JP2017126831A - 弾性波デバイス及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
12 圧電基板の下面
14 圧電基板の上面
18 改質領域
20a 第1改質領域群
20b 第2改質領域群
20c 第3改質領域群
30 支持基板
32 支持基板の下面
34 支持基板の上面
40 接合基板
50 レーザ照射装置
52 レーザ光
54 へき開方向
58 バルク波
60 櫛型電極
62 グレーティング電極
64 バスバー
100〜400 弾性波デバイス
Claims (12)
- 圧電基板と、
前記圧電基板上に形成され、弾性波を励振するグレーティング電極と前記グレーティング電極を接続するバスバーとを有する一対の櫛型電極が対向するIDTと、
前記圧電基板の内側のみに設けられ、前記IDTの下に間隔をあけて配置され、前記圧電基板の材料が改質した改質領域と、を備える弾性波デバイス。 - 前記改質領域は、アモルファス構造であることを特徴とする請求項1記載の弾性波デバイス。
- 複数の前記改質領域が前記IDT直下の前記圧電基板内に点在して設けられていることを特徴とする請求項1または2記載の弾性波デバイス。
- 前記複数の改質領域は、前記圧電基板のへき開方向とは異なる方向で線に沿って設けられていることを特徴とする請求項3記載の弾性波デバイス。
- 前記複数の改質領域は、前記圧電基板のへき開方向とは異なる方向で線に沿ってそれぞれ設けられ、前記異なる方向に交差する方向で並んだ第1改質領域群と第2改質領域群を構成し、
前記第1改質領域群の前記改質領域は、前記第2改質領域群の前記改質領域と前記交差する方向から見たときに重ならずに設けられていることを特徴とする請求項3または4記載の弾性波デバイス。 - 前記複数の改質領域は、前記圧電基板の2つ以上の異なる深さに設けられていることを特徴とする請求項3から5のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
- 前記圧電基板は、回転YカットX伝搬のタンタル酸リチウム基板又は回転YカットX伝搬のニオブ酸リチウム基板であり、
前記複数の改質領域は、前記圧電基板の結晶方位のX軸方向で線に沿って設けられていることを特徴とする請求項3から6のいずれか一項記載の弾性波デバイス。 - 前記圧電基板の下面に上面が接合された支持基板を備えることを特徴とする請求項1から7のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
- 複数の前記改質領域が前記IDT直下の前記圧電基板内に点在して設けられ、
前記圧電基板は、第1方向の線膨張係数が前記第1方向に交差する第2方向の線膨張係数よりも大きく、
前記支持基板は、前記第1方向と前記第2方向とで同程度の線膨張係数を有し、
前記複数の改質領域は、前記第1方向で線に沿って設けられていることを特徴とする請求項8記載の弾性波デバイス。 - 前記圧電基板は、回転YカットX伝搬のタンタル酸リチウム基板又は回転YカットX伝搬のニオブ酸リチウム基板であり、
前記支持基板は、サファイア基板又はスピネル基板であり、
前記第1方向は、前記圧電基板の結晶方位のX軸方向であることを特徴とする請求項9記載の弾性波デバイス。 - 圧電基板上に、弾性波を励振するグレーティング電極と前記グレーティング電極を接続するバスバーとを有する一対の櫛型電極が対向するIDTを形成する工程と、
前記圧電基板の下面側から前記圧電基板内にレーザ光を照射して、前記圧電基板の内側のみに前記IDTの下に間隔をあけて改質領域を形成する工程と、を備える、弾性波デバイスの製造方法。 - 前記圧電基板の下面を支持基板の上面に接合する工程を備え、
前記改質領域を形成する工程は、前記支持基板の下面側から前記圧電基板内にレーザ光を照射して、前記改質領域を形成することを特徴とする請求項11記載の弾性波デバイスの製造方法。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018042208A (ja) * | 2016-09-09 | 2018-03-15 | 株式会社ディスコ | 表面弾性波デバイスチップの製造方法 |
JP2019192988A (ja) * | 2018-04-19 | 2019-10-31 | 株式会社ディスコ | Sawデバイスの製造方法 |
JP2019201334A (ja) * | 2018-05-17 | 2019-11-21 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイスの製造方法 |
JP2020136783A (ja) * | 2019-02-14 | 2020-08-31 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサ |
WO2023013741A1 (ja) * | 2021-08-04 | 2023-02-09 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11387808B2 (en) * | 2018-12-28 | 2022-07-12 | Skyworks Global Pte. Ltd. | Bulk acoustic wave resonator with ceramic substrate |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0349312A (ja) * | 1989-07-17 | 1991-03-04 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電装置 |
JPH05145363A (ja) * | 1991-11-21 | 1993-06-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波デバイス及びその製造方法 |
JP2004343359A (ja) * | 2003-05-14 | 2004-12-02 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波素子の製造方法 |
JP2005252550A (ja) * | 2004-03-03 | 2005-09-15 | Fujitsu Media Device Kk | 接合基板、弾性表面波素子および弾性表面波デバイス |
JP2008270904A (ja) * | 2007-04-16 | 2008-11-06 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波装置及び分波器 |
JP2013046107A (ja) * | 2011-08-22 | 2013-03-04 | Taiyo Yuden Co Ltd | 弾性波デバイスおよびモジュール |
JP2014011568A (ja) * | 2012-06-28 | 2014-01-20 | Taiyo Yuden Co Ltd | 弾性波デバイスおよびその製造方法 |
JP2015516672A (ja) * | 2012-02-26 | 2015-06-11 | ソレクセル、インコーポレイテッド | レーザ分割及び装置層移設のためのシステム及び方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03114310A (ja) | 1989-09-28 | 1991-05-15 | Toshiba Corp | 弾性表面波フィルター用基板およびその製造方法 |
JP2000278090A (ja) | 1999-01-21 | 2000-10-06 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波素子とその製造方法 |
JP2004336503A (ja) | 2003-05-09 | 2004-11-25 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
JP2007221665A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-08-30 | Toshiba Corp | 薄膜圧電共振器及びその製造方法、並びに、これを用いたフィルタ |
JP2007324513A (ja) | 2006-06-05 | 2007-12-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 振動周波数調整方法 |
-
2016
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0349312A (ja) * | 1989-07-17 | 1991-03-04 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電装置 |
JPH05145363A (ja) * | 1991-11-21 | 1993-06-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波デバイス及びその製造方法 |
JP2004343359A (ja) * | 2003-05-14 | 2004-12-02 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波素子の製造方法 |
JP2005252550A (ja) * | 2004-03-03 | 2005-09-15 | Fujitsu Media Device Kk | 接合基板、弾性表面波素子および弾性表面波デバイス |
JP2008270904A (ja) * | 2007-04-16 | 2008-11-06 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波装置及び分波器 |
JP2013046107A (ja) * | 2011-08-22 | 2013-03-04 | Taiyo Yuden Co Ltd | 弾性波デバイスおよびモジュール |
JP2015516672A (ja) * | 2012-02-26 | 2015-06-11 | ソレクセル、インコーポレイテッド | レーザ分割及び装置層移設のためのシステム及び方法 |
JP2014011568A (ja) * | 2012-06-28 | 2014-01-20 | Taiyo Yuden Co Ltd | 弾性波デバイスおよびその製造方法 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018042208A (ja) * | 2016-09-09 | 2018-03-15 | 株式会社ディスコ | 表面弾性波デバイスチップの製造方法 |
JP2019192988A (ja) * | 2018-04-19 | 2019-10-31 | 株式会社ディスコ | Sawデバイスの製造方法 |
JP7195758B2 (ja) | 2018-04-19 | 2022-12-26 | 株式会社ディスコ | Sawデバイスの製造方法 |
US11894823B2 (en) | 2018-04-19 | 2024-02-06 | Disco Corporation | Saw device manufacturing method |
JP2019201334A (ja) * | 2018-05-17 | 2019-11-21 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイスの製造方法 |
JP7382707B2 (ja) | 2018-05-17 | 2023-11-17 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイスの製造方法 |
JP2020136783A (ja) * | 2019-02-14 | 2020-08-31 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサ |
JP7397573B2 (ja) | 2019-02-14 | 2023-12-13 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサ |
WO2023013741A1 (ja) * | 2021-08-04 | 2023-02-09 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
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