CN101410997A - 次载具及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种优于散热性，晶片状的能够一并形成的光学元件搭载用次载具。在以绝缘体为主体的第一衬底的一主表面上形成由光学元件搭载部和配线部构成的电极金属镀覆层，作为第二衬底在玻璃衬底形成贯通孔，以上述第一衬底的光学元件搭载部位于上述第二衬底的贯通孔的内部的方式进行对位，利用阳极接合等的方法来接合第一衬底和第二衬底。

Description

次载具及其制造方法
技术领域
本发明涉及次载具及其制造方法，尤其涉及安装半导体发光元件等面发光元件，并适于在元件的发光方向上有效地聚光的次载具、在此载具上搭载了光学元件的光学模块及其制造方法。
背景技术
近年来，面发光光学元件，尤其是LED(发光二极管)实现了特性改进，对用途扩大的期望较高。过去在塑料壳体上安装LED并在光路中部设置微型透镜等以聚光，或者通过用透明的树脂注塑LED及安装了LED的衬底整体并将树脂表面精加工成光滑的球面，将树脂作为透镜来使用以聚光。安装了这种LED的发光器件用于电光公告栏或大型影像用画面、信号器的灯光、灯饰等。
然而，由于LED其耗电比现有灯泡少且发光寿命也比灯泡长，因此，期望应用到电灯、室内照明、汽车照明、液晶画面用背光灯等宽广的照明领域。
此外，作为与这种次载具相关的技术，可举出例如专利文献1(专利文献1：特开2005-183558号公报)。
在对这种照明领域的应用，有必要使多个LED平面状地集中在一起发光以聚光。其理由为，一个LED元件的光的强度尚比灯泡弱。而对于现有的使用树脂经膜塑而成的LED来讲，高密度并排LED元件起来是有限度的。
另外，LED元件的输出越大则越容易引起LED元件的温度上升，且容易导致发光效率的降低。因此，为了将LED元件应用到灯光、照明等多方面，需要高密度地安装高输出的LED元件且高效地聚光。
在聚光上通常是用透镜。但若在每一个LED元件上使用透镜则成本增加，从而制造价格增高，而且还需要用于在LED元件上固定透镜的支撑件。
而且，为了制造廉价的光学元件搭载用次载具，不仅要降低部件费、加工费，还需要实现用晶片状的衬底一并制造多个产品等生产合理化。
发明内容
本发明的为了解决上述问题，提供如下所述的代表性的次载具。即、
(1).在包括：在一主表面上形成有搭载光学元件的光学元件搭载部和向光学元件供电的配线部的第一衬底；以及
在玻璃衬底上形成有贯通孔的第二衬底，
上述第一衬底的光学元件搭载部以位于上述第二衬底的贯通孔的内部的方式被对位，从而上述第一衬底和上述第二衬底接合的次载具中，
上述第一衬底由以绝缘体为主体的衬底构成，
上述配线部由具有向搭载在光学元件搭载部的光学元件的一个电极端子供电的第一配线部和相邻上述第一配线部设置且向上述发光元件的另一个电极端子供电的第二配线部的电极金属镀覆层构成，
上述第一衬底和上述第二衬底的接合通过设置于与上述第一衬底的一主表面中的上述配线部所露出的区域不同的区域的接合金属镀覆层的阳极接合而形成。或者，提供如下次载具：
(2).在上述(1)所述的次载具中，其特征在于，
第二衬底由贴合了玻璃板和硅板的层叠衬底构成，以设置在上述第一衬底上的光学元件搭载部位于设置在上述层叠衬底上的贯通孔的内部的方式进行对位，上述第一衬底的玻璃板和上述第二衬底接合。
(3).再有，由于通过阳极接合来接合上述第一衬底的接合金属镀覆层和第二衬底的玻璃，可一并接合晶片状的第一衬底和第二衬底，因而对这些次载具的生产合理化做出贡献，并能够提供廉价的次载具。
发明效果如下。
如上所述那样，根据本发明，能够提供可高密度地安装代表例如LED的光学元件，且有效地聚光，散热性也高，价格低廉的LED用次载具，进而能够提供在该次载具上搭载了光学元件的光学模块。在组合了发出红、绿、蓝的光的LED的场合，使光混合并产生白色光，或者控制各光学元件的功率而使光的色调变化。
另外，作为形成了光的反射膜的衬底材料，通过使用贴合了玻璃、或玻璃和硅的衬底，可利用阳极接合来制造次载具。阳极接合是适于接合晶片或板状物体的技术，降低制造成本，可提供廉价的次载具。
附图说明
图1是构成成为本发明第一实施例的次载具的第一衬底和第二衬底的立体图。
图2是成为本发明第一实施例的次载具的立体图。
图3是表示成为本发明第一实施例的次载具的制造过程的衬底的俯视图。
图4是成为本发明第一实施例的图2的X-X′剖视图。
图5是表示在成为本发明第一实施例的图4的次载具上安装光学元件的过程的剖视图。
图6是表示在搭载了成为本发明第一实施例的图5的光学元件的次载具上供电从而发光元件照亮的状态的剖视图。
图7是构成成为本发明第二实施例的次载具的第一衬底和第二衬底的立体图。
图8是表示成为本发明第二实施例的图7的次载具的第一衬底背面立体图。
图9是在成为本发明第二实施例的图7的次载具上搭载了光学元件的状态的俯视图。
图10是成为本发明第二实施例的图9的Y-Y′剖视图。
图11是在成为本发明第三实施例的次载具上搭载了光学元件的状态的俯视图。
图12是成为本发明第三实施例的图9的Z-Z′剖视图。
图13是构成成为本发明第四实施例的次载具的第一衬底和第二衬底的立体图。
图14是表示在成为本发明第四实施例的图13的次载具上搭载、安装了光学元件的状态的图13的Z-Z′剖视图。
图15是表示用玻璃板13密封了成为本发明第四实施例的图14的次载具上面的状态的剖视图。
图16是表示在成为本发明第五实施例的次载具上搭载、安装了光学元件的状态的剖视图。
图17是表示用玻璃板13密封了成为本发明第五实施例的图16的次载具上面的状态的剖视图。
图中：
1-第一衬底，2-电极金属镀覆层，2A-光学元件搭载部，2a-用电极金属镀覆层构成第一布线部，2b-用电极金属镀覆层构成第二布线部，2B-下面电极金属镀覆层，3-接合金属镀覆层，4-第二衬底，5-贯通孔，6-反射膜，7-光学元件，8-接合剂，9-引线接合，10-通孔，10a-与第一布线部连接的通孔，10b-与第二布线部连接的通孔，11-硅，12-玻璃，13-玻璃板，14a-接合衬底的切断位置，14b-接合衬底的切断位置。
具体实施方式
下面按照图1至图6说明本发明的第一实施例。
实施例1
图1是为了表示对衬底进行了加工、接合、切断后的完成品的图像而表示了涉及本发明的次载具的最小构成单位部分的分解图，图1(a)表示接合前的第二衬底4的立体图，图1(b)表示同样接合前的第一衬底1的立体图。此外，符号5是贯通孔，符号6是设置于观通孔的壁面上的反射膜。
图2是将第一衬底1和第二衬底4对位，并接合了两衬底1、4后的次载具100的立体图，图3(a)、(b)是表示对位之前的两衬底1、4的状态的俯视图，图3(c)是将两衬底1、4对位并接合后的俯视图，虚线表示从晶片切断次载具的最小构成单元的部分的位置。
图4是从所接合的衬底作为最小构成单元的部分而切断分离的次载具100的剖视图(相当于图2的X-X′的剖面)，图5是次载具100的光学元件搭载部2A上安装(搭载)了光学元件7的状态的剖视图，而且图6是表示从布线部2向搭载在图5的次载具100上的光学元件7供电而使光学元件7发光时的光的出射方向的剖视图。
在图1(a)、(b)的接合前的立体图中，在第一衬底1上具有光学元件搭载部2A，且形成有由向搭载到光学元件搭载部2A的光学元件的一个端子供电的第一布线部2a和与该第一布线部2a相邻并在电学地分离且向光学元件的另一个端子供电的第二布线部2b构成的电极金属镀覆层2以及接合金属镀覆层3。该接合金属镀覆层3做成比电极金属镀覆层2厚，从而表面高度比电极金属镀覆层2高。在实际应用上，该接合金属镀覆层3和电极金属镀覆层2的厚度差至少为0.1μm即可。通过使接合金属镀覆层3比电极金属镀覆层2厚，即便在电极金属镀覆层2的图案表面上多少存在凹凸，也由于接合金属镀覆层3的高度比电极金属镀覆层2还高，因此，可进行稳定的阳极接合。
在第二衬底4上形成有贯通孔5，在贯通孔5的内部表面(壁面)形成有反射膜6。
以光学元件搭载部2A的全部容纳到第二衬底4的贯通孔5内的方式进行对位。另外，就接合而言，第一衬底1上的接合金属镀覆层3直接地与第二衬底4紧贴、接合。在本实施例中，该接合利用阳极接合来进行，而利用粘接剂等来进行亦可。另外，电极金属镀覆层2由于高度比接合金属镀覆层3还低(厚度薄)，因而不阻碍接合。此外，关于阳极接合将在本实施例中后面说明。
这里，说明构成次载具100的各部的材料。在第一衬底1上适合如以碳化硅或氮化铝为主成分的优于绝缘性且具有高导热系数的陶瓷材料。在搭载在本发明的次载具上的光学元件7的发热量较小的场合不限于此，也可使用以氧化铝、氮化硅等为主成分的陶瓷材料。
在电极金属镀覆层2上适合用于实现与陶瓷的紧贴的Ti、保护Ti的Pt、以及组合了防止表面的氧化并提高与焊料等的连接性的Au的Ti/Pt/Au层叠薄膜。但不限定于与该金属组合，也可以是Ti/Ni/Au、Cr/Ni/Au、Ti/Cu、Cr/Cu、等金属薄膜。这些金属薄膜的厚度最好为例如Ti(0.1μm)/Pt(0.2μm)/Au(0.2～0.5μm)等，且电极金属镀覆层2的整体厚度为1μm以下。
在接合金属镀覆层3上适合实现与陶瓷的紧贴的Ti、以及组合了Al的Ti/Al的金属层叠薄膜。在本发明中，虽然对于第一衬底1和第二衬底4的接合不作限定，但利用阳极接合的场合居多，在该场合，组合了Ti/Al的金属镀覆层适合用于阳极接合。其理由将在阳极接合的说明中详述。另外，金属镀覆层3作为实现与第二衬底的接合的金属镀覆层在本发明中称之为接合金属镀覆层。该接合金属镀覆层的厚度在本实施例中为Ti(0.1μm)/Al(1～10μm)，且整体上为1μm以上。
在第二衬底4上适合通常称之为派拉克斯玻璃(耐热性玻璃的注册商标)的硼硅酸耐热玻璃。其理由是，例如在第一衬底上使用了碳化硅陶瓷的场合，其热膨胀系数通常为3.7×10-6，若为具有3.3×10-6的热膨胀系数的派拉克斯玻璃则接合后起因于热膨胀失谐的残余应力变小，从而破损危险少之故。此外，在第一衬底上使用了其它陶瓷的场合，只要使用具有尽量与该陶瓷材料相近的热膨胀系数的玻璃作为第二衬底即可。
在第二衬底4的贯通孔5的反射膜6上适合Ti/Al(表面为Al)。这是因为，Al具有较均匀地反射各种波长的特性。而在所反射的光带颜色也无关紧要的场合，反射膜的构成不限定于此。对于反射膜的厚度不作限定。
下面说明各衬底的制造工序。
利用阴极溅镀法、蒸镀法等在第一衬底1上形成Ti/Pt/Au等金属薄膜。接着，利用光刻技术将该保留的电极金属镀覆层2的形状用光致抗蚀剂的掩模图案形成。接着，利用铣削等方法来去除多余的Ti/Pt/Au。而后，利用清洗等去除掩模图案。
接合金属镀覆层3(Ti/Al)也采用同样的方法形成。此外，在这种金属镀覆层的图案形成上，除了上述的铣削法以外，还采用利用特殊溶液的浸蚀法、或者称之为举离法的方法。在举离法的场合，在形成金属镀覆层以外的部分形成光致抗蚀剂图案，从其上开始用溅镀法、蒸镀法等沉积金属镀覆层。而后，去除抗蚀剂上的多余的金属镀覆层，并用溶液冲洗抗蚀剂而形成图案。
在第二衬底4的加工中，形成利用抗蚀剂的贯通孔5的开口部的图案。开口部的形状在本实施例中为圆角正方形，而形状为圆形或椭圆形也均可。即、按照光学元件7的配置和所聚光的光的强度进行设计即可，这在下面的实施例也一样。
接着，利用喷砂法用微粒的砂粒冲击第二衬底4，切削开口部的衬底，从而形成例如图4所示的在孔的深度方向上具有倾斜面的贯通孔5。采用喷砂法，通过控制所使用的砂粒的材质、粒度分布、喷射砂粒的流速等，可在某种程度上任意形成贯通孔5的内壁面的形状、倾斜角等，能够使来自光学元件7的放射光有效地向外部放出。
另外，在喷砂法中，存在所切削的表面的凹凸大，即便从其上形成Al等反射膜6，凹凸也成为光的漫反射的原因的场合。在该场合，为了使贯通孔的内壁面平坦化，通过将树脂涂敷、或金属薄膜形成在贯通孔的内部表面上作为基底，而后进行电镀以控制晶粒生长，从而也可以在某种程度上减小贯通孔的内部表面的凹凸。此外，如上所述，关于反射膜6的材质，利用贯通孔5的内部表面的镀层可充分地降低凹凸，且在光反射特性上没有问题的场合，也可以将镀膜本身作为实质上的反射膜，从而可省略后述的反射膜的形成过程。
接着，在依旧用抗蚀剂覆盖第二衬底4的贯通孔5以外的部分的情况下，利用例如溅镀法、蒸镀法等方法形成反射膜6(Ti/Al等的金属薄膜)。尤其，通过从贯通孔5的开口部较大一侧进行成膜，在贯通孔的内部表面也可成膜。在用树脂、电镀等包覆了贯通孔5的内部表面(壁面)的场合，只要包覆材料的反射特性足够，可从其上形成反射膜6。而后，冲洗多余的光致抗蚀剂，仅在贯通孔5的内部表面留下反射膜6。这种工序只要按照次载具上所要求的光的反射特性进行设计即可，在下面的实施例也一样。
关于第一衬底1和第二衬底4的对位、接合、切断，使用图3进行说明。图3(a)及(b)是第一及第二衬底各自的俯视图，图3(c)是将从对位后的第二衬底4的上方观察的俯视图以模式表示的图。
首先在衬底1、4的对位上，以电极金属镀覆层2中的光学元件搭载部2A位于第二衬底4的贯通孔5的内部的方式进行对位。此外，在本实施例的场合，在第二衬底4上预先在搭载光学元件的部分以外也形成贯通孔，预先使电极金属镀覆层2的布线部的一部分位于贯通孔内。
接着，利用阳极接合来接合第一衬底1和第二衬底4。这里，关于阳极接合说明如下。
所谓阳极接合一般是将玻璃衬底和硅衬底重叠并直接接合的技术。将两者重叠，并加热到几百度。在该状态下，通常以玻璃侧成为负且硅侧成为正的方式施加电压。据称，由此在玻璃内产生较强的电场，由该电场使得包含在玻璃中的Na等原子半径小的阳离子被强制性地向负电极侧扩散，在接合界面附近的玻璃衬底内形成阳离子空缺层。由于该阳离子空缺层带负电，因而在接合界面附近产生更强的静电引力。玻璃衬底和硅衬底因该静电引力而牢固地紧贴。另外，与此同时，通过包含在玻璃衬底中的氧和硅衬底中的硅起反应而在界面形成氧化物，从而进行化学接合，能够实现牢固的接合。
本发明人等研究了该阳极接合技术，其结果解释清楚了不仅在玻璃衬底和硅衬底，而且在硅衬底上形成铝、钛等金属镀覆层后可与玻璃衬底进行牢固的阳极接合。另外，进一步发现在陶瓷衬底上进行这些金属的金属镀覆层形成，在其上重叠玻璃衬底，并通过向金属镀覆层通电来对玻璃衬底施加高电压，可实现玻璃衬底和陶瓷衬底上的金属镀覆层的阳极接合。阳极接合通常为导体及半导体和玻璃的接合技术，而示出陶瓷等绝缘材料也可通过金属镀覆层形成来接合，本发明是基于该研究结果实现的。
如图3(a)所示，本实施例的接合金属镀覆层3形成为包围电极金属镀覆层2的图案组的外周并在第一衬底1上连结全部。其结果，通过在第一衬底1的外周部等上压接一个探针而通电，并且在第二衬底4的玻璃上面压接另一个探针而加热到400℃左右的状态下施加几百伏的电压，使得第一衬底1的接合金属镀覆层3大致成为等电位，并在与第二衬底4上的另一个探针之间产生强电场。利用该电场进行阳极接合。
此外，形成于第一衬底1上的接合金属镀覆层3的最表面，除了铝、钛以外，还可以为锆、铪、钨、钼、铬、钒、镁以及铁等金属。
在下一个工序中，将所接合的第一和第二衬底在图3(c)的虚线14a、14b的位置切断。将这样从衬底切断、分离的成为最小单位的次载具100的一个表示在图2的立体图上，并表示在图4的剖视图中。而后，如图5所示，在该次载具100的光学元件搭载部2A上搭载LED等光学元件7，并使用接合剂8(焊料、导电性粘接剂等)将光学元件7的一个端子连接在由电极金属镀覆层2构成的布线部2a的光学元件搭载部2A上，将另一个端子通过引线接合9连接在相邻设置的由电极金属镀覆层2构成的布线部2b上，由此，光学元件7实现电连接。
此外，如图3(c)所示，在谋求生产效率的进一步提高的场合，还可以在从所接合的衬底切断之前安装光学元件7并且电连接也结束后切断成为最小单位的次载具100。
如图6所示，在安装了光学元件7的次载具100中，从光学元件7出射的光中的横向成分由设置于第二衬底4的贯通孔5的内壁面上的反射膜6所反射而在上方外部聚光。搭载在次载具100上的光学元件7不限定于发出同一波长的光学元件，可以组合例如波长不同的红、绿、蓝等多种LED元件而产生白色光，或者也可以任意控制光的色调。
另外，在本实施例的次载具100中，虽然做成安装四个光学元件7的构造，但对安装在次载具上的光学元件的个数没有特殊限制，根据用途设计即可。也有高密度地安装多个光学元件的场合，或者在用一个光学元件能够得到足够的光量的场合，可以是在贯通孔5内安装一个光学元件7的次载具。关于安装的光学元件的个数，在下面的实施例也一样。
在安装了光学元件的本实施例的次载具的场合，在印制电路板、陶瓷衬底、金属制衬底等上使用导电性粘接剂、焊料等连接第一衬底1的下面而使用。利用引线接合等向位于次载具100的外周的电极金属镀覆层2(布线部2a、2b的端子)上连接而进行电连接。
这样在次载具100上搭载了光学元件7的发光器件可适用于如电灯、各种信号器、室内照明、汽车照明、液晶画面用背光灯的需要光的所有产品上。
另外，在组合红、绿、蓝三色光学元件安装的发光器件的场合，由于通过使各光学元件的功率变化可控制所合成的光的波长，因此，除了需要白色光的灯光以外，还可以应用到灯饰用灯光、广告用灯光等。
在仅安装了特定波长的光学元件的场合，在仅高密度地安装了例如红色的LED元件的场合等，可考虑对照射强红色光并利用了由光引起的辐射热的加热器、干燥机等的应用可能性。关于本发明的光学元件搭载用次载具的应用产品，在下面的实施例也一样。
实施例2
下面关于本发明的第二实施例，用作为次载具100的分解图的图7进行说明。在本实施例中也抽出图示次载具的最小构成单元。即、图7(a)表示接合前的第二衬底4，图7(b)表示接合前的第一衬底1，在实际制造工序中，与实施例1相同地、通过对晶片、或板状的第一及第二的衬底1及4一并进行加工、接合、切断，而能够制造未图示的次载具。在下面的实施例也一样。
如图7(b)所示，在由碳化硅陶瓷等制成的第一衬底1的光学元件搭载部2A所形成的区域的外周部形成成为贯通孔10的孔的部分(在图中，由于成为在中心切断的图像，因而呈半圆状)所空出的未图示的抗蚀剂图案，并利用喷砂等形成贯通孔。
接着，与实施例1相同地、用溅镀法等方法在第一衬底1的整个面上形成电极金属镀覆层2等。此时，在贯通孔10内也形成金属镀覆层。再次在第一衬底1上形成抗蚀剂图案，并在利用铣削等方法来形成具有与实施例1相同地具备了光学元件搭载部2A的第一布线部和第二布线部的电极金属镀覆层图案2之后，也以同样的方法将接合金属镀覆层3形成在第一衬底1上。
进而，如图8所示，在第一衬底1的下面以与各自的贯通孔10连结的方式形成下面电极金属镀覆层2B。
此外，在图7(b)所示的第一衬底1中，具备了光学元件搭载部2A的第一布线部和与其相邻设置的第二布线部的电极金属镀覆层图案2的形状与图8的下面电极金属镀覆层2B大致相同。第一及第二布线部的一端部与各自的贯通孔10独立连结。而且，该场合的接合金属镀覆层3的图案层叠在除了光学元件搭载部2A及与其对应的第二布线部的一部分之外的电极金属镀覆层2上。
如图7(a)所示，在第二衬底4上与实施例1相同地形成贯通孔5和反射膜6。此外，衬底4、电极金属镀覆层2、接合金属镀覆层3、反射膜6等的材质与实施例1相同。
第一衬底1和第二衬底4的接合在与实施例1的图3(c)的场合相同地、以第一衬底1的至少光学元件搭载部2A配置到第二衬底4的贯通孔5内的方式进行对位之后，这些两衬底通过阳极接合来接合，而使用焊料、粘接剂等的接合剂亦可。在本实施例中，由于第二衬底4的派拉克斯玻璃和第一衬底1上的接合金属镀覆层3的表面的铝(Al)通过阳极接合使得玻璃中的氧和Al起反应从而牢固地接合，因此，在本构造上，阳极接合适合并适用。
在进行阳极接合时，通过使接合装置的阳极与第一衬底1的下面接触，并将接合装置的阴极按压在第二衬底的上面来进行接合。通过对接合装置的电极施加电压，从下面电极金属镀覆层2B经由侧面(通孔10的内部表面)的电极金属镀覆层向第一衬底的上面的电极金属镀覆层2及形成于其上的接合金属镀覆层3通电。由此，接合金属镀覆层3和接合装置的阴极间即第二衬底4上市加强电压，以进行阳极接合。
在位于第二衬底4的贯通孔5的外壁部周围的纵列、横列的通孔10中心进行从所接合的衬底的次载具的最小构成单位的切断。通孔10原本为形成于第一衬底(晶片)1上的通孔，而在图中，通过切断而成为一半。图中的通孔10a连接在电极金属镀覆层2的具有光学元件搭载部2A的第一布线部，通孔10b连接在第二布线部。
图9表示将光学元件7安装到次载具100后的状态的俯视图，图10表示图9的Y-Y′剖视图。光学元件7通过接合剂8安装在电极金属镀覆层2(第一布线部2a上的光学元件搭载部)，光学元件的一个电极与第一布线部2a连接。在接合剂8上可使用焊料、导电性粘接剂等。另外，在光学元件的发光面在上面的场合，光学元件的另一个电极通过引线接合9与第二布线部2b连接。
此外，随光学元件7的种类，有发光面在元件下面，光学元件的电极金属镀覆层的正、负也在下面的场合。在这种情况下，结合光学元件的电极设计第一衬底1上的电极金属镀覆层2，并利用焊料、导电性粘接剂等来进行接合。另外，在将本次载具安装在电路装置的场合，在印制电路板、陶瓷衬底、金属制且利用绝缘部形成了电路的衬底等上使用焊料、导电性粘接剂等连接第一衬底的下面的下面电极金属镀覆层2B而使用。通过使用焊料等来连接第一衬底1的下面的较宽的面积，从而也可提高散热性。
实施例3
下面用图11及图12说明本发明的第三实施例。第一衬底1的制作与实施例2相同，图11与图9对应，图12是图11的Z-Z′剖视图，与图10对应。
如图12所示，作为第二衬底4使用硅11和派拉克斯玻璃12预先利用阳极接合等的方法贴合的衬底。关于贯通孔5在硅11的形成，使用用于半导体装置的制造的湿蚀刻技术，如图示那样，可在孔的壁面形成倾斜面。
首先，在(100)面成为表面的硅片上，利用光刻技术制作掩模。就掩模而言，使蚀刻部成为开口部。若将它浸在适宜的浓度的溶液中，则硅的最密面即(111)面的蚀刻速度慢，形成(111)面呈现在表面的孔。由于(111)面形成与(100)面成54.7度的斜面，因此，如图所示。基底的派拉克斯玻璃12未被蚀刻而留下，但通过用掩模覆盖背面且用氟酸等蚀刻玻璃，还蚀刻硅的孔的底面的派拉克斯玻璃，从而能够形成贯通孔5。此后，形成反射膜6。
接着，与实施例2相同地、进行第一衬底1和第二衬底4对位，与第一衬底上的接合金属镀覆层3接触后用夹具等进行固定，并在硅11上压接接合装置的阴极，进行阳极接合。可在派拉克斯玻璃12上集中地施加电压而进行阳极接合。最后安装光学元件7，通过引线接合9进行连接，进行对光学元件7的供电。
实施例4
下面用图13至图15说明本发明的第四实施例。所使用的衬底、金属镀覆层的材质、加工工序等与至此的实施例相同。
如图13所示，本实施例的特征在于，利用通孔10内的电极金属镀覆层2进行第一衬底1的上面和下面的电连接，以及在光学元件7的电极金属镀覆层2的周围形成不同于对光学元件的供电的目的的电极金属镀覆层2及接合金属镀覆层3。采用这种构造，通过接合第二衬底4和接合金属镀覆层3，并安装光学元件7，最后接合玻璃板13和形成于第二衬底4上面的接合金属镀覆层3，可将光学元件7密封在次载具100内。
其理由说明如下。通过接合通孔10的周围的接合金属镀覆层3和第二衬底4，印制外气经由通孔10向光学元件搭载部2A进入。然而，若外气从无接合金属镀覆层的部分、即第一衬底所露出的部分进入，则无法密封，因此，利用配置在最外周的接合金属镀覆层3来防它。
如图15所示，在安装了光学元件7后，将派拉克斯玻璃等玻璃板13压接在预先形成于第二衬底4上的接合金属镀覆层3上(图14)而进行接合。此时的接合也可适用阳极接合。在电压施加上，虽然存在光学元件破损的危险，但通过利用在后续的切断工序中切断的部分等预先使与光学元件相连的正和负的电极金属镀覆层2短路，可防止电压施加到光学元件。
通过上述过程完成搭载了在至此所述的效果的基础上还抑制外气进入的光学元件的模块。这种模块适于在例如存在腐蚀性的外气的场合等较恶劣的环境下使用。
此外，在本实施例中，在形成搭载了抑制外气进入的光学元件的模块的场合，在第二衬底4上形成派拉克斯玻璃等玻璃板13，以抑制外气向光学元件搭载部2A进入，而只要是透射来自发光元件的光的部件，也可以替换成其它部件来代替派拉克斯玻璃。
实施例5
用图16及图17说明本发明的第五实施例。本实施例的次载具100也是与实施例4相同地抑制外气进入的构造，而且如实施例3那样将贴合了硅和派拉克斯玻璃的衬底作为第二衬底4使用。
将光学元件7安装在光学元件搭载部，使用接合剂将光学元件的一个端子连接在电极金属镀覆层2的第一布线部，并将另一个端子通过引线接合电连接在第二布线部后，将玻璃板13接合在硅11上。就该接合而言，适合利用阳极接合，而使用粘接剂、焊料等亦可。另外，为了提高接合性，也可以在硅11上预先形成接合金属镀覆层3。
产业上的利用可能性如下。
本发明是用于安装LED元件的次载具，可应用于各种照明器具、信号器的灯光、电光公告栏、液晶画面的背光灯等上。另外，抑制外气进入的模块可在腐蚀性环境等较恶劣的环境下使用。在安装了发出红色或红外光的光学元件的场合，有在利用光的辐射热的加热器、干燥机等上也可使用的可能性。另外，在安装了发出包括蓝色或紫外光在内的光的光学元件的场合，也可考虑对于光刻技术中的感光性抗蚀剂的曝光机的灯泡、晒黑用的灯泡等上的应用。

Claims (17)

1.一种次载具，包括：在一主表面上形成有搭载光学元件的光学元件搭载部和向光学元件供电的配线部的第一衬底；以及
在玻璃衬底上形成有贯通孔的第二衬底，
上述第一衬底的光学元件搭载部以位于上述第二衬底的贯通孔的内部的方式被对位，从而上述第一衬底和上述第二衬底接合，其特征在于，
上述第一衬底由以绝缘体为主体的衬底构成，
上述配线部由具有向搭载在光学元件搭载部的光学元件的一个电极端子供电的第一配线部和相邻上述第一配线部设置且向上述发光元件的另一个电极端子供电的第二配线部的电极金属镀覆层构成，
上述第一衬底和上述第二衬底的接合通过设置于与上述第一衬底的一主表面中的上述配线部所露出的区域不同的区域的接合金属镀覆层的阳极接合而形成。
2.根据权利要求1所述的次载具，其特征在于，
在上述第一衬底的主表面中，上述接合金属镀覆层与上述配线部电学地分离且留有间隙相邻配置，而且在上述第一衬底的外周部延伸。
3.根据权利要求1所述的次载具，其特征在于，
在上述第一衬底的主表面中，上述接合金属镀覆层设置成不与上述配线部的任一重叠。
4.根据权利要求1所述的次载具，其特征在于，
上述第二衬底由贴合了玻璃板和硅板的层叠衬底构成，以设置在上述第一衬底上的光学元件搭载部位于设置在上述层叠衬底上的贯通孔的内部的方式进行对位，上述第一衬底的玻璃板和上述第二衬底接合。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的次载具，其特征在于，
在形成有构成上述配线部的电极金属镀覆层的第一衬底的相反侧的面上形成下面电极金属镀覆层，上述电极金属镀覆层和上述下面电极金属镀覆层借助于通孔电连接。
6.根据权利要求1～4中任一项所述的次载具，其特征在于，
在形成有构成上述配线部的电极金属镀覆层的第一衬底的相反侧的面上形成下面电极金属镀覆层，上述电极金属镀覆层和上述下面电极金属镀覆层通过对上述第一衬底侧面的金属镀覆处理而电连接。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的次载具，其特征在于，
形成于上述第一衬底的接合金属镀覆层的最表面为从铝、钛、锆、铪、钨、钼、铬、钒、镁以及铁的组中所选择的至少一种金属。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的次载具，其特征在于，
将上述第一衬底由以碳化硅、氮化硅、氮化铝以及氮化铝的至少一种为主成分的陶瓷材料构成。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的次载具，其特征在于，
通过在上述第二衬底上面接合使搭载在上述光学元件搭载部的上述发光元件透射的部件，而抑制外气进入上述第二衬底的贯通孔内部。
10.根据权利要求1～4中任一项所述的次载具，其特征在于，
在上述第二衬底的贯通孔的内部表面，通过形成树脂膜或镀层而形成平坦化的或光滑的曲面。
11.根据权利要求1～5中任一项所述的次载具，其特征在于，
在上述第二衬底的贯通孔的内部表面形成有光的反射膜。
12.一种光学模块，其特征在于，
在根据权利要求1至11中任一项所述的次载具的光学元件搭载部上搭载了光学元件。
13.一种次载具的制造方法，其特征在于，包括：
在以绝缘体为主体的第一衬底的一主表面上具备搭载发光元件的光学元件搭载部，形成由向上述发光元件的一个电极端子供电的第一配线部和相邻上述第一配线部设置且向上述发光元件的另一个电极端子供电的第二配线部构成的电极金属镀覆层的图案的工序；
在成为第二衬底的玻璃单板或贴合了玻璃板和硅板的层叠玻璃衬底上形成贯通孔的工序；以及
在使上述第一衬底的光学元件搭载部位于上述第二衬底的贯通孔的内部地进行了对位的状态下，阳极接合上述第一衬底和上述第二衬底的工序。
14.根据权利要求13所述的次载具的制造方法，其特征在于，
在上述第二衬底上形成贯通孔的工序中，在形成抗蚀剂掩模的开口部之后，利用喷砂法在第二衬底上形成贯通孔。
15.根据权利要求13所述的次载具的制造方法，其特征在于，
在上述第二衬底上形成贯通孔的工序中，在利用喷砂法形成贯通孔之后，无需去除抗蚀剂掩模就在上述抗蚀剂掩模上形成反射膜，并利用举离法来在贯通孔内选择性地形成反射膜。
16.根据权利要求13所述的次载具的制造方法，其特征在于，
在上述第二衬底上形成贯通孔的工序中，在衬底由贴合了玻璃和硅的层叠玻璃衬底构成的场合，在形成上述抗蚀剂掩模的开口部之后，利用各向异性湿蚀刻在硅上形成孔，接着在玻璃表面形成抗蚀剂掩模，并利用蚀刻在玻璃上开孔，从而在第二衬底上形成贯通孔。
17.根据权利要求13所述的次载具的制造方法，其特征在于，
在上述第二衬底上形成贯通孔的工序中，在衬底由贴合了玻璃和硅的层叠玻璃衬底构成的场合，在形成上述抗蚀剂掩模的开口部之后，利用各向异性湿蚀刻在硅上形成孔，接着在玻璃表面形成抗蚀剂掩模的开口部，并利用喷砂法在玻璃上开孔，从而在第二衬底上形成贯通孔。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102163663A (zh) * 2011-03-11 2011-08-24 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 小功率top led支架制作工艺及其产品和led模组
CN102956793A (zh) * 2011-08-24 2013-03-06 Lg伊诺特有限公司 发光器件封装件及照明系统
CN103959128A (zh) * 2011-07-22 2014-07-30 葛迪恩实业公司 用于led照明系统的准直透镜、包含有准直透镜的led照明系统、和/或其制备方法
CN105206734A (zh) * 2015-09-09 2015-12-30 梁高华 一种led支架及其制造方法
CN107958915A (zh) * 2017-12-22 2018-04-24 成都先锋材料有限公司 一种cmos传感器封装结构及其封装方法
CN108136738A (zh) * 2015-07-16 2018-06-08 旭硝子欧洲玻璃公司 具有集成电子装置的玻璃面板
CN110299441A (zh) * 2018-03-22 2019-10-01 中国科学院半导体研究所 可提高led出光效率的硅基反射圈、制备方法及led器件

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008021402B4 (de) 2008-04-29 2023-08-10 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Oberflächenmontierbares Leuchtdioden-Modul und Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren Leuchtdioden-Moduls
US8684563B2 (en) * 2008-12-30 2014-04-01 Kitagawa Holdings, Llc Heat dissipating structure of LED lamp cup made of porous material
JP2011014890A (ja) 2009-06-02 2011-01-20 Mitsubishi Chemicals Corp 金属基板及び光源装置
US8390021B2 (en) * 2009-06-15 2013-03-05 Panasonic Corporation Semiconductor light-emitting device, light-emitting module, and illumination device
KR100939304B1 (ko) * 2009-06-18 2010-01-28 유트로닉스주식회사 Ｌｅｄ어레이모듈 및 그 제조방법
KR100958329B1 (ko) * 2009-08-14 2010-05-17 (주)참빛 마스크를 적용하여 측면 반사면을 금속 코팅한 발광 다이오드 패키지 기판 및 그 제조 방법
JP5446915B2 (ja) * 2010-01-21 2014-03-19 セイコーエプソン株式会社 生体情報検出器及び生体情報測定装置
JP2011222858A (ja) * 2010-04-13 2011-11-04 Cirocomm Technology Corp 発光ダイオード（ｌｅｄ）電球のライト芯材の製造方法およびその構造
JP5768435B2 (ja) * 2010-04-16 2015-08-26 日亜化学工業株式会社 発光装置
DE102010044987A1 (de) * 2010-09-10 2012-03-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
EP2447595B1 (en) 2010-10-27 2017-08-02 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting module
US8415684B2 (en) * 2010-11-12 2013-04-09 Tsmc Solid State Lighting Ltd. LED device with improved thermal performance
US8518748B1 (en) 2011-06-29 2013-08-27 Western Digital (Fremont), Llc Method and system for providing a laser submount for an energy assisted magnetic recording head
US8992045B2 (en) 2011-07-22 2015-03-31 Guardian Industries Corp. LED lighting systems and/or methods of making the same
US8742655B2 (en) 2011-07-22 2014-06-03 Guardian Industries Corp. LED lighting systems with phosphor subassemblies, and/or methods of making the same
US9845943B2 (en) 2011-07-22 2017-12-19 Guardian Glass, LLC Heat management subsystems for LED lighting systems, LED lighting systems including heat management subsystems, and/or methods of making the same
US8288204B1 (en) 2011-08-30 2012-10-16 Western Digital (Fremont), Llc Methods for fabricating components with precise dimension control
JP2013139095A (ja) * 2011-12-28 2013-07-18 Seiko Instruments Inc サーマルヘッド、プリンタおよびサーマルヘッドの製造方法
WO2014012572A1 (en) * 2012-07-16 2014-01-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor device and method for producing an optoelectronic semiconductor device
US9475151B1 (en) 2012-10-30 2016-10-25 Western Digital (Fremont), Llc Method and apparatus for attaching a laser diode and a slider in an energy assisted magnetic recording head
US9481572B2 (en) 2014-07-17 2016-11-01 Texas Instruments Incorporated Optical electronic device and method of fabrication
US10643981B2 (en) * 2014-10-31 2020-05-05 eLux, Inc. Emissive display substrate for surface mount micro-LED fluidic assembly
JP6801950B2 (ja) * 2015-04-15 2020-12-16 ショット日本株式会社 貫通電極基板および半導体パッケージ
CN105552249B (zh) * 2016-03-16 2017-11-14 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示基板及其制作方法、显示装置
US10615314B2 (en) 2016-03-31 2020-04-07 Nichia Corporation Light-emitting device
JP6920609B2 (ja) * 2017-03-29 2021-08-18 日亜化学工業株式会社 光源装置
JP7408266B2 (ja) * 2017-06-14 2024-01-05 日亜化学工業株式会社 光源装置
JP7007560B2 (ja) * 2017-09-28 2022-01-24 日亜化学工業株式会社 光源装置
US10655821B2 (en) * 2018-05-18 2020-05-19 Lumileds Llc LED device holder, LED lighting system, and method of manufacture
EP4033621B1 (en) 2019-09-20 2023-11-01 Nichia Corporation Light source device and method of manufacturing the same

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06343017A (ja) * 1993-04-09 1994-12-13 Citizen Watch Co Ltd 圧電振動子およびその製造方法
JP2003100921A (ja) * 2001-09-25 2003-04-04 Kyocera Corp 光半導体素子収納用容器
JP2004289106A (ja) * 2003-01-27 2004-10-14 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
DE602004027890D1 (de) * 2003-03-18 2010-08-12 Sumitomo Electric Industries Gehäuse für lichtemittierendes element und verwendendes halbleiterbauteil
JP4258367B2 (ja) * 2003-12-18 2009-04-30 株式会社日立製作所 光部品搭載用パッケージ及びその製造方法
KR100906475B1 (ko) * 2004-01-13 2009-07-08 삼성전자주식회사 마이크로 광학벤치 구조물 및 그 제조방법
JP2005216962A (ja) * 2004-01-27 2005-08-11 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
JP4547569B2 (ja) * 2004-08-31 2010-09-22 スタンレー電気株式会社 表面実装型ｌｅｄ
JP2006086176A (ja) * 2004-09-14 2006-03-30 Hitachi Kyowa Engineering Co Ltd Ｌｅｄ用サブマウント及びその製造方法
JP5214128B2 (ja) * 2005-11-22 2013-06-19 シャープ株式会社 発光素子及び発光素子を備えたバックライトユニット

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102163663A (zh) * 2011-03-11 2011-08-24 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 小功率top led支架制作工艺及其产品和led模组
CN103959128A (zh) * 2011-07-22 2014-07-30 葛迪恩实业公司 用于led照明系统的准直透镜、包含有准直透镜的led照明系统、和/或其制备方法
CN110412757A (zh) * 2011-07-22 2019-11-05 葛迪恩实业公司 用于led照明系统的准直透镜、包含有准直透镜的led照明系统、和/或其制备方法
TWI684728B (zh) * 2011-07-22 2020-02-11 美商加爾汀工業公司 用於發光二極體照明系統之準直透鏡、包括準直透鏡之發光二極體照明系統及／或其製造方法
CN102956793A (zh) * 2011-08-24 2013-03-06 Lg伊诺特有限公司 发光器件封装件及照明系统
CN108136738A (zh) * 2015-07-16 2018-06-08 旭硝子欧洲玻璃公司 具有集成电子装置的玻璃面板
CN105206734A (zh) * 2015-09-09 2015-12-30 梁高华 一种led支架及其制造方法
CN107958915A (zh) * 2017-12-22 2018-04-24 成都先锋材料有限公司 一种cmos传感器封装结构及其封装方法
CN107958915B (zh) * 2017-12-22 2024-01-19 南京先锋材料科技有限公司 一种cmos传感器封装结构及其封装方法
CN110299441A (zh) * 2018-03-22 2019-10-01 中国科学院半导体研究所 可提高led出光效率的硅基反射圈、制备方法及led器件

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