CN102956793A - 发光器件封装件及照明系统 - Google Patents

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CN102956793A CN2012100573644A CN201210057364A CN102956793A CN 102956793 A CN102956793 A CN 102956793A CN 2012100573644 A CN2012100573644 A CN 2012100573644A CN 201210057364 A CN201210057364 A CN 201210057364A CN 102956793 A CN102956793 A CN 102956793A
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Abstract

公开了一种发光器件封装件和一种照明系统。该发光器件封装件包括：包括腔的本体、在腔中的至少一个发光器件、填充在腔中同时覆盖发光器件的树脂构件、以及在腔的侧面上的反射层。反射层形成同时使腔的上部区域开放。反射层选择性地仅形成在本体中的腔的侧面的下部区域中，并且填充在腔的上部中的树脂构件直接粘附到本体。改善了树脂构件与本体之间的气密性。

Description

发光器件封装件及照明系统
技术领域
本公开涉及一种发光模块。
背景技术
发光二极管(LED)可以通过使用GaAs、AlGaAs、GaN、InGaN和InGaAIP基化合物半导体材料来构成发光源。
将这种LED封装以用作发出具有各种颜色的光的发光器件封装件。发光器件封装件作为光源用于各种产品如表现出颜色的照明指示器、字符指示器和图像指示器中。
发明内容
实施方案提供了一种具有新结构的发光器件封装件。
实施方案提供了一种能够确保树脂构件与本体之间的粘附强度的发光器件封装件。
根据实施方案，提供了一种发光器件封装件，包括：包括腔的本体、在腔中的至少一个发光器件、填充在腔中同时覆盖发光器件的树脂构件、以及在腔的侧面上的反射层。形成反射层同时使腔的上部区域开放。
如上所述，根据本公开的发光器件封装件，反射层选择性地仅形成在本体中的腔的侧面的下部区域中，并且填充在腔的上部中的树脂构件直接粘附到本体。因此，可以改善树脂构件与本体之间的气密性。
此外，可以通过腔的侧面上的反射层来改善发光效率。
附图说明
图1是示出根据本公开第一实施方案的发光器件封装件的立体图；
图2是沿着图1中示出的发光器件封装件的线I-I′截取的截面图；
图3是示出图1的发光二极管的截面图；
图4是示出根据本公开第二实施方案的发光器件封装件的截面图；
图5是示出根据本公开第三实施方案的发光器件封装件的截面图；
图6是示出根据本公开第四实施方案的发光器件封装件的立体图；
图7是沿着图6中示出的发光器件封装件的线I-I′截取的截面图；
图8是示出根据本公开第五实施方案的发光器件封装件的立体图；
图9是示出根据本公开第五实施方案的发光器件封装件的立体图；
图10是示出根据实施方案的显示装置的分解立体图；以及
图11是示出根据实施方案的照明装置的立体图。
具体实施方式
在以下描述中，将详细描述本公开的实施方案到本领域普通技术人员能够容易地实现实施方案的程度。但是，本公开可以具有各种变化，并且不限于以下实施方案。
在整个说明书中，在预定部分“包括”预定部件的情况下，这不表示排除其它部件，而是表示还包括其它部件。
为了方便或清楚的目的，可以将附图中示出的各层的厚度和尺寸进行放大、省略或示意性地示出。此外，元件的尺寸不完全反映实际尺寸。利用相同的附图标记表示相同的元件。
在实施方案的描述中，应理解，在层(或者膜)、区域、图案或者结构称为位于另一衬底、另一层(或者膜)、另一区域、另一焊盘或者另一图案“上”或者“下”时，其可以“直接地”或者“间接地”在该另一衬底、层(或者膜)、区域、焊盘或者图案上，或者也可以有一个或更多个中间层。层的这种位置已经参照附图进行了描述。
在下文中，将参考图1至3描述根据本公开第一实施方案的发光器件封装件100。
图1是示出根据本公开第一实施方案的发光器件封装件100的立体图，图2是沿着图1中示出的发光器件封装件100的线I-I′截取的立体图，图3是示出图1的发光二极管的截面图。
参考图1至3，发光器件封装件100包括：本体110、设置在本体110上的至少一个发光器件120、以及设置在本体110上的第一电极131和第二电极132使得第一电极131和第二电极132与发光器件120电连接。
此外，发光器件封装件100包括用于保护发光器件120的树脂构件170。
本体110可以包括树脂材料如聚邻苯二甲酰胺(PPA)、硅(Si)、金属材料、光敏玻璃(PSG)、蓝宝石(Al2O3)和印刷电路板(PCB)中的至少一种。优选地，本体110可以包括树脂材料如PPA。
本体110可以包括具有导电性的导体。如果本体110包括具有导电性的导体，则可以在本体110的表面上形成绝缘层(未示出)以防止本体110与第一电极131和第二电极132短路。在俯视图中观察时，根据发光器件封装件100的用途和设计，本体110的周边可以具有各种形状如三角形、矩形、多边形和圆形。
可以在本体110中形成腔115以使本体110的上部112开放。例如，腔115可以通过注模或通过蚀刻来形成。
腔115可以具有杯形或凹陷的容器形。腔115的内侧面可以垂直于腔115的底表面或者可以是倾斜的。如果腔115通过相对于本体110进行湿蚀刻而倾斜，则腔115可以具有约50°至约60°的倾斜角。
此外，在俯视图中观察时，腔115可以具有圆形、矩形、多边形或椭圆形。
可以在本体110上形成第一电极131和第二电极132。第一电极131和第二电极132可以被电分开为阳极和阴极以给发光器件120供电。同时，除了第一电极131和第二电极132以外，根据发光器件120的设计，可以在本体110上形成多个电极，但是实施方案不限于此。
同时，第一电极131和第二电极132彼此分离并且暴露在腔115中。如图2中所示，第一电极131和第二电极132可以延伸到本体110的背表面同时包围本体110的侧面，但是实施方案不限于此。
第一电极131和第二电极132可以形成为单层结构。例如，第一电极131和第二电极132可以包括：包括Cu、Cr、Au、Al、Ag、Sn、Ni、Pt和Pd中的至少一种的金属或其合金。此外，第一电极131和第二电极132可以形成为多层结构。例如，第一电极131和第二电极132可以包括通过依次堆叠钛(Ti)、铜(Cu)、镍(Ni)和金(Au)形成的Ti/Cu/Ni/Au层，但是实施方案不限于此。
换言之，在第一电极131和第二电极132的最下层中堆叠表现出与本体具有优异粘附强度的材料如Ti、Cr或Ta，在第一电极131和第二电极132的最上层上堆叠容易附接到导线等并且表现出优异导电性的材料如Au，在第一电极131和第二电极132的最上层和最下层之间堆叠包括铂(Pt)、镍(Ni)或铜(Cu)的扩散阻挡层。但是，实施方案不限于此。
第一电极131和第二电极132可以通过镀覆方案、沉积方案或光刻法选择性地形成，但是实施方案不限于此。
此外，第一电极131和第二电极132附接到用作导电连接构件的导线122，使得第一电极131和第二电极132与发光器件120电连接。
同时，如图1和2中所示，可以在本体110上形成阴极标记以区分第一电极131和第二电极132。但是，实施方案不限于此。
可以在本体110中的腔115的侧面上形成反射层180。
反射层180可以由包括Al、Ti、Cu、Ni或Au的合金制成。
形成反射层180，同时与设置在腔115的底表面上的第一电极131和第二电极132间隔开，并且不形成在腔115的侧面的上部区域113处。
如图1和2中所示，由于反射层180不形成在腔115的侧面的上部区域113上，所以树脂构件170可以在腔115的侧面的上部区域113处直接粘附到本体110。
如上所述，如果反射层180形成在腔115的侧面上，则可以防止由于构成本体110的树脂构件170的降解而引起的颜色变化所导致的光效率的降低。此外，反射层180形成在除了上部区域113之外的区域处，由此使得包括相似材料以表现出优异粘附性能的本体110和树脂构件170能够在上部区域113处彼此直接粘附，使得可以确保本体110与树脂构件170之间的气密性。
发光器件120可以安装在本体110上。如果本体110包括腔115，则发光器件120可以安装在腔115中。
根据发光器件封装件100的设计，可以在本体110上设置至少一个发光器件120。如果在本体120上安装有多个发光器件120，则可以形成多个电极以给发光器件封装件100供电，但是实施方案不限于此。
发光器件120可以直接安装在本体110上，或者在第一电极131和第二电极132上与第一电极131和第二电极132电连接。
可以通过选择性地使用引线接合方案、晶粒接合方案或倒装接合方案来安装发光器件120。接合方案可以根据芯片的类型和芯片的电极的位置变化。
发光器件120可以选择性地包括通过使用包括III-V族元素的化合物半导体如AlInGaN、InGaN、GaN、GaAs、InGaP、AlInGaP、InP和InGaAs制造的半导体发光器件。
如图2中所示，可以通过使用导电粘合剂将发光器件120附接到第二电极132，并且可以通过使用导线122附接到第一电极131。
发光器件120指定为垂直发光器件，并且包括导电支撑衬底21、接合层23、第二导电半导体层25、有源层27和第一导电半导体层29，如图3中所示。
导电支撑衬底21可以包括金属或导电半导体衬底。
在导电支撑衬底21上形成III-V族氮化物半导体层，用于半导体的生长设备包括电子束蒸发器、PVD(物理气相沉积)设备、CVD(化学气相沉积)设备、PLD(等离子体激光沉积)设备、双型热蒸发器、溅射设备或MOCVD(金属有机化学气相沉积)设备，但是实施方案不限于此。
接合层23可以形成在导电支撑衬底21上。接合层23将导电支撑衬底21与氮化物半导体层接合。此外，导电支撑衬底21可以通过镀覆方案而不是接合方案来形成。在这种情况下，可以不形成接合层23。
第二导电半导体层25可以形成在接合层23上。第二导电半导体层25可以与第一电极31电连接。
第二导电半导体层25可以包括III-V族化合物半导体。例如，第二导电半导体层25可以包括选自GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN和AlInN中的至少一种。第二导电半导体层25可以掺杂有第二导电掺杂剂。第二导电掺杂剂包括P型掺杂剂如Mg、Zn、Ca、Sr和Ba。
第二导电半导体层25可以包括通过提供包括P型掺杂剂的气体如NH3、TMGa(或TEGa)或Mg以预定厚度形成的P型GaN层。
第二导电半导体层25在预定区域处包括电流扩展结构。电流扩展结构包括表现出在水平方向上的电流扩展速度大于在垂直方向上的电流扩展速度的半导体层。
例如，电流扩展结构可以包括使掺杂剂的浓度或掺杂剂的导电性不同的半导体层。
第二导电半导体层25给在其上的另一层例如有源层27提供以均一分布扩展的载流子。
有源层27形成在第二导电半导体层25上。有源层27具有单量子阱结构(SQW)或多量子阱结构(MQW)。有源层27的一种堆叠结构可以选择性地包括InGaN/GaN堆叠结构、AlGaN/InGaN堆叠结构、InGaN/InGaN堆叠结构或AlGaN/GaN堆叠结构。
可以在第二导电半导体层25与有源层27之间形成第二导电覆层(未示出)。第二导电覆层可以包括P型GaN半导体。第二导电覆层可以包括能带隙高于阱层的能带隙的材料。
第一导电半导体层29形成在有源层27上。第一导电半导体层29可以包括掺杂有第一导电掺杂剂的N型半导体层。N型半导体层可以包括化合物半导体如GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN和AlInN中的一种。第一导电掺杂剂是N型掺杂剂，并且可以包括Si、Ge、Sn、Se和Te中的至少一种。
第一导电半导体层29可以包括通过提供包括N型掺杂剂的气体如NH3、TMGa(或TEGa)或Si以预定厚度形成的N型GaN层。
此外，第二导电半导体层25可以包括P型半导体层，第一导电半导体层29可以包括N型半导体层。发光结构可以包括N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构和P-N-P结结构中的一种。在下文中，出于示意性的目的，将描述半导体层的最上层是第一导电半导体层29的情况。
第一电极131和/或电极层(未示出)可以形成在第一导电半导体层29上。电极层可以包括氧化物基透射层或氮化物基透射层。例如，电极层可以包括选自ITO(铟锡氧化物)、ITON(铟锡氮氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、IZON(铟锌氮氧化物)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟铝锌氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、AZO(铝锌氧化物)、ATO(锑锡氧化物)、GZO(镓锌氧化物)、IrOx、RuOx和NiO中的一种。电极层可以用作能够扩展电流的电流扩展层。
此外，电极层可以包括反射电极层。反射电极层可以包括选自Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf及其选择性组合中的材料。第一电极可以包括在单层结构或多层结构中的金属层。例如，金属层可以包括选自Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf或其合金中的至少一种材料。
可以在本体110上安装多个发光器件120。
此外，在腔115中形成树脂构件170，使得腔115填充有树脂构件170。
树脂构件170包括表现出透射性的材料，并且形成到本体110的上部。
树脂构件170具有其中荧光物质分布在透射树脂中的结构。荧光物质改变从发光器件120发出的光的波长并且发出具有不同波长的光。
如上所述，树脂构件170在腔115的上部区域113处直接粘附到本体110，使得可以确保本体110与树脂构件170之间的气密性，以阻止外部湿气和外部空气的流入。
例如，在发光器件120是蓝光发光二极管并且荧光物质表现出黄色时，蓝光激发黄色荧光物质以生成白光。在发光器件120辐射紫外线时，添加表现出红色、绿色和蓝色三种颜色的荧光物质以实现白光。
在下文中，将参考图4和5描述本公开的另一实施方案。
参考图4，发光器件封装件100A包括：本体110、设置在本体110上的至少一个发光器件120、以及设置在本体110上的第一电极131和第二电极132使得第一电极131和第二电极132与发光器件120电连接。
此外，发光器件封装件100A包括树脂构件170以保护发光器件120。
本体110可以包括树脂材料如聚邻苯二甲酰胺(PPA)、硅(Si)、金属材料、光敏玻璃(PSG)、蓝宝石(Al2O3)和印刷电路板(PCB)中的至少一种。优选地，本体110可以包括树脂材料如PPA。
本体110可以包括具有导电性的导体。如果本体110包括具有导电性的导体，则可以在本体110的表面上形成绝缘层(未示出)以防止本体110与第一电极131和第二电极132短路。在俯视图中观察时，根据发光器件封装件100的用途和设计，本体110的周边可以具有各种形状如三角形、矩形、多边形和圆形。
可以在本体110中形成腔115以使本体110的上部112开放。例如，腔115可以通过注模或通过蚀刻来形成。
腔115可以具有杯形或凹陷的容器形状。腔115的内侧面可以垂直于腔115的底表面或者可以是倾斜的。如果腔115通过相对于本体110进行湿蚀刻而倾斜，则腔115可以具有约50°至约60°的倾斜角。
此外，在俯视图中观察时，腔115可以具有圆形、矩形、多边形或椭圆形。
第一电极131和第二电极132可以形成在本体110上。第一电极131和第二电极132可以被电分开为阳极和阴极以给发光器件120供电。同时，除了第一电极131和第二电极132以外，根据发光器件120的设计，还可以在本体110上形成多个电极，但是实施方案不限于此。
同时，第一电极131和第二电极132彼此分离并且暴露在腔115中。如图2中所示，第一电极131和第二电极132可以延伸到本体110的背表面同时包围本体110的侧面，但是实施方案不限于此。
第一电极131和第二电极132可以形成为单层结构。例如，第一电极131和第二电极132可以包括：包括Cu、Cr、Au、Al、Ag、Sn、Ni、Pt和Pd中的至少一种的金属或其合金。
此外，第一电极131和第二电极132可以形成为多层结构。例如，第一电极131和第二电极132可以包括通过依次堆叠Ti、Cu、Ni和Au形成的Ti/Cu/Ni/Au层，但是实施方案不限于此。
换言之，在第一电极131和第二电极132的最下层中堆叠表现出与本体具有优异粘附强度的材料如Ti、Cr或Ta，在第一电极131和第二电极132的最上层中堆叠容易附接到导线等并且表现出优异导电性的材料如Au，在第一电极131和第二电极132的最上层和最下层之间堆叠包括Pt、Ni或Cu的扩散阻挡层。但是，实施方案不限于此。
第一电极131和第二电极132可以通过镀覆方案、沉积方案或光刻法选择性地形成，但是实施方案不限于此。
此外，第一电极131和第二电极132附接到用作导电连接构件的导线122，使得第一电极131和第二电极132与发光器件120电连接。
同时，如图1和2中所示，可以在本体110上形成阴极标记以区分第一电极131和第二电极132。但是，实施方案不限于此。
可以在本体110中的腔115的侧面上形成反射层180。
反射层180可以包括籽层182和银镀层181。
籽层182包括表现出对于本体110的优异粘附性能的金属材料。籽层182可以包括Al、Ti、Cu、Ni、Au、Pt或Rh的合金。
银镀层181形成在籽层182上。
在形成银镀层181时，可以通过使用籽层182作为籽进行镀覆工艺来形成银镀层181。
在形成银镀层181时，可以在银镀层181的表面上形成预定的图案，或者可以在银镀层181的表面上不规则地形成图案。但是，实施方案不限于此。此外，由于图案引起的光散射，所以可以改善光发射效率。图案可以具有凸起的形状如突出部或凹陷的形状，但是实施方案不限于此。图案可以具有半圆形或者多边形如三角形或矩形中的一种，但是实施方案不限于此。
形成反射层180，同时与设置在腔115的底表面上的第一电极131和第二电极132间隔开，并且不形成在腔115的侧面的上部区域113处。
如图1和2中所示，由于反射层180不形成在腔115的侧面的上部区域113上，所以树脂构件170可以在腔115的侧面的上部区域113处直接粘附到本体110。
如上所述，如果反射层180形成在腔115的侧面上，则可以防止由于构成本体110的树脂构件的降解而引起的颜色变化所导致的光效率的降低。此外，反射层180形成在除了上部区域113之外的区域处，由此使得包括相似材料以表现出优异的粘附性能的本体110和树脂构件170在上部区域113处彼此直接粘附，使得可以确保本体110与树脂构件170之间的气密性。
发光器件120可以安装在本体110上。如果本体110包括腔115，则发光器件120可以安装在腔115中。
根据发光器件封装件100的设计，可以在本体110上安装至少一个发光器件120。如果在本体120上安装有多个发光器件120，则可以形成多个电极以给发光器件封装件100供电，但是实施方案不限于此。
发光器件120可以直接安装在本体110上，或者在第一电极131和第二电极132上与第一电极131和第二电极132电连接。
可以通过选择性地使用引线接合方案、晶粒接合方案或倒装接合方案来安装发光器件120。接合方案可以根据芯片的类型和芯片的电极的位置变化。
可以在本体110上安装多个发光器件120。
在腔115中形成树脂构件170，使得腔115填充有树脂构件170。
树脂构件170包括表现出透射性的材料，并且形成到本体110的上部。
树脂构件170具有荧光物质分布在透射树脂中的结构。荧光物质改变从发光器件120发出的光的波长，并且发出具有不同波长的光。
如上所述，树脂构件170在腔115的上部区域113处直接粘附到本体110，使得可以确保本体110与树脂构件170之间的气密性，以阻止外部湿气和外部空气的流入。
例如，在发光器件120是蓝光发光二极管并且荧光物质表现出黄色时，蓝光激发黄色荧光物质以生成白光。在发光器件120辐射紫外线时，添加表现出红色、绿色和蓝色三种颜色的荧光物质以实现白光。
同时，由于图5中示出的本体110、发光器件120和反射层180具有与之前的实施方案中相同的结构，因此将省略其细节。
如图5中所示，第一电极133包括容纳部以容纳发光器件120。容纳部向本体110的底表面凹陷，容纳部的顶表面可以具有圆形、矩形或椭圆形。
如图5中所示，可以通过反射层180来改善发光效率，其中反射层180形成在包括具有容纳部的第一电极133的发光器件封装件100B中，同时与第一电极133和第二电极134间隔开。
在下文中，将参考图6和7描述本发明的另一实施方案。
参考图6和7，发光器件封装件200包括：本体210、具有腔240的第一引线框231和第二引线框232、多个发光器件220以及导线222。
本体210可以包括树脂材料如聚邻苯二甲酰胺(PPA)、硅(Si)、金属材料、光敏玻璃(PSG)、蓝宝石(Al2O3)和印刷电路板(PCB)中的至少一种。优选地，本体210可以包括树脂材料如PPA。
本体210可以包括具有导电性的导体。如果本体210包括具有导电性的导体，则可以在本体210的表面上形成绝缘层(未示出)以防止本体210与第一引线框231和第二引线框232短路。在俯视图中观察时，根据发光器件封装件100的用途和设计，本体210的周边可以具有各种形状如三角形、矩形、多边形和圆形。
在本体210中的上部区域处设置开口区域215以放出光。
第一引线框231包括腔240。腔240具有从第一引线框231的顶表面凹陷的形状，例如杯结构或凹陷形状。腔240的侧面可以相对于腔240的底表面倾斜的或者可以相对于腔240的底表面垂直地弯曲的。
第二引线框232包括腔240，并且与第一引线框231具有相同的结构。
第一引线框231和第二引线框232的腔240设置在开口区域215下。
至少一个发光器件220设置在腔240中，并且附接到腔240的底表面。发光器件220通过导线222分别与第一引线框231和第二引线框232连接。发光器件220可以选择性地发出从紫外线波段到可见光波段的光。发光器件220可以发出表现出相同峰值波长的光、或者表现出不同峰值波长的光。发光器件220可以包括基于III-V族化合物半导体的LED芯片例如紫外(UV)LED芯片、蓝光LED芯片、绿光LED芯片、白光LED芯片和红光LED芯片中的至少一种。
第一引线框231和第二引线框232的底表面设置在本体210的底表面上。第一引线框231和第二引线框232的底表面通过连接构件如钎料与板上的焊盘连接以用作散热板。
可以在本体210中的开口区域215的侧面上形成反射层280。
反射层280可以由包括Al、Ti、Cu、Ni、Au、Pt或Rh的合金制成。
反射层280形成同时与设置在开口区域215的底表面上的第一引线框231和第二引线框232间隔开，并且不形成在开口区域215的侧面的上部区域213处。
如图6和7中所示，由于反射层280不形成在开口区域215的侧面的上部区域213上，因此树脂构件270在开口区域215的侧面的上部区域213处与本体210粘附。
如上所述，如果反射层280形成在开口区域215的侧面上，则可以防止由于构成本体210的树脂构件的降解而引起的颜色变化所导致光效率的降低。此外，反射层280形成在除了上部区域213之外的区域处，由此使得由相似材料制成以表现出优异粘附性能的本体210和树脂构件270在上部区域213处彼此直接粘附，使得可以确保本体210与树脂构件270之间的气密性。
如图6和图7中所示，树脂构件270形成为覆盖腔240。
树脂构件270可以通过分散透射材料来形成，但是实施方案不限于此。
在下文中，将参考图8描述本发明的又一实施方案。
发光器件封装件200A包括：本体210、具有腔240的第一引线框231和第二引线框232、多个发光器件220和导线222。
本体210可以包括树脂材料如聚邻苯二甲酰胺(PPA)、硅(Si)、金属材料、光敏玻璃(PSG)、蓝宝石(Al2O3)和印刷电路板(PCB)中的至少一种。优选地，本体210可以包括树脂材料如PPA。
本体210可以包括具有导电性的导体。如果本体210包括具有导电性的导体，则可以在本体210的表面上形成绝缘层(未示出)以防止本体210与第一引线框231和第二引线框232短路。在俯视图中观察时，根据发光器件封装件100的用途和设计，本体210的周边可以具有各种形状如三角形、矩形、多边形和圆形。
在本体210中的上部部分处设置开口区域215以放出光。
第一引线框231包括腔240。腔240具有从第一引线框231的顶表面凹陷的形状，例如杯结构或凹陷形状。腔240的侧面可以是相对于腔240的底表面倾斜的或者可以是相对于腔240的底表面垂直地弯曲的。
第二引线框232包括腔240，并且与第一引线框231具有相同的结构。
第一引线框231和第二引线框232的腔240设置在开口区域215下。
至少一个发光器件220设置在腔240中并且附接到腔240的底表面。发光器件220通过导线222与第一引线框231和第二引线框232连接。发光器件220可以选择性地发出从UV波段到可见光波段的光。发光器件220可以发出表现出相同峰值波长的光或者表现出不同峰值波长的光。发光器件220可以包括基于III-V族化合物半导体的LED芯片例如紫外LED芯片、蓝光LED芯片、绿光LED芯片、白光LED芯片和红光LED芯片中的至少一种。
第一引线框231和第二引线框232的底表面设置在本体210的底表面上。第一引线框231和第二引线框232的底表面通过连接构件如钎料与板上的焊盘连接以用作散热板。
可以在本体210中的开口区域215的侧面上形成反射层280A。
如图8中所示，在开口区域215的顶表面具有矩形形状时，开口区域215具有彼此面对的两个较长的面以及与较长的面相邻的两个较短的面。
各较长的面沿着其中两个发光器件220彼此平行布置的方向延伸。
反射层280A仅形成在上部区域215的一部分上，优选形成在较长的面上。
形成在较长的面上的反射层280A形成同时与设置在开口区域215的底表面上的第一电极231和第二电极232间隔开，并且不形成在开口区域215的侧面的上部部分213处。
反射层280A高于发光器件220。
如图8中所示，由于反射层280A不形成在开口区域215的侧面的上部区域213上，因此树脂构件270在开口区域215的侧面的上部部分213处与本体210粘附。
如上所述，如果反射层280A形成在开口区域215的侧面上，则可以防止由于构成本体210的树脂构件的降解引起的颜色变化导致光效率的降低。此外，反射层280A形成在除了上部区域213之外的区域处，由此使得包括相似材料以表现出优异的粘附性能的本体210和树脂构件270在上部区域213处彼此直接粘附，使得可以确保本体210与树脂构件270之间的气密性。
如图8中所示，树脂构件270形成为覆盖腔240。
树脂构件270可以通过分散透射材料来形成，但是实施方案不限于此。
在下文中，将参考图9描述本发明的又一实施方案。
发光器件封装件300包括：本体310、在本体310的表面上的由硅氧化物(SixOy)制成的绝缘层312、设置在本体310上的至少一个发光器件320、以及设置在本体310上并且与发光器件320电连接的第一电极331和第二电极332。
本体310可以包括以晶片级封装(WLP)制造的硅(Si)本体，其中腔315形成在硅晶片中，发光器件320安装在腔315中，并且发光器件320被封装。
腔315可以形成在本体310中以使本体310的上部开放。例如，腔315可以通过注模方案或蚀刻方案来形成。
腔315可以具有杯形或凹陷的容器形状。腔315的内侧面可以垂直于腔315的底表面或者可以是相对于腔315的底表面倾斜的。如果腔315通过相对于包括硅(Si)的本体310进行湿蚀刻而倾斜，则腔315可以具有约50°至约60°的倾斜角。
此外，在俯视图中观察时，腔315可以具有圆形、矩形、多边形或椭圆形。
绝缘层312可以形成在本体310的表面上。
绝缘层312防止由于外部电源导致的本体310与第一电极331和第二电极332之间的短路。
例如，绝缘层312可以包括选自SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy和Al2O3中的至少一种。优选地，绝缘层312可以包括硅氧化物(SiO2、SixOy)，但是实施方案不限于此。
如果本体310由Si制成，则绝缘层312可以通过热氧化方案以硅氧化物膜的形式来提供。此外，绝缘层312可以通过溅射方案、PECVD(等离子增强化学气相沉积)方案或电子束沉积方案来沉积，但是实施方案不限于此。
此外，绝缘层312可以形成在本体310的整个表面上，或者可以形成在至少用于第一电极331和第二电极332的区域中。但是，实施方案不限于此。
第一电极331和第二电极332可以形成在绝缘层312上。第一电极331和第二电极332可以被电分开为阳极和阴极以给发光器件120供电。同时，除了第一电极331和第二电极332以外，根据发光器件320的设计，还可以形成多个电极，但是实施方案不限于此。
第一电极331和第二电极332可以形成为单层结构。例如，第一电极331和第二电极332可以包括：包括Cu、Cr、Au、Al、Ag、Sn、Ni、Pt和Pd中的至少一种的金属或其合金。
此外，第一电极331和第二电极332可以形成为多层结构。例如，第一电极331和第二电极332可以包括通过依次堆叠钛(Ti)、铜(Cu)、镍(Ni)和金(Au)形成的Ti/Cu/Ni/Au层，但是实施方案不限于此。
换言之，在第一电极331和第二电极332的最下层中堆叠表现出相对于绝缘层312具有优异粘附强度的材料如Ti、Cr或Ta，在第一电极331和第二电极332的最上层堆叠容易附接到导线等并且表现出优异导电性的材料如Au，在第一电极331和第二电极332的最上层和最下层之间堆叠包括Pt、Ni或Cu的扩散阻挡层。但是，实施方案不限于此。
第一电极331和第二电极332可以通过镀覆方案、沉积方案或光刻法选择性地形成，但是实施方案不限于此。
此外，第一电极331和第二电极332可以包括电极本体部331a和332a以及从电极本体部331a和332a突出的延伸部331b和332b。延伸部331b和332b的宽度可以小于电极本体部331a和332a的宽度，并且仅延伸部331b和332b可以设置在本体310的腔315中。此外，延伸部331b和332b与导线322接合，使得第一电极331和第二电极332可以与发光器件320电连接。
反射层380可以与形成在本体310的顶表面上的绝缘层312、第一电极331和第二电极332间隔开。
反射层380形成在本体310的腔315的侧面上。
反射层380可以包括Al、Ti、Cu、Ni和Au的合金。
反射层380形成同时与设置在腔315的底表面上的第一电极331和第二电极332间隔开，并且反射层380不形成在腔315的侧面的上部处。
由于反射层380不形成在腔315的侧面的上部部分上，因此模制构件370可以在腔315的侧面的上部处直接附接到本体310。
发光器件320可以安装在本体310上。如果本体310包括腔315，则发光器件320可以安装在腔315中。
发光器件320可以直接安装在本体310的绝缘层312上，或者可以在第一电极331或第二电极332上与第一电极331或第二电极332电连接。
发光器件320可以通过选择性地使用引线接合方案、晶粒接合方案或倒装接合方案来安装。接合方案可以根据芯片的类型和芯片的电极的位置而变化。
可以在本体310上安装多个发光器件320。
发光器件320可以在第一电极331的延伸部331b上与第一电极331的延伸部331b电连接，并且可以通过导线322与第二电极332电连接。
例如，导线322具有与第二电极332的延伸部332b接合的一端以及与发光器件320接合的相对端。但是，实施方案不限于此。
根据实施方案的发光器件封装件适用于照明单元。照明单元包括其中布置有多个发光器件封装件的结构。照明单元包括图10中所示的显示装置和图11中所示的照明装置，并且适用于如照明灯、信号灯、车辆的前灯、电光板和指示器的单元。
图10是示出根据实施方案的显示装置1000的分解立体图。
参考图10，显示装置1000包括：导光板1041、用于给导光板1041提供光的发光模块1031、设置在导光板1041下的反射构件1022、设置在导光板1041上的光学片1051、设置在光学片1051上的显示面板1051以及用于容纳导光板1041、发光模块1031和反射板1022的底盖1011，但是实施方案不限于此。
可以将底盖1011、反射板1022、导光板1041和光学片1051定义为照明单元1050。
导光板1041可以使从发光模块1031提供的光扩散以提供表面光。导光板1041包括透明材料。例如，导光板1041可以包括选自丙烯酰基树脂如PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PC(聚碳酸脂)、COC(环状烯烃共聚物)和PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)树脂中的一种。
设置在导光板1041的至少一个侧面上的发光模块1031给导光板1041的至少一个侧面提供光。因此，发光模块1031用作显示装置1000的光源。
设置至少一个发光模块1031，并且在导光板1041的一个侧面处直接或间接地提供光。发光模块1031包括：衬底1033和根据实施方案公开的发光器件封装件100。发光器件封装件100可以以预定的距离布置在衬底1033上。衬底1033可以包括印刷电路板，但是实施方案不限于此。此外，衬底1033可以包括金属芯PCB(MCPCB)或柔性PCB(FPCB)，但是实施方案不限于此。如果发光器件封装件100安装在散热板或底盖1011的侧面上，则可以移除衬底1033。散热板的一部分可以与底盖1011的顶表面接触。因此，从发光器件封装件100生成的热量可以通过散热板放出到底盖1011。
在发光器件封装件100中，用于放出光的光出射表面在衬底1033上与导光板1041间隔开预定的距离，但是实施方案不限于此。发光器件封装件100可以直接或间接地给作为导光板1041的一个侧面的光入射部提供光，但是实施方案不限于此。
反射构件1022可以设置在导光板1041下。反射板1022将从导光板1041的底表面入射的光向上反射以给显示面板1061提供光，使得可以改善发照明单元1050的亮度。反射构件1022可以包括PET树脂、PC树脂或PVC树脂，但是实施方案不限于此。反射构件1022可以用作底盖1011的顶表面，但是实施方案不限于此。
底盖1011可以容纳导光板1041、发光模块1031和反射构件1022。为此，底盖1011可以包括具有上部开放的盒形的容纳部1012，但是实施方案不限于此。底盖1011可以与顶盖(未示出)耦接，但是实施方案不限于此。
底盖101可以包括金属材料或树脂材料，并且可以通过压模工艺或挤出模制工艺来制造。底盖1011可以包括表现出优异导热性的金属材料或非金属材料，但是实施方案不限于此。
显示面板1061例如是包括彼此相对的第一透明衬底和第二透明衬底的LCD面板，并且在第一衬底和第二衬底之间布置有液晶层。可以给显示面板1061的至少一个表面附接偏光板，但是实施方案不限于此。显示面板1061通过使得光能够穿过发光模块1031或阻挡光来显示信息。显示设备1000能够应用于各种便携式终端、笔记本电脑的监视器或图像显示装置如电视机。
光学片1051置于显示面板1061与导光板1041之间，并且包括至少一个透射片。光学片1051可以包括扩散片、水平/垂直棱镜片和增亮膜中的至少一种。扩散片扩散入射光，水平/垂直棱镜片将入射光汇聚到显示面板1061上，增亮片通过重新使用损失的光来改善光的亮度。此外，可以在显示面板1061上设置保护片，但是实施方案不限于此。
导光板1041和光学片1051可以用作发光模块1031的光学路径上的光学构件，但是实施方案不限于此。
图11是示出根据实施方案的照明装置1500的立体图。
参考图11，照明装置1500包括：壳1510、安装在壳1510中的发光模块1530、在发光模块1031的光学路径上的光学构件、以及安装在壳1510中以从外部电源接收电力的接线端子1520。
光学构件包括定位在壳1510的端部并且包括盖的光学片(未示出)，其中发光模块1530形成在光学路径上。
优选地，壳1510包括具有优异散热性能的材料。例如，壳1510包括金属材料或树脂材料。
发光模块1530可以包括衬底1532以及安装在衬底1532上的根据实施方案的发光器件封装件100。发光器件封装件100彼此间隔开或者以矩阵形式布置。
衬底1532可以包括印刷有电路图案的绝缘构件。例如，衬底1532包括PCB、MCPCB、FPCB、陶瓷PCB以及FR-4衬底。
此外，衬底1532可以包括有效地反射光的材料。可以在衬底1532的表面上形成涂覆层。此时，涂覆层具有白色或银色以有效地反射光。
在衬底1532上安装至少一个发光器件封装件100。各发光器件封装件100可以包括至少一个LED(发光二极管)芯片。LED芯片可以包括发出具有红色、绿色、蓝色或白色的可见光频带的光的LED以及发出紫外(UV)光的UV LED。
可以将发光模块1530的发光器件封装件100不同地布置以提供不同的颜色和亮度。例如，可以布置白光LED、红光LED和绿光LED以实现高的显色指数(CRI)。
接线端子1520与发光模块1530电连接以给发光模块1530供电。接线端子1520具有与外部电源螺接的插座形状，但是实施方案不限于此。例如，接线端子1520可以制备为插入外部电源中的管脚形式或者通过导线与外部电源连接。
本说明书中对于“一个实施方案”、“实施方案”、“示例实施方案”等的任意引用表示结合实施方案描述的具体特征、结构或者特性包括在本发明的至少一种实施方案中。本说明书中的各个位置处出现这样的短语并非都涉及相同的实施方案。此外，在结合任意实施方案描述具体的特征、结构或者特性时，认为将这种特征、结构或者特性与实施方案的其它特征、结构或者特性结合在本领域技术人员的范围内。
虽然已经参照大量示意性实施方案描述了实施方案，但是应当理解，本领域技术人员可以在本公开的原理的精神和范围内设计出大量其它变化和实施方案。更具体地，可以在本公开、附图和所附权利要求的范围内对主题组合布置的部件和/或布置进行各种改变和变化。除部件和/或布置方面的改变和变化以外，替选用途对于本领域技术人员来说也是明显的。

Claims (23)

1.一种发光器件封装件，包括：
包括腔的本体；
在所述腔中的至少一个发光器件；
填充在所述腔中同时覆盖所述发光器件的树脂构件；以及
在所述腔的除了所述腔的侧面的上部区域之外的所述侧面上的反射层。
2.根据权利要求1所述的发光器件封装件，其中所述反射层使所述本体开放为使得所述本体在所述腔的所述侧面的上部区域处直接粘附到所述树脂构件。
3.根据权利要求1所述的发光器件封装件，其中所述反射层与所述腔的底表面间隔开。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件封装件，还包括在所述腔中的彼此间隔开的第一电极和第二电极。
5.根据权利要求4所述的发光器件封装件，其中所述反射层与所述第一电极和所述第二电极隔离开。
6.根据权利要求4所述的发光器件封装件，其中所述发光器件封装件包括多个发光器件，并且各发光器件设置在所述第一电极和所述第二电极中的至少之一上。
7.根据权利要求1至3和5中任一项所述的发光器件封装件，其中所述反射层包括在所述腔的所述侧面上的籽层、以及在所述籽层上的银镀层。
8.根据权利要求7所述的发光器件封装件，其中所述银镀层的表面上设置有突出部。
9.根据权利要求7所述的发光器件封装件，其中所述籽层包括选自Ti、Cu、Ni和Au中的至少一种。
10.根据权利要求1至2中任一项所述的发光器件封装件，其中所述本体包括硅构件以及覆盖所述硅构件的绝缘层。
11.根据权利要求10所述的发光器件封装件，其中所述绝缘层包括选自SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy和Al2O3中的至少一种。
12.根据权利要求10所述的发光器件封装件，其中所述反射层设置于在所述腔的所述侧面处的所述绝缘层上。
13.根据权利要求1所述的发光器件封装件，其中所述腔具有至少四个侧面。
14.根据权利要求13所述的发光器件封装件，其中所述反射层设置在所述腔的至少两个侧面上。
15.根据权利要求13所述的发光器件封装件，其中所述反射层设置在所述腔的四个侧面上。
16.根据权利要求1所述的发光器件封装件，其中所述腔具有沿着所述发光器件的布置方向延伸的两个较长的侧面以及与所述两个较长的侧面相邻的两个较短的侧面。
17.根据权利要求16所述的发光器件封装件，其中所述反射层设置在所述较长的侧面上。
18.根据权利要求6所述的发光器件封装件，其中所述反射层由与所述第一电极和所述第二电极相同的材料制成。
19.根据权利要求6所述的发光器件封装件，其中所述第一电极和所述第二电极安装所述发光器件。
20.根据权利要求19所述的发光器件封装件，其中所述第一电极和所述第二电极中设置有槽以安装所述发光器件。
21.根据权利要求6所述的发光器件封装件，其中所述本体由PPA制成。
22.根据权利要求1所述的发光器件封装件，其中所述反射层的高度高于所述发光器件的高度。
23.一种照明系统，包括：
根据权利要求1至5以及11至22中任一项所述的发光器件封装件。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106571418A (zh) * 2015-10-08 2017-04-19 世迈克琉明有限公司 半导体发光装置
CN106711307A (zh) * 2015-11-18 2017-05-24 世迈克琉明有限公司 用于半导体发光器件的框架
CN114187849A (zh) * 2021-12-09 2022-03-15 惠州华星光电显示有限公司 Led显示面板及显示设备

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8664681B2 (en) * 2012-07-06 2014-03-04 Invensas Corporation Parallel plate slot emission array
CN104078556B (zh) * 2013-03-28 2017-03-01 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构的制造方法
JP6675032B1 (ja) * 2019-07-08 2020-04-01 御田　護 半導体発光装置

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1399355A (zh) * 2001-07-25 2003-02-26 株式会社西铁城电子 发光二极管器件
CN1638164A (zh) * 2004-01-05 2005-07-13 株式会社东芝 光半导体装置
US20060102991A1 (en) * 2004-11-12 2006-05-18 Nichia Corporation Semiconductor apparatus
CN1893130A (zh) * 2005-07-04 2007-01-10 三星电机株式会社 具有改进的侧壁反射结构的侧光发光二极管
CN1934715A (zh) * 2004-03-23 2007-03-21 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 具有多部件的壳体的光电子组件
CN101071838A (zh) * 2006-05-11 2007-11-14 日亚化学工业株式会社 发光装置
CN101410997A (zh) * 2006-04-04 2009-04-15 日立协和技术工程公司 次载具及其制造方法
US20090101897A1 (en) * 2006-01-20 2009-04-23 Hymite A/S Package for a light emitting element
CN201243024Y (zh) * 2008-07-07 2009-05-20 何昆耀 发光二极管的无打线封装结构
CN102088054A (zh) * 2009-10-15 2011-06-08 Lg伊诺特有限公司 发光设备
CN102117878A (zh) * 2010-01-05 2011-07-06 Lg伊诺特有限公司 发光器件及其制造方法
KR101051065B1 (ko) * 2010-03-10 2011-07-21 일진반도체 주식회사 발광다이오드 패키지

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU3226101A (en) * 2000-02-09 2001-08-20 Nippon Leiz Corporation Light source
US6670648B2 (en) * 2001-07-19 2003-12-30 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device having a reflective case
US20040156177A1 (en) * 2003-02-12 2004-08-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Package of electronic components and method for producing the same
JP4062171B2 (ja) * 2003-05-28 2008-03-19 ソニー株式会社 積層構造の製造方法
KR100665178B1 (ko) * 2005-05-26 2007-01-09 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지 제조방법
KR101144557B1 (ko) * 2006-03-27 2012-05-11 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 조명장치 및 그 제조방법
US20070228386A1 (en) * 2006-03-30 2007-10-04 Jin-Shown Shie Wire-bonding free packaging structure of light emitted diode
KR100809210B1 (ko) * 2006-07-10 2008-02-29 삼성전기주식회사 고출력 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
JP2009117536A (ja) * 2007-11-05 2009-05-28 Towa Corp 樹脂封止発光体及びその製造方法
KR100992778B1 (ko) * 2008-05-23 2010-11-05 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
KR101007131B1 (ko) * 2008-11-25 2011-01-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
KR101091304B1 (ko) * 2010-01-20 2011-12-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조방법

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1399355A (zh) * 2001-07-25 2003-02-26 株式会社西铁城电子 发光二极管器件
CN1638164A (zh) * 2004-01-05 2005-07-13 株式会社东芝 光半导体装置
CN1934715A (zh) * 2004-03-23 2007-03-21 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 具有多部件的壳体的光电子组件
US20060102991A1 (en) * 2004-11-12 2006-05-18 Nichia Corporation Semiconductor apparatus
CN1893130A (zh) * 2005-07-04 2007-01-10 三星电机株式会社 具有改进的侧壁反射结构的侧光发光二极管
US20090101897A1 (en) * 2006-01-20 2009-04-23 Hymite A/S Package for a light emitting element
CN101410997A (zh) * 2006-04-04 2009-04-15 日立协和技术工程公司 次载具及其制造方法
CN101071838A (zh) * 2006-05-11 2007-11-14 日亚化学工业株式会社 发光装置
CN201243024Y (zh) * 2008-07-07 2009-05-20 何昆耀 发光二极管的无打线封装结构
CN102088054A (zh) * 2009-10-15 2011-06-08 Lg伊诺特有限公司 发光设备
CN102117878A (zh) * 2010-01-05 2011-07-06 Lg伊诺特有限公司 发光器件及其制造方法
KR101051065B1 (ko) * 2010-03-10 2011-07-21 일진반도체 주식회사 발광다이오드 패키지

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106571418A (zh) * 2015-10-08 2017-04-19 世迈克琉明有限公司 半导体发光装置
CN106711307A (zh) * 2015-11-18 2017-05-24 世迈克琉明有限公司 用于半导体发光器件的框架
CN114187849A (zh) * 2021-12-09 2022-03-15 惠州华星光电显示有限公司 Led显示面板及显示设备
CN114187849B (zh) * 2021-12-09 2024-03-15 惠州华星光电显示有限公司 Led显示面板及显示设备

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