CN102087911A - 金属厚度不相等的不等宽片上叠层电感 - Google Patents

金属厚度不相等的不等宽片上叠层电感 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种金属厚度不相等的不等宽片上叠层电感；其为两层及以上的多层结构，包括：上下层金属线圈，上下层金属线圈图形开槽部分重合；所述下层线圈的线宽与上层线圈的线宽不相等，并且上下层线圈的厚度不相等；所述上下层金属线圈在金属线末端通过层间通孔互连。本发明的利用每层金属的电感及上下金属的互感以增加同样面积下的电感值，并通过上下层电感金属宽度不同来减小寄生电阻。本发明不仅很大程度上提高了同样面积下的电感值，而且有效地保持了较高的电感品质因数。

Description

金属厚度不相等的不等宽片上叠层电感
技术领域
本发明涉及微电子领域，具体是一种采用堆叠结构的叠层电感。
背景技术
目前，在集成电路中包含了大量的无源器件，片上电感就是其中十分重要的一种，片上电感是射频CMOS/BiCMOS集成电路的重要元件之一。在通常的无线产品中，电感元件对总的射频性能有很重要的影响。因此对这些电感元件的设计和分析也得到了广泛的研究。电感作为射频电路的核心部件，它通常可以影响到整个电路的整体性能。目前，高品质因数的片上电感广泛应用在压控振荡器，低噪声放大器等射频电路模块中。叠层的片上电感在很大程度减少了芯片面积，降低了生产成本。
上面所述的电感器件的电感品质因数Q值是衡量电感器件的主要参数。其是指电感器在某一频率的交流电压下工作时，所呈现的感抗与其等效损耗电阻之比。电感器的Q值越高，其损耗越小，效率越高。
一般的逻辑工艺和射频工艺中，顶层金属厚度较下层金属要高。因此在此工艺上制作的叠层电感下层金属的电阻率较上层金属要大，存在较大的寄生电阻。传统的叠层电感如附图1所示，上层金属与下层金属宽度和间距相等。尽管在同样面积下实现了单层电感两倍以上的电感值，但是其品质因数和自谐振频率都比较低，因此不能很好地满足电路设计的需要。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种金属厚度不相等的不等宽片上叠层电感，其可以实现小型化大感值的叠层电感，并保持较高的品质因数。
为解决以上技术问题，本发明提供了一种金属厚度不相等的不等宽片上叠层电感；其为两层及以上的多层结构，包括：上下层金属线圈，上下层金属线圈图形开槽部分重合；所述下层线圈的线宽与上层线圈的线宽不相等，并且上下层线圈的厚度不相等；所述上下层金属线圈在金属线末端互连。
本发明的有益效果在于：利用每层金属的电感及上下金属的互感以增加同样面积下的电感值，并通过上下层电感金属宽度不同来减小寄生电阻。本发明不仅很大程度上提高了同样面积下的电感值，而且有效地保持了较高的电感品质因数。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。
图1是现有叠层电感的俯视图；
图2是本发明实施例所述叠层电感的立体图；
图3是本发明实施例所述叠层电感下层金属间距减小的立体图；
图4是现有叠层电感通过软件仿真得到的本质因数Q值随频率变化的示意图；
图5是本发明实施例所述叠层电感通过软件仿真得到的本质因数Q值随频率变化的示意图。
具体实施方式
由于电感的品质因数可以由以下公式来推导：
Q ≈ wL R s (公式一)
Q表示品质因数，w表示频率，L表示某一频率下的电感值，Rs表示某一频率下的电阻值。通过上下金属堆叠，可以有效地提高总的电感值。同时，通过增加下层金属宽度来尽量减少ΔRs(增加的寄生电阻)。
本发明所述的金属厚度不相等的不等宽片上叠层电感；其为两层及以上的多层结构，包括：上下层金属线圈，上下层金属线圈图形开槽部分重合；所述下层线圈的线宽与上层线圈的线宽不相等，并且上下层线圈的厚度不相等；所述上下层金属线圈通过层间通孔在金属线末端互连。
更详细的，本发明所述的金属厚度不相等的不等宽片上叠层电感立体结构(以两层金属、八角形电感为例)见图2。从图2的立体图中可以看出，上下两层电感的金属走线宽度不等，下层金属的宽度大于上层金属的宽度，且位置重合；上层线圈的厚度大于下层线圈的厚度。从图中2可以看出，本发明所述的电感从一端开始，在一层金属线圈上顺时针螺线绕到最里端，后通过层间通孔连接到下一层金属，下层金属再顺时针螺线绕致最外端，中心抽头从走线长度的1/2处(两层金属中间的连接处)通过另一层金属引出。
本专利提出一种新结构的叠层电感，利用各层金属之间的互感以增加同样面积下的电感值，并通过增加下层电感金属的宽度来减小寄生电阻。本发明不仅很大程度上提高了同样面积下的电感值，而且具有较高的电感品质因数。
例如，以外径为160微米的两层电感为例，如图2所示。其上层为宽度8微米，间距为2微米，6圈，厚度为3微米的金属电感。其下层为宽度18微米，间距为2微米，3圈，厚度为0.6微米的金属电感。从附图4、图5的仿真结果可以看到，下层金属加宽的叠层电感比等宽的叠层电感的品质因数提高了10％以上，谐振频率提高了30％以上。
另外，由于下层金属为薄金属，作为本发明的改进，如图3所示，还可以设计所述上下层金属线圈的金属间距不相等，下层金属间距可以小于上层金属间距。一般根据下层金属的最小间距来缩小金属间距，从而增加下层金属的等效电感值。
本发明的适用范围不限于两层电感，金属厚度不相等的多层电感也可以采用增加电阻率较大的下层金属绕线宽度来减小寄生电阻，同时利用了各层金属之间的互感。通过这种方法可以实现小型化大感值的叠层电感，并保持了较高的品质因数。本发明优先适用于上层金属线圈为顶层金属，下层金属线圈为次顶层金属的情况，但其他多层的电感的其他金属层也可以适用。
本发明并不限于上文讨论的实施方式。以上对具体实施方式的描述旨在于为了描述和说明本发明涉及的技术方案。基于本发明启示的显而易见的变换或替代也应当被认为落入本发明的保护范围。以上的具体实施方式用来揭示本发明的最佳实施方法，以使得本领域的普通技术人员能够应用本发明的多种实施方式以及多种替代方式来达到本发明的目的。

Claims (9)

1.一种金属厚度不相等的不等宽片上叠层电感；其特征在于，其为两层及以上的多层结构，包括：
上下层金属线圈，上下层金属线圈图形开槽部分重合；
所述下层线圈的线宽与上层线圈的线宽不相等，并且上下层线圈的厚度不相等；
所述上下层金属线圈互连。
2.如权利要求1所述的金属厚度不相等的不等宽片上叠层电感，其特征在于，所述下层金属线圈的线宽大于所述上层金属线圈的线宽。
3.如权利要求1所述的金属厚度不相等的不等宽片上叠层电感，其特征在于，所述下层金属线圈的厚度小于所述上层金属线圈的厚度。
4.如权利要求1所述的金属厚度不相等的不等宽片上叠层电感，其特征在于，所述上下层金属线圈的金属间距不相等。
5.如权利要求1所述的金属厚度不相等的不等宽片上叠层电感，其特征在于，所述电感从一个电感端口开始，在第一层金属线圈上螺线绕到最里端，后通过层间通孔连接到另一层金属线圈；另一层金属线圈再螺线绕致最外端。
6.如权利要求1所述的金属厚度不相等的不等宽片上叠层电感，其特征在于，所述金属线圈为两层及两层以上的多层。
7.如权利要求1所述的金属厚度不相等的不等宽片上叠层电感，其特征在于，所述上层金属线圈圈数与下层金属线圈数不等。
8.如权利要求1所述的金属厚度不相等的不等宽片上叠层电感，其特征在于，所述金属线圈为八角形或多边形或圆形。
9.如权利要求1所述的金属厚度不相等的不等宽片上叠层电感，其特征在于，所述金属线圈呈顺时针或逆时针螺旋。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102446896A (zh) * 2011-11-08 2012-05-09 上海华力微电子有限公司 一种盘旋式金属间电容结构及其布局
CN107275083A (zh) * 2016-04-06 2017-10-20 昆山睿翔讯通通信技术有限公司 用于多层无源射频电路器件的自补偿电容互感
CN107731793A (zh) * 2017-09-14 2018-02-23 建荣半导体（深圳）有限公司 一种半导体片上集成的8字形电感结构及半导体结构
CN109193835A (zh) * 2018-09-13 2019-01-11 浙江省东阳市东磁诚基电子有限公司 一种铜箔线宽变化的fpc线圈结构
CN109517965A (zh) * 2017-09-20 2019-03-26 应达集团澳大利亚有限公司 多层构造中冶金热处理金属管的水平绕组线圈
CN110335857A (zh) * 2013-02-06 2019-10-15 台湾积体电路制造股份有限公司 堆叠管芯之间的螺旋形螺旋电感器
CN112582155A (zh) * 2019-09-27 2021-03-30 苹果公司 低杂散电场电感器设计
CN113517111A (zh) * 2021-07-30 2021-10-19 天津环鑫科技发展有限公司 一种片上变压器及其制作工艺
US11925096B2 (en) 2021-01-27 2024-03-05 Boe Technology Group Co., Ltd. Display panel of display device and display device

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102934181B (zh) * 2010-06-11 2015-12-16 株式会社村田制作所 电子部件
US8754736B2 (en) 2011-01-24 2014-06-17 International Business Machines Corporation Inductor structure having increased inductance density and quality factor
US9105381B2 (en) 2011-01-24 2015-08-11 International Business Machines Corporation High frequency inductor structure having increased inductance density and quality factor
ITTO20110295A1 (it) * 2011-04-01 2012-10-02 St Microelectronics Srl Dispositivo ad induttore integrato ad elevato valore di induttanza, in particolare per l'uso come antenna in un sistema di identificazione a radiofrequenza
US20130285785A1 (en) * 2012-04-13 2013-10-31 Nano And Advanced Materials Institute Limited Low temperature co-fired ceramic device and a method of manufacturing thereof
DE102012018013B4 (de) * 2012-09-12 2014-09-18 X-Fab Semiconductor Foundries Ag Spiralförmige, integrierbare Spulen mit zentrischen Anschlüssen in planarer grabenisolierter Siliziumhalbleitertechnologie
US9431473B2 (en) 2012-11-21 2016-08-30 Qualcomm Incorporated Hybrid transformer structure on semiconductor devices
US10002700B2 (en) 2013-02-27 2018-06-19 Qualcomm Incorporated Vertical-coupling transformer with an air-gap structure
US9634645B2 (en) 2013-03-14 2017-04-25 Qualcomm Incorporated Integration of a replica circuit and a transformer above a dielectric substrate
CN104218020B (zh) * 2013-06-05 2017-05-24 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 接地屏蔽结构及半导体器件
US9449753B2 (en) * 2013-08-30 2016-09-20 Qualcomm Incorporated Varying thickness inductor
US20150130579A1 (en) * 2013-11-12 2015-05-14 Qualcomm Incorporated Multi spiral inductor
JP6327638B2 (ja) * 2014-04-18 2018-05-23 日本電信電話株式会社 ソレノイドインダクタ
US9906318B2 (en) 2014-04-18 2018-02-27 Qualcomm Incorporated Frequency multiplexer
KR20160053380A (ko) * 2014-11-04 2016-05-13 삼성전기주식회사 적층형 인덕터
US20160133566A1 (en) * 2014-11-06 2016-05-12 Morfis Semiconductor, Inc. Multi-layer transmission line structure for misalignment relief
KR101627128B1 (ko) * 2014-12-02 2016-06-13 삼성전기주식회사 코일 부품
US9653204B2 (en) 2015-01-22 2017-05-16 Globalfoundries Inc. Symmetric multi-port inductor for differential multi-band RF circuits
CN106531410B (zh) 2015-09-15 2019-08-27 臻绚电子科技(上海)有限公司 线圈，电感元件及制备应用于电感元件的线圈的方法
KR102130674B1 (ko) * 2015-12-09 2020-07-06 삼성전기주식회사 코일 부품
CN209168856U (zh) * 2016-07-15 2019-07-26 株式会社村田制作所 高频变压器以及移相器
US10262786B2 (en) 2016-07-26 2019-04-16 Qualcomm Incorporated Stepped-width co-spiral inductor structure
US10553353B2 (en) * 2016-11-18 2020-02-04 Globalfoundries Inc. Parallel stacked inductor for high-Q and high current handling and method of making the same
JP2017199940A (ja) * 2017-08-08 2017-11-02 オムロンオートモーティブエレクトロニクス株式会社 磁気デバイス
EP3772784B1 (de) * 2019-08-08 2022-12-21 Nexans Zweireihiger stecker für ein flachband- oder folienkabel, verfahren zur herstellung desselben und vorrichtung zur stromübertragung
TWI697919B (zh) * 2019-12-09 2020-07-01 瑞昱半導體股份有限公司 非對稱式螺旋狀電感
DE112021004587B4 (de) 2020-09-30 2024-03-28 Rohm Co., Ltd. Halbleiterbauteil und Halbleitermodul
JP7367713B2 (ja) * 2021-02-24 2023-10-24 株式会社村田製作所 インダクタ部品

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5656849A (en) * 1995-09-22 1997-08-12 International Business Machines Corporation Two-level spiral inductor structure having a high inductance to area ratio
US20040140528A1 (en) * 2002-11-13 2004-07-22 Kim Cheon Soo Stacked variable inductor
US20050104158A1 (en) * 2003-11-19 2005-05-19 Scintera Networks, Inc. Compact, high q inductor for integrated circuit
JP2007123802A (ja) * 2005-07-28 2007-05-17 Kyocera Corp 電子部品
US20080006882A1 (en) * 2006-07-07 2008-01-10 Holtek Semiconductor, Inc. Spiral Inductor with High Quality Factor of Integrated Circuit

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100349419B1 (ko) * 1999-07-27 2002-08-19 학교법인 한국정보통신학원 이중 나선형 인덕터 구조
WO2002056322A1 (fr) * 2001-01-15 2002-07-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Filtre antiparasite et appareil electronique comprenant ledit filtre
US6924725B2 (en) * 2002-03-21 2005-08-02 Infineon Technologies Ag Coil on a semiconductor substrate and method for its production
US6759937B2 (en) * 2002-06-03 2004-07-06 Broadcom, Corp. On-chip differential multi-layer inductor
TWI287239B (en) * 2002-12-10 2007-09-21 Univ Nat Central Symmetric three-dimension type inductor
US20070001796A1 (en) * 2003-08-26 2007-01-04 Eberhardt Waffenschmidt Printed circuit board with integrated inductor
JP4736526B2 (ja) * 2005-05-11 2011-07-27 パナソニック株式会社 コモンモードノイズフィルタ
US7489220B2 (en) * 2005-06-20 2009-02-10 Infineon Technologies Ag Integrated circuits with inductors in multiple conductive layers
FR2894062B1 (fr) * 2005-11-30 2011-06-03 St Microelectronics Sa Balun a rapport d'impedances 1/4
TWI319232B (en) * 2006-10-02 2010-01-01 Via Tech Inc On-chip inductor
TWI348760B (en) * 2007-08-17 2011-09-11 Via Tech Inc Inductor structure
US7692511B2 (en) * 2008-03-21 2010-04-06 Sychip Inc. Compact balun transformers
US8237269B2 (en) * 2008-08-01 2012-08-07 Qualcomm Incorporated High Q transformer disposed at least partly in a non-semiconductor substrate
US20100052839A1 (en) * 2008-09-04 2010-03-04 Koen Mertens Transformers and Methods of Manufacture Thereof

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5656849A (en) * 1995-09-22 1997-08-12 International Business Machines Corporation Two-level spiral inductor structure having a high inductance to area ratio
US20040140528A1 (en) * 2002-11-13 2004-07-22 Kim Cheon Soo Stacked variable inductor
US20050104158A1 (en) * 2003-11-19 2005-05-19 Scintera Networks, Inc. Compact, high q inductor for integrated circuit
JP2007123802A (ja) * 2005-07-28 2007-05-17 Kyocera Corp 電子部品
US20080006882A1 (en) * 2006-07-07 2008-01-10 Holtek Semiconductor, Inc. Spiral Inductor with High Quality Factor of Integrated Circuit

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102446896A (zh) * 2011-11-08 2012-05-09 上海华力微电子有限公司 一种盘旋式金属间电容结构及其布局
CN110335857A (zh) * 2013-02-06 2019-10-15 台湾积体电路制造股份有限公司 堆叠管芯之间的螺旋形螺旋电感器
CN107275083A (zh) * 2016-04-06 2017-10-20 昆山睿翔讯通通信技术有限公司 用于多层无源射频电路器件的自补偿电容互感
CN107731793A (zh) * 2017-09-14 2018-02-23 建荣半导体（深圳）有限公司 一种半导体片上集成的8字形电感结构及半导体结构
CN107731793B (zh) * 2017-09-14 2019-12-17 建荣半导体（深圳）有限公司 一种半导体片上集成的8字形电感结构及半导体结构
CN109517965A (zh) * 2017-09-20 2019-03-26 应达集团澳大利亚有限公司 多层构造中冶金热处理金属管的水平绕组线圈
CN109517965B (zh) * 2017-09-20 2023-01-31 应达集团澳大利亚有限公司 多层构造中冶金热处理金属管的水平绕组线圈
CN109193835A (zh) * 2018-09-13 2019-01-11 浙江省东阳市东磁诚基电子有限公司 一种铜箔线宽变化的fpc线圈结构
CN109193835B (zh) * 2018-09-13 2021-05-18 浙江省东阳市东磁诚基电子有限公司 一种铜箔线宽变化的fpc线圈结构
CN112582155A (zh) * 2019-09-27 2021-03-30 苹果公司 低杂散电场电感器设计
US11925096B2 (en) 2021-01-27 2024-03-05 Boe Technology Group Co., Ltd. Display panel of display device and display device
CN113517111A (zh) * 2021-07-30 2021-10-19 天津环鑫科技发展有限公司 一种片上变压器及其制作工艺

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