CN102751960B - 一种应用于lte的射频低通滤波器 - Google Patents

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本发明属于无线通信领域,尤其涉及一种应用于LTE的射频低通滤波器。本发明实施例提供的一种应用于LTE的射频低通滤波器,包括依次连接的第一滤波电感L3、第一谐振电路100、第二滤波电感L4和第二谐振电路200,将谐振电路中的电容都用开路微带来代替,相应的形成两个传输零点,使得通带内的插入损耗很小、驻波好,而对阻带的抑制却很强,性能优良且成本低廉,能够灵活多用。

Description

一种应用于LTE的射频低通滤波器
技术领域
本发明属于无线通信领域,尤其涉及一种应用于LTE的射频低通滤波器。
背景技术
对于高速、高容量的无线通信,LTE(Long Term Evolution,长期演进)项目是3G的演进,也被通俗的称为3.9G。作为3.9G的全球标准,LTE改进并增强了3G的空中接入技术,具有100Mbps的数据下载能力,被视作从3G向4G演进的主流技术。无线通信的个人化、微型化,对有源电路使用滤波器提出了小体积、高性能、低价格等更高的要求。
传统的小体积、轻重量的滤波器主要有如下几种:微带滤波器、SAW(Surface Acoustic Wave,声表面波)滤波器和LC滤波器。其中,微带滤波器的Q值大(Q值是滤波器的品质因数,定义为中心频率除以滤波器带宽)、选频好,但必须以四分之一波长为基础,并且要占用很大的面积;SAW滤波器体积小、Q值大,但它插损大、通带较窄、带内平坦度差(典型值为2dB),很难在有源路上广泛使用;而LC滤波器占用面积小、带内平坦度好,但其Q值较低、在射频段使用时一致性极差,也很难批量生产。综上可知,现有的几种滤波器并不能满足射频有源电路的要求,有必要加以改进。
发明内容
本发明的目的在于提供一种应用于LTE的射频低通滤波器,旨在解决现有的滤波器不适用于射频有源电路的技术问题。
为了实现上述目的,本发明实施例是这样实现的:
一种应用于LTE的射频低通滤波器,包括依次连接的第一滤波电感L3和第二滤波电感L4,所述第一滤波电感L3的第一端为所述滤波器的输入端,所述第二滤波电感L4的第二端为所述滤波器的输出端,所述射频低通滤波器还包括:
第一谐振电路,连接在所述第一滤波电感和第二滤波电感的公共连接端,形成输入信号的第一个传输零点;
第二谐振电路,连接于所述第二滤波电感的第二端,形成输入信号的第二个传输零点。
其中,所述第一谐振电路包括绕线电感L1和开路微带T1,所述绕线电感L1的第一端连接在所述第一滤波电感和第二滤波电感的公共连接端,所述绕线电感L1的第二端接所述开路微带T1;
所述第二谐振电路包括绕线电感L2和开路微带T2,所述绕线电感L2的第一端连接于所述第二滤波电感的第二端,所述绕线电感L2的第二端接所述开路微带T2。
本发明实施例提供的一种应用于LTE的射频低通滤波器,在其工作过程中,通带内的插入损耗很小、驻波好,而对阻带的抑制很强,带内平坦度好,性能优良且一致性好,本身的占用面积小,成本低廉灵活多用。
附图说明
图1是本发明实施例提供的射频低通滤波器的结构图;
图2是本发明实施例提供的射频低通滤波器的频率响应及传输零点、传输极点示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
本发明实施例提供的一种应用于LTE的射频低通滤波器,将谐振电路中的电容用开路微带来代替,保证了产品批量生产的一致性。该射频低通滤波器的工作过程中,通带内的插入损耗很小、驻波好,而对阻带的抑制却很强,性能优良且成本低廉,能够灵活多用。
图1是本发明实施例提供的射频低通滤波器的结构图,为了便于说明,仅示出了与本发明实施例相关的部分,如图所示:
一种应用于LTE的射频低通滤波器,Port1为其输入端口,Port2为其输出端口,滤波器包括依次连接的第一滤波电感L3、第一谐振电路100、第二滤波电感L4和第二谐振电路200。
其中,第一滤波电感L3的第一端为滤波器的输入端Port1,第一滤波电感L3的第二端接第二滤波电感L4的第一端,第二滤波电感L4的第二端为滤波器的输出端Port2;
第一谐振电路100的输入端与第一滤波电感L3和第二滤波电感L4的公共连接端相连,用于形成输入信号的第一个传输零点;
第二谐振电路200的输入端连接于第二滤波电感L4的第二端,用于形成输入信号的第二个传输零点。
作为本发明的一实施例,第一谐振电路100包括串接的绕线电感L1和开路微带T1,绕线电感L1的第一端连接在第一滤波电感L3和第二滤波电感L4的公共连接端,绕线电感L1的第二端接开路微带T1。作为优选实施例,绕线电感L1为射频高Q电感,开路微带T1为标准50欧姆开路微带线。
作为本发明的一实施例,第二谐振电路200包括串接的绕线电感L2和开路微带T2,绕线电感L2的第一端连接于第二滤波电感L4的第二端,绕线电感L2的第二端接开路微带T2。作为优选实施例,绕线电感L2为射频高Q电感,开路微带T2为标准50欧姆开路微带线。
以本实施例提供的射频低通滤波器为例:
第一滤波电感L3和第二滤波电感L4的功能相同,它们的作用主要体现在如下两个方面:一是在通带频率f3点(f3为本实施例提供的射频低通滤波器的传输极点)附近,形成很好的阻抗匹配,其反射系数Г接近0,因此滤波器的插入损耗极小,形成了良好的滤波器通带;二是在高频段,第一滤波电感L3和第二滤波电感L4表现出高阻抗,对高频信号起到了一定的抑制。
第一谐振电路100使用标准50欧姆开路微带线代替传统LC滤波电路中的电容,使得开路微带和电感组成了串联谐振,在其谐振点f1处阻抗为零,形成第一个传输零点,并且有:
f 1 = 1 2 π L 1 C 1
其中,上式中的L1为绕线电感L1的值,C1为开路微带T1的等效电容值。
与第一谐振电路100相类似的,第二谐振电路200同样使用标准50欧姆开路微带线代替传统LC滤波电路中的电容,使得开路微带和电感组成了串联谐振,在其谐振点f2处阻抗为零,并且在f2点产生第二个传输零点,同样的,
f 2 = 1 2 π L 2 C 2
上式中的L2为绕线电感L2的值,C2为开路微带T2的等效电容值。
由上可知,两个串联谐振电路在频率f1和f2点处分别形成了传输零点,因此本实施例提供的滤波器在f1~f2频段起到了很好的抑制作用。作为优选实施例,可以选择微带的长度小于λ/4,为10mm的数量级,宽为1mm数量级,这样,普通的PCB板制造工艺就完全能达到其精度要求,并且可以保证批量生产的一致性。而且,本发明实施例仅用微带代替电容,而不代替电感;电感选用绕线高Q电感,否则滤波器的过渡带将会展宽,另一方面,一般选用的电感值也不宜太小,否则会降低产品的一致性。
综上所述,本发明实施例提供的射频低通滤波器,其包含两个传输零点和一个传输极点,两个传输零点落在滤波器阻带内,此时传输系数∣S21∣为极小值,对阻带信号起到了很好的抑制;传输极点(反射零点)落在滤波器通带内,此时反射系数Г接近0,传输系数∣S21∣为极大值,保证通带内很小的插入损耗。
作为本发明的一实施例,该射频低通滤波器所选用的元器件的值为:绕线电感L1为2.2nH,绕线电感L2为3.3nH,第一滤波电感L3为2.7nH,第二滤波电感L4为2.2nH,开路微带T1的参数为7.6×1.1mm,开路微带T2的参数为6.7×1.1mm。图2示出了采用上述元件参数的射频低通滤波器的频率响应及传输零点、传输极点示意图,其中传输零点为f1和f2,传输极点为f3,并且有f3<f1<f2。需要说明的是,实际应用中各元件值并不限于上述数值,其可以根据各个使用环境下的不同需求,采用不同参数值的电路元件。
本发明实施例提供的一种应用于LTE的射频低通滤波器,包括依次连接的第一滤波电感L3、第一谐振电路100、第二滤波电感L4和第二谐振电路200,将谐振电路中的电容都用开路微带来代替,相应的形成两个传输零点,使得通带内的插入损耗很小、驻波好,而对阻带的抑制却很强,性能优良且成本低廉,能够灵活多用。另外,本发明实施例提供的应用于LTE的射频低通滤波器主要应用在LNA(Low Noise Amplifier,低噪声放大器)级联的中间级或者末级,如果在射频双工器上使用,可以增强滤波器高频的带外抑制,减少整个系统的噪声。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,尽管参照前述实施例对本发明进行了较详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改、或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (3)

1.一种应用于LTE的射频低通滤波器,所述LTE为Long Term Evolution长期演进项目,包括依次连接的第一滤波电感L3和第二滤波电感L4,所述第一滤波电感L3的第一端为所述滤波器的输入端,所述第二滤波电感L4的第二端为所述滤波器的输出端,其特征在于,所述滤波器还包括:
第一谐振电路,连接在所述第一滤波电感和第二滤波电感的公共连接端,形成输入信号的第一个传输零点;
第二谐振电路,连接于所述第二滤波电感的第二端,形成输入信号的第二个传输零点;
其中,所述第一谐振电路包括绕线电感L1和开路微带T1,所述绕线电感L1的第一端连接在所述第一滤波电感和第二滤波电感的公共连接端,所述绕线电感L1的第二端接所述开路微带T1;
所述第二谐振电路包括绕线电感L2和开路微带T2,所述绕线电感L2的第一端连接于所述第二滤波电感的第二端,所述绕线电感L2的第二端接所述开路微带T2。
2.如权利要求1所述的滤波器,其特征在于,所述绕线电感L1为射频高Q电感,所述开路微带T1为标准50欧姆开路微带线。
3.如权利要求1所述的滤波器,其特征在于,所述绕线电感L2为射频高Q电感,所述开路微带T2为标准50欧姆开路微带线。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103869177B (zh) * 2012-12-10 2018-03-16 北京普源精电科技有限公司 射频测量装置
CN103944528B (zh) * 2014-05-13 2016-11-02 苏州博海创业微系统有限公司 一种高抑制ltcc低通滤波器
CN106209008B (zh) * 2016-06-30 2019-02-26 深圳市九洲电器有限公司 一种滤波器及电子设备
CN106067580A (zh) * 2016-08-03 2016-11-02 华南理工大学 基于阶跃阻抗谐振器的超宽阻带低通滤波器

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1416216A (zh) * 2001-11-02 2003-05-07 韩国电子通信研究院 用于高频应用的低通滤波器
CN201869174U (zh) * 2010-11-02 2011-06-15 北京七星华创电子股份有限公司 Lc低通滤波器
CN102427151A (zh) * 2011-08-23 2012-04-25 惠州市正源微电子有限公司 一种应用于移动设备射频前端模块的微带滤波器

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1855348A1 (en) * 2006-05-11 2007-11-14 Seiko Epson Corporation Split ring resonator bandpass filter, electronic device including said bandpass filter, and method of producing said bandpass filter

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1416216A (zh) * 2001-11-02 2003-05-07 韩国电子通信研究院 用于高频应用的低通滤波器
CN201869174U (zh) * 2010-11-02 2011-06-15 北京七星华创电子股份有限公司 Lc低通滤波器
CN102427151A (zh) * 2011-08-23 2012-04-25 惠州市正源微电子有限公司 一种应用于移动设备射频前端模块的微带滤波器

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