CN106233623B - 频率复用器 - Google Patents

频率复用器 Download PDF

Info

Publication number
CN106233623B
CN106233623B CN201580019787.9A CN201580019787A CN106233623B CN 106233623 B CN106233623 B CN 106233623B CN 201580019787 A CN201580019787 A CN 201580019787A CN 106233623 B CN106233623 B CN 106233623B
Authority
CN
China
Prior art keywords
frequency
output
circuit
signal
filter circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201580019787.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106233623A (zh
Inventor
C·左
D·D·金
D·F·伯蒂
C·H·尹
J-H·J·兰
R·P·米库尔卡
M·F·维纶茨
J·金
M·M·诺瓦克
R·S·C·斯普林
X·张
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Qualcomm Inc
Original Assignee
Qualcomm Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Qualcomm Inc filed Critical Qualcomm Inc
Publication of CN106233623A publication Critical patent/CN106233623A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106233623B publication Critical patent/CN106233623B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04J—MULTIPLEX COMMUNICATION
    • H04J1/00—Frequency-division multiplex systems
    • H04J1/02—Details
    • H04J1/08—Arrangements for combining channels
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/46—Networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H7/463—Duplexers
    • H03H7/465—Duplexers having variable circuit topology, e.g. including switches
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • H04B1/0053—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band
    • H04B1/0057—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band using diplexing or multiplexing filters for selecting the desired band
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • H04B1/0053—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band
    • H04B1/006—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band using switches for selecting the desired band
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • H04B1/0064—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with separate antennas for the more than one band
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H2240/00—Indexing scheme relating to filter banks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H2250/00—Indexing scheme relating to dual- or multi-band filters

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Transceivers (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

公开了包括耦合至输入节点且被配置成经由输入节点接收输入信号的频率复用器电路的装置。该频率复用器电路包括第一滤波器电路、第二滤波器电路和第三滤波器电路。该装置还包括切换电路，其可配置成将第一滤波器电路的第一输出、第二滤波器电路的第二输出或第三滤波器电路的第三输出中的至少两者耦合至单个输出端口。

Description

频率复用器
I.相关申请的交叉引用
本申请要求于2014年4月18日提交的题为“FREQUENCY MULTIPLEXER(频率复用器)”的美国临时专利申请No.61/981,538以及于2015年4月8日提交的美国非临时专利申请No.14/682,023的优先权，它们的内容通过援引全部明确纳入于此。
II.领域
本公开一般涉及频率复用器。
III.相关技术描述
技术进步已产生越来越小且越来越强大的计算设备。例如，当前存在各种各样的便携式个人计算设备，包括较小、轻量且易于由用户携带的无线计算设备，诸如便携式无线电话、个人数字助理(PDA)以及寻呼设备。更具体地，便携式无线电话(诸如蜂窝电话和网际协议(IP)电话)可通过无线网络传达语音和数据分组。此外，许多此类无线电话包括被纳入于其中的其他类型的设备。例如，无线电话还可包括数码相机、数码摄像机、数字记录器以及音频文件播放器。同样，此类无线电话可处理可执行指令，包括可被用于访问因特网的软件应用，诸如web浏览器应用。如此，这些无线电话可包括显著的计算能力。
无线电话可支持载波聚集以经由无线电话的单个天线通过多个相异的频带接收通信。例如，无线电话可包括频率双工器，其被配置成将输入信号的高频带分量与输入信号的低频带分量分开以用于分开的分量处理。频率双工器可被用来从载波信号的聚集中并发地提取三个或更多个载波信号，诸如通过使用频率双工器的串行排列(其因插入损耗可导致降级的性能)或通过使用附加天线(其可导致增大的设备大小和/或成本)。
IV.概述
一种频率复用器电路被配置成从聚集载波电路并发地提取三个或更多个载波信号。高品质因数电路组件可实现毗邻频带之间的良好分辨率，同时维持相对较小的设备大小，诸如通过使用玻璃上无源(POG)型制造技术。切换电路系统可被用来组合一个或多个所提取的信号，由此使得频率复用器电路的重配置能够实现无线通信设备根据各种无线通信协议的操作。
在特定实施例中，一种装置包括耦合至输入节点且被配置成经由输入节点接收输入信号的频率复用器电路。该频率复用器电路包括第一滤波器电路，其被配置成衰减输入信号的在第一频率范围之外的第一频率分量。该频率复用器电路包括第二滤波器电路，其被配置成衰减输入信号的在第二频率范围之外的第二频率分量。该频率复用器电路还包括第三滤波器电路，其被配置成衰减输入信号的在第三频率范围之外的第三频率分量。响应于输入信号与包括具有第一频率范围内的第一频率的第一载波信号、具有第二频率范围内的第二频率的第二载波信号和具有第三频率范围内的第三频率的第三载波信号的载波聚集信号相对应，频率复用器电路被配置成在第一滤波器电路的第一输出处提供第一载波信号，在第二滤波器电路的第二输出处提供第二载波信号，以及在第三滤波器电路的第三输出处提供第三载波信号。
在另一特定实施例中，该装置包括耦合至输入节点且被配置成经由输入节点接收输入信号的频率复用器电路。该频率复用器电路包括第一滤波器电路，其被配置成衰减输入信号的在第一频率范围之外的第一频率分量。该频率复用器电路包括第二滤波器电路，其被配置成衰减输入信号的在第二频率范围之外的第二频率分量。该频率复用器电路还包括第三滤波器电路，其被配置成衰减输入信号的在第三频率范围之外的第三频率分量。该装置还包括切换电路，其可配置成将第一滤波器电路的第一输出、第二滤波器电路的第二输出或第三滤波器电路的第三输出中的至少两者耦合至单个输出端口。
在另一特定实施例中，该装置包括耦合至输入节点且被配置成经由输入节点接收输入信号的频率复用器电路。该频率复用器电路包括第一滤波器电路，其被配置成衰减输入信号的在第一频率范围之外的第一频率分量。该频率复用器电路包括第二滤波器电路，其被配置成衰减输入信号的在第二频率范围之外的第二频率分量。该频率复用器电路还包括第三滤波器电路，其被配置成衰减输入信号的在第三频率范围之外的第三频率分量。在特定示例性实现中，该频率复用器电路被集成在具有小于约8平方毫米的面积且具有小于约0.5毫米的高度的设备中。
在另一特定实施例中，一种方法包括在频率复用器电路处经由输入节点接收输入信号。该输入信号对应于载波聚集信号，该载波聚集信号包括对应于第一频率范围的第一载波信号、对应于第二频率范围的第二载波信号以及对应于第三频率范围的第三载波信号。该方法包括将输入信号提供给被配置成衰减输入信号的在第一频率范围之外的第一频率分量的第一滤波器电路、被配置成衰减输入信号的在第二频率范围之外的第二频率分量的第二滤波器电路、以及被配置成衰减输入信号中的第三频率范围之外的第三频率分量的第三滤波器电路。该方法还包括向单个输出端口提供第一滤波器电路的第一输出处的第一载波信号、第二滤波器电路的第二输出处的第二载波信号、或者第三滤波器电路的第三输出处的第三载波信号中的至少两者。
在另一特定实施例中，一种设备包括用于对输入信号滤波以衰减输入信号的在第一频率范围之外的第一频率分量的第一装置。该设备包括用于对输入信号滤波以衰减输入信号的在第二频率范围之外的第二频率分量的第二装置。该设备还包括用于对输入信号滤波以衰减输入信号的在第三频率范围之外的第三频率分量的第三装置。该设备还包括用于将用于滤波的第一装置的第一输出、用于滤波的第二装置的第二输出或用于滤波的第三装置的第三输出中的至少两者耦合至单个输出端口。
在特定实施例中，一种计算机可读介质存储能由处理器执行的指令。该指令包括能由计算机执行以使得频率复用器电路经由输入节点接收输入信号的指令(例如，处理器可发送控制信号以激活频率复用器电路的输入处的切换网络，诸如关于图7描述的耦合至频率复用器电路128的切换网络702)。该输入信号对应于载波聚集信号，该载波聚集信号包括对应于第一频率范围的第一载波信号、对应于第二频率范围的第二载波信号以及对应于第三频率范围的第三载波信号。这些指令能由计算机执行以使得输入信号被提供给被配置成衰减输入信号的在第一频率范围之外的第一频率分量的第一滤波器电路、被配置成衰减输入信号的在第二频率范围之外的第二频率分量的第二滤波器电路、以及被配置成衰减输入信号的在第三频率范围之外的第三频率分量的第三滤波器电路(例如，处理器可发送一个或多个控制信号以配置切换网络到频率复用器电路的滤波器电路的输入的连接，诸如关于图7描述的耦合至频率复用器电路128的切换网络702)。这些指令能执行以向单个输出端口提供在第一滤波器电路的第一输出处提供的第一载波信号、在第二滤波器电路的第二输出处提供的第二载波信号、以及在第三滤波器电路的第三输出处的第三载波信号中的至少两者(例如，处理器可发送控制信号以配置频率复用器电路的输出处的切换电路(诸如，如关于图2描述的耦合至频率复用器电路128的切换电路220)以将频率复用器电路的多个输出耦合至单个输出端口)。
由所公开的实施例中的至少一者提供的一个特定优点在于与包括多个串行连接的频率双工器以用于载波提取的设备相比，可以相对较低的插入损耗、减小的设备大小和/或使用较少数目的天线从载波聚集信号中提取多个载波信号。本公开的其他方面、优点和特征将在阅读了整个申请后变得明了，整个申请包括下述章节：附图简述、详细描述以及权利要求书。
V.附图简述
图1是包括具有频率复用器电路的设备的系统的特定解说性实施例的一般性示图，该频率复用器电路被配置成实现从收到载波聚集信号中并发地提取三个或更多个载波信号；
图2是图1的频率复用器电路的特定解说性实施例的一般性示图；
图3是图2的频率复用器电路的另一解说性实施例的一般性示图；
图4是图2的频率复用器电路的另一解说性实施例的一般性示图；
图5是具有三个滤波器电路的图1的频率复用器电路的特定解说性实施例的电路图；
图6是具有四个滤波器电路的图1的频率复用器电路的另一特定解说性实施例的电路图；
图7是包括输入切换网络的图1的频率复用器电路的特定解说性实施例的一般性示图；
图8是可结合图1的频率复用器电路使用的电路组件的解说性实施例的示图；
图9是可结合图1的频率复用器电路使用的电路组件的另一解说性实施例的示图；
图10是可结合图1的频率复用器电路使用的电感器的解说性实施例的示图；
图11是包括图1的频率复用器设备的电子设备的框图；
图12是制造包括图1的频率复用器设备的电子设备的制造过程的特定解说性实施例的数据流图；以及
图13是可在图1的频率复用器设备处执行的方法的特定解说性实施例的流程图。
VI.详细描述
参照图1，描绘了包括具有频率复用器电路128的移动设备120的系统的特定实施例并且被一般性地指定为100。该系统100包括第一信号源102、第二信号源104和第三信号源106。移动设备120与信号源102-106中的每一者处于通信。移动设备120包括频率复用器电路128。频率复用器电路128使得移动设备120的天线(ANT)122所接收到的载波聚集信号118能够被用来生成多个所恢复的载波信号。
第一信号源102可包括第一发射机，诸如，第一无线网络的发射机。例如，第一信号源102可以是码分多址(CDMA)系统、移动通信广播系统(GSM)系统、宽带CDMA(WCDMA)系统、长期演进(LTE)系统、增强型LTE系统、或另一类型的无线通信系统的发射机。移动设备120可接收由第一信号源102生成的第一载波信号112。类似地，第二信号源可包括第二发射机。移动设备120可接收由第二信号源104生成的第二载波信号114。第三信号源106可包括第三发射机。移动设备120可接收由第三信号源106生成的第三载波信号116。信号源102-106可对应于共用无线通信系统(例如，LTE系统中的多个发射机)或者可对应于相异的通信系统。尽管解说了三个相异的源102-106，但在其它实施例中，可经由单个发射机传送两个或更多个载波信号112-116。
第一载波信号112的第一频率示图160解说了第一载波信号112在第一频率范围内的分量，第一频率范围在第一频率(F1)(例如，0赫兹(Hz))与第二频率F2之间延伸。第一载波信号112包括第一频率范围内的第一载波频率(由垂直箭头指示)，并且第一频率范围可包括被分配用于第一载波信号112的调制的带宽。因此，第一载波信号112“对应于”第一频率范围。第二频率示图162解说了第二载波信号114的分量，其示出第三频率F3与第四频率F4之间的第二频率范围内的信号分量，其中第二载波信号114对应于第二频率范围。第三频率示图164解说了第三载波信号116，其具有第五频率F5与第六频率F6之间的第三频率范围中的非零信号分量，其中第三载波信号116对应于第三频率范围。在天线122处被接收时，载波信号112-116可在共用输入节点124处被聚集，如在第四频率示图166中所解说的。第四频率示图166解说了第二载波信号114和第三载波信号116的毗邻频率范围之间的频率间隙150。例如，频率F4与F5之间的频率差可以小于200兆赫(MHz)，诸如100MHz间隙150。
移动设备120的频率复用器电路128包括第一滤波器电路142、第二滤波器电路144和第三滤波器电路146。第一滤波器电路142被配置成衰减经由输入节点124接收到的输入信号(诸如载波聚集信号118)的在第一频率范围之外的第一频率分量。例如，第一滤波器电路142可对应于用于第一载波信号112的滤波器并且可衰减低于第一频率F1的频率分量且还可衰减高于第二频率F2的频率分量。第二滤波器电路144被配置成衰减输入信号的在第二频率范围之外的第二频率分量。例如，在第二滤波器电路144对应于用于第二载波信号114的滤波器时，第二滤波器电路144被配置成衰减低于第三频率F3的频率分量且还衰减高于第四频率F4的频率分量。第三滤波器电路146被配置成衰减输入信号的在第三频率范围之外的第三频率分量。例如，在第三滤波器电路146对应于第三载波信号116时，第三滤波器电路146可被配置成衰减具有低于第五频率F5的频率的信号分量且还可衰减具有高于第六频率F6的频率的信号分量。
第一滤波器电路142的输出可被提供给第一接收机电路172。例如，第一滤波器电路142可通过阻挡在F1与F2之间的第一频率范围之外的信号分量来生成所恢复第一载波信号132。第一接收机电路172可包括一个或多个射频或基带组件，诸如混频电路、一个或多个放大器、调制器/解调器(调制解调器)、一个或多个其它电路、或其组合。第二滤波器电路144的输出被提供给第二接收机电路174。例如，第二滤波器电路144可通过衰减输入信号的具有小于F3的频率或具有高于F4的频率的分量来生成所恢复第二载波信号134。第三滤波器电路146可向第三接收机电路176提供对应于输入信号的经滤波输出的输出(诸如，所恢复第三载波信号136)。例如，第三滤波器电路146可通过衰减输入信号的具有小于F5的频率或具有高于F6的频率的分量来生成所恢复第三载波信号136。
在操作期间，移动设备120可经由天线122接收具有不同频率范围的多个信号(诸如，第一载波信号112、第二载波信号114和第三载波信号116)。所接收到的信号可被聚集为载波聚集信号118并经由输入节点124提供给频率复用器电路128。滤波器电路142-146中的每一者可并行地在输入信号的频率范围的相应部分上操作以生成对应于收到载波112-116的个体信号，收到载波112-116对应于所恢复载波信号132-136。所恢复载波信号132-136中的每一者可被提供给分开的RF链路，诸如被解说为第一接收机电路系统172、第二接收机电路系统174和第三接收机电路系统176。
通过在频率复用器电路128内具有多个滤波器电路，载波聚集信号118的个体载波信号可被提取并被提供以用于进一步处理。另外，通过使用高品质因数(高Q)电路组件(诸如具有相对较低电阻或其它损耗的高Q电容器和电感器)，被分开频率范围之间的较小频率间隙(诸如频率间隙150)的相异载波信号的提取可在商业上可行的设备大小内实现。例如，通过使用频率复用器电路128处的一个或多个电路组件(诸如，电感器)，根据玻璃上无源(POG)型制造技术，如进一步关于图8-10解说的，可提供高Q滤波器组件，其具有比根据常规制造技术制造的组件减少的占用面积。例如，使用高Q滤波器组件的频率复用器电路128可被集成到具有小于约8平方毫米的面积且具有小于约0.5毫米的高度的设备中，如关于图5进一步详细描述的。
尽管频率复用器电路128被解说为包括三个滤波器电路142-146，但在其它实施例中，频率复用器电路128可包括多于三个滤波器电路，诸如关于图2描述的。另外，尽管频率复用器电路128被示为使每个滤波器电路142-148的输出直接引导至相应接收机处理链172-176，但在其它实施例中，频率复用器电路128的滤波器电路输出可在一个或多个相异输出端口和/或端阻抗电路当中切换，诸如关于图2和3进一步详细描述的。进一步，尽管频率复用器电路128被描述为使滤波器电路142-146中的每一者耦合至输入节点124，但在其它实施例中，频率复用器电路128的个体滤波器可经由切换网络选择性与输入节点124耦合或解耦，诸如关于图7进一步描述的。
通过提供对载波聚集信号118的频率解复用，频率复用器电路128使得移动设备120能够并发地或基本并发地处理多个输入信号。例如，移动设备120可被配置成遵循对应于长期演进(LTE)通信标准的载波选择准则，其指定多个载波的特定频率范围并且进一步指定两个频率范围之间的相对较小的频率间隙(诸如100兆赫频率间隙)，诸如在第四频率示图166中解说的。例如，第一载波的第一频率范围可包括0MHz与960MHz之间的频率，第二载波的第二频率范围可包括1.4GHz与2.2GHz之间的频率，并且第三载波的第三频率范围可包括2.3GHz与2.7GHz之间的频率。第二频率范围与第三频率范围之间的频率间隙为100MHz。
参照图2，描绘了图1的频率复用器电路128的实现的示例性实施例并被一般性地指定为200。图1的输入节点124可耦合至共用输入信号或天线(诸如图1的天线122)。频率复用器电路128包括多个滤波器输出202，诸如第一滤波器输出204、第二滤波器输出206、第三滤波器输出208、第四滤波器输出210、第五滤波器输出212和第六滤波器输出214。尽管六个滤波器输出204-214被解说为对应于频率复用器电路128内的六个相异滤波器电路，但在其它实施例中，频率复用器电路128可具有对应于多于六个滤波器电路的多于六个滤波器输出或者可具有对应于少于六个滤波器电路的少于六个滤波器输出。
切换电路系统220被配置成将滤波器输出220中的一者或多者耦合至一个或多个输出端口(Bn)，诸如第一输出端口232、第二输出端口234、第三输出端口236或第四输出端口238。例如，切换电路系统220被解说为处于将第一滤波器输出204耦合至第一输出端口232的配置。切换电路系统220还被解说为被配置成将滤波器输出202中的至少两个耦合至单个输出端口。例如，切换电路系统220被配置成将第一输出204、第二输出206和第三输出208中的至少两个耦合至单个输出端口，诸如第三输出端口236。图2中所解说的实施例描绘了两个输出耦合至单个输出端口的示例，其中第二滤波器输出206和第三滤波器输出208均耦合至第三输出端口236。频率复用器电路128的输出的一个或多个其它群可耦合至其它输出端口。为了解说，作为解说性而非限定性示例，输出210、212或214中的两个或更多个可被耦合至单个输出端口238，作为输出206、208被耦合至单个输出端口236的替代或补充。切换电路系统220被进一步配置成将滤波器输出220中的至少一者耦合至端阻抗电路(Zn)，诸如第一端阻抗电路242、第二端阻抗电路244、第三端阻抗电路246或第四端阻抗电路248。如所解说的，切换电路系统220将第六滤波器输出214耦合至第四端阻抗电路248。
切换电路系统220使得多个滤波器电路的输出能够被聚集成单个频率输出信号，诸如通过将第二滤波器输出206处的信号与第三滤波器输出208处的信号组合以形成第三输出端口236处的输出信号。第三输出端口236处的输出信号可具有基本上等于对应于耦合至频率复用器128的第二输出206的滤波器电路的通带和耦合至频率复用器128的第三输出208的滤波器电路的通带的带宽总和的带宽。替换地，切换电路系统220可将单个滤波器输出耦合至单个输出端口，诸如第一滤波器输出204被解说为耦合至第一输出端口232。因此，切换电路系统220使得频带的选择和排列能够在各个输出端口232-238处提供以容适各种无线通信配置。
端阻抗电路242-248可包括被配置成向未使用的滤波器输出提供端阻抗的一个或多个电路组件。例如，滤波器输出202中未经由切换电路系统220耦合至输出端口232-238的每一个滤波器输出可耦合至端阻抗电路242-248。将“未使用的”滤波器输出202耦合至端阻抗电路242-248可减小噪声、插入损耗或可发生在频率复用器电路128内的一个或多个其它损耗。
与频率复用器电路128相关联的一个或多个滤波器电路的电路组件可以是可调整的，诸如关于图5进一步描述的。进一步，端阻抗电路242-248的一个或多个组件可以是可调整的。例如，一个或多个端阻抗电路242可包括电感性元件、电容性元件、电阻性元件或其任何组合中的一者或多者。电感性元件、电容性元件、或电阻性元件中的一者或多者可以是可调整的，诸如通过经由控制信号对大小、长度、或电路组件的其它属性的选择。为了解说，控制信号可经由图1的移动设备120的处理器(诸如，基带处理器或调制解调器)来提供。生成用于控制频率复用器电路的操作的控制信号的处理器的示例关于图11进一步详细描述。
参照图3，描绘了包括图1的频率复用器电路128的系统的特定实施例并被一般性地指定为300。系统300包括分集天线阵列，其包括主(PRX)天线302和分集(DRX)天线304。主天线302耦合至频率复用器电路128。分集天线304耦合至第二频率复用器电路328，其可按如参照图1的频率复用器128描述的类似方式来配置。系统300进一步包括图2的切换电路系统220。
第一频率复用器电路128和第二频率复用器电路328可以是可配置的并且可各自包括三个滤波器电路，分别被指定为对应于低频带(LB)、中频带(MB)和高频带(HB)。每一个滤波器电路输出可耦合至切换电路系统220。切换电路系统220可被配置成在第一模式中分别在输出端口312、316、324、318、322和328处生成主高频带、主中频带和主低频带信号并且还生成分集主高频带、分集中频带和分集低频带信号。在第二操作模式中，切换电路系统220被配置成将第一频率复用器128的高频带滤波器输出与中频带滤波器输出处的信号组合以在输出端口314处生成主时分双工(TDD)信号。在第二操作模式中，切换电路系统220还被配置成将第二频率复用器328的高频带滤波器输出与中频带滤波器输出处的信号组合以在输出端口320处生成分集TDD信号。同样在第二操作模式中，在输出端口324处提供主低频带信号并且在输出端口328处提供分集低频带信号。
通过在操作模式之间切换，系统300使得用于主天线302和用于分集天线304的高频带、中频带和低频带输出能够在第一操作模式中被接收，并且在第二操作模式中经由主天线302和分集天线304接收TDD信号，同时还从天线302-304中的两者接收低频带信号。图3中描绘的切换电路系统220的示例以及第一操作模式中和第二操作模式中的输出信号的频率示图关于图4进一步详细解说。
参照图4，第一配置400解说了低频带/中频带/高频带三工器模式中图1的频率复用器电路128的电路组件以及示出信号分量的对应频率示图402。图4还描绘了第二操作模式中图3的频率复用器电路128的第二配置404，解说为低频带/TDD双工器模式。频率示图406解说了根据第二操作模式的信号频率分量。
在根据第一配置400的第一操作模式中，图3的切换电路系统220包括第一开关420和第二开关422。共用节点124耦合至第一滤波器电路142，第一滤波器电路142具有耦合至低频带输出端口412的第一滤波器输出。共用节点124进一步耦合至第二滤波器电路144，第二滤波器电路144具有耦合至第一开关420的第二滤波器输出。第一开关420可选择性地耦合至中频带端口414或与TDD输出端口418耦合的匹配电路424的输入。共用节点124进一步耦合至第三滤波器电路146，并且第三滤波器电路146的第三滤波器输出耦合至第二开关422。第二开关422被配置成耦合至匹配电路424的输入或耦合至高频带输出端口416。在由第一配置400解说的第一操作模式中，第一开关420将第二滤波器电路144的输出耦合至中频带输出端口414，并且第二开关422将第三滤波器电路146的输出耦合至高频带输出端口416。
作为解说性而非限定性示例，频率示图402解说了作为频率的函数的以分贝计的传输信号强度。第一曲线430对应于低频带输出端口412处的信号。第二曲线432对应于中频带输出端口414处的信号。第三曲线434解说了高频带输出端口416处的信号。
第二配置404解说了第一开关420将第二滤波器电路144耦合至匹配电路424，而非耦合至中频带输出端口414。第三滤波器电路146经由第二开关422耦合至匹配电路424，而非耦合至高频带输出端口416。因此，来自第二滤波器电路144和第三滤波器电路146的输出信号在匹配电路424处的输入处被组合。匹配电路424被配置成提供频移以调谐TDD输出端口418处结果所得的输出信号的频率尖峰。为了解说，频率图406描绘了对应于低频带输出端口412处的输出的第一曲线430。另外，作为解说性而非限定性示例，TDD输出信号436被解说为对应于TDD输出端口418处的输出。如所解说的，TDD曲线436具有约等于在频率示图402中解说的中频带和高频带信号的带宽的总和的带宽，其中信号尖峰被匹配电路424移位至约2.3千兆赫。另外，TDD曲线还覆盖中频带和高频带信号之间的频率间隙，以支持在LB/MB/HB三工器模式中不支持的频带(例如，频率间隙150)。
参照图5，描绘了对应于频率复用器电路128的电路系统的特定实施例并被一般性地指定为500。第一滤波器电路142耦合至共用节点124并耦合至低频带输出端口412，并且包括耦合至低频带输出端口412的电容器502。第一电感器504在低频带输出端口412处与电容器506并联耦合。第一电感器504和电容器506被进一步耦合至电容器508和第二电感器510的第一端子。第二电感器510的第二端子耦合至共用节点124。
第二滤波器电路144包括耦合至输入节点124的第三电容器520。第一电感器/电容器(LC)电路包括与电容器522并联耦合的第三电感器524，并且第二LC电路包括与电容器528并联耦合的第四电感器530。第一LC电路的输出经由电容器526耦合至地。第二LC电路的输出耦合至中频带输出节点414并经由电容器532耦合至地。
第三滤波器电路146被解说为包括电容器534，电容器534具有耦合至共用节点124的第一电容器端子。电容器534的第二端子耦合至电容器538的第一端子。电容器538的第二端子耦合至高频带输出节点416。电容器534的第二端子还耦合至第五电感器536的第一端子。第五电感器536的第二端子经由电容器540耦合至地。
在特定实施例中，频率复用器电路的电容器和电感器中的每一者都具有特定特性。例如，在第一滤波器电路142内，电容器502可具有0.8皮法(pF)的电容，第一电感器504可具有5.2纳亨(nH)的电感，并且电容器508可具有1.4pF的电容。第一滤波器电路142的电容器和电感器的特定特性可使得第一滤波器电路142能够通过落在0MHz与960MHz之间的第一频率范围内的信号分量。在第二滤波器电路144内，电容器520可具有1.8pF的电容，第三电感器524可具有4.6nH的电感，电容器522可具有1pF的电容，第四电感器530可具有1nH的电感，电容器528可具有3.8pF的电容，电容器526可具有6.6pF的电容，并且电容器532可具有0.35pF的电容。第二滤波器电路144的电容器和电感器的特定特性可使得第二滤波器电路144能够通过落在1.4GHz到2.2GHz之间的第二频率范围内的信号分量。在第三滤波器电路146内，电容器534可具有0.35pF的电容，电容器538可具有0.35pF的电容，第五电感器536可具有6nH的电感，并且电容器540可具有12pF的电容。第三滤波器电路146的电容器和电感器的特定特性可使得第三滤波器电路146能够通过落在2.3GHz到2.7GHz之间的第三频率范围内的信号分量。第一频率范围可对应于低频带(LB)，第二频率范围可对应于中频带(MB)，并且第三频率范围可对应于高频带(HB)。
尽管未在图5中解说，但一个或多个组件(例如，一个或多个电感器和/或一个或多个电容器)可以是可调整的。例如，频率复用器电路128的一个或多个组件可代表一排可选择组件，其可响应于一个或多个控制信号(诸如从基带处理器或调制解调器接收到的调整频率复用器电路128的性能或参数设置的控制信号)而被切换进和切换出电路。
如图5中所示，频率复用器电路128可被集成到设备560中。例如，设备560可包括第一部分564、第二部分566和第三部分568。第一部分564可包括第五电感器536，第二部分566可包括第三电感器524和第四电感器530，并且第三部分568可包括第一电感器504和第二电感器510。设备560可具有长度570、宽带572和高度562。设备560的面积可通过将长度570乘以宽度572来确定。在特定实施例中，设备560的面积小于约8平方毫米，并且设备具有小于约0.5毫米的高度。例如，部分564-568中每一者的面积可以约为2.5平方毫米，并且设备564可具有约为3x 2.5＝7.5平方毫米的面积。可使用玻璃上无源制造技术来实现具有所指示尺寸的设备中的高Q电感器和电容器的制造，诸如关于图8-11描述的。
图5的特定实施例被解说以用于示例性目的。尽管图5示出了三个滤波器电路的配置，但其它实施例可包括比三个更多或更少的滤波器电路。进一步，可使用滤波器电路的替换配置。
参照图6，描绘了图1的频率复用器电路128的解说性实施例并被一般性地指定为600。共用节点124经由第一滤波器电路142耦合至低频带输出端口412(如图5中所解说的)，输入节点124经由第二滤波器电路144耦合至中频带输出端口414(如图5中所解说的)，并且高频带输出端口416经由第三滤波器电路146耦合至输入节点124(如图5中所解说的)。第二中频带输出端口602经由第四滤波器电路620耦合至输入节点124。
如所解说的，第四滤波器电路620包括电容器604，电容器604具有耦合至输入节点124的第一端子以及耦合至第一LC电路和第二LC电路的第二端子。第一LC电路包括与电感器608并联耦合的电容器606。第一LC电路经由电容器612耦合至地。第二LC电路包括与电感器618并联耦合的电容器616。第二LC电路耦合至第二中频带输出端口602。另外，第二中频带输出端口602经由电容器614耦合至地。如图6中所解说的，第一滤波器电路142对应于低频带滤波器，并且第三滤波器电路146对应于高频带滤波器。第一中频带滤波器电路144对应于第一带通滤波器，并且第二中频带滤波器电路620对应于第二带通滤波器。通过选择和/或调整滤波器电路142、144、146和/或620中的一者或多者内的电容器和/或电感器的值，可将频率响应调整成对应于收到输入信号。尽管图6中所描绘的实施例解说了两个中频带滤波器电路144和620，但在其它实施例中，附加滤波器电路可被添加并且可具有基本上类似于第二滤波器电路144和/或滤波器电路620的电路结构，具有对应于用于(诸)附加滤波器的频率范围的电容和电感的值。
参照图7，描绘了包括图1的频率复用器电路128的实现的设备的特定实施例并被一般性地指定为700。输入节点124经由切换网络702耦合至频率复用器电路128。频率复用器电路128包括多个滤波器输出204-214，其经由图2的切换电路系统220耦合至输出端口232-238中的一者或多者或者耦合至端阻抗组件242-248。
切换网络702被配置成将输入节点124选择性地耦合至一个或多个滤波器输入704、706、708、710、712或714。例如，如图7中所解说的，输入节点124经由切换网络702耦合至第二滤波器输入706、第四滤波器输入710和第六滤波器输入714，并且输入节点124不连接至第一滤波器输入704、第三滤波器输入708或第五滤波器输入712。通过选择性地将输入节点124耦合至滤波器电路并且不耦合(即，不插入到信号路径中)未被用于从共用节点124处的载波聚集信号恢复载波信号的滤波器电路，在频率复用器电路128的操作期间插入损耗和/或其它性能降低效应可被减小和/或消除。
参照图8，公开了器件800的特定解说性实施例的横截面图。器件800可包括电容器和电感器，其可对应于共享图1的第一滤波器电路142、第二滤波器电路144和/或第三滤波器电路146内的节点的电容器和电感器的任何组合。例如，器件800可对应于共享如参照图4－图6描述的节点的电容器和电感器中的任一者。为了解说，参照图5，器件800可对应于电容器502、506、508和电感器504之一。作为另一示例，器件800可对应于电容器506、508、520、534和电感器510之一。作为另一示例，器件800可对应于电容器520、528、532和电感器530之一。作为另一示例，器件800可对应于电容器520、522、526、528和电感器524之一。作为另一示例，器件800可对应于电容器534、538、540和电感器536之一。为了进一步解说，参照图6，器件800可对应于电容器604、606、612、616和电感器608之一、或者对应于电容器604、606、616、620和电感器618之一。
器件800包括底部表面890和顶部表面892。器件800进一步包括基板802。器件800可包括从基板802的一侧向基板802的另一侧延伸穿过基板802的第一通孔804。器件800还包括电容器814。电容器814包括在第一通孔804与电容器814的第二极板808之间的电介质806。
基板802可由低损耗材料(例如，电介质、宽带隙半导体等)制成。低损耗材料可包括介电材料或高绝缘性半导体材料。在一特定实施例中，器件800是无源器件，基板802包括玻璃型基板，并且第一通孔804包括透玻通孔(TGV)。作为解说性、非限定性示例，基板802可包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率基板(HRS)、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板。
第一通孔804可用金属来填充。在一特定实施例中，金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)或金(Au)中的至少一者。
在一特定实施例中，电容器814包括第二极板808(例如，第二金属层)、电介质806、以及第一极板820(例如，第一金属层)。第一极板820可位于第一通孔804与电介质806之间。第一极板820电耦合至第一通孔804。第一极板820和第二极板808位于器件800内。电介质806可包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者。电容器814的第二极板808在基板802以外(例如，在基板102之上并且并不嵌入其中)。
器件800可包括包含第一通孔804、第一传导结构840(例如，背侧金属层(MA))、第二通孔830、第二传导结构842(例如，第三金属层)、第三通孔832、和第三传导结构844(例如，背侧金属层)的电感器。
第一传导结构840和第三传导结构844可位于第一层间电介质(ILD)810中以将第一传导结构840和第三传导结构844与其他设备或电路系统电绝缘。电容器814和第二传导结构842可位于第二ILD 812中以将电容器814和第二传导结构842与其他设备或电路系统电绝缘。第二极板808可位于第四传导结构846(例如，第三金属层)与电介质806之间。在一特定实施例中，第四传导结构846可位于钝化层850中以将第四传导结构846与其他设备或电路系统电绝缘。
电感器和电容器814可以形成谐振电路。例如，当电容器814用第一极性来充电并开始放电时，电流可以开始流经电感器。当电容器814放电时，电感器的磁场可因电流流经电感器而建立。在电容器814已经放电之后，随着流经电感器的电流减少，该磁场可以使电容器814用与第一极性相反的极性来充电。随着磁场强度降低，相反电流方向的第二电流可随后开始流经电感器。第二电流可以将电容器814放电并随后用较早的极性重新对电容器814充电。跨电容器814和电感器的电压可以在约等于电容器814的电容值乘以电感器的电感值的频率(例如，谐振频率)处振荡。电流因电阻导致的损耗可抑制振荡并且可以降低电路的效率。
通过使电容器814在第一通孔804与电容器814的第二极板808之间具有电介质806，第一通孔804与电容器814之间的电阻可被减少。器件800的第一电路可以具有与具有不位于第一通孔804之上的电容器814相比较低的功耗。例如，通过使用电容器814而没有添加来自将第一通孔804连接至电容器814的金属线的电阻，第一电路可以具有较低电阻。降低的电阻可以导致使用第一电路期间的较低功耗。此外，第一电路的品质因数(Q因数)可以高于常规电路。较高的品质因数指示相对于所存储的第一电路能量的较低的能量损耗率。另外，通过包括在第一通孔804之上而非其旁边(或偏离其)的电容器814，第一电路可以具有较小的尺寸。
注意，在本公开的特定实施例中，薄膜沉积工艺(诸如化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)(例如，旋涂或蒸镀)、和/或电镀)可被用来形成金属层和金属间介电层。光刻可被用来形成金属层的图案。蚀刻工艺可被执行以移除不想要的材料。平坦化工艺(诸如“回蚀”和化学机械抛光(CMP))可被用来创建平坦表面。
还注意到，为了便于解说和清楚，仅有限数量的连接器、电感器、层和其他结构或器件被显示在本公开的附图中。本领域普通技术人员将领会，在实践中，器件800可主存大量连接器、电感器、层、和其他结构或器件。
图9描绘了第一器件900和第二器件930的电感对频率的仿真结果以及品质因数(Q)对频率的仿真结果。第一器件900或第二器件930可对应于参照图1的第一滤波器电路142、第二滤波器电路144和/或第三滤波器电路146描述的电感器中的任一者。例如，第一器件900或第二器件930可对应于如参照图4－图6描述的电感器中的任一者。为了解说，第一器件900可对应于图5的电感器504、510、524、528、556中的一者或多者和/或对应于图6的电感器608、618中的一者或多者。
第一器件包括与基板904集成的超环形电感器902，其中用于超环形电感器902的连接器位于超环形电感器902的中央区域906之外。第二器件包括与基板934集成的超环形电感器932，其中用于超环形电感器932的连接器936、938位于超环形电感器932的中央区域940内。第一器件900和第二器件930可根据如图8所描述的技术来形成。对于图9中描绘的第一器件900的顶部视图表示，实线指示基板904的顶部表面上的导线908，虚线圆圈指示导线908之下的传导通孔910，并且虚线指示基板904的底部表面上的导线912。用于超环形电感器902的连接器位于由超环形电感器902限定的中央区域906之外。用于超环形电感器902的连接器耦合至导线914、916。
对于图9中描绘的第二器件930的顶部视图表示，实线指示基板934的顶部表面上的导线942、944和第一连接器936，虚线圆圈指示导线942之下的传导通孔946，并且虚线指示基板934的底部表面上的导线948、950和第二连接器938。连接器936、938被构成超环形电感器935的传导通孔946围绕。
曲线970描绘了第一器件900的电感对频率的仿真结果，并且曲线972描绘了第二器件930的电感对频率的仿真结果。曲线980描绘了第一器件900的品质因数对频率的仿真结果，并且曲线982描绘了第二器件930的品质因数对频率的仿真结果。表1描绘了来自1GHz的频率处的仿真结果的值。曲线970、972、980、982和来自表1的值示出使用被集成在基板中的超环形电感器形成以使得用于超环形电感器的连接器被超环形电感器的传导通孔围绕的器件(例如，图9的第二器件930)具有与具有被集成在基板中的超环形电感器的、其中超环形电感器的连接器不被超环形电感器的传导通孔围绕的相似器件(例如，图9的第一器件900)相当的性能。然而，第二器件930的面积可以小于第一器件900的面积。因此，第二器件930可具有比第一器件900小的芯片大小并且展现相似的电感，而不牺牲品质因数(Q)值。
表1
器件900 器件930
L(nH) 5.1 4.6
Q 54 46
图10是解说器件1000的特定实施例的示图，器件1000包括通过减小因偏离磁场引起的损失来增大品质因数(Q因数)的具有非圆形横截面的透玻通孔(TGV)。电子器件1000是超环形电感器并且可对应于图9的第一器件900或第二器件930。例如，器件1000可对应于参照图1的第一滤波器电路142、第二滤波器电路144和/或第三滤波器电路146描述的电感器中的任一者。为了解说，器件1000可对应于图5的电感器504、510、524、528、556中的一者或多者和/或对应于图6的电感器608、618中的一者或多者。
电子器件1000可包括玻璃基板1002、第一组TGV、第二组TGV，以及将第一组TGV连接到第二组TGV的金属迹线。电子器件1000可进一步包括非对称TGV。例如，第一组TGV可包括第一TGV 1004和第二TGV 1006。第一组TGV可对应于电子器件1000的内部区域。虽然仅描述了在超环形电感器的内部区域中的两个TGV，但内部区域包括许多TGV(参见图10)。第二组TGV可包括第三TGV 1008和第四TGV 1010。第二组TGV可对应于电子器件1000的外部区域。虽然仅描述了在超环形电感器的外部区域中的两个TGV，但外部区域包括许多TGV(参见图10)。第一TGV 1004可经由第一金属迹线1012连接到第三TGV 1008。第三TGV 1008可经由第二金属迹线1014连接到第二TGV 1006。第二TGV 1006可经由第三金属迹线1016连接到第四TGV 1010。第一金属迹线1012和第三金属迹线1016可以位于玻璃基板1002的顶表面上。第二金属迹线1014可以位于玻璃基板1002的底表面上。
第一TGV 1004和第二TGV 1006可以各自具有圆形横截面形状。第三TGV 1008和第四TGV 1010可以各自具有非圆形横截面形状。在操作期间，电流可以经由金属迹线从一个TGV流向另一个TGV(例如，电流可以经由第一金属迹线1012从第一TGV 1004流到第三TGV1008)。第三TGV 1008和第四TGV 1010的非圆形横截面使得第三TGV 1008和第四TGV 1010能够具有比第一TGV 1004和第二TGV 1006大的宽度。第三TGV 1008和第四TGV 1010可以提供对于周围磁场的屏蔽(如图10中虚线箭头所指示的)。此类磁场屏蔽导致电子器件1000的更高的效率和降低的电阻。Q因数指示了存储能量方面的电感器效率。在特定实施例中，相比于使用具有圆形横截面形状的TGV实现的超环形电感器的62.4的Q因数而言，电子器件1000在2GHz处具有66.3的品质(Q)因数。由此，包括具有非圆形横截面的TGV的电子器件000具有提高的电感器效率。
虽然图10中解说了超环形电感器1000，但是应当理解，其他结构可以包括具有非圆形横截面的TGV(例如，第三TGV 1008和第四TGV 1010)。例如，半弯螺线管电感器可在该半弯螺线管电感器的外部区域上包括具有非圆形横截面的TGV，并且可以在该半弯螺线管电感器的内部区域上包括具有圆形横截面的TGV。如另一示例，S形电感器可在该S形电感器的外部区域(例如，半弯区域)上包括具有非圆形横截面的TGV，并且可以在该S形电感器的内部区域(例如，直区域)上包括具有圆形横截面的TGV。
参照图11，描绘了无线通信设备的特定解说性实施例的框图并将其一般地标示为1100。设备1100包括耦合至存储器1132的处理器，诸如数字信号处理器(DSP)1110。设备1100进一步包括射频(RF)接口1140。1140可包括图1的频率复用器电路128。
频率复用器电路128可包括图1的第一滤波器电路142、第二滤波器电路144和/或第三滤波器电路146。进一步，频率复用器电路128可接入数字信号处理器1110以执行如参照图1－图7描述的操作。例如，数字信号处理器1110可耦合至存储器1132。存储器1132可以是存储可由数字信号处理器1110执行的指令的非瞬态计算机可读存储器。这些指令可包括用于使得频率复用器电路经由输入节点接收输入信号的指令。输入信号可对应于载波聚集信号，该载波聚集信号包括对应于第一频率范围的第一载波信号、对应于第二频率范围的第二载波信号以及对应于第三频率范围的第三载波信号。这些指令可进一步包括用于使得输入信号被提供给被配置成衰减输入信号的在第一频率范围之外的第一频率分量的第一滤波器电路、被配置成衰减输入信号的在第二频率范围之外的第二频率分量的第二滤波器电路、以及被配置成衰减输入信号的在第三频率范围之外的第三频率分量的第三滤波器电路的指令。可在第一滤波器电路的第一输出处提供第一载波信号，在第二滤波器电路的第二输出处提供第二载波信号，并且在第三滤波器电路的第三输出处提供第三载波信号。例如，数字信号处理器1110可生成控制图2的切换电路220、图7的切换网络702的操作、可调整组件的调整(例如，参照图5的电路500描述的可变电感器和/或电容器)、或其任何组合的控制信号。
图11还示出了耦合至数字信号处理器1110和显示器1128的显示器控制器1126。编码器/解码器(CODEC)1134也可耦合至数字信号处理器1110。扬声器1136和话筒1138可耦合至CODEC 1134。
图11还示出射频接口1140可耦合至无线天线742。在特定实施例中，可将DSP1110、显示器控制器1126、存储器1132、CODEC 1134、以及射频接口1140包括在系统级封装或片上系统设备1122中。在一特定实施例中，输入设备1130和电源1144被耦合至片上系统设备1122。此外，在一特定实施例中，如图11中所解说的，显示器1128、输入设备1130、扬声器1136、话筒1138、无线天线1142和电源1144在片上系统设备1122的外部。然而，显示器1128、输入设备1130、扬声器1136、话筒1138、无线天线1142和电源1144中的每一者可耦合至片上系统设备1122的组件，诸如接口或控制器。
结合所描述的实施例，公开了一种设备，其可包括用于对输入信号滤波以衰减输入信号的在第一频带之外的第一频率分量的第一装置(诸如，图1、4、5和/6的第一滤波器电路142)、被配置成对输入信号滤波以衰减输入信号的在第一频带之外的第一频率分量的一个或多个其它设备或电路，或其任何组合。该设备还可包括用于对输入信号滤波以衰减输入信号的在第二频带之外的第二频率分量的第二装置(诸如，图1、4、5和/6的第二滤波器电路144)、被配置成对输入信号滤波以衰减输入信号的在第二频带之外的第二频率分量的一个或多个其它设备或电路，或其任何组合。该设备还可包括用于对输入信号滤波以衰减输入信号的在第三频带之外的第三频率分量的第三装置(诸如，图1、4、5和/6的第三滤波器电路146)、被配置成对输入信号滤波以衰减输入信号的在第三频带之外的第三频率分量的一个或多个其它设备或电路，或其任何组合。响应于输入信号与包括对应于第一频率范围的第一载波信号、对应于第二频率范围的第二载波信号和对应于第三频率范围的第三载波信号的载波聚集信号相对应，用于滤波的第一装置可在用于滤波的第一装置的第一输出处提供第一载波信号，用于滤波的第二装置可在用于滤波的第二装置的第二输出处提供第二载波信号，并且用于滤波的第三装置可在用于滤波的第三装置的第三输出处提供第三载波信号。
上文公开的设备和功能性可被设计和配置在存储于计算机可读介质上的计算机文件(例如，RTL、GDSII、GERBER等)中。一些或全部此类文件可被提供给基于此类文件来制造设备的制造处理人员。结果得到的产品包括半导体晶片，其随后被切割为半导体管芯并被封装成半导体芯片。这些芯片随后被用在以上描述的设备中。图12描绘了电子设备制造过程1200的特定说明性实施例。
物理器件信息1202在制造过程1200处(诸如在研究计算机1206处)被接收。物理器件信息1202可包括表示半导体器件(诸如，图1－图7的频率复用器电路128)的至少一个物理属性的设计信息。例如，物理器件信息1202可包括经由耦合至研究计算机1206的用户接口1204输入的物理参数、材料特性、以及结构信息。研究计算机1206包括耦合至计算机可读介质(诸如存储器1210)的处理器1208，诸如一个或多个处理核。存储器1210可存储计算机可读指令，其可被执行以使处理器1208将物理器件信息1202转换成遵循某一文件格式并生成库文件1212。
在一特定实施例中，库文件1212包括至少一个包括经转换的设计信息的数据文件。例如，库文件1212可包括包含器件的被提供以供与电子设计自动化(EDA)工具1220一起使用的半导体器件库，该器件包括图1－图7的频率复用器电路128。
库文件1212可在设计计算机1214处与EDA工具1220协同使用，设计计算机1214包括耦合至存储器1218的处理器1216，诸如一个或多个处理核。EDA工具1220可被存储为存储器1218处的处理器可执行指令，以使得设计计算机1214的用户能够设计包括库文件1212的图1－图7的频率复用器电路128、或其任何组合的电路。例如，设计计算机1214的用户可经由耦合至设计计算机1214的用户接口1222来输入电路设计信息1224。电路设计信息1222可以包括表示半导体器件(诸如图1－图7的频率复用器电路128、或其任何组合)的至少一个物理性质的设计信息。为了解说，电路设计属性可包括特定电路的标识以及与电路设计中其他元件的关系、定位信息、特征尺寸信息、互连信息、或表示半导体器件的物理属性的其他信息。
设计计算机1214可被配置成转换设计信息(包括电路设计信息1222)以遵循某一文件格式。作为解说，该文件格式化可包括以分层格式表示关于电路布局的平面几何形状、文本标记、及其他信息的数据库二进制文件格式，诸如图形数据系统(GDSII)文件格式。设计计算机1214可被配置成生成包括经转换的设计信息的数据文件，诸如包括描述图1－图7的频率复用器电路128的信息以及其他电路或信息的GDSII文件1226。为了解说，数据文件可包括对应于包括图1－图7的频率复用器电路128的片上系统(SOC)且还包括SOC内的附加电子电路和组件的信息。
GDSII文件1226可以在制造过程1228处被接收以根据GDSII文件1226中的经变换信息来制造图1－图7的频率复用器电路128、或其任何组合。例如，设备制造过程可包括将GDSII文件1226提供给掩模制造商1230以创建一个或多个掩模，诸如用于与光刻处理联用的掩模，其被解说为代表性掩模1232。掩模1232可在制造过程期间被用于生成一个或多个晶片1234，晶片1234可被测试并被分成管芯，诸如代表性管芯1236。管芯1236包括含有器件的电路，该器件包括图1－图7的频率复用器电路128或其任何组合。
管芯1236可被提供给封装过程1238，其中管芯1236被纳入到代表性封装1240中。例如，封装1240可包括单个管芯1236或多个管芯，诸如系统级封装(SiP)安排。封装1240可被配置成遵循一个或多个标准或规范，诸如电子器件工程联合委员会(JEDEC)标准。
关于封装1240的信息可诸如经由存储在计算机1246处的组件库被分发给各产品设计者。计算机1246可包括耦合至存储器1250的处理器1248，诸如一个或多个处理核。印刷电路板(PCB)工具可作为处理器可执行指令被存储在存储器1250处以处理经由用户接口1244从计算机1246的用户接收的PCB设计信息1242。PCB设计信息1242可包括电路板上的经封装的半导体器件的物理定位信息、该经封装的半导体器件对应于包括图1－图7的频率复用器电路128或其任何组合的封装1240。
计算机1246可被配置成转换PCB设计信息1242以生成数据文件，诸如具有包括经封装的半导体器件在电路板上的物理定位信息、以及电连接(诸如迹线和通孔)的布局的数据的GERBER文件1252，其中经封装的半导体器件对应于包括图1－图7的频率复用器电路128或其任何组合的封装1240。在其他实施例中，由经转换的PCB设计信息生成的数据文件可具有GERBER格式以外的其他格式。
GERBER文件1252可在板组装过程1254处被接收并且被用于创建根据GERBER文件1252内存储的设计信息来制造的PCB，诸如代表性PCB 1256。例如，GERBER文件1252可被上传到一个或多个机器以执行PCB生产过程的各个步骤。PCB 1256可填充有电子组件(包括封装1240)以形成代表性印刷电路组装件(PCA)1258。
PCA 1258可在产品制造过程1260处被接收，并被集成到一个或多个电子设备中，诸如第一代表性电子设备1262和第二代表性电子设备1264。作为解说性非限定性示例，第一代表性电子设备1262、第二代表性电子设备1264、或这两者可选自包括以下各项的组：其中集成有图1－图7的频率复用器电路128的机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、固定位置的数据单元、以及计算机。作为另一解说性而非限定性示例，电子设备1262和1264中的一者或多者可以是远程单元(诸如移动电话)、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元(诸如个人数据助理)、启用全球定位系统(GPS)的设备、导航设备、位置固定的数据单元(诸如仪表读数装备)、或者存储或检索数据或计算机指令的任何其他设备、或其任何组合。尽管图12解说了根据本公开的教导的远程单元，但本公开并不限于这些所解说的单元。本公开的实施例可合适地用在包括具有存储器和片上电路系统的有源集成电路系统的任何设备中。
包括图1－图7的频率复用器电路128或其任何组合的器件可以如在解说性过程1200中所描述的那样被制造、处理、并纳入到电子设备中。关于图1-图11所公开的实施例的一个或多个方面可被包括在各个处理阶段，诸如被包括在库文件1212、GDSII文件1226、以及GERBER文件1252内，以及被存储在研究计算机1206的存储器1210、设计计算机1214的存储器1218、计算机1246的存储器1250、在各个阶段(诸如在板组装过程1254处)使用的一个或多个其他计算机或处理器(未示出)的存储器处，并且还被纳入到一个或多个其他物理实施例中，诸如掩模1232、管芯1236、封装1240、PCA 1258、其他产品，诸如原型电路或设备(未示出)、或其任何组合。尽管描绘了从物理器件设计到最终产品的各个代表性生产阶段，然而在其他实施例中可使用较少的阶段或可包括附加阶段。类似地，过程1200可由单个实体或由执行过程1200的各个阶段的一个或多个实体来执行。
图13是描绘方法1300的特定实施例的流程图。方法1300可包括在1302，在频率复用器电路处经由输入节点接收输入信号。该输入信号可对应于载波聚集信号，该载波聚集信号包括对应于第一频率范围的第一载波信号、对应于第二频率范围的第二载波信号以及对应于第三频率范围的第三载波信号。例如，可在频率复用器128处经由图1或图2的输入节点124接收图1的载波聚集信号118。
该方法可进一步包括在1304，将输入信号提供给被配置成衰减输入信号的在第一频率范围之外的第一频率分量的第一滤波器电路、被配置成衰减输入信号的在第二频率范围之外的第二频率分量的第二滤波器电路、以及被配置成衰减输入信号的在第三频率范围之外的第三频率分量的第三滤波器电路。例如，图1的载波聚集信号118可被提供给第一滤波器电路142、第二滤波器电路144和第三滤波器电路146。
方法1300还可包括在1306向单个输出端口提供第一滤波器电路的第一输出处的第一载波信号、第二滤波器电路的第二输出处的第二载波信号、或者第三滤波器电路的第三输出处的第三载波信号。例如，可在第一滤波器电路142的第一输出处提供图1的所恢复第一载波信号132，可在第二滤波器电路144的第二输出处提供所恢复第二载波信号134，并且可在第三滤波器电路146的第三输出处提供所恢复第三载波信号136。图2的切换电路220可配置成将滤波器输出202中的至少两个(诸如第二滤波器输出206和第三滤波器输出208)提供给多个输出端口232-238中的单个输出端口(例如，第三输出端口236)。
图13的方法1300可由现场可编程门阵列(FPGA)设备、专用集成电路(ASIC)、处理单元(诸如中央处理单元(CPU))、数字信号处理器(DSP)、控制器、另一硬件设备、固件设备、或其任何组合来实现。作为示例，图13的方法可由执行指令的处理器来执行，如参照图11所描述的。
技术人员将进一步领会，结合本文所公开的实施例来描述的各种解说性逻辑框、配置、模块、电路、和算法步骤可实现为电子硬件、由处理器执行的计算机软件、或这两者的组合。各种解说性组件、框、配置、模块、电路、和步骤已经在上文以其功能性的形式作了一般化描述。此类功能性是被实现为硬件还是处理器可执行指令取决于具体应用和加诸于整体系统的设计约束。技术人员可针对每种特定应用以不同方式来实现所描述的功能性，但此类实现决策不应被解读为致使脱离本发明的范围。
结合本文所公开的实施例描述的方法或算法的各个步骤可直接用硬件、由处理器执行的软件模块或这两者的组合来实现。软件模块可驻留在随机存取存储器(RAM)、闪存、只读存储器(ROM)、可编程只读存储器(PROM)、可擦式可编程只读存储器(EPROM)、电可擦式可编程只读存储器(EEPROM)、寄存器、硬盘、可移动盘、压缩盘只读存储器(CD-ROM)、或本领域中所知的任何其他形式的非瞬态存储介质中。示例性的存储介质耦合至处理器以使该处理器能从/向该存储介质读写信息。在替换方案中，存储介质可以被整合到处理器。处理器和存储介质可驻留在专用集成电路(ASIC)中。ASIC可驻留在计算设备或用户终端中。在替换方案中，处理器和存储介质可作为分立组件驻留在计算设备或用户终端中。
提供前面对所公开的实施例的描述是为了使本领域技术人员皆能制作或使用所公开的实施例。对这些实施例的各种修改对于本领域技术人员而言将是显而易见的，并且本文中定义的原理可被应用于其他实施例而不会脱离本公开的范围。因此，本公开并非旨在被限定于本文中示出的实施例，而是应被授予与如由所附权利要求定义的原理和新颖性特征一致的最广的可能范围。

Claims (24)

1.一种用于频率复用器的装置，包括：
天线，其被配置成接收输入信号以及将所述输入信号提供给输入节点，其中所述输入信号包括载波聚集信号；
频率复用器电路，其耦合至所述输入节点且被配置成经由所述输入节点接收所述输入信号，所述频率复用器电路包括：
第一滤波器电路，其被配置成衰减所述输入信号的在与低频带范围相对应的第一频率范围之外的第一频率分量；
第二滤波器电路，其被配置成衰减所述输入信号的在与中频带范围相对应的第二频率范围之外的第二频率分量；以及
第三滤波器电路，其被配置成衰减所述输入信号的在与高频带范围相对应的第三频率范围之外的第三频率分量；
切换电路，其能配置成接收所述第一滤波器电路的第一输出、所述第二滤波器电路的第二输出、以及所述第三滤波器电路的第三输出，以及将所述第一输出耦合至第一输出端口并且将所述第二输出和所述第三输出耦合至配置成输出组合输出的单个输出端口；以及
匹配电路，其耦合至所述单个输出端口并且可选择性地耦合至所述第二滤波器电路和所述第三滤波器电路，所述匹配电路配置成提供频移以修改所述组合输出的频率尖峰。
2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，响应于所述输入信号与包括具有所述第一频率范围内的第一频率的第一载波信号、具有所述第二频率范围内的第二频率的第二载波信号和具有所述第三频率范围内的第三频率的第三载波信号的所述载波聚集信号相对应，所述频率复用器电路被配置成在所述第一滤波器电路的所述第一输出处提供所述第一载波信号，在所述第二滤波器电路的所述第二输出处提供所述第二载波信号，以及在所述第三滤波器电路的所述第三输出处提供所述第三载波信号。
3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一滤波器电路、所述第二滤波器电路、或所述第三滤波器电路中的至少一者包括可调整电路组件。
4.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述切换电路能配置成将所述第一输出、所述第二输出或所述第二输出中的至少一者耦合至端阻抗电路。
5.如权利要求4所述的装置，其特征在于，所述端阻抗电路包括可调整组件。
6.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一滤波器电路包括低通滤波器，所述第二滤波器电路包括带通滤波器，并且所述第三滤波器电路包括高通滤波器。
7.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第二频率范围的上频率与所述第三频率范围的下频率之间的频率间隙小于200兆赫。
8.如权利要求7所述的装置，其特征在于，在所述第一频率范围的上频率与所述第二频率范围的下频率之间的第二频率间隙大于100兆赫。
9.如权利要求8的装置，其特征在于，所述第一频率范围对应于从0赫兹到960兆赫的频率范围，所述第二频率范围对应于从1.4千赫兹到2.2千兆赫的频率范围，并且所述第三频率范围对应于从2.3千赫兹到2.7千兆赫的频率范围。
10.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述输入节点被配置成耦合至所述天线，并且所述装置进一步包括第二频率复用器电路，其耦合至第二输入节点并被配置成经由所述第二输入节点接收来自第二天线的第二输入信号。
11.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述频率复用器电路包括至少五个电感器，其中所述至少五个电感器中的至少一个电感器根据玻璃上无源制造技术来形成，并且其中所述至少五个电感器中的至少一个电感器包括从布置在基板的第一表面上的传导结构延伸到布置在所述基板的第二表面上的另一传导结构的传导通孔。
12.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述频率复用器电路被集成在具有小于约8平方毫米的面积且具有小于约0.5毫米的高度的设备中。
13.如权利要求1所述的装置，其特征在于，进一步包括第四滤波器电路，其被配置成衰减所述输入信号的在第四频率范围之外的第四频率分量，所述第四滤波器电路包括在所述频率复用器电路中。
14.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置被集成到至少一个半导体管芯中。
15.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述组合输出包括时分双工信号，其中在第一操作模式中，所述切换电路可配置成将所述第一输出提供给所述第一输出端口、将所述第二输出提供给所述第二输出端口、以及将所述第三输出提供给所述第三输出端口，并且其中在第二操作模式中，所述切换电路可配置成将所述第一输出提供给所述第一输出端口、以及将所述第二输出和所述第三输出提供给所述单个输出端口，以生成所述时分双工信号。
16.如权利要求1所述的装置，其特征在于，在第一操作模式中，所述切换电路可配置成将所述第一输出提供给所述第一输出端口、将所述第二输出提供给所述第二输出端口、以及所述第三输出提供给所述第三输出端口，其中在所述第一操作模式中，所述第一输出包括与低频带LTE信号相对应的第一载波信号，其中所述第二输出包括与中频带LTE信号相对应的第二载波信号，其中是所述第三输出包括与高频带LTE信号相对应的第三载波信号，并且其中所述第一输出、所述第二输出、或所述第三输出中的至少一者包括频分双工信号。
17.如权利要求1所述的装置，其特征在于，进一步包括其中集成有所述频率复用器电路的选自包括以下各项的组的设备：通信设备、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、位置固定的数据单元、以及计算机。
18.一种用于频率复用器的方法，包括：
由天线将输入信号提供给输入节点；
在频率复用器电路处经由所述输入节点接收所述输入信号，其中所述输入信号对应于载波聚集信号，所述载波聚集信号包括对应于第一频率范围的第一载波信号、对应于第二频率范围的第二载波信号以及对应于第三频率范围的第三载波信号；
将所述输入信号提供给被配置成衰减所述输入信号的在与低频带范围相对应的所述第一频率范围之外的第一频率分量的第一滤波器电路、被配置成衰减所述输入信号的在与中频带范围相对应的所述第二频率范围之外的第二频率分量的第二滤波器电路、以及被配置成衰减所述输入信号的在与高频带范围相对应的所述第三频率范围之外的第三频率分量的第三滤波器电路；
在切换电路处接收来自所述第一滤波器电路的第一输出的所述第一载波信号、来自所述第二滤波器电路的第二输出的所述第二载波信号、或者来自所述第三滤波器电路的第三输出的所述第三载波信号；
由所述切换电路将所述第一输出提供给第一输出端口并且将所述第二输出和所述第三输出提供给配置成输出组合输出的单个输出端口；以及
由匹配电路来修改所述组合输出的频率尖峰，所述匹配电路耦合至所述单个输出端口并且可选择性地耦合至所述第二滤波器电路和所述第三滤波器电路。
19.如权利要求18所述的方法，其特征在于，将所述输入信号提供给所述第一滤波器电路、将所述输入信号提供给所述第二滤波器电路以及将所述输入信号提供给所述第三滤波器电路是响应于被集成到电子设备中的处理器来执行的。
20.一种用于频率复用器的装备，包括：
用于接收输入信号以及将所述输入信号提供给输入节点的装置，其中所述输入信号包括载波聚集信号；
用于对输入信号滤波以衰减所述输入信号的在与低频带范围相对应的第一频率范围之外的第一频率分量的第一装置；
用于对所述输入信号滤波以衰减所述输入信号的在与中频带范围相对应的第二频率范围之外的第二频率分量的第二装置；
用于对所述输入信号滤波以衰减所述输入信号的在与高频带范围相对应的第三频率范围之外的第三频率分量的第三装置；
用于将所述用于滤波的第一装置的第一输出选择性地耦合至第一输出端口、将所述用于滤波的第二装置的第二输出和所述用于滤波的第三装置的第三输出耦合至配置成输出组合输出的单个输出端口的装置，其中所述用于选择性地耦合的装置被配置成接收所述第一输出、所述第二输出、和所述第三输出；以及
用于修改所述组合输出的频率尖峰的装置，其耦合至所述单个输出端口并且可选择性地耦合至所述用于滤波的第二装置和所述用于滤波的第三装置。
21.如权利要求20所述的装备，其特征在于，所述装备被集成到至少一个半导体管芯中。
22.如权利要求20所述的装备，其特征在于，进一步包括其中集成有所述用于滤波的第一装置、所述用于滤波的第二装置和所述用于滤波的第三装置的选自包括以下各项的组的设备：通信设备、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、位置固定的数据单元、计算机、或其组合。
23.一种存储能由计算机执行的指令的计算机可读介质，所述指令包括：
能由所述计算机执行以使得频率复用器电路从天线经由输入节点接收输入信号的指令，其中所述输入信号对应于载波聚集信号，所述载波聚集信号包括对应于第一频率范围的第一载波信号、对应于第二频率范围的第二载波信号以及对应于第三频率范围的第三载波信号；以及
其中所述指令能由所述计算机执行以使得所述输入信号被提供给被配置成衰减所述输入信号的在与低频带范围相对应的所述第一频率范围之外的第一频率分量的第一滤波器电路、被配置成衰减所述输入信号的在与中频带范围相对应的所述第二频率范围之外的第二频率分量的第二滤波器电路、以及被配置成衰减所述输入信号的在与高频带范围相对应的所述第三频率范围之外的第三频率分量的第三滤波器电路；以及
其中所述指令能由所述计算机执行以使得切换电路接收从所述第一滤波器电路的第一输出提供的所述第一载波信号、从所述第二滤波器电路的第二输出提供的所述第二载波信号、以及从所述第三滤波器电路的第三输出提供的所述第三载波信号；
其中所述指令能由所述计算机执行以使得所述切换电路将所述第一输出提供给第一输出端口并且将所述第二输出和所述第三输出提供给配置成输出组合输出的单个输出端口；以及
其中所述指令能由所述计算机执行以使得匹配电路耦合至所述单个输出端口并且可选择性地耦合至所述第二滤波器电路和所述第三滤波器电路，以修改所述组合输出的频率尖峰。
24.如权利要求23所述的计算机可读介质，其特征在于，所述指令能由集成到设备中的处理器执行，所述设备选自包括以下各项的组：通信设备、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、位置固定的数据单元、计算机、或其组合。
CN201580019787.9A 2014-04-18 2015-04-09 频率复用器 Active CN106233623B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201461981538P 2014-04-18 2014-04-18
US61/981,538 2014-04-18
US14/682,023 2015-04-08
US14/682,023 US9906318B2 (en) 2014-04-18 2015-04-08 Frequency multiplexer
PCT/US2015/025193 WO2015160631A2 (en) 2014-04-18 2015-04-09 Frequency multiplexer

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106233623A CN106233623A (zh) 2016-12-14
CN106233623B true CN106233623B (zh) 2019-10-01

Family

ID=54322909

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201580019787.9A Active CN106233623B (zh) 2014-04-18 2015-04-09 频率复用器

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9906318B2 (zh)
CN (1) CN106233623B (zh)
WO (1) WO2015160631A2 (zh)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10002700B2 (en) 2013-02-27 2018-06-19 Qualcomm Incorporated Vertical-coupling transformer with an air-gap structure
US9634645B2 (en) 2013-03-14 2017-04-25 Qualcomm Incorporated Integration of a replica circuit and a transformer above a dielectric substrate
US9449753B2 (en) 2013-08-30 2016-09-20 Qualcomm Incorporated Varying thickness inductor
KR102194999B1 (ko) * 2014-05-09 2020-12-28 삼성전자주식회사 다중 주파수 대역을 지원하는 전자 장치 및 이를 지원하는 방법
KR102222249B1 (ko) * 2014-09-01 2021-03-04 삼성전자주식회사 안테나를 이용하는 전자 장치
US9929759B1 (en) * 2014-09-03 2018-03-27 Marvell International Ltd. Integrated duplexer
US9871646B2 (en) * 2015-09-30 2018-01-16 Microsoft Technology Licensing, Llc Front-end circuitry for multiband frequency management
US10616053B2 (en) 2015-12-04 2020-04-07 Skyworks Solutions, Inc. Multi-stage reconfigurable triplexer
US9954267B2 (en) 2015-12-28 2018-04-24 Qualcomm Incorporated Multiplexer design using a 2D passive on glass filter integrated with a 3D through glass via filter
US9876513B2 (en) 2016-03-31 2018-01-23 Qualcomm Incorporated LC filter layer stacking by layer transfer to make 3D multiplexer structures
US10044390B2 (en) 2016-07-21 2018-08-07 Qualcomm Incorporated Glass substrate including passive-on-glass device and semiconductor die
US10469122B2 (en) * 2017-01-17 2019-11-05 Qualcomm Incorporated Techniques for low-loss multi-band multiplexing
US10581466B2 (en) * 2017-04-18 2020-03-03 Skyworks Solutions, Inc. Front-end architecture having split diplexer for carrier aggregation and MIMO support
CN108964700B (zh) * 2017-05-27 2020-08-28 南宁富桂精密工业有限公司 射频电路
CN107565989B (zh) * 2017-09-28 2020-07-10 歌尔股份有限公司 一种无人机宽频天线复用方法及装置
CN107920219B (zh) * 2017-12-06 2020-03-17 深圳创维数字技术有限公司 机顶盒通信电路、机顶盒及机顶盒系统
CN112088489A (zh) * 2018-05-24 2020-12-15 凸版印刷株式会社 电路基板
US10326484B1 (en) * 2018-06-06 2019-06-18 Psemi Corporation Reconfigurable carrier aggregation FECC with switched filters and programmable band switching LNA
US11121699B2 (en) * 2019-02-19 2021-09-14 Qualcomm Incorporated Wideband filter with resonators and inductors
JP2021145282A (ja) * 2020-03-13 2021-09-24 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
JP2021158556A (ja) * 2020-03-27 2021-10-07 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
JP2021158554A (ja) * 2020-03-27 2021-10-07 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
CN111800149B (zh) * 2020-05-22 2022-03-18 宇龙计算机通信科技(深圳)有限公司 射频前端电路和追踪器
US11652468B2 (en) * 2020-07-07 2023-05-16 Qualcomm Incorporated High performance tunable filter
US11398806B2 (en) * 2020-09-09 2022-07-26 RF360 Europe GmbH Hybrid pinning package for radio frequency filters
US11201602B1 (en) 2020-09-17 2021-12-14 Analog Devices, Inc. Apparatus and methods for tunable filtering
US11201600B1 (en) 2020-10-05 2021-12-14 Analog Devices, Inc. Apparatus and methods for control and calibration of tunable filters
WO2024082296A1 (zh) * 2022-10-21 2024-04-25 京东方科技集团股份有限公司 滤波器、集成无源器件、电子器件及显示装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1601893A (zh) * 2003-09-24 2005-03-30 精工爱普生株式会社 阻抗电路、使用该电路的滤波及放大电路、半导体集成电路

Family Cites Families (171)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3798059A (en) 1970-04-20 1974-03-19 Rca Corp Thick film inductor with ferromagnetic core
US4815128A (en) 1986-07-03 1989-03-21 Motorola, Inc. Gateway system and method for interconnecting telephone calls with a digital voice protected radio network
US4841253A (en) 1987-04-15 1989-06-20 Harris Corporation Multiple spiral inductors for DC biasing of an amplifier
US4816784A (en) 1988-01-19 1989-03-28 Northern Telecom Limited Balanced planar transformers
US5111169A (en) 1989-03-23 1992-05-05 Takeshi Ikeda Lc noise filter
US5015972A (en) 1989-08-17 1991-05-14 Motorola, Inc. Broadband RF transformer
JPH0377360A (ja) 1989-08-18 1991-04-02 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US5038104A (en) 1990-02-05 1991-08-06 Vanderbilt University Magnetometer flux pick-up coil with non-uniform interturn spacing optimized for spatial resolution
FR2662869B1 (fr) 1990-06-01 1995-06-16 Europ Agence Spatiale Procede de limitation d'une surcharge base sur la technique de controle pwm (ou lc3) et dispositif electronique de mise en óoeuvre de ce procede.
JPH0484501A (ja) 1990-07-27 1992-03-17 Oki Electric Ind Co Ltd 分波器
EP0683921B1 (en) 1993-02-04 2004-06-16 Cornell Research Foundation, Inc. Microstructures and single mask, single-crystal process for fabrication thereof
JP3319879B2 (ja) 1994-07-19 2002-09-03 三菱電機株式会社 半導体装置
JPH08148354A (ja) 1994-11-18 1996-06-07 Taiyo Yuden Co Ltd 積層コモンモードチョークコイル
TW362222B (en) 1995-11-27 1999-06-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Coiled component and its production method
US5831331A (en) 1996-11-22 1998-11-03 Philips Electronics North America Corporation Self-shielding inductor for multi-layer semiconductor integrated circuits
JP4030028B2 (ja) 1996-12-26 2008-01-09 シチズン電子株式会社 Ｓｍｄ型回路装置及びその製造方法
US5969582A (en) 1997-07-03 1999-10-19 Ericsson Inc. Impedance matching circuit for power amplifier
US6025261A (en) 1998-04-29 2000-02-15 Micron Technology, Inc. Method for making high-Q inductive elements
US5986617A (en) 1998-08-31 1999-11-16 Lucent Technologies Multiband antenna matching unit
US6985035B1 (en) 1998-11-12 2006-01-10 Broadcom Corporation System and method for linearizing a CMOS differential pair
JP3571247B2 (ja) 1999-03-31 2004-09-29 太陽誘電株式会社 積層電子部品
JP3776281B2 (ja) 1999-04-13 2006-05-17 アルプス電気株式会社 インダクティブ素子
US6466768B1 (en) * 1999-06-11 2002-10-15 Conexant Systems, Inc. Multi-band filter system for wireless communication receiver
JP2001085230A (ja) 1999-09-14 2001-03-30 Murata Mfg Co Ltd インダクタ
US6501363B1 (en) 1999-11-03 2002-12-31 Innosys, Inc. Vertical transformer
US6429763B1 (en) 2000-02-01 2002-08-06 Compaq Information Technologies Group, L.P. Apparatus and method for PCB winding planar magnetic devices
US7370403B1 (en) 2000-06-06 2008-05-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of fabricating a planar spiral inductor structure having an enhanced Q value
US7606547B1 (en) 2000-07-31 2009-10-20 Marvell International Ltd. Active resistance summer for a transformer hybrid
JP4051878B2 (ja) 2000-11-08 2008-02-27 株式会社豊田自動織機 非接触給電装置
SE519893C2 (sv) 2000-11-09 2003-04-22 Ericsson Telefon Ab L M Induktorstruktur hos integrerad krets samt icke-förstörande mätning av etsningsdjup
US6437965B1 (en) 2000-11-28 2002-08-20 Harris Corporation Electronic device including multiple capacitance value MEMS capacitor and associated methods
SE0004794L (sv) 2000-12-22 2002-06-23 Ericsson Telefon Ab L M En flerskikts-symmetreringstransformatorstruktur
SG142160A1 (en) 2001-03-19 2008-05-28 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing a semiconductor device
KR100368930B1 (ko) 2001-03-29 2003-01-24 한국과학기술원 반도체 기판 위에 높이 떠 있는 3차원 금속 소자, 그 회로모델, 및 그 제조방법
KR100382765B1 (ko) 2001-06-15 2003-05-09 삼성전자주식회사 송수신용 수동소자와 그 집적모듈 및 그 제조방법
US6801114B2 (en) 2002-01-23 2004-10-05 Broadcom Corp. Integrated radio having on-chip transformer balun
US20030151485A1 (en) 2002-02-08 2003-08-14 Charles Lewis Surface mounted inductance element
US6816784B1 (en) 2002-03-08 2004-11-09 Navteq North America, Llc Method and system using delivery trucks to collect address location data
JP2003318417A (ja) 2002-04-19 2003-11-07 Citizen Watch Co Ltd Ｍｏｓ型可変容量および半導体集積回路
US6714112B2 (en) 2002-05-10 2004-03-30 Chartered Semiconductor Manufacturing Limited Silicon-based inductor with varying metal-to-metal conductor spacing
US6847280B2 (en) 2002-06-04 2005-01-25 Bi Technologies Corporation Shielded inductors
JP3754406B2 (ja) 2002-09-13 2006-03-15 富士通株式会社 可変インダクタおよびそのインダクタンス調整方法
TWI287239B (en) 2002-12-10 2007-09-21 Univ Nat Central Symmetric three-dimension type inductor
JP3800540B2 (ja) 2003-01-31 2006-07-26 Ｔｄｋ株式会社 インダクタンス素子の製造方法と積層電子部品と積層電子部品モジュ−ルとこれらの製造方法
US7064411B2 (en) 2003-02-04 2006-06-20 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Spiral inductor and transformer
US6952153B2 (en) 2003-02-04 2005-10-04 Raytheon Company Electrical transformer
JP4448298B2 (ja) 2003-07-14 2010-04-07 アルプス電気株式会社 スパイラルインダクタ
US6990729B2 (en) 2003-09-05 2006-01-31 Harris Corporation Method for forming an inductor
US20050104158A1 (en) 2003-11-19 2005-05-19 Scintera Networks, Inc. Compact, high q inductor for integrated circuit
JP2005223261A (ja) 2004-02-09 2005-08-18 Mitsubishi Materials Corp 積層型コモンモードチョークコイル及びその製造方法
US7546091B2 (en) 2004-03-16 2009-06-09 Hitachi Metals, Ltd. High-frequency circuit and high-frequency device
KR101161361B1 (ko) 2004-03-26 2012-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치
JP5303096B2 (ja) 2004-07-14 2013-10-02 株式会社半導体エネルギー研究所 プロセッサ
KR100548388B1 (ko) 2004-07-20 2006-02-02 삼성전자주식회사 저손실 인덕터소자 및 그의 제조방법
US7808356B2 (en) 2004-08-31 2010-10-05 Theta Microelectronics, Inc. Integrated high frequency BALUN and inductors
EP1696368B1 (en) 2005-02-28 2011-11-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US7526256B2 (en) 2005-05-25 2009-04-28 Broadcom Corporation Transformer-based multi-band RF front-end architecture
KR101269566B1 (ko) 2005-06-02 2013-06-07 더 보오드 오브 트러스티스 오브 더 유니버시티 오브 일리노이즈 프린터블 반도체 구조들 및 관련 제조 및 조립 방법
TWI280593B (en) 2005-06-16 2007-05-01 Via Tech Inc Inductor
WO2007004119A2 (en) 2005-06-30 2007-01-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. A method of manufacturing a mems element
JP4764668B2 (ja) 2005-07-05 2011-09-07 セイコーエプソン株式会社 電子基板の製造方法および電子基板
US7280810B2 (en) 2005-08-03 2007-10-09 Kamilo Feher Multimode communication system
KR20080031153A (ko) 2005-08-04 2008-04-08 더 리전트 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 인터리브된 3차원 온칩 차동 인덕터 및 트랜스포머
US7570129B2 (en) 2005-09-02 2009-08-04 Northrop Grumman Corporation 3D MMIC balun and methods of making the same
KR100760915B1 (ko) 2005-12-29 2007-09-21 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자의 인덕터 구조 및 그 제조 방법
US7411283B2 (en) 2006-02-14 2008-08-12 Sun Microsystems, Inc. Interconnect design for reducing radiated emissions
US20070249078A1 (en) 2006-04-19 2007-10-25 Ming-Hau Tung Non-planar surface structures and process for microelectromechanical systems
JP2008042609A (ja) 2006-08-08 2008-02-21 Toshiba Corp 分波器および無線受信機
TWI315580B (en) 2006-09-11 2009-10-01 Via Tech Inc Symmetrical inductor
US20080076354A1 (en) 2006-09-26 2008-03-27 Broadcom Corporation, A California Corporation Cable modem with programmable antenna and methods for use therewith
US7524731B2 (en) 2006-09-29 2009-04-28 Freescale Semiconductor, Inc. Process of forming an electronic device including an inductor
US7616934B2 (en) 2006-12-11 2009-11-10 Sige Semiconductor (Europe) Limited Switched impedance transformer for semiconductor circuits
KR100869741B1 (ko) 2006-12-29 2008-11-21 동부일렉트로닉스 주식회사 나선형 인덕터
US7675365B2 (en) 2007-01-10 2010-03-09 Samsung Electro-Mechanics Systems and methods for power amplifiers with voltage boosting multi-primary transformers
TWI336922B (en) 2007-01-12 2011-02-01 Via Tech Inc Spiral inductor with multi-trace structure
US7304558B1 (en) 2007-01-18 2007-12-04 Harris Corporation Toroidal inductor design for improved Q
US20080174397A1 (en) 2007-01-19 2008-07-24 General Electric Company High quality factor, low volume, air-core inductor
JP2008182340A (ja) * 2007-01-23 2008-08-07 Ngk Spark Plug Co Ltd ダイプレクサ及びそれを用いたマルチプレクサ
KR100886351B1 (ko) 2007-01-24 2009-03-03 삼성전자주식회사 변압기 및 밸룬
US7894205B2 (en) 2007-04-05 2011-02-22 Mitsubishi Electric Corporation Variable device circuit and method for manufacturing the same
US7935607B2 (en) 2007-04-09 2011-05-03 Freescale Semiconductor, Inc. Integrated passive device with a high resistivity substrate and method for forming the same
US8224400B2 (en) 2007-05-31 2012-07-17 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Systems and techniques for reducing power consumption in a mobile computing device
KR100862489B1 (ko) 2007-06-11 2008-10-08 삼성전기주식회사 스파이럴 인덕터
US7566627B2 (en) 2007-06-29 2009-07-28 Texas Instruments Incorporated Air gap in integrated circuit inductor fabrication
JP4953132B2 (ja) 2007-09-13 2012-06-13 日本電気株式会社 半導体装置
JP2009088161A (ja) 2007-09-28 2009-04-23 Fujitsu Media Device Kk 電子部品
TW200926218A (en) 2007-12-10 2009-06-16 Ind Tech Res Inst Planar-like inductor coupling structure
CN201156721Y (zh) 2008-02-19 2008-11-26 佳邦科技股份有限公司 具有中空气隙过电压保护机构的叠层芯片型lc滤波器
CN101960573A (zh) 2008-03-04 2011-01-26 HVVi半导体股份有限公司 硅锗碳半导体结构
US8072287B2 (en) 2008-03-27 2011-12-06 Broadcom Corporation Method and system for configurable differential or single-ended signaling in an integrated circuit
JP2009246159A (ja) 2008-03-31 2009-10-22 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 多出力磁気誘導素子およびそれを備えた多出力超小型電力変換装置
JP2009272360A (ja) 2008-05-01 2009-11-19 Panasonic Corp インダクタおよびその製造方法
US8169050B2 (en) 2008-06-26 2012-05-01 International Business Machines Corporation BEOL wiring structures that include an on-chip inductor and an on-chip capacitor, and design structures for a radiofrequency integrated circuit
CN102099876A (zh) 2008-07-15 2011-06-15 株式会社村田制作所 电子元器件
WO2010022107A2 (en) 2008-08-18 2010-02-25 The Regents Of The University Of California Nanostructured superhydrophobic, superoleophobic and/or superomniphobic coatings, methods for fabrication, and applications thereof
TWI360254B (en) 2008-09-10 2012-03-11 Advanced Semiconductor Eng Balun circuit manufactured by integrate passive de
US8049589B2 (en) 2008-09-10 2011-11-01 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Balun circuit manufactured by integrate passive device process
US8183673B2 (en) 2008-10-21 2012-05-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Through-silicon via structures providing reduced solder spreading and methods of fabricating the same
US8446243B2 (en) 2008-10-31 2013-05-21 Infineon Technologies Austria Ag Method of constructing inductors and transformers
TW201027833A (en) 2008-11-14 2010-07-16 Fujikura Ltd Resin multilayer device and method of forming the same
US8233870B2 (en) 2008-12-04 2012-07-31 Broadcom Corporation Multiple frequency band multiple standard transceiver
JP2010141246A (ja) 2008-12-15 2010-06-24 Sharp Corp 半導体装置の製造方法
US7821372B2 (en) 2008-12-31 2010-10-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. On-chip transformer BALUN structures
US9721715B2 (en) 2009-01-22 2017-08-01 2Sentient Inc. Solid state components having an air core
US9190201B2 (en) 2009-03-04 2015-11-17 Qualcomm Incorporated Magnetic film enhanced inductor
JP5252212B2 (ja) 2009-03-12 2013-07-31 ルネサスエレクトロニクス株式会社 信号増幅用半導体装置
US8208867B2 (en) * 2009-04-09 2012-06-26 Apple Inc. Shared multiband antennas and antenna diversity circuitry for electronic devices
US8229367B2 (en) 2009-04-14 2012-07-24 Qualcomm, Incorporated Low noise amplifier with combined input matching, balun, and transmit/receive switch
TWI411353B (zh) 2009-04-27 2013-10-01 Delta Electronics Inc 多組直流負載之電流平衡供電電路
KR101215303B1 (ko) 2009-07-21 2012-12-26 한국전자통신연구원 엘티씨씨 인덕터를 포함하는 전자 장치
US8350639B2 (en) * 2009-08-26 2013-01-08 Qualcomm Incorporated Transformer signal coupling for flip-chip integration
JP5705857B2 (ja) 2009-09-16 2015-04-22 マラディン テクノロジーズ リミテッドＭａｒａｄｉｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｌｔｄ． 微小コイル装置およびその製作方法
CN102714084B (zh) 2009-10-12 2015-12-02 意法爱立信(法国)有限公司 具有多个变压比的集成变压器
US8368481B2 (en) 2009-10-14 2013-02-05 Microsemi Corporation RF switchable balun
CN102087995A (zh) 2009-12-04 2011-06-08 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 集成电路电感及其制作方法
CN102231313B (zh) 2009-12-08 2014-04-16 上海华虹宏力半导体制造有限公司 利用金属并联的多层堆叠电感
CN102087911A (zh) 2009-12-08 2011-06-08 上海华虹Nec电子有限公司 金属厚度不相等的不等宽片上叠层电感
CN102103923A (zh) 2009-12-18 2011-06-22 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 平面变压器
KR101597214B1 (ko) 2010-01-14 2016-02-25 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
US20110217657A1 (en) 2010-02-10 2011-09-08 Life Bioscience, Inc. Methods to fabricate a photoactive substrate suitable for microfabrication
US8068003B2 (en) 2010-03-10 2011-11-29 Altera Corporation Integrated circuits with series-connected inductors
US20110229687A1 (en) 2010-03-19 2011-09-22 Qualcomm Incorporated Through Glass Via Manufacturing Process
US20110234469A1 (en) * 2010-03-24 2011-09-29 Sony Ericsson Mobile Communications Japan, Inc. Wireless communication terminal
US8631368B2 (en) 2010-03-30 2014-01-14 Qualcomm Incorporated Method and circuit to generate race condition test data at multiple supply voltages
US8384507B2 (en) 2010-06-01 2013-02-26 Qualcomm Incorporated Through via inductor or transformer in a high-resistance substrate with programmability
US8571489B2 (en) 2010-06-03 2013-10-29 Broadcom Corporation Front end module with tone injection
US8493126B2 (en) 2010-07-15 2013-07-23 Qualcomm Incorporated Wideband balun having a single primary and multiple secondaries
JP2012058274A (ja) 2010-09-03 2012-03-22 Hitachi Displays Ltd 表示装置
US8591262B2 (en) 2010-09-03 2013-11-26 Pulse Electronics, Inc. Substrate inductive devices and methods
US8970516B2 (en) 2010-09-23 2015-03-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Integrated passives and power amplifier
CN102569249B (zh) 2010-12-08 2014-01-22 财团法人工业技术研究院 立体式电感
US8552812B2 (en) 2010-12-09 2013-10-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Transformer with bypass capacitor
EP2650915B1 (en) 2010-12-10 2017-07-26 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Conducting path and semiconductor device
KR101127478B1 (ko) 2010-12-21 2012-03-22 한국과학기술원 관통 실리콘 비아를 이용한 전류 측정 소자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 전류 측정 회로
RU2013136368A (ru) 2011-01-04 2015-02-10 Оак Микротек Аб Сборочный узел катушки, содержащий планарную катушку
US8754736B2 (en) 2011-01-24 2014-06-17 International Business Machines Corporation Inductor structure having increased inductance density and quality factor
US9105381B2 (en) 2011-01-24 2015-08-11 International Business Machines Corporation High frequency inductor structure having increased inductance density and quality factor
US20120235969A1 (en) 2011-03-15 2012-09-20 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Thin film through-glass via and methods for forming same
US20120244802A1 (en) 2011-03-24 2012-09-27 Lei Feng On chip inductor
TWI454052B (zh) 2011-04-01 2014-09-21 Realtek Semiconductor Corp 單端轉雙端電路
US20120249281A1 (en) 2011-04-04 2012-10-04 General Electric Company Inductor and eddy current sensor including an inductor
US9319036B2 (en) 2011-05-20 2016-04-19 Apple Inc. Gate signal adjustment circuit
US8354325B1 (en) 2011-06-29 2013-01-15 Freescale Semiconductor, Inc. Method for forming a toroidal inductor in a semiconductor substrate
US20130016633A1 (en) 2011-07-14 2013-01-17 Lum Nicholas W Wireless Circuitry for Simultaneously Receiving Radio-frequency Transmissions in Different Frequency Bands
US8737376B2 (en) 2011-08-12 2014-05-27 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Frontend module for time division duplex (TDD) carrier aggregation
US20130050226A1 (en) 2011-08-30 2013-02-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Die-cut through-glass via and methods for forming same
JP5719259B2 (ja) 2011-09-06 2015-05-13 ルネサスエレクトロニクス株式会社 高周波電力増幅装置
US20130057557A1 (en) * 2011-09-07 2013-03-07 Qualcomm Mems Technologies, Inc. High area stacked layered metallic structures and related methods
US8995934B2 (en) * 2011-12-14 2015-03-31 Apple Inc. Wireless communications circuitry with a triplexer for separating radio-frequency signals in adjacent frequency bands
KR101325549B1 (ko) 2011-12-22 2013-11-07 (주)그린파워 전류변압기 기반의 전자기장 차폐장치를 구비한 무선 전력전송 장치
CN102522181B (zh) 2012-01-04 2013-08-14 西安电子科技大学 线宽间距交变结构型平面螺旋电感
US9166640B2 (en) 2012-02-10 2015-10-20 Infineon Technologies Ag Adjustable impedance matching network
US20130207745A1 (en) 2012-02-13 2013-08-15 Qualcomm Incorporated 3d rf l-c filters using through glass vias
US8716871B2 (en) 2012-02-15 2014-05-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Big via structure
KR101789836B1 (ko) 2012-02-27 2017-10-25 한국전자통신연구원 누설 에너지 수집 장치
GB2513725B (en) 2012-02-29 2016-01-13 Murata Manufacturing Co Multilayer inductor and power supply circuit module
JP5942530B2 (ja) 2012-03-28 2016-06-29 カシオ計算機株式会社 非接触充電システム及び電子機器
US9001031B2 (en) 2012-07-30 2015-04-07 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Complex passive design with special via implementation
US9431473B2 (en) 2012-11-21 2016-08-30 Qualcomm Incorporated Hybrid transformer structure on semiconductor devices
KR20140068391A (ko) 2012-11-28 2014-06-09 엘지전자 주식회사 자기장의 자유도를 향상하기 위한 코일의 구조
US9203373B2 (en) 2013-01-11 2015-12-01 Qualcomm Incorporated Diplexer design using through glass via technology
US9172441B2 (en) 2013-02-08 2015-10-27 Rf Micro Devices, Inc. Front end circuitry for carrier aggregation configurations
US10002700B2 (en) 2013-02-27 2018-06-19 Qualcomm Incorporated Vertical-coupling transformer with an air-gap structure
US9634645B2 (en) 2013-03-14 2017-04-25 Qualcomm Incorporated Integration of a replica circuit and a transformer above a dielectric substrate
GB2512586B (en) 2013-04-02 2015-08-12 Broadcom Corp Switch arrangement
US20140327510A1 (en) 2013-05-06 2014-11-06 Qualcomm Incorporated Electronic device having asymmetrical through glass vias
US9449753B2 (en) 2013-08-30 2016-09-20 Qualcomm Incorporated Varying thickness inductor
US20150092314A1 (en) 2013-09-27 2015-04-02 Qualcomm Incorporated Connector placement for a substrate integrated with a toroidal inductor
US20150130579A1 (en) 2013-11-12 2015-05-14 Qualcomm Incorporated Multi spiral inductor
US20150194944A1 (en) 2014-01-09 2015-07-09 Qualcomm Incorporated Wideband matching network
CN203942319U (zh) 2014-07-15 2014-11-12 张立武 一种无线充电器及其工作状态指示灯

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1601893A (zh) * 2003-09-24 2005-03-30 精工爱普生株式会社 阻抗电路、使用该电路的滤波及放大电路、半导体集成电路

Also Published As

Publication number Publication date
CN106233623A (zh) 2016-12-14
US20150304059A1 (en) 2015-10-22
WO2015160631A3 (en) 2016-02-25
WO2015160631A2 (en) 2015-10-22
US9906318B2 (en) 2018-02-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106233623B (zh) 频率复用器
US10553570B2 (en) Network with integrated passive device and conductive trace in packaging substrate and related modules and devices
CN107040263B (zh) 高频模块以及通信装置
KR101194213B1 (ko) 무선 주파수 집적 회로에서 인덕터 튜닝을 위한 방법 및 장치
JP5270576B2 (ja) 平面型広帯域トランス
US11336251B2 (en) Device with 3D inductor and magnetic core in substrate
JP2019508878A (ja) アンテナスイッチとダイプレクサのモノリシックな集積
US10103135B2 (en) Backside ground plane for integrated circuit
US20150092314A1 (en) Connector placement for a substrate integrated with a toroidal inductor
KR20150130516A (ko) 비아와 커패시터의 플레이트 사이에 유전체를 갖는 커패시터
KR20160005064A (ko) 3-차원(3d) 집적 회로들(ic) 내의 튜닝가능한 다이플렉서들 및 관련 컴포넌트들 및 방법들
US11159142B2 (en) Positions of release ports for sacrificial layer etching
JP6382331B2 (ja) チューナブルフィルタ用パッケージ
EP2962312A1 (en) A vertical-coupling transformer with an air-gap structure
CN115803880A (zh) 包括位于包封层中的电感器和电容器的衬底
JP2017512424A5 (zh)
JP2020031428A (ja) 多層圧電基板
CN109842391A (zh) 芯片上同向双工器
CN117352510A (zh) 一种射频前端集成芯片及其制造方法
JP6921180B2 (ja) デュアル側面接触キャパシタを形成するための裏面シリサイド化の利用
CN110767606A (zh) 一种具有复合功能的电子元器件及其制造方法
US20230112487A1 (en) Interdigital transducer electrode for acoustic wave device with improved response
CN116032246B (zh) 一种双工器
US20230074812A1 (en) Out-of-band rejection for acoustic-wave filters
CN108807343B (zh) 一种射频开关芯片

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant