CN109192671A - 一种三维立体芯片生产工艺方法及其走线结构 - Google Patents
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Abstract
一种三维立体芯片生产工艺方法及其走线结构，涉及到声表面波器件芯片技术领域。解决现有的声表面波器件芯片采用平面工艺生产，产品体积大，不利于小型化发展需求的技术不足，首先在基片上制作第一金属层；然后在第一金属层上方需要与第二金属层相交的位置增加一层隔离胶层，并对隔离胶层的边缘进行梯度化处理；之后在基片上再制作经隔离胶层上横跨第一金属层的第二金属层。实现横纵两路信号的连接同时又没有短路，大大减小了芯片的面积，是芯片目前及未来不可或缺的技术。采用梯度化处理的隔离胶层边缘，可以有效防止空腔会塌陷，第二金属层易断裂，芯片性能上开路即器件功能失效的技术问题，可靠性好。
Description
技术领域
本发明涉及到声表面波器件芯片技术领域。
背景技术
声表面波滤波器（SAWF）广泛的应用在射频移动通信中，根据研究机构Yole Développement预测，智能型手机使用的射频SAW 器件，2016年产值为101亿美元，到了2022年，预计将会成长至227亿美元。如此快速的成长与5G使用新的天线、多载波聚合等技术密不可分，这些新技术将需要额外的滤波功能，并带动相关组件市场蓬勃发展。
小型化、轻薄化、集成化是移动通信终端永恒的追求。为了适应终端的需求，对其内部的模块，器件提出了更小的要求。声表面波器件芯片采用半导体IC工艺技术，其核心工艺包括，镀膜、光刻等。通常情况下声表器件的芯片采用平面工艺，但随着对芯片尺寸小型化的不断追求下，三维立体的工艺技术得到越来越广泛的应用。
发明内容
综上所述，本发明的目的在于解决现有的声表面波器件芯片采用平面工艺生产，产品体积大，不利于小型化发展需求的技术不足，而提出一种三维立体芯片生产工艺方法及其走线结构。
为解决本发明所提出的技术问题，采用的技术方案为：
一种三维立体芯片生产工艺方法，其特征在于所述方法首先在基片上制作第一金属层；然后在第一金属层上方需要与第二金属层相交的位置增加一层隔离胶层，并对隔离胶层的边缘进行梯度化处理；之后在基片上再制作经隔离胶层上横跨第一金属层的第二金属层。
所述的隔离胶层与第二金属层相交的边缘预先进行齿状处理。
一种三维立体芯片走线结构，包括有基片，基片上设有第一金属层；其特征于：所述的基片上还设有与第一金属层隔离相交的第二金属层，所述的第一金属层上与第二金属层相交处设有隔离胶层，隔离胶层与第二金属层相交的边缘为梯度化平缓过度结构。
所述的隔离胶层与第二金属层相交的边缘为齿状结构。
本发明的有益效果为：本发明的生产工艺实现横纵两路信号的连接同时又没有短路，大大减小了芯片的面积，是芯片目前及未来不可或缺的技术。采用梯度化处理的隔离胶层边缘，可以有效防止空腔会塌陷，第二金属层易断裂，芯片性能上开路即器件功能失效的技术问题，可靠性好。
附图说明
图1为本发明的俯视结构示意图；
图2为本发明的隔离胶层的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图和本发明优选的具体实施例对本发明的结构作进一步地说明。
参照图1和图2中所示，本发明三维立体芯片生产工艺方法，首先在基片1上制作第一金属层2；然后在第一金属层2上方需要与第二金属层3相交的位置增加一层隔离胶层4，并对隔离胶层4的边缘进行梯度化处理；之后在基片1上再制作经隔离胶层4上横跨第一金属层2的第二金属层3。隔离胶层4的作用是实现横向第一金属层2与纵向第二金属层3相交而不会出现短路，与传统制作基片隔离后再制作第二金属层3相比，本发明大大减小了芯片的体积。
由于隔离胶层4是有一定厚度的，因此第二金属层3和隔离胶层4边缘位置会形成一条空腔，如果工艺上处理不好，第二金属层3对应空腔处会塌陷，第二金属层3易发生断裂，芯片性能上开路即器件功能失效。解决该技术问题的本发明采用的方案是对隔离胶层4的边缘进行梯度化处理，实调节隔离胶层4与第二金属层3的厚度比来降低这种芯片功能失效风险。进一步优选的方案是：所述的隔离胶层4与第二金属层3相交的边缘预先进行齿状处理，也即是对隔离胶层4边缘进行齿状设计，进一步有效的降低三维立体生产工艺中第二金属层3断裂的风险，和目前的工艺中已经存在的成熟的方法不冲突；是在现在的工艺条件下进一步改善，进一步降低风险。齿状设计增加了隔离胶层4边缘和第二金属层3的相交线的长度，更有助于提升传统的隔离胶层4边缘梯度化工艺的效果；隔离胶层4边缘的齿状设计可以看作是几条隔离带的并行，当一部分断裂后，其他部分不易受断裂部分的影响，更有可能存留，降低器件失效的概率，在结构上使第二金属层3和隔离胶层4的接触各区域相对独立，降低了第二金属层3全部断裂的可能性，产品可靠性好。
本发明的三维立体芯片走线结构，包括有基片1，基片1上设有第一金属层2；所述的基片1上还设有与第一金属层2隔离相交的第二金属层3，所述的第一金属层2上与第二金属层3相交处设有隔离胶层4，隔离胶层4与第二金属层3相交的边缘为梯度化平缓过度结构。优选的是所述的隔离胶层4与第二金属层3相交的边缘为齿状结构。隔离胶层4的目的用途参见上述，在此不在重复。
Claims (4)
1.一种三维立体芯片生产工艺方法，其特征在于所述方法首先在基片上制作第一金属层；然后在第一金属层上方需要与第二金属层相交的位置增加一层隔离胶层，并对隔离胶层的边缘进行梯度化处理；之后在基片上再制作经隔离胶层上横跨第一金属层的第二金属层。
2.根据权利要求1所述的一种三维立体芯片生产工艺方法，其特征在于：所述的隔离胶层与第二金属层相交的边缘预先进行齿状处理。
3.一种三维立体芯片走线结构，包括有基片，基片上设有第一金属层；其特征于：所述的基片上还设有与第一金属层隔离相交的第二金属层，所述的第一金属层上与第二金属层相交处设有隔离胶层，隔离胶层与第二金属层相交的边缘为梯度化平缓过度结构。
4.根据权利要求3所述的三维立体芯片走线结构，其特征于：所述的隔离胶层与第二金属层相交的边缘为齿状结构。
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