JP2013157527A - Ｌｅｄパッケージ - Google Patents

Abstract

【課題】 ＬＥＤチップの反射光の混色を容易かつ安価に防止する。
【解決手段】 絶縁性基体１を射出成形して、表面と裏面とにＬＥＤ実装用凹部１１、平坦面１２及びスルーホール１３を形成する。スルーホール１３は、平坦面１２に連通し、それぞれ無電解めっき層１４ａ、１５ａ及び電解めっき層１４ｂ、１５ｂを積層する。絶縁性基体１の表面に無電解めっき層１６ａ、１７ａ及び電解めっき層１６ｂ、１７ｂによって、ボンディングワイヤ接合用導体パターン１６及び実装用導体パターン１７を形成する。実装用導体パターン１７は、スルーホール１３に形成した電解めっき層１５ｂに延伸する。ＬＥＤチップ２を平坦面１２に形成した電解めっき層１４ｂにダイボンド３で接合し、その上面をボンディングワイヤ４でボンディングワイヤ接合用導体パターン１６に連結する。
【選択図】図３

Description

本発明は、絶縁性基板の表面に設けた凹部にＬＥＤチップを固定したＬＥＤパッケージに関し、特に絶縁性基板の裏面に連通するスルーホールを介して、ＬＥＤチップに通電するＬＥＤパッケージに関する。

絶縁性基板の表面に凹部を設け、この凹部の底部にＬＥＤチップを固定したＬＥＤパッケージが提案されている（例えば特許文献１〜３参照。）。特許文献１に記載のＬＥＤパッケージでは、図５に示すように、射出成形プリント基板１０１の表面にＬＥＤ実装用凹部１１１が形成され、このＬＥＤ実装用凹部の底面に、ダイボンド用凹部１１２が形成されている。

射出成形プリント基板１０１の表面には、金属層からなるリボン状のダイボンド用導体パターン１１７が形成され、このダイボンド用導体パターンは、ＬＥＤ実装用凹部１１１の表面上を横切って、ダイボンド用凹部１１２の底面に延伸している。さらに射出成形プリント基板１０１の表面には、金属層からなるリボン状のボンディングワイヤ接合用導体パターン１１６が形成され、このボンディングワイヤ接合用導体パターンは、ＬＥＤ実装用凹部１１１の表面上を横切って、このＬＥＤ実装用凹部の底面に延伸している。

ＬＥＤチップ１０２は、ダイボンド用凹部１１２の底面に延伸したダイボンド用導体パターン１１７の上面に、ダイボンドによって接合されており、このダイボンド用導体パターンを介して通電される。一方ＬＥＤチップ１０２の上面と、ＬＥＤ実装用凹部１１１の底面に延伸したボンディングワイヤ接合用導体パターン１１６とは、ボンディングワイヤ１０４によって通電される。なお特許文献２及び３のいずれにおいても、ＬＥＤチップは、ＬＥＤ実装用凹部の底面に装着され、このＬＥＤ実装用凹部の表面を横切るリボン状の金属層を介して、このＬＥＤチップの下面と上面とにそれぞれ通電するように構成してある点で共通している。

特許文献１ 特開平７−１５０４６号公報
特許文献２ 特開２００８−１７２１６７号公報
特許文献３ 特開２００８−２０５２６６号公報

しかるに上述した特許文献１〜３に記載の構成には、次のような改善すべき課題がある。すなわち特許文献１を例にとると、射出成形プリント基板１０１の表面にＬＥＤ実装用凹部１１１を設け、このＬＥＤ実装用凹部の底部にＬＥＤチップ１０２を設置している。したがってＬＥＤ実装用凹部１１１の表面は、ＬＥＤチップ１０２で発光した光を集光して、上方に照射する反射面として使用することができる。ところがＬＥＤチップ１０２は、ＬＥＤ実装用凹部１１１の底部に位置するので、このＬＥＤチップの上面と下面とに通電するためには、射出成形プリント基板１０１の表面に設けたボンディングワイヤ接合用導体パターン１１６とダイボンド用導体パターン１１７とを、それぞれ、このＬＥＤ実装用凹部の反射面を横切って延伸させる必要がある。

しかるにＬＥＤ実装用凹部１１１の反射面を、リボン状に形成した金属層からなるボンディングワイヤ接合用導体パターン１１６とダイボンド用導体パターン１１７とが横切ると、ＬＥＤチップ１０２からの光は、これらの導体パターンの表面にも照射されて反射する。ところが、このリボン状に形成した金属層の表面における反射光は、その金属層に特有の波長、すなわち特有の色の反射光となり、ＬＥＤ実装用凹部１１１の表面における反射光とは、異なる色の反射光となる。したがってＬＥＤ実装用凹部１１１における反射光に、異なる色の反射光が混入することによって、反射光全体としては、このＬＥＤ実装用凹部自体からの反射光と異なる色の反射光となる。

例えばＬＥＤパッケージによって白色の照射光を得るべく、ＬＥＤ実装用凹部１１１の表面を白色にしたとしても、リボン状の金属層を例えば銅箔によって形成した場合には、反射光全体としては、白色に銅色を加えた混色となり、本来予定した白色の反射光とは、異なった反射光となる。したがって、本来予定した白色の反射光を得るためには、例えばリボン状の金属層の表面に、白色塗料を塗付する処置が必要になり、その分、手間とコストとが大幅に増加してしまう。

そこで本発明の目的は、ＬＥＤチップの反射光の混色を、容易かつ安価に防止できるＬＥＤパッケージを提供することにある。

上記課題を解決すべく、本発明によるＬＥＤパッケージの第１の特徴は、ＬＥＤチップを搭載するＬＥＤ実装用凹部の底面に、絶縁性基体の裏面に連通するスルーホールを設け、このスルーホールを経由して、このＬＥＤチップの底部に通電することにある。

すなわち本発明によるＬＥＤパッケージは、絶縁性基体とＬＥＤチップとを備えている。上記絶縁性基体の表面には、ＬＥＤ実装用凹部が形成され、このＬＥＤ実装用凹部の底部は、平坦面に形成してある。そして上記絶縁性基体の裏面と上記ＬＥＤ実装用凹部の平坦面とは、スルーホールで連通している。上記ＬＥＤ実装用凹部の平坦面とスルーホールの内側面とには、それぞれ無電解めっき層が形成されている。

上記絶縁性基体の表面には、無電解めっき層によってボンディングワイヤ接合用導体パターンと実装用導体パターンとが、相互に分離して形成されている。また上記実装用導体パターンは、上記絶縁性基体の側面を経由して裏面に延伸すると共に、この裏面に開口する上記スルーホールに形成された無電解めっき層に連結している。そして上記ＬＥＤチップは、上記ＬＥＤ実装用凹部の平坦面に形成された無電解めっき層の表面に、ダイボンドによって接合され、このＬＥＤチップは、ボンディングワイヤによって、上記ボンディングワイヤ接合用導体パターンに連結されている。

このようにＬＥＤパッケージを構成することによって、ＬＥＤチップの底部には、スルーホールを経由して通電するため、このＬＥＤチップの底部に通電する導体パターンが、ＬＥＤ実装用凹部を横切ることを回避できる。またＬＥＤチップの他方の電極には、絶縁性基体の表面に形成されたボンディングワイヤ接合用導体パターンから、細いボンディングワイヤによって通電する。したがってＬＥＤ実装用凹部は、このボンディングワイヤだけが横切ることになる。以上によりＬＥＤ実装用凹部の反射光以外の反射光は、細いボンディングワイヤにおける反射光だけになるため、反射光が混色する影響を、実用上問題が生じない程度に抑えることができる。

ところでＬＥＤ実装用凹部の平坦面、スルーホールの内側面、ボンディングワイヤ接合用導体パターン、及び実装用導体パターンに形成した無電解めっき層については、耐久性や通電性等を確保するためには、ある程度のめっき厚さが必要となる。ところが無電解めっきのみによって、めっき厚さを増加させる場合には、めっき時間が長くなって、その分、製品コストが嵩む。

よって本発明によるＬＥＤパッケージの第２の特徴は、上記無電解めっき層の表面に電解めっき層を積層することにある。したがって上記ＬＥＤチップは、上記ＬＥＤ実装用凹部の平坦面に形成された電解めっき層の表面に、ダイボンドによって接合される。

また上述したスルーホールの内側面に無電解めっき層や電解めっき層を形成するときに、このスルーホールの形状を、無電解めっき液や電解めっき液が容易に浸入できる形状にすれば、このスルーホールの内側面に、より迅速かつ確実に、無電解めっき層と電解めっき層とを形成することができる。またスルーホールの内側面における無電解めっき層の密着性を向上させるために、レーザー光を照射して表面改質及び粗化する場合には、スルーホールの内側面にレーザー光を照射し易い形状に形成することが望ましい。

さらに上述したように、ＬＥＤチップは、ＬＥＤ実装用凹部の平坦面に形成された電解めっき層の表面に、ダイボンドによって接合される。ここでめっき層を形成した後のスルーホールの上端部が、ＬＥＤ実装用凹部の平坦面に開口する場合には、ＬＥＤチップを接合するときに、ダイボンドが、このスルーホールを経由して流出し、ＬＥＤチップの接合が不完全になったり、流出した導電性のダイボンドが他の部位に接触したりする不具合が生じる恐れがある。

以上により本発明によるＬＥＤパッケージの第３の特徴は、上記スルーホールが、上記絶縁性基体の裏面に向かって断面積が増加するように形成され、さらにこのスルーホールの上端部が、上記無電解めっき層または電解めっき層によって閉塞されていることにある。

熱可塑性樹脂を射出成形して絶縁性基体を成形すれば、この絶縁性基体の表面に、滑らかな反射面であるＬＥＤ実装用凹部や先細状のスルーホールを、射出成形と同時に形成することができる。よって本発明によるＬＥＤパッケージの第４の特徴は、前記絶縁性基体は、熱可塑性樹脂を射出成形したものであることにある。

さらに液晶ディスプレーのバックライトとして使用するときには、白色光を放射するＬＥＤチップが多用される。この場合は、実装用凹部における反射光も白色であることが必要となる。よって本発明によるＬＥＤパッケージの第５の特徴は、前記熱可塑性樹脂には、白色顔料が混合されていることにある。

ここで上記「絶縁性基体」の材質としては、合成樹脂が望ましいが、セラミックやガラス等の他の絶縁材も使用できる。また「絶縁性基体」は、射出成形に限らず、圧縮成形や研削等の機械加工で成形してもよい。「ＬＥＤチップ」とは、いわゆる発光ダイオードを意味し、ＰＮ接合した半導体であって、順方向に電流を流すと発光する素子を意味する。「ＬＥＤ実装用凹部」とは、「絶縁性基体」の表面に開口する窪みであって、搭載した「ＬＥＤチップ」の光を反射及び集光させて、凹部の開口面から外部に放出させる領域を意味する。

「平坦面」とは、「ＬＥＤ実装用凹部」の開口面、すなわち「ＬＥＤ実装用凹部」を形成した「絶縁性基体」の表面に平行な面を意味する。「スルーホール」とは、貫通孔を意味し、その断面形状は問わない。断面形状が、例えば円及び三角や四角の多角形の場合が該当する。「無電解めっき層」とは、いわゆる化学めっきによって積層した金属層であって、例えば無電解銅めっき層、無電解ニッケルめっき層、及び無電解金めっき層が該当する。「ダイボンド」とは、例えば銀ペーストのように、導電性粒子を混合した導電性の接着剤を意味する。

「ボンディングワイヤ」とは、金属の導線であって、例えば金の細線が該当する。なお白色の光源を得る等のため、複数の発光ダイオードを組み合わせて「ＬＥＤチップ」を構成する場合には、「ボンディングワイヤ」は、２本以上の複数本となる。すなわち共通のアース回路として、スルーホールを介して通電し、他の複数の電極には、それぞれ「ボンディングワイヤ」を介して通電する。

「電解めっき層」とは、いわゆる電気めっきによって積層した金属層であって、例えば電解銅めっき層、無電解ニッケルめっき層、及び電解金めっき層が該当する。「断面が増加」するとは、スルーホールの軸線を含む断面形状が、末広がりになっていることを意味し、例えば円錐形や四角錐形が該当する。

「熱可塑性樹脂」としては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ＡＢＳ、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリスルホン、ポリエーテルポリスルホン、ポリアリールスルホン、ポリエーテルイミド、ポリアミド、変性ポリフェニレンオキサイド樹脂、芳香族系液晶ポリマー、及びノルボルネン樹脂が該当する。「白色顔料」としては、例えば二酸化チタン、硫酸バリウム、硫化亜鉛、硫酸バリウムと硫化亜鉛との混合体、及び水酸化バリウムが該当する。

上述したように、ＬＥＤ実装用凹部の反射光以外の反射光は、細いボンディングワイヤにおける反射光のみになるため、反射光が混色する影響を、実用上問題が生じない程度に抑えることができる。また無電解めっき層の表面に電解めっき層を積層することによって、所定のめっき厚さを形成するまでのめっき時間を短縮することができる。

スルーホールを絶縁性基体の裏面に向かって断面積が増加するように形成することによって、スルーホールの内側面に、より迅速かつ確実に、無電解めっき層と電解めっき層とを形成することができると共に、スルーホールの内側面にレーザー光を照射して表面改質および粗化し易くすることができる。さらにスルーホールの上端部を無電解めっき層または電解めっき層で閉塞することによって、ＬＥＤチップを接合する際に、導電性のダイボンドが、外部に流出することを防止できる。

さらに熱可塑性樹脂を射出成形して絶縁性基体を成形することによって、この絶縁性基体の表面に、滑らかな反射面であるＬＥＤ実装用凹部や先細状のスルーホールを、射出成形と同時に形成することができる。また熱可塑性樹脂に、白色顔料を混合することによって、液晶ディスプレーの好適なバックライトとして使用することができる。

ＬＥＤパッケージの表面側を示す斜視図である。 ＬＥＤパッケージの裏面側を示す斜視図である。 ＬＥＤパッケージの縦断面図である。 スルーホールの拡大縦断面図である 従来例によるＬＥＤパッケージの表面側を示す斜視図である。

図１〜図４を参照しつつ、本発明によるＬＥＤパッケージの１具体例を説明する。図１及び図２に示すように、本発明によるＬＥＤパッケージは、ブロック状の絶縁性基体１と、白色光を発光するＬＥＤチップ２とを備えている。絶縁性基体１の表面には、ＬＥＤ実装用凹部１１が形成されており、このＬＥＤ実装用凹部の底部は、平坦面１２が形成してある。また絶縁性基体１の裏面には、四角錐
形状のスルーホール１３が開口しており、図３に示すように、このスルーホールの上端部分が、平坦面１２に開口している。なおＬＥＤ実装用凹部１１、平坦面１２、及びスルーホール１３は、金型やピン等によって、絶縁性基体１の射出成形と同時に形成される。

ＬＥＤ実装用凹部１１の平坦面１２とスルーホール１３の内側面とには、それぞれ無電解めっき層１４ａ、１５ａが形成されており、これらの表面には、それぞれ電解めっき層１４ｂ、１５ｂが積層されている。また絶縁性基体１の表面には、無電解めっき層１６ａ、１７ａによって、それぞれボンディングワイヤ接合用導体パターン１６と実装用導体パターン１７とが、相互に分離して形成されている。さらに無電解めっき層１６ａ、１７ａの表面には、それぞれ電解めっき層１６ｂ、１７ｂが積層されている。なお電解めっき層１４ｂ、１５ｂ、１６ｂ及び１７ｂは、それぞれ電解銅めっき層、電解光沢ニッケルめっき層、及び電解金めっき層を、この順序で積層して構成する。また電解金めっき層の金は高価であるため、まず電解パラジウムめっきを積層し、その表面に電解金メッキ層を薄く積層してもよい。

実装用導体パターン１７は、絶縁性基体１の側面を経由して裏面に延伸すると共に、この裏面に開口するスルーホール１３に形成された無電解めっき層１５ａと電解めっき層１５ｂとに連結している。

さて図３に示すように、ＬＥＤチップ２の底面は、ＬＥＤ実装用凹部１１の平坦面１２に形成された電解めっき層１４ｂの表面に、銀ペーストからなるダイボンド３によって接合され、このＬＥＤチップの上面は、金線からなるボンディングワイヤ４によって、ボンディングワイヤ接合用導体パターン１７に連結される。すなわちＬＥＤチップ２の上部は、Ｐ型半導体で構成され、ボンディングワイヤ４を介して、ボンディングワイヤ接合用導体パターン１６からプラス電圧が印加される。一方ＬＥＤチップ２の下部は、Ｎ型半導体で構成され、スルーホール１３及び平坦部１２に形成した無電解めっき層１４ａ、１５ａと電解めっき層１４ｂ、１５ｂとを介して、実装用導体パターン１７からマイナス電圧が印加される。

なお図４に示すように、絶縁性基体１の裏面に開口する四角錐形状のスルーホール１３は、開口面における断面積が大きくなっている。このため無電解めっき液及び電解めっき液は、四角錐形状のスルーホール１３内に、容易に進入可能となって、このスルーホール内側面に、迅速に無電解めっき層１５ａ及び電解めっき層１５ｂを形成することができる。さらに四角錐形状のスルーホール１３の上端部は、断面積が小さくなっているため、この上端部を無電解めっき層１５ａまたは電解めっき層１５ｂによって閉塞することが容易となる。

さて次に、上述したＬＥＤパッケージの製造方法について概説する。まず芳香族系ポリアミド（６Ｔナイロン）（例えば大塚化学株式会社の製品「＃ＮＭ１１４ＨＷ」）を射出成形して、ブロック状の基体１を形成する。なおＬＥＤ実装用凹部１１、平坦面１２、及びスルーホール１３は、射出成形と同時に形成される。

次に絶縁性基体１において、無電解めっき層を形成する部分に、レーザー光を照射して、表面改質すると共に粗化する。後工程において形成する無電解めっき層の絶縁性基体に対する密着性を向上させるためである。具体的には、ＬＥＤ実装用凹部１１の底部の平坦面１２、この絶縁性基体の裏面に開口する四角錐形状のスルーホール１３の内側面、この絶縁性基体の表面に形成するボンディングワイヤ接合用導体パターン１６、及びこの絶縁性基体の表面から側面を経由して、裏面のスルーホールに延伸する実装用導体パターン１７の部分を表面改質すると共に粗化する。

なおこのレーザー光の照射によって、照射面に官能基が生成されると共に、表面の阻度が１０点平均で８０μｍ程度に粗化される。但し絶縁性基体１においてレーザー光が照射されない面は、表面改質や粗化されないため、疎水性が維持され、次工程において触媒が密着しないため、無電解めっき層も成形されない。特にＬＥＤチップ１からの光を反射させるＬＥＤ実装用凹部１１の表面は、レーザー光が照射されずに粗化されないため、高い反射率を得ることができる。

次に粗化面に触媒が吸着しやすいように、絶縁性基体１をアルカリ洗浄し、さらに表面を活性化する。ここでアルカリ洗浄は、例えば温度が５０℃で濃度が５０ｇ／リットルの水酸化ナトリウムの水溶液に、絶縁性基体１を５分間浸漬して行なう。次いで活性化は、例えば界面活性剤（例えば荏原ユージライト株式会社の製品「ＰＢ−１１９Ｓ」）を５０ｃｃ／リットルに希釈して、温度を２５℃に設定した水溶液に、絶縁性基体１を５分間浸漬して行なう。

次にパラジウムイオン触媒（例えば荏原ユージライト株式会社の製品「＃ＡＣＴ−Ｓ」）を、濃度０．０６％の塩酸の水溶液（ｐＨ２．０）によって５０ｐｐｍのイオン濃度に希釈して、温度を２５℃に設定したイオン触媒液に、活性化した絶縁性基体１を２分間浸漬して、レーザー光を照射した面にパラジウムイオン触媒を吸着させる。なおパラジウムイオン触媒（例えばアトテック ジャパン株式会社の製品「＃ネオガント８３４」）を、例えば苛性ソーダの水溶液（ｐＨ １０．５）によって５０ｐｐｍのイオン濃度に希釈し、温度を４０℃に設定して、上記活性化した基体１を５分間浸漬してもよい。レーザー光を照射した面は、表面改質されて官能基が生成されているため、パラジウムイオン触媒が、改質層内に入り込んで官能基と反応して、この改質層内に強固に定着する。ただしレーザー光によって粗化されていない面には、パラジウムイオン触媒は吸着されない。

次いで温度が２５℃、濃度が１．５ｇ／リットルの水素化ホウ素ナトリウムの水溶液に、絶縁性基体１を浸漬して、吸着させたパラジウムイオン触媒を、パラジウム金属に還元する。パラジウムイオン触媒は、レーザー光を照射して表面改質された改質層内に強固に定着しているため、還元されたパラジウム金属も、改質層内に強固に吸着する。なおパラジウム金属が吸着した絶縁性基体１を、上述した界面活性剤の水溶液に浸漬する工程を入れてもよい。吸着したパラジウム金属の表面を、酸化層等を除去して活性化し、次の無電解めっき層の析出を促進するためである。

次に絶縁性基体１を無電解銅めっき液に浸漬して、改質層内で強固に定着したパラジウム金属を核として銅金属を析出させ、無電解銅めっき層１４ａ〜１７ａを成形する。例えば液温を５０℃に設定した無電解銅めっき液（例えば荏原ユージライト株式会社の製品「ＡＩＳＬ−５２０」）に、絶縁性基体１を１５分間程度浸漬する。これにより、厚さ０．５〜０．８μの無電解銅めっき層１４ａ〜１７ａが成形される。なお非めっき部分に、析出反応初期段階の無電解銅めっきの残滓が残存する場合には、温度４０℃に設定した、濃度１０ｇ／リットルの過硫酸の水溶液に、絶縁性基体１を２０秒前後浸漬すれば、この残存する無電解銅めっきの残滓を、確実に除去することができる。

次に無電解銅めっき層１４ａ〜１７ａの表面に、電解めっき層１４ｂ〜１７ｂを積層する。電解めっき層１４ｂ〜１７ｂは、それぞれ電解銅めっき層を８〜１２μｍ積層し、その電解銅めっき層の表面に、電解光沢ニッケルめっき層を３〜４μｍ積層して形成する。さらに電解光沢ニッケルめっき層の表面に、耐食性を向上させる等のために、電解金めっきを積層する。ここでめっき金属である金は高価であるため、まず電解パラジウムメッキを０.１μｍ程度積層し、その表面に電解金メッキ層を０．０３〜０．０５μｍ積層する。なおこれらの電解めっきは、一般的な電解めっき手段を使用できる。

次にＬＥＤ実装用凹部１１の平坦面１２に形成された電解めっき層１４ｂの表面に、銀ペーストからなるダイボンド３によって、ＬＥＤチップ２を接合する。またＬＥＤチップ２の上面を、金線からなるボンディングワイヤ４によって、ボンディングワイヤ接合用導体パターン１に電気的に連結する。最後にＬＥＤ実装用凹部１１に、エポキシ樹脂等の透明の封止剤を充填し、ＬＥＤチップ２、ボンディングワイヤ４及びＬＥＤ実装用凹部１１を密封する。

ＬＥＤチップの反射光の混色を容易かつ安価に防止することができるため、ＬＥＤパッケージや電子機器等に関する産業に広く利用可能である。

１ 絶縁性基体
１１ ＬＥＤ実装用凹部
１２ 平坦面
１３ スルーホール
１４ａ 無電解銅めっき層（無電解めっき層）
１４ｂ 電解めっき層
１５ａ 無電解銅めっき層（無電解めっき層）
１５ｂ 電解めっき層
１６ ボンディングワイヤ接合用導体パターン
１６ａ 無電解銅めっき層（無電解めっき層）
１６ｂ 電解めっき層
１７ 実装用導体パターン
１７ａ 無電解銅めっき層（無電解めっき層）
１７ｂ 電解めっき層
２ ＬＥＤチップ
３ ダイボンド３
４ ボンディングワイヤ

Claims (5)

1. 絶縁性基体とＬＥＤチップとを備え、
   上記絶縁性基体の表面には、ＬＥＤ実装用凹部が形成されており、
   上記ＬＥＤ実装用凹部の底部は、平坦面に形成してあり、
   上記絶縁性基体の裏面と上記ＬＥＤ実装用凹部の平坦面とは、スルーホールで連通しており、
   上記ＬＥＤ実装用凹部の平坦面とスルーホールの内側面とには、それぞれ無電解めっき層が形成されており、
   上記絶縁性基体の表面には、無電解めっき層によるボンディングワイヤ接合用導体パターンと実装用導体パターンとが、相互に分離して形成されており、
   上記実装用導体パターンは、上記絶縁性基体の側面を経由して裏面に延伸すると共に、この裏面に開口する上記スルーホールに形成された無電解めっき層に連結しており、
   上記ＬＥＤチップは、上記ＬＥＤ実装用凹部の平坦面に形成された無電解めっき層の表面にダイボンドによって接合され、
   上記ＬＥＤチップは、ボンディングワイヤによってボンディングワイヤ接合用導体パターンに連結されている
   ことを特徴とするＬＥＤパッケージ。
2. 前記無電解めっき層の表面には、いずれも電解めっき層が積層されており、
   前記ＬＥＤチップは、前記ＬＥＤ実装用凹部の平坦面に形成された電解めっき層の表面にダイボンドによって接合される
   ことを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤパッケージ。
3. 前記スルーホールは、前記絶縁性基体の裏面に向かって断面積が増加するように形成されており、
   上記スルーホールの上端部は、前記無電解めっき層または電解めっき層によって閉塞されている
   ことを特徴とする請求項２に記載のＬＥＤパッケージ。
4. 前記絶縁性基体は、熱可塑性樹脂を射出成形したものであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のＬＥＤパッケージ。
5. 前記熱可塑性樹脂には、白色顔料が混合されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のＬＥＤパッケージ。

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