CN105264771B - 用于降低集成电路(ic)中的磁耦合的系统、以及相关组件和方法 - Google Patents

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Abstract

公开了用于降低集成电路(IC)中的磁耦合的系统。还公开了相关组件和方法。IC具有多个电感器。每个电感器生成具有可辨别轴的磁通量。为了降低这些电感器之间的磁耦合，这些通量轴被设计成非平行的。特别地，通过使得这些电感器的通量轴互相非平行，这些电感器之间的磁耦合相对于诸通量轴平行的情境而言被降低。这种安排可以尤其合适于用在具有低通和高通滤波器的共用器中。

Description

用于降低集成电路(IC)中的磁耦合的系统、以及相关组件和 方法
优先权要求
本申请要求2013年6月4日提交并题为“SYSTEM FOR REDUCING MAGNETICCOUPLING IN INTEGRATED CIRCUITS(ICs)AND RELATED COMPONENTS AND METHODS(用于降低集成电路(IC)中的磁耦合的系统以及相关组件和方法)”美国临时专利申请序列号61/830,718的优先权，其通过引用被全部纳入于此。
本申请还要求2013年9月6日提交并题为“SYSTEM FOR REDUCING MAGNETICCOUPLING IN INTEGRATED CIRCUITS(ICs)AND RELATED COMPONENTS AND METHODS(用于降低集成电路(IC)中的磁耦合的系统以及相关组件和方法)”美国专利申请序列号14/019,821的优先权，其通过引用被全部纳入于此。
背景
I.公开领域
本公开的技术一般涉及集成电路(IC)，并且尤其涉及降低IC中的组件之间的磁耦合。
II.背景技术
移动通信设备在当前社会已变得普及。这些移动设备的盛行部分地是通过目前在此类设备上实现的许多功能来推动的。对此类功能的需求提高了处理能力要求并产生了对更大功率的电池的需要。在移动通信设备的外壳的有限空间内，电池与处理电路系统竞争。对用于组件的空间的竞争以及其他因素对该电路系统内的组件的持续小型化作出贡献。
组件的小型化影响到处理电路系统的所有方面，包括存储器晶体管以及该处理电路系统中的其他无功元件。虽然移动通信设备中的组件的小型化因电话变得较小且较轻并具有较长的电池时间而容易使消费者欣赏，但小型化压力不限于移动通信设备。其他计算设备(诸如台式计算机)也尝试通过小型化来增加可用的存储器和处理功率。
与这些小型化目标同时地，无线通信工业在继续向着为消费者提供尽可能多的带宽而努力。为了这一目的，许多无线承运商已经为当代通信采纳了载波聚集策略。即，无线承运商(诸如AT&)可以拥有对于特定地理区域中的两个频带(例如，约700MHz和2GHz)的权限。为了使可用带宽最大化，无线承运商可以将这两个频率同时用于单个通信流。尽管将这两个频带用于单个通信流确实增加了能被提供到最终用户的数据量，但是也有并发问题，因为被用来传送数据的每个频率在谐波频率处产生了噪声。在AT&示例中，700MHz传输在2.1GHz处产生了谐波，该谐波可以干扰在2GHz频率处广播的数据。在此类情境中，共用器能够被提供以处理在载波聚集系统中所携载的信号。在使用此类载波聚集系统的设备的芯片组中，共用器通常被插入到天线与调谐器(或者射频(RF)开关)之间来提供频带之间的隔离以确保高性能。通常，共用器设计包括用于提供滤波的电感器和电容器。共用器能够通过使用具有高品质(Q)因数的电感器和电容器来获得高性能。可通过测量特定频率处的插入损耗和抑制(例如，以分贝(dB)来表达的量)来量化共用器性能。
当小型化目标被施加于包含不止一个电感器的元件(诸如共用器)时，这些电感器经常是被定位成互相紧邻。这些电感器的紧邻可能结果导致这些电感器之间的磁耦合。在绝大多数情形中，这种磁耦合结果导致该电路的隔离和性能上的降低。
公开概述
本详细描述中所公开的实施例包括用于降低集成电路(IC)中的磁耦合的系统。还公开了相关组件和方法。本文中所公开的示例性IC包括多个电感器。每个电感器生成具有可辨别通量轴的磁通量。为了降低这些电感器之间的磁耦合，这些通量轴被设计成相互之间非平行。特别地，通过使得这些电感器的通量轴互相非平行，这些电感器之间的磁耦合相对于诸通量轴平行的情境而言被降低。这种安排尤其合适于用在具有低通和高通滤波器的共用器中。
就这一点而言，在一个实施例中，公开了三维(3D)IC(3DIC)内的共用器。该共用器包括具有第一通量轴的第一电感器，并且该第一电感器包括3D电感器。该共用器还包括具有第二通量轴的第二电感器，其中该第一通量轴与第二通量轴是不平行的。
在另一实施例中，公开了3DIC内的共用器。该共用器包括用于提供具有第一通量轴的电感的第一装置。该共用器还包括用于提供具有第二通量轴的电感的第二装置，其中该第一通量轴与第二通量轴是不平行的。
在另一实施例中，公开了一种设计3DIC中的共用器的方法。该方法包括将第一电感器放置在该共用器中，其中该第一电感器具有第一通量轴。该方法还包括将第二电感器放置在该共用器中，其中该第二电感器具有不平行于第一通量轴的第二通量轴，从而相对于其中第一和第二通量轴平行的情境而言降低第一电感器与第二电感器之间的磁耦合。
附图简述
图1A是示例性常规共用器的示意图；
图1B是图1A的共用器的典型频率响应的曲线图；
图1C是采用共用器的示例性无线电收发机的示意图；
图2是在突出显示的电感器之间具有磁耦合的替换性常规共用器设计。
图3是实施具有所解说的通量轴的图2的常规共用器设计的三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)的顶视图。
图4是图3的常规共用器设计的示例性频率响应的曲线图。
图5是具有根据本公开的示例性实施例的具有所解说的非平行通量轴的共用器电路的3DIC的顶视图；
图6是图5的共用器的示例性频率响应的曲线图；
图7是根据本公开的另一实施例的替换性电感器安排的顶视图；以及
图8是可包括图5的共用器的示例性的基于处理器的系统的框图。
详细描述
现在参照附图，描述了本公开的若干示例性实施例。措辞“示例性”在本文中用于表示“用作示例、实例或解说”。本文中描述为“示例性”的任何实施例不必被解释为优于或胜过其他实施例。
详细描述中所公开的实施例包括用于降低集成电路(IC)中的磁耦合的系统。还公开了相关组件和方法。IC具有多个电感器。每个电感器生成具有可辨别轴的磁通量。为了降低电感器之间的磁耦合，通量轴被设计成非平行的。特别地，通过使得这些电感器的通量轴互相非平行，这些电感器之间的磁耦合相对于其中诸通量轴平行的情境而言被降低。这种安排尤其合适于用在具有低通和高通滤波器的共用器中。
三维(3D)IC(3DIC)的出现允许了各种各样的电路创新，包括3D电感器。例如，在具有低通滤波器和高通滤波器的共用器中，可以有数个电感器(例如，典型情况下为每滤波器有一个或两个电感器)并且这些电感器由于小型化的压力而被相对紧邻地放置。如果磁耦合发生，那么带阻中的抑制可能会被减少。如果抑制被减少得太多的话，则该共用器可能不能够满足设计准则。不像二维(2D)电感器(其具有由该2D电感器的平面固定的不可改变的通量轴)的是，3D电感器在设计过程期间可以被选择性地安排以变动电感器的诸通量轴相对于彼此而言的相对方向。特别地，通过使得电感器的通量轴互相非平行，电感器之间的磁耦合相对于其中通量轴平行的情境而言被降低。电感器的选择性定位十分适合于使用于在高通滤波器的电感器与低通滤波器的电感器之间应当具有最低程度的耦合的共用器中。
在提出具有本公开的电感器布局的IC的示例性实施例之前，参考图1A-4提供了一些常规共用器以及其频率响应的简要综述。根据本公开的示例性实施例的具有多个具备非平行通量轴的电感器的3DIC的实施例在以下参考图5开始。
就这一点而言，图1A是包括第一端口12、第二端口14和天线端口16的常规共用器10的示意图。可以提供去往接地18的附加端口。在第一端口12与天线端口16之间是高通(HP)滤波器20。类似地，在第二端口14与天线端口16之间是低通(LP)滤波器22。HP滤波器20包括第一HP电容器24、第二HP电容器26、第三HP电容器28和HP电感器30。第三HP电容器28和HP电感器30一起定义了带阻的陷波频率。注意，本文中所描述的电感器有时被称为用于电感应的装置。类似地，所描述的电容器有时在本文中被称为用于提供电容的装置。
继续参考图1A，LP滤波器22包括第一LP电感器32、第二LP电感器34、第三LP电感器36和LP电容器38。第一LP电感器32和LP电容器38一起定义了带阻的陷波频率。
图1B中提供了来自图1A的“理想”共用器10的示例频率响应的曲线图40。如现成所见的，HP滤波器20具有用于带阻44的在710MHz处的陷波42。HP通带46在大约1.710GHz处开始。类似地，LP滤波器22具有用于带阻50的在2.130GHz处的陷波48。LP通带52在大约1.040GHz处结束。注意，曲线图40表示了在有源元件之间(例如，在HP电感器30与第一LP电感器32之间)有最低程度的磁耦合的共用器10的“理想”或完美频率响应。以下参考图2-4解释了磁耦合发生的更现实的情境。
为了完备性起见，应当领会，共用器(诸如共用器10)可以被放置在如图1C中所解说的用于收发机的芯片组60中。芯片组60包括功率放大器62、双工器/滤波器64、射频(RF)开关模块66、无源组合器68、接收机70、调谐器电路系统72(例如，第一调谐器电路系统72A以及第二调谐器电路系统72B)、共用器10、电容器74、电感器76、接地端子78以及天线80。功率放大器62将(诸)信号放大到特定功率水平以供发射。双工器/滤波器64根据各种不同参数(包括频率、插入损耗、抑制或其它类似参数等)对输入/输出信号进行滤波。RF开关模块66可选择输入信号的特定部分以传递给芯片组60的其余部分。无源组合器68将检测到的来自第一调谐器电路系统72A和第二调谐器电路系统72B的功率组合起来。接收机70处理来自无源组合器68的信息并将该信息用于进一步操作芯片组60。调谐器电路系统72包括各种组件，诸如调谐器、便携式数据录入终端(PDET)、以及内务模数转换器(HKADC)等。调谐器电路系统72可针对天线80执行阻抗调谐(例如，电压驻波比(VSWR)优化)。
如图1C中所示，共用器10位于调谐器电路系统72的调谐器组件与电容器74、电感器76及天线80之间。共用器10可被放置在天线80与调谐器电路系统72之间以为芯片组60提供高系统性能。共用器10还对高频带频率和低频带频率两者执行频域复用。在共用器10对输入信号执行其频率复用功能之后，共用器10的输出被馈送给任选的LC网络，该LC网络包括电容器74和电感器76。该LC网络可提供针对天线80的额外阻抗匹配组件(在需要的情况下)。随后，具有特定频率的信号由天线80发射或接收。
图1B反映了理想共用器10的频率响应，而图2解说了替换性常规共用器90。共用器90包括了LP滤波器92和HP滤波器94。LP滤波器92包括多个电容器96、98和100(分别是C11、C12和C13)以及多个电感器102、104(分别是L11、L12)。如同共用器10那样，LP滤波器92起到类似于LP滤波器22的功能。HP滤波器94包括多个电容器106、108、110、112和114(分别是C21、C22、C23、C24和C25)以及多个电感器116、118(分别是L21、L22)。如同共用器10那样，HP滤波器94起到类似于HP滤波器20的功能。在非理想情境中，如由在电感器102(L11)与电感器118(L22)之间延伸的磁耦合箭头120所解说的，LP滤波器92中的电感器与HP滤波器94中的电感器之间有磁耦合。尽管解说了特定磁耦合，但是取决于电感器的相对邻近度和大小，其他电感器之间也可能或多或少地存在其他磁耦合
就这一点而言，图3解说了3DIC 121中的共用器90的顶视图。这些电感器为3D电感器，诸如穿玻通孔(TGV)电感器或一般化而言穿板通孔(TSV)电感器。对于有关TGV和TSV电感器的更多信息，感兴趣的读者被指引到2013年1月11地递交并且题为“DIPLEXER DESIGNUSING THROUGH GLASS VIA TECHNOLOGY(使用穿玻通孔技术的共用器设计)”的美国临时专利申请序列号61/751,539(其通过引用被完整纳入于此)，以及‘539申请的发明转型，即2013年3月13日递交的并题为“DIPLEXER DESIGN USING THROUGH GLASS VIA TECHNOLOGY(使用穿玻通孔技术的共用器设计)”的美国专利申请序列号13/798,733(其也通过引用被完整纳入于此)。TSV电感器提供在1GHz提供了大约三十(30)或更高的Q，而TGV电感器可以在1GHz提供大于六十(60)的Q。如通常所理解的，电感器生成具有通量轴的磁场。例如，电感器102(L11)生成了具有通量轴122的磁场。类似地，电感器118(L22)生成了具有通量轴124的磁场。通量轴122平行于通量轴124，这允许电感器之间有箭头120所示的磁耦合。
如图4的曲线图126所解说的，共用器90的电感器之间由箭头120所示的磁耦合影响了共用器90的频率响应。图4中特别感兴趣的是，在1.648GHz(点112)处的抑制仅为-22.699dB。绝大多数蜂窝通信标准规范要求抑制大于27dB，并且由此，共用器90不能够满足该规范。以上的讨论集中在具有多个电感器的共用器，但是应当领会，3DIC内的其他元件(例如，匹配电路)可以具有3D电感器，并且可以具有根据并联电感器之间的磁耦合的类似性能降级。
在较老式的2D电路中，对于要改变电感器的通量轴所能够做的很少。即，每个电感器一般是平面的并且具有平行的通量轴(进入该电路的平面或从该电路的平面出来)。磁耦合的减少是通过将诸电感器相互分隔来起效的。该分隔会导致更长的导电路径以及电路设计中更大的难度。
3DIC的出现提供了新的机会来解决磁耦合的问题。特别地，本公开教导了3DIC内的诸电感器可以被放置成使得诸通量轴不平行。通过使得诸通量轴不平行，磁耦合就被降低。
就这一点来说，图5解说了具有不平行的电感器的共用器130。为了简化起见，使用了与共用器90相同的基本电路，但是现在，电感器102A(L11)垂直于电感器118A(L22)。由此，电感器102A(L11)的通量轴垂直于电感器118A(L22)的通量轴134。尽管诸电感器被解说为垂直，但是应当领会，45度与135度之间的诸非平行角度具有最高程度的磁耦合降低。虽然在0度与45度之间以及135度与180度之间达成了一些降低，但是这些降低被认为是未达最优的。
通过将通量轴132、134放置成互相垂直，就产生了如图6的曲线图140中所解说的频率响应。现在，1.648GHz(点132)处的抑制是-29.028dB，其比图3的共用器90的平行电感器有了6dB的改善并且满足了规范。非共用器电路(诸如阻抗电路或类似电路等)中可以达成性能上的类似改进。
虽然本公开集中在改进3D电感器之间的磁耦合，但是类似的降低可以通过如图7中的电路142所解说地使得其中一个电感器成为2D电感器来达成。由此，第一电感器144是3D电感器，而第二电感器146是2D电感器。第一电感器144生成具有如所解说的从右至左的通量轴148的磁场，并且第二电感器146生成具有垂直于第二电感器146的平面(即，进入页面或从页面延伸而出)的通量轴150的磁场。在示例性实施例中，第一电感器144可以是共用器130内的电感器L11，并且第二电感器146可以是共用器130内的电感器L22。在其他实施例中，第一电感器144可以是共用器130内的电感器L11、L12、L21、L22中的一者或多者(但并非所有四者)。
根据本文中所公开的实施例的共用器以及相关组件和方法可在任何基于处理器的设备中提供或被集成到任何基于处理器的设备中。不作为限定的示例包括机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、移动电话、蜂窝电话、计算机、便携式计算机、台式计算机、个人数字助理(PDA)、监视器、计算机监视器、电视机、调谐器、无线电、卫星无线电、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、数字视频播放器、视频播放器、数字视频碟(DVD)播放器，以及便携式数字视频播放器。
就这一点而言，图8解说了可采用如图5和7中所解说的共用器130或电路142的基于处理器的系统160的示例。共用器130或者电路142可以被纳入到半导体管芯或用其他方法使用在此类基于处理器的系统160中。在这一示例中，基于处理器的系统160包括一个或多个中央处理单元(CPU)162，其各自包括一个或多个处理器164。(诸)CPU 162可以是主控设备。(诸)CPU 162可具有耦合至(诸)处理器164以用于对临时存储的数据进行快速访问的高速缓存存储器166。(诸)CPU 162被耦合到系统总线168，且可交互耦合基于处理器的系统160中所包括的诸主控设备和从动设备。如众所周知的，(诸)CPU 162通过在系统总线168上交换地址、控制、和数据信息来与这些其它设备通信。例如，(诸)CPU 162可向作为从动设备的示例的存储器控制器170传达总线事务请求。尽管未在图8中解说，但可提供多个系统总线168，其中每个系统总线168构成不同的织构。
其它主控设备和从动设备可被连接到系统总线168。如图8中所解说的，作为示例，这些设备可包括存储器系统172、一个或多个输入设备174、一个或多个输出设备176、一个或多个网络接口设备178，以及一个或多个显示控制器180。(诸)输入设备174可包括任何类型的输入设备，包括但不限于输入键、开关、语音处理器等。(诸)输出设备176可包括任何类型的输出设备，包括但不限于音频、视频、其他视觉指示器等。(诸)网络接口设备178可以是被配置成允许来往于网络182的数据交换的任何设备。网络182可以是任何类型的网络，包括但不限于：有线或无线网络、专用或公共网络、局域网(LAN)、广局域网(WLAN)和因特网。(诸)网络接口设备178可被配置成支持所期望的任何类型的通信协议。存储器系统172可包括一个或多个存储器单元184(0-N)。
(诸)CPU 162还可被配置成通过系统总线168访问(诸)显示控制器180以控制发送给一个或多个显示器186的信息。(诸)显示控制器180经由一个或多个视频处理器188向(诸)显示器186发送要显示的信息，视频处理器188将要显示的信息处理成适于(诸)显示器186的格式。(诸)显示器186可包括任何类型的显示器，包括但不限于：阴极射线管(CRT)、液晶显示器(LCD)、等离子显示器等。
本领域技术人员将进一步领会，结合本文所公开的实施例描述的各种解说性逻辑块、模块、电路和算法可被实现为电子硬件、存储在存储器中或另一计算机可读介质中并由处理器或其它处理设备执行的指令、或这两者的组合。作为示例，本文描述的仲裁器、主控设备和从动设备可用在任何电路、硬件组件、IC，或IC芯片中。本文所公开的存储器可以是任何类型和大小的存储器，且可被配置成存储所需的任何类型的信息。为清楚地说明这一可互换性，以上已经以其功能的形式一般地描述了各种解说性组件、框、模块、电路和步骤。此类功能性如何被实现取决于施加在整体系统上的具体应用、设计选择和/或设计约束。技术人员可针对每种特定应用以不同方式来实现所描述的功能性，但此类实现决策不应被解读为致使脱离本发明的范围。
结合本文所公开的实施例描述的各种解说性逻辑块、模块、和电路可用设计成执行本文所描述的功能的处理器、数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)或其他可编程逻辑器件、分立门或晶体管逻辑、分立硬件组件，或其任何组合来实现或执行。处理器可以是微处理器，但在替代方案中，处理器可以是任何常规处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器还可以被实现为计算设备的组合，例如DSP与微处理器的组合、多个微处理器、与DSP核心协同的一个或多个微处理器、或任何其它此类配置。
本文所公开的各实施例可被体现为硬件和存储在硬件中的指令，并且可驻留在例如随机存取存储器(RAM)、闪存、只读存储器(ROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦可编程ROM(EEPROM)、寄存器、硬盘、可移动盘、CD-ROM、或本领域中所知的任何其它形式的计算机可读介质中。替换地，存储介质可以被整合到处理器。处理器和存储介质可驻留在ASIC中。ASIC可驻留在远程站中。在替换方案中，处理器和存储介质可作为分立组件驻留在远程站、基站或服务器中。
还注意到，本文任何示例性实施例中描述的操作步骤被描述是为了提供示例和讨论。所描述的操作可按除了所示顺序以外的各种不同顺序执行。而且，在单个操作步骤中描述的操作实际上可在多个不同步骤中执行。另外，在示例性实施例中讨论的一个或多个操作步骤可被组合。应理解，如对本领域技术人员显而易见地，在流程图中解说的操作步骤可进行各种不同的修改。本领域技术人员还将理解，可使用各种不同技术中的任何一种来表示信息和信号。例如，贯穿上面描述始终可能被述及的数据、指令、命令、信息、信号、位(比特)、码元、和码片可由电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子、或其任何组合来表示。
提供对本公开的先前描述是为使得本领域任何技术人员皆能够制作或使用本公开。对本公开的各种修改对本领域技术人员来说都将是显而易见的，且本文中所定义的普适原理可被应用到其他变型而不会脱离本公开的精神或范围。由此，本公开并非旨在被限定于本文中所描述的示例和设计，而是应被授予与本文中所公开的原理和新颖特征一致的最广义的范围。

Claims (21)

1.一种在三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)内的共用器，包括：
具有第一通量轴的第一电感器，其中所述第一电感器包括穿板通孔(TSV)3D电感器；以及
具有第二通量轴的第二电感器，其中所述第一通量轴与所述第二通量轴不平行以降低所述第一电感器与所述第二电感器之间的磁耦合。
2.如权利要求1所述的共用器，其特征在于，所述第二电感器包括二维(2D)电感器。
3.如权利要求1所述的共用器，其特征在于，所述第二电感器包括3D电感器。
4.如权利要求1所述的共用器，其特征在于，所述第一电感器包括穿玻通孔(TGV)电感器。
5.如权利要求1所述的共用器，其特征在于，所述第一通量轴与所述第二通量轴是垂直的。
6.如权利要求1所述的共用器，其特征在于，所述第一电感器被集成到所述共用器内的低通滤波器中，并且所述第二电感器被集成到所述共用器内的高通或带通滤波器。
7.如权利要求1所述的共用器，其特征在于，所述共用器被集成到半导体管芯中。
8.如权利要求1所述的共用器，其特征在于，所述共用器集成到从下组中选择的设备：机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、移动电话、蜂窝电话、计算机、个人数字助理(PDA)、监视器、调谐器。
9.如权利要求1所述的共用器，其特征在于，所述共用器集成到从下组中选择的设备：便携式计算机、台式计算机、计算机监视器、电视机、无线电、音乐播放器、视频播放器。
10.如权利要求9所述的共用器，其特征在于，所述无线电包括卫星无线电，其中所述音乐播放器包括数字音乐播放器和便携式音乐播放器中的一者，并且其中所述视频播放器包括数字视频播放器、数字视频碟(DVD)播放器和便携式数字视频播放器中的一者。
11.一种在三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)内的共用器，包括：
用于提供具有第一通量轴的电感的第一装置，所述用于提供电感的第一装置包括穿板通孔(TSV)3D电感器；以及
用于提供具有第二通量轴的电感的第二装置，其中所述第一通量轴与所述第二通量轴不平行以降低所述第一装置与所述第二装置之间的磁耦合。
12.如权利要求11所述的共用器，其特征在于，所述用于提供电感的第一装置包括穿玻通孔(TGV)电感器。
13.如权利要求11所述的共用器，其特征在于，所述用于提供电感的第二装置包括二维(2D)电感器。
14.如权利要求11所述的共用器，其特征在于，所述用于提供电感的第二装置包括3D电感器。
15.如权利要求11所述的共用器，其特征在于，所述第一通量轴与所述第二通量轴是垂直的。
16.一种设计三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的共用器的方法，包括：
将包括穿板通孔(TSV)电感器的第一电感器放置在所述共用器中，其中所述第一电感器具有第一通量轴；以及
将第二电感器放置在所述共用器中，其中所述第二电感器具有不平行于所述第一通量轴的第二通量轴，从而降低所述第一电感器与所述第二电感器之间的磁耦合。
17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，放置所述第一电感器包括将3D电感器放置在所述共用器中。
18.如权利要求16所述的方法，其特征在于，放置所述第一电感器包括将穿玻通孔(TGV)电感器放置在所述共用器中。
19.如权利要求16所述的方法，其特征在于，放置所述第二电感器包括将二维(2D)电感器放置在所述共用器中。
20.如权利要求16所述的方法，其特征在于，放置所述第二电感器包括将3D电感器放置在所述共用器中。
21.如权利要求16所述的方法，其特征在于，不平行包括垂直。
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