WO2018146883A1 - 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置 - Google Patents

弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2018146883A1
WO2018146883A1 PCT/JP2017/040850 JP2017040850W WO2018146883A1 WO 2018146883 A1 WO2018146883 A1 WO 2018146883A1 JP 2017040850 W JP2017040850 W JP 2017040850W WO 2018146883 A1 WO2018146883 A1 WO 2018146883A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
elastic wave
film
wave device
wavelength
piezoelectric thin
Prior art date
Application number
PCT/JP2017/040850
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
毅 山根
Original Assignee
株式会社村田製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社村田製作所 filed Critical 株式会社村田製作所
Priority to KR1020197022410A priority Critical patent/KR102272692B1/ko
Priority to CN201780085778.9A priority patent/CN110268629B/zh
Priority to JP2018566760A priority patent/JP6766896B2/ja
Publication of WO2018146883A1 publication Critical patent/WO2018146883A1/ja
Priority to US16/532,523 priority patent/US10886896B2/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/703—Networks using bulk acoustic wave devices
    • H03H9/706—Duplexers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/195—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/02834—Means for compensation or elimination of undesirable effects of temperature influence
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
    • H03F3/245—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
    • H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14538—Formation
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/205—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having multiple resonators
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433—Coupled resonator filters
    • H03H9/6436—Coupled resonator filters having one acoustic track only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6489—Compensation of undesirable effects
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/111—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a dual or triple band amplifier, e.g. 900 and 1800 MHz, e.g. switched or not switched, simultaneously or not

Definitions

  • the present invention relates to an elastic wave device having a plurality of IDT electrodes having different wavelengths determined by an electrode finger pitch, a high-frequency front-end circuit having the elastic wave device, and a communication device.
  • an acoustic wave device that uses a piezoelectric thin film, can cope with high frequency, and can increase the Q value is known.
  • a high acoustic velocity film, a low acoustic velocity film, a piezoelectric thin film, and an IDT electrode are laminated in this order on a support substrate.
  • a low acoustic velocity film, a piezoelectric thin film, and an IDT electrode are laminated in this order on a high acoustic velocity support substrate.
  • the relationship between the wavelength normalized film thickness of the piezoelectric thin film and the wavelength normalized film thickness of the dielectric film differs among the plurality of acoustic wave resonators. For this reason, there is a possibility that the difference in temperature characteristics between the plurality of acoustic wave resonators becomes large.
  • An object of the present invention is to provide an acoustic wave device that has a plurality of IDT electrodes having different wavelengths determined by the electrode finger pitch, but can reduce a difference in temperature characteristics between at least two IDT electrodes.
  • Another object of the present invention is to provide a high-frequency front-end circuit and a communication device having an elastic wave device of the present invention and excellent in frequency temperature characteristics.
  • the elastic wave device includes a high sound velocity member, a piezoelectric thin film laminated directly or indirectly on the high sound velocity member, a silicon oxide film laminated on the piezoelectric thin film, and the silicon oxide film.
  • the wavelength normalized film thickness x (%) of the silicon oxide film is 0 ⁇ x ⁇ 8 (%). In this case, an elastic wave device having excellent frequency temperature characteristics can be provided without narrowing the specific band much.
  • the piezoelectric thin film has a wavelength normalized film thickness y (%) of 80% or less. In this case, the frequency temperature characteristic can be improved more effectively.
  • the acoustic velocity of the elastic wave propagating through the piezoelectric thin film is laminated between the high acoustic velocity member and the piezoelectric thin film. And a lower sound velocity membrane.
  • the acoustic wave device further includes a support substrate, and the high sound velocity member is laminated on the support substrate.
  • the high sound velocity member also serves as the support substrate.
  • the high sound velocity member is made of aluminum nitride, aluminum oxide, silicon carbide, silicon nitride, silicon, sapphire, lithium tantalate, lithium niobate, crystal, alumina, It is composed of at least one material selected from the group consisting of zirconia, cordierite, mullite, steatite, forsterite, magnesia, silicon oxynitride, DLC and diamond, or a material mainly composed of the one material. .
  • the low sound velocity film is made of silicon oxide, glass, silicon oxynitride, tantalum oxide, and a compound formed by adding fluorine, carbon, or boron to silicon oxide. It consists of at least one material selected from
  • the support substrate is made of silicon, aluminum nitride, aluminum oxide, silicon carbide, silicon nitride, silicon oxynitride, sapphire, lithium tantalate, lithium niobate, crystal And at least one material selected from the group consisting of alumina, zirconia, cordierite, mullite, steatite, forsterite, diamond and magnesia.
  • a plurality of acoustic wave elements are respectively configured by the plurality of IDT electrodes.
  • the elastic wave element may be one of an elastic wave resonator and an elastic wave filter.
  • a longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter having the plurality of IDT electrodes is configured.
  • the frequency temperature characteristic of the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter can be effectively improved.
  • the piezoelectric thin film is made of a LiTaO 3 piezoelectric single crystal.
  • the frequency temperature characteristic of the acoustic wave device using the piezoelectric thin film made of LiTaO 3 piezoelectric single crystal can be further effectively improved.
  • a high-frequency front end circuit according to the present invention includes an elastic wave device configured according to the present invention and a power amplifier.
  • the communication device includes the high-frequency front-end circuit according to the present invention and an RF signal processing circuit.
  • the temperature characteristic difference between at least two IDT electrodes is increased. Can be small.
  • FIG. 1 is a front sectional view of an acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic plan view showing an electrode structure of the acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a diagram showing the relationship between the wavelength normalized film thickness (%) of the silicon oxide film and the specific bandwidth of the acoustic wave resonator.
  • FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the wavelength normalized thickness (%) of the LiTaO 3 film and the TCF.
  • FIG. 5 is a diagram showing the relationship between the wavelength normalized film thickness (%) of the silicon oxide film and TCF.
  • FIG. 1 is a front sectional view of an acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic plan view showing an electrode structure of the acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a diagram showing the relationship between the wavelength normalized film
  • FIG. 6 is a diagram showing the relationship between the TCV and the wavelength normalized thickness (%) of the LiTaO 3 film in the acoustic wave resonator in which the wavelength normalized thickness of the silicon oxide film is 0.9%.
  • FIG. 7 is a diagram showing the relationship between the TCV and the wavelength normalized film thickness (%) of the LiTaO 3 film in an acoustic wave resonator in which the wavelength normalized film thickness of the silicon oxide film is 1.4%.
  • FIG. 8 is a diagram showing the relationship between the TCV and the wavelength normalized thickness (%) of the LiTaO 3 film in the acoustic wave resonator in which the wavelength normalized thickness of the silicon oxide film is 6.5%.
  • FIG. 7 is a diagram showing the relationship between the TCV and the wavelength normalized film thickness (%) of the LiTaO 3 film in an acoustic wave resonator in which the wavelength normalized film thickness of the silicon oxide film is 1.4%.
  • FIG. 8 is a diagram showing the relationship
  • FIG. 9 is a diagram showing a region where TCF at the anti-resonance frequency is not canceled out.
  • FIG. 10 is a schematic plan view showing an electrode structure of an acoustic wave device according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a front sectional view of an acoustic wave device according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is a front sectional view of an acoustic wave device according to a modification of the third embodiment.
  • FIG. 13 is a configuration diagram of a communication apparatus having a high-frequency front end circuit.
  • FIG. 1 is a front sectional view of an acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is a schematic plan view showing an electrode structure of the acoustic wave device of the present embodiment.
  • the acoustic wave device 1 has a support substrate 2. On the support substrate 2, a high acoustic velocity film 3 as a high acoustic velocity member, a low acoustic velocity membrane 4, a piezoelectric thin film 5 made of LiTaO 3 and a silicon oxide film 6 are laminated in this order. A first IDT electrode 11 and a second IDT electrode 12 are provided on the silicon oxide film 6.
  • the electrode structure shown in FIG. 2 is provided on the silicon oxide film 6.
  • reflectors 13 and 14 are provided on both sides of the first IDT electrode 11 in the elastic wave propagation direction. Thereby, the first elastic wave resonator is configured.
  • reflectors 15 and 16 are provided on both sides of the second IDT electrode 12 in the elastic wave propagation direction. Thereby, the second elastic wave resonator is configured.
  • the first electrode finger pitch P1 in the first IDT electrode 11 is different from the second electrode finger pitch P2 in the second IDT electrode 12. More specifically, P2> P1.
  • the support substrate 2 is made of silicon (Si). However, as long as the support substrate 2 can support the laminated structure including the high sound velocity film 3, the low sound velocity film 4, the piezoelectric thin film 5, the silicon oxide film 6, and the first and second IDT electrodes 11, 12, an appropriate material is used. Can be configured.
  • Materials for the support substrate 2 include piezoelectric materials such as aluminum oxide, diamond, sapphire, lithium tantalate, lithium niobate, and quartz; alumina, magnesia, silicon nitride, aluminum nitride, silicon carbide, zirconia, cordierite, mullite, steer Various ceramics such as tight and forsterite; dielectrics such as glass; semiconductors such as gallium nitride and resin substrates can be used.
  • the high sound velocity film 3 functions so as to confine an elastic wave in a portion where the piezoelectric thin film 5 and the low sound velocity film 4 are laminated so as not to leak into a structure below the high sound velocity film 3.
  • the high acoustic velocity film 3 is made of aluminum nitride.
  • the high sound velocity materials include aluminum oxide, silicon carbide, silicon nitride, silicon oxynitride, silicon, sapphire, lithium tantalate, lithium niobate, quartz, alumina, zirconia, and cordierite.
  • Various materials such as mullite, steatite, forsterite, magnesia, DLC (diamond-like carbon) or diamond, a medium mainly composed of the above materials, and a medium mainly composed of a mixture of the above materials can be used.
  • the high acoustic velocity film 3 is thicker, 0.5 times or more the wavelength ⁇ of the acoustic wave, and It is desirable that it is 5 times or more.
  • the high sound velocity film refers to a film in which the acoustic velocity of the bulk wave propagating in the high acoustic velocity film 3 is higher than that of the elastic wave propagating in the piezoelectric thin film 5.
  • the low acoustic velocity film 4 is a membrane in which the acoustic velocity of the bulk wave propagating through the low acoustic velocity film 4 is lower than that of the elastic wave propagating through the piezoelectric thin film 5.
  • the material constituting the low sound velocity film 4 an appropriate material having a bulk wave sound velocity lower than the acoustic wave propagating through the piezoelectric thin film 5 can be used.
  • a low sound velocity material a medium mainly composed of the above materials such as silicon oxide, glass, silicon oxynitride, tantalum oxide, or a compound obtained by adding fluorine, carbon, or boron to silicon oxide can be used. .
  • the high sound velocity film 3 and the low sound velocity film 4 are made of an appropriate dielectric material capable of realizing the high sound velocity and the low sound velocity determined as described above.
  • the piezoelectric thin film 5 is made of LiTaO 3 in this embodiment.
  • the piezoelectric thin film 5 may be made of another piezoelectric single crystal such as LiNbO 3 .
  • the silicon oxide film 6 is made of SiO x such as SiO 2 . Note that x is a numerical value greater than zero.
  • the first and second IDT electrodes 11 and 12 and the reflectors 13, 14, 15, and 16 are made of appropriate metals or alloys. Examples of such a metal or alloy include Al, Cu, Pt, Au, Ag, Ti, Cr, Mo, W, and an alloy mainly composed of any of these metals.
  • the first and second IDT electrodes 11 and 12 and the reflectors 13 to 16 may have a structure in which a plurality of metal films made of these metals or alloys are laminated. As described above, P1 ⁇ P2. Accordingly, the wavelength of the first IDT electrode 11 determined by the first electrode finger pitch P1 is ⁇ 1, and the wavelength of the second IDT electrode 12 determined by the second electrode finger pitch P2 is ⁇ 2. In this case, ⁇ 1 ⁇ 2.
  • the wavelength normalized film thickness (%) which is the ratio to the wavelength ⁇ of the piezoelectric thin film 5 is y1 (%)
  • the second IDT electrode 12 is
  • the wavelength normalized film thickness (%) of the piezoelectric thin film 5 in the second acoustic wave resonator is y2 (%)
  • the first IDT electrode 11 and the second IDT electrode 12 are on the same piezoelectric thin film 5. Therefore, y1> y2.
  • the film thickness of the piezoelectric thin film in the first IDT electrode 11 and the film thickness of the piezoelectric thin film in the second IDT electrode 12 are substantially the same.
  • the wavelength normalized film thickness (%) which is the ratio of the silicon oxide film 6 in the first acoustic wave resonator to the wavelength ⁇ , is x1 (%), and the wavelength of the silicon oxide film 6 in the second acoustic wave resonator.
  • the normalized film thickness (%) is x2 (%), the film thickness of the silicon oxide film 6 in the part where the first IDT electrode 11 is provided and the part where the second IDT electrode 12 is provided Since the thickness of the silicon oxide film 6 is the same, x1> x2. Note that the thickness of the silicon oxide film 6 in the portion where the first IDT electrode 11 is provided and the thickness of the silicon oxide film 6 in the portion where the second IDT electrode 12 are provided are substantially the same.
  • the acoustic wave device 1 of the present embodiment is characterized in that the wavelength ⁇ 1 of the first IDT electrode 11 having the shortest wavelength among the first and second IDT electrodes 11 and 12 is ⁇ , and the piezoelectric thin film 5
  • y is a wavelength normalized film thickness (%) which is a ratio of ⁇ to ⁇
  • x is a wavelength normalized film thickness (%) which is a ratio of the silicon oxide film 6 to the wavelength ⁇
  • y is 350% or less
  • y ⁇ 1.6x ( ⁇ 0.01) + 0.05x ( ⁇ 0.6) ⁇ 1.
  • the TCF change tendency in the first acoustic wave resonator having a relatively small electrode finger pitch and the TCF change tendency in the second acoustic wave resonator having a relatively large electrode finger pitch are canceled out. Can do.
  • FIG. 3 is a diagram showing the relationship between the wavelength normalized film thickness of the silicon oxide film and the specific bandwidth in the first acoustic wave resonator.
  • the specific bandwidth is the ratio (%) of the frequency width between the resonance frequency and the anti-resonance frequency to the resonance frequency. Further, the wavelength normalized film thickness (%) of the silicon oxide film corresponds to x in the above formula.
  • the specific bandwidth in the first acoustic wave resonator, when the wavelength normalized film thickness (%) of the silicon oxide film becomes thicker than 0%, the specific bandwidth becomes smaller. Therefore, the specific bandwidth can be controlled by adjusting the wavelength normalized film thickness of the silicon oxide film. However, when the wavelength normalized film thickness of the silicon oxide film exceeds 8%, the specific bandwidth does not change much. Therefore, in order to control the specific bandwidth and to obtain a sufficient specific bandwidth, it is desirable that the wavelength normalized film thickness x (%) of the silicon oxide film is 0 ⁇ x ⁇ 8.
  • FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the wavelength normalized film thickness y (%) of the LiTaO 3 film as the piezoelectric thin film 5 in the first acoustic wave resonator and the frequency temperature coefficient TCF (ppm / ° C.). is there.
  • the value of the frequency temperature coefficient TCF at the anti-resonance frequency is plotted.
  • FIG. 5 shows the relationship between the wavelength normalized film thickness (%) of the silicon oxide film and the frequency temperature coefficient TCF. Also in FIG. 5, the value of TCF at the antiresonance frequency is plotted.
  • FIG. 5 shows that the frequency temperature coefficient TCF gradually increases as the wavelength normalized film thickness of the silicon oxide film increases.
  • the TCF change tendency due to the wavelength normalized film thickness of the LiTaO 3 film is opposite to the TCF change tendency due to the wavelength normalized film thickness of the silicon oxide film. Therefore, in the elastic wave device 1 of the present embodiment, the TCF change tendency in the first elastic wave resonator having a relatively small electrode finger pitch and the second elastic wave resonator in which the electrode finger pitch is relatively large. The TCF change tendency can be offset. Therefore, the temperature characteristic difference between the first and second acoustic wave resonators can be reduced.
  • FIG. 6 shows the wavelength normalized film thickness (%) of the LiTaO 3 film in the acoustic wave resonator and the frequency temperature coefficient TCV (ppm / ° C.) when the wavelength normalized film thickness of the silicon oxide film is 0.9%. It is a figure which shows the relationship.
  • FIG. 7 shows the wavelength normalized film thickness (%) of the LiTaO 3 film in the acoustic wave resonator when the wavelength normalized film thickness of the silicon oxide film is 1.4%, and TCV (ppm / ° C. at the antiresonance frequency).
  • FIG. FIG. 8 shows the relationship between the wavelength normalized thickness (%) of the LiTaO 3 film and the TCV (ppm / ° C.) in the acoustic wave resonator when the wavelength normalized thickness of the silicon oxide film is 6.5%.
  • FIG. 7 shows the wavelength normalized film thickness (%) of the LiTaO 3 film in the acoustic wave resonator when the wavelength normalized film thickness of
  • the absolute value gradually increases in a negative TCV region.
  • the wavelength normalized thickness of the LiTaO 3 film exceeds 350%, by LiTaO 3 film increased wavelength normalized thickness of, variation tendency of the TCV are opposite directions.
  • the TCV is gradually increased in the negative region due to the change in the wavelength normalized film thickness of the LiTaO 3 film.
  • this region that is, in the first elastic wave resonator and the second elastic wave resonator, a range in which the improvement tendency of the frequency temperature characteristic can be canceled is obtained.
  • the horizontal axis in FIG. 9 is the wavelength normalized film thickness (%) of the silicon oxide film
  • the vertical axis is the wavelength normalized film thickness (%) of the LiTaO 3 film
  • the hatched area in FIG. In the first elastic wave resonator and the second elastic wave resonator, the improvement tendency of the frequency temperature characteristic cannot be canceled. That is, for example, at points A3 and A4 in FIG. 6, when the wavelength normalized film thickness of the LiTaO 3 film changes from the point A3 to the point A4, the TCV changes in a direction in which the absolute value decreases. Therefore, this change in temperature characteristic cannot be offset with the change in temperature characteristic due to the wavelength normalized film thickness of the silicon oxide film.
  • the point A3 and the point A4 are present in the hatched area in FIG.
  • the absolute value of TCV increases as the wavelength normalized film thickness of the LiTaO 3 film becomes relatively large. Therefore, the improvement tendency of the frequency temperature characteristics of the first elastic wave resonator and the second elastic wave resonator can be offset. Therefore, the points A1 and A2 are located outside the region indicated by hatching in FIG.
  • the Q value can be increased.
  • the wavelength normalized film thickness of the LiTaO 3 film is 80% or less, the film thickness normalized wavelength of the silicon oxide film is 10.0% or less.
  • the TCF change in the first elastic wave resonator and the second elastic wave resonator can be offset. Therefore, the frequency temperature characteristic can be further effectively improved.
  • FIG. 10 is a schematic plan view showing an electrode structure of an acoustic wave device according to the second embodiment of the present invention.
  • the acoustic wave device according to the second embodiment is a 3IDT type longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter having first to third IDT electrodes 22 to 24.
  • Reflectors 25 and 26 are provided on both sides of the region in which the first to third IDT electrodes 22 to 24 are provided in the elastic wave propagation direction.
  • the laminated structure below the electrode structure is the same as that of the first embodiment.
  • the second electrode finger pitch P2 of the second IDT electrode 23 is smaller than the first electrode finger pitch P1 of the first IDT electrode 22 and the third IDT electrode 24. It has been enlarged.
  • the electrode finger pitch in the reflectors 25 and 26 is the same as P1.
  • the frequency temperature characteristics can be improved. That is, the change in TCF due to the change in the wavelength normalized film thickness of the LiTaO 3 film and the silicon oxide film in the portion where the first and third IDT electrodes 22 and 24 are provided, and the TCF in the second IDT electrode 23 The change can be effectively offset. Therefore, a difference in temperature characteristics between at least the first IDT electrode 22 and the third IDT electrode 24 and the second IDT electrode 23 can be reduced.
  • a plurality of IDT electrodes having different electrode finger pitches may be provided in one elastic wave element.
  • the first and second acoustic wave resonators are configured.
  • an acoustic wave filter may be configured.
  • FIG. 11 is a front sectional view of the acoustic wave device 31 according to the third embodiment.
  • a low acoustic velocity film 33 is laminated on a support substrate 32.
  • the support substrate 32 is made of a high sound velocity material in which the acoustic velocity of the propagating bulk wave is higher than the acoustic velocity of the elastic wave propagating through the piezoelectric thin film 5.
  • the support substrate 32 made of a high sound velocity material the high sound velocity film in the first embodiment may be omitted.
  • the piezoelectric thin film 5 may be directly laminated on the support substrate 32 made of a high sound velocity material without providing the low sound velocity film 33.
  • the elastic device of each of the above embodiments can be used as a component such as a duplexer of a high-frequency front end circuit.
  • a high frequency front end circuit An example of such a high frequency front end circuit will be described below.
  • FIG. 13 is a configuration diagram of a communication apparatus having a high-frequency front end circuit.
  • components connected to the high-frequency front-end circuit 230 for example, the antenna element 202 and the RF signal processing circuit (RFIC) 203 are also shown.
  • the high-frequency front end circuit 230 and the RF signal processing circuit 203 constitute a communication device 240.
  • the communication device 240 may include a power supply, a CPU, and a display.
  • the high-frequency front-end circuit 230 includes a switch 225, duplexers 201A and 201B, filters 231, 232, low-noise amplifier circuits 214, 224, and power amplifier circuits 234a, 234b, 244a, 244b. Note that the high-frequency front-end circuit 230 and the communication device 240 in FIG. 13 are examples of the high-frequency front-end circuit and the communication device, and are not limited to this configuration.
  • the duplexer 201A includes filters 211 and 212.
  • the duplexer 201B includes filters 221 and 222.
  • the duplexers 201 ⁇ / b> A and 201 ⁇ / b> B are connected to the antenna element 202 via the switch 225.
  • the said elastic wave apparatus may be duplexers 201A and 201B, and may be filters 211, 212, 221 and 222.
  • the elastic wave device may be an elastic wave resonator constituting the duplexers 201A, 201B and the filters 211, 212, 221, 222.
  • the elastic wave device is also applicable to a multiplexer having three or more filters, such as a triplexer in which the antenna terminals of three filters are shared, and a hexaplexer in which the antenna terminals of six filters are shared. Can do.
  • the acoustic wave device includes an acoustic wave resonator, a filter, a duplexer, and a multiplexer including three or more filters.
  • the multiplexer is not limited to the configuration including both the transmission filter and the reception filter, and may be configured to include only the transmission filter or only the reception filter.
  • the switch 225 connects the antenna element 202 and a signal path corresponding to a predetermined band in accordance with a control signal from a control unit (not shown), and is configured by, for example, a SPDT (Single Pole Double Throw) type switch. .
  • a SPDT Single Pole Double Throw
  • the number of signal paths connected to the antenna element 202 is not limited to one and may be plural. That is, the high frequency front end circuit 230 may support carrier aggregation.
  • the low noise amplifier circuit 214 is a reception amplification circuit that amplifies a high frequency signal (here, a high frequency reception signal) via the antenna element 202, the switch 225, and the duplexer 201A and outputs the amplified signal to the RF signal processing circuit 203.
  • the low noise amplifier circuit 224 is a reception amplification circuit that amplifies a high-frequency signal (here, a high-frequency reception signal) that has passed through the antenna element 202, the switch 225, and the duplexer 201B, and outputs the amplified signal to the RF signal processing circuit 203.
  • the power amplifier circuits 234a and 234b are transmission amplifier circuits that amplify the high frequency signal (here, the high frequency transmission signal) output from the RF signal processing circuit 203 and output the amplified signal to the antenna element 202 via the duplexer 201A and the switch 225.
  • the power amplifier circuits 244a and 244b are transmission amplifier circuits that amplify the high-frequency signal (here, the high-frequency transmission signal) output from the RF signal processing circuit 203 and output the amplified signal to the antenna element 202 via the duplexer 201B and the switch 225. .
  • the RF signal processing circuit 203 processes the high-frequency reception signal input from the antenna element 202 via the reception signal path by down-conversion or the like, and outputs a reception signal generated by the signal processing. Further, the RF signal processing circuit 203 performs signal processing on the input transmission signal by up-conversion or the like, and outputs the high-frequency transmission signal generated by the signal processing to the power amplifier circuits 244a and 244b.
  • the RF signal processing circuit 203 is, for example, an RFIC.
  • the communication apparatus may include a BB (baseband) IC. In this case, the BBIC processes the received signal processed by the RFIC. The BBIC processes the transmission signal and outputs it to the RFIC.
  • the reception signal processed by the BBIC and the transmission signal before the signal processing by the BBIC are, for example, an image signal or an audio signal.
  • the high-frequency front end circuit 230 may include other circuit elements between the above-described components.
  • the high-frequency front end circuit 230 may include a duplexer according to a modification of the duplexers 201A and 201B instead of the duplexers 201A and 201B.
  • the filters 231 and 232 in the communication device 240 are connected between the RF signal processing circuit 203 and the switch 225 without passing through the low noise amplifier circuits 214 and 224 and the power amplifier circuits 234a, 234b, 244a and 244b.
  • the filters 231 and 232 are also connected to the antenna element 202 via the switch 225, similarly to the duplexers 201A and 201B.
  • the high-frequency front-end circuit 230 and the communication device 240 configured as described above, by including the elastic wave device of the present invention, an acoustic wave resonator, a filter, a duplexer, a multiplexer including three or more filters, and the like.
  • the difference in temperature characteristics can be reduced between the portions where at least two IDT electrodes are provided.
  • the elastic wave device, the high-frequency front-end circuit, and the communication device according to the embodiment of the present invention have been described with reference to the embodiment.
  • modifications obtained by various modifications conceived by those skilled in the art within the scope of the present invention without departing from the gist of the present invention, and various devices incorporating the high-frequency front-end circuit and communication device according to the present invention are also described. Included in the invention.
  • the present invention can be widely used in communication devices such as mobile phones as an elastic wave resonator, a filter, a duplexer, a multiplexer, a front end circuit, and a communication device that can be applied to a multiband system.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

電極指ピッチで定まる波長が異なる複数のＩＤＴ電極を有するが、少なくとも２つのＩＤＴ電極間で温度特性の差を小さくすることができる、弾性波装置を提供する。　伝搬するバルク波の音速が圧電薄膜５を伝搬する弾性波の音速より高速である高音速部材に直接または間接に圧電薄膜５が積層されている。圧電薄膜５上に酸化ケイ素膜６が積層されており、酸化ケイ素膜６上に、複数のＩＤＴ電極１１，１２が積層されており、複数のＩＤＴ電極１１，１２が、電極指ピッチで定まる波長が異なる複数のＩＤＴ電極１１，１２を有する。複数のＩＤＴ電極１１，１２のうち、波長が最も短いＩＤＴ電極の波長をλ、圧電薄膜５の波長λに対する割合である波長規格化膜厚（％）をｙ、酸化ケイ素膜６の波長λに対する割合である波長規格化膜厚（％）をｘとした場合、ｙは３５０％以下であり、かつｙ＜１．６ｘ（－０．０１）＋０．０５ｘ（－０．６）－１である、弾性波装置１。

Description

弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置
　本発明は、電極指ピッチで定まる波長が異なる複数のＩＤＴ電極を有する弾性波装置、該弾性波装置を有する高周波フロントエンド回路及び通信装置に関する。
　従来、圧電薄膜を用いており、高周波化に対応でき、かつＱ値を高め得る弾性波装置が知られている。例えば、下記の特許文献１に記載の弾性波装置では、支持基板上に、高音速膜、低音速膜、圧電薄膜及びＩＤＴ電極がこの順序で積層されている。また、高音速支持基板上に、低音速膜、圧電薄膜及びＩＤＴ電極がこの順序で積層されている。
　他方、下記の特許文献２に記載の弾性波装置では、圧電性基板と、ＩＤＴ電極との間に誘電体膜が積層されている。それによって、周波数温度係数ＴＣＦの絶対値が小さくされている。
ＷＯ２０１２／０８６６３９ 特開２００５－２６０９０９号公報
　特許文献２に記載のように、圧電性基板と、ＩＤＴ電極との間に誘電体膜が積層されている場合、周波数温度係数ＴＣＦの絶対値を小さくすることができる。さらに、比帯域を小さい方向に調整することもできる。このような構成を、特許文献１に記載の構造に適用することにより、同様に、周波数温度特性の改善などを果たすことができる。もっとも、特許文献１に記載の構成では、圧電性基板ではなく、厚みが３．５λ以下程度の圧電薄膜が用いられている。なお、λは、ＩＤＴ電極の電極指ピッチで定まる波長である。上記のような構造において、１チップ内に、波長が異なる複数の弾性波共振子を構成しようとした場合、以下のような問題があった。すなわち、複数の弾性波共振子間において、圧電薄膜の波長規格化膜厚や誘電体膜の波長規格化膜厚の関係が異なることとなる。そのため、複数の弾性波共振子間において、温度特性の差が大きくなるおそれがあった。
　このような問題は、複数の弾性波素子だけでなく、１つの弾性波素子内に電極指ピッチが異なる複数のＩＤＴ電極を有する弾性波装置においてもみられた。
　本発明の目的は、電極指ピッチで定まる波長が異なる複数のＩＤＴ電極を有するが、少なくとも２つのＩＤＴ電極間で温度特性の差を小さくすることができる、弾性波装置を提供することにある。
　本発明の他の目的は、本発明の弾性波装置を有する、周波数温度特性に優れた高周波フロントエンド回路及び通信装置を提供することにある。
　本発明に係る弾性波装置は、高音速部材と、前記高音速部材上に直接または間接に積層されている、圧電薄膜と、前記圧電薄膜上に積層された酸化ケイ素膜と、前記酸化ケイ素膜上に積層された複数のＩＤＴ電極と、を備え、前記高音速部材を伝搬するバルク波の音速が、前記圧電薄膜を伝搬する弾性波の音速よりも高く、前記複数のＩＤＴ電極が、電極指ピッチで定まる波長が異なる複数のＩＤＴ電極を有し、前記複数のＩＤＴ電極のうち、前記波長が最も短いＩＤＴ電極の波長をλ、前記圧電薄膜の前記波長λに対する割合である波長規格化膜厚（％）をｙ、前記酸化ケイ素膜の前記波長λに対する割合である波長規格化膜厚（％）をｘとした場合、ｙは３５０％以下であり、かつｙ＜１．６ｘ（－０．０１）＋０．０５ｘ（－０．６）－１である。
　本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、前記酸化ケイ素膜の波長規格化膜厚ｘ（％）は、０＜ｘ＜８（％）である。この場合には、比帯域をさほど狭めることなく、周波数温度特性に優れた弾性波装置を提供することができる。
　本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記圧電薄膜の波長規格化膜厚ｙ（％）が、８０％以下である。この場合には、周波数温度特性をより一層効果的に改善することができる。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記高音速部材と前記圧電薄膜との間に積層されており、伝搬するバルク波の音速が前記圧電薄膜を伝搬する弾性波の音速よりも低い、低音速膜をさらに備える。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、支持基板をさらに備え、前記支持基板上に前記高音速部材が積層されている。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記高音速部材が前記支持基板を兼ねている。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記高音速部材が、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、シリコン、サファイア、リチウムタンタレート、リチウム二オベイト、水晶、アルミナ、ジルコニア、コ－ジライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、酸窒化ケイ素、ＤＬＣ及びダイヤモンドからなる群から選択された少なくとも１種の材料、又は該１種の材料を主成分とする材質からなる。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記低音速膜が、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル及び酸化ケイ素にフッ素、炭素やホウ素を加えてなる化合物からなる群から選択された少なくとも１種の材料からなる。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記支持基板が、シリコン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、サファイア、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶等の圧電体、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、ダイヤモンド、マグネシアからなる群から選択された少なくとも１種の材料からなる。
　本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、前記複数のＩＤＴ電極により、複数の弾性波素子がそれぞれ構成されている。この場合、弾性波素子は、弾性波共振子及び弾性波フィルタのうちの一方であってもよい。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記複数のＩＤＴ電極を有する縦結合共振子型弾性波フィルタが構成されている。この場合には、縦結合共振子型弾性波フィルタの周波数温度特性を効果的に改善することができる。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記圧電薄膜が、ＬｉＴａＯ３圧電単結晶からなる。この場合には、ＬｉＴａＯ３圧電単結晶からなる圧電薄膜を用いた弾性波装置の周波数温度特性をより一層効果的に改善することができる。
　本発明に係る高周波フロントエンド回路は、本発明に従って構成された弾性波装置と、パワーアンプと、を備える。
　本発明に係る通信装置は、本発明に係る高周波フロントエンド回路と、ＲＦ信号処理回路とを備える。
　本発明に係る弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置によれば、電極指ピッチで定まる波長が異なる複数のＩＤＴ電極を有する弾性波装置において、少なくとも２つのＩＤＴ電極間で温度特性の差を小さくすることができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。 図２は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の電極構造を示す模式的平面図である。 図３は、酸化ケイ素膜の波長規格化膜厚（％）と、弾性波共振子の比帯域幅との関係を示す図である。 図４は、ＬｉＴａＯ３膜の波長規格化膜厚（％）と、ＴＣＦとの関係を示す図である。 図５は、酸化ケイ素膜の波長規格化膜厚（％）と、ＴＣＦとの関係を示す図である。 図６は、酸化ケイ素膜の波長規格化膜厚が０．９％である弾性波共振子におけるＬｉＴａＯ３膜の波長規格化膜厚（％）と、ＴＣＶとの関係を示す図である。 図７は、酸化ケイ素膜の波長規格化膜厚が１．４％である弾性波共振子におけるＬｉＴａＯ３膜の波長規格化膜厚（％）と、ＴＣＶとの関係を示す図である。 図８は、酸化ケイ素膜の波長規格化膜厚が６．５％である弾性波共振子におけるＬｉＴａＯ３膜の波長規格化膜厚（％）と、ＴＣＶとの関係を示す図である。 図９は、反共振周波数におけるＴＣＦが相殺されない領域を示す図である。 図１０は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置の電極構造を示す模式的平面図である。 図１１は、本発明の第３の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。 図１２は、第３の実施形態の変形例に係る弾性波装置の正面断面図である。 図１３は、高周波フロントエンド回路を有する通信装置の構成図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
　図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図であり、図２は、本実施形態の弾性波装置の電極構造を示す模式的平面図である。
　図１に示すように、弾性波装置１は、支持基板２を有する。支持基板２上に、高音速部材としての高音速膜３、低音速膜４、ＬｉＴａＯ３からなる圧電薄膜５及び酸化ケイ素膜６がこの順序で積層されている。酸化ケイ素膜６上に、第１のＩＤＴ電極１１及び第２のＩＤＴ電極１２が設けられている。
　弾性波装置１では、図２に示す電極構造が、酸化ケイ素膜６上に設けられている。
　図２に示すように、第１のＩＤＴ電極１１の弾性波伝搬方向両側に、反射器１３，１４が設けられている。それによって、第１の弾性波共振子が構成されている。また、第２のＩＤＴ電極１２の弾性波伝搬方向両側に、反射器１５，１６が設けられている。それによって、第２の弾性波共振子が構成されている。
　第１のＩＤＴ電極１１における第１の電極指ピッチＰ１と、第２のＩＤＴ電極１２における第２の電極指ピッチＰ２とは異なっている。より具体的には、Ｐ２＞Ｐ１である。
　支持基板２は、シリコン（Ｓｉ）からなる。もっとも、支持基板２は、高音速膜３、低音速膜４、圧電薄膜５、酸化ケイ素膜６及び第１，第２のＩＤＴ電極１１，１２を有する積層構造を支持し得る限り、適宜の材料により構成することができる。支持基板２の材料としては、酸化アルミニウム、ダイヤモンド、サファイア、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶等の圧電体；アルミナ、マグネシア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト等の各種セラミック；ガラス等の誘電体；窒化ガリウム等の半導体及び樹脂基板等を用いることができる。
　上記高音速膜３は、弾性波を圧電薄膜５及び低音速膜４が積層されている部分に閉じ込め、高音速膜３より下の構造に漏れないように機能する。本実施形態では、高音速膜３は、窒化アルミニウムからなる。もっとも、上記弾性波を閉じ込め得る限り、高音速材料としては、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、シリコン、サファイア、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶、アルミナ、ジルコニア、コ－ジライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）またはダイヤモンド、上記材料を主成分とする媒質、上記材料の混合物を主成分とする媒質等の様々な材料を用いることができる。弾性波を圧電薄膜５及び低音速膜４が積層されている部分に閉じ込めるには、高音速膜３の膜厚は厚いほど望ましく、弾性波の波長λの０．５倍以上、さらには１．５倍以上であることが望ましい。
　なお、本明細書において、高音速膜とは、圧電薄膜５を伝搬する弾性波よりも、該高音速膜３中を伝搬するバルク波の音速が高速となる膜をいうものとする。また、低音速膜４とは、圧電薄膜５を伝搬する弾性波よりも、該低音速膜４中を伝搬するバルク波の音速が低速となる膜をいうものとする。
　上記低音速膜４を構成する材料としては圧電薄膜５を伝搬する弾性波よりも低音速のバルク波音速を有する適宜の材料を用いることができる。このような低音速材料としては、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、また、酸化ケイ素にフッ素や炭素やホウ素を加えた化合物など、上記材料を主成分とした媒質を用いることができる。
　上記高音速膜３及び低音速膜４は、上記のように決定される高音速及び低音速を実現し得る適宜の誘電体材料からなる。
　圧電薄膜５は、本実施形態では、ＬｉＴａＯ３からなる。もっとも、圧電薄膜５は、ＬｉＮｂＯ３などの他の圧電単結晶からなるものであってもよい。
　酸化ケイ素膜６は、ＳｉＯ２などのＳｉＯｘからなる。なお、ｘは０より大きい数値である。
　第１，第２のＩＤＴ電極１１，１２及び反射器１３，１４，１５，１６は、適宜の金属もしくは合金からなる。このような金属もしくは合金としては、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗまたはこれらの金属のいずれかを主体とする合金を挙げることができる。また、第１，第２のＩＤＴ電極１１，１２及び反射器１３～１６は、これらの金属もしくは合金からなる複数の金属膜を積層した構造を有していてもよい。前述のように、Ｐ１＜Ｐ２である。従って、第１の電極指ピッチＰ１で定まる第１のＩＤＴ電極１１の波長をλ１、第２の電極指ピッチＰ２で定まる第２のＩＤＴ電極１２の波長をλ２とする。この場合、λ１＜λ２となる。
　従って、第１のＩＤＴ電極１１を有する第１の弾性波共振子における、圧電薄膜５の波長λに対する割合である波長規格化膜厚（％）をｙ１（％）、第２のＩＤＴ電極１２を有する第２の弾性波共振子における圧電薄膜５の波長規格化膜厚（％）をｙ２（％）とした場合、第１のＩＤＴ電極１１と第２のＩＤＴ電極１２は同一の圧電薄膜５上に形成されているため、ｙ１＞ｙ２となる。なお、第１のＩＤＴ電極１１における圧電薄膜の膜厚と第２のＩＤＴ電極１２における圧電薄膜の膜厚は略一致している。
　同様に、第１の弾性波共振子における酸化ケイ素膜６の波長λに対する割合である波長規格化膜厚（％）をｘ１（％）、第２の弾性波共振子における酸化ケイ素膜６の波長規格化膜厚（％）を、ｘ２（％）とすると、第１のＩＤＴ電極１１が設けられている部分における酸化ケイ素膜６の膜厚と、第２のＩＤＴ電極１２が設けられている部分における酸化ケイ素膜６の膜厚は同じであるため、ｘ１＞ｘ２となる。なお、第１のＩＤＴ電極１１が設けられている部分における酸化ケイ素膜６の膜厚と第２のＩＤＴ電極１２が設けられている部分における酸化ケイ素膜６の膜厚は略一致している。
　本実施形態の弾性波装置１の特徴は、上記第１，第２のＩＤＴ電極１１，１２のうち、波長が最も短いＩＤＴ電極である第１のＩＤＴ電極１１の波長λ１をλ、圧電薄膜５のλに対する割合である波長規格化膜厚（％）をｙ、酸化ケイ素膜６の波長λに対する割合である波長規格化膜厚（％）をｘとした場合、ｙが３５０％以下であり、かつｙ＜１．６ｘ（－０．０１）＋０．０５ｘ（－０．６）－１を満たすことにある。それによって、電極指ピッチが相対的に小さい第１の弾性波共振子におけるＴＣＦの変化傾向と、電極指ピッチが相対的に大きい第２の弾性波共振子におけるＴＣＦの変化傾向とを相殺することができる。
　従って、第１，第２の弾性波共振子の温度特性の差を小さくすることができる。これを、以下において詳細に説明する。
　図３は、第１の弾性波共振子において、酸化ケイ素膜の波長規格化膜厚と、比帯域幅との関係を示す図である。比帯域幅とは、共振周波数と反共振周波数との間の周波数幅の共振周波数に対する割合（％）である。また、酸化ケイ素膜の波長規格化膜厚（％）は、上記式中のｘに相当する。
　図３から明らかなように、第１の弾性波共振子において、酸化ケイ素膜の波長規格化膜厚（％）が０％より厚くなっていくと、比帯域幅が小さくなっていく。従って、酸化ケイ素膜の波長規格化膜厚を調整することにより、比帯域幅をコントロールすることができる。もっとも、酸化ケイ素膜の波長規格化膜厚が、８％を超えると、比帯域幅はさほど変化しなくなる。従って、比帯域幅をコントロールでき、かつ十分な比帯域幅を得るには、酸化ケイ素膜の波長規格化膜厚ｘ（％）は、０＜ｘ＜８とすることが望ましい。
　他方、図４は、第１の弾性波共振子における圧電薄膜５としてのＬｉＴａＯ３膜の波長規格化膜厚ｙ（％）と、周波数温度係数ＴＣＦ（ｐｐｍ／℃）との関係を示す図である。なお、図４では、反共振周波数における周波数温度係数ＴＣＦの値がプロットされている。
　図４から明らかなように、ＬｉＴａＯ３膜の波長規格化膜厚ｙ（％）が厚くなっていくと、周波数温度係数ＴＣＦが、負の領域で、絶対値が大きくなっていくことがわかる。すなわち、ｙ（％）が大きくなると、周波数温度特性は、悪化する。
　他方、図５は、酸化ケイ素膜の波長規格化膜厚（％）と、周波数温度係数ＴＣＦとの関係を示す。図５においても、反共振周波数におけるＴＣＦの値がプロットされている。
　図５では、酸化ケイ素膜の波長規格化膜厚が厚くなるにつれて、周波数温度係数ＴＣＦが次第に大きくなっていくことがわかる。
　図４及び図５から明らかなように、ＬｉＴａＯ３膜の波長規格化膜厚によるＴＣＦの変化傾向と、酸化ケイ素膜の波長規格化膜厚によるＴＣＦの変化傾向とは逆になっている。従って、本実施形態の弾性波装置１では、電極指ピッチが相対的に小さい第１の弾性波共振子におけるＴＣＦの変化傾向と、電極指ピッチが相対的に大きい第２の弾性波共振子におけるＴＣＦの変化傾向とを相殺することができる。よって、第１，第２の弾性波共振子における温度特性の差を小さくすることができる。
　図６は、酸化ケイ素膜の波長規格化膜厚が０．９％である場合の弾性波共振子におけるＬｉＴａＯ３膜の波長規格化膜厚（％）と、周波数温度係数ＴＣＶ（ｐｐｍ／℃）との関係を示す図である。図７は、酸化ケイ素膜の波長規格化膜厚が１．４％である場合の弾性波共振子におけるＬｉＴａＯ３膜の波長規格化膜厚（％）と、反共振周波数におけるＴＣＶ（ｐｐｍ／℃）との関係を示す図である。図８は、酸化ケイ素膜の波長規格化膜厚が６．５％である場合の弾性波共振子におけるＬｉＴａＯ３膜の波長規格化膜厚（％）と、ＴＣＶ（ｐｐｍ／℃）との関係を示す図である。
　図６～図８のいずれにおいても、ＬｉＴａＯ３膜の波長規格化膜厚が１０％よりも大きくなっていくと、ＴＣＶが負の領域で、絶対値が徐々に大きくなっていく。ＬｉＴａＯ３膜の波長規格化膜厚が３５０％を超えると、ＬｉＴａＯ３膜の波長規格化膜厚の増大による、ＴＣＶの変化傾向が逆方向となる。
　上記図６、図７及び図８、さらに酸化ケイ素膜の波長規格化膜厚が種々の場合について、同様にＬｉＴａＯ３膜の波長規格化膜厚の変化により、ＴＣＶが負の領域で徐々に大きくなる領域、すなわち第１の弾性波共振子と第２の弾性波共振子とにおいて、周波数温度特性の改善傾向を相殺し得る範囲を求めた。
　図９の横軸は酸化ケイ素膜の波長規格化膜厚（％）であり、縦軸はＬｉＴａＯ３膜の波長規格化膜厚（％）であり、図９において斜線のハッチングを付した領域が、第１の弾性波共振子と第２の弾性波共振子において、周波数温度特性の改善傾向を相殺できない領域である。すなわち、例えば、図６の点Ａ３，Ａ４では、ＬｉＴａＯ３膜の波長規格化膜厚が点Ａ３から点Ａ４に変化すると、ＴＣＶは、絶対値が小さくなる方向に変化する。従って、この温度特性の変化を、酸化ケイ素膜の波長規格化膜厚による温度特性の変化と相殺できなくなる。
　従って、点Ａ３及び点Ａ４は、図９において斜線のハッチングを付した領域内に存在する。他方、図６の点Ａ１及び点Ａ２では、ＬｉＴａＯ３膜の波長規格化膜厚が相対的に厚くなると、ＴＣＶの絶対値が大きくなる。よって、第１の弾性波共振子と第２の弾性波共振子の周波数温度特性の改善傾向を相殺することができる。従って、点Ａ１及び点Ａ２は、図９の斜線のハッチングで付した領域外に位置している。
　図９において、上記斜線のハッチングを付した、本発明の効果が得られない領域の外縁が曲線で示されており、この破線を近似した曲線が、ｙ＝１．６ｘ（－０．０１）＋０．０５ｘ（－０．６）－１で表される。従って、ｙ＜１．６ｘ（－０．０１）＋０．０５ｘ（－０．６）－１を満たせば、本発明に従って、第１の弾性波共振子及び第２の弾性波共振子におけるＴＣＦの変化傾向を相殺することができる。よって、第１，第２の弾性波共振子を有する弾性波装置１における周波数温度特性の差を小さくすることができる。
　ここで、ＬｉＴａＯ３膜の波長規格化膜厚が、３５０％以下であれば、Ｑ値を高めることができる。加えて、図９から明らかなように、ＬｉＴａＯ３膜の波長規格化膜厚が、８０％以下であれば、酸化ケイ素膜の波長規格化膜厚が、１０．０％以下のいずれの膜厚においても、第１の弾性波共振子と第２の弾性波共振子におけるＴＣＦの変化を相殺させることができる。従って、周波数温度特性をより一層効果的に改善することができる。
　図１０は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置の電極構造を示す模式的平面図である。第２の実施形態の弾性波装置は、第１～第３のＩＤＴ電極２２～２４を有する３ＩＤＴ型の縦結合共振子型弾性波フィルタである。第１～第３のＩＤＴ電極２２～２４が設けられている領域の弾性波伝搬方向両側に反射器２５，２６が設けられている。
　第２の実施形態の弾性波装置では、電極構造の下方の積層構造は、第１の実施形態と同様である。
　第２の実施形態の弾性波装置では、第１のＩＤＴ電極２２及び第３のＩＤＴ電極２４の第１の電極指ピッチＰ１に比べ、第２のＩＤＴ電極２３の第２の電極指ピッチＰ２が大きくされている。反射器２５，２６における電極指ピッチは、Ｐ１と同じである。
　このように、電極指ピッチがＰ１である第１，第３のＩＤＴ電極２２，２４と、電極指ピッチがＰ２である第２のＩＤＴ電極２３とを有する縦結合共振子型弾性波フィルタにおいても、第１の実施形態と同様に、周波数温度特性を改善することができる。すなわち、第１，第３のＩＤＴ電極２２，２４が設けられている部分におけるＬｉＴａＯ３膜及び酸化ケイ素膜の波長規格化膜厚の変化によるＴＣＦの変化と、第２のＩＤＴ電極２３におけるＴＣＦの変化とを効果的に相殺させることができる。したがって、少なくとも第１のＩＤＴ電極２２及び第３のＩＤＴ電極２４と、第２のＩＤＴ電極２３との温度特性の差を小さくすることができる。
　第２の実施形態の弾性波装置から明らかなように、本発明においては、電極指ピッチが異なる複数のＩＤＴ電極は、１つの弾性波素子内に設けられていてもよい。また、第１の実施形態では、第１，第２の弾性波共振子が構成されていたが、弾性波共振子に代えて、弾性波フィルタが構成されてもよい。
　図１１は、第３の実施形態の弾性波装置３１の正面断面図である。第３の実施形態の弾性波装置３１では、支持基板３２上に、低音速膜３３が積層されている。支持基板３２は、伝搬するバルク波の音速が、圧電薄膜５を伝搬する弾性波の音速よりも高い高音速材料からなる。このように、高音速材料からなる支持基板３２を用いることにより、第１の実施形態における高音速膜を省略してもよい。
　さらに、図１２に示す変形例のように、低音速膜３３を設けずに、高音速材料からなる支持基板３２上に直接圧電薄膜５が積層された構造であってもよい。
　上記各実施形態の弾性装置は、高周波フロントエンド回路のデュプレクサなどの部品として用いることができる。このような高周波フロントエンド回路の例を下記において説明する。
　図１３は、高周波フロントエンド回路を有する通信装置の構成図である。なお、同図には、高周波フロントエンド回路２３０と接続される各構成要素、例えば、アンテナ素子２０２やＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）２０３も併せて図示されている。高周波フロントエンド回路２３０及びＲＦ信号処理回路２０３は、通信装置２４０を構成している。なお、通信装置２４０は、電源、ＣＰＵやディスプレイを含んでいてもよい。
　高周波フロントエンド回路２３０は、スイッチ２２５と、デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂと、フィルタ２３１，２３２と、ローノイズアンプ回路２１４，２２４と、パワーアンプ回路２３４ａ，２３４ｂ，２４４ａ，２４４ｂとを備える。なお、図１３の高周波フロントエンド回路２３０及び通信装置２４０は、高周波フロントエンド回路及び通信装置の一例であって、この構成に限定されるものではない。
　デュプレクサ２０１Ａは、フィルタ２１１，２１２を有する。デュプレクサ２０１Ｂは、フィルタ２２１，２２２を有する。デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂは、スイッチ２２５を介してアンテナ素子２０２に接続される。なお、上記弾性波装置は、デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂであってもよいし、フィルタ２１１，２１２，２２１，２２２であってもよい。上記弾性波装置は、デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂや、フィルタ２１１，２１２，２２１，２２２を構成する弾性波共振子であってもよい。
　さらに、上記弾性波装置は、例えば、３つのフィルタのアンテナ端子が共通化されたトリプレクサや、６つのフィルタのアンテナ端子が共通化されたヘキサプレクサなど、３以上のフィルタを備えるマルチプレクサについても適用することができる。
　すなわち、上記弾性波装置は、弾性波共振子、フィルタ、デュプレクサ、３以上のフィルタを備えるマルチプレクサを含む。そして、該マルチプレクサは、送信フィルタ及び受信フィルタの双方を備える構成に限らず、送信フィルタのみ、または、受信フィルタのみを備える構成であってもかまわない。
　スイッチ２２５は、制御部（図示せず）からの制御信号に従って、アンテナ素子２０２と所定のバンドに対応する信号経路とを接続し、例えば、ＳＰＤＴ（Ｓｉｎｇｌｅ　Ｐｏｌｅ　Ｄｏｕｂｌｅ　Ｔｈｒｏｗ）型のスイッチによって構成される。なお、アンテナ素子２０２と接続される信号経路は１つに限らず、複数であってもよい。つまり、高周波フロントエンド回路２３０は、キャリアアグリゲーションに対応していてもよい。
　ローノイズアンプ回路２１４は、アンテナ素子２０２、スイッチ２２５及びデュプレクサ２０１Ａを経由した高周波信号（ここでは高周波受信信号）を増幅し、ＲＦ信号処理回路２０３へ出力する受信増幅回路である。ローノイズアンプ回路２２４は、アンテナ素子２０２、スイッチ２２５及びデュプレクサ２０１Ｂを経由した高周波信号（ここでは高周波受信信号）を増幅し、ＲＦ信号処理回路２０３へ出力する受信増幅回路である。
　パワーアンプ回路２３４ａ，２３４ｂは、ＲＦ信号処理回路２０３から出力された高周波信号（ここでは高周波送信信号）を増幅し、デュプレクサ２０１Ａ及びスイッチ２２５を経由してアンテナ素子２０２に出力する送信増幅回路である。パワーアンプ回路２４４ａ，２４４ｂは、ＲＦ信号処理回路２０３から出力された高周波信号（ここでは高周波送信信号）を増幅し、デュプレクサ２０１Ｂ及びスイッチ２２５を経由してアンテナ素子２０２に出力する送信増幅回路である。
　ＲＦ信号処理回路２０３は、アンテナ素子２０２から受信信号経路を介して入力された高周波受信信号を、ダウンコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号を出力する。また、ＲＦ信号処理回路２０３は、入力された送信信号をアップコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された高周波送信信号をパワーアンプ回路２４４ａ，２４４ｂへ出力する。ＲＦ信号処理回路２０３は、例えば、ＲＦＩＣである。なお、通信装置は、ＢＢ（ベースバンド）ＩＣを含んでいてもよい。この場合、ＢＢＩＣは、ＲＦＩＣで処理された受信信号を信号処理する。また、ＢＢＩＣは、送信信号を信号処理し、ＲＦＩＣに出力する。ＢＢＩＣで処理された受信信号や、ＢＢＩＣが信号処理する前の送信信号は、例えば、画像信号や音声信号等である。なお、高周波フロントエンド回路２３０は、上述した各構成要素の間に、他の回路素子を備えていてもよい。
　なお、高周波フロントエンド回路２３０は、上記デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂに代わり、デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂの変形例に係るデュプレクサを備えていてもよい。
　他方、通信装置２４０におけるフィルタ２３１，２３２は、ローノイズアンプ回路２１４，２２４及びパワーアンプ回路２３４ａ，２３４ｂ，２４４ａ，２４４ｂを介さず、ＲＦ信号処理回路２０３とスイッチ２２５との間に接続されている。フィルタ２３１，２３２も、デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂと同様に、スイッチ２２５を介してアンテナ素子２０２に接続される。
　以上のように構成された高周波フロントエンド回路２３０及び通信装置２４０によれば、本発明の弾性波装置である、弾性波共振子、フィルタ、デュプレクサ、３以上のフィルタを備えるマルチプレクサ等を備えることにより、少なくとも２つのＩＤＴ電極が設けられている部分間で温度特性の差を小さくすることができる。
　以上、本発明の実施形態に係る弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置について、実施形態を挙げて説明したが、上記各実施形態における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施形態や、上記実施形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係る高周波フロントエンド回路及び通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
　本発明は、弾性波共振子、フィルタ、デュプレクサ、マルチバンドシステムに適用できるマルチプレクサ、フロントエンド回路及び通信装置として、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。
１…弾性波装置
２…支持基板
３…高音速膜
４…低音速膜
５…圧電薄膜
６…酸化ケイ素膜
１１，１２…第１，第２のＩＤＴ電極
１３～１６…反射器
２２～２４…第１～第３のＩＤＴ電極
２５，２６…反射器
３１…弾性波装置
３２…支持基板
３３…低音速膜
２０１Ａ，２０１Ｂ…デュプレクサ
２０２…アンテナ素子
２０３…ＲＦ信号処理回路
２１１，２１２…フィルタ
２１４…ローノイズアンプ回路
２２１，２２２…フィルタ
２２４…ローノイズアンプ回路
２２５…スイッチ
２３０…高周波フロントエンド回路
２３１，２３２…フィルタ
２３４ａ，２３４ｂ…パワーアンプ回路
２４０…通信装置
２４４ａ，２４４ｂ…パワーアンプ回路

Claims (15)

  1. 　高音速部材と、
    　前記高音速部材上に直接または間接に積層されている、圧電薄膜と、
    　前記圧電薄膜上に積層された酸化ケイ素膜と、
    　前記酸化ケイ素膜上に積層された複数のＩＤＴ電極と、
    を備え、
    　前記高音速部材を伝搬するバルク波の音速が、前記圧電薄膜を伝搬する弾性波の音速よりも高く、
    　前記複数のＩＤＴ電極が、電極指ピッチで定まる波長が異なる複数のＩＤＴ電極を有し、
    　前記複数のＩＤＴ電極のうち、前記波長が最も短いＩＤＴ電極の波長をλ、前記圧電薄膜の前記波長λに対する割合である波長規格化膜厚（％）をｙ、前記酸化ケイ素膜の前記波長λに対する割合である波長規格化膜厚（％）をｘとした場合、ｙは３５０％以下であり、かつｙ＜１．６ｘ（－０．０１）＋０．０５ｘ（－０．６）－１である、弾性波装置。
  2. 　前記酸化ケイ素膜の波長規格化膜厚ｘ（％）は、０＜ｘ＜８（％）である、請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　前記圧電薄膜の波長規格化膜厚ｙ（％）が、８０％以下である、請求項１または２に記載の弾性波装置。
  4. 　前記高音速部材と前記圧電薄膜との間に積層されており、伝搬するバルク波の音速が前記圧電薄膜を伝搬する弾性波の音速よりも低い、低音速膜をさらに備える、請求項１～３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  5. 　支持基板をさらに備え、前記支持基板上に前記高音速部材が積層されている、請求項１～４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  6. 　前記高音速部材が前記支持基板を兼ねている、請求項１～４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  7. 　前記高音速部材が、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、シリコン、サファイア、リチウムタンタレート、リチウム二オベイト、水晶、アルミナ、ジルコニア、コ－ジライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、酸窒化ケイ素、ＤＬＣ及びダイヤモンドからなる群から選択された少なくとも１種の材料、又は該１種の材料を主成分とする材質からなる、請求項１～６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  8. 　前記低音速膜が、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル及び酸化ケイ素にフッ素、炭素やホウ素を加えてなる化合物からなる群から選択された少なくとも１種の材料からなる、請求項４に記載の弾性波装置。
  9. 　前記支持基板が、シリコン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、サファイア、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶等の圧電体、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、ダイヤモンド、マグネシア、からなる群から選択された少なくとも１種の材料からなる、請求項５に記載の弾性波装置。
  10. 　前記複数のＩＤＴ電極により、複数の弾性波素子がそれぞれ構成されている、請求項１～９のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  11. 　前記弾性波素子が、弾性波共振子及び弾性波フィルタのうちの一方である、請求項１０に記載の弾性波装置。
  12. 　前記複数のＩＤＴ電極を有する縦結合共振子型弾性波フィルタが構成されている、請求項１～９のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  13. 　前記圧電薄膜が、ＬｉＴａＯ３圧電単結晶からなる、請求項１～１２のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  14. 　請求項１～１３のいずれか１項に記載の弾性波装置と、
    　パワーアンプと、
    を備える、高周波フロントエンド回路。
  15. 　請求項１４に記載の高周波フロントエンド回路と、
    　ＲＦ信号処理回路と、
    を備える、通信装置。
PCT/JP2017/040850 2017-02-10 2017-11-14 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置 WO2018146883A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020197022410A KR102272692B1 (ko) 2017-02-10 2017-11-14 탄성파 장치, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치
CN201780085778.9A CN110268629B (zh) 2017-02-10 2017-11-14 弹性波装置、高频前端电路以及通信装置
JP2018566760A JP6766896B2 (ja) 2017-02-10 2017-11-14 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置
US16/532,523 US10886896B2 (en) 2017-02-10 2019-08-06 Acoustic wave device, high-frequency front-end circuit, and communication device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017023097 2017-02-10
JP2017-023097 2017-02-10

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US16/532,523 Continuation US10886896B2 (en) 2017-02-10 2019-08-06 Acoustic wave device, high-frequency front-end circuit, and communication device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2018146883A1 true WO2018146883A1 (ja) 2018-08-16

Family

ID=63107371

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2017/040850 WO2018146883A1 (ja) 2017-02-10 2017-11-14 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10886896B2 (ja)
JP (1) JP6766896B2 (ja)
KR (1) KR102272692B1 (ja)
CN (1) CN110268629B (ja)
WO (1) WO2018146883A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022220222A1 (ja) * 2021-04-16 2022-10-20 株式会社村田製作所 弾性波装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112737537A (zh) * 2020-12-25 2021-04-30 广东广纳芯科技有限公司 一种双层poi结构声表面波谐振器及制造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006513649A (ja) * 2003-01-23 2006-04-20 エプコス　アクチエンゲゼルシャフト 改善された温度特性を有するｓａｗ素子
WO2012073871A1 (ja) * 2010-11-30 2012-06-07 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
JP2013046107A (ja) * 2011-08-22 2013-03-04 Taiyo Yuden Co Ltd 弾性波デバイスおよびモジュール
WO2017013968A1 (ja) * 2015-07-17 2017-01-26 株式会社村田製作所 弾性波装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4036856B2 (ja) 2004-10-07 2008-01-23 アルプス電気株式会社 弾性表面波素子を用いたバンドパスフィルタ
KR101623099B1 (ko) * 2010-12-24 2016-05-20 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 장치 및 그 제조 방법
JP6304369B2 (ja) * 2014-03-13 2018-04-04 株式会社村田製作所 弾性波装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006513649A (ja) * 2003-01-23 2006-04-20 エプコス　アクチエンゲゼルシャフト 改善された温度特性を有するｓａｗ素子
WO2012073871A1 (ja) * 2010-11-30 2012-06-07 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
JP2013046107A (ja) * 2011-08-22 2013-03-04 Taiyo Yuden Co Ltd 弾性波デバイスおよびモジュール
WO2017013968A1 (ja) * 2015-07-17 2017-01-26 株式会社村田製作所 弾性波装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022220222A1 (ja) * 2021-04-16 2022-10-20 株式会社村田製作所 弾性波装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190099065A (ko) 2019-08-23
US20190363697A1 (en) 2019-11-28
JPWO2018146883A1 (ja) 2019-12-12
CN110268629A (zh) 2019-09-20
CN110268629B (zh) 2023-11-03
US10886896B2 (en) 2021-01-05
JP6766896B2 (ja) 2020-10-14
KR102272692B1 (ko) 2021-07-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102142866B1 (ko) 탄성파 장치, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치
US11764880B2 (en) Acoustic wave device, multiplexer, high-frequency front end circuit, and communication device
US11984869B2 (en) Acoustic wave device
JP6964603B2 (ja) マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置
US11190162B2 (en) Acoustic wave device, high-frequency front-end circuit, and communication apparatus
JP7136293B2 (ja) 弾性波装置、弾性波装置パッケージ及びマルチプレクサ
KR102142868B1 (ko) 탄성파 장치, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치
CN110268628B (zh) 弹性波装置、高频前端电路以及通信装置
CN110166017B (zh) 弹性波装置、多工器、高频前端电路以及通信装置
JP6977703B2 (ja) 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置
US10886896B2 (en) Acoustic wave device, high-frequency front-end circuit, and communication device
JP2018195936A (ja) 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置
JP6950654B2 (ja) 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置
US20190165764A1 (en) Elastic wave device, radio-frequency front-end circuit, and communication device
JP2019047363A (ja) 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置
US11456725B2 (en) Acoustic wave device, radio-frequency front-end circuit, and communication apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 17895780

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20197022410

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2018566760

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 17895780

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1