JP2009272360A - インダクタおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】インダクタ10は、平板状の基板とスパイラル形状の導体11とを備えている。導体11が形成された形成面は、基板の主面に対して実質的に平行である。導体11では、形成面に対して水平な方向において等間隔であり、外側に位置する部分の方が内側に位置する部分よりも幅広且つ肉薄であり、形成面に対して垂直な方向においては上面及び下面の少なくとも一方の面が周回毎に相異なる位置に存在している。
【選択図】図1
Description
(式1)において、ωは2πf、πは円周率、fは周波数、Lはインダクタンス値、Rは抵抗値である。
図1(a)は本発明の第1の実施形態に係るスパイラル形状を有するインダクタ10の平面図を示し、図1(b)は、図1(a)のIB−IB'線における断面図を示している。図1(c)は、図1(a)のIB−IB'線における断面図の別例を示している。
図2(a)は本発明の第2の実施形態に係るスパイラル形状を有するインダクタ20の平面図を示し、図2(b)は図2(a)のIIB−IIB'線における断面を示し、図2(c)は各層におけるスパイラル形状を示す平面図である。また、図3(a)〜(c)は、それぞれ、図2(a)のIIB−IIB'線における断面図の別例を示している。
図4(a)は本発明の第3の実施形態に係るスパイラル形状を有するインダクタ30の平面図を示し、図4(b)は、図4(a)におけるIVB−IVB'線における断面図を示している。図4(c)は、各層におけるスパイラル形状を示す平面図である。
図7(a)は本発明の第4の実施形態に係るスパイラル形状を有するインダクタ50の平面図であり、図7(b)は図7(a)のVIIB−VIIB'における断面図である。図7(c)は図7(a)のVIIC−VIIC'における断面図である。図7(d)は、各層におけるスパイラル形状を示す平面図である。
11,21,31,51,101 導体
32a,32b,52a,52b,52c,52d,52e ビア又は溝内の導電性材料
13a,13b,23a,23b,33a,33b,53a,53b 端子部
103a,103b 端子部
14,24,34,54,104 層間絶縁膜
41a 第1のエッチングストッパー用絶縁膜
41b 第2のエッチングストッパー用絶縁膜
41c 第3のエッチングストッパー用絶縁膜
42a 第1の層間絶縁膜
42b 第2の層間絶縁膜
42c 第3の層間絶縁膜
43a 第1の接続部
43b 第2の接続部
43c 第3の接続部
44a 第1のインダクタ用導体
44b 第2のインダクタ用導体
44c 第3のインダクタ用導体
45 配線領域
46 インダクタ領域
47a 第1の配線
47b 第2の配線
47c 第3の配線
48a 第1のバリア用TaN膜
48b 第2のバリア用TaN膜
48c 第3のバリア用TaN膜
143a,143b,144a,144b,147a,147b,244b 溝
Claims (5)
- 平板状の基板とスパイラル形状の導体とを備えたインダクタであって、
前記導体は、前記基板の主面に対して実質的に平行となるように配置されており、
前記導体では、
前記導体が配置された形成面に対して水平な方向において、等間隔であり、
外側に位置する部分の方が内側に位置する部分よりも幅広且つ肉薄であり、
前記形成面に対して垂直な方向において、上面及び下面の少なくとも一方の面が周回毎に異なる水平面内に位置していることを特徴とするインダクタ。 - 前記インダクタを構成する前記導体において、内側に位置する前記導体の最上面が、外側に位置する前記導体の最上面に対して、垂直方向において同じ位置または下方に位置していることを特徴とする請求項1に記載のインダクタ。
- 前記インダクタを構成する前記導体において、内側に位置する前記導体の最下面が、外側に位置する前記導体の最下面に対して、垂直方向において同じ位置または上方に位置していることを特徴とする請求項1に記載のインダクタ。
- 前記基板の前記主面上には、複数の配線層が絶縁層を挟んで積層されており、
互いに対面する少なくとも2つの前記配線層にそれぞれ設けられた導体部が前記絶縁層に形成されたビアまたは溝内に設けられた導電性材料を介して互いに接続されていることを特徴とする請求項1から3の何れか一つに記載のインダクタ。 - 平板状の基板とスパイラル形状の導体とを有するインダクタの製造方法であって、
前記基板上に設けられた第1の層間絶縁膜を貫通する第1の溝を前記第1の層間絶縁膜に形成し、前記第1の溝内に前記導体の第1の部分を形成する工程と、
エッチングストッパー用絶縁層を挟むようにして、前記第1の層間絶縁膜の上面および下面のうちの一方の面上に第2の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の層間絶縁膜を貫通する第2および第3の溝を前記第2の層間絶縁膜にそれぞれ形成し、前記第2および前記第3の溝内に前記導体の第2および第3の部分を形成する工程とを備え、
幅が前記第1の溝の幅と同一となるように、且つ、前記第1の層間絶縁膜の前記一方の面における前記導体の前記第1の部分の表面に達するように、前記第2の溝を形成し、
前記第2の溝よりも幅広となるように、且つ、前記第2の溝よりも前記第1の層間絶縁膜の前記一方の面の周縁寄りに配置されるように、前記第3の溝を形成することを特徴とするインダクタの製造方法。
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