CN102117878A - 发光器件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种发光器件及其制造方法。该发光器件包括：主体；绝缘层，该绝缘层位于所述主体的表面上；至少一个电极，该至少一个电极位于所述绝缘层上；发光二极管，该发光二极管连接到所述电极；以及反射层，该反射层位于所述绝缘层上方。

Description

发光器件及其制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求(2010年1月05日提交的)韩国专利申请No.10-2010-0000487的优先权，该韩国申请的全部内容在此通过引用通过引用的方式并入。
技术领域
实施例涉及一种发光器件及制造该发光器件的方法。
背景技术
发光二极管(LED)是将电流转换为光的半导体发光器件。LED能够产生具有高亮度的光，使得LED已经广泛作为用于显示装置、车辆、或者照明装置的光源。另外，LED能够通过采用磷光体或者把具有各种颜色的LED相组合来呈现具有优异光效率的白色。
为了提高LED的亮度和性能，已经进行多种尝试以改进光提取结构、有源层结构、电流分布、电极结构、以及发光二极管封装的结构。
发明内容
实施例提供具有新颖结构的发光器件及其制造方法。
实施例提供一种能够提高发光效率的发光器件。
根据实施例，发光器件包括：主体；绝缘层，该绝缘层位于所述主体的表面上；至少一个电极，该至少一个电极位于所述绝缘层上；发光二极管，该发光二极管连接到所述电极；以及反射层，该反射层位于所述绝缘层上方。
根据实施例，制造发光器件的方法包括：在主体的表面上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成至少一个电极；在所述绝缘层和电极上方形成反射层；以及，在所述主体上形成发光二极管。
附图说明
图1是示出根据第一实施例的发光器件的透视图；
图2是沿着图1的线A-A’截取的截面图；
图3是示出根据第一实施例的发光器件的顶视图；
图4至图10是示出制造根据第一实施例的发光器件的方法的截面图；
图11是示出根据第二实施例的发光器件的顶视图；
图12是示出根据第三实施例的发光器件的截面图；
图13是示出根据第四实施例的发光器件的截面图；
图14是示出根据第五实施例的发光器件的透视图；
图15是示出根据第六实施例的发光器件的透视图；
图16是示出图15的发光器件的截面图；
图17是示出包括根据实施例的发光器件的背光单元的透视图；并且
图18是示出包括根据实施例的发光器件的照明系统的透视图。
具体实施方式
在实施例的描述中，将会理解的是，当一个层(或膜)、区域、图案或结构被称为在另一基板、另一层(或膜)、另一区域、另一垫、或者另一图案“上”或“下”时，它可以“直接”或“间接”在另一基板、层(或膜)、区域、垫、或图案上方，或者也可以存在有一个或多个中间层。将参考附图来描述层的这种位置。
为了方便或清楚起见，附图所示的每个层的厚度和尺寸可以被夸大、省略或示意性绘制。另外，元件的尺寸并未完全反映真实尺寸。
在下文中，将参考附图来描述根据实施例的发光器件及其制造方法。
<实施例1>
图1是示出根据第一实施例的发光器件100的透视图，而图2是沿着图1的线A-A’截取的截面图。图3是示出发光器件100的顶视图。
参考图1和图3，发光器件100包括：主体10；绝缘层12，该绝缘层12形成在主体10的表面上并且包括硅氧化物(SixOy)；至少一个发光二极管20，该至少一个发光二极管20设置在主体10上；第一电极31和第二电极32，该第一电极31和第二电极32设置在主体10上并且电连接到发光二极管20；以及反射层40，该反射层40的至少一部分与绝缘层12的顶表面接触以反射从发光二极管20发射的光。
另外，如图2所示，发光器件100还可以包括密封剂50，以密封发光二极管20和在该密封剂50上方形成的透镜60，但本实施例不限于此。
反射层40的反射率可以根据与反射层40的下部接触的层的材料类型而变化。详细地，与反射层40的下部接触的层的表面形状或这两个层之间的折射率的差异导致了反射层40的反射率的变化。
例如，如果反射层40包括其中Ti和Ag被顺序地堆叠的Ti/Ag层，绝缘层12包括SiO2，并且第一电极31和第二电极32包括其中Ti、Cu、Ni、Au被顺序地堆叠的Ti/Cu/Ni/Au层，则与绝缘层12接触该反射层40的下部时相比，当第一电极31和第二电极32接触该反射层40的下部时，反射层40呈现较低的反射率。换句话说，与Au接触该反射层40的下部时相比，当SiO2与反射层40的下部接触时，反射层40呈现较高的反射率。
因此，根据实施例，减少反射层40与第一电极31及第二电极32之间的接触面积，并且增加反射层40与绝缘层12之间的接触面积，从而提高反射层40的反射率，并且提高发光器件100的发光效率。
在下文中，将详细描述发光器件100的部件和操作。
主体10可以包括Si、Al、AlN、AlOx、PSG(光敏玻璃)、Al2O3、BeO、PCB(印制电路板)或各种树脂，但本实施例不限于此。
例如，主体10可以通过注入成型来形成，或者可以包括由多个层堆叠而成的堆叠结构。
如果主体10包括Si，则通过注入导电掺杂物，可以将诸如齐纳二极管的保护装置集成到主体10中，但本实施例不限于此。
主体10可以包括腔体15，从而该主体10的上部是敞开的。例如，可以通过注入成型或蚀刻来形成该腔体15。
腔体15可以具有杯子或凹形容器的形状。腔体15可以具有与主体10垂直的内侧横向表面或者相对于主体10倾斜的横向表面。如果通过对包括Si的主体10执行湿法蚀刻工艺来形成该倾斜表面，则该倾斜的横向表面可以具有50°至60°的倾斜角度。
腔体15的表面可以具有圆形形状、矩形形状、多边形形状或椭圆形形状。
绝缘层12可以形成在主体10的表面上。
绝缘层12防止主体10与第一电极31及第二电极32或外部电源电短路。因此，如果主体10包括诸如AlN或AlOx等的绝缘体，则可以不形成绝缘层12。
例如，绝缘层12可以包括从由以下项组成的组中选择的至少一个：Si02、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、以及Al2O3。优选地，绝缘层12可以包括SiO2或SixOy，但本实施例不限于此。
如果主体10包括Si，则通过热氧化方案，绝缘层12可以具有硅氧化物膜的形式。另外，可以通过溅射、PECVD(等离子体增强化学气相沉积)或者电子束沉来积形成绝缘层12，但本实施例不限于此。
绝缘层12可以形成在主体10的表面的整个区域上或者可以形成在第一电极31、第二电极32以及反射层40的区域处，但本实施例不限于此。
绝缘层12上可以设置有第一电极31和第二电极32。第一电极31和第二电极32分别电气地用作阴极和阳极，从而电力能够供应到发光二极管20。同时，根据发光器件100的设计，可以形成有除了第一电极31和第二电极32之外的多个电极，但本实施例不限于此。
第一电极31和第二电极32可以具有多层结构。例如，第一电极31和第二电极32可以包括Ti/Cu/Ni/Au层，在该Ti/Cu/Ni/Au层中，Ti、Cu、Ni和Au被顺序地堆叠。
对于绝缘层12呈现优异的粘合强度的诸如Ti、Cr或Ta等的材料堆叠在第一电极31和第二电极32的最下层上。诸如Au的材料堆叠在第一电极31和第二电极32的最上层上，从而电线能够容易地附接到该最上层。另外，包括Pt、Ni或Cu的扩散阻挡层可以堆叠在第一电极31和第二电极32的最上层与最下层之间，但本实施例不限于此。
可以通过电镀方案、沉积方案、或者光刻方案来选择性地形成第一电极31和第二电极32，但本实施例不限于此。
同时，如图1和图3所示，为了清楚地区别第一电极31和第二电极32，可以在主体10上方形成阴极标记70，但本实施例不限于此。
反射层40可以形成在第一电极31、第二电极32以及位于主体10的顶表面上的绝缘层12上方。反射层40可以形成在从发光二极管20发射的光能够被有效反射的位置处，例如，形成在主体10的腔体15的内部，但本实施例不限于此。
如果反射层40具有导电性，则反射层40可以使第一反射层41和第二反射层42电隔离，使得第一电极31和第二电极32彼此不会电短路。因此，第一反射层41和第二反射层42分别用作第一电极31和第二电极32。
反射层40可以具有多层结构。例如，反射层40可以包括其中Ti和Ag被顺序地堆叠的Ti/Ag层。
换句话说，反射层40的下层包括相对于绝缘层12或第一电极31及第二电极32呈现优异粘合强度的Ti、Cr及Ta中的至少一种，而反射层40的上层可以包括呈现高反射率的Al、Ag及Pd中的至少一种，但本实施例不限于此。
然而，反射层40的反射率可以根据构成与反射层40的下部接触的层的材料而变化。详细地，与反射层40的下部接触的层的表面形状或这两个层之间的折射率的差异导致了反射层40的反射率的变化。
例如，如果反射层40包括其中Ti和Ag被顺序地堆叠的Ti/Ag层，绝缘层12包括SixOy，并且第一电极31和第二电极32包括其中Ti、Cu、Ni、Au被顺序地堆叠的Ti/Cu/Ni/Au层，则与绝缘层12接触该反射层40的下部时相比，当第一电极31和第二电极32接触该反射层40的下部时，反射层40呈现较低的反射率。
详细地，当堆叠在第一电极31和第二电极32的最上层上的Au与反射层40的下部接触时，反射层40呈现90％或更小的反射率。相反，当包括SixOy的绝缘层12与反射层40的下部接触时，反射层40大约呈现100％的反射率。
因此，根据该实施例，如图1和图3所示，反射层40的至少一部分与绝缘层12接触，从而提高反射层40的反射率。
另外，根据该实施例，为了更多地提高反射层40的反射率，在增加反射层40与绝缘层12之间的接触面积的同时，通过改变第一电极31和第二电极32的形状来减少反射层40与第一电极31及第二电极32之间的接触面积。
例如，第一电极31和第二电极32可以包括电极主体部31a和32a以及从电极主体部31a和32a突出的延伸部31b和32b。延伸部31b和32b的宽度可以小于电极主体部31a和32a的宽度。可以仅将延伸部31b和32b设置在主体10的腔体15中。另外，作为导电连接构件的电线21和22被结合到延伸部31b和32b，使得第一电极31和第二电极32能够与发光二极管20电连接。
因此，由于除了设置有延伸部31b和32b的区域之外，反射层40能够与绝缘层12直接接触，所以能够提高反射层40的反射率。
同时，第一电极31和第二电极32设计成多种形状，使得反射层40的与第一电极31和第二电极32接触的第一区域的面积小于与绝缘层12接触的第二区域的面积。然而，本实施例不限于此。另外，反射层40可以设计成使得反射层40与绝缘层12之间的接触面积相当于主体10的顶表面面积的5％至100％。
发光二极管20可以安装在主体10上。如果主体10包括腔体15，则发光二极管20可以安装在腔体15中。
根据发光器件100的设计，可以在主体10上安装至少一个发光二极管20。如果在主体10上安装多个发光器件100，则可以形成多个电极和多个反射层，以将电力供应到发光器件100，但本实施例不限于此。
发光二极管20可以直接安装在主体10的绝缘层12上或者可以安装在芯片焊盘33上方。该芯片焊盘33可以包括Au、Cu、Ni、以及Ti中的至少一种。例如，芯片焊盘33可以包括与第一电极31及第二电极32的材料相同的材料。
同时，当反射层40形成在用于发光二极管20的区域上时，发光二极管20可以形成在反射层40上方。
通过使用诸如AuSn、PbSn或者In的焊接材料，发光二极管20能够容易地附接到位于主体10上的反射层40、绝缘层12和芯片焊盘33中的一个上。
发光二极管20可以包括发射红光、绿光、白光或蓝光的红色发光二极管、绿色发光二极管、白色发光二极管以及蓝色发光二极管中的至少一个彩色发光二极管，或者UV发光二极管，但本实施例不限于此。另外，在主体10上可以安装多个发光二极管20。
发光二极管20能够通过电线21和22电连接到第一电极31和第二电极32。例如，电线21和22的一个末端结合到第一电极31和第二电极32的延伸部31b和32b，而电线21和22的另一相反末端可以结合到发光二极管20，但本实施例不限于此。
在这种情况下，反射层40可以不形成在电线21和22的结合部分中，使得第一电极31和第二电极32能够容易地结合到电线21和22。
如果反射层40具有优异的导电性，并且第一反射层41和第二反射层42彼此电隔离，则电线21和22可以结合到第一反射层41和第二反射层42。在这种情况下，可以通过第一反射层41和第二反射层42将电力从第一电极31和第二电极32供应到发光二极管20。
同时，如果发光器件100形成有多个电极，则反射层40可以包括彼此电气隔离的多个反射层，但本实施例不限于此。
腔体15可以填充有密封剂50。换句话说，密封剂50可以密封发光二极管20。
密封剂50可以包括硅材料、树脂材料、或者磷光体。
透镜60可以形成在主体10上方。
尽管透镜60具有图2中的圆拱形形状，但根据发光器件100的设计，透镜60可以具有各种形状。因此，透镜60可以不同地调节从发光二极管20发射的光的发出。
在下文中，将详细描述制造根据第一实施例的发光器件100的方法。然而，为了避免重复，将省略其重复描述。
图4至图10是示出制造根据第一实施例的发光器件100的方法的视图。
参考图4，绝缘层12形成在主体10的表面上。在这种情况下，主体10内可以设置有腔体15。
例如，主体10可以通过注入成型而形成或者可以通过堆叠多个层而形成。腔体15可以在主体10的注入成型过程中形成或者可以通过另外的蚀刻工艺而形成。
参考图5和图6，第一电极31和第二电极32可以形成在主体10的绝缘层12上。第一电极31和第二电极32电气地用作阴极和阳极，以将电力供应到发光二极管20。
第一电极31和第二电极32可以具有多层结构。例如，第一电极31和第二电极32可以包括Ti/Cu/Ni/Au层，在该Ti/Cu/Ni/Au层中，Ti、Cu、Ni以及Au被顺序地堆叠。
可以通过电镀方案、沉积方案、或者光刻方案来选择性地形成第一电极31和第二电极32，但本实施例不限于此。
第一电极31和第二电极32可以包括电极主体部31a和32a以及从该电极主体部31a和32a突出的延伸部31b和32b。例如，如图6所示，延伸部31b和32b可以设置在主体10的腔体15中，而电极主体部31a和32a可以设置在腔体15的外部。然而，第一电极31和第二电极32可以具有各种形状。
在下述过程中，电线21和22被结合到延伸部31b和32b，使得第一电极31和第二电极32能够电连接到发光二极管20。
芯片焊盘33可以形成在主体10的绝缘层12的附接到发光二极管20的区域上方。芯片焊盘33可以包括从由以下项组成的组中选择的至少一个：Au、Cu、Ni、以及Ti。例如，芯片焊盘33可以包括与第一电极31和第二电极32的材料相同的材料。
参考图7和图9，反射层40可以形成在位于主体10上的第一电极31、第二电极32以及绝缘层12上方。反射层40可以形成在从发光二极管20发射的光能够被有效反射的位置处，例如，形成在主体10的腔体15的内部，但本实施例不限于此。
反射层40可以通过沉积方案、电镀方案、以及光刻方案中的至少一个来形成，但本实施例不限于此。
与绝缘层12接触该反射层40的下部时相比，当第一电极31及第二电极32与反射层40的下部接触时，反射层40可能呈现较低的反射率。
因此，根据该实施例，反射层40的至少一部分与绝缘层12接触，从而能够提高反射层40的反射率。
如果反射层40具有导电性，则反射层40被电气地分为第一反射层41和第二反射层42，使得第一电极31和第二电极32彼此不短路。
另外，在用于发光二极管20附接的区域或者用于电线21和22结合的区域中，可以不形成反射层40，但本实施例不限于此。
反射层40可以具有多层结构。例如，反射层40可以包括Ti和Ag被顺序地形成的Ti/Ag层。
参考图8和图9，发光二极管20可以安装在主体10上。另外，发光二极管20可以通过电线21和22电连接到第一电极31和第二电极32。
发光二极管20可以直接安装在主体10的绝缘层12上。另外，发光二极管20可以安装在芯片焊盘33或反射层40上方。在这种情况下，通过使用诸如AuSn、PbSn或者In的焊接材料，发光二极管20能够容易地附接到位于主体10上的反射层40、芯片焊盘33和绝缘层12中的一个上。
电线21和22可以直接附接到第一电极31和第二电极32，或者可以结合到第一反射层41和第二反射层42，但本实施例不限于此。
参考图8和图10，主体10的腔体15填充有密封剂50以密封发光二极管20，并且透镜60形成在主体10和密封剂50上方，从而提供发光器件100。
<实施例2>
在下文中，将描述根据第二实施例的发光器件100B，但仅集中于发光器件100B的部件，并且为了避免重复，将不进一步描述与第一实施例的结构相同的其它结构。
除了第一电极和第二电极的结构之外，根据第二实施例的发光器件100B与根据第一实施例的发光器件100完全相同。
图11是示出根据第二实施例的发光器件100B的顶视图。
参考图11，发光器件100B包括：主体110，该主体110具有腔体115；绝缘层112，该绝缘层112位于主体110的表面上，并包括SixOy；发光二极管120，该发光二极管120设置在主体110上；第一电极131和第二电极132，该第一电极131和第二电极132设置在腔体115的外部并且电连接到发光二极管120；以及反射层140，该反射层140包括形成在腔体115的外部和内部的第一反射层141和第二反射层142，该反射层140将第一电极131和第二电极132电连接到发光二极管120，并且反射从发光二极管120发射的光。
不同于根据第一实施例的发光器件100，第一电极131和第二电极132的延伸部未形成在腔体115中。
换句话说，第一电极131和第二电极132设置在主体110的腔体115的外部，并且，电力能够通过第一反射层141和第二反射层142供应到发光二极管120。
设置在腔体115内部的第一反射层141及第二反射层142与绝缘层112接触以呈现高的反射率。特别地，由于第一电极131和第二电极132未设置在腔体115中，所以增加了第一反射层141及第二反射层142与绝缘层112之间的接触面积，从而能够提高发光器件100B的发光效率。
<实施例3>
在下文中，将描述根据第三实施例的发光器件100C，但仅集中于发光器件100C的部件，并且为了避免重复，将不进一步描述与第一实施例的结构相同的其它结构。
除了主体的形状和腔体的存在状态之外，根据第三实施例的发光器件100C与根据第一实施例的发光器件100完全相同。
图12是示出根据第三实施例的发光器件100C的截面图。
参考图12，发光器件100C包括：主体210；绝缘层212，该绝缘层212位于主体210的表面上，并包括SixOy；发光二极管220，该发光二极管220设置在主体210上方；第一电极231和第二电极232，该第一电极231和第二电极232设置在主体210上并且电连接到发光二极管220；以及反射层240，该反射层240反射从发光二极管220发射的光，其中，该反射层240的至少一部分与绝缘层212的顶表面接触。
发光器件100C还包括密封剂250，以密封发光二极管220和位于该密封剂250上方的透镜260。
主体210不包括腔体，而是可具有平坦的顶表面。
反射层240可以形成在能够有效反射从发光二极管220发射的光的位置处。例如，反射层240可以形成在主体210的包括发光二极管220的外周部的顶表面上。
与第一电极231和第二电极232接触该反射层240的下部时相比，当绝缘层212与反射层240的下部接触时，反射层240能够呈现高的反射率。
因此，优选地，第一电极231和第二电极232以使得反射层240与绝缘层212之间的接触面积增大的方式而形成。然而，第一电极231和第二电极232可以具有各种结构。
<实施例4>
在下文中，将描述根据第四实施例的发光器件100D，但仅集中于发光器件100D的部件，并且为了避免重复，将不进一步描述与第一实施例的结构相同的其它结构。
除了电极结构和发光器件100D的类型之外，根据第四实施例的发光器件100D的结构与根据第一实施例的发光器件100的结构完全相同。
图13是示出根据第四实施例的发光器件100D的截面图。
参考图13，发光器件100D包括：主体10，该主体10具有腔体15；绝缘层112，该绝缘层112位于主体10的表面上，并包括SixOy；第一电极31和第二电极32，该第一电极31和第二电极32设置在主体10上；发光二极管20，该发光二极管20位于第一电极31上方；反射层140，该反射层140包括第一反射层141和第二反射层142，以反射从发光二极管20发射的光，所述第一反射层141和第二反射层142形成在绝缘层12以及第一电极31和第二电极32上方。
发光二极管20可以包括竖直型发光器件，在该竖直型发光器件中，多个电极竖直布置。例如，如图13所示，一根电线22电连接到第二电极32，并且发光二极管20的底表面可以电连接到第一电极31。
<实施例5>
在下文中，将描述根据第五实施例的发光器件100E，但仅集中于发光器件100E的部件，并且为了避免重复，将不进一步描述与第一实施例的结构相同的其它结构。
除了电极结构之外，根据第五实施例的发光器件100E的结构与根据第一实施例的发光器件100的结构完全相同。
图14是示出根据第五实施例的发光器件100E的截面图。
参考图14，发光器件100E包括：主体10，该主体10具有腔体15；绝缘层112，该绝缘层112形成在主体10的表面上并且包括硅氧化物(SixOy)；第一电极31和第二电极32，该第一电极31和第二电极32设置在主体10上；发光二极管20，该发光二极管20位于腔体15的底表面上；以及反射层40，该反射层40包括第一反射层41和第二反射层42，以反射从发光二极管20发射的光，所述第一反射层41和第二反射层42形成在绝缘层12以及第一电极31和第二电极32上方。
第一电极31和第二电极32可以包括电极主体部31a和32a以及从该电极主体部31a和32a突出的延伸部31b和32b。延伸部31b和32b的宽度可以小于电极主体部31a和32a的宽度。延伸部31b和32b位于主体10的顶表面上，而电极主体部31a和32a可以设置在主体10的底表面和侧向表面上。
不同地，电极主体部31a和32a仅形成在主体10的底表面上，而延伸部31b和32b可以经由主体10的顶表面从主体10的横向表面延伸到腔体15的内部。
电线21和22被结合到延伸部31b和32b，以将第一电极31和第二电极32电连接到发光二极管20。
因此，由于除了设置有延伸部31b和32b的区域之外，反射层40可以与绝缘层12直接接触，所以即使在主体10的顶表面上也能够提高反射层40的反射率。
<实施例6>
在下文中，将描述根据第六实施例的发光器件100F，但仅集中于发光器件100E的部件，并且为了避免重复，将不进一步描述与第一实施例的结构相同的其它结构。
在根据第六实施例的发光器件100F中，发光二极管20通过作为导电联接构件的另一示例的导电焊料而结合。
图15是示出根据第六实施例的发光器件100F的透视图，并且图16是示出图15的发光器件100F的截面图。
参考图15和图16，发光器件100F包括主体10，该主体10具有腔体15；绝缘层12，该绝缘层12形成在主体10的表面上并且包括硅氧化物(SixOy)；第一电极31和第二电极32，该第一电极31和第二电极32设置在主体10的顶表面和后表面上；发光二极管20，该发光二极管20位于腔体15的底表面上；以及反射层40，该反射层40包括第一反射层41和第二反射层42，以反射从发光二极管20发射的光，所述第一反射层41和第二反射层42形成在绝缘层12以及第一电极31和第二电极32上方。
第一电极31和第二电极32可以包括：第一电极主体部31a和第二电极主体部32a，该第一电极主体部31a和第二电极主体部32a在主体10的后表面上彼此隔开；以及第一电极端子31b和第二电极端子32b，该第一电极端子31b和第二电极端子32b在主体10的腔体15的底表面上彼此隔开。电极端子31b和32b的宽度可以比第一电极主体部31a和第二电极主体部32a的宽度窄。第一电极端子31b和第二电极端子32b可以在腔体15的底表面处从发光二极管20突出。
第一电极端子31b和第二电极端子32b内设置有导电过孔26和27，以与形成在主体10的后表面上的第一电极主体部31a和第二电极主体部32a连接。
导电过孔26和27穿过绝缘层12和主体10，以使设置在主体10的上部处的电极端子31b和32b与设置在主体10的下部处的电极主体部31a和32a相连接。导电过孔26和27可以具有通孔的形式，或者可以具有填充有导电材料的过孔的形式。
反射层40覆盖电极端子31b和32b的上部。换句话说，在电极端子31b和32b彼此分离的区域中，第一反射层41和第二反射层42彼此分离，使得第一电极31与第二电极32电绝缘。
同时，反射层40包括开口，以使电极端子31b和32b暴露，并且在该开口中形成有导电焊料24和25，使得发光二极管20与第一电极端子31b和第二电极端子32b导电。
通过在该开口中制备的导电焊料24和25，使发光二极管20进行倒装芯片结合。
如上所述，电极31和32包括：电极端子31b和32b，该电极端子31b和32b形成在腔体15的底表面上；电极主体部31a和32a，该电极主体部31a和32a形成在主体10的后表面上；以及导电过孔26和27，该导电过孔26和27将电极端子31b和32b与电极主体部31a和32a连接，从而使腔体15中的电极端子31b和32b的面积最小。因此，能够使反射层40与绝缘层12之间的接触面积最大。另外，形成导电过孔26和27提高了散热性能。
另外，第一电极31和第二电极32可以包括如图1所示地围绕所述主体10的电极主体部和延伸部，并且可以进行倒装芯片结合。
根据实施例的发光器件可以用作诸如背光单元、指示器、灯或街灯等的照明系统。
在下文中，将参考图17和图18来描述本发明的实施例。
图17是示出包括根据本发明的发光器件的背光单元1100的透视图。
图17所示的背光单元1100是照明系统的示例，并且本实施例不限于此。
参考图17，背光单元1100包括：底盖1140；导光构件1120；以及发光模块1110，该发光模块1110安装在导光构件1120的一侧或底表面上。另外，反射片1130布置在导光构件1120下方。
底盖1140具有盒状形状，带有敞口的顶表面，该顶表面是打开的，以将导光构件1120、发光模块1110以及反射片1130容纳在该底盖1140内。另外，底盖1140可以包括金属材料或树脂材料，但本实施例不限于此。
发光模块1110可以包括安装在基板700上的多个发光器件600。这些发光器件600向导光构件1120提供光。
如图17所示，发光模块1110安装在底盖1140的至少一个内侧上，以向导光构件1120的至少一侧提供光。
另外，在底盖1140中，发光模块1110能够设置在导光构件1120下方，以朝着导光构件1120的底表面提供光。这种布置结构能够根据背光单元1100的设计而进行多种改变。
导光构件1120安装在底盖1140中。导光构件1120将发光模块110发射的光转换为表面光，以朝着显示面板(未示出)引导该表面光。
导光构件1120可以包括导光板。例如，通过使用诸如PMAA(聚甲基丙烯酸甲酯)的丙烯酸基树脂、PET(聚对苯二甲酸乙二酯)、COC、PC(聚碳酸酯)或者PEN(聚萘二甲酸乙二酯)树脂，能够制造该导光板。
在导光构件1120上可以设置有光学片1150。
光学片1150可以包括漫射片、聚光片、亮度增强片、以及荧光片中的至少一种。例如，光学片1150具有由漫射片、聚光片、亮度增强片以及荧光片堆叠而成的堆叠结构。在这种情况下，漫射片使从发光模块1110发射的光均匀地漫射，从而能够通过聚光片将漫射的光聚集在显示面板(未示出)上。由聚光片输出的光被随机地偏振并且亮度增强片增加从聚光片输出的光的偏振程度。聚光片可以包括水平棱镜片和/或竖直棱镜片。另外，该亮度增强片可以包括双亮度增强膜并且该荧光片可以包括透射膜或透射板，该透射膜或透射板包括磷光体。
反射片1130能够布置在导光构件1120下方。反射片1130使所发射的穿过导光构件1120的底表面的光朝着导光构件1120的出光表面反射。反射片1130可以包括诸如PET树脂、PC树脂或PVC树脂的具有高反射率的树脂材料，但本实施例不限于此。
图18是示出包括根据实施例的发光器件的照明系统1200的透视图。图18所示的照明系统1200仅是一个示例，并且本实施例不限于此。
参考图18，照明系统1200包括：壳体1210；发光模块1230，该发光模块1230安装在壳体1210中；以及连接端子1220，该连接端子1220安装在壳体1210中，以接收来自于外部电源的电力。
优选地，壳体1210包括具有优异散热性能的材料。例如，壳体1210包括金属材料或树脂材料。
发光模块1230可以包括基板700和安装在基板700上的至少一个发光器件600。
基板700包括印制有电路图案的绝缘构件。例如，基板700包括PCB(印刷电路板)、MC(金属芯)PCB、F(柔性)PCB、或者陶瓷PCB。
另外，基板700可以包括有效反射光的材料。基板700的表面可以涂覆有诸如白色或银色的颜色，以有效反射光。
至少一个发光器件600能够安装在基板700上。
每个发光器件600均可以包括至少一个LED(发光二极管)。该LED可以包括发射具有红色光、绿色光、蓝色光或白色光的彩色LED和发射UV光的UV(紫外线)LED。
发光模块1230的LED能够布置成各种构造，以提供各种颜色和亮度。例如，可以布置白光LED、红光LED以及绿光LED，以实现高显色指数(CRI)。另外，在从发光模块1230发射的光的路径中可以设置有荧光片，以改变从发光模块1230发射的光的波长。例如，如果从发光模块1230发射的光具有蓝光的波长带，则该荧光片可以包括黄色磷光体。在这种情况下，从发光模块1230发射的光穿过该荧光片，使得该光看起来为白光。
连接端子1220电连接至发光模块1230以向发光模块1230供应电力。参考图14，连接端子1220具有与外部电源螺纹联接的插口的形状，但本实施例不限于此。例如，连接端子1120能够制备成插头的形式，该插头插入到外部电源中或者通过电线连接至外部电源。
根据如上所述的照明系统，导光构件、漫射片、聚光片、亮度增强片以及荧光片中的至少一个设置在从发光模块发射的光的路径中，从而能够实现期望的光学效果。
图17和图18的背光单元1100和照明系统1200包括发光模块1110和1230，该发光模块1110和1230包括图1至图16的发光器件，从而能够获得优异的光效率。
实施例能够提供一种具有新颖结构的发光器件及其制造方法。
在本说明书中任何对于“一个实施例”、“一实施例”、“示例性实施例”等的引用均意味着结合实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在本发明的至少一个实施例中。在说明书中各处出现的这类短语不必都表示同一实施例。此外，当结合任何实施例来描述特定特征、结构或特性时，认为结合这些实施例中的其它实施例来实现这种特征、结构或特性也在本领域技术人员的理解范围内。
虽然已经参照其多个示例性实施例描述了实施例，但应当理解，本领域的技术人员可以构思出许多将落入本公开内容的原理的精神和范围内的其它修改和实施例。尤其是，在本公开内容、附图和所附权利要求的范围内，主题组合布置结构的组成部件和/或布置结构方面的各种变化和修改都是可能的。对于本领域的技术人员来说，除了所述组成部件和/或布置结构的变化和修改之外，替代用途也将是显而易见的。

Claims (15)

1.一种发光器件，包括：
主体；
绝缘层，所述绝缘层位于所述主体的表面上；
至少一个电极，所述至少一个电极位于所述绝缘层上；
发光二极管，所述发光二极管连接到所述电极；以及
反射层，所述反射层位于所述绝缘层上方，
其中，所述反射层包括位于所述电极上方的第一区域和位于所述绝缘层上方的第二区域。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述绝缘层包括SixOy。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，与所述反射层形成在所述电极上方时相比，当所述反射层形成在所述绝缘层上方时，所述反射层呈现较高的反射率。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述反射层具有由Ti和Ag堆叠而成的堆叠结构。
5.根据权利要求4所述的发光器件，其中，所述电极的最上层包括Au。
6.根据权利要求5所述的发光器件，其中，所述电极具有由Ti、Cu、Ni和Au堆叠而成的堆叠结构。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述主体内设置有腔体。
8.根据权利要求7所述的发光器件，其中，所述电极包括电极主体部和延伸部，所述延伸部设置在所述腔体中同时从所述电极主体部突出，并且，所述反射层形成在所述延伸部和所述绝缘层上方。
9.根据权利要求7所述的发光器件，其中，所述电极形成在所述腔体的外部，并且，所述反射层形成在所述腔体的内部和外部以将所述电极电连接到所述发光二极管。
10.根据权利要求8所述的发光器件，其中，所述发光二极管通过导电连接构件电连接到所述延伸部。
11.根据权利要求9所述的发光器件，其中，所述发光二极管通过导电连接构件电连接到所述反射层。
12.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述反射层包括彼此分离的多个反射层。
13.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述反射层的所述第二区域大于所述反射层的所述第一区域。
14.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述反射层与所述绝缘层之间的接触面积相当于所述主体的顶表面面积的5％至100％。
15.一种照明系统，包括：
基板；以及
发光模块，所述发光模块包括根据权利要求1至14中的一项所述的发光器件。
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Effective date of registration: 20210816

Address after: 168 Changsheng North Road, Taicang City, Suzhou City, Jiangsu Province

Patentee after: Suzhou Leyu Semiconductor Co.,Ltd.

Address before: Seoul, South Kerean

Patentee before: LG INNOTEK Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: 215499 No. 168, Changsheng North Road, Taicang City, Suzhou City, Jiangsu Province

Patentee after: Suzhou Liyu Semiconductor Co.,Ltd.

Address before: 215499 No. 168, Changsheng North Road, Taicang City, Suzhou City, Jiangsu Province

Patentee before: Suzhou Leyu Semiconductor Co.,Ltd.

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Denomination of invention: Light emitting device and its manufacturing method

Effective date of registration: 20230630

Granted publication date: 20150729

Pledgee: Agricultural Bank of China, Limited by Share Ltd, Taicang branch

Pledgor: Suzhou Liyu Semiconductor Co.,Ltd.

Registration number: Y2023980047118

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