KR20190074213A - 탄성파 장치 - Google Patents
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Abstract
크랙을 발생시키기 어렵게 한다.
탄성파 장치(1)는 기판(11)과, IDT 전극(12)과, 스페이서층(13)과, 커버 부재(14)와, 보호층(15)을 포함한다. 스페이서층(13)은 기판(11) 상에 마련되어 있으면서, IDT 전극(12)을 둘러싸고 있다. 커버 부재(14)는 스페이서층(13) 상에 마련되어 있으면서, IDT 전극(12)으로부터 떨어져 있고, 스페이서층(13) 측의 제1 주면(141)과, 제1 주면(141)과 대향하는 제2 주면(142)을 가진다. 보호층(15)은 제2 주면(142)과 접하는 제3 주면(153)과, 제3 주면(153)과 대향하는 제4 주면(154)과, 제4 주면(154)에 이어지는 측면(155)을 가진다. 보호층(15)에서의 측면(155) 중 적어도 일부에서, 측면(155)과 제4 주면(154)의 교선(156)을 포함하는 부분은, 기판(11)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 봤을 때, 기판(11)의 바깥가장자리(113)보다도 안쪽에 위치한다.
탄성파 장치(1)는 기판(11)과, IDT 전극(12)과, 스페이서층(13)과, 커버 부재(14)와, 보호층(15)을 포함한다. 스페이서층(13)은 기판(11) 상에 마련되어 있으면서, IDT 전극(12)을 둘러싸고 있다. 커버 부재(14)는 스페이서층(13) 상에 마련되어 있으면서, IDT 전극(12)으로부터 떨어져 있고, 스페이서층(13) 측의 제1 주면(141)과, 제1 주면(141)과 대향하는 제2 주면(142)을 가진다. 보호층(15)은 제2 주면(142)과 접하는 제3 주면(153)과, 제3 주면(153)과 대향하는 제4 주면(154)과, 제4 주면(154)에 이어지는 측면(155)을 가진다. 보호층(15)에서의 측면(155) 중 적어도 일부에서, 측면(155)과 제4 주면(154)의 교선(156)을 포함하는 부분은, 기판(11)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 봤을 때, 기판(11)의 바깥가장자리(113)보다도 안쪽에 위치한다.
Description
본 발명은 일반적으로 탄성파 장치에 관한 것이고, 특히 공진자 또는 필터에 이용되는 탄성파 장치에 관한 것이다.
종래, 공진자 또는 필터에 이용되는 탄성파 장치가 알려져 있다(예를 들면 특허문헌 1 참조).
특허문헌 1에 기재된 탄성파 장치는 압전기판과, IDT 전극을 포함하는 진동부와, 지지층(스페이서(spacer)층)과, 커버층(커버 부재)과, 보호층을 포함한다. 특허문헌 1에 기재된 탄성파 장치에서는 압전기판 위에 IDT 전극이 형성되어 있다. 또한, 특허문헌 1에 기재된 탄성파 장치에서는 진동부의 주위에서 프레임 형상으로 지지층이 형성되어 있고, 지지층 위에 커버층이 배치되며, 커버층 위에 보호층이 형성되어 있다.
그런데, 특허문헌 1에 기재된 종래의 탄성파 장치를 실장기판에 실장시킬 때에, 탄성파 장치에 대해 실장기판이 기울어져 있는 경우가 있다. 이와 같은 경우, 특허문헌 1에 기재된 종래의 탄성파 장치에서는 탄성파 장치에서의 보호층의 모서리부가 실장기판에 충돌하는 경우가 있었다. 즉, 실장기판에 대한 탄성파 장치의 모서리 충돌이 발생하는 경우가 있었다. 이 때문에 보호층 또는 실장기판에 크랙(crack)이 발생할 가능성이 있다고 하는 문제가 있었다.
본 발명은 상기의 점을 감안하여 이루어진 발명이고, 본 발명의 목적은 크랙을 발생시키기 어렵게 할 수 있는 탄성파 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 한 양태에 따른 탄성파 장치는 기판과, IDT 전극과, 스페이서층과, 커버 부재와, 보호층을 포함한다. 상기 기판은 적어도 일부에 압전성을 가진다. 상기 IDT 전극은 상기 기판 상에 마련되어 있다. 상기 스페이서층은 상기 기판 상에 마련되어 있으면서, 상기 IDT 전극을 둘러싸고 있다. 상기 커버 부재는 상기 스페이서층 상에 마련되어 있고, 상기 IDT 전극으로부터 떨어져 있다. 상기 커버 부재는 상기 스페이서층 측의 제1 주면(主面)과, 상기 제1 주면과 대향(對向)하는 제2 주면을 가진다. 상기 보호층은 상기 커버 부재 상에 마련되어 있고, 상기 제2 주면과 접하는 제3 주면과, 상기 제3 주면과 대향하는 제4 주면과, 상기 제4 주면에 이어지는 측면을 가진다. 상기 보호층에서의 상기 측면 중 적어도 일부에서, 상기 측면과 상기 제4 주면의 교선(交線)을 포함하는 부분은, 상기 기판의 두께 방향으로부터의 평면에서 봤을 때, 상기 기판의 바깥가장자리보다도 안쪽에 위치한다.
본 발명의 상기 양태에 따른 탄성파 장치에 의하면 크랙을 발생시키기 어렵게 할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시형태 1에 따른 탄성파 장치의 절단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시형태 1에 따른 탄성파 장치의 평면도이다.
도 3은 본 발명의 실시형태 1에 따른 탄성파 장치에서 실장기판에 실장될 때의 절단면도이다.
도 4A~도 4F는 본 발명의 실시형태 1에 따른 탄성파 장치의 제조 방법을 나타내는 공정도이다.
도 5A∼도 5E는 본 발명의 실시형태 1에 따른 탄성파 장치의 제조 방법을 나타내는 공정도이다.
도 6은 본 발명의 실시형태 2에 따른 탄성파 장치의 절단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시형태 1에 따른 탄성파 장치의 평면도이다.
도 3은 본 발명의 실시형태 1에 따른 탄성파 장치에서 실장기판에 실장될 때의 절단면도이다.
도 4A~도 4F는 본 발명의 실시형태 1에 따른 탄성파 장치의 제조 방법을 나타내는 공정도이다.
도 5A∼도 5E는 본 발명의 실시형태 1에 따른 탄성파 장치의 제조 방법을 나타내는 공정도이다.
도 6은 본 발명의 실시형태 2에 따른 탄성파 장치의 절단면도이다.
이하, 실시형태 1, 2에 따른 탄성파 장치에 대해 도면을 참조하여 설명한다.
하기 실시형태 등에서 설명하는 도 1∼도 3, 도 4A∼도 4F, 도 5A∼도 5E 및 도 6은 모식적인 도면이고, 도면 중의 각 구성 요소의 크기나 두께 각각의 비(比)가 반드시 실제의 치수비를 반영하고 있다고는 할 수 없다. 또한, 도 1은 도 2의 X1-X1선 절단면도이다.
(실시형태 1)
(1) 탄성파 장치의 전체 구성
우선, 실시형태 1에 따른 탄성파 장치의 전체 구성에 대해 도면을 참조하여 설명한다.
실시형태 1에 따른 탄성파 장치(1)는 도 1에 나타내는 바와 같이, 기판(11)과, IDT(Interdigital Transducer) 전극(12)과, 스페이서층(13)과, 커버 부재(14)와, 보호층(15)과, 복수개(도시예에서는 2개)의 배선층(16)과, 복수개(도시예에서는 2개)의 외부 접속 전극(17)을 포함한다. 실시형태 1에 따른 탄성파 장치(1)는, WLP(Wafer Level Package: 웨이퍼 레벨 패키지)형의 탄성파 장치이고, 예를 들면 SAW(Surface Acoustic Wave: 탄성 표면파) 필터로서 이용된다. 여기서는 WLP형의 탄성파 장치(1)란, 웨이퍼 레벨에서 기판(11)에 IDT 전극(12)과 스페이서층(13)과 커버 부재(14)와 보호층(15)과 배선층(16)과 외부 접속 전극(17)을 마련하기 위한 공정을 실시하고, 마지막으로 웨이퍼를 절단하여 얻어지는 타입의 탄성파 장치이다.
탄성파 장치(1)는 도 3에 나타내는 바와 같이, 실장기판(2)에 실장된다. 탄성파 장치(1)와 실장기판(2)으로 전자부품 모듈(3)을 구성한다.
(2) 탄성파 장치의 각 구성 요소
다음으로, 실시형태 1에 따른 탄성파 장치(1)의 각 구성 요소에 대해 도면을 참조하여 설명한다.
(2. 1) 기판
기판(11)은 도 1에 나타내는 바와 같이, IDT 전극(12)을 지지하고 있다. 기판(11)은 두께 방향(D1)에서 서로 반대 측에 있는 주면(111) 및 주면(112)을 가진다. 기판(11)의 평면에서 본 형상(기판(11)을 두께 방향(D1)으로부터 봤을 때의 바깥둘레 형상)은, 도 2에 나타내는 바와 같이 정사각형 형상이지만, 정사각형 형상에 한하지 않고, 예를 들면 직사각형 형상과 같은, 정사각형 형상 이외의 사각 형상이어도 된다. 또한, 기판(11)의 평면에서 본 형상은 사각 형상 이외의 형상이어도 된다.
기판(11)은 압전재료로 이루어지는 압전기판이다. 기판(11)의 압전재료로는 탄탈산리튬(LiTaO3), 니오브산리튬(LiNbO3) 또는 수정 등의 적절한 압전재료가 이용된다.
(2. 2) IDT 전극
IDT 전극(12)은 도 1에 나타내는 바와 같이, 기판(11)의 두께 방향(D1)에서 기판(11)의 주면(主面)(111)에 대향하여 마련되어 있다. 여기서 “IDT 전극(12)이 기판(11)의 주면(111)에 대향하여 마련되어 있는”이란, IDT 전극(12)이 기판(11)의 주면(111)과 격리된 상태에서 주면(111)에 대향하여 마련되어 있는 경우와, IDT 전극(12)이 기판(11)의 주면(111) 상에 마련되어 있는 경우를 포함한다. 도 1의 예에서는, IDT 전극(12)은 기판(11)의 주면(111) 상에 마련되어 있다. 한편, IDT 전극(12)이 기판(11)의 주면(111)과 격리된 상태에서 주면(111)에 대향하여 마련되어 있는 경우는 예를 들면, 기판(11)의 주면(111) 상에 산화막 등이 마련되어 있고, 이 산화막 상에 IDT 전극(12)이 마련되어 있는 경우를 포함한다.
IDT 전극(12)은 복수개의 전극지(電極指)(121)와 2개의 버스바(busbar)(도시하지 않음)를 포함한다. 복수개의 전극지(121)는 두께 방향(D1)과 직교하는 방향(D2)으로 나란히 배치되어 있다. 2개의 버스바는 방향(D2)을 긴 쪽 방향으로 하는 장척(長尺) 형상(elongated shape)으로 형성되어 있고, 복수개의 전극지(121)와 전기적으로 접속되어 있다. 보다 상세하게는, 복수개의 전극지(121)는 복수개의 제1 전극지와 복수개의 제2 전극지를 가진다. 복수개의 제1 전극지는 2개의 버스바 중 제1 버스바와 전기적으로 접속되어 있다. 복수개의 제2 전극지는 2개의 버스바 중 제2 버스바와 전기적으로 접속되어 있다.
IDT 전극(12)의 재료는 알루미늄(Al), 구리(Cu), 백금(Pt), 금(Au), 은(Ag), 티탄(Ti), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W) 또는 이들 금속의 어느 하나를 주체로 하는 합금 등 적절한 금속재료이다. 또한, IDT 전극(12)은 이들 금속 또는 합금으로 이루어지는 복수개의 금속막을 적층한 구조를 가져도 된다.
(2. 3) 스페이서층
스페이서층(13)은 도 1에 나타내는 바와 같이, 기판(11)의 주면(111) 측에서 기판(11)의 바깥가장자리(113)로부터 떨어져 마련되어 있다. 도 1의 예에서는, 스페이서층(13)은 기판(11)의 주면(111) 상에 마련되어 있다. 스페이서층(13)은 바깥둘레 형상이 직사각형의 프레임 형상이고, 기판(11)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 봤을 때 IDT 전극(12)을 둘러싸고 있다. 그리고, 스페이서층(13)은 IDT 전극(12)을 노출시키는 관통 구멍(131)을 가진다. 여기서, 스페이서층(13)이 기판(11)의 주면(111) 측에 마련되어 있는 이란, 기판(11)의 두께 방향(D1)에서 주면(111)과 대향하는 주면(112)보다도 주면(111)의 가까이에 마련되어 있는 것을 말한다.
스페이서층(13)은 전기 절연성을 가진다. 스페이서층(13)의 재료는 예를 들면, 에폭시 수지 또는 폴리이미드계 수지 등의 합성 수지이다. 또한, 두께 방향(D1)에서 스페이서층(13)의 두께는 IDT 전극(12)의 두께보다도 크다.
(2. 4) 커버 부재
커버 부재(14)는 도 1에 나타내는 바와 같이, 스페이서층(13)의 관통 구멍(131)을 막도록 스페이서층(13) 상에 마련되어 있다. 커버 부재(14)는 기판(11)의 두께 방향(D1)에서 IDT 전극(12)으로부터 떨어져 있다. 커버 부재(14)는 스페이서층(13) 측의 제1 주면(141)과, 제1 주면(141)과 대향하는 제2 주면(142)을 가진다. 커버 부재(14)는 평판(平板) 형상이다. 커버 부재(14)의 평면에서 본 형상(기판(11)의 두께 방향(D1)으로부터 보았을 때의 바깥둘레 형상)은 직사각형 형상이지만, 직사각형 형상에 한하지 않고, 예를 들면 정사각형 형상과 같은 직사각형 형상 이외의 사각 형상이어도 된다. 또한, 커버 부재(14)의 평면에서 본 형상은 사각 형상 이외의 형상이어도 된다. 커버 부재(14)의 바깥둘레형(外周形)은 기판(11)의 바깥둘레형보다도 작다.
커버 부재(14)는 전기 절연성을 가진다. 커버 부재(14)의 재료는 예를 들면, 에폭시계 수지 또는 폴리이미드계 수지 등의 합성 수지이다. 한편, 커버 부재(14)는 단일의 재료에 의해 형성되어도 되고, 복수개의 재료에 의해 형성되어도 된다. 또한, 커버 부재(14)는 상기 수지 이외의 적절한 전기 절연성 재료에 의해 형성되어도 된다.
한편, 커버 부재(14)와 스페이서층(13)은 같은 열경화 공정에서 경화하는 것이 바람직하다. 이 때문에, 커버 부재(14)를 구성하는 수지와 스페이서층(13)을 구성하는 수지는 같은 온도 영역에서 경화하는 수지인 것이 바람직하다. 커버 부재(14)와 스페이서층(13)을 같은 수지에 의해 형성하는 것이 보다 바람직하다. 이로써 스페이서층(13)과 커버 부재(14)를 같은 온도 영역에서의 가열에 의해 경화시킬 수 있고, 가열 공정의 간략화를 도모할 수 있다. 더욱이, 동일한 수지인 경우 커버 부재(14)와 스페이서층(13)의 접합 강도도 효과적으로 높일 수 있다.
그런데, 탄성파 장치(1)에서는 커버 부재(14)와 스페이서층(13)과 기판(11)으로 둘러싸인 공간(S1)이 불활성 가스 분위기 상태에 있다. 불활성 가스 분위기는 예를 들면, N2가스 분위기이다.
(2. 5) 보호층
보호층(15)은 도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이, 커버 부재(14)를 덮도록 형성되어 있다. 보다 상세하게는, 보호층(15)은 기판(11)의 주면(111)의 일부, 스페이서층(13) 및 커버 부재(14)를 덮도록 형성되어 있다.
보호층(15)은 전기 절연성을 가진다. 보호층(15)의 재료는 예를 들면, 에폭시계 수지 또는 폴리이미드계 수지 등의 합성 수지이다. 한편, 보호층(15)은 단일의 재료에 의해 형성되어도 되고, 복수개의 재료에 의해 형성되어도 된다. 또한, 보호층(15)은 상기 수지 이외의 적절한 전기 절연성 재료에 의해 형성되어도 된다.
상기와 같은 보호층(15)은 중앙 영역(151)과 중앙 영역(151)의 주위에 위치하는 영역(152)을 가진다. 또한, 보호층(15)은 제3 주면(153)과, 제4 주면(154)과, 측면(155)을 가진다. 제3 주면(153)은 제2 주면(142)과 접한다. 제4 주면(154)은 기판(11)의 두께 방향(D1)에서, 제3 주면(153)과 대향한다. 측면(155)은 제4 주면(154)에 이어진다. 바꿔 말하면, 측면(155)은 제4 주면(154)의 주위에서 기판(11) 측을 향하여 마련되어 있다.
영역(152)은 기판(11)의 두께 방향(D1)에서의 보호층(15)의 선단부(端部)를 적어도 포함하는 영역으로서, 두께 방향(D1)에서 기판(11)으로부터 멀어짐에 따라, 두께 방향(D1)과 직교하는 방향(D2)에서 보호층(15)의 측면(155)과 기판(11)의 바깥가장자리(113) 사이의 거리(L1)가 길어지는 영역이다. 즉, 도 1의 위쪽에서 보호층(15)의 선단부의 주위가 패어있다. 도 1에서 위쪽으로 갈수록 거리(L1)가 길어지고, 방향(D2)에서 보호층(15)의 측면(155)이 안쪽에 위치한다. 바꿔 말하면, 보호층(15)에서의 측면(155)에서, 측면(155)과 제4 주면(154)의 교선(156)을 포함하는 부분은, 기판(11)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 봤을 때, 기판(11)의 바깥가장자리(113)보다도 안쪽에 위치한다. 또 바꿔 말하면, 보호층(15)의 측면(155) 중 제4 주면(154) 측의 부분은 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 봤을 때, 기판(11)의 바깥가장자리(113)보다도 안쪽에 위치한다. 여기서 말하는 “보호층(15)의 선단부”란, 기판(11)의 두께 방향(D1)에서 보호층(15) 중 커버 부재(14)와 접촉하는 부분과는 반대 측의 부분을 말한다. 즉, “보호층(15)의 선단부”란, 보호층(15) 중 후술의 외부 전극(172)이 마련되어 있는 측의 부분을 말한다.
또한, 보호층(15)은 도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이, 전체 둘레에 걸쳐 기판(11)으로부터 멀어짐에 따라, 보호층(15)의 측면(155)과 기판(11)의 바깥가장자리(113) 사이의 거리(L1)가 길어지도록 형성되어 있다. 즉, 보호층(15)의 영역(152)은 전체 둘레에 걸쳐 마련되어 있다. 바꿔 말하면, 보호층(15)의 측면(155)은 보호층(15)의 전체 둘레에 걸쳐 마련되어 있으면서, 측면(155)과 제4 주면(154)의 교선(156)을 포함하는 부분은, 기판(11)의 두께 방향(D1)로부터의 평면에서 봤을 때, 기판(11)의 바깥가장자리(113)보다도 안쪽에 위치한다. 또 바꿔 말하면, 보호층(15)의 측면(155) 중 제4 주면(154) 측의 부분은, 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 봤을 때, 기판(11)의 바깥가장자리(113)보다도 안쪽에 위치한다.
(2. 5) 배선층
배선층(16)은 도 1에 나타내는 바와 같이, 기판(11)의 주면(111)에 마련되어 있고, IDT 전극(12)과 후술의 관통 비아(via)(171)를 전기적으로 접속시킨다. 배선층(16)은 2개의 패드 전극(161)을 포함한다. 패드 전극(161)은 기판(11)과 스페이서층(13) 사이에 개재(介在)하고, 스페이서층(13)의 바깥둘레보다도 안쪽이고 스페이서층(13)의 안둘레보다도 바깥쪽에 위치하고 있다.
배선층(16)은 알루미늄, 구리, 백금, 금, 은, 티탄, 니켈, 크롬, 몰리브덴, 텅스텐 또는 이들 금속의 어느 하나를 주체로 하는 합금 등 적절한 금속 재료에 의해 형성된다. 또한, 배선층(16)은 이들 금속 또는 합금으로 이루어지는 복수개의 금속막을 적층한 구조를 가져도 된다.
(2. 6) 외부 접속 전극
외부 접속 전극(17)은 도 1 및 도 3에 나타내는 바와 같이, 탄성파 장치(1)에서 실장기판(2)과 전기적으로 접속하기 위한 전극이다. 외부 접속 전극(17)은 IDT 전극(12)에 전기적으로 접속되어 있고, 관통 비아(171)와 외부 전극(172)을 포함한다.
관통 비아(171)는 기판(11)의 두께 방향(D1)에서 스페이서층(13)과 커버 부재(14)와 보호층(15)을 관통한다. 관통 비아(171)는 예를 들면, 구리 혹은 니켈 또는 이들 금속의 어느 하나를 주체로 하는 합금 등의 적절한 금속 재료에 의해 형성되어 있다.
외부 전극(172)은 관통 비아(171) 상에 외부에 노출되도록 형성되어 있다. 외부 전극(172)은 예를 들면, 구리, 니켈 혹은 금 또는 이들 금속의 어느 하나를 주체로 하는 합금 등의 적절한 금속 재료에 의해 형성되어 있다.
(3) 실장기판에 대한 탄성파 장치의 실장
탄성파 장치(1)는 도 3에 나타내는 바와 같이, 흡인 구멍(41)을 가지는 실장 노즐(4)(콜릿(collet), 흡착구)을 이용하고, 실장기판(2)에 재치(載置)된 후, 가열, 가압 등에 의해 실장기판(2)에 실장된다. 이로써, 전자부품 모듈(3)이 형성된다.
탄성파 장치(1)를 실장기판(2)에 실장할 때, 실장 노즐(4)은 기판(11)의 주면(112)을 흡착한다. 그리고, 실장 노즐(4)은 기판(11)의 두께 방향(D1)에서 외부 전극(172) 측, 즉 보호층(15) 측을 실장기판(2)에 향하게 한다.
이 때, 도 3에 나타내는 바와 같이, 탄성파 장치(1)에 대해 실장기판(2)이 기울어져 있는 경우가 있다. 상술한 바와 같이, 탄성파 장치(1)의 보호층(15)의 선단부(도 3의 하단부)는 패어 있다. 바꿔 말하면, 보호층(15)은 두께 방향(D1)에서의 보호층(15)의 선단부를 포함하는 영역으로서, 두께 방향(D1)에서 기판(11)으로부터 멀어짐에 따라, 두께 방향(D1)과 직교하는 방향(D2)에서 보호층(15)의 측면(155)과 기판(11)의 바깥가장자리(113) 사이의 거리(L1)가 길어지는 영역(152)을 가진다. 즉, 보호층(15)의 측면(155) 중 제4 주면(154) 측의 부분은, 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 봤을 때, 기판(11)의 바깥가장자리(113)보다도 안쪽에 위치한다. 이 때문에, 탄성파 장치(1)에 대해 실장기판(2)이 기울어져 있다고 해도 실장기판(2)에 대한 탄성파 장치(1)의 모서리 충돌을 저감시킬 수 있다. 이로써 보호층(15)에 대한 크랙의 발생을 억제하면서, 복수개의 외부 전극(172)의 각각을 실장기판(2)의 단자(21)에 안정되게 접촉시킬 수 있다.
(4) 탄성파 장치의 제조 방법
다음으로, 실시형태 1에 따른 탄성파 장치(1)의 제조 방법에 대해, 도 4A∼도 4F 및 도 5A∼도 5E를 참조하여 설명한다. 실시형태 1에 따른 탄성파 장치(1)는 제1 공정부터 제11 공정에 의해 제조된다.
제1 공정에서는 도 4A에 나타내는 바와 같이, 복수개의 탄성파 장치(1)의 기판(11)의 바탕이 되는 웨이퍼(51)를 준비한다.
제2 공정에서는 도 4B에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(51) 상에 박막 미세 가공 기술에 의해, 복수개(도시예에서는 2개)의 IDT 전극(12)과 복수개(도시예에서는 4개)의 패드 전극(161)을 형성한다.
제3 공정에서는 도 4C에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(51)의 윗면의 전체면을 덮도록 수지를 도포하고, 복수개의 스페이서층(13)의 바탕이 되는 수지막(52)을 형성한다.
제4 공정에서는 도 4D에 나타내는 바와 같이, 포토리소그래피(photolithography)법에 의해 수지막(52)을 패터닝하고, 복수개(도시예에서는 2개)의 스페이서층(13)을 형성한다. 제4 공정에서는 수지막(52)은 가열에 의해 경화되어 있지 않다.
제5 공정에서는 도 4E에 나타내는 바와 같이, 라미네이트 가공에 의해 커버 부재(14)의 바탕이 되는 수지막(53)을 스페이서층(13) 상에 형성한다. 수지막(53)에 의해 스페이서층(13)의 관통 구멍(131)이 막힌다. 라미네이트 가공을 행한 후, 전체를 가열한다. 이로써 스페이서층(13) 및 커버 부재(14)를 경화시킨다. 그 결과, 커버 부재(14)와 스페이서층(13)이 접합되고 IDT 전극(12)이 임하는 공간(S1)이 형성된다.
제6 공정에서는 도 4F에 나타내는 바와 같이, 레이저 가공 등에 의해, 스페이서층(13) 및 커버 부재(14)를 관통하도록 복수개(도시예에서는 4개)의 관통 구멍(54)을 형성한다. 이로써 복수개의 패드 전극(161)을 노출시킨다. 또한, 수지막(53)이 스페이서층(13)의 바깥둘레를 따르도록, 수지막(53) 중 인접하는 2개의 스페이서층(13) 사이의 부분을 제거한다.
제7 공정에서는 도 5A에 나타내는 바와 같이, 복수개(도시예에서는 4개)의 관통 비아(171)를 형성한다. 보다 상세하게는, 우선 시드층(하부막)을 형성한다. 다음으로, 관통 비아(171)가 형성되는 부분을 노출하도록, 시드층에 대해 포토마스크로 패터닝을 실시하고 레지스트막을 형성한다. 그리고 시드층 중 노출되고 있는 부분에 대해, 전해 도금에 의해 관통 비아(171)를 형성한다. 그 후, 레지스트막을 제거하고, 더욱이 제거한 레지스트막 아래의 시드층을 제거한다.
제8 공정에서는 도 5B에 나타내는 바와 같이, 보호층(15)의 바탕이 되는 수지막(55)을 형성한다. 보다 상세하게는, 우선 웨이퍼(51)의 일부, 스페이서층(13), 커버 부재(14) 및 관통 비아(171)를 덮도록 수지막(55)의 바탕이 되는 수지를 도포하여 경화시킨다. 다음으로 관통 비아(171)가 노출될 때까지 수지막(55)을 연삭(硏削)한다.
제9 공정에서는 도 5C에 나타내는 바와 같이, 관통 비아(171) 상에 외부 전극(172)을 형성한다. 보다 상세하게는 우선 시드층을 형성한다. 다음으로 시드층 위에 외부 전극(172)의 위치가 노출되도록, 시드층에 대해 포토마스크로 패터닝을 실시하고 레지스트막을 형성한다. 그리고 시드층 중 노출되고 있는 부분에 대해, 전해 도금에 의해 외부 전극(172)을 형성한다. 그 후, 레지스트막을 제거하고, 더욱이 제거한 레지스트막 아래의 시드층을 제거한다.
제10 공정에서는 도 5D에 나타내는 바와 같이, 탄성파 장치(1)의 단부로 이루어지는 영역에서 수지막(55)의 일부를 제거한다. 보다 상세하게는, 수지막(55)에 대해 도 5D의 화살표 방향에 레이저광을 조사(照射)하고 어블레이션(ablation) 가공을 실시한다. 상기 영역에서 위치마다 레이저광의 목표 심도(深度)를 바꿈으로써, 수지막(55)의 표면이 소정의 형상이 되도록 수지막(55)의 일부를 제거한다.
제11 공정에서는 도 5E에 나타내는 바와 같이, 다이싱(dicing) 장치 등에 의해 수지막(55) 및 웨이퍼(51)를 절단한다. 이로써 복수개(도시예에서는 2개)의 탄성파 장치(1)를 얻을 수 있다.
한편, 상기 제조 방법은 탄성파 장치(1)의 제조 방법의 일례이고, 탄성파 장치(1)는 다른 제조 방법을 이용하여 제조해도 된다.
(5) 효과
이상 설명한 바와 같이, 실시형태 1에 따른 탄성파 장치(1)에서는 기판(11)의 두께 방향(D1)에서 기판(11)으로부터 멀어짐에 따라, 보호층(15)의 측면(155)이 안쪽에 위치한다. 바꿔 말하면, 탄성파 장치(1)에서는 보호층(15)에서의 측면(155)에서, 측면(155)과 제4 주면(154)의 교선(156)을 포함하는 부분은 기판(11)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 봤을 때, 기판(11)의 바깥가장자리(113)보다도 안쪽에 위치한다. 또 바꿔 말하면, 탄성파 장치(1)에서는 보호층(15)의 측면(155) 중 적어도 제4 주면(154) 측의 부분은, 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 봤을 때, 기판(11)의 바깥가장자리보다도 안쪽에 위치한다. 즉, 보호층(15)은 기판(11)의 두께 방향(D1)에서 선단부가 패어있다. 이로써, 탄성파 장치(1)를 실장기판(2)에 실장시킬 때에, 탄성파 장치(1)에 대해 실장기판(2)이 기울어져 있다고 해도, 탄성파 장치(1)의 모서리부가 실장기판(2)에 충돌하는 것(실장기판(2)에 대한 탄성파 장치(1)의 모서리 충돌)을 저감시킬 수 있다. 그 결과, 크랙이 발생하기 어렵게 될 수 있다. 더욱이, 보호층(15)에 의한 봉지성(封止性)의 저하를 억제할 수 있다.
실시형태 1에 따른 탄성파 장치(1)에서는, 전체 둘레에 걸쳐 기판(11)으로부터 멀어짐에 따라 보호층(15)의 측면(155)이 안쪽에 위치한다. 바꿔 말하면, 보호층(15)의 측면(155)은 보호층(15)의 전체 둘레에 걸쳐 마련되어 있으면서, 측면(155)과 제4 주면(154)의 교선(156)을 포함하는 부분은, 기판(11)의 바깥가장자리(113)보다도 안쪽에 위치한다. 또 바꿔 말하면, 보호층(15)의 측면(155)은 보호층(15)의 전체 둘레에 걸쳐 마련되어 있으면서, 측면(155) 중 제4 주면(154) 측의 부분은, 기판(11)의 바깥가장자리(113)보다도 안쪽에 위치한다. 이로써 탄성파 장치(1)를 실장기판(2)에 실장시킬 때, 탄성파 장치(1)에 대해 실장기판(2)이 기울어져 있다고 해도, 탄성파 장치(1)의 모서리부가 실장기판(2)에 충돌하는 것을 저감할 수 있으므로, 보호층(15)에 크랙이 발생하는 것을 억제할 수 있다.
실시형태 1에 따른 탄성파 장치(1)에서는 스페이서층(13)과 커버 부재(14)와 보호층(15)을 관통하는 관통 비아(171)가 마련되어 있다. 이로써 기판(11)과 스페이서층(13)과 커버 부재(14)로 둘러싸인 공간(S1)의 기밀성(氣密性)을 높일 수 있으므로 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
(6) 변형예
이하, 실시형태 1의 변형예에 대해 설명한다.
탄성파 장치(1)에서 보호층(15)의 영역(152)은 보호층(15)의 전체 둘레에 걸쳐 마련되어 있는 것에 한정되지 않는다. 보호층(15)의 영역(152)은 보호층(15)의 적어도 일부에 마련되어 있으면 된다.
탄성파 장치(1)는 압전기판인 기판(11)을 대신하여, 고음속 지지기판과 압전막을 포함하는 구성이어도 된다. 이 구성에서는 고음속 지지기판 상에 압전막이 마련되어 있다. 고음속 지지 기판은 압전막을 전파하는 탄성파의 음속보다, 전파하는 탄성파(벌크파)의 음속이 고속인 기판이다.
탄성파 장치(1)는 기판(11)을 대신하여, 고음속 지지기판과 저음속막과 압전막을 포함하는 구성이어도 된다. 이 구성에서는 고음속 지지기판 상에 저음속막, 압전막이 이 순서대로 마련되어 있다. 저음속막은 압전막을 전파하는 탄성파의 음속보다, 전파하는 탄성파(벌크파)의 음속이 저속인 막이다.
탄성파 장치(1)는 기판(11)을 대신하여, 지지기판과 고음속막과 저음속막과 압전막을 포함하는 구성이어도 된다. 이 구성에서는 지지기판 상에 고음속막, 저음속막, 압전막이 이 순서대로 적층되어 있다. 고음속막은 압전막을 전파하는 탄성파의 음속보다, 전파하는 탄성파(벌크파)의 음속이 고속인 막이다.
실시형태 1 및 상기의 각 변형예에 의해, 탄성파 장치(1)는 적어도 일부에 압전성을 가지는 기판을 포함하고 있으면 된다.
실시형태 1에서는, 보호층(15)의 측면(155) 중 제4 주면(154) 측의 부분이, 기판(11)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 봤을 때, 기판(11)의 바깥가장자리(113)보다도 안쪽에 위치하지만, 실시형태 1의 변형예로서 보호층(15)의 측면(155)의 전부가, 기판(11)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 봤을 때, 기판(11)의 바깥가장자리(113)보다도 안쪽에 위치해도 된다. 요약하면, 보호층(15)의 측면(155) 중 적어도 제4 주면(154) 측의 부분이, 기판(11)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 봤을 때, 기판(11)의 바깥가장자리(113)보다도 안쪽에 위치하면 된다.
상기의 각 변형예에 따른 탄성파 장치(1)에서도, 실시형태 1에 따른 탄성파 장치(1)와 마찬가지의 효과를 발휘한다.
(실시형태 2)
실시형태 2에 따른 탄성파 장치(1a)는, 도 6에 나타내는 바와 같이 패턴층(18)을 포함하는 점에서, 실시형태 1에 따른 탄성파 장치(1)(도 1 참조)와 상이하다. 한편, 실시형태 2에 따른 탄성파 장치(1a)에 관하여, 실시형태 1에 따른 탄성파 장치(1)와 마찬가지의 구성요소에 대해서는, 동일한 부호를 첨부하여 설명을 생략한다.
(1) 탄성파 장치의 구성
탄성파 장치(1a)는 도 6에 나타내는 바와 같이, 패턴층(18)과 보호 레지스트층(19)을 포함한다. 또한, 탄성파 장치(1a)는 보호층(15)(도 1 참조)을 대신하여 보호층(15a)을 포함한다. 한편, 탄성파 장치(1a)는 실시형태 1에 따른 탄성파 장치(1)와 마찬가지로, 기판(11)과, IDT 전극(12)과, 스페이서층(13)과, 커버 부재(14)와, 배선층(16)과, 외부 접속 전극(17)을 포함한다.
패턴층(18)은 커버 부재(14)의 제2 주면(142) 상에 마련되어 있다. 패턴층(18)은 예를 들면, 인덕터 또는 커패시터를 포함하는 리액턴스(reactance) 소자를 구성한다. 패턴층(18)은 IDT 전극(12)과 전기적으로 접속되어 있어도 되고, IDT 전극(12)과는 전기적으로 독립하여 마련되어 있어도 된다.
보호층(15a)은 보호층(15)과 마찬가지로, 중앙 영역(151a)과 중앙 영역(151a)의 주위에 위치하는 영역(152a)을 가진다. 또한, 보호층(15a)은 실시형태 1의 보호층(15)과 마찬가지로, 제3 주면(153a)과, 제4 주면(154a)과, 측면(155a)을 가진다. 제3 주면(153a)은 제2 주면(142)과 접한다. 제4 주면(154a)은 기판(11)의 두께 방향(D1)에서 제3 주면(153a)과 대향한다. 측면(155a)은 제4 주면(154a)에 이어진다. 바꿔 말하면, 측면(155a)은 제4 주면(154a)의 주위에서 기판(11) 측을 향하여 마련되어 있다. 한편, 실시형태 2의 보호층(15a)에 관하여, 실시형태 1의 보호층(15)과 마찬가지의 구성 및 기능에 대해서는 설명을 생략한다.
보호층(15a)의 중앙 영역(151a)에서는 패턴층(18)이 노출되도록 패턴층(18)이 형성되어 있는 부분이 관통하고 있다.
보호층(15a)의 영역(152a)에서는, 보호층(15)의 영역(152)과 마찬가지로, 기판(11)의 두께 방향(D1)에서 기판(11)으로부터 멀어짐에 따라, 두께 방향(D1)과 직교하는 방향(D2)에서 보호층(15a)의 측면(155a)과 기판(11)의 바깥가장자리(113) 사이의 거리(L1)가 길어진다. 바꿔 말하면, 보호층(15a)에서의 측면(155a)에서 측면(155a)과 제4 주면(154a)의 교선(156a)을 포함하는 부분은, 기판(11)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 봤을 때, 기판(11)의 바깥가장자리(113)보다도 안쪽에 위치한다. 또 바꿔 말하면, 보호층(15a)의 측면(155a) 중 제4 주면(154a) 측의 부분은, 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 봤을 때, 기판(11)의 바깥가장자리(113)보다도 안쪽에 위치한다.
보호 레지스트층(19)은 보호층(15a) 상에 마련되어 있다. 보호 레지스트층(19)은 외부 접속 전극(17)의 외부 전극(172)의 적어도 일부가 노출되도록 관통 구멍(191)을 가진다. 보호 레지스트층(19)은 방향(D2)에서, 보호층(15a)보다도 돌출되지 않도록 형성되어 있다. 보호 레지스트층(19)은 외부 전극(172)에 납땜이 마련되는 때에, 납땜의 젖음 확산(wet spreading)을 저감시키기 위해 마련되어 있다.
(2) 탄성파 장치의 제조 방법
다음으로, 실시형태 2에 따른 탄성파 장치(1a)의 제조 방법에 대해 설명한다. 실시형태 2에 따른 탄성파 장치(1a)는 제1 공정부터 제12 공정에 의해 제조된다. 실시형태 1에 따른 탄성파 장치(1)의 제조 방법과 마찬가지의 부분에 대해서는 적절하게 설명을 생략한다.
제1 공정에서는 복수개의 탄성파 장치(1a)의 기판(11)의 바탕이 되는 웨이퍼를 준비한다.
제2 공정에서는 웨이퍼 상에 복수개의 IDT 전극(12)과 복수개의 패드 전극(161)을 형성한다.
제3 공정에서는 웨이퍼의 윗면의 전체면을 덮도록 수지를 도포하고, 복수개의 스페이서층(13)의 바탕이 되는 수지막을 형성한다.
제4 공정에서는 상기 수지층을 패터닝하고, 복수개의 스페이서층(13)을 형성한다.
제5 공정에서는 라미네이트 가공에 의해 커버 부재(14)의 바탕이 되는 수지막을 스페이서층(13) 상에 형성한다. 상기 수지막에 의해, 스페이서층(13)의 관통 구멍(131)이 막힌다. 라미네이트 가공을 행한 후, 전체를 가열한다.
제6 공정에서는 스페이서층(13) 및 커버 부재(14)를 관통하도록 복수개의 관통 구멍을 형성한다. 또한, 상기 수지막이 스페이서층(13)의 바깥둘레를 따르도록, 상기 수지막 중 인접하는 2개의 스페이서층(13) 사이의 부분을 제거한다.
제7 공정에서는 복수개의 관통 비아(171) 및 패턴층(18)을 형성한다. 보다 상세하게는, 우선 시드층을 형성한다. 다음으로 관통 비아(171) 및 패턴층(18)이 형성되는 부분을 노출하도록, 시드층에 대해 포토마스크로 패터닝을 실시하고 레지스트막을 형성한다. 그리고, 제6 공정에서 형성한 관통 구멍에 관통 비아(171)를 형성한다. 또한, 커버 부재(14)의 제2 주면(142)에 패턴층(18)을 형성한다. 그 후, 레지스트막을 제거하고, 더욱이 제거한 레지스트막 아래의 시드층을 제거한다.
제8 공정에서는 보호층(15a)의 바탕이 되는 수지막을 형성한다. 보다 상세하게는, 우선 웨이퍼의 일부, 스페이서층(13), 커버 부재(14), 관통 비아(171)를 덮도록 상기 수지막의 바탕이 되는 수지를 도포하여 경화시킨다. 다음으로 관통 비아(171)가 노출될 때까지 상기 수지막을 연삭한다.
제9 공정에서는 관통 비아(171) 상에 외부 전극(172)을 형성한다.
제10 공정에서는 보호층(15a) 및 외부 전극(172) 위에, 보호 레지스트층(19)의 바탕이 되는 레지스트막을 형성한다. 보다 상세하게는 우선 시드층을 형성하고, 다음으로 외부 전극(172)의 일부가 노출되도록, 시드층에 대해 포토마스크로 패터닝을 실시하고 레지스트막을 형성한다.
제11 공정에서는 탄성파 장치(1a)의 단부로 이루어지는 영역에서 제8 공정에서 형성된 수지막 및 제10 공정에서 형성된 레지스트막의 일부를 제거한다. 보다 상세하게는, 수지막 및 레지스트막에 대해 레이저광을 조사하고 어블레이션 가공을 실시한다. 상기 영역에서 위치마다 레이저광의 목표 심도를 바꿈으로써, 수지막 및 레지스트막의 표면이 소정의 형상이 되도록 수지막의 일부 및 레지스트막의 일부를 제거한다.
제12 공정에서는 다이싱 장치 등에 의해 수지막 및 웨이퍼를 절단한다. 이로써 복수개의 탄성파 장치(1a)를 얻을 수 있다.
한편, 상기 제조 방법은 탄성파 장치(1a)의 제조 방법의 일례이고, 탄성파 장치(1a)는 다른 제조 방법을 이용하여 제조해도 된다.
(3) 효과
이상 설명한 바와 같이, 실시형태 2에 따른 탄성파 장치(1a)에 의하면, 패턴층(18)을 일체로 할 수 있으므로, 패턴층(18)이 추가되어도 대형화를 저감시킬 수 있다.
(4) 변형예
이하, 실시형태 2의 변형예에 대해 설명한다.
실시형태 2의 변형예로서, 실시형태 1의 변형예와 마찬가지로, 탄성파 장치(1a)는 기판(11)을 대신하여, 고음속 지지기판과 압전막을 포함하는 구성이어도 된다. 혹은, 탄성파 장치(1a)는 기판(11)을 대신하여 고음속 지지기판과 저음속막과 압전막을 포함하는 구성이어도 되고, 지지기판과 고음속막과 저음속막과 압전막을 포함하는 구성이어도 된다.
실시형태 2에서는, 보호층(15a)의 측면(155a) 중 제4 주면(154a) 측의 부분이, 기판(11)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 봤을 때, 기판(11)의 바깥가장자리(113)보다도 안쪽에 위치하지만, 실시형태 2의 변형예로서 보호층(15a)의 측면(155a)의 전부가, 기판(11)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 봤을 때, 기판(11)의 바깥가장자리(113)보다도 안쪽에 위치해도 된다. 요약하면, 보호층(15a)의 측면(155a) 중 적어도 제4 주면(154a) 측의 부분이, 기판(11)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 봤을 때, 기판(11)의 바깥가장자리(113)보다도 안쪽에 위치하면 된다.
상기의 각 변형예에 따른 탄성파 장치(1a)에서도, 실시형태 2에 따른 탄성파 장치(1a)와 마찬가지의 효과를 발휘한다.
이상 설명한 실시형태 및 변형예는, 본 발명의 여러 실시형태 및 변형예의 일부에 지나지 않는다. 또한, 실시형태 및 변형예는 본 발명의 목적을 달성할 수 있으면 설계 등에 따라 다양한 변경이 가능하다.
(정리)
이상 설명한 실시형태 및 변형예에서 이하의 양태가 개시되어 있다.
제1 양태에 따른 탄성파 장치(1; 1a)는 기판(11)과, IDT 전극(12)과, 스페이서층(13)과, 커버 부재(14)와, 보호층(15; 15a)을 포함한다. 기판(11)은 적어도 일부에 압전성을 가진다. IDT 전극(12)은 기판(11) 상에 마련되어 있다. 스페이서층(13)은 기판(11) 상에 마련되어 있으면서, IDT 전극(12)을 둘러싸고 있다. 커버 부재(14)는 스페이서층(13) 상에 마련되어 있고, IDT 전극(12)으로부터 떨어져 있다. 커버 부재(14)는 스페이서층(13) 측의 제1 주면(141)과, 제1 주면(141)과 대향하는 제2 주면(142)을 가진다. 보호층(15; 15a)은 커버 부재(14) 상에 마련되어 있고, 제2 주면(142)과 접하는 제3 주면(153; 153a)과, 제3 주면(153; 153a)과 대향하는 제4 주면(154; 154a)과, 제4 주면(154; 154a)에 이어지는 측면(155; 155a)을 가진다. 보호층(15; 15a)에서의 측면(155; 155a) 중 적어도 일부에서, 측면(155; 155a)과 제4 주면(154; 154a)의 교선(156; 156a)을 포함하는 부분은, 기판(11)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 봤을 때, 기판(11)의 바깥가장자리(113)보다도 안쪽에 위치한다.
제1 양태에 따른 탄성파 장치(1; 1a)에 의하면, 보호층(15; 15a)의 측면(155; 155a) 중 적어도 일부에서, 측면(155; 155a)과 제4 주면(154; 154a)의 교선(156; 156a)을 포함하는 부분이 기판(11)의 바깥가장자리(113)보다도 안쪽에 위치한다. 즉, 보호층(15; 15a)은 기판(11)의 두께 방향(D1)에서 선단부가 패어있다. 이로써, 탄성파 장치(1; 1a)를 실장기판(2)에 실장시킬 때에, 탄성파 장치(1; 1a)에 대해 실장기판(2)이 기울어져 있다고 해도, 탄성파 장치(1; 1a)의 모서리부가 실장기판(2)에 충돌하는 것을 저감시킬 수 있다. 그 결과, 크랙이 발생하기 어렵게 할 수 있다. 더욱이, 보호층(15; 15a)에 의한 봉지성의 저하를 억제할 수 있다.
제2 양태에 따른 탄성파 장치(1; 1a)에서는, 제1 양태에서 보호층(15; 15a)의 측면(155; 155a)은 보호층(15; 15a)의 전체 둘레에 걸쳐 마련되어 있으면서, 측면(155; 155a)과 제4 주면(154; 154a)의 교선(156; 156a)을 포함하는 부분은, 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 봤을 때, 기판(11)의 바깥가장자리(113)보다도 안쪽에 위치한다.
제2 양태에 따른 탄성파 장치(1; 1a)에 의하면, 탄성파 장치(1; 1a)를 실장기판(2)에 실장시킬 때에, 탄성파 장치(1; 1a)에 대해 실장기판(2)이 기울어져 있다고 해도, 탄성파 장치(1; 1a)의 모서리부가 실장기판(2)에 충돌하는 것을 저감할 수 있으므로, 보호층(15; 15a)에 크랙이 발생하는 것을 억제할 수 있다.
제3 양태에 따른 탄성파 장치(1; 1a)는 제1 또는 제2 양태에서, 외부 접속 전극(17)을 더 포함한다. 외부 접속 전극(17)은 IDT 전극(12)에 전기적으로 접속되어 있다. 외부 접속 전극(17)은 관통 비아(171)를 포함한다. 관통 비아(171)는 스페이서층(13)과 커버 부재(14)와 보호층(15; 15a)을 관통한다.
제3 양태에 따른 탄성파 장치(1; 1a)에 의하면, 기판(11)과 스페이서층(13)과 커버 부재(14)로 둘러싸인 공간(S1)의 기밀성을 높일 수 있으므로 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
제4 양태에 따른 탄성파 장치(1a)는 제1 내지 제3 양태 중 어느 하나에서 패턴층(18)을 더 포함한다. 패턴층(18)은 보호층(15; 15a)의 내부에 마련되어 있다.
제4 양태에 따른 탄성파 장치(1a)에 의하면, 패턴층(18)을 일체로 하는 것이 가능하므로, 패턴층(18)이 추가되어도 대형화를 저감시킬 수 있다.
1, 1a: 탄성파 장치 11: 기판
111: 주면 112: 주면
113: 바깥가장자리 12: IDT 전극
121: 전극지 13: 스페이서층
131: 관통 구멍 14: 커버 부재
141: 제1 주면 142: 제2 주면
15, 15a: 보호층 151, 151a: 중앙 영역
152, 152a: 영역 153, 153a: 제3 주면
154, 154a: 제4 주면 155, 155a: 측면
156, 156a: 교선 16: 배선층
161: 패드 전극 17: 외부 접속 전극
171: 관통 비아 172: 외부 전극
18: 패턴층 19: 보호 레지스트층
191: 관통 구멍 2: 실장기판
21: 단자 3: 전자부품 모듈
4: 실장 노즐 41: 흡인 구멍
51: 웨이퍼 52: 수지막
53: 수지막 54: 관통 구멍
55: 수지막 D1: 두께 방향
D2: 방향 L1: 거리
S1: 공간
111: 주면 112: 주면
113: 바깥가장자리 12: IDT 전극
121: 전극지 13: 스페이서층
131: 관통 구멍 14: 커버 부재
141: 제1 주면 142: 제2 주면
15, 15a: 보호층 151, 151a: 중앙 영역
152, 152a: 영역 153, 153a: 제3 주면
154, 154a: 제4 주면 155, 155a: 측면
156, 156a: 교선 16: 배선층
161: 패드 전극 17: 외부 접속 전극
171: 관통 비아 172: 외부 전극
18: 패턴층 19: 보호 레지스트층
191: 관통 구멍 2: 실장기판
21: 단자 3: 전자부품 모듈
4: 실장 노즐 41: 흡인 구멍
51: 웨이퍼 52: 수지막
53: 수지막 54: 관통 구멍
55: 수지막 D1: 두께 방향
D2: 방향 L1: 거리
S1: 공간
Claims (4)
- 적어도 일부에 압전성을 가지는 기판과,
상기 기판 상에 마련되어 있는 IDT 전극과,
상기 기판 상에 마련되어 있으면서, 상기 IDT 전극을 둘러싸고 있는 스페이서(spacer)층과,
상기 스페이서층 상에 마련되어 있고, 상기 IDT 전극으로부터 떨어져 있으면서, 상기 스페이서층 측의 제1 주면(主面)과, 상기 제1 주면과 대향(對向)하는 제2 주면을 가지는 커버 부재와,
상기 커버 부재 상에 마련되어 있고, 상기 제2 주면과 접하는 제3 주면과, 상기 제3 주면과 대향하는 제4 주면과, 상기 제4 주면에 이어지는 측면을 가지는 보호층을 포함하고,
상기 보호층에서의 상기 측면 중 적어도 일부에서, 상기 측면과 상기 제4 주면의 교선(交線)을 포함하는 부분은, 상기 기판의 두께 방향으로부터의 평면에서 봤을 때, 상기 기판의 바깥가장자리보다도 안쪽에 위치하는 탄성파 장치. - 제1항에 있어서,
상기 보호층의 상기 측면은, 상기 보호층의 전체 둘레에 걸쳐 마련되어 있으면서, 상기 측면과 상기 제4 주면의 교선을 포함하는 부분은, 상기 두께 방향으로부터의 평면에서 봤을 때, 상기 기판의 바깥가장자리보다도 안쪽에 위치하는 탄성파 장치. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 IDT 전극에 전기적으로 접속되어 있는 외부 접속 전극을 더 포함하고,
상기 외부 접속 전극은, 상기 스페이서층과 상기 커버 부재와 상기 보호층을 관통하는 관통 비아(via)를 포함하는 탄성파 장치. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 보호층의 내부에 마련되어 있는 패턴층을 더 포함하는 탄성파 장치.
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2018
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