JP2016100729A - 弾性波デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】チッピングの発生を抑制することが可能な弾性波デバイスの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、圧電基板１０上にＩＤＴ１２を形成する工程と、圧電基板１０の下面にスピネル基板２０を接合する工程と、圧電基板１０上にＩＤＴ１２を形成し且つ圧電基板１０の下面にスピネル基板２０を接合した後、圧電基板１０とスピネル基板２０とを同時に分断する工程と、を備える弾性波デバイスの製造方法である。【選択図】図２

Description

本発明は、弾性波デバイスの製造方法に関する。

弾性波デバイスは、携帯電話端末等の無線通信機器のフィルタ及び分波器として幅広く使用されている。弾性波デバイスとして、圧電基板上にＩＤＴ（Interdigital Transducer）が設けられた弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）デバイスが知られている。また、圧電基板にサファイア基板を接合させて、周波数温度特性を改善した弾性表面波デバイスが知られている（例えば、特許文献１参照）。

圧電基板にサファイア基板が接合された接合基板の分断において、レーザ光を照射して形成した改質領域を利用した分断方法が知られている（例えば、特許文献２参照）。また、圧電基板にスピネル基板を接合することが知られている（例えば、特許文献３、４参照）。

特開２００４−３４３３５９号公報 特開２０１４−２２９６６号公報 特開２０１１−６６８１８号公報 特開２０１４−２７３８８号公報

周波数温度特性の改善のために圧電基板にサファイア基板を接合させた場合、圧電基板とサファイア基板を同時に分断すると、圧電基板とサファイア基板の硬度の違いによってチッピングが発生してしまう。

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、チッピングの発生を抑制することが可能な弾性波デバイスの製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、圧電基板上にＩＤＴを形成する工程と、前記圧電基板の下面にスピネル基板を接合する工程と、前記圧電基板上に前記ＩＤＴを形成し且つ前記圧電基板の下面に前記スピネル基板を接合した後、前記圧電基板と前記スピネル基板とを同時に分断する工程と、を備えることを特徴とする弾性波デバイスの製造方法である。本発明によれば、チッピングの発生を抑制することができる。

上記構成において、前記分断する工程は、ダイシングブレードを用いて前記圧電基板と前記スピネル基板とを同時に分断する構成とすることができる。

上記構成において、前記分断する工程は、前記スピネル基板にレーザ光を照射して改質領域を形成した後、前記改質領域に沿って前記圧電基板と前記スピネル基板とを同時に分断する構成とすることができる。

上記構成において、前記スピネル基板にブレードを押し当てることにより、前記改質領域に沿って前記圧電基板と前記スピネル基板とを同時にブレイクする構成とすることができる。

上記構成において、前記スピネル基板は、多結晶基板である構成とすることができる。

上記構成において、前記圧電基板は、タンタル酸リチウム基板又はニオブ酸リチウム基板である構成とすることができる。

本発明によれば、チッピングの発生を抑制することができる。

図１（ａ）は、実施例１に係る弾性表面波共振器の上面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。 図２（ａ）から図２（ｄ）は、実施例１に係る弾性表面波共振器の製造方法を示す断面図である。 図３（ａ）から図３（ｄ）は、比較例１に係る弾性表面波共振器の製造方法を示す断面図である。 図４（ａ）から図４（ｄ）は、比較例２に係る弾性表面波共振器の製造方法を示す断面図である。 図５（ａ）は、実施例２に係る弾性表面波共振器の上面図、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。 図６（ａ）から図６（ｃ）は、実施例２に係る弾性表面波共振器の製造方法を示す断面図（その１）である。 図７（ａ）及び図７（ｂ）は、実施例２に係る弾性表面波共振器の製造方法を示す断面図（その２）である。 図８（ａ）は、実施例３に係るラダー型フィルタの上面図、図８（ｂ）は、図８（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。

以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明する。

図１（ａ）は、実施例１に係る弾性表面波共振器の上面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。実施例１の弾性表面波共振器１００は、図１（ａ）及び図１（ｂ）のように、圧電基板１０上に、ＩＤＴ１２と、弾性表面波の伝搬方向でＩＤＴ１２の両側に配置された反射器１４と、が設けられている。ＩＤＴ１２は、入出力端子１６にそれぞれ接続された１組の櫛型電極１８を含む。圧電基板１０は、例えばタンタル酸リチウム（ＬＴ：ＬｉＴａＯ_３）又はニオブ酸リチウム（ＬＮ：ＬｉＮｂＯ_３）等の圧電材である。ＩＤＴ１２及び反射器１４は、例えばアルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）等の単層金属膜又はＡｌを主体とする合金であってもよいし、ＡｌやＣｕ等の単層金属膜又はＡｌを主体とする合金の下にチタン（Ｔｉ）やクロム（Ｃｒ）等の金属が設けられた積層金属膜であってもよい。

圧電基板１０の下面には、スピネル基板２０が接合されている。圧電基板１０とスピネル基板２０は、例えば直接接合されている。スピネル基板２０は、例えばＭｇＡｌ_２Ｏ_４の化学式で表され、スピネル結晶構造を有する。また、スピネル基板２０は、例えば多結晶基板であり、結晶粒径は例えば１０μｍ〜７０μｍである。圧電基板１０の側面とスピネル基板２０の側面とは、同一面となっている。即ち、圧電基板１０の側面とスピネル基板２０の側面との境界には段差が形成されていない。

スピネル基板２０の熱膨張係数は７．５ｐｐｍ／℃であり、サファイア基板と同様に（サファイアの熱膨張係数：７．７ｐｐｍ／℃）、圧電基板１０の熱膨張係数（例えばＬＴの熱膨張係数：１６．１ｐｐｍ／℃、ＬＮの熱膨張係数：１５．４ｐｐｍ／℃）よりも小さい。このため、弾性表面波共振器１００の周波数温度特性が改善される。

次に、実施例１の弾性表面波共振器１００の製造方法について説明する。図２（ａ）から図２（ｄ）は、実施例１に係る弾性表面波共振器１００の製造方法を示す断面図である。なお、図２（ａ）から図２（ｄ）は、多面取りプロセスによる製造方法を示している。また、図２（ａ）から図２（ｄ）において、ＩＤＴ１２を簡潔に記載し、反射器１４の記載を省略している。

図２（ａ）のように、ＬＴ又はＬＮ等のウエハ状の圧電基板１０上に、複数のＩＤＴ１２と反射器（不図示）を形成する。複数のＩＤＴ１２それぞれは、共振器を構成する。ＩＤＴ１２等は、例えば蒸着法及びリフトオフ法を用いて形成することができる。また、ＩＤＴ１２等を、例えばスパッタ法及びエッチング法を用いて形成してもよい。圧電基板１０の下面に、例えば多結晶基板からなるウエハ状のスピネル基板２０を接合させる。圧電基板１０の厚さは、例えば２０μｍ〜１００μｍであり、スピネル基板２０の厚さは、例えば１００μｍ〜３００μｍである。なお、以下において、ウエハ状の圧電基板１０とウエハ状のスピネル基板２０とが接合された基板をウエハ２２と称すこととする。

圧電基板１０とスピネル基板２０との接合は、例えば表面活性化による直接接合方法を用いることができる。即ち、まず、圧電基板１０とスピネル基板２０をＲＣＡ洗浄法等で洗浄し、表面、特に接合面に付着している化合物や吸着物等の不純物を除去する。なお、ＲＣＡ洗浄とは、アンモニアと過酸化水素と水とを容積配合比１：１〜２：５〜７で混合した洗浄液や、塩素と過酸化水素と水とを容積配合比１：１〜２：５〜７で混合した洗浄液、等を用いて行われる洗浄方法である。

次に、洗浄した基板を乾燥した後、アルゴン（Ａｒ）等の不活性ガス又は酸素のイオンビーム、中性子ビーム、又はプラズマ等を圧電基板１０及びスピネル基板２０の接合面に照射して、残留した不純物を除去すると共に、表層を活性化させる。活性化処理を行うことで、照射面（接合面）には、表面活性化処理として照射した材料の原子を含む、厚さ数ｎｍ程度のアモルファス層が形成される。例えば、圧電基板１０側のアモルファス層は、圧電基板１０を構成する組成原子（例えばＬＴやＬＮに含まれる原子）と照射ビーム原子（例えばＡｒ原子）とを材料として形成される。同様に、スピネル基板２０側のアモルファス層は、スピネル基板２０を構成する組成原子と照射ビーム原子（例えばＡｒ原子）とを材料として形成される。

その後、圧電基板１０に形成されたアモルファス層とスピネル基板２０に形成されたアモルファス層とを位置合わせをしつつ貼り合わせることで、圧電基板１０とスピネル基板２０との間にアモルファス層を有するウエハ２２が形成される。この貼り合わせ処理は、真空中又は窒素や不活性ガス等の高純度ガス雰囲気で行うが、大気中で行ってもよい。また、圧電基板１０とスピネル基板２０を挟むように加圧する場合もある。なお、この貼り合わせ処理は、常温又は１００℃程度に加熱処理した条件下で行うことができる。このように１００℃程度以下に加熱しつつ接合を行うことで、圧電基板１０とスピネル基板２０との接合強度を向上させることが可能となる。

なお、ここでは表面活性化の方法として、不活性ガスのイオンビーム等を用いた場合について説明したが、基板の接合面に真空中で中間膜となる材料を成膜することも、表面活性化の手法として有効である。真空中で形成された膜の表面は、汚染物のない活性な状態になるため、接合強度が向上する。この場合、成膜する材料は基板と同じ材料でもよいし、異なる材料を使用することにより接合強度の向上を図ることもできる。また、成膜の前後に不活性ガスのイオンビーム等による表面活性化法を併用することも、接合力の向上に有効である。

図２（ｂ）のように、ウエハ２２の下面をダイシングテープ２４に貼り付ける。ダイシングテープ２４は、ダイシングリング２６に固定されている。圧電基板１０上に、ＩＤＴ１２等を保護するレジスト膜２８を形成する。

図２（ｃ）のように、ダイシングブレード３０を用いたダイシングによって、レジスト膜２８、圧電基板１０、及びスピネル基板２０を一度で分断する。即ち、レジスト膜２８、圧電基板１０、及びスピネル基板２０は、ダイシングブレード３０によって同時に分断される。ダイシングブレード３０は、硬度が比較的高いスピネル基板２０の分断に適したブレードを用いる。なお、スピネル基板２０を完全に分断するために、ダイシングテープ２４の一部まで切り込みを入れることが好ましい。

図２（ｄ）のように、レジスト膜２８を除去液等によって剥離する。ウエハ２２は複数のチップ３２に個片化されており、チップ３２をダイシングテープ２４からピックアップすることで、実施例１の弾性表面波共振器が形成される。

ここで、実施例１に係る弾性表面波共振器１００の効果を説明するにあたり、まず、比較例に係る弾性表面波共振器について説明する。図３（ａ）から図３（ｄ）は、比較例１に係る弾性表面波共振器の製造方法を示す断面図である。なお、図３（ａ）から図３（ｄ）においても、図２（ａ）から図２（ｄ）と同様に、多面取りプロセスによる製造方法を示すと共に、ＩＤＴを簡潔に記載し、反射器の記載を省略している。

図３（ａ）のように、ＬＴ又はＬＮ等のウエハ状の圧電基板６０上に、複数のＩＤＴ６２と反射器（不図示）とを形成する。その後、圧電基板６０の下面に、ウエハ状のサファイア基板７０を接合させる。圧電基板６０とサファイア基板７０との接合は、図２（ａ）で説明した表面活性化による直接接合法を用いることができる。なお、以下において、ウエハ状の圧電基板６０とウエハ状のサファイア基板７０とが接合された基板をウエハ７２と称すこととする。

図３（ｂ）のように、ウエハ７２の下面をダイシングテープ７４に貼り付ける。ダイシングテープ７４は、ダイシングリング７６に固定されている。圧電基板６０上に、ＩＤＴ６２等を保護するレジスト膜７８を形成する。

図３（ｃ）のように、ダイシングブレード８０を用いたダイシングによって、レジスト膜７８、圧電基板６０、及びサファイア基板７０を一度で分断する。ダイシングブレード８０は、硬度が比較的高いサファイア基板７０の分断に適したブレードを用いる。この際に、サファイア基板７０の硬度（モース硬度：９）と圧電基板６０の硬度（例えばＬＴのモース硬度：５．５、ＬＮのモース硬度：５）との差が大きいことから、分断面にチッピング８２が発生し易い。また、サファイア基板７０は単結晶基板であることから、クラック８４が発生した場合に奥深くまで進行し易い。

図３（ｄ）のように、レジスト膜７８を除去液等によって剥離する。ウエハ７２は複数のチップ８６に個片化されており、チップ８６をダイシングテープ７４からピックアップすることで、比較例１の弾性表面波共振器が形成される。

比較例１のように、圧電基板６０とサファイア基板７０とをダイシングブレード８０によって同時に分断した場合、圧電基板６０とサファイア基板７０との硬度の差が大きいため、分断面にチッピング８２が発生し易くなってしまう。そこで、チッピング８２の発生を抑制するために、圧電基板６０とサファイア基板７０とを別々に分断することが考えられる。

図４（ａ）から図４（ｄ）は、比較例２に係る弾性表面波共振器の製造方法を示す断面図である。なお、図４（ａ）から図４（ｄ）においても、図２（ａ）から図２（ｄ）と同様に、多面取りプロセスによる製造方法を示すと共に、ＩＤＴを簡潔に記載し、反射器の記載を省略している。

図４（ａ）は、比較例１の図３（ｂ）に示す図と同じである。図４（ａ）に示す状態までは、比較例１の図３（ａ）及び図３（ｂ）で説明した工程が行われる。

図４（ｂ）のように、圧電基板６０の分断に適したダイシングブレード９０を用いたダイシングによって、レジスト膜７８と圧電基板６０とを同時に分断する。この際、後述するサファイア基板７０の分断におけるダイシングブレードの位置マージンを確保するために、厚いダイシングブレード９０を用いる。例えば、０．２ｍｍｔのダイシングブレード９０を用いる。

図４（ｃ）のように、サファイア基板７０の分断に適したダイシングブレード９２を用いたダイシングによって、サファイア基板７０を分断する。この際に、ダイシングブレード９２によって圧電基板６０が分断されることを抑制するために、ダイシングブレード９２の厚さを、圧電基板６０の分断に用いたダイシングブレード９０よりも薄くする。例えば、０．１５ｍｍｔのダイシングブレード９２を用いる。

図４（ｄ）のように、レジスト膜７８を除去液等によって剥離する。ウエハ７２は複数のチップ９４に個片化されており、チップ９４をダイシングテープ７４からピックアップすることで、比較例２の弾性表面波共振器が形成される。

比較例２のように、圧電基板６０とサファイア基板７０とをそれぞれに適したダイシングブレード９０、９２を用いて別々に分断することで、分断面にチッピングが発生することが抑制される。しかしながら、圧電基板６０とサファイア基板７０とを別々に分断するため、工程数が増大してしまい、また、それぞれの分断に適したブレードを用意する必要がある。また、サファイア基板７０は単結晶基板であるため、クラック（図４（ｃ）、図４（ｄ）では不図示）が発生した場合の進行具合は変わらない。

さらに、比較例２のように、圧電基板６０とサファイア基板７０とを別々に分断する場合、サファイア基板７０のダイシングにおけるダイシングブレード９２の位置マージンを確保するために、圧電基板６０のダイシングでは厚いダイシングブレード９０を用いる。このような位置マージンの確保のために、不要な領域（図４（ｄ）における圧電基板６０とサファイア基板７０の境界の段差領域９６）が形成されてしまい、デバイスが大型化して、１つのウエハから取れるデバイスの数が減ってしまう。

一方、実施例１では、圧電基板１０と、圧電基板１０の下面に接合したスピネル基板２０と、を同時に分断している。スピネル基板２０はサファイア基板と比べて硬度が低いため（スピネル基板のモース硬度：８）、圧電基板１０とスピネル基板２０との硬度が近づき、圧電基板１０とスピネル基板２０を同時に分断した場合でもチッピングの発生を抑制できる。

また、圧電基板１０とスピネル基板２０を同時に分断しているため、工程数の増大やデバイスの大型化を抑制できる。例えば、比較例１のように、圧電基板６０とサファイア基板７０をダイシングブレード８０で同時に分断するとチッピング８２が発生してしまう。チッピングの発生を抑制するために、比較例２のように、圧電基板６０とサファイア基板７０を別々に分断すると、工程数の増大やデバイスの大型化が生じてしまう。これに対し、実施例１では、圧電基板１０とスピネル基板２０をダイシングブレード３０で同時に分断しても、チッピングの発生を抑制できるため、工程数の増大やデバイスの大型化も抑制できる。このように実施例１で分断した圧電基板とスピネル基板の４方向の分断面（チップの４側面）は、圧電基板とスピネル基板の間に段差のない単一な面となる。この側面を５００〜５０００倍程度に拡大して観察すると例えばダイシングによって平坦になった粒子や脆性破壊した粒子などが確認される。

スピネル基板２０は、単結晶基板の場合でもよいが、多結晶基板である場合が好ましい。スピネル基板２０を多結晶基板（例えば結晶粒径が１０μｍ〜７０μｍ）とすることで、圧電基板１０とスピネル基板２０との同時分断においてスピネル基板２０にクラックが発生した場合でも、クラックの進行を結晶粒界で止めることができ、クラックが奥深くまで進行することを抑制できる。クラックの進行を抑制する点から、スピネル基板２０の結晶粒径は小さい方が好ましく、例えば１０μｍ〜５０μｍが好ましく、１０μｍ〜３０μｍがより好ましい。

ＬＴ基板又はＬＮ基板は硬度が比較的低いことから、ＬＴ基板又はＬＮ基板にサファイア基板を接合させて同時に分断した場合、チッピングが発生し易い。したがって、圧電基板１０がＬＴ基板又はＬＮ基板の場合に、チッピングの発生を抑制するため、圧電基板１０に接合させる基板をスピネル基板２０とすることが好ましい。なお、圧電基板１０は、ＬＴ基板又はＬＮ基板である場合に限らず、水晶等の圧電材からなる場合でもよい。

なお、実施例１では、ダイシングブレード３０を用いたダイシングによって圧電基板１０とスピネル基板２０を同時に分断する場合を例に示したが、レーザダイシングによって圧電基板１０とスピネル基板２０を同時に分断する場合でもよい。

図５（ａ）は、実施例２に係る弾性表面波共振器の上面図、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。実施例２の弾性表面波共振器２００は、図５（ａ）及び図５（ｂ）のように、スピネル基板２０の側面にレーザ光の照射による改質領域３４が形成されている。その他の構成は、実施例１の図１（ａ）及び図１（ｂ）と同じであるため、説明を省略する。

次に、実施例２に係る弾性表面波共振器２００の製造方法について説明する。図６（ａ）から図７（ｂ）は、実施例２に係る弾性表面波共振器の製造方法を示す断面図である。なお、図６（ａ）から図７（ｂ）においても、図２（ａ）から図２（ｄ）と同様に、多面取りプロセスによる製造方法を示すと共に、ＩＤＴを簡潔に記載し、反射器の記載を省略している。

図６（ａ）のように、ＬＴ又はＬＮ等のウエハ状の圧電基板１０上に、複数のＩＤＴ１２と反射器（不図示）とを形成する。ＩＤＴ１２等の形成は、図２（ａ）で説明した方法を用いることができる。その後、圧電基板１０の下面に、スピネル基板２０を接合させる。圧電基板１０とスピネル基板２０との接合は、図２（ａ）で説明した表面活性化による直接接合法を用いることができる。

図６（ｂ）のように、ウエハ２２の下面をダイシングテープ２４に貼り付ける。ダイシングテープ２４は、ダイシングリング２６に固定されている。

図６（ｃ）のように、レーザ照射装置３６を用い、圧電基板１０を介してスピネル基板２０内にレーザ光３８を照射する。レーザ光３８の熱により、スピネル基板２０内にスピネル基板２０の材料が改質した改質領域３４が形成される。改質領域３４は、スピネル基板２０の厚さ方向に１又は複数形成される。レーザ光３８の出力パワーによって改質領域３４の大きさが変わり、焦点位置によって高さ方向における改質領域３４の形成位置が変わり、移動速度及び／又は照射周波数によって隣接する改質領域３４の間隔が変わる。なお、改質領域３４は、圧電基板１０内に形成されてもよい。改質領域３４は、ウエハ２２を分断する分断領域（スクライブライン）に形成される。レーザ光３８は、例えばグリーンレーザ光であり、例えばＮｄ：ＹＡＧレーザの第２高調波である。波長が５００ｎｍ程度のレーザ光３８を用いることにより、スピネル基板２０内に効率よく改質領域３４を形成することができる。

図７（ａ）のように、ウエハ２２の上下を反転させる。支持ステージ４２上に、保護シート４４を介して、ウエハ２２を配置する。ウエハ２２の圧電基板１０側の面が保護シート４４で保護される。改質領域３４下の支持ステージ４２には溝４６が設けられている。ダイシングテープ２４の上から、ブレード４０をウエハ２２に押し当て、改質領域３４と重なる領域においてウエハ２２をブレイクする。

図７（ｂ）のように、ウエハ２２を支持ステージ４２から離脱させる。ウエハ２２の上下を反転させる。ウエハ２２は複数のチップ４８に個片化されており、チップ４８をダイシングテープ２４からピックアップすることで、実施例２の弾性表面波共振器が形成される。このように実施例２で分断した圧電基板とスピネル基板の４方向の分断面（４側面）は、圧電基板とスピネル基板の間に段差のない単一な面となる。この側面を５００〜５０００倍程度に拡大して観察すると、たとえばレーザ光照射による点状の痕せきや、焼結体磁器が脆性破壊したときの細かい凹凸が確認される。

実施例２のように、圧電基板１０とスピネル基板２０との同時分断は、スピネル基板２０にレーザ光３８を照射して改質領域３４を形成した後、改質領域３４に沿って圧電基板１０とスピネル基板２０とを同時に分断するようにしてもよい。この場合でも、チッピングの発生を抑制できる。

また、例えば圧電基板とサファイア基板が接合されたウエハにブレードを押し当ててブレイクする場合、圧電基板とサファイア基板の両方を分断できる条件でウエハをブレイクすると、チッピングが発生し易い。これに対し、圧電基板１０の下面に接合させる基板をスピネル基板２０とすることで、スピネル基板２０にブレード４０を押し当てて、圧電基板１０とスピネル基板２０を同時にブレイクする場合でも、チッピングの発生を抑制できる。

実施例１及び実施例２では、弾性波デバイスが共振器の場合を例に示したが、実施例３はフィルタの場合の例である。図８（ａ）は、実施例３に係るラダー型フィルタの上面図、図８（ｂ）は、図８（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。実施例３のラダー型フィルタ３００は、図８（ａ）及び図８（ｂ）のように、圧電基板１０上に、１又は複数の直列共振器Ｓ１〜Ｓ３と、１又は複数の並列共振器Ｐ１、Ｐ２と、が設けられている。直列共振器Ｓ１〜Ｓ３は、入出力端子５０の間に直列に接続されている。並列共振器Ｐ１は、直列共振器Ｓ１、Ｓ２間のノードとグランド端子５２の間に接続されている。並列共振器Ｐ２は、直列共振器Ｓ２、Ｓ３間のノードとグランド端子５２の間に接続されている。その他の構成は、実施例１の図１（ａ）及び図１（ｂ）と同じであるため、説明を省略する。

実施例３のように、弾性波デバイスがラダー型フィルタの場合であっても、圧電基板１０の下面に接合する基板をスピネル基板２０とすることで、圧電基板１０とスピネル基板２０を同時に分断した場合でもチッピングの発生を抑制できる。

なお、実施例３では、ラダー型フィルタの場合を例に示したが、その他のフィルタ、例えば多重モード型フィルタやラティス型フィルタ等の場合であってもよい。

実施例１から実施例３において、弾性波デバイスは、弾性表面波デバイスの場合に限らず、弾性境界波デバイスやラブ波デバイスの場合でもよい。また、ＩＤＴ１２等は、圧電基板１０とスピネル基板２０の接合前に形成される場合に限らず、圧電基板１０とスピネル基板２０の接合後に形成される場合でもよい。

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

１０ 圧電基板
１２ ＩＤＴ
１４ 反射器
１６ 入出力端子
１８ 櫛型電極
２０ スピネル基板
２２ ウエハ
２４ ダイシングテープ
２６ ダイシングリング
２８ レジスト膜
３０ ダイシングブレード
３２ チップ
３４ 改質領域
３６ レーザ照射装置
３８ レーザ光
４０ ブレード
４２ 支持ステージ
４４ 保護シート
４６ 溝
４８ チップ
５０ 入出力端子
５２ グランド端子
Ｓ１〜Ｓ３ 直列共振器
Ｐ１、Ｐ２ 並列共振器
１００、２００ 弾性表面波共振器
３００ ラダー型フィルタ

Claims (6)

1. 圧電基板上にＩＤＴを形成する工程と、
   前記圧電基板の下面にスピネル基板を接合する工程と、
   前記圧電基板上に前記ＩＤＴを形成し且つ前記圧電基板の下面に前記スピネル基板を接合した後、前記圧電基板と前記スピネル基板とを同時に分断する工程と、を備えることを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。
2. 前記分断する工程は、ダイシングブレードを用いて前記圧電基板と前記スピネル基板とを同時に分断することを特徴とする請求項１記載の弾性波デバイスの製造方法。
3. 前記分断する工程は、前記スピネル基板にレーザ光を照射して改質領域を形成した後、前記改質領域に沿って前記圧電基板と前記スピネル基板とを同時に分断することを特徴とする請求項１記載の弾性波デバイスの製造方法。
4. 前記スピネル基板にブレードを押し当てることにより、前記改質領域に沿って前記圧電基板と前記スピネル基板とを同時にブレイクすることを特徴とする請求項３記載の弾性波デバイスの製造方法。
5. 前記スピネル基板は、多結晶基板であることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項記載の弾性波デバイスの製造方法。
6. 前記圧電基板は、タンタル酸リチウム基板又はニオブ酸リチウム基板であることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項記載の弾性波デバイスの製造方法。
   

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