５，２９のくし型電極２５ａ，２９
ａに電気的に接続されている。すなわち、入力端子３３
に接続されている接続点３４に、ＳＡＷ共振子フィルタ
２３の入力側ＩＤＴ２５，２７，２９の第１のくし型電
極２５ａ，２７ａ，２９ａが接続されていると共に、該
接続点３４に並列腕共振子２４が接続されている。並列
腕共振子２４の反対側の端子は、アース電位に接続され
ている。また、ＳＡＷ共振子フィルタ２３の入力側ＩＤ
Ｔ２５，２７，２９の第２のくし型電極２５ｂ，２７
ｂ，２９ｂもアース電位に接続されている。
ＳＡＷ共振子フィルタ２３の通過帯域よりも低周波数側
であって、特に、阻止域よりも高周波数側となるよう
に、入力側ＩＤＴ２５，２９のくし型電極２５ａ，２９
ａに電気的に接続されている。すなわち、入力端子３３
に接続されている接続点３４に、ＳＡＷ共振子フィルタ
２３の入力側ＩＤＴ２５，２７，２９の第１のくし型電
極２５ａ，２７ａ，２９ａが接続されていると共に、該
接続点３４に並列腕共振子２４が接続されている。並列
腕共振子２４の反対側の端子は、アース電位に接続され
ている。また、ＳＡＷ共振子フィルタ２３の入力側ＩＤ
Ｔ２５，２７，２９の第２のくし型電極２５ｂ，２７
ｂ，２９ｂもアース電位に接続されている。
【００２８】また、出力側ＩＤＴ２６，２８の第１のく
し型電極２６ａ，２８ａは共通接続されて、出力端子３
５に接続されている。ＩＤＴ２６，２８の第２のくし型
電極２６ｂ，２８ｂは、それぞれ、アース電位に接続さ
れている。
し型電極２６ａ，２８ａは共通接続されて、出力端子３
５に接続されている。ＩＤＴ２６，２８の第２のくし型
電極２６ｂ，２８ｂは、それぞれ、アース電位に接続さ
れている。
【００２９】上記ＳＡＷ共振子フィルタ２３の減衰量周
波数特性を、図４に示す。なお、図４において、実線Ｂ
で示す特性は、実線Ａで示す特性の要部を、縦軸の挿入
損失を縦軸の右側のスケールに拡大して示した特性であ
る。
波数特性を、図４に示す。なお、図４において、実線Ｂ
で示す特性は、実線Ａで示す特性の要部を、縦軸の挿入
損失を縦軸の右側のスケールに拡大して示した特性であ
る。
【００３０】また、上記ＳＡＷ共振子フィルタ２３のイ
ンピーダンススミスチャートを図５（ａ）及び（ｂ）に
示す。なお、図５（ａ）は、ＩＤＴ２５，２７，２９側
の端子から見た特性を、図５（ｂ）はＩＤＴ２６，２８
側の端子から見た特性である。なお、上記ＳＡＷ共振子
フィルタ２３の通過帯域は、９３５〜９６０ＭＨｚであ
り、低周波数側の阻止域は８９０〜９１５ＭＨｚであ
る。
ンピーダンススミスチャートを図５（ａ）及び（ｂ）に
示す。なお、図５（ａ）は、ＩＤＴ２５，２７，２９側
の端子から見た特性を、図５（ｂ）はＩＤＴ２６，２８
側の端子から見た特性である。なお、上記ＳＡＷ共振子
フィルタ２３の通過帯域は、９３５〜９６０ＭＨｚであ
り、低周波数側の阻止域は８９０〜９１５ＭＨｚであ
る。
【００３１】前述したように、本実施形態の弾性表面波
装置２１では、上記ＳＡＷ共振子フィルタ２３に並列腕
共振子２４が上記のように接続されているが、その全体
としての通過帯域内外の減衰量周波数特性を図６に示
す。なお、図６において、実線Ｄは、実線Ｃで示した特
性の要部を縦軸の挿入損失を縦軸の右側のスケールで拡
大して示した特性である。
装置２１では、上記ＳＡＷ共振子フィルタ２３に並列腕
共振子２４が上記のように接続されているが、その全体
としての通過帯域内外の減衰量周波数特性を図６に示
す。なお、図６において、実線Ｄは、実線Ｃで示した特
性の要部を縦軸の挿入損失を縦軸の右側のスケールで拡
大して示した特性である。
【００３２】図４と図６とを比較すれば明らかなよう
に、図６に示した特性では、通過帯域よりも低周波数側
の領域において、通過帯域近傍で減衰量が大きくなって
いることがわかる。すなわち、本実施形態によれば、Ｓ
ＡＷ共振子フィルタ２３に上記並列腕共振子２４を上記
のように接続することにより、通過帯域外の低周波数側
領域における減衰量が、特に、上記阻止域の中の高周波
数側領域において減衰量が効果的に高められることがわ
かる。
に、図６に示した特性では、通過帯域よりも低周波数側
の領域において、通過帯域近傍で減衰量が大きくなって
いることがわかる。すなわち、本実施形態によれば、Ｓ
ＡＷ共振子フィルタ２３に上記並列腕共振子２４を上記
のように接続することにより、通過帯域外の低周波数側
領域における減衰量が、特に、上記阻止域の中の高周波
数側領域において減衰量が効果的に高められることがわ
かる。
【００３３】また、図７（ａ）及び（ｂ）は、本実施形
態の弾性表面波装置２１のインピーダンススミスチャー
トを示し、（ａ）は入力端子から見た特性を、（ｂ）は
出力端子から見た特性を示す。図５（ａ）に示した特性
と、図７（ａ）に示した特性とを比較すれば、図７
（ａ）に示されている特性の方が、阻止域すなわち相手
側の通過帯域における反射係数が大きくなっていること
がわかる。
態の弾性表面波装置２１のインピーダンススミスチャー
トを示し、（ａ）は入力端子から見た特性を、（ｂ）は
出力端子から見た特性を示す。図５（ａ）に示した特性
と、図７（ａ）に示した特性とを比較すれば、図７
（ａ）に示されている特性の方が、阻止域すなわち相手
側の通過帯域における反射係数が大きくなっていること
がわかる。
【００３４】加えて、本実施形態の弾性表面波装置２１
では、入力端子３３には、ＩＤＴ２５，２７，２９だけ
でなく、並列腕共振子２４を構成しているＩＤＴ３２ａ
〜３２ｄが接続されている。従って、入力側端子に接続
されたＩＤＴの電極指総面積は、図１に示した従来の弾
性表面波装置におけるＩＤＴ５，１６の電極指総面積に
対して大きくなることがわかる。
では、入力端子３３には、ＩＤＴ２５，２７，２９だけ
でなく、並列腕共振子２４を構成しているＩＤＴ３２ａ
〜３２ｄが接続されている。従って、入力側端子に接続
されたＩＤＴの電極指総面積は、図１に示した従来の弾
性表面波装置におけるＩＤＴ５，１６の電極指総面積に
対して大きくなることがわかる。
【００３５】すなわち、本実施形態では、上記並列腕共
振子２４がＳＡＷ共振子フィルタ２３に上記の関係で接
続されているため、通過帯域外の減衰域、特に低周波数
側の減衰域において減衰量を拡大することができる。加
えて、例えば携帯電話のアンテナトップにおいて受信側
フィルタとして用いた場合には、阻止域における反射係
数が高くされ得るため、送信側の通過帯域における損失
を効果的に抑制することができる。
振子２４がＳＡＷ共振子フィルタ２３に上記の関係で接
続されているため、通過帯域外の減衰域、特に低周波数
側の減衰域において減衰量を拡大することができる。加
えて、例えば携帯電話のアンテナトップにおいて受信側
フィルタとして用いた場合には、阻止域における反射係
数が高くされ得るため、送信側の通過帯域における損失
を効果的に抑制することができる。
【００３６】また、上記並列腕共振子２４が接続されて
いるため、上述したように、入力端子から印加された電
力は、ＳＡＷ共振子フィルタ２３と並列腕共振子２４と
に分散されるため、耐電力性が高められる。
いるため、上述したように、入力端子から印加された電
力は、ＳＡＷ共振子フィルタ２３と並列腕共振子２４と
に分散されるため、耐電力性が高められる。
【００３７】ところで、弾性表面波装置に大電力を投入
した場合の破壊は、表面波を励振させたときに機械的ス
トレスがＩＤＴの電極に発生し、ＩＤＴを構成している
電極中の原子がマイグレーションが起こすことによると
考えられている。
した場合の破壊は、表面波を励振させたときに機械的ス
トレスがＩＤＴの電極に発生し、ＩＤＴを構成している
電極中の原子がマイグレーションが起こすことによると
考えられている。
【００３８】図３は、ＩＤＴにおける上記電極指の幅
ｗ、表面波の波長λ及び交叉幅ｔとの関係を示す図であ
る。図３を参照して、耐電力性を高め得るさらなる条件
を説明する。
ｗ、表面波の波長λ及び交叉幅ｔとの関係を示す図であ
る。図３を参照して、耐電力性を高め得るさらなる条件
を説明する。
【００３９】例えば図１に示した従来の３電極型縦結合
２重モードＳＡＷ共振子フィルタでは、広帯域化を図る
ためにＩＤＴの電極指の本数を減らした場合、入出力の
インピーダンスを５０Ωとするために、ＩＤＴの交叉幅
ｔを大きくするか、ＩＤＴの電極指の幅ｗを大きくする
必要があった。従って、従来、ＩＤＴにおける抵抗損失
を低減するために、上記交叉幅ｔを小さくし、電極指の
幅ｗを波長λの０．３５倍以上まで太くしていた。
２重モードＳＡＷ共振子フィルタでは、広帯域化を図る
ためにＩＤＴの電極指の本数を減らした場合、入出力の
インピーダンスを５０Ωとするために、ＩＤＴの交叉幅
ｔを大きくするか、ＩＤＴの電極指の幅ｗを大きくする
必要があった。従って、従来、ＩＤＴにおける抵抗損失
を低減するために、上記交叉幅ｔを小さくし、電極指の
幅ｗを波長λの０．３５倍以上まで太くしていた。
【００４０】これに対して、本実施形態の弾性表面波装
置２１では、ＩＤＴ２５〜２９の５個のＩＤＴが設けら
れているため、３電極型ＳＡＷ共振子フィルタの場合と
同じ交叉幅とした場合であっても、各ＩＤＴ２５〜２９
における電極指の幅を３電極型ＳＡＷ共振子フィルタの
ＩＤＴの場合の電極指の幅よりも細くして入出力インピ
ーダンスを５０Ω純抵抗とすることができる。
置２１では、ＩＤＴ２５〜２９の５個のＩＤＴが設けら
れているため、３電極型ＳＡＷ共振子フィルタの場合と
同じ交叉幅とした場合であっても、各ＩＤＴ２５〜２９
における電極指の幅を３電極型ＳＡＷ共振子フィルタの
ＩＤＴの場合の電極指の幅よりも細くして入出力インピ
ーダンスを５０Ω純抵抗とすることができる。
【００４１】本願発明者は、ＩＤＴの数を変化させて、
入出力インピーダンスが５０Ω純抵抗となる電極指の幅
ｗと交叉幅ｔとの関係を調べた。その結果、図８に示す
結果が得られた。なお、図８に示す関係においては、ｔ
／λ＝０．２５における比帯域幅が４％と一定である場
合を基準に、比帯域幅を一定として上記関係を求めたも
のである。
入出力インピーダンスが５０Ω純抵抗となる電極指の幅
ｗと交叉幅ｔとの関係を調べた。その結果、図８に示す
結果が得られた。なお、図８に示す関係においては、ｔ
／λ＝０．２５における比帯域幅が４％と一定である場
合を基準に、比帯域幅を一定として上記関係を求めたも
のである。
【００４２】なお、図８の実線Ｅ〜Ｈは、それぞれ、実
線Ｅ…３電極型、実線Ｆ…５電極型、実線Ｇ…７電極
型、実線Ｈ…９電極型の場合の関係を示す。図８から明
らかなように、交叉幅ｔが同じ場合、すなわち比ｔ／λ
が等しい場合、３電極型において比ｗ／λ＝０．３５以
上に相当の構成を、５電極型では、比ｗ／λ＝０．１５
以下で実現し得ることがわかる。すなわち、広帯域化を
図るために、ＩＤＴにおける電極指の本数を減らした場
合に、入出力間のインピーダンスを所定の値とするため
に、本実施形態では、電極指の幅を太くする必要のない
ことがわかる。
線Ｅ…３電極型、実線Ｆ…５電極型、実線Ｇ…７電極
型、実線Ｈ…９電極型の場合の関係を示す。図８から明
らかなように、交叉幅ｔが同じ場合、すなわち比ｔ／λ
が等しい場合、３電極型において比ｗ／λ＝０．３５以
上に相当の構成を、５電極型では、比ｗ／λ＝０．１５
以下で実現し得ることがわかる。すなわち、広帯域化を
図るために、ＩＤＴにおける電極指の本数を減らした場
合に、入出力間のインピーダンスを所定の値とするため
に、本実施形態では、電極指の幅を太くする必要のない
ことがわかる。
【００４３】他方、電極間マイグレーションにより短絡
に至る寿命時間は、ＩＤＴにおける信号線とアース線と
の間隔が広いほど長くなることがわかっている。従っ
て、高周波化によってＩＤＴの波長λが短くなった場
合、本実施形態では、電極指の幅ｗを上記のように狭く
し得るため、耐電力性を効果的に高め得ることがわか
る。
に至る寿命時間は、ＩＤＴにおける信号線とアース線と
の間隔が広いほど長くなることがわかっている。従っ
て、高周波化によってＩＤＴの波長λが短くなった場
合、本実施形態では、電極指の幅ｗを上記のように狭く
し得るため、耐電力性を効果的に高め得ることがわか
る。
【００４４】本実施形態では、上記のように、電極指の
幅ｗを細くし得ることにより耐電力性を高め得るだけで
なく、前述したように、入力側ＩＤＴが３個のＩＤＴ２
５，２７，２９と、出力側のＩＤＴ２６，２８に比べて
多くされており、さらに上記並列腕共振子２４のＩＤＴ
３２ａ〜３２ｄが設けられているため、電力が印加され
る側のＩＤＴの電極の総面積を出力側ＩＤＴの電極の総
面積よりも大きくすることができるため、それによって
も入力側端子の阻止域における耐電力性を効果的に高め
得る。
幅ｗを細くし得ることにより耐電力性を高め得るだけで
なく、前述したように、入力側ＩＤＴが３個のＩＤＴ２
５，２７，２９と、出力側のＩＤＴ２６，２８に比べて
多くされており、さらに上記並列腕共振子２４のＩＤＴ
３２ａ〜３２ｄが設けられているため、電力が印加され
る側のＩＤＴの電極の総面積を出力側ＩＤＴの電極の総
面積よりも大きくすることができるため、それによって
も入力側端子の阻止域における耐電力性を効果的に高め
得る。
【００４５】第１の実施形態の変形例 第１の実施形態の弾性表面波装置２１は上述のように構
成されていたが、好ましくは、上記弾性表面波装置のＳ
ＡＷ共振子フィルタ２３のＩＤＴ２５〜２９における電
極指の幅ｗと、表面波の波長λとの比は、ｗ／λ≦０．
３２とされ、それによって耐電力性がより一層高められ
る。すなわち、ＳＡＷ共振子フィルタにおけるＩＤＴの
電極指交叉幅を小さくすると、電極面積が小さくなるた
め耐電力性が劣化することになる。そこで、種々の数の
ＩＤＴを有する電極構成における電極指の幅ｗとＩＤＴ
の数によって、耐電力性に影響するＩＤＴの電極指面積
の総和がどのように変化するかを調べた。図９〜図１１
は、それぞれ、ＩＤＴが５個、７個及び９個の場合に、
電極指の交叉幅ｔと波長λとの比ｔ／λに入力側ＩＤＴ
２５，２７，２９の電極指の本数ｎを掛けた値と、比ｗ
／λとの関係を示す図である。ここで、交叉幅ｔと、電
極指の本数ｎの積は、ＩＤＴの電極面積に相当する量を
示し、それぞれ、ＩＤＴが５個、７個及び９個の場合の
入力側ＩＤＴの電極指の総本数は、ｎ5 ＝９１、ｎ7 ＝
１３６及びｎ9 ＝１９５である。
成されていたが、好ましくは、上記弾性表面波装置のＳ
ＡＷ共振子フィルタ２３のＩＤＴ２５〜２９における電
極指の幅ｗと、表面波の波長λとの比は、ｗ／λ≦０．
３２とされ、それによって耐電力性がより一層高められ
る。すなわち、ＳＡＷ共振子フィルタにおけるＩＤＴの
電極指交叉幅を小さくすると、電極面積が小さくなるた
め耐電力性が劣化することになる。そこで、種々の数の
ＩＤＴを有する電極構成における電極指の幅ｗとＩＤＴ
の数によって、耐電力性に影響するＩＤＴの電極指面積
の総和がどのように変化するかを調べた。図９〜図１１
は、それぞれ、ＩＤＴが５個、７個及び９個の場合に、
電極指の交叉幅ｔと波長λとの比ｔ／λに入力側ＩＤＴ
２５，２７，２９の電極指の本数ｎを掛けた値と、比ｗ
／λとの関係を示す図である。ここで、交叉幅ｔと、電
極指の本数ｎの積は、ＩＤＴの電極面積に相当する量を
示し、それぞれ、ＩＤＴが５個、７個及び９個の場合の
入力側ＩＤＴの電極指の総本数は、ｎ5 ＝９１、ｎ7 ＝
１３６及びｎ9 ＝１９５である。
【００４６】また、従来の３個のＩＤＴを用いた弾性表
面波装置では、前述したように電極指の幅ｗが波長λの
０．３５倍以上とされていた。そこで、図９〜図１１に
おいては比較のために、●印を付して、ｗ／λ＝０．３
５の場合の従来の３電極型弾性表面波装置におけるｔ×
ｎ／λの値を併せて示した。
面波装置では、前述したように電極指の幅ｗが波長λの
０．３５倍以上とされていた。そこで、図９〜図１１に
おいては比較のために、●印を付して、ｗ／λ＝０．３
５の場合の従来の３電極型弾性表面波装置におけるｔ×
ｎ／λの値を併せて示した。
【００４７】図９〜図１１から明らかなように、５個以
上のＩＤＴを用いた構成では、電極の幅ｗが一定の場
合、ＩＤＴの数が増加するにつれて、面積に相当する量
であるｔ×ｎ／λが大きくなっており、その量が最も小
さいのはＩＤＴを５個用いた場合である。
上のＩＤＴを用いた構成では、電極の幅ｗが一定の場
合、ＩＤＴの数が増加するにつれて、面積に相当する量
であるｔ×ｎ／λが大きくなっており、その量が最も小
さいのはＩＤＴを５個用いた場合である。
【００４８】従って、図９〜図１１に示されているよう
に、５個以上のＩＤＴを用いる場合、比ｗ／λを０．３
２以下とすれば、入力側ＩＤＴの電極総面積を大きくす
ることができ、より一層耐電力性を高め得ることがわか
る。
に、５個以上のＩＤＴを用いる場合、比ｗ／λを０．３
２以下とすれば、入力側ＩＤＴの電極総面積を大きくす
ることができ、より一層耐電力性を高め得ることがわか
る。
【００４９】第２の実施形態 図１２は、本発明の第２の実施形態に係る弾性表面波装
置を説明するための略図的平面図である。弾性表面波装
置４１は、圧電基板４２を用いて構成されており、圧電
基板４２は、３６°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ3 基板か
らなる。圧電基板４２上に、後述の種々の電極を形成す
ることにより、多電極型縦結合ＳＡＷ共振子フィルタ４
３と、並列腕共振子４４と、直列腕共振子６０とが構成
されている。
置を説明するための略図的平面図である。弾性表面波装
置４１は、圧電基板４２を用いて構成されており、圧電
基板４２は、３６°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ3 基板か
らなる。圧電基板４２上に、後述の種々の電極を形成す
ることにより、多電極型縦結合ＳＡＷ共振子フィルタ４
３と、並列腕共振子４４と、直列腕共振子６０とが構成
されている。
【００５０】ＳＡＷ共振子フィルタ４３及び並列腕共振
子４４は、第１の実施形態に係るＳＡＷ共振子フィルタ
２３及び並列腕共振子２４と同様に構成されている。従
って、同一部分については、同一の参照番号を付するこ
とにより、その詳細な説明は省略する。
子４４は、第１の実施形態に係るＳＡＷ共振子フィルタ
２３及び並列腕共振子２４と同様に構成されている。従
って、同一部分については、同一の参照番号を付するこ
とにより、その詳細な説明は省略する。
【００５１】本実施形態が、第１の実施形態と異なると
ころは、ＳＡＷ共振子フィルタ４３の出力側に、直列腕
共振子６０が接続されていることにある。すなわち、直
列腕共振子６０は、中央に配置されたＩＤＴ６１と、Ｉ
ＤＴ６１の表面波伝搬方向外側に配置されたグレーティ
ング反射器よりなる反射器６２，６３とを有する。ＩＤ
Ｔ６１は、互いに間挿し合う複数本の電極指を有する一
対のくし型電極６１ａ，６１ｂを有する。ＳＡＷ共振子
フィルタ４３の出力側ＩＤＴ２６，２８の一方のくし型
電極２６ａ，２８ａが共通接続されて、直列腕共振子６
０のくし型電極６１ａに接続されている。
ころは、ＳＡＷ共振子フィルタ４３の出力側に、直列腕
共振子６０が接続されていることにある。すなわち、直
列腕共振子６０は、中央に配置されたＩＤＴ６１と、Ｉ
ＤＴ６１の表面波伝搬方向外側に配置されたグレーティ
ング反射器よりなる反射器６２，６３とを有する。ＩＤ
Ｔ６１は、互いに間挿し合う複数本の電極指を有する一
対のくし型電極６１ａ，６１ｂを有する。ＳＡＷ共振子
フィルタ４３の出力側ＩＤＴ２６，２８の一方のくし型
電極２６ａ，２８ａが共通接続されて、直列腕共振子６
０のくし型電極６１ａに接続されている。
【００５２】従って、第２の実施形態に係る弾性表面波
装置４１では、入力端子３３に接続されている接続点３
４に、並列腕共振子４４とＳＡＷ共振子フィルタ４３の
入力側ＩＤＴ２５，２７，２９が接続されている。他
方、出力側ＩＤＴ２６，２８が、直列腕共振子６０を介
して出力端子３５に接続されている。なお、ＳＡＷ共振
子フィルタ４３の通過帯域は、第１の実施形態の場合と
同様に、９３５〜９６０ＭＨｚであり、阻止域は８９０
〜９１５ＭＨｚである。
装置４１では、入力端子３３に接続されている接続点３
４に、並列腕共振子４４とＳＡＷ共振子フィルタ４３の
入力側ＩＤＴ２５，２７，２９が接続されている。他
方、出力側ＩＤＴ２６，２８が、直列腕共振子６０を介
して出力端子３５に接続されている。なお、ＳＡＷ共振
子フィルタ４３の通過帯域は、第１の実施形態の場合と
同様に、９３５〜９６０ＭＨｚであり、阻止域は８９０
〜９１５ＭＨｚである。
【００５３】並列腕共振子４４は、その共振周波数が上
記阻止域よりも高周波数側の領域かつ通過帯域よりも低
周波数側の領域となるように、ＩＤＴ２５，２７，２９
に接続されている。また、直列腕共振子６０は、その反
共振周波数が、ＳＡＷ共振子フィルタ４３の通過帯域よ
りも高周波数側の減衰域に位置するようにＩＤＴ２６，
２８に接続されている。
記阻止域よりも高周波数側の領域かつ通過帯域よりも低
周波数側の領域となるように、ＩＤＴ２５，２７，２９
に接続されている。また、直列腕共振子６０は、その反
共振周波数が、ＳＡＷ共振子フィルタ４３の通過帯域よ
りも高周波数側の減衰域に位置するようにＩＤＴ２６，
２８に接続されている。
【００５４】本実施形態の弾性表面波装置４１の全体と
しての通過帯域内外の減衰量周波数特性を図１３に示
す。なお、図１３の実線Ｊは、実線Ｉで示した特性の要
部を縦軸の挿入損失を縦軸の右側のスケールで拡大して
示す特性である。
しての通過帯域内外の減衰量周波数特性を図１３に示
す。なお、図１３の実線Ｊは、実線Ｉで示した特性の要
部を縦軸の挿入損失を縦軸の右側のスケールで拡大して
示す特性である。
【００５５】図１３に示す減衰量周波数特性を、第１の
実施形態の弾性表面波装置の減衰量周波数特性である図
６と比較すれば明らかなように、本実施形態の弾性表面
波装置４１では、通過帯域よりも高周波数側の減衰域に
おいても減衰量が大きくなっていることがわかる。すな
わち、上記阻止域内の高周波数側の周波数領域における
減衰量が拡大されるだけでなく、通過帯域よりも高周波
数側の減衰域においても減衰量が大きくなることがわか
る。
実施形態の弾性表面波装置の減衰量周波数特性である図
６と比較すれば明らかなように、本実施形態の弾性表面
波装置４１では、通過帯域よりも高周波数側の減衰域に
おいても減衰量が大きくなっていることがわかる。すな
わち、上記阻止域内の高周波数側の周波数領域における
減衰量が拡大されるだけでなく、通過帯域よりも高周波
数側の減衰域においても減衰量が大きくなることがわか
る。
【００５６】すなわち、弾性表面波装置４１では、先
ず、ＳＡＷ共振子フィルタ４３に、並列腕共振子４４
が、その共振周波数が阻止域の高周波数側の周波数領域
となるように、入力側ＩＤＴ２５，２７，２９に接続さ
れているため、通過帯域外の低周波数側の周波数領域、
特に阻止域内の高周波数側の周波数領域における減衰量
が拡大されている。
ず、ＳＡＷ共振子フィルタ４３に、並列腕共振子４４
が、その共振周波数が阻止域の高周波数側の周波数領域
となるように、入力側ＩＤＴ２５，２７，２９に接続さ
れているため、通過帯域外の低周波数側の周波数領域、
特に阻止域内の高周波数側の周波数領域における減衰量
が拡大されている。
【００５７】また、上記並列腕共振子４４の接続によ
り、入力端子１６に印加される電力は、ＳＡＷ共振子フ
ィルタ４３の入力側ＩＤＴ２５，２７，２９と並列腕共
振子４４とに分散されることになり、耐電力性が高めら
れる。加えて、ＳＡＷ共振子フィルタ４３では、５個の
ＩＤＴ２５〜２９が設けられており、入力側ＩＤＴが３
個のＩＤＴ２５，２７，２９で構成されているため、電
極指の本数の多い入力側ＩＤＴに電力が印加されるた
め、並びに多対であり、かつ複数段のＩＤＴを直列接続
してなる並列腕共振子４４が接続されていることによ
り、電力が印加されるＩＤＴの電極の総面積が拡大され
ており、それによって入力側端子の阻止域における耐電
力性が高められている。
り、入力端子１６に印加される電力は、ＳＡＷ共振子フ
ィルタ４３の入力側ＩＤＴ２５，２７，２９と並列腕共
振子４４とに分散されることになり、耐電力性が高めら
れる。加えて、ＳＡＷ共振子フィルタ４３では、５個の
ＩＤＴ２５〜２９が設けられており、入力側ＩＤＴが３
個のＩＤＴ２５，２７，２９で構成されているため、電
極指の本数の多い入力側ＩＤＴに電力が印加されるた
め、並びに多対であり、かつ複数段のＩＤＴを直列接続
してなる並列腕共振子４４が接続されていることによ
り、電力が印加されるＩＤＴの電極の総面積が拡大され
ており、それによって入力側端子の阻止域における耐電
力性が高められている。
【００５８】加えて、上記直列腕共振子が、その反共振
周波数がＳＡＷ共振子フィルタ４３の通過帯域よりも高
周波数側の減衰域に位置するように接続されているの
で、入力側端子の阻止域における上述した耐電力性及び
反射係数を損なうことなく、通過帯域よりも高周波数側
の減衰域における減衰量の拡大も図られる。
周波数がＳＡＷ共振子フィルタ４３の通過帯域よりも高
周波数側の減衰域に位置するように接続されているの
で、入力側端子の阻止域における上述した耐電力性及び
反射係数を損なうことなく、通過帯域よりも高周波数側
の減衰域における減衰量の拡大も図られる。
【００５９】なお、本実施形態では、１個の直列腕共振
子６０が用いられていたが、２個以上の直列腕共振子が
出力端子３５とＳＡＷ共振子フィルタ４３との間に接続
されていてもよく、より多くの直列腕共振子を接続する
ことにより、通過帯域よりも高周波数側の周波数領域に
おける減衰量をより一層拡大し得る。
子６０が用いられていたが、２個以上の直列腕共振子が
出力端子３５とＳＡＷ共振子フィルタ４３との間に接続
されていてもよく、より多くの直列腕共振子を接続する
ことにより、通過帯域よりも高周波数側の周波数領域に
おける減衰量をより一層拡大し得る。
【００６０】また、弾性表面波装置４１を、通過帯域よ
りも低周波数側の減衰域の一部が阻止域（すなわち相手
側の通過帯域）となるような携帯電話のアンテナ共用器
として用いる場合には、阻止域のインピーダンスを高め
るために、入力端子におけるインピーダンスの位相を回
転させる必要がある。入力端子に、直列腕共振子を接続
すると、位相の回転方向に対して逆に位相がまわること
になるため、線路長の長い位相器が必要となる。ところ
が、位相器の線路長を長くすると、位相器における損失
が大きくなり、かつ位相器のサイズも大きくなる。これ
に対して、本実施形態では、出力側に直列腕共振子６０
が接続されているため、入力端子３３におけるインピー
ダンスの位相への影響を与えることなく、上記のよう
に、通過帯域よりも高周波数側の減衰域における減衰量
の拡大を図り得る。
りも低周波数側の減衰域の一部が阻止域（すなわち相手
側の通過帯域）となるような携帯電話のアンテナ共用器
として用いる場合には、阻止域のインピーダンスを高め
るために、入力端子におけるインピーダンスの位相を回
転させる必要がある。入力端子に、直列腕共振子を接続
すると、位相の回転方向に対して逆に位相がまわること
になるため、線路長の長い位相器が必要となる。ところ
が、位相器の線路長を長くすると、位相器における損失
が大きくなり、かつ位相器のサイズも大きくなる。これ
に対して、本実施形態では、出力側に直列腕共振子６０
が接続されているため、入力端子３３におけるインピー
ダンスの位相への影響を与えることなく、上記のよう
に、通過帯域よりも高周波数側の減衰域における減衰量
の拡大を図り得る。
【００６１】第３の実施形態 図１５は、本発明の第３の実施形態に係る弾性表面波装
置を説明するための略図的平面図である。弾性表面波装
置８１は、圧電基板８２を用いて構成されており、圧電
基板８２は、３６°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ3 基板か
らなる。
置を説明するための略図的平面図である。弾性表面波装
置８１は、圧電基板８２を用いて構成されており、圧電
基板８２は、３６°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ3 基板か
らなる。
【００６２】圧電基板８２上には、種々の後述の電極を
形成することにより、５電極型縦結合２重モードＳＡＷ
共振子フィルタ８３と、並列腕共振子８４と、直列腕共
振子８５と、第２の並列腕共振子８６とが構成されてい
る。もっとも、ＳＡＷ共振子フィルタ８３及び並列腕共
振子８４は、第１の実施形態の弾性表面波装置２１のＳ
ＡＷ共振子フィルタ２３及び並列腕共振子２４と同様に
構成されている。また、直列腕共振子８５は、第２の実
施形態の弾性表面波装置で用いられた直列腕共振子６０
と同様に構成されている。従って、同一部分について
は、同一の参照番号を付することにより、詳細な説明は
省略する。
形成することにより、５電極型縦結合２重モードＳＡＷ
共振子フィルタ８３と、並列腕共振子８４と、直列腕共
振子８５と、第２の並列腕共振子８６とが構成されてい
る。もっとも、ＳＡＷ共振子フィルタ８３及び並列腕共
振子８４は、第１の実施形態の弾性表面波装置２１のＳ
ＡＷ共振子フィルタ２３及び並列腕共振子２４と同様に
構成されている。また、直列腕共振子８５は、第２の実
施形態の弾性表面波装置で用いられた直列腕共振子６０
と同様に構成されている。従って、同一部分について
は、同一の参照番号を付することにより、詳細な説明は
省略する。
【００６３】本実施形態の弾性表面波装置８１が、第２
の実施形態に係る弾性表面波装置４２と異なる点は、さ
らに、第２の並列腕共振子８６が、接続点８７に接続さ
れていることにある。すなわち、ＳＡＷ共振子８３の出
力側ＩＤＴ２６，２８は共通接続されて、接続点８８に
接続されており、該接続点８８と直列腕共振子８５との
間の接続点８７とアース電位との間に第２の並列腕共振
子８６が接続されている。
の実施形態に係る弾性表面波装置４２と異なる点は、さ
らに、第２の並列腕共振子８６が、接続点８７に接続さ
れていることにある。すなわち、ＳＡＷ共振子８３の出
力側ＩＤＴ２６，２８は共通接続されて、接続点８８に
接続されており、該接続点８８と直列腕共振子８５との
間の接続点８７とアース電位との間に第２の並列腕共振
子８６が接続されている。
【００６４】第２の並列腕共振子８６は、一対のくし型
電極８９ａ，８９ｂからなるＩＤＴ８９と、ＩＤＴ８９
の表面波伝搬方向両側に形成された反射器９０，９１と
を有する。
電極８９ａ，８９ｂからなるＩＤＴ８９と、ＩＤＴ８９
の表面波伝搬方向両側に形成された反射器９０，９１と
を有する。
【００６５】従って、弾性表面波装置８１では、入力端
子３３に接続される接続点３４とアース電位との間に並
列腕共振子８４が接続されており、かつ接続点３４と出
力端子３５との間にＳＡＷ共振子フィルタ８３及び直列
腕共振子８５が接続されており、さらに接続点８７すな
わちＳＡＷ共振子フィルタ８３の出力側と、アース電位
との間に第２の並列腕共振子８６が接続された構成を有
する。
子３３に接続される接続点３４とアース電位との間に並
列腕共振子８４が接続されており、かつ接続点３４と出
力端子３５との間にＳＡＷ共振子フィルタ８３及び直列
腕共振子８５が接続されており、さらに接続点８７すな
わちＳＡＷ共振子フィルタ８３の出力側と、アース電位
との間に第２の並列腕共振子８６が接続された構成を有
する。
【００６６】上記構成において、並列腕共振子８４の共
振周波数は、第１の実施形態の場合と同様に、ＳＡＷ共
振子フィルタ８３の通過帯域よりも低周波数側に位置す
るように、特に、低周波数側の減衰域の中でも阻止域の
高周波数側に共振周波数が位置するようにＳＡＷ共振子
フィルタ８３に並列接続されている。
振周波数は、第１の実施形態の場合と同様に、ＳＡＷ共
振子フィルタ８３の通過帯域よりも低周波数側に位置す
るように、特に、低周波数側の減衰域の中でも阻止域の
高周波数側に共振周波数が位置するようにＳＡＷ共振子
フィルタ８３に並列接続されている。
【００６７】また、直列腕共振子８５は、第２の実施形
態の弾性表面波装置４１の場合と同様に、その反共振周
波数がＳＡＷ共振子フィルタ８３の通過帯域よりも高周
波数側の減衰域に位置するように接続されている。
態の弾性表面波装置４１の場合と同様に、その反共振周
波数がＳＡＷ共振子フィルタ８３の通過帯域よりも高周
波数側の減衰域に位置するように接続されている。
【００６８】他方、第２の並列腕共振子８６は、その共
振周波数が直列腕共振子８５の反共振周波数よりも高周
波数側となるように構成されており、かつ第２の並列腕
共振子８６を接続した後に、直列腕共振子８５が接続さ
れる。
振周波数が直列腕共振子８５の反共振周波数よりも高周
波数側となるように構成されており、かつ第２の並列腕
共振子８６を接続した後に、直列腕共振子８５が接続さ
れる。
【００６９】なお、上記ＳＡＷ共振子フィルタ８３は、
第１，第２の実施形態で用いたＳＡＷ共振子フィルタ２
３，４３と同様に、通過帯域は９３５〜９６０ＭＨｚで
あり、阻止域は８９０〜９１５ＭＨｚである。
第１，第２の実施形態で用いたＳＡＷ共振子フィルタ２
３，４３と同様に、通過帯域は９３５〜９６０ＭＨｚで
あり、阻止域は８９０〜９１５ＭＨｚである。
【００７０】第３の実施形態に係る弾性表面波装置８１
の減衰量周波数特性を図１６に示す。図１６における実
線Ｌは実線Ｋで示した特性の要部を、縦軸の挿入損失を
縦軸の右側のスケールで拡大して示す特性である。ま
た、図１７（ａ），（ｂ）は、それぞれ、２個の外側の
ＩＤＴ２５，２９を含む側の端子及びその反対側の端子
のインピーダンススミスチャートをそれぞれ示す。
の減衰量周波数特性を図１６に示す。図１６における実
線Ｌは実線Ｋで示した特性の要部を、縦軸の挿入損失を
縦軸の右側のスケールで拡大して示す特性である。ま
た、図１７（ａ），（ｂ）は、それぞれ、２個の外側の
ＩＤＴ２５，２９を含む側の端子及びその反対側の端子
のインピーダンススミスチャートをそれぞれ示す。
【００７１】図１６を、第２の実施形態の減衰量周波数
特性である図１３と比較すれば明らかなように、本実施
形態の弾性表面波装置８１では、通過帯域よりも高周波
数側の周波数領域における減衰特性がより一層改善され
る。すなわち、通過帯域よりも高周波数側の周波数領域
において、より広い周波数範囲にわたり大きな減衰量が
確保されていることがわかる。これを、図１８〜図２１
を参照して詳細に説明する。
特性である図１３と比較すれば明らかなように、本実施
形態の弾性表面波装置８１では、通過帯域よりも高周波
数側の周波数領域における減衰特性がより一層改善され
る。すなわち、通過帯域よりも高周波数側の周波数領域
において、より広い周波数範囲にわたり大きな減衰量が
確保されていることがわかる。これを、図１８〜図２１
を参照して詳細に説明する。
【００７２】図１８は、図１５に示した弾性表面波装置
８１を構成するにあたり、先ず直列腕共振子８５を接続
し、しかる後第２の並列腕共振子８６を接続した場合の
周波数特性を示し、図１９（ａ）及び（ｂ）はその場合
のインピーダンススミスチャートを示す。なお、図１８
において、実線Ｎは実線Ｍで示した特性の要部を、縦軸
の挿入損失を縦軸の右側のスケールで拡大して示す特性
である。また、図１９（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、
２個の外側のＩＤＴ２５，２９を含む側の端子及びその
反対側の端子のインピーダンススミスチャートをそれぞ
れ示す。図１８を、図１６と比較すれば明らかなよう
に、通過帯域よりも高周波数側の減衰域における減衰量
が小さくなっていることがわかる。
８１を構成するにあたり、先ず直列腕共振子８５を接続
し、しかる後第２の並列腕共振子８６を接続した場合の
周波数特性を示し、図１９（ａ）及び（ｂ）はその場合
のインピーダンススミスチャートを示す。なお、図１８
において、実線Ｎは実線Ｍで示した特性の要部を、縦軸
の挿入損失を縦軸の右側のスケールで拡大して示す特性
である。また、図１９（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、
２個の外側のＩＤＴ２５，２９を含む側の端子及びその
反対側の端子のインピーダンススミスチャートをそれぞ
れ示す。図１８を、図１６と比較すれば明らかなよう
に、通過帯域よりも高周波数側の減衰域における減衰量
が小さくなっていることがわかる。
【００７３】また、図２０は、図１５に示した直列腕共
振子８５と第２の並列腕共振子８６との総合特性として
の減衰量周波数特性を示す。図２０において、実線Ｐ
は、実線Ｏで示した特性を縦軸の挿入損失について縦軸
の右側に示したスケールで拡大して示した特性を示す。
また、図２１（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、直列腕共
振子側のインピーダンススミスチャート及び並列腕共振
子側のインピーダンススミスチャートを示す。図７
（ｂ）の通過帯域よりも高周波数側、例えば９８０ＭＨ
ｚ付近におけるインピーダンスに対する図２１（ａ）及
び（ｂ）のインピーダンスマッチングにより、９８０Ｍ
Ｈｚ付近において、減衰量が異なることがわかる。
振子８５と第２の並列腕共振子８６との総合特性として
の減衰量周波数特性を示す。図２０において、実線Ｐ
は、実線Ｏで示した特性を縦軸の挿入損失について縦軸
の右側に示したスケールで拡大して示した特性を示す。
また、図２１（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、直列腕共
振子側のインピーダンススミスチャート及び並列腕共振
子側のインピーダンススミスチャートを示す。図７
（ｂ）の通過帯域よりも高周波数側、例えば９８０ＭＨ
ｚ付近におけるインピーダンスに対する図２１（ａ）及
び（ｂ）のインピーダンスマッチングにより、９８０Ｍ
Ｈｚ付近において、減衰量が異なることがわかる。
【００７４】また、図７（ｂ）の通過帯域よりも高周波
数側の周波数領域におけるインピーダンスに対し、図２
１（ｂ）のインピーダンスの方が５０Ω系で、よりミス
マッチングとなるため減衰量が大きくなることがわか
る。
数側の周波数領域におけるインピーダンスに対し、図２
１（ｂ）のインピーダンスの方が５０Ω系で、よりミス
マッチングとなるため減衰量が大きくなることがわか
る。
【００７５】従って、上記直列腕共振子８５と第２の並
列腕共振子８６とをＳＡＷ共振子フィルタ８３に接続す
る場合には、第２の並列腕共振子８６及び直列腕共振子
８５の順に接続することにより、通過帯域よりも高周波
数側の周波数領域において、より広い周波数範囲にわた
って減衰量を効果的に拡大し得ることがわかる。
列腕共振子８６とをＳＡＷ共振子フィルタ８３に接続す
る場合には、第２の並列腕共振子８６及び直列腕共振子
８５の順に接続することにより、通過帯域よりも高周波
数側の周波数領域において、より広い周波数範囲にわた
って減衰量を効果的に拡大し得ることがわかる。
【００７６】なお、第３の実施形態の弾性表面波装置８
１では、上記第２の並列腕共振子８６を接続したこと、
並びに第２の並列腕共振子８６を直列腕共振子８５の前
に接続すること以外については、第２の実施形態の弾性
表面波装置と同様であるため、第２の実施形態の弾性表
面波装置４１における作用効果も同じく得ることもでき
る。
１では、上記第２の並列腕共振子８６を接続したこと、
並びに第２の並列腕共振子８６を直列腕共振子８５の前
に接続すること以外については、第２の実施形態の弾性
表面波装置と同様であるため、第２の実施形態の弾性表
面波装置４１における作用効果も同じく得ることもでき
る。
【００７７】すなわち、第２の実施形態の弾性表面波装
置の場合と同様に、通過帯域よりも低周波数側の周波数
領域、特に阻止域の高周波数側の周波数領域における減
衰量が十分な大きさに確保され、十分な耐電力性を有
し、かつ入力側端子の阻止域における耐電力性、反射係
数及びインピーダンスの位相を損なうこともない。
置の場合と同様に、通過帯域よりも低周波数側の周波数
領域、特に阻止域の高周波数側の周波数領域における減
衰量が十分な大きさに確保され、十分な耐電力性を有
し、かつ入力側端子の阻止域における耐電力性、反射係
数及びインピーダンスの位相を損なうこともない。
【００７８】その他 上述した第１〜第３の実施形態では、圧電基板として、
上記３６°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ3 基板を用いた
が、他の圧電基板、例えばＬｉＮｂＯ3 や水晶などから
なる圧電基板を用いてもよく、あるいはチタン酸ジルコ
ン酸鉛系セラミックスのような圧電セラミックスよりな
る基板を用いてもよい。さらに、絶縁基板や圧電基板上
に圧電薄膜を形成してなる表面波基板を用いてもよい。
上記圧電薄膜としては、ＺｎＯ、Ｔａ2 Ｏ5 などからな
るものを挙げることができる。
上記３６°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ3 基板を用いた
が、他の圧電基板、例えばＬｉＮｂＯ3 や水晶などから
なる圧電基板を用いてもよく、あるいはチタン酸ジルコ
ン酸鉛系セラミックスのような圧電セラミックスよりな
る基板を用いてもよい。さらに、絶縁基板や圧電基板上
に圧電薄膜を形成してなる表面波基板を用いてもよい。
上記圧電薄膜としては、ＺｎＯ、Ｔａ2 Ｏ5 などからな
るものを挙げることができる。
【００７９】また、ＩＤＴや反射器は、適宜の導電性材
料により形成し得るが、表面波装置において慣用されて
いるＡｌやＡｌ合金を用いて形成すればよい。
料により形成し得るが、表面波装置において慣用されて
いるＡｌやＡｌ合金を用いて形成すればよい。
【図１】従来の弾性表面波装置の一例の電極構造を説明
するための平面図。
するための平面図。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る弾性表面波装置
の略図的平面図。
の略図的平面図。
【図３】電極指交叉幅ｔ、電極指の幅ｗ及び表面波の波
長λを説明するためのＩＤＴの拡大平面図。
長λを説明するためのＩＤＴの拡大平面図。
【図４】第１の実施形態で用いられたＳＡＷ共振子フィ
ルタのみの減衰量周波数特性を示す図。
ルタのみの減衰量周波数特性を示す図。
【図５】（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、２個の外側の
入力側ＩＤＴを含む側の端子のインピーダンススミスチ
ャート及び上記端子とは反対側の端子のインピーダンス
スミスチャートを示す図。
入力側ＩＤＴを含む側の端子のインピーダンススミスチ
ャート及び上記端子とは反対側の端子のインピーダンス
スミスチャートを示す図。
【図６】第１の実施形態に係る弾性表面波装置の総合特
性としての減衰量周波数特性を示す図。
性としての減衰量周波数特性を示す図。
【図７】（ａ）及び（ｂ）は、第１の実施形態の弾性表
面波装置の総合特性として、それぞれ、２個の外側の入
力側ＩＤＴを含む側の端子のインピーダンススミスチャ
ート及び上記端子とは反対側の端子のインピーダンスス
ミスチャートを示す図。
面波装置の総合特性として、それぞれ、２個の外側の入
力側ＩＤＴを含む側の端子のインピーダンススミスチャ
ート及び上記端子とは反対側の端子のインピーダンスス
ミスチャートを示す図。
【図８】図２に示した弾性表面波装置の入出力インピー
ダンスが５０Ω純抵抗となる場合の比ｔ／λと比ｗ／λ
との関係を示す図。
ダンスが５０Ω純抵抗となる場合の比ｔ／λと比ｗ／λ
との関係を示す図。
【図９】第１の実施形態の弾性表面波装置の入出力イン
ピーダンスが５０Ω純抵抗となる場合の比ｗ／λと、比
ｔ／λにＩＤＴの電極指の本数ｎを乗じた値との関係を
示す図。
ピーダンスが５０Ω純抵抗となる場合の比ｗ／λと、比
ｔ／λにＩＤＴの電極指の本数ｎを乗じた値との関係を
示す図。
【図１０】第１の実施形態の弾性表面波装置の入出力イ
ンピーダンスが５０Ω純抵抗となる場合の比ｗ／λと、
比ｔ／λにＩＤＴの電極指の本数ｎを乗じた値との関係
を示す図。
ンピーダンスが５０Ω純抵抗となる場合の比ｗ／λと、
比ｔ／λにＩＤＴの電極指の本数ｎを乗じた値との関係
を示す図。
【図１１】第１の実施形態の弾性表面波装置の入出力イ
ンピーダンスが５０Ω純抵抗となる場合の比ｗ／λと、
比ｔ／λにＩＤＴの電極指の本数ｎを乗じた値との関係
を示す図。
ンピーダンスが５０Ω純抵抗となる場合の比ｗ／λと、
比ｔ／λにＩＤＴの電極指の本数ｎを乗じた値との関係
を示す図。
【図１２】本発明の第２の実施形態に係る弾性表面波装
置の略図的平面図。
置の略図的平面図。
【図１３】第２の実施形態の弾性表面波装置の減衰量周
波数特性を示す図。
波数特性を示す図。
【図１４】（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、第２の実施
形態の弾性表面波装置の２個の外側のＩＤＴを含む入力
側端子のインピーダンススミスチャート及び反対側の端
子のインピーダンススミスチャートを示す図。
形態の弾性表面波装置の２個の外側のＩＤＴを含む入力
側端子のインピーダンススミスチャート及び反対側の端
子のインピーダンススミスチャートを示す図。
【図１５】本発明の第３の実施形態に係る弾性表面波装
置の略図的平面図。
置の略図的平面図。
【図１６】第３の実施形態に係る弾性表面波装置の減衰
量周波数特性を示す図。
量周波数特性を示す図。
【図１７】（ａ）及び（ｂ）は、第３の実施形態の弾性
表面波共振子におけるインピーダンススミスチャートを
示し、（ａ）は、２個の外側のＩＤＴを含む入力側の端
子のインピーダンススミスチャートを、（ｂ）は、上記
端子とは反対側の端子のインピーダンススミスチャート
を示す図。
表面波共振子におけるインピーダンススミスチャートを
示し、（ａ）は、２個の外側のＩＤＴを含む入力側の端
子のインピーダンススミスチャートを、（ｂ）は、上記
端子とは反対側の端子のインピーダンススミスチャート
を示す図。
【図１８】第３の実施形態の弾性表面波装置において、
直列腕共振子を接続した後に並列腕共振子を接続した場
合の総合特性としての減衰量周波数特性を示す図。
直列腕共振子を接続した後に並列腕共振子を接続した場
合の総合特性としての減衰量周波数特性を示す図。
【図１９】（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、第３の実施
形態の弾性表面波装置において、並列腕共振子を接続し
た後に直列腕共振子を接続した場合の総合特性としての
インピーダンススミスチャートを示し、（ａ）は２個の
外側のＩＤＴを含む側の端子のインピーダンススミスチ
ャートを、（ｂ）は上記端子とは反対側の端子のインピ
ーダンススミスチャートを示す図。
形態の弾性表面波装置において、並列腕共振子を接続し
た後に直列腕共振子を接続した場合の総合特性としての
インピーダンススミスチャートを示し、（ａ）は２個の
外側のＩＤＴを含む側の端子のインピーダンススミスチ
ャートを、（ｂ）は上記端子とは反対側の端子のインピ
ーダンススミスチャートを示す図。
【図２０】第３の実施形態で用いられている並列腕共振
子と直列腕共振子の総合特性としての減衰量周波数特性
を示す図。
子と直列腕共振子の総合特性としての減衰量周波数特性
を示す図。
【図２１】（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、第３の実施
形態で用いられている第２の並列腕共振子及び直列腕共
振子の総合特性でのインピーダンススミスチャートを示
し、（ａ）は、直列腕共振子側端子から見たインピーダ
ンススミスチャートを、（ｂ）は、並列腕共振子側端子
から見たインピーダンススミスチャートを示す図。
形態で用いられている第２の並列腕共振子及び直列腕共
振子の総合特性でのインピーダンススミスチャートを示
し、（ａ）は、直列腕共振子側端子から見たインピーダ
ンススミスチャートを、（ｂ）は、並列腕共振子側端子
から見たインピーダンススミスチャートを示す図。
２１…弾性表面波装置 ２２…圧電基板 ２３…多電極型縦結合２重モードＳＡＷ共振子フィルタ ２４…並列腕共振子 ２５，２７，２９…入力側ＩＤＴ ２６，２８…出力側ＩＤＴ ３０，３１…反射器 ３２ａ〜３２ｄ…ＩＤＴ ３３…入力端子 ３４…接続点 ３５…出力端子 ４１…弾性表面波装置 ４２…圧電基板 ４３…多電極型縦結合２重モードＳＡＷ共振子フィルタ ４４…並列腕共振子 ６０…直列腕共振子 ６１…ＩＤＴ ６２，６３…反射器 ８１…弾性表面波装置 ８２…圧電基板 ８３…多電極型縦結合２重モードＳＡＷ共振子フィルタ ８４…並列腕共振子 ８５…直列腕共振子 ８６…第２の並列腕共振子
Claims (5)
- 【請求項１】 圧電基板または圧電薄膜を有する表面波
基板と、 前記圧電基板上または前記圧電薄膜に接するように形成
されている５個以上のインターデジタルトランスデュー
サ及び前記インターデジタルトランスデューサが設けら
れている領域の表面波伝搬方向両側に配置された一対の
反射器を有する多電極型縦結合２重モードＳＡＷ共振子
フィルタと、 反射器を有せず、かつ共振周波数が前記ＳＡＷ共振子フ
ィルタの通過帯域よりも低周波数側に位置するように前
記ＳＡＷ共振子フィルタに並列接続された一端子対ＳＡ
Ｗ共振子よりなる並列腕共振子とを備え、 入力側端子が、前記ＳＡＷ共振子フィルタと前記並列腕
共振子との接続点であることを特徴とする、弾性表面波
装置。 - 【請求項２】 前記多電極型縦結合２重モードＳＡＷ共
振子フィルタは、５以上の奇数個のインターデジタルト
ランスデューサを有し、該奇数個のインターデジタルト
ランスデューサは表面波伝搬方向に沿って交互に入力側
インターデジタルトランスデューサまたは出力側インタ
ーデジタルトランスデューサとされており、 前記一対の反射器に最も近い２つのインターデジタルト
ランスデューサを含む入力側インターデジタルトランス
デューサの電極指の数の総和が、出力側インターデジタ
ルトランスデューサの電極指の数の総和よりも多くされ
ており、かつ前記入力側インターデジタルトランスデュ
ーサに前記並列腕共振子が接続されている、請求項１に
記載の弾性表面波装置。 - 【請求項３】 前記圧電基板は、３６°ＹカットＸ伝搬
ＬｉＴａＯ3 基板により構成されており、かつ前記イン
ターデジタルトランスデューサの電極指の幅ｗと表面波
の波長λとの比ｗ／λが、ｗ／λ≦０．３２とされてい
る、請求項２に記載の弾性表面波装置。 - 【請求項４】 前記出力側インターデジタルトランスデ
ューサに接続されており、かつその反共振周波数が前記
ＳＡＷ共振子フィルタの通過帯域よりも高周波数側とな
るように接続された一端子対ＳＡＷ共振子よりなる少な
くとも１個の直列腕共振子をさらに備える、請求項２に
記載の弾性表面波装置。 - 【請求項５】 圧電基板または圧電薄膜を有する表面波
基板と、 前記圧電基板上または前記圧電薄膜に接するように形成
されている５以上の奇数個のインターデジタルトランス
デューサ及び該インターデジタルトランスデューサが設
けられている領域の表面波伝搬方向両側に配置された反
射器とを有する多電極型縦結合２重モードＳＡＷ共振子
フィルタと、 反射器を有せず、かつ共振周波数が前記ＳＡＷ共振子フ
ィルタの通過帯域よりも低周波数側の周波数領域に位置
するようにＳＡＷ共振子フィルタに並列接続された一端
子対ＳＡＷ共振子よりなる第１の並列腕共振子と、前記
出力側インターデジタルトランスデューサに接続されて
おり、かつその反共振周波数が前記ＳＡＷ共振子フィル
タの通過帯域よりも高周波数側となるように接続された
一端子対ＳＡＷ共振子よりなる少なくとも１個の直列腕
共振子とを備え、 前記ＳＡＷ共振子フィルタにおいて、一対の反射器に最
も近い２つのインターデジタルトランスデューサを含む
入力側インターデジタルトランスデューサの電極指の数
の総和が、出力側インターデジタルトランスデューサの
電極指の数の総和よりも多くされており、かつ前記入力
側インターデジタルトランスデューサに前記第１の並列
腕共振子が接続されており、かつ前記出力側インターデ
ジタルトランスデューサに、その共振周波数が前記直列
腕共振子の反共振周波数よりも高周波数側となるように
第２の並列腕共振子が接続されている弾性表面波装置の
製造方法において、 前記第２の並列腕共振子を接続した後に、少なくとも１
個の前記直列腕共振子を接続することを特徴とする、弾
性表面波装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34358295A JP3514015B2 (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34358295A JP3514015B2 (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09186553A true JPH09186553A (ja) | 1997-07-15 |
| JP3514015B2 JP3514015B2 (ja) | 2004-03-31 |
Family
ID=18362646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34358295A Expired - Lifetime JP3514015B2 (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3514015B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6369674B1 (en) * | 1998-02-27 | 2002-04-09 | Toyo Communication Equipment Co., Ltd. | Broad-band surface acoustic wave filter with specific ratios of transducer electrode period to reflector period |
| US6380827B1 (en) * | 1999-06-08 | 2002-04-30 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Surface acoustic wave filter and branching filter utilizing it |
| US6781483B2 (en) | 2000-12-15 | 2004-08-24 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Surface acoustic wave filter |
| KR100635763B1 (ko) * | 2000-09-06 | 2006-10-17 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 단면반사형 표면파 장치의 주파수 특성의 조절방법 및단면반사형 표면파 장치의 제조방법 |
| KR100681692B1 (ko) * | 2002-07-24 | 2007-02-09 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성 표면파 장치 및 그 제조방법 |
-
1995
- 1995-12-28 JP JP34358295A patent/JP3514015B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6369674B1 (en) * | 1998-02-27 | 2002-04-09 | Toyo Communication Equipment Co., Ltd. | Broad-band surface acoustic wave filter with specific ratios of transducer electrode period to reflector period |
| US6380827B1 (en) * | 1999-06-08 | 2002-04-30 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Surface acoustic wave filter and branching filter utilizing it |
| KR100635763B1 (ko) * | 2000-09-06 | 2006-10-17 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 단면반사형 표면파 장치의 주파수 특성의 조절방법 및단면반사형 표면파 장치의 제조방법 |
| US7194793B2 (en) | 2000-09-06 | 2007-03-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for producing an edge reflection type surface acoustic wave device |
| US6781483B2 (en) | 2000-12-15 | 2004-08-24 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Surface acoustic wave filter |
| KR100681692B1 (ko) * | 2002-07-24 | 2007-02-09 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성 표면파 장치 및 그 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3514015B2 (ja) | 2004-03-31 |
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