JP2013046107A - 弾性波デバイスおよびモジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】多分域状態のタンタル酸リチウムからなる支持基板10と、前記支持基板の上面上に配置され、下面が前記支持基板の上面と接合されたタンタル酸リチウムからなる素子基板12と、前記素子基板の上面に形成され、弾性波を励振する櫛型電極18と、を具備する弾性波デバイス。
【選択図】図1
Description
IDT17aの櫛型電極は弾性波を励振する。励振された弾性波は、反射電極17bにより反射される。弾性波の伝搬方向は、素子基板12のX軸方向である。なお、櫛型電極を有する弾性波デバイスとして、弾性表面波デバイス以外にも弾性境界波デバイス、ラブ波デバイスとすることもできる。
Arガス流量:20〜30sccm
電流値: 15〜150mA
照射時間: 30〜120秒
12 素子基板
14 アモルファス層
17a IDT
17b 反射電極
18 共振子
Claims (8)
- 多分域状態のタンタル酸リチウムからなる支持基板と、
前記支持基板の上面上に配置され、下面が前記支持基板の上面と接合されたタンタル酸リチウムからなる素子基板と、
前記素子基板の上面に形成され、弾性波を励振する櫛型電極と、
を具備することを特徴とする弾性波デバイス。 - 前記支持基板の上面と前記素子基板の下面との間に形成されたアモルファス層を具備することを特徴とする請求項1記載の弾性波デバイス。
- 前記素子基板の下面は前記支持基板の上面と常温接合されていることを特徴とする請求項1または2記載の弾性波デバイス。
- 前記素子基板の上面の法線方向は、X軸を中心にY軸からZ軸方向に36°〜48°回転した方向であることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
- 前記弾性波の伝搬方向に平行な方向の前記支持基板の線熱膨張係数は、前記支持基板のX軸の線熱膨張係数より小さいことを特徴とする請求項1から4のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
- 前記素子基板は前記支持基板より薄いことを特徴とする請求項1から5のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
- 個片化されたチップにおいて、側壁に段差が無いことを特徴とする請求項1から6のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
- 請求項1から7のいずれか一項記載の弾性波デバイスを含むモジュール。
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