JP6912929B2

JP6912929B2 - 弾性波デバイスおよび弾性波デバイスの製造方法

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Publication number: JP6912929B2
Application number: JP2017088298A
Authority: JP
Inventors: 慎二山本
Original assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Current assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date: 2017-04-27
Filing date: 2017-04-27
Publication date: 2021-08-04
Anticipated expiration: 2037-04-27
Also published as: JP2018186442A

Description

本発明は、弾性波デバイスおよび弾性波デバイスの製造方法に関する。

携帯電話などの通信機器に用いられるフィルタとして、弾性波を利用した弾性波デバイスが用いられる。また、複数のフィルタを含む分波器及びモジュールが通信機器に組み込まれる。モジュールに組み込まれるフィルタ数の増加に伴いフィルタ一つ一つの小型化が求められる。

ウエハ状の圧電基板に形成された複数の弾性波デバイスを個片化するために、レーザ光をウエハ状の圧電基板に照射することが知られている。例えば、特許文献１には、ＩＤＴ（Interdigital Transducer）が設けられたウエハ状の圧電基板を支持基板と接合し、支持基板にレーザ光によって改質領域を形成して弾性波デバイスを個片化する技術が開示されている。

特開２０１４−２２９６６号公報

圧電基板側から支持基板にレーザ光を照射した場合、圧電基板上のＩＤＴ、配線およびパッドなどのパターンに回折したレーザ光によって、改質領域の位置が不規則になり、圧電基板の分割に不良が生じる。

本発明は、第１の辺と、前記第１の辺に対向する辺である第２の辺とを少なくとも有する矩形の圧電基板と、前記圧電基板の表面に設けられ、弾性波共振器を含むフィルタと、前記フィルタと電気的に接続され、前記表面に設けられ、前記フィルタと前記第１の辺との間に位置する第１のパッドと、前記表面に設けられ、前記フィルタと前記第２の辺との間に位置する第２のパッドと、前記フィルタと電気的に接続され、前記表面に設けられ、前記フィルタと前記第１の辺との間に位置する第３のパッドと、前記第３のパッドから前記第１のパッドに向かって延伸して設けられ、前記第１の辺に沿って設けられ、前記第１の辺に対する垂線と平行な方向における幅が前記第１のパッドの前記垂線と平行な方向における幅よりも狭い延伸部と、を備え、前記延伸部は前記第１の辺から離間し、前記延伸部と前記第１の辺との間における前記圧電基板上には金属膜は設けられていない弾性波デバイスである。
また、本発明は、第１の辺と、前記第１の辺に対向する辺である第２の辺とを少なくとも有する矩形の圧電基板と、前記圧電基板の表面に設けられ、弾性波共振器を含むフィルタと、前記フィルタと電気的に接続され、前記表面に設けられ、前記フィルタと前記第１の辺との間に位置する第１のパッドと、前記表面に設けられ、前記フィルタと前記第２の辺との間に位置する第２のパッドと、前記フィルタと電気的に接続され、前記表面に設けられ、前記フィルタと前記第１の辺との間に位置する第３のパッドと、前記第３のパッドから前記第１のパッドに向かって延伸して設けられ、前記第１の辺に沿って設けられ、前記第１の辺に対する垂線と平行な方向における幅が前記第１のパッドの前記垂線と平行な方向における幅よりも狭い延伸部と、を備え、前記第３のパッドは、前記フィルタの入力パッドまたは出力パッドであり、前記第１のパッドは、前記フィルタのグランドパッドである弾性波デバイスである。

本発明は、支持基板が接合された圧電基板の上に設けられた金属層、前記圧電基板上に設けられ弾性波フィルタと電気的に接続する第１のパッド、前記圧電基板上に設けられ前記第１のパッドと位置が異なる第２のパッド、および前記第１のパッドと前記第２のパッドとの間に設けられ前記金属層に沿って延伸する延伸部のうち、前記金属層と前記第１のパッドの対および前記金属層と前記第２のパッドの対のいずれか一方にレーザ光が当たるように前記圧電基板にレーザ光を照射して前記支持基板に第１の改質領域を形成する工程と、前記金属層と前記延伸部の対にレーザ光が当たるように前記圧電基板にレーザ光を照射して前記支持基板に第２の改質領域を形成する工程と、を含むことを特徴とする弾性波デバイスの製造方法である。

本発明によれば、圧電基板の切断面の形状が安定した弾性波デバイスの製造方法を提供することができる。

図１は、弾性表面波共振器の一例を示す平面図である。図２は、実施例１に係る弾性波デバイスの平面図である。図３は、実施例１に係る圧電基板の断面図である。図４は、実施例１に係る延伸部周辺の拡大図である。図５は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法の一部を示すフローチャートである。図６は、実施例１に係る弾性波デバイスが個片化される前の状態を示す平面図である。図７は、図６のＡ−Ａ線の断面図である。図８は、図６のＢ−Ｂ線の断面図である。図９は、図６のＣ−Ｃ線の断面図である。図１０は、比較例に係る弾性波デバイスが個片化される前の状態を示す平面図である。図１１は、図１０のＢ−Ｂ線の断面図である。図１２は、実施例１の変形例１に係る弾性波デバイスを示す平面図である。図１３は、実施例１の変形例２に係る弾性波デバイスを示す平面図である。図１４は、実施例１の変形例３に係る弾性波デバイスを示す平面図である。図１４は、実施例２に係る弾性波デバイスを示す平面図である。

以下、図面を参照して実施形態を詳細に説明する。

図１は、二重モード型弾性波フィルタ１００を説明する図である。図１に示すように二重モード型弾性波フィルタ１００は、３つのＩＤＴのうち中央の入力ＩＤＴ１０、入力ＩＤＴ１０の両側の第１の出力ＩＤＴ１５および第２の出力ＩＤＴ１６、並びに第１の出力ＩＤＴ１５および第２の出力ＩＤＴ１６の外側に反射器１４を備えている。

入力ＩＤＴ１０、第１の出力ＩＤＴ１５および第２の出力ＩＤＴ１６は、一対の櫛型電極を有する。櫛型電極は複数の電極指１２と複数の電極指１２が接続するバスバー１１とを有する。一方の櫛型電極の電極指１２と他方の櫛型電極の電極指１２とは互い違いに配列されることが一般的である。入力ＩＤＴ１０の入力端子２に高周波信号が加わると電極指１２の配列方向に伝搬する弾性表面波を励振する。図１のように出力ＩＤＴ１５および１６は、入力ＩＤＴ１０の弾性表面波の伝搬方向に配列されている。入力ＩＤＴ１０、第１の出力ＩＤＴ１５と第２の出力ＩＤＴ１６との間で弾性表面波の音響結合により発生する１次および３次の２つの振動モードを利用してバンドパスフィルタを形成する。バンドパスフィルタによって濾波された高周波信号は、出力端子４、６に出力される。一対の反射器１４は、入力ＩＤＴ１０の弾性表面波の伝搬方向に配列されている。入力ＩＤＴ１０、第１の出力ＩＤＴ１５および第２の出力ＩＤＴ１６の３つのＩＤＴが励振した弾性表面波は、一対の反射器１４により反射される。これにより、弾性表面波のエネルギーは、入力ＩＤＴ１０、第１の出力ＩＤＴ１５および第２の出力ＩＤＴ１６内に閉じ込められる。

図２は、実施例１に係る弾性波デバイス２００の平面図である。図２に示すように、圧電基板２０の表面は、第１の辺２１、第１の辺２１の対向する辺である第２の辺２２、第３の辺２３、第３の辺の対向する辺である第４の辺２４を有する矩形の面である。第１の辺２１、第２の辺２２、第３の辺２３および第４の辺２４は、説明の便宜上直線で描いてあるが、実際の圧電基板２１の表面を平面視したとき基板の端部は蛇行していてもよい。圧電基板２０上に、複数の弾性波共振器が形成されている。ＩＤＴ２６は、弾性表面波共振器である。ＩＤＴ２６は、ＩＤＴ（Interdigital Transducer）を有する１ポート共振器である。ＩＤＴ２６の両側には反射器Ｒが設けられている。ＩＤＴ２６は、圧電基板２０の表面に弾性波を励振する。ＩＤＴ２６の両側に設けられた反射器Ｒは、ＩＤＴ２６が励振した弾性波を反射する。ＤＭＳ１、ＤＭＳ２は、二重モード型弾性波フィルタ（Double Mode SAW、以後ＤＭＳ）である。ＤＭＳ１は、ＩＤＴ３０、３１、３２とそれらの両側に設けられた反射器Ｒを有するＩＤＴ３０、３１と３２は、圧電基板２０表面に弾性波を励振し、弾性波の伝搬方向に配列されている。ＤＭＳ２は、ＩＤＴ３６、３７、３８とそれらの両側に設けられた反射器Ｒとを有する。ＤＭＳ１とＤＭＳ２は、ＩＤＴ３２とＩＤＴ３８およびＩＤＴ３１とＩＤＴ３７とが電気的に接続されたカスケード接続である。ＩＤＴ３６、３７、と３８は、圧電基板２０表面に弾性波を励振し、弾性波の伝搬方向に配列されている。ＩＤＴ及び反射器は、例えばアルミニウム膜または銅が添加されたアルミニウム膜などの金属膜である。

ＩＤＴ２６は、入力パッドＩＮ（第２のパッド）と配線３３の間に接続される。ＩＤＴ３０は、配線３３とグランドパッドＧＮＤ１との間に接続される。ＩＤＴ３１は、グランドパッドＧＮＤ２と配線３４との間に接続される。ＩＤＴ３２は、グランドパッドＧＮＤ３と配線３５との間に接続される。ＩＤＴ３６は、グランドパッドＧＮＤ４と出力パッドＯＵＴ（第１のパッド）の間に接続される。ＩＤＴ３７は、配線３４とグランドパッドＧＮＤ５（第３のパッド）との間に接続される。ＩＤＴ３７は、グランドパッドＧＮＤ５と電気的に接続される。ＩＤＴ３６は、出力パッドＯＵＴと電気的に接続される。ＩＤＴ３８は、配線３５とグランドパッドＧＮＤ６との間に接続される。配線３４、３５、入力パッドＩＮ、出力パッドＯＵＴ、およびグランドパッドＧＮＤ１から６は、例えば銅膜または金膜などの金属膜である。出力パッドＯＵＴは、入力パッドＩＮから入力された高周波信号を出力するパッドである。グランドパッドＧＮＤ１からＧＮＤ６は、グランドに接続するパッドである。グランドパッドＧＮＤ５は、さらに延伸部４１を有する。グランドパッドＧＮＤ６は、さらに延伸部４２を有する。

図３は、図２のＡ−Ａ線の断面図である。実施例１の弾性波デバイス２００は、圧電基板２０のＩＤＴが設けられた面の反対側の面に支持基板４４が接合される。圧電基板２０は、例えばタンタル酸リチウム基板、またはニオブ酸リチウム基板である。支持基板４４は、例えばサファイア基板、スピネル基板、またはシリコン基板である。圧電基板２０と支持基板４４は、直接接合または接着剤を介して接合することができる。

図４は、図２の延伸部４１の周辺を拡大した図である。延伸部４１は、グランドパッドＧＮＤ５と連続した膜であり、グランドパッドＧＮＤ５を形成する際に同時に形成することができる。延伸部４１は、圧電基板２０を平面視したときグランドパッドＧＮＤ５と出力パッドＯＵＴの間に位置する。延伸部４１は、少なくとも一部の領域が圧電基板２０の第１の辺２１に沿って設けられている。延伸部４１の一部の領域は、辺２１と平行であることが好ましい。延伸部４１は、出力パッドＯＵＴと辺２１に平行な方向で距離ａを有して離間している。延伸部４１は、出力パッドＯＵＴと距離ａを有して離間している。距離ａが狭すぎると、露光時の干渉によって延伸部４１と出力パッドＯＵＴが短絡するおそれがある。短絡を防ぐため、距離ａの範囲は、例えば５〜１０μｍとすることができる。また、延伸部４１の第１の辺２１の垂線に平行な方向における幅ｂは、第１の辺２１の垂線に平行な方向における出力パッドＯＵＴの幅よりも狭い。さらに、幅ｂは、距離ａよりも狭い。延伸部４１は、出力パッドＯＵＴと隣接しているため、幅ｂが大きくなると電気的に結合する領域が増え、グランドパッドＧＮＤ５と出力パッドとを結ぶ寄生容量が増加する。この寄生容量が増加すると、所望の弾性波デバイス２００の特性を得ることが難しくなるおそれがある。幅ｂを距離ａよりも小さくすることにより、グランドパッドＧＮＤ５と出力パッドＯＵＴの間に生じる寄生容量を十分に小さくすることができる。幅ｂの幅は、例えば３μｍ程度である。

次に、実施例１における弾性波デバイス２００の製造方法について説明する。

図５は、実施例１に係る弾性波デバイス２００の一部の製造方法を示すフローチャートである。

まず、レーザ照射工程（Ｓ０１）を行う。ウエハ状の圧電基板２０は、の支持基板４４側にダイシングテープを貼り付けられている。ダイシングテープは、ダイシングリングに固定されている。ウエハ状の圧電基板２０の上面側から支持基板４４内に向かってレーザ光を照射する。これにより支持基板４４の材料がレーザ光の熱により改質領域を形成する。例えば、レーザ装置を用い、３６０ｍｍ／ｓｅｃで移動させつつ０．１０Ｗの出力パワーでレーザ光を支持基板４４内に照射することで、複数の改質領域が形成される。レーザ光は、例えばＮｄ：ＹＡＧレーザの第２高調波である。波長が５００ｎｍ程度のレーザ光を用いることができる。

次に、割断工程（Ｓ０２）を行う。支持基板４４の表面に貼り合わせたダイシングテープの上から、ブレイク用の刃を押しあてて、改質領域と重なる領域にて支持基板４４および圧電基板２０を割断する。

最後に、ピックアップ工程（Ｓ０３）を行う。吸引コレットで弾性波デバイス２００を吸引し、ダイシングテープから剥離し、垂直方向にピックアップする。これにより、弾性波デバイス２００の個片化が完了する。

図６は、ウエハ状の圧電基板２５０を示す平面図である。ここで圧電基板２０は、個片化される予定の圧電基板である。圧電基板２０の上には図２の弾性波デバイス２００が複数、個片化される前の状態で設けられている。

Ｃ−Ｃ線は、ウエハ状の圧電基板２５０を割断する際の割断線を示す仮想的な線である。照射領域４６は、図５のレーザ照射工程（Ｓ０１）の第１の時点における圧電基板２０に照射されるレーザ光の照射径を示したものである。照射領域４６は、Ｃ−Ｃ線の左側に位置する入力パッドＩＮ２の一部と、Ｃ−Ｃ線の右側に位置する出力パッドＯＵＴ１の一部と重なる。照射領域４６にてレーザ光を照射した後、レーザ装置を矢印５の方向に向かって移動させる。照射領域４８は、第１の時点より後の時点である第２の時点における圧電基板２０上に照射されるレーザ光の照射径である。照射領域４８は、Ｃ−Ｃ線の左側に位置する入力パッドＩＮ２の一部と、Ｃ−Ｃ線の右側に位置する延伸部４２の一部と重なる。

図７は、図６のＡ−Ａ線の断面図であり、レーザ照射工程の第１の時点におけるレーザ光の照射を示した模式図である。図示された二点鎖線は、図６のＣ−Ｃ線の位置を示すものである。レーザ光５０は、入力パッドＩＮ２および出力パッドＯＵＴ１の一部と重なるように照射される。このとき、入力パッドＩＮ２と出力パッドＯＵＴ１の間の領域の中央（図示の二点鎖線に該当）に焦点が位置するようにレーザ光を照射する。レーザ光５０は、入力パッドＩＮ２と出力パッドＯＵＴ１とで遮られるが、両者の隙間を通過することによって回折光を生じる。この回折光とレーザ装置から直接入射した光との干渉を受けても、焦点は、二点鎖線上に位置する。これにより支持基板４４の中に改質領域５２が形成される。

図８は、図６のＢ−Ｂ線の断面図であり、レーザ照射工程の第２の時点におけるレーザ光の照射を示した模式図である。図示された二点鎖線は、図６のＣ−Ｃ線の位置を示すものである。レーザ光５０は、入力パッドＩＮ１および延伸部４２の一部と重なるように照射される。このとき、入力パッドＩＮ１と延伸部４２の間の領域の中央（図示の二点鎖線に該当）に焦点が位置するようにレーザ光を照射する。レーザ光５０は、入力パッドＩＮ１と延伸部４２とで遮られるが、両者の隙間を通過することによって回折光を生じる。この回折光とレーザ装置から直接入射した光との干渉を受けても、焦点は、二点鎖線上に位置する。これにより支持基板４４の中に改質領域５３が形成される。このように、延伸部４２を備える領域にレーザ光を照射することで、第１の時点と同様に、二点鎖線上に改質領域５３を形成することができる。

図９は、図６のＣ−Ｃ線の断面図であり、レーザ装置の移動方向におけるレーザの照射を示した模式図である。レーザ装置は、図示された矢印５の方向に向かって移動される。レーザ装置を矢印５の方向に移動させながら周期的にレーザ光５０が照射されることで複数の改質領域５４が形成される。レーザ装置は、同じ深さ位置に周期的に改質領域を形成しながら矢印５の方向に移動される。また、レーザ装置は、改質領域の深さ位置を異ならせてＣ−Ｃ線上を複数回移動させることで圧電基板には異なる深さ位置の改質領域５４が形成される。圧電基板２０の表面に照射されるレーザ光の照射領域４６の直径は、改質領域を形成する支持基板の深さによって異なる。照射領域の４６の直径は、改質領域が形成される深さの７０％程度である。圧電基板２０と支持基板４４の厚さの合計を１５０μｍとし、３つの異なる深さ領域に改質領域を形成する場合、３つの改質領域の深さは、圧電基板２０の上面から順に６８μｍ、１０３μｍ、１２７μｍとすることができる。このとき、照射領域４６の直径は、それぞれ４８μｍ、７２μｍ、８９μｍとなる。

図１０は、比較例に係るウエハ状の圧電基板２７０を示す平面図である。ここで圧電基板２０は、個片化される予定の圧電基板である。圧電基板２０の上には比較例に係る弾性波デバイス２１０が個片化される前の状態で複数設けられている。弾性波デバイス２１０は、延伸部４１および延伸部４２を有さない点で実施例１の弾性波デバイス２００と異なる。それ以外の構成は実施例１と同様であり、説明を省略する。

図１１は、図１０のＢ−Ｂ線の断面図であり、レーザ照射工程の第２の時点におレーザ光の照射を示した模式図である。図示された二点鎖線は、図１０のＣ−Ｃ線の位置を示すものである。レーザ光５０は、入力パッドＩＮ２の一部と重なるように照射される。このとき、レーザ光５０の焦点がＣ−Ｃ線（図示の二点鎖線に該当）に位置するようにレーザ光５０を照射する。レーザ光５０は、入力パッドＩＮ２のみと一部で重なり、実施例１のように出力パッドＩＮ１や延伸部４２とは重ならない。レーザ光５０は、入力パッドＩＮ２によって回折光を生じる。この回折光とレーザ装置から直接入射した光との干渉を受けて、焦点は、二点鎖線からずれた位置に生じる。このため、改質領域５５の位置は、Ｃ−Ｃ線上からずれてしまう。比較例のレーザ照射工程の第１の時点における改質領域の位置は実施例１と同様であるため説明を省略する。

比較例の製造方法では、レーザ照射工程において、支持基板４４の中に形成される改質領域５５の位置がＣ−Ｃ線上から大きくずれてしまう。複数の改質領域５４の位置にばらつきが生じると、割断工程において基板の表面を平面視したときの切断面による端部であるカットラインの蛇行量の増大、圧電基板がＣ−Ｃ線からずれる割れ方である斜め割れ、およびチッピング発生量が増加する。特に、支持基板４４の深さ方向に複数の改質領域５４を設ける場合、形成する改質領域の深さに比例して、改質領域の位置は、Ｃ−Ｃ線上から大きくずれる。

実施例１の弾性波デバイスの製造方法によれば、図６に示されるように、支持基板４４が接合された圧電基板２０の上面（表面）の入力パッドＩＮ２（金属層）とグランドパッドＧＮＤ５（パッド）を形成する。グランドパッドＧＮＤ５は、出力パッドＯＵＴ１との間に位置し、圧電基板２０の第１の辺２１に沿って設けられた延伸部４２を有している。弾性波デバイス２００を個片化するにあたり、第１の時点で入力パッドＩＮ２とグランドパッドＧＮＤ５の双方に当たるようにレーザ光が照射される。また、第２の時点で入力パッドＩＮ２と延伸部４２の双方に当たるようにレーザ光が照射される。延伸部４２が設けられていることにより、第２の時点においても第１の時点と同様のレーザ光の干渉を生じさせることができＣ−Ｃ線上に焦点を位置させることができる。これにより、改質領域５２と５３は、Ｃ−Ｃ線からのずれが小さくなる。改質領域の位置のずれが小さくなるので、圧電基板のカットラインの蛇行量の増大や斜め割れを抑制することができる。このように実施例１の製造方法では弾性波デバイスのチッピングを抑制することができる。

実施例１の製造方法を行うにあたり、延伸部４２と出力パッドＯＵＴとが対向する領域が増えると出力パッドＯＵＴとグランドパッドＧＮＤ５との間に生じる寄生容量が増え弾性波デバイス２００の特性の劣化に繋がる。実施例１の弾性波デバイス２００の構造であれば、圧電基板２０の第１の辺２１の垂線に平行な方向における延伸部４２の幅は、出力パッドＯＵＴの幅よりも小さい。これにより、出力パッドＯＵＴとグランドパッドＧＮＤ５の間に生じる寄生容量を小さくすることができ、電気的特性の著しく劣化させることなく実施例１の弾性波デバイスの製造方法を実現することができる。このように、実施例１の弾性波デバイス２００では電気的特性の劣化を極力抑えることができる。

（実施例１の変形例１）
図１２は、実施例１の変形例１に係る弾性波デバイス３００の平面図である。図１２のように、出力パッドＯＵＴは、延伸部４２ａおよび４２ｂを有する。延伸部４２ａは、出力パッドＯＵＴとグランド端子ＧＮＤ６の間に位置し、圧電基板２０の第１の辺２１に沿って設けられる。延伸部４２ｂは、出力パッドＯＵＴとグランド端子ＧＮＤ５の間に位置し、圧電基板２０の第１の辺２１に沿って設けられる。実施例１の変形例１のように延伸部をグランド端子ＧＮＤ５ではなく出力パッドＯＵＴに接続するように設けても良い。上記以外の構成は、実施例１と同様であるため説明を省略する。

（実施例１の変形例２）
図１３は、実施例１の変形例２に係る弾性波デバイス４００の平面図である。図１３のように、弾性波デバイス４００は、離間パターン６０ａと６０ｂを有する。離間パターン６０ａは、出力パッドＯＵＴとグランドパッドＧＮＤ６の間に位置し、圧電基板２０の第１の辺に沿って設けられている。また、離間パターン６０ａは、出力パッドＯＵＴおよびグランドパッドＧＮＤ６の双方と離間して設けられている。離間パターン６０ｂは、出力パッドＯＵＴとグランドパッドＧＮＤ５の間に位置し、圧電基板２０の第１の辺に沿って設けられている。また、離間パターン６０ｂは、出力パッドＯＵＴおよびグランドパッドＧＮＤ５の双方と離間して設けられている。実施例１の変形例２のように延伸部は、入力パッドＯＵＴおよびグランドパッドＧＮＤ５、ＧＮＤ６と離間して設けられてもよい。上記以外の構成は、実施例１と同様であるため説明を省略する。

（実施例１の変形例３）
図１４は、実施例１の変形例３に係る弾性波デバイス４５０の平面図である。図１４のように、弾性波デバイス４５０は、延伸部７０ａ、７０ｂ、７０ｃと７０ｄを有する。延伸部７０ａ、７０ｂは出力パッドＯＵＴとグランド端子ＧＮＤ６の間に位置し、圧電基板２０の第１の辺２１に沿って設けられる。延伸部７０ｃ、７０ｄは出力パッドＯＵＴとグランド端子ＧＮＤ５の間に位置し、圧電基板２０の第１の辺２１に沿って設けられる。実施例１の変形例３のように延伸部７０ａ、７０ｂ、７０ｃと７０ｄと、複数の延伸部を出力パッドＯＵＴとグランド端子ＧＮＤ５、ＧＮＤ６のそれぞれに設けても良い。上記以外の構成は、実施例１と同様であるため説明を省略する。

図１５は、実施例２に係る弾性波デバイス５００の平面図である。弾性波デバイス５００はラダーフィルタである。図１５に示すように圧電基板２０上に入入力パッドＩＮと出力パッドＯＵＴとの間に直列共振器Ｓ１からＳ３が直列に接続され、並列共振器Ｐ１およびＰ２が並列に接続されている。直列共振器Ｓ１からＳ３および並列共振器Ｐ１からＰ２は、それぞれ１ポート共振器である。並列共振器Ｐ１は、一端を配線６６と接続し、他端をグランドパッドＧＮＤ１と接続している。並列共振器Ｐ２は、一端を配線６６と接続し、他端をグランドパッドＧＮＤ２と接続している。

出力パッドＯＵＴとグランドパッドＧＮＤ１は、それぞれ第１の延伸部６０を有する。第１の延伸部６０は、出力パッドＯＵＴとグランドパッドＧＮＤ２との間に位置し、圧電基板２０を平面視した時の外形に沿って設けられている。出力パッドＯＵＴとグランドパッドＧＮＤ１は、さらに第２の延伸部６２を有する。第２の延伸部６２は、圧電基板２０を平面視したとき、圧電基板２０の外形のうち少なくとも２つの辺に沿って設けられている。

実施例２に係る弾性波デバイス５００は、並列共振器Ｐ１と並列共振器Ｐ２との間、および直列共振器Ｓ１と直列共振器Ｓ２との間に第３の延伸部６４をさらに備える。第３の延伸部６４は、入力パッドＩＮとグランドパッドＧＮＤ１の間、および出力パッドＯＵＴとグランドパッドＧＮＤ２の間以外の対の金属パターンの間に設けられる。また第３の延伸部６４は、圧電基板２０の外形にそって設けられる直線状のパターンである。実施例２の第３の延伸部６４は、２つの共振器の間に位置し、圧電基板２０を平面視したとき、圧電基板２０の外形のうち少なくとも一辺にそって設けられる。第３の延伸部６４は、図１４に示すように直列共振器および並列共振器と離間している。第３の延伸部６４は、弾性波共振器の反射器と接続してもよい。

実施例２によれば、第２の延伸部６２は、圧電基板２０を平面視したとき、圧電基板２０の外形に沿って設けられている。また、第３の延伸部６４は、直列共振器Ｓ１とＳ２との間に位置し、且つ、圧電基板２０の外形に沿って設けられている。ラダーフィルタは、例えば直列共振器Ｓ１とＳ２との間に並列共振器Ｐ１と接続するための配線６６が設けられる。共振器同士の位置を圧電基板２０の外形に沿って配列することは難しい。このため、弾性波デバイス５００が複数設けられたウエハ状の圧電基板２０にレーザ光を照射した後に個片化する場合、個片化された弾性波デバイス５００のカットラインの蛇行量の増加や、圧電基板２０の斜め割れが発生しやすくなる課題が生じる。これに対し、実施例２は、第３の延伸部６４を設けることによって、照射したレーザ光の焦点位置のずれを少なくすることができる。これにより、チッピングの少ない弾性波デバイスを提供できる。

Claims

第１の辺と、前記第１の辺に対向する辺である第２の辺とを少なくとも有する矩形の圧電基板と、
前記圧電基板の表面に設けられ、弾性波共振器を含むフィルタと、
前記フィルタと電気的に接続され、前記表面に設けられ、前記フィルタと前記第１の辺との間に位置する第１のパッドと、
前記表面に設けられ、前記フィルタと前記第２の辺との間に位置する第２のパッドと、
前記フィルタと電気的に接続され、前記表面に設けられ、前記フィルタと前記第１の辺との間に位置する第３のパッドと、
前記第３のパッドから前記第１のパッドに向かって延伸して設けられ、前記第１の辺に沿って設けられ、前記第１の辺に対する垂線と平行な方向における幅が前記第１のパッドの前記垂線と平行な方向における幅よりも狭い延伸部と、
を備え、
前記延伸部は前記第１の辺から離間し、
前記延伸部と前記第１の辺との間における前記圧電基板上には金属膜は設けられていない弾性波デバイス。
前記第１のパッドは、前記フィルタの入力パッドまたは出力パッドであり、前記第３のパッドは、前記フィルタのグランドパッドであることを特徴とする請求項１記載の弾性波デバイス。
第１の辺と、前記第１の辺に対向する辺である第２の辺とを少なくとも有する矩形の圧電基板と、
前記圧電基板の表面に設けられ、弾性波共振器を含むフィルタと、
前記フィルタと電気的に接続され、前記表面に設けられ、前記フィルタと前記第１の辺との間に位置する第１のパッドと、
前記表面に設けられ、前記フィルタと前記第２の辺との間に位置する第２のパッドと、
前記フィルタと電気的に接続され、前記表面に設けられ、前記フィルタと前記第１の辺との間に位置する第３のパッドと、
前記第３のパッドから前記第１のパッドに向かって延伸して設けられ、前記第１の辺に沿って設けられ、前記第１の辺に対する垂線と平行な方向における幅が前記第１のパッドの前記垂線と平行な方向における幅よりも狭い延伸部と、
を備え、
前記第３のパッドは、前記フィルタの入力パッドまたは出力パッドであり、前記第１のパッドは、前記フィルタのグランドパッドである弾性波デバイス。
第１の辺と、前記第１の辺の対向する辺である第２の辺とを有する矩形の表面を有する圧電基板と、
前記圧電基板の表面に設けられ、弾性波共振器を含むフィルタと、
前記フィルタと電気的に接続され、前記表面に設けられ、前記フィルタと前記第１の辺との間に位置する第１のパッドと、
前記表面に設けられ、前記フィルタと前記第２の辺との間に位置する第２のパッドと、
前記フィルタと電気的に接続され、前記表面に設けられ、前記フィルタと前記第１の辺との間に位置する第３のパッドと、
前記第１のパッドと前記第３のパッドの間に位置し前記第１の辺に沿って設けられ、前記第１のパッドおよび前記第３のパッドの双方と離間し前記第１の辺に対する垂線と平行な方向における幅が前記第１のパッドの幅より狭い延伸部と、
を備える弾性波デバイス。
前記延伸部と前記第１のパッドは、離間して設けられ、前記延伸部と前記第１のパッドの間の長さは、前記垂線と平行な方向における前記延伸部の幅よりも大きいことを特徴とする請求項１記載の弾性波デバイス。
前記弾性波共振器は、弾性表面波共振器であることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
前記圧電基板は、タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板であることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
支持基板を備え、
前記圧電基板は前記支持基板上に接合され、
前記支持基板は、サファイア基板またはシリコン基板であることを特徴とする請求項１記載の弾性波デバイス。
支持基板が接合された圧電基板の上に設けられた金属層、前記圧電基板上に設けられ弾性波フィルタと電気的に接続する第１のパッド、前記圧電基板上に設けられ前記第１のパッドと位置が異なる第２のパッド、および前記第１のパッドと前記第２のパッドとの間に設けられ前記金属層に沿って延伸する延伸部のうち、前記金属層と前記第１のパッドの対および前記金属層と前記第２のパッドの対のいずれか一方にレーザ光が当たるように前記圧電基板にレーザ光を照射して前記支持基板に第１の改質領域を形成する工程と、
前記金属層と前記延伸部の対にレーザ光が当たるように前記圧電基板にレーザ光を照射して前記支持基板に第２の改質領域を形成する工程と、
を含むことを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。
前記第１の改質領域および前記第２の改質領域において、前記支持基板および前記圧電基板を切断する工程をさらに含むことを特徴とする請求項９記載の弾性波デバイスの製造方法。