JP2000341080A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
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- acoustic wave
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- electrodes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来のＳＡＷフィルタは、通過帯域の高周波
側において通過周波数の２倍、３倍のハーモニック信号
を抑圧する減衰量を確保できないという欠点があり、こ
の通過周波数の２倍や３倍の周波数帯にて減衰させるこ
と。 【解決手段】 圧電基板Ａ上に、少なくとも１つ以上の
共振子を構成する励振電極と、該励振電極４，５に接続
される入出力信号用の信号電極９，１０と、信号電極
９，１０を両側から挟むように形成され励振電極に接続
される接地電極６，７，８を配設した弾性表面波素子１
を、パッケージ２内に収容するとともに、弾性表面波素
子１の信号電極を、パッケージ２内に形成した入出力信
号用の信号端子に、弾性表面波素子１の接地電極を、パ
ッケージ２の信号端子を両側から挟むように形成した接
地端子に、それぞれ導体を介して接続したことを特徴と
する弾性表面波装置Ｓとする。
側において通過周波数の２倍、３倍のハーモニック信号
を抑圧する減衰量を確保できないという欠点があり、こ
の通過周波数の２倍や３倍の周波数帯にて減衰させるこ
と。 【解決手段】 圧電基板Ａ上に、少なくとも１つ以上の
共振子を構成する励振電極と、該励振電極４，５に接続
される入出力信号用の信号電極９，１０と、信号電極
９，１０を両側から挟むように形成され励振電極に接続
される接地電極６，７，８を配設した弾性表面波素子１
を、パッケージ２内に収容するとともに、弾性表面波素
子１の信号電極を、パッケージ２内に形成した入出力信
号用の信号端子に、弾性表面波素子１の接地電極を、パ
ッケージ２の信号端子を両側から挟むように形成した接
地端子に、それぞれ導体を介して接続したことを特徴と
する弾性表面波装置Ｓとする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、自動車電話及び携
帯電話等の移動体無線機器に内蔵される周波数帯域フィ
ルタ等の弾性表面波装置に関する。
帯電話等の移動体無線機器に内蔵される周波数帯域フィ
ルタ等の弾性表面波装置に関する。
【０００２】
【従来の技術とその課題】近年、電波を利用し通信を行
う電子機器用の帯域通過フィルタ等の周波数フィルタ
（以下、フィルタという）、遅延線、発振器等の電子部
品として、多くの弾性表面波（Surface Acoustic Wave
で、以下、ＳＡＷと略す）共振子やＳＡＷフィルタが用
いられている。特に、移動体通信分野において、携帯電
話等の携帯端末装置のＲＦ（Radio Frequency ：無線周
波数あるいは高周波）ブロック及びＩＦ（Intermediate
Frequency：中間周波数）ブロックのフィルタとして多
用されている。特に、自動車電話及び携帯電話等の移動
体無線機器を使用した通信システム上、占有周波数が約
２ＧＨｚの高周波帯に設定され、かつ、機器内の増幅器
のひずみにより高調波が増幅されるため通過周波数の２
倍や３倍の約４ＧＨｚや約６ＧＨｚの周波数帯にて高減
衰可能なフィルタが望まれている。
う電子機器用の帯域通過フィルタ等の周波数フィルタ
（以下、フィルタという）、遅延線、発振器等の電子部
品として、多くの弾性表面波（Surface Acoustic Wave
で、以下、ＳＡＷと略す）共振子やＳＡＷフィルタが用
いられている。特に、移動体通信分野において、携帯電
話等の携帯端末装置のＲＦ（Radio Frequency ：無線周
波数あるいは高周波）ブロック及びＩＦ（Intermediate
Frequency：中間周波数）ブロックのフィルタとして多
用されている。特に、自動車電話及び携帯電話等の移動
体無線機器を使用した通信システム上、占有周波数が約
２ＧＨｚの高周波帯に設定され、かつ、機器内の増幅器
のひずみにより高調波が増幅されるため通過周波数の２
倍や３倍の約４ＧＨｚや約６ＧＨｚの周波数帯にて高減
衰可能なフィルタが望まれている。
【０００３】図２に従来のＳＡＷフィルタＪの上面図を
示す。ＳＡＷフィルタＪにおいて、パッケージ２内に載
置したＳＡＷ素子１の直列共振子及び並列共振子４、５
は、一対の櫛歯状電極（InterDigital Transducer で、
以下、ＩＤＴ電極と略す）を配置し、回路を構成する。
また、ＩＤＴ電極から励起されるＳＡＷ伝搬路上にＳＡ
Ｗを効率良く共振させるため、ＩＤＴ電極の両側に反射
器を配置する場合がある。共振子は、たとえば４２°Ｙ
カットＸ伝搬タンタル酸リチウム単結晶等から成る圧電
基板上に、蒸着法、スパッタ法等によりＡｌ、Ａｌ−Ｃ
ｕ合金等の導電物が、またフォトリソグラフィ法等によ
り微細な電極となるようにパターンを形成し、弾性表面
波フィルタ素子が作製される。また、電極を配した複数
の主にアルミナセラミック層で構成されたパッケージ
に、ＳＡＷ素子を載置し、入出力電極または接地電極を
それぞれの引き出し部の電極にワイヤボンディングで接
続を行っている。
示す。ＳＡＷフィルタＪにおいて、パッケージ２内に載
置したＳＡＷ素子１の直列共振子及び並列共振子４、５
は、一対の櫛歯状電極（InterDigital Transducer で、
以下、ＩＤＴ電極と略す）を配置し、回路を構成する。
また、ＩＤＴ電極から励起されるＳＡＷ伝搬路上にＳＡ
Ｗを効率良く共振させるため、ＩＤＴ電極の両側に反射
器を配置する場合がある。共振子は、たとえば４２°Ｙ
カットＸ伝搬タンタル酸リチウム単結晶等から成る圧電
基板上に、蒸着法、スパッタ法等によりＡｌ、Ａｌ−Ｃ
ｕ合金等の導電物が、またフォトリソグラフィ法等によ
り微細な電極となるようにパターンを形成し、弾性表面
波フィルタ素子が作製される。また、電極を配した複数
の主にアルミナセラミック層で構成されたパッケージ
に、ＳＡＷ素子を載置し、入出力電極または接地電極を
それぞれの引き出し部の電極にワイヤボンディングで接
続を行っている。
【０００４】このように、従来のＳＡＷフィルタＪで
は、３つの素子上の電極部６、７、８はともに並列腕共
振子５から同じ方向へ引き出されている。そのためワイ
ヤボンディング３は４つあるパッケージ２の接地電極の
電極の２つに集中するという構造になっているため、Ｓ
ＡＷ素子１の接続される接地電極１１〜１４の電極が異
なる電位となり、大きな減衰量が得られなかった。それ
でも、従来は高々３ＧＨｚの周波数帯の減衰量が要求さ
れている程度であり、従来のＳＡＷフィルタの構成でも
対応できていた。
は、３つの素子上の電極部６、７、８はともに並列腕共
振子５から同じ方向へ引き出されている。そのためワイ
ヤボンディング３は４つあるパッケージ２の接地電極の
電極の２つに集中するという構造になっているため、Ｓ
ＡＷ素子１の接続される接地電極１１〜１４の電極が異
なる電位となり、大きな減衰量が得られなかった。それ
でも、従来は高々３ＧＨｚの周波数帯の減衰量が要求さ
れている程度であり、従来のＳＡＷフィルタの構成でも
対応できていた。
【０００５】しかしながら、上記構造の電極構造では準
ミリ波帯になってくると接地電極の電極の長さが周波数
波長領域に近づき、もはや接地電極の電極といえど従来
の電極構造では、通過帯域の高周波側において、通過周
波数の２倍、３倍のハーモニック信号を抑圧する減衰量
を確保できないという欠点があり、この通過周波数の２
倍や３倍の周波数帯にて減衰させることが課題となって
いる。
ミリ波帯になってくると接地電極の電極の長さが周波数
波長領域に近づき、もはや接地電極の電極といえど従来
の電極構造では、通過帯域の高周波側において、通過周
波数の２倍、３倍のハーモニック信号を抑圧する減衰量
を確保できないという欠点があり、この通過周波数の２
倍や３倍の周波数帯にて減衰させることが課題となって
いる。
【０００６】そこで、本発明は上記欠点を解決するため
になされたものであって、通過域の高域側において高阻
止減衰量を有するＳＡＷフィルタを提供することを目的
とする。
になされたものであって、通過域の高域側において高阻
止減衰量を有するＳＡＷフィルタを提供することを目的
とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の弾性表面波装置
は、圧電基板上に、少なくとも１つ以上の共振子を構成
する励振電極と、該励振電極に接続される入出力信号用
の信号電極と、該信号電極を両側から挟むように形成さ
れ前記励振電極に接続される接地電極とを配設した弾性
表面波素子を、パッケージ内に収容するとともに、前記
弾性表面波素子の信号電極を、前記パッケージ内に形成
した入出力信号用の信号端子に、前記弾性表面波素子の
接地電極を、前記パッケージの信号端子を両側から挟む
ように形成した接地端子に、それぞれ導体を介して接続
したことを特徴とする。
は、圧電基板上に、少なくとも１つ以上の共振子を構成
する励振電極と、該励振電極に接続される入出力信号用
の信号電極と、該信号電極を両側から挟むように形成さ
れ前記励振電極に接続される接地電極とを配設した弾性
表面波素子を、パッケージ内に収容するとともに、前記
弾性表面波素子の信号電極を、前記パッケージ内に形成
した入出力信号用の信号端子に、前記弾性表面波素子の
接地電極を、前記パッケージの信号端子を両側から挟む
ように形成した接地端子に、それぞれ導体を介して接続
したことを特徴とする。
【０００８】また、導体のインダクタンスが０．３ｎＨ
〜１．２ｎＨであることを特徴とする。
〜１．２ｎＨであることを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明に係る弾性表面波装置の実
施形態を図面に基づき詳細に説明する。
施形態を図面に基づき詳細に説明する。
【００１０】図１に本発明の弾性表面波装置Ｓの上面図
を示す。本発明に係る弾性表面波装置は、圧電基板Ａ上
において、入出力信号９、１０に対して直列と並列に複
数の共振子４、５で構成される励振電極を配設したＳＡ
Ｗ素子１をパッケージ２に載置したものである。
を示す。本発明に係る弾性表面波装置は、圧電基板Ａ上
において、入出力信号９、１０に対して直列と並列に複
数の共振子４、５で構成される励振電極を配設したＳＡ
Ｗ素子１をパッケージ２に載置したものである。
【００１１】ＳＡＷ素子１の並列共振子の励振電極５に
はそれぞれ接地電極６、７、８が接続されており、接地
電極６、７、８からパッケージ２の接地端子１１〜１４
へワイヤ３により接続されている。ここで前記パッケー
ジの接地端子１１〜１４の電極がＳＡＷ素子の接地電極
６、７、８のいずれかと接続されている。
はそれぞれ接地電極６、７、８が接続されており、接地
電極６、７、８からパッケージ２の接地端子１１〜１４
へワイヤ３により接続されている。ここで前記パッケー
ジの接地端子１１〜１４の電極がＳＡＷ素子の接地電極
６、７、８のいずれかと接続されている。
【００１２】例えば、図１においては、ＳＡＷ素子の接
地電極数は３つに対し、パッケージの接地端子の電極数
は４つである。この場合、ＳＡＷ素子の接地電極のうち
１つは２本のワイヤボンディングでそれぞれ２つのパッ
ケージの接地端子へ接続され、残りの２つは１本のワイ
ヤボンディングでそれぞれのパッケージ接地端子へ接続
されている。
地電極数は３つに対し、パッケージの接地端子の電極数
は４つである。この場合、ＳＡＷ素子の接地電極のうち
１つは２本のワイヤボンディングでそれぞれ２つのパッ
ケージの接地端子へ接続され、残りの２つは１本のワイ
ヤボンディングでそれぞれのパッケージ接地端子へ接続
されている。
【００１３】また、図５に示すようにパッケージは６個
の金属端子を形成し、中央の２端子が信号線、４隅の４
端子がＧへ接地されており、コプレーナガイドにより前
後の回路へと信号が伝えられる。
の金属端子を形成し、中央の２端子が信号線、４隅の４
端子がＧへ接地されており、コプレーナガイドにより前
後の回路へと信号が伝えられる。
【００１４】ＳＡＷ素子１に配置する共振子４、５は高
周波において容量性であり、共振子４、５とワイヤ３及
びパッケージ２の接地端子の接続のインダクタ成分によ
り、並列ＬＣ回路により減衰極が発生する。前記減衰極
は２つ存在し、低周波側にある減衰極は並列共振子５か
ら接地共通電極までインダクタ成分と並列共振子５の容
量で発生し、また、高周波側にある減衰極は接地共通電
極６、７、８から接地電位までのインダクタ成分と並列
共振子の容量で発生する。
周波において容量性であり、共振子４、５とワイヤ３及
びパッケージ２の接地端子の接続のインダクタ成分によ
り、並列ＬＣ回路により減衰極が発生する。前記減衰極
は２つ存在し、低周波側にある減衰極は並列共振子５か
ら接地共通電極までインダクタ成分と並列共振子５の容
量で発生し、また、高周波側にある減衰極は接地共通電
極６、７、８から接地電位までのインダクタ成分と並列
共振子の容量で発生する。
【００１５】このことから、ＳＡＷ素子の接地電極６、
７、８からパッケージの接地端子１１〜１４の電極まで
のインダクタ成分を大きくすることで、前記ＬＣ回路に
より通過帯域の３倍の周波数帯以上で発生していた減衰
極を低周波へ移動できる。また、同様にインダクタ成分
を小さくすることで、前記ＬＣ回路により通過帯域の周
波数帯で発生していた減衰極を高周波へ移動できる。
７、８からパッケージの接地端子１１〜１４の電極まで
のインダクタ成分を大きくすることで、前記ＬＣ回路に
より通過帯域の３倍の周波数帯以上で発生していた減衰
極を低周波へ移動できる。また、同様にインダクタ成分
を小さくすることで、前記ＬＣ回路により通過帯域の周
波数帯で発生していた減衰極を高周波へ移動できる。
【００１６】ところが、従来の図２に示すＳＡＷフィル
タＪによると、接地状態はともにＳＡＷ素子の接地電極
６、７、８から同じ方向へ引き出されている。そのため
ワイヤ３は４つあるパッケージ２の接地端子の１１〜１
４電極の２つに集中するという構造になっているため、
パッケージ２の接地端子ではそれぞれの端子で異なる電
位になってしまう。このような状態になるとコプレーナ
ガイドでは電界の発生が非対称になり、設計通りのイン
ピーダンスが実現できなくなり前記の減衰極を高周波へ
移動させても大きな減衰量が実現できない。
タＪによると、接地状態はともにＳＡＷ素子の接地電極
６、７、８から同じ方向へ引き出されている。そのため
ワイヤ３は４つあるパッケージ２の接地端子の１１〜１
４電極の２つに集中するという構造になっているため、
パッケージ２の接地端子ではそれぞれの端子で異なる電
位になってしまう。このような状態になるとコプレーナ
ガイドでは電界の発生が非対称になり、設計通りのイン
ピーダンスが実現できなくなり前記の減衰極を高周波へ
移動させても大きな減衰量が実現できない。
【００１７】本発明によるところの構造の特徴は、特に
パッケージ２の接地端子１１〜１４にそれぞれインダク
タンス成分が等しくなるようにワイヤ３などで導体を形
成することによりパッケージの端子毎に電位がばらつか
ないようにできるところにある。上記の構造とすること
でコプレーナガイドの電界の発生が対称になり高周波側
減衰量の良好な電気特性が得られる。
パッケージ２の接地端子１１〜１４にそれぞれインダク
タンス成分が等しくなるようにワイヤ３などで導体を形
成することによりパッケージの端子毎に電位がばらつか
ないようにできるところにある。上記の構造とすること
でコプレーナガイドの電界の発生が対称になり高周波側
減衰量の良好な電気特性が得られる。
【００１８】また、ＳＡＷ素子１の形状は、信号電極に
対して両側にそれぞれ少なくとも１つの接地電極が配置
されていると、ＳＡＷ素子の接地電極からパッケージの
接地端子へ接続されているワイヤの長さをほぼ等しくす
ることができ、パッケージの各接地端子でインピーダン
スを等しくする調整が容易にできる。
対して両側にそれぞれ少なくとも１つの接地電極が配置
されていると、ＳＡＷ素子の接地電極からパッケージの
接地端子へ接続されているワイヤの長さをほぼ等しくす
ることができ、パッケージの各接地端子でインピーダン
スを等しくする調整が容易にできる。
【００１９】また、ＳＡＷ素子の接地電極１つの大きさ
は約１５０μｍ×４００μｍとなっている。それに対し
ワイヤは、ボンディングによるつぶれが発生するため接
地電極上では約１００〜１２０μｍになる。このためワ
イヤは接地電極１つあたり３本まで形成可能である。ワ
イヤ１本あたり約１ｎＨのインダクタを持っているの
で、３本では０．３ｎＨとなる。４本以上にするには接
地電極を大きくする必要があるが、これは部品の大型化
や、ウェハ１枚あたりから取れるＳＡＷ素子数の減少が
発生するため４本以上は適していない。
は約１５０μｍ×４００μｍとなっている。それに対し
ワイヤは、ボンディングによるつぶれが発生するため接
地電極上では約１００〜１２０μｍになる。このためワ
イヤは接地電極１つあたり３本まで形成可能である。ワ
イヤ１本あたり約１ｎＨのインダクタを持っているの
で、３本では０．３ｎＨとなる。４本以上にするには接
地電極を大きくする必要があるが、これは部品の大型化
や、ウェハ１枚あたりから取れるＳＡＷ素子数の減少が
発生するため４本以上は適していない。
【００２０】また、図６に示すように、フィルタ特性は
通過帯域低域側の減衰量が小さくなる傾向にあり０．３
ｎＨ以下では２５ｄＢ以下になってしまい特性上好まし
くない。以上から０．３ｎＨが下限である。また、図６
に示すように、インダクタンスが１．２ｎＨより大きく
なるとインダクタ成分が大きくなりすぎ減衰極が低周波
側に過剰に移動するため、大きな減衰量が得られなくな
る。つまり、通過帯域の３倍の周波数帯での減衰量が１
０ｄＢ以上必要にもかかわらず確保できない特性になっ
てしまうため１．２ｎＨが上限となる。
通過帯域低域側の減衰量が小さくなる傾向にあり０．３
ｎＨ以下では２５ｄＢ以下になってしまい特性上好まし
くない。以上から０．３ｎＨが下限である。また、図６
に示すように、インダクタンスが１．２ｎＨより大きく
なるとインダクタ成分が大きくなりすぎ減衰極が低周波
側に過剰に移動するため、大きな減衰量が得られなくな
る。つまり、通過帯域の３倍の周波数帯での減衰量が１
０ｄＢ以上必要にもかかわらず確保できない特性になっ
てしまうため１．２ｎＨが上限となる。
【００２１】以上から、通過帯域より高周波側の周波数
帯で減衰量を大きくでき得る範囲は、前記ＳＡＷ素子の
接地電極とパッケージの接地端子を接続する導体のイン
ダクタ成分が、それぞれ０．３ｎＨから１．２ｎＨの範
囲内とすれば良い。
帯で減衰量を大きくでき得る範囲は、前記ＳＡＷ素子の
接地電極とパッケージの接地端子を接続する導体のイン
ダクタ成分が、それぞれ０．３ｎＨから１．２ｎＨの範
囲内とすれば良い。
【００２２】また、基板のコプレーナガイドの延長線上
にあるパッケージの信号端子と接地端子電極の間隔（図
１中のｄを参照）により、減衰量が変化する。変化の度
合いを図７に示す。横軸には前記間隔ｄを、縦軸には
４．８ＧＨｚ於いての高域側減衰量をとった場合の変化
を示している。図７の通り、通過帯域より高周波側の周
波数帯での減衰量が２０ｄＢ確保出来得る最適な範囲と
して、前記間隔ｄは０．０９ｍｍから０．４７ｍｍの範
囲内とすれば良い。
にあるパッケージの信号端子と接地端子電極の間隔（図
１中のｄを参照）により、減衰量が変化する。変化の度
合いを図７に示す。横軸には前記間隔ｄを、縦軸には
４．８ＧＨｚ於いての高域側減衰量をとった場合の変化
を示している。図７の通り、通過帯域より高周波側の周
波数帯での減衰量が２０ｄＢ確保出来得る最適な範囲と
して、前記間隔ｄは０．０９ｍｍから０．４７ｍｍの範
囲内とすれば良い。
【００２３】なお、ＳＡＷ素子を構成する圧電基板はタ
ンタル酸リチウム単結晶、ニオブ酸リチウム単結晶、水
晶、４ほう酸リチウム単結晶、ランガサイト系単結晶、
ニオブ酸カリウム単結晶、ガリ砒素が主に適用できる。
また、ＩＤＴ電極材はアルミ、アルミ・銅合金、アルミ
・チタン合金、アルミ・珪素合金、金、銀、銀・パラデ
ィウム合金が主に適用できる。また、引き出し電極材は
主材にアルミ、アルミ・銅合金、アルミ・チタン合金、
アルミ・珪素合金、金、銀、銀・パラディウム合金が主
に適用でき、電極の密着度向上や電気抵抗の削減のため
下地材が必要な場合には、クロム、チタン、銅が主に適
用できる。
ンタル酸リチウム単結晶、ニオブ酸リチウム単結晶、水
晶、４ほう酸リチウム単結晶、ランガサイト系単結晶、
ニオブ酸カリウム単結晶、ガリ砒素が主に適用できる。
また、ＩＤＴ電極材はアルミ、アルミ・銅合金、アルミ
・チタン合金、アルミ・珪素合金、金、銀、銀・パラデ
ィウム合金が主に適用できる。また、引き出し電極材は
主材にアルミ、アルミ・銅合金、アルミ・チタン合金、
アルミ・珪素合金、金、銀、銀・パラディウム合金が主
に適用でき、電極の密着度向上や電気抵抗の削減のため
下地材が必要な場合には、クロム、チタン、銅が主に適
用できる。
【００２４】なお、本発明は上記の実施形態に限定され
るものでなく、ＳＡＷフィルタだけでなく、ＳＡＷデュ
プレクサにも本発明が適用でき、本発明の要旨を逸脱し
ない範囲で種々の変更は何等差し支えない。
るものでなく、ＳＡＷフィルタだけでなく、ＳＡＷデュ
プレクサにも本発明が適用でき、本発明の要旨を逸脱し
ない範囲で種々の変更は何等差し支えない。
【００２５】
【実施例】以下に、本発明に係るＳＡＷ装置のより具体
的な実施例について説明する。
的な実施例について説明する。
【００２６】まず、図１に示したＳＡＷ素子１は、４２
°ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム単結晶の圧電基板
上にＩＤＴ電極の周期長１．９９μｍ、対数１１０対、
交差幅３９．８μｍの梯子型直列腕共振子を２個と、周
期長２．１μｍ、対数７５対、交差幅４２．０μｍの梯
子型並列腕共振子を３個、また、全ての共振子の反射器
本数が２０本で設計し、電極は材料Ａｌ−Ｃｕ合金をス
パッタ法にて膜厚２０００Åで成膜を行い、ウェハプロ
セスで通常行われているフォトリソ工程によりパターニ
ングした。
°ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム単結晶の圧電基板
上にＩＤＴ電極の周期長１．９９μｍ、対数１１０対、
交差幅３９．８μｍの梯子型直列腕共振子を２個と、周
期長２．１μｍ、対数７５対、交差幅４２．０μｍの梯
子型並列腕共振子を３個、また、全ての共振子の反射器
本数が２０本で設計し、電極は材料Ａｌ−Ｃｕ合金をス
パッタ法にて膜厚２０００Åで成膜を行い、ウェハプロ
セスで通常行われているフォトリソ工程によりパターニ
ングした。
【００２７】保護膜は素子全面に材料ＳｉＯ2 をスパッ
タ法にて膜厚５００Åで膜付けを行った。この後、ワイ
ヤと接続させる部位をＣＤＥ（Chemical Dry Etching）
で除去し、本ウェハをダイシングし、個々の素子に切り
離す。この素子を本発明の図１にあるパッケージ２に載
置し、ワイヤ３を図の通りＳＡＷ素子１の接続部とパッ
ケージ２の接続部の間に接続した。
タ法にて膜厚５００Åで膜付けを行った。この後、ワイ
ヤと接続させる部位をＣＤＥ（Chemical Dry Etching）
で除去し、本ウェハをダイシングし、個々の素子に切り
離す。この素子を本発明の図１にあるパッケージ２に載
置し、ワイヤ３を図の通りＳＡＷ素子１の接続部とパッ
ケージ２の接続部の間に接続した。
【００２８】このときのワイヤのインダクタは、おおよ
そ１ｎＨであった。また、パッケージの信号端子と接地
端子の間隔ｄは０．３ｍｍである。その後、耐候性を持
たせるためリッドにてシーム溶接法で気密封止した。
そ１ｎＨであった。また、パッケージの信号端子と接地
端子の間隔ｄは０．３ｍｍである。その後、耐候性を持
たせるためリッドにてシーム溶接法で気密封止した。
【００２９】また、比較のため従来のＳＡＷフィルタを
同様な方法で試作した。
同様な方法で試作した。
【００３０】図３に本発明のＳＡＷフィルタの電気特性
評価を示す。図４に従来のＳＡＷフィルタの電気特性評
価を示す。評価方法は、上述のごとく組み立てた外部回
路基板の入出力端子に３．５ｍｍ径のコネクタを接続
し、ネットワークアナライザで測定した。測定結果よ
り、通過域の２倍の周波数において減衰量は従来ＳＡＷ
フィルタでは２２ｄＢ、本実施例では３４ｄＢであり、
通過域の３倍の周波数において減衰量は従来ＳＡＷフィ
ルタでは４ｄＢ、本実施例では１６ｄＢであった。本結
果より、本発明による構造が良好な値を得ることが判っ
た。
評価を示す。図４に従来のＳＡＷフィルタの電気特性評
価を示す。評価方法は、上述のごとく組み立てた外部回
路基板の入出力端子に３．５ｍｍ径のコネクタを接続
し、ネットワークアナライザで測定した。測定結果よ
り、通過域の２倍の周波数において減衰量は従来ＳＡＷ
フィルタでは２２ｄＢ、本実施例では３４ｄＢであり、
通過域の３倍の周波数において減衰量は従来ＳＡＷフィ
ルタでは４ｄＢ、本実施例では１６ｄＢであった。本結
果より、本発明による構造が良好な値を得ることが判っ
た。
【００３１】
【発明の効果】以上、詳述したように、本発明の電極構
成を有する弾性表面波装置によれば、ＳＡＷ素子の通過
域の高域側における阻止域減衰量を大幅に改善すること
が可能となるので、特に、この弾性表面波装置を携帯電
話等のＲＦ段に用いる場合、ミキサーで発生する局部発
振周波数の２倍、３倍等の高調波を十分に抑圧すること
ができるため、信頼性の優れた弾性表面波装置を提供で
きる。
成を有する弾性表面波装置によれば、ＳＡＷ素子の通過
域の高域側における阻止域減衰量を大幅に改善すること
が可能となるので、特に、この弾性表面波装置を携帯電
話等のＲＦ段に用いる場合、ミキサーで発生する局部発
振周波数の２倍、３倍等の高調波を十分に抑圧すること
ができるため、信頼性の優れた弾性表面波装置を提供で
きる。
【図１】本発明の弾性表面波装置の平面図である。
【図２】従来の弾性表面波装置の平面図である。
【図３】本発明の弾性表面波装置の評価結果を示す図で
ある。
ある。
【図４】従来の弾性表面波装置の評価結果を示す図であ
る。
る。
【図５】従来の弾性表面波装置をコプレーナガイド上に
載置した斜視図である。
載置した斜視図である。
【図６】ＳＡＷ素子の接地電極とパッケージの接地端子
を接続する導体のインダクタンスと減衰量の関係を示す
グラフである。
を接続する導体のインダクタンスと減衰量の関係を示す
グラフである。
【図７】パッケージの信号端子と接地端子の間隔ｄと減
衰量の関係を示すグラフである。
衰量の関係を示すグラフである。
１：ＳＡＷ素子 ２：パッケージ ３：ワイヤ（導体） ４：直列共振子の励振電極 ５：並列共振子の励振電極 ６，７：ＳＡＷ素子の信号電極 ９，８：ＳＡＷ素子の接地電極 １５，１６：パッケージの信号端子 １１，１２，１３，１４：パッケージの接地端子 Ａ：圧電基板 Ｓ：弾性表面波装置
Claims (2)
- 【請求項１】 圧電基板上に、少なくとも１つ以上の共
振子を構成する励振電極と、該励振電極に接続される入
出力信号用の信号電極と、該信号電極を両側から挟むよ
うに形成され前記励振電極に接続される接地電極とを配
設した弾性表面波素子を、パッケージ内に収容するとと
もに、前記弾性表面波素子の信号電極を、前記パッケー
ジ内に形成した入出力信号用の信号端子に、前記弾性表
面波素子の接地電極を、前記パッケージの信号端子を両
側から挟むように形成した接地端子に、それぞれ導体を
介して接続したことを特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項２】 前記導体のインダクタンスが０．３ｎＨ
〜１．２ｎＨであることを特徴とする請求項１に記載の
弾性表面波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11153015A JP2000341080A (ja) | 1999-05-31 | 1999-05-31 | 弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11153015A JP2000341080A (ja) | 1999-05-31 | 1999-05-31 | 弾性表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000341080A true JP2000341080A (ja) | 2000-12-08 |
Family
ID=15553108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11153015A Pending JP2000341080A (ja) | 1999-05-31 | 1999-05-31 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000341080A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6943649B2 (en) * | 2002-08-29 | 2005-09-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave filter with a ground pattern partially surrounding a signal pad and communication device using same |
-
1999
- 1999-05-31 JP JP11153015A patent/JP2000341080A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6943649B2 (en) * | 2002-08-29 | 2005-09-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave filter with a ground pattern partially surrounding a signal pad and communication device using same |
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