JP4981342B2 - サブマウントおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
ガラス基板に貫通穴が形成された第二の基板と、
前記第一の基板の光素子搭載部が、前記第二の基板の貫通穴の内部に位置するように位置合わせされ、前記第一の基板と前記第二の基板とが接合されているサブマウントにおいて、
前記第一の基板は、絶縁物を主体とする基板からなり、
前記第一の基板と前記第二の基板との間に形成され、前記第一の基板と前記第二の基板とを接合する接合メタライズと、
前記第一の基板上に形成され、前記光素子搭載部と前記貫通穴の外側の領域とを電気的に接続する配線部とを有し、
前記配線部は、その厚さが前記接合メタライズよりも薄く、前記接合メタライズが形成されていない領域を通って、前記貫通穴の内部から外側まで形成されているサブマウントあるいは、
(2).前記(1)に記載のサブマウントにおいて、前記第二の基板が、ガラス板とシリコン板とを貼り合わせた積層基板からなり、前記積層基板に設けられた貫通穴の内部に前記第一の基板に設けられた光素子搭載部が位置するように位置合わせされ、前記第一の基板と前記第二の基板のガラス板とが接合されていることを特徴とする光素子搭載用サブマウントが提供される。
(3).さらに、前記第一の基板の接合メタライズと第二の基板のガラスが陽極接合により接合されることにより、ウェハ状の第一の基板と第二の基板とを一括して接合することが可能となり、これらのサブマウントの生産の合理化に寄与し、安価なサブマウントの提供に貢献することができる。
<実施例1>
本発明の第一の実施例について図1から図6を用いて説明する。
図1は、基板を加工、接合、切断した後の完成品のイメージを示すため、本発明に係るサブマウントの最小構成単位の部分の分解図を示したもので、図1(a)は接合前の第二の基板4の斜視図を、図1(b)は同じく接合前の第一の基板1の斜視図をそれぞれ示している。なお、符号5は貫通穴、符号6は貫通穴の壁面に設けられた反射膜である。
光素子搭載部2Aの全てが、第二の基板4の貫通穴5内に収まるように位置合わせが行われている。また接合は、第一の基板1上の接合メタライズ3が、直接、第二の基板4に密着、接合されている。本実施例では、この接合は陽極接合により行われるが、接着剤等により行われても構わない。また電極メタライズ2は、接合メタライズ3よりも高さが低い(厚さが薄い)ので接合を阻害しない。なお陽極接合については、本実施例の中で後に説明する。
第一の基板1上に、Ti/Pt/Auなどの金属薄膜を、スパッタ法、蒸着法などを用いて成膜する。次にフォトリソグラフィー技術を用いて、残すべき電極メタライズ2の形状をフォトレジストのマスクパターンで形成する。次に、ミリングなどの方法を用いて、余分なTi/Pt/Auを除去する。その後、マスクパターンを洗浄などで除去する。
<実施例2>
本発明の第二の実施例についてサブマウント100の分解図である図7を用いて説明する。本実施例でも、サブマウントの最小構成単位を抜き出して図示している。すなわち、図7(a)は接合前の第二の基板4、図7(b)は接合前の第一の基板1を示しており、実際の製造プロセスにおいては、実施例1と同様に、ウェハ、あるいは板状の第一および第二の基板1および4を一括して加工、接合、切断することで、図示しているサブマウントを製造することができる。以降の実施例においても同様である。
<実施例3>
本発明の第三の実施例を図11および図12を用いて説明する。第一の基板1の作製は、実施例2と同じであり、図11は図9に対応し、図12は図11のZ−Z´の断面図で図10に対応する。
<実施例4>
本発明の第四の実施例について、図13から図15を用いて説明する。使用する基板、メタライズの材質、加工プロセス等は、これまでの実施例と同様である。
<実施例5>
本発明の第五の実施例について、図16および図17を用いて説明する。本実施例のサブマウント100も実施例4と同様に外気の侵入を抑制する構造で、かつの実施例3のようにシリコンとパイレックスガラスを貼り合せた基板を第二の基板4として使用している。
2‥電極メタライズ、
2A‥光素子搭載部、
2a‥電極メタライズ2で構成された第一の配線部、
2b‥電極メタライズ2で構成された第二の配線部、
2B‥下面電極メタライズ、
3‥接合メタライズ、
4‥第二の基板、
5‥貫通穴、
6‥反射膜、
7‥光素子、
8‥接合剤、
9‥ワイヤボンディング、
10‥スルーホール、
10a‥第一の配線部に接続されたスルーホール、
10b‥第二の配線部に接続されたスルーホール、
11‥シリコン、
12‥ガラス、
13‥ガラス板、
14a‥接合基板の切断位置、
14b‥接合基板の切断位置。
Claims (17)
- 光素子を搭載する光素子搭載部が一主表面に形成された第一の基板と、
ガラス基板に貫通穴が形成された第二の基板と、
前記第一の基板の光素子搭載部が、前記第二の基板の貫通穴の内部に位置するように位置合わせされ、前記第一の基板と前記第二の基板とが接合されているサブマウントにおいて、
前記第一の基板は、絶縁物を主体とする基板からなり、
前記第一の基板と前記第二の基板との間に形成され、前記第一の基板と前記第二の基板とを接合する接合メタライズと、
前記第一の基板上に形成され、前記光素子搭載部と前記貫通穴の外側の領域とを電気的に接続する配線部とを有し、
前記配線部は、その厚さが前記接合メタライズよりも薄く、前記接合メタライズが形成されていない領域を通って、前記貫通穴の内部から外側まで形成されていることを特徴とするサブマウント。 - 前記接合メタライズは、前記貫通穴の周囲に、前記配線部と電気的に分離されて設けられていることを特徴とする請求項1記載のサブマウント。
- 前記第一の基板の主表面において、前記接合メタライズは前記配線部のいずれとも重なることなく設けられていることを特徴とする請求項1記載のサブマウント。
- 前記第二の基板が、ガラス板とシリコン板とを貼り合わせた積層基板からなり、前記積層基板に設けられた貫通穴の内部に前記第一の基板に設けられた光素子搭載部が位置するように位置合わせされ、前記第一の基板と前記第二の基板のガラス板とが接合されていることを特徴とする請求項1記載のサブマウント。
- 請求項1乃至4のいずれか一つに記載のサブマウントにおいて、
前記配線部が形成されている第一の基板の反対側の面に、下面電極メタライズが形成され、前記配線部と前記下面電極メタライズとがスルーホールを介して電気的に接続されていることを特徴とするサブマウント。 - 請求項1乃至4のいずれか一つに記載のサブマウントにおいて、
前記配線部が形成されている第一の基板の反対側の面に下面電極メタライズが形成され、前記第一の基板側面へのメタライズ処理により前記配線部と前記下面電極メタライズとが電気的に接続されていることを特徴とするサブマウント。 - 請求項1乃至4のいずれか一つに記載のサブマウントにおいて、
前記第一の基板に形成された接合メタライズの最表面がアルミニウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、タングステン、モリブデン、クロム、バナジウム、マグネシウムおよび鉄の群から選ばれる少なくとも一種の金属であることを特徴とするサブマウント。 - 請求項1乃至4のいずれか一つに記載のサブマウントにおいて、
前記第一の基板を炭化珪素、窒化珪素、窒化アルミニウムおよび酸化アルミニウムの少なくとも一種を主成分とするセラミックスス材料で構成したことを特徴とするサブマウント。 - 請求項1乃至4のいずれか一つに記載のサブマウントにおいて、
前記第二の基板上面に前記光素子搭載部に搭載される前記発光素子の光を透過させる部材を接合することにより、第二の基板の貫通穴内部に外気が侵入することを抑制していることを特徴とするサブマウント。 - 請求項1乃至4のいずれか一つに記載のサブマウントにおいて、前記第二の基板の貫通穴の内部表面に、樹脂膜もしくはめっきを形成することにより平坦化あるいは滑らかな曲面が形成されていることを特徴とするサブマウント。
- 請求項10に記載のサブマウントにおいて、平坦化あるいは滑らかな曲面のための前記樹脂膜もしくはめっきの上に光の反射膜としての金属膜が形成されていることを特徴とするサブマウント。
- 請求項1乃至11のいずれか一つに記載のサブマウントの光素子搭載部に光素子を搭載したことを特徴とする光モジュール。
- 絶縁物を主体とする第一の基板の一主表面に、光素子搭載部と、前記光素子搭載部に電気的に接続される配線部と、前記配線部よりも厚い接合メタライズとを形成する工程と、
第二の基板となるガラス板に貫通穴を形成する工程と、
前記第一の基板の光素子搭載部を、前記第二の基板の貫通穴の内部に位置し、かつ前記配線部の少なくとも一部が前記貫通穴以外で前記第二の基板に重ならない部分があるように位置合わせした状態で、前記接合メタライズを介して前記第一の基板と前記第二の基板とを陽極接合する工程とを含むことを特徴とするサブマウントの製造方法。 - 請求項13に記載のサブマウントの製造方法において、
前記第二の基板に貫通穴を形成する工程においては、レジストマスクによる開口部を形成した後、サンドブラスト法により、第二の基板に貫通穴を形成することを特徴とするサブマウントの製造方法。 - 請求項13に記載のサブマウントの製造方法において、
前記第二の基板に貫通穴を形成する工程においては、サンドブラスト法により貫通穴を形成した後、レジストマスクを除去することなく、前記レジストマスクの上に反射膜を形成し、リフトオフ法により貫通穴内に選択的に反射膜を形成することを特徴とするサブマウントの製造方法。 - 請求項13に記載のサブマウントの製造方法において、
前記第二の基板に貫通穴を形成する工程においては、基板がガラスとシリコンとを貼り合わせた積層ガラス基板から成る場合には、レジストマスクによる開口部を形成した後、異方性ウェットエッチングによりシリコンに穴を形成し、次にガラス表面にレジストマスクを形成し、エッチングによりガラスに穴をあけ、第二の基板に貫通穴を形成することを特徴とするサブマウントの製造方法。 - 請求項13に記載のサブマウントの製造方法において、
前記第二の基板に貫通穴を形成する工程においては、基板がガラスとシリコンとを貼り合わせた積層ガラス基板から成る場合には、レジストマスクによる開口部を形成した後、異方性ウェットエッチングによりシリコンに穴を形成し、次にガラス表面にレジストマスクによる開口部を形成し、サンドブラスト法によりガラスに穴をあけ、第二の基板に貫通穴を形成することを特徴とするサブマウントの製造方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006102978A JP4981342B2 (ja) | 2006-04-04 | 2006-04-04 | サブマウントおよびその製造方法 |
CN200780011473XA CN101410997B (zh) | 2006-04-04 | 2007-04-04 | 次载具及其制造方法 |
KR1020087024251A KR101009528B1 (ko) | 2006-04-04 | 2007-04-04 | 서브 마운트 및 그 제조 방법 |
DE112007000843T DE112007000843T5 (de) | 2006-04-04 | 2007-04-04 | Befestigungsträger und Herstellungsverfahren |
PCT/JP2007/057545 WO2007119671A1 (ja) | 2006-04-04 | 2007-04-04 | サブマウントおよびその製造方法 |
US12/295,740 US8269301B2 (en) | 2006-04-04 | 2007-04-04 | Submount for optical device and its manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006102978A JP4981342B2 (ja) | 2006-04-04 | 2006-04-04 | サブマウントおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007281061A JP2007281061A (ja) | 2007-10-25 |
JP4981342B2 true JP4981342B2 (ja) | 2012-07-18 |
Family
ID=38609430
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006102978A Expired - Fee Related JP4981342B2 (ja) | 2006-04-04 | 2006-04-04 | サブマウントおよびその製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8269301B2 (ja) |
JP (1) | JP4981342B2 (ja) |
KR (1) | KR101009528B1 (ja) |
CN (1) | CN101410997B (ja) |
DE (1) | DE112007000843T5 (ja) |
WO (1) | WO2007119671A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102237483A (zh) * | 2010-04-16 | 2011-11-09 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置 |
Families Citing this family (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102008021402B4 (de) | 2008-04-29 | 2023-08-10 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Oberflächenmontierbares Leuchtdioden-Modul und Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren Leuchtdioden-Moduls |
US8684563B2 (en) * | 2008-12-30 | 2014-04-01 | Kitagawa Holdings, Llc | Heat dissipating structure of LED lamp cup made of porous material |
JP2011014890A (ja) * | 2009-06-02 | 2011-01-20 | Mitsubishi Chemicals Corp | 金属基板及び光源装置 |
JP5336594B2 (ja) * | 2009-06-15 | 2013-11-06 | パナソニック株式会社 | 半導体発光装置、発光モジュール、および照明装置 |
KR100939304B1 (ko) * | 2009-06-18 | 2010-01-28 | 유트로닉스주식회사 | Led어레이모듈 및 그 제조방법 |
KR100958329B1 (ko) * | 2009-08-14 | 2010-05-17 | (주)참빛 | 마스크를 적용하여 측면 반사면을 금속 코팅한 발광 다이오드 패키지 기판 및 그 제조 방법 |
JP5446915B2 (ja) * | 2010-01-21 | 2014-03-19 | セイコーエプソン株式会社 | 生体情報検出器及び生体情報測定装置 |
JP2011222858A (ja) * | 2010-04-13 | 2011-11-04 | Cirocomm Technology Corp | 発光ダイオード(led)電球のライト芯材の製造方法およびその構造 |
DE102010044987A1 (de) * | 2010-09-10 | 2012-03-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
EP2447595B1 (en) * | 2010-10-27 | 2017-08-02 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting module |
US8415684B2 (en) * | 2010-11-12 | 2013-04-09 | Tsmc Solid State Lighting Ltd. | LED device with improved thermal performance |
CN102163663A (zh) * | 2011-03-11 | 2011-08-24 | 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 | 小功率top led支架制作工艺及其产品和led模组 |
US8518748B1 (en) | 2011-06-29 | 2013-08-27 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing a laser submount for an energy assisted magnetic recording head |
US9845943B2 (en) | 2011-07-22 | 2017-12-19 | Guardian Glass, LLC | Heat management subsystems for LED lighting systems, LED lighting systems including heat management subsystems, and/or methods of making the same |
US8742655B2 (en) | 2011-07-22 | 2014-06-03 | Guardian Industries Corp. | LED lighting systems with phosphor subassemblies, and/or methods of making the same |
US8992045B2 (en) | 2011-07-22 | 2015-03-31 | Guardian Industries Corp. | LED lighting systems and/or methods of making the same |
US8540394B2 (en) * | 2011-07-22 | 2013-09-24 | Guardian Industries Corp. | Collimating lenses for LED lighting systems, LED lighting systems including collimating lenses, and/or methods of making the same |
KR20130022052A (ko) * | 2011-08-24 | 2013-03-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 및 조명 장치 |
US8288204B1 (en) | 2011-08-30 | 2012-10-16 | Western Digital (Fremont), Llc | Methods for fabricating components with precise dimension control |
JP2013139095A (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-18 | Seiko Instruments Inc | サーマルヘッド、プリンタおよびサーマルヘッドの製造方法 |
WO2014012572A1 (en) * | 2012-07-16 | 2014-01-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor device and method for producing an optoelectronic semiconductor device |
US9475151B1 (en) | 2012-10-30 | 2016-10-25 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and apparatus for attaching a laser diode and a slider in an energy assisted magnetic recording head |
US9481572B2 (en) | 2014-07-17 | 2016-11-01 | Texas Instruments Incorporated | Optical electronic device and method of fabrication |
US10643981B2 (en) * | 2014-10-31 | 2020-05-05 | eLux, Inc. | Emissive display substrate for surface mount micro-LED fluidic assembly |
JP6801950B2 (ja) * | 2015-04-15 | 2020-12-16 | ショット日本株式会社 | 貫通電極基板および半導体パッケージ |
EP3117992A1 (en) * | 2015-07-16 | 2017-01-18 | AGC Glass Europe | Glass panel with integrated electronic device |
CN105206734A (zh) * | 2015-09-09 | 2015-12-30 | 梁高华 | 一种led支架及其制造方法 |
CN105552249B (zh) * | 2016-03-16 | 2017-11-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示基板及其制作方法、显示装置 |
US10615314B2 (en) | 2016-03-31 | 2020-04-07 | Nichia Corporation | Light-emitting device |
JP6920609B2 (ja) * | 2017-03-29 | 2021-08-18 | 日亜化学工業株式会社 | 光源装置 |
JP7408266B2 (ja) * | 2017-06-14 | 2024-01-05 | 日亜化学工業株式会社 | 光源装置 |
JP7007560B2 (ja) * | 2017-09-28 | 2022-01-24 | 日亜化学工業株式会社 | 光源装置 |
CN107958915B (zh) * | 2017-12-22 | 2024-01-19 | 南京先锋材料科技有限公司 | 一种cmos传感器封装结构及其封装方法 |
CN110299441A (zh) * | 2018-03-22 | 2019-10-01 | 中国科学院半导体研究所 | 可提高led出光效率的硅基反射圈、制备方法及led器件 |
US10655821B2 (en) * | 2018-05-18 | 2020-05-19 | Lumileds Llc | LED device holder, LED lighting system, and method of manufacture |
EP4033621B1 (en) | 2019-09-20 | 2023-11-01 | Nichia Corporation | Light source device and method of manufacturing the same |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06343017A (ja) * | 1993-04-09 | 1994-12-13 | Citizen Watch Co Ltd | 圧電振動子およびその製造方法 |
JP2003100921A (ja) * | 2001-09-25 | 2003-04-04 | Kyocera Corp | 光半導体素子収納用容器 |
JP2004289106A (ja) * | 2003-01-27 | 2004-10-14 | Kyocera Corp | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 |
EP1605524B1 (en) * | 2003-03-18 | 2010-06-30 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Light emitting element mounting member, and semiconductor device using the same |
JP4258367B2 (ja) | 2003-12-18 | 2009-04-30 | 株式会社日立製作所 | 光部品搭載用パッケージ及びその製造方法 |
KR100906475B1 (ko) * | 2004-01-13 | 2009-07-08 | 삼성전자주식회사 | 마이크로 광학벤치 구조물 및 그 제조방법 |
JP2005216962A (ja) * | 2004-01-27 | 2005-08-11 | Kyocera Corp | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 |
JP4547569B2 (ja) * | 2004-08-31 | 2010-09-22 | スタンレー電気株式会社 | 表面実装型led |
JP2006086176A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Hitachi Kyowa Engineering Co Ltd | Led用サブマウント及びその製造方法 |
JP5214128B2 (ja) * | 2005-11-22 | 2013-06-19 | シャープ株式会社 | 発光素子及び発光素子を備えたバックライトユニット |
-
2006
- 2006-04-04 JP JP2006102978A patent/JP4981342B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-04-04 DE DE112007000843T patent/DE112007000843T5/de not_active Withdrawn
- 2007-04-04 WO PCT/JP2007/057545 patent/WO2007119671A1/ja active Application Filing
- 2007-04-04 KR KR1020087024251A patent/KR101009528B1/ko active IP Right Grant
- 2007-04-04 US US12/295,740 patent/US8269301B2/en active Active
- 2007-04-04 CN CN200780011473XA patent/CN101410997B/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102237483A (zh) * | 2010-04-16 | 2011-11-09 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置 |
CN102237483B (zh) * | 2010-04-16 | 2016-04-27 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090219728A1 (en) | 2009-09-03 |
CN101410997B (zh) | 2011-05-18 |
WO2007119671A1 (ja) | 2007-10-25 |
KR101009528B1 (ko) | 2011-01-18 |
JP2007281061A (ja) | 2007-10-25 |
CN101410997A (zh) | 2009-04-15 |
KR20080107460A (ko) | 2008-12-10 |
US8269301B2 (en) | 2012-09-18 |
DE112007000843T5 (de) | 2009-04-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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