JP5719259B2 - 高周波電力増幅装置 - Google Patents
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Description
《高周波電力増幅装置の主要部の基本構成(タイプ1)》
図4は、本発明の実施の形態1による高周波電力増幅装置において、その差動増幅器を非動作状態に制御した際の当該差動増幅器およびそれに対応するトランスフォーマ周りの等価回路の一例を示す回路図である。図4には、差動増幅器AD1と、トランスフォーマTR1と、インピーダンス調整用の容量CD1に加えて、インピーダンス補正ブロックMBK1が備わっている。AD1は、例えばMOSFETの差動対(図示せず)で構成され、ここでは非動作状態に伴い当該MOSFETがオフに制御される。この場合、AD1は、等価的に差動対となる各MOSFETのソース・ドレイン間寄生容量CP1,CP2で表される。CP1,CP2の一端(MOSFETのソース側)は、接地電源電圧VSSに共通接続される。なお、非動作状態とは、対応する差動増幅器が電力増幅を行わない状態を意味し、逆に動作状態とは、対応する差動増幅器が電力増幅を行う状態を意味する。
図5は、本発明の実施の形態1による高周波電力増幅装置において、その差動増幅器を非動作状態に制御した際の当該差動増幅器およびそれに対応するトランスフォーマ周りの等価回路の他の一例を示す回路図である。図5に示す構成例は、前述した図4の構成例と比較して、図4のインピーダンス補正ブロックMBK1が図5のインピーダンス補正ブロックMBK2に置き換わり、また、トランスフォーマTR1の2次コイルLD3の両端にインピーダンス調整用の容量CD2が接続された点が異なっている。当該CD2は、前述したCD1と同様に、主に、実際上TR1に含まれ得るリアクタンス成分を打ち消すために設けられる。
図6は、本発明の実施の形態1による高周波電力増幅装置において、その差動増幅器を非動作状態に制御した際の当該差動増幅器およびそれに対応するトランスフォーマ周りの等価回路の更に他の一例を示す回路図である。図6に示す構成例は、前述した図4の構成例と比較して、図4のインピーダンス補正ブロックMBK1がノードN1とノードN2の間に接続されたスイッチS3に置き換わっている点が異なっている。図6では、図4の方式と異なり、差動増幅器AD1を非動作状態にする場合に、1次コイルLD1/LD2の両端からAD1側を見たインピーダンスが低インピーダンス状態となるような制御が行われる。
《複数パワーモード型高周波電力増幅装置の回路構成および動作(タイプ1[1])》
図7は、本発明の実施の形態2による高周波電力増幅装置において、その構成の一例を示す回路図である。図7に示す高周波電力増幅装置は、2個の差動増幅器AD101,AD102と、2本の1次コイルと1本の2次コイルを持つトランスフォーマTR101を備えている。TR101の2本の1次コイルの一方は、2個のコイルLD111,LD112で構成され、2本の1次コイルの他方も、2個コイルLD113,LD114で構成される。LD111はセンタータップを介してLD112に直列接続され、LD113はセンタータップを介してLD114に直列接続される。当該センタータップには電源電圧VDDが供給される。
図10(a)は、図7を変形した構成例を示す回路図であり、図10(b)は、図10(a)を低出力モードで動作させた場合の状態を示す回路図である。図10(a)に示す高周波電力増幅装置は、図7の構成例と比較して、差動増幅器AD101の差動出力間に、更にスイッチS102と容量C101が直列接続された点が異なっている。スイッチS102は、スイッチS101と同様にしてオン・オフが制御される。このような構成例を用いることで、図4のインピーダンス補正ブロックMBK1aで述べたように、インダクタL101,L102の回路面積を低減することが可能になる。
図11は、図7の高周波電力増幅装置において、その概略的なレイアウト構成例を示す平面図である。図中の各符号が示す部分の名称は、それらが図7に含まれている場合はそれらと同じである。それ以外において、TP101は、トランスフォーマTR101の1次コイルLD111/LD112のセンタータップであり、TP102は、TR101の1次コイルLD113/LD114のセンタータップである。当該センタータップにはVDDが供給される。SC101は、差動増幅器AD101,AD102を構成するMOSFETの差動対の共通ソース配線であり、当該共通ソース配線にはVSSが供給される。G101,G102は、AD101におけるMOSFETの差動対(図9のMN11,MN12)のゲート入力配線(差動入力配線)であり、G103,G104は、AD102におけるMOSFETの差動対(図8のMN21,MN22)のゲート入力配線(差動入力配線)である。
《複数パワーモード型高周波電力増幅装置の回路構成および動作(タイプ2[1])》
図12は、本発明の実施の形態3による高周波電力増幅装置において、その構成の一例を示す回路図である。図12に示す高周波電力増幅装置は、2個の差動増幅器AD201,AD202と、2個のトランスフォーマTR201,TR202を備えている。TR201の1次コイルは、2本のコイルLD211,LD212がセンタータップを介して直列に接続された構成となっている。同様に、TR202の1次コイルは、2本のコイルLD213,LD214がセンタータップを介して直列に接続された構成となっている。センタータップには、電源電圧VDDが供給される。
図14は、図12を変形した構成例を示す回路図である。図5で述べたように、図12の構成例では、例えばAD202のオフ容量、容量CD202、およびトランスフォーマTR202のインダクタンスとの兼ね合いから、それらのアドミッタンスの和がインダクタンス性となる場合がある。このような場合には、AD202とTR202の部分を高インピーダンス化するために、スイッチとインダクタの直列接続の代わりに、図14に示すようにスイッチと容量の直列接続を用いればよい。図14では、AD201の差動出力間にスイッチS201と容量C201が直列に結合され、AD202の差動出力間にスイッチS202と容量C202が直列に結合される。C201,C202の容量値は、オフ状態となったMOSFETのオフ容量、インピーダンス調整用の容量(CD201もしくはCD202)、およびトランスフォーマ(TR201もしくはTR202)のアドミッタンスの和を打ち消す値に設定される。その結果、オフ状態の差動増幅器とそれが接続されたトランスフォーマの部分を高インピーダンス化することが可能になる。
《複数パワーモード型高周波電力増幅装置の回路構成および動作(タイプ1[2])》
図15は、本発明の実施の形態4による高周波電力増幅装置において、その構成の一例を示す回路図である。図15に示す高周波電力増幅装置は、2個の差動増幅器AD301,AD302と、2個のトランスフォーマTR301,TR302を備えている。TR301の1次コイルは、2本のコイルLD311,LD312がセンタータップを介して直列に接続された構成となっている。同様に、TR302の1次コイルは、2本のコイルLD313,LD314がセンタータップを介して直列に接続された構成となっている。センタータップには、電源電圧VDDが供給される。
《複数パワーモード型高周波電力増幅装置の回路構成および動作(タイプ3[1])》
図18は、本発明の実施の形態5による高周波電力増幅装置において、その構成の一例を示す回路図である。図18に示す高周波電力増幅装置は、2個の差動増幅器AD401,AD402と、2個のトランスフォーマTR401,TR402を備えている。TR401の1次コイルは、2本のコイルLD411,LD412がセンタータップを介して直列に接続された構成となっている。同様に、TR402の1次コイルは、2本のコイルLD413,LD414がセンタータップを介して直列に接続された構成となっている。センタータップには、電源電圧VDDが供給される。
図21は、図18の高周波電力増幅装置において、その概略的なレイアウト構成例を示す平面図である。図中の各符号が示す部分の名称は、それらが図18に含まれている場合はそれらと同じである。それ以外において、TP401は、トランスフォーマTR401の1次コイルLD411/LD412のセンタータップであり、TP402は、TR402の1次コイルLD413/LD414のセンタータップである。当該センタータップにはVDDが供給される。SC401は、差動増幅器AD401を構成するMOSFETの差動対の共通ソース配線であり、SC402は、差動増幅器AD402を構成するMOSFETの差動対の共通ソース配線である。当該共通ソース配線にはVSSが供給される。G401,G402は、AD401におけるMOSFETの差動対のゲート入力配線(差動入力配線)であり、G403,G404は、AD402におけるMOSFETの差動対のゲート入力配線(差動入力配線)である。
《複数パワーモード型高周波電力増幅装置の回路構成および動作(タイプ1[3])》
図22は、本発明の実施の形態6による高周波電力増幅装置において、その構成の一例を示す回路図である。図22に示す高周波電力増幅装置は、3個の差動増幅器AD501,AD502,AD503と、3本の1次コイルと1本の2次コイルよりなるトランスフォーマTR501を備えている。図22の構成例は、実施の形態2で述べた図7の構成例と比較して、差動増幅器の数が1つ増えた点が異なっている。差動増幅器AD501,AD502,AD503は、それぞれ高出力モード用、中出力モード用、低出力モード用である。トランスフォーマTR501の3本の1次コイルの中の1本は2個のコイルLD511,LD512で構成され、他の1本も2個のコイルLD513,LD514で構成され、残りの1本も2個のコイルLD515,LD516で構成される。LD511はセンタータップを介してLD512に直列接続され、同様に、LD513もセンタータップを介してLD514に直列接続され、LD515もセンタータップを介してLD516に直列接続される。該センタータップには電源電圧VDDが供給される。
《複数パワーモード型高周波電力増幅装置の回路構成および動作(タイプ1[4])》
図23は、本発明の実施の形態7による高周波電力増幅装置において、その構成の一例を示す回路図である。図23に示す高周波電力増幅装置は、3個の差動増幅器AD601,AD602,AD603と、3個のトランスフォーマTR601,TR602,TR603を備えている。図23の構成例は、実施の形態4で述べた図15の構成例と比較して、差動増幅器の数が1つ増えた点が異なっている。差動増幅器AD601,AD602,AD603は、それぞれ高出力モード用、中出力モード用、低出力モード用である。TR601の1次コイルは、2個のコイルLD611,LD612がセンタータップを介して直列に接続された構成となっている。同様に、TR602の1次コイルは、2個のコイルLD613,LD614がセンタータップを介して直列に接続された構成となっており、TR603の1次コイルは、2個のコイルLD615,LD616がセンタータップを介して直列に接続された構成となっている。当該センタータップには電源電圧VDDが供給される。
《複数パワーモード型高周波電力増幅装置の回路構成および動作(タイプ3[2])》
図24は、本発明の実施の形態8による高周波電力増幅装置において、その構成の一例を示す回路図である。図24に示す高周波電力増幅装置は、3個の差動増幅器AD701,AD702,AD703と、3個のトランスフォーマTR701,TR702,TR703を備えている。図24の構成例は、実施の形態5で述べた図18の構成例と比較して、差動増幅器の数が1つ増えた点が異なっている。差動増幅器AD701,AD702,AD703は、それぞれ高出力モード用、中出力モード用、低出力モード用である。TR701の1次コイルは、2個のコイルLD711,LD712がセンタータップを介して直列に接続された構成となっている。同様に、TR702の1次コイルは、2個のコイルLD713,LD714がセンタータップを介して直列に接続された構成となっており、TR703の1次コイルは、2個のコイルLD715,LD716がセンタータップを介して直列に接続された構成となっている。当該センタータップには電源電圧VDDが供給される。
《複数パワーモード型高周波電力増幅装置の回路構成および動作(タイプ1[5])》
図25は、本発明の実施の形態9による高周波電力増幅装置において、その構成の一例を示す回路図である。図25に示す高周波電力増幅装置は、3個の差動増幅器AD801,AD802,AD803と、2個のトランスフォーマTR801,TR802を備えている。TR801は1本の1次コイルと1本の2次コイルを備え、TR802は2本の1次コイルと1本の2次コイルを備える。TR801の1次コイルは、2個のコイルLD811,LD812がセンタータップを介して直列に接続された構成となっており、2次コイルLD821と磁気的に結合している。TR802の2本の1次コイルの一方は、2個のコイルLD813,LD814がセンタータップを介して直列に接続された構成となっており、2本の1次コイルの他方も、2個のコイルLD815,LD816がセンタータップを介して直列に接続された構成となっている。このTR802の2本の1次コイルは、共通の2次コイルLD822と磁気的に結合している。また、センタータップには電源電圧VDDが供給される。
《複数パワーモード型高周波電力増幅装置の回路構成および動作(タイプ1[6])》
図26は、本発明の実施の形態10による高周波電力増幅装置において、その構成の一例を示す回路図である。図26に示す高周波電力増幅装置は、3個の差動増幅器AD901,AD902,AD903と、2個のトランスフォーマTR901,TR902を備えている。TR901は2本の1次コイルと1本の2次コイルを備え、TR902は1本の1次コイルと1本の2次コイルを備える。TR901の2本の1次コイルの一方は、2個のコイルLD911,LD912がセンタータップを介して直列に接続された構成となっており、2本の1次コイルの他方も、2個のコイルLD913,LD914がセンタータップを介して直列に接続された構成となっている。このTR901の2本の1次コイルは、共通の2次コイルLD921と磁気的に結合している。TR902の1次コイルは、2個のコイルLD915,LD916がセンタータップを介して直列に接続された構成となっており、2次コイルLD922と磁気的に結合している。センタータップには電源電圧VDDが供給される。
《複数パワーモード型高周波電力増幅装置の回路構成および動作(タイプ1+タイプ3)[1]》
図27は、本発明の実施の形態11による高周波電力増幅装置において、その構成の一例を示す回路図である。図27に示す高周波電力増幅装置は、実施の形態9で述べた図25の構成例の変形例となっている。当該高周波電力増幅装置は、3個の差動増幅器ADa01,ADa02,ADa03と、2個のトランスフォーマTRa01,TRa02を備えている。TRa01は1本の1次コイルと1本の2次コイルを備え、TRa02は2本の1次コイルと1本の2次コイルを備える。TRa01の1次コイルは、2個のコイルLDa11,LDa12がセンタータップを介して直列に接続された構成となっており、2次コイルLDa21と磁気的に結合している。TRa02の2本の1次コイルの一方は、2個のコイルLDa13,LDa14がセンタータップを介して直列に接続された構成となっており、2本の1次コイルの他方も、2個のコイルLDa15,LDa16がセンタータップを介して直列に接続された構成となっている。このTRa02の2本の1次コイルは、共通の2次コイルLDa22と磁気的に結合している。また、センタータップには電源電圧VDDが供給される。
《複数パワーモード型高周波電力増幅装置の回路構成および動作(タイプ1+タイプ3)[2]》
図28は、本発明の実施の形態12による高周波電力増幅装置において、その構成の一例を示す回路図である。図28に示す高周波電力増幅装置は、実施の形態10で述べた図26の構成例の変形例となっている。当該高周波電力増幅装置は、3個の差動増幅器ADb01,ADb02,ADb03と、2個のトランスフォーマTRb01,TRb02を備えている。TRb01は2本の1次コイルと1本の2次コイルを備え、TRb02は1本の1次コイルと1本の2次コイルを備える。
図29は、図28の高周波電力増幅装置において、その概略的なレイアウト構成例を示す平面図である。図中の各符号が示す部分の名称は、それらが図28に含まれている場合はそれらと同じである。それ以外において、TPb01は、トランスフォーマTRb01の一方の1次コイルLDb11/LDb12のセンタータップであり、TPb02は、TRb01の他方の1次コイルLDb13/LDb14のセンタータップである。また、TPb03は、トランスフォーマTRb02の1次コイルLDb15/LDb16のセンタータップである。当該センタータップにはVDDが供給される。SCb01は、差動増幅器ADb01,ADb02を構成するMOSFETの差動対の共通ソース配線であり、SCb02は、差動増幅器ADb03を構成するMOSFETの差動対の共通ソース配線である。当該共通ソース配線にはVSSが供給される。Gb01,Gb02は、ADb01におけるMOSFETの差動対のゲート入力配線(差動入力配線)であり、Gb03,Gb04は、ADb02におけるMOSFETの差動対のゲート入力配線(差動入力配線)であり、Gb05,Gb06は、ADb03におけるMOSFETの差動対のゲート入力配線(差動入力配線)である。
《複数バンド型高周波電力増幅装置の回路構成および動作(タイプ1)》
図30は、本発明の実施の形態13による高周波電力増幅装置において、その構成の一例を示す回路図である。図30に示す高周波電力増幅装置は、3個の差動増幅器ADc01,ADc02,ADc03と、3本の1次コイルと1本の2次コイルよりなるトランスフォーマTRc01を備えている。これまでの各実施の形態では、複数個の差動増幅器の動作、非動作を出力レベルの違いにより切り替える複数パワーモード型の高周波電力増幅装置を示したが、本実施の形態では、複数の差動増幅器の動作、非動作を信号周波数の違いにより切り替える複数バンド型の高周波電力増幅装置について説明する。
《インピーダンス補正ブロックのスイッチ構成[1]》
図31は、本発明の実施の形態14による高周波電力増幅装置において、それに含まれるインピーダンス補正ブロック内のスイッチの構成例を示す回路図である。図31には、例えば図4を例として、差動増幅器AD1がNMOSトランジスタMN1,MN2の差動対で構成され、インピーダンス補正ブロックMBK1内のスイッチS1が、インダクタL1の一端とインダクタL2の一端の間にソース・ドレイン経路が接続されたNMOSトランジスタMNs1で構成された例が示されている。MNs1のゲートにはバイアス電圧VGが印加される。
図32は、本発明の実施の形態14による高周波電力増幅装置において、それに含まれるインピーダンス補正ブロック内のスイッチの他の構成例を示す回路図である。図32では、図31に対して、NMOSトランジスタMNs1のソース・ドレインの一方とインダクタL1の一端の間に容量C5が接続され、MNs1のソース・ドレインの他方とインダクタL2の一端の間に容量C6が接続されている。C5,C6は、DC的な接続を遮断するためのものである。さらに、MNs1のソース・ドレインから配線が引き出され、そこにソース電圧VSが印加されている。
《無線通信システムの構成[1]》
図33は、本発明の実施の形態15による高周波電力増幅装置において、それを適用した無線通信システムの構成例を示すブロック図である。図33には、例えば、1個のバンドで3個のパワーモードに対応した無線通信システムにおけるアンテナ周りの送受信部の構成例が示されている。図33において、BL1〜BL3は入力バラン、AD_1〜AD_3は差動増幅器、TR_1はトランスフォーマ、IS1はアイソレータ、DPX1はデュプレクサ、FT1はバンドパスフィルタ、LNA1は低雑音増幅器、ANTはアンテナである。
図34は、本発明の実施の形態15による高周波電力増幅装置において、それを適用した無線通信システムの他の構成例を示すブロック図である。図34には、例えば、2個のバンドで、各バンド毎に3個のパワーモードに対応した無線通信システムにおけるアンテナ周りの送受信部の構成例が示されている。図34において、BL1〜BL6は入力バラン、AD_1〜AD_6は差動増幅器、TR_1,TR_2はトランスフォーマ、IS1,IS2はアイソレータ、DPX1,DPX2はデュプレクサ、FT1,FT2はバンドパスフィルタ、LNA1,LNA2は低雑音増幅器、ANTはアンテナ、ANTSW1はアンテナスイッチである。
図35は、本発明の実施の形態15による高周波電力増幅装置において、それを適用した無線通信システムの更に他の構成例を示すブロック図である。図35には、例えば、3個のバンドに対応した無線通信システムにおけるアンテナ周りの送受信部の構成例が示されている。図35において、BL1〜BL3は入力バラン、AD_1〜AD_3は差動増幅器、TR_1はトランスフォーマ、IS1はアイソレータ、FT1〜FT3はバンドパスフィルタ、LNA1〜LNA3は低雑音増幅器、ANTはアンテナ、ANTSW2はアンテナスイッチである。
ANT アンテナ
ANTSW アンテナスイッチ
BL 入力バラン
C 容量
CD インピーダンス調整用容量
CP 寄生容量(オフ容量)
DPX デュプレクサ
FT バンドパスフィルタ
G ゲート入力配線
IS アイソレータ
L インダクタ
LD コイル
LNA 低雑音増幅器
MBK インピーダンス補正ブロック
MN NMOSトランジスタ
N ノード
R 負荷
S スイッチ
SC 共通ソース配線
TP センタータップ
TR トランスフォーマ
VDD 電源電圧
VG バイアス電圧
VS ソース電圧
VSS 接地電源電圧
Claims (14)
- 第1Aノードと第1Bノードの間に結合される第1の1次コイルと、
前記第1の1次コイルと磁気結合する第1の2次コイルと、
前記第1Aノードと前記第1Bノードを差動出力ノードとし、差動対のトランジスタを含む第1差動増幅器と、
前記第1Aノードと前記第1Bノードの間に直列に結合される第1リアクタンス素子および第1スイッチとを備え、
前記第1スイッチは、前記第1差動増幅器が非動作状態に制御される際にはオンに制御され、前記第1差動増幅器が動作状態に制御される際にはオフに制御されることを特徴とする高周波電力増幅装置。 - 請求項1記載の高周波電力増幅装置において、
前記第1差動増幅器の前記差動対のトランジスタは、前記第1差動増幅器が前記非動作状態に制御される際に等価的にオフ容量で表され、
前記第1リアクタンス素子は、前記第1差動増幅器が前記非動作状態に制御される際に、前記第1の1次コイルの両端から前記オフ容量で表される前記第1差動増幅器側を見た回路が並列共振回路に見えるリアクタンス値に設定されることを特徴とする高周波電力増幅装置。 - 請求項2記載の高周波電力増幅装置において、
前記第1リアクタンス素子は、
前記第1Aノードと前記第1スイッチの一端の間に結合される第1Aインダクタ素子と、
前記第1Bノードと前記第1スイッチの他端の間に結合される第1Bインダクタ素子とを有することを特徴とする高周波電力増幅装置。 - 請求項3記載の高周波電力増幅装置において、
前記第1の1次コイルは、中点に電源電圧が供給され、
前記第1スイッチは、スイッチ用トランジスタを備え、
前記高周波電力増幅装置は、さらに、
前記スイッチ用トランジスタの一端と前記第1Aインダクタ素子の間に挿入される第1A直流カット用容量と、
前記スイッチ用トランジスタの他端と前記第1Bインダクタ素子の間に挿入される第1B直流カット用容量とを備え、
前記スイッチ用トランジスタのオン・オフは、前記スイッチ用トランジスタの制御入力ノードと前記スイッチ用トランジスタの一端および他端とに前記電源電圧および接地電源電圧を印加することで制御されることを特徴とする高周波電力増幅装置。 - 請求項2記載の高周波電力増幅装置において、さらに、
第2Aノードと第2Bノード間に結合され、前記第1の2次コイルと磁気結合する第2の1次コイルと、
前記第2Aノードと前記第2Bノードを差動出力ノードとし、差動対のトランジスタを含む第2差動増幅器とを備え、
前記第2差動増幅器の前記差動対のトランジスタは、前記第1差動増幅器の前記差動対のトランジスタよりもトランジスタサイズが小さいことを特徴とする高周波電力増幅装置。 - 請求項5記載の高周波電力増幅装置において、さらに、
前記第2Aノードと前記第2Bノードの間に直列に結合される第2リアクタンス素子および第2スイッチとを備え、
前記第2スイッチは、前記第2差動増幅器が非動作状態に制御される際にはオンに制御され、前記第2差動増幅器が動作状態に制御される際にはオフに制御され、
前記第2差動増幅器の前記差動対のトランジスタは、前記第2差動増幅器が前記非動作状態に制御される際に等価的にオフ容量で表され、
前記第2リアクタンス素子は、前記第2差動増幅器が前記非動作状態に制御される際に、前記第2の1次コイルの両端から前記オフ容量で表される前記第2差動増幅器側を見た回路が並列共振回路に見えるリアクタンス値に設定されることを特徴とする高周波電力増幅装置。 - 請求項2記載の高周波電力増幅装置において、さらに、
第3Aノードと第3Bノード間に結合され、前記第1の2次コイルと磁気結合する第3の1次コイルと、
前記第3Aノードと前記第3Bノードを差動出力ノードとし、差動対のトランジスタを含む第3差動増幅器と、
前記第3Aノードと前記第3Bノードの間に直列に結合される第3リアクタンス素子および第3スイッチとを備え、
前記第1差動増幅器は、第1周波数帯の入力信号を増幅し、
前記第3差動増幅器は、前記第1周波数帯とは異なる第2周波数帯の入力信号を増幅し、
前記第3スイッチは、前記第3差動増幅器が非動作状態に制御される際にはオンに制御され、前記第3差動増幅器が動作状態に制御される際にはオフに制御され、
前記第3差動増幅器の前記差動対のトランジスタは、前記第3差動増幅器が前記非動作状態に制御される際に等価的にオフ容量で表され、
前記第3リアクタンス素子は、前記第3差動増幅器が前記非動作状態に制御される際に、前記第3の1次コイルの両端から前記オフ容量で表される前記第3差動増幅器側を見た回路が前記第1周波数帯において並列共振回路に見えるリアクタンス値に設定され、
前記第1リアクタンス素子は、前記第1差動増幅器が前記非動作状態に制御される際に、前記第1の1次コイルの両端から前記オフ容量で表される前記第1差動増幅器側を見た回路が前記第2周波数帯において並列共振回路に見えるリアクタンス値に設定されることを特徴とする高周波電力増幅装置。 - 請求項2記載の高周波電力増幅装置において、
前記第1リアクタンス素子は、第2Aおよび第2Bインダクタ素子と、第1容量素子とを備え、
前記第1スイッチは、第1Aおよび第1Bスイッチを備え、
前記第2Aインダクタ素子は、前記第1Aノードと前記第1Aスイッチの一端の間に結合され、
前記第2Bインダクタ素子は、前記第1Bノードと前記第1Aスイッチの他端の間に結合され、
前記第1容量素子および前記第1Bスイッチは、前記第1Aノードと前記第1Bノードの間に直列に結合され、
前記第1Aおよび第1Bスイッチは、前記第1差動増幅器が非動作状態に制御される際には共にオンに制御され、前記第1差動増幅器が動作状態に制御される際には共にオフに制御されることを特徴とする高周波電力増幅装置。 - 請求項1記載の高周波電力増幅装置において、
前記第1差動増幅器の前記差動対のトランジスタは、前記第1差動増幅器が前記非動作状態に制御される際に等価的にオフ容量で表され、
前記第1リアクタンス素子は、前記第1差動増幅器が前記非動作状態に制御される際に、前記第1の2次コイルの両端から前記第1の2次コイル側を見た回路が並列共振回路に見えるリアクタンス値に設定されることを特徴とする高周波電力増幅装置。 - 請求項9記載の高周波電力増幅装置において、さらに、
第4Aノードと第4Bノード間に結合される第4の1次コイルと、
前記第4の1次コイルと磁気結合し、前記第1の2次コイルと並列接続される第2の2次コイルと、
前記第4Aノードと前記第4Bノードを差動出力ノードとし、差動対のトランジスタを含む第4差動増幅器と、
前記第4Aノードと前記第4Bノードの間に直列に結合される第4リアクタンス素子および第4スイッチとを備え、
前記第4スイッチは、前記第4差動増幅器が非動作状態に制御される際にはオンに制御され、前記第4差動増幅器が動作状態に制御される際にはオフに制御され、
前記第4差動増幅器の前記差動対のトランジスタは、前記第4差動増幅器が前記非動作状態に制御される際に等価的にオフ容量で表され、
前記第4リアクタンス素子は、前記第4差動増幅器が前記非動作状態に制御される際に、前記第2の2次コイルの両端から前記第2の2次コイル側を見た回路が並列共振回路に見えるリアクタンス値に設定されることを特徴とする高周波電力増幅装置。 - 請求項1記載の高周波電力増幅装置において、
前記高周波電力増幅装置は、1個の半導体チップ上に形成されることを特徴とする高周波電力増幅装置。 - それぞれが差動対のトランジスタを含む第1〜第N(Nは2以上の整数)の差動増幅器と、
第1〜第Nの1次コイルと、前記第1〜第Nの1次コイルに磁気結合される単数または複数の2次コイルとを含むトランスフォーマとを備え、
第K(K=1,…,N)の1次コイルは、第Kの差動増幅器の差動出力ノード間に接続され、
前記第1〜第Nの差動増幅器の内の少なくとも1個以上の差動増幅器の差動出力ノード間にリアクタンス素子とスイッチが直列に接続されていることを特徴とする高周波電力増幅装置。 - 請求項12記載の高周波電力増幅装置において、
前記第1〜第Nの差動増幅器にそれぞれ含まれる前記差動対のトランジスタは、前記第1〜第Nの差動増幅器毎にトランジスタサイズが異なり、
前記第1〜第Nの差動増幅器の内、前記トランジスタサイズが最も小さい差動増幅器は前記リアクタンス素子および前記スイッチを備えず、
前記第1〜第Nの差動増幅器の内、前記トランジスタサイズが最も大きい差動増幅器は前記リアクタンス素子および前記スイッチを備えることを特徴とする高周波電力増幅装置。 - 請求項12記載の高周波電力増幅装置において、
前記第1〜第Nの差動増幅器は、それぞれ入力信号の周波数帯が異なることを特徴とする高周波電力増幅装置。
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