CN103117348A - 发光器件以及具有发光器件的照明装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了发光器件及具有发光器件的照明装置。发光器件包括：多个引线框；具有反射率的第一本体，第一本体设置在引线框的顶表面上并且在多个引线框的顶表面的预定区域处具有开放区域；具有透射率的第二本体，第二本体具有与第一本体的开放区域对应的第一开口并且设置在第一本体的顶表面上；在多个引线框中的至少一个引线框上并且在第二本体的第一开口中露出的发光芯片；以及设置在第二本体的第一开口中以覆盖发光芯片的第一树脂层。

Description

发光器件以及具有发光器件的照明装置
根据美国法典第35条119(a)款，本申请要求在2011年11月16日提交的韩国专利申请号10-2011-0119822的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
实施方案涉及发光器件以及包括发光器件的照明装置。
背景技术
发光器件如发光二极管(LED)是将电能转化成光的半导体器件并且被广泛地用作代替常规荧光灯和辉光灯的下一代光源。
由于LED通过使用半导体器件生成光，所以与通过加热钨丝产生光的辉光灯或通过促使经由高压放电产生的紫外线碰撞磷光体来产生光的荧光灯相比，LED可以具有低功耗。
此外，LED通过使用半导体器件的势能间隙(potential gap)来产生光，因此LED相比常规光源在寿命、响应特性和环境友好性需求方面是有利的。
在这一点上，已经进行了各种研究以用LED取代常规光源。LED日益被用作照明装置如用于户内和户外的各种灯、液晶显示器、电子信号板以及路灯的光源。
发明内容
实施方案提供一种具有宽的光定向角的发光装置。
实施方案提供发光装置，其包括在发光芯片周围的反射率大于透射率的第一本体以及在第一本体上的透射率大于反射率的第二本体。
实施方案提供发光器件，其包括在发光芯片周围的具有透射率的第二本体以及具有在发光芯片上的凹陷部和朝发光芯片凹进的全反射面的光学透镜。
实施方案提供具有发光器件的照明装置。
根据实施方案，发光器件包括：多个引线框；反射率高于透射率的第一本体，第一本体设置在引线框的顶表面上并且在多个引线框的顶表面的预定区域处具有开放区域；透射率高于反射率的第二本体，第二本体具有与第一本体的开放区域对应的第一开口并且设置在第一本体的顶表面上；在从第二本体的第一开口中露出的多个引线框中的至少之一上的发光芯片；以及设置在第二本体的第一开口中以覆盖发光芯片的第一树脂层。
根据本实施方案，发光器件包括：具有腔的第一引线框；与第一引线框间隔开的第二引线框；反射率大于透射率的第一本体，第一本体设置在第一和第二引线框上，并且露出第一和第二引线框的顶表面的预定区域；透射率大于反射率的第二本体，第二本体具有与第一本体的中央区域对应的第一开口，并且设置在第一本体的顶表面上；设置在第一引线框的腔内并且电连接至第一和第二引线框的发光芯片；以及在腔内的第一树脂层。
根据本实施方案，提供一种照明装置，所述照明装置包括发光器件、其上布置有发光器件的模块衬底、以及在发光器件的至少一个侧面上的光学构件。
附图说明
图1是示出根据第一实施方案的发光器件的立体图；
图2是沿图1中示出的发光器件的线A-A截取的截面图；
图3是沿图1中示出的发光器件的线B-B截取的截面图；
图4是沿图1中示出的发光器件的线C-C截取的截面图；
图5是示出图2所示的发光器件中的引线框的立体图；
图6是示出图2所示的发光器件中的引线框和第一本体的组装的视图；
图7是示出图2的发光器件中的第一和第二本体的组装的视图；
图8是示出在图2的发光器件中的第一本体的顶表面的高度和第一本体的倾斜角的视图；
图9是示出根据第二实施方案的发光器件的横截面图；
图10是示出根据第三实施方案的发光器件的横截面图；
图11是示出根据第四实施方案的发光器件的横截面图；
图12是示出根据第五实施方案的发光器件的横截面图；
图13是示出根据第六实施方案的发光器件的横截面图；
图14是示出根据第七实施方案的发光器件的横截面图；
图15是示出图2的发光器件的光定向角的视图；
图16是示出根据实施方案的发光器件中的发光芯片的一个实例的截面图；
图17是示出根据本实施方案的发光器件中的发光芯片的另一实例的截面图；
图18是示出具有根据本实施方案的发光器件的显示装置的立体图；
图19是示出根据本实施方案的显示装置的截面图；
图20是具有发光器件的照明单元的立体图；以及
图21是示出具有根据本实施方案的发光器件的照明单元的另一实例的分解立体图。
具体实施方式
在下列描述中，当预定部分“包括/包含”预定部件时，预定部分不排除其它部件，而是还可以包括其它部件，除非另有说明。在实施方案的描述中，将会理解，当层、膜、区域、或板被称为在另一层、另一膜、另一区域或另一板“上”时，其可以“直接地”或“间接地”在其它层、其它膜、其它区域、其它板上，或者也可以存在一个或更多个中间层。相反，当部分被称为“直接地”在另一部分上时，则不存在中间层。
为了方便和清楚起见，在附图中示出的每层的厚度和尺寸可以被放大、省略或示意性地绘制。此外，元件的尺寸并不完全反映实际尺寸。在所有附图中，相同的附图标记将表示相同的元件。
图1是示出根据第一实施方案的发光器件的立体图，图2是沿图1中示出的发光器件的线A-A截取的截面图，并且图3是沿图1中示出的发光器件的线B-B截取的截面图。图4是沿图1中示出的发光器件的线C-C截取的截面图，并且图5是示出图2中示出的发光器件的引线框的立体图。
参考图1～5，发光器件100包括彼此间隔开的多个引线框121和131、具有上开放区域并形成在引线框121和131上的第一本体141、具有第一开口150、设置在第一本体141上并且包括与第一本体141的材料不同的材料的第二本体151、设置在引线框121和131中的至少一个引线框上并通过第一开口150露出的发光芯片161、在第一开口150处围绕发光芯片161的树脂层171、以及设置在树脂层171和第二本体151上的光学透镜181。
如图1所示，在发光器件100中，第一方向X可以限定为长度D4的方向，垂直于第一方向X的第二方向Z可以限定为宽度D3的方向，并且垂直于发光芯片161的顶表面的方向Y可以限定为光轴方向或发光芯片161的垂线方向。
发光器件100的长度D4可以是在引线框121和131的外表面之间的间隔。发光器件100的长度D4可以是第一本体141的两个侧边S1和S2之间的间隔。在该情况下，引线框121和131的外表面可以不朝向第一本体141的侧边S1和S2突出。引线框121和131的两个端部突出越过第一本体141的两个侧边S1和S2以便用焊膏与粘合构件(未示出)粘合。第一本体141的长度D2可以是侧边S1和S2之间的间隔，并且可以小于或等于发光器件100的长度D4。
发光器件100的宽度可以是第一本体141的宽度D3，并且第一本体141的宽度D3可以宽于引线框121和131中的每一个的宽度D1。如果第一本体141的宽度D3宽于引线框121和131中的每一个的宽度D1，则引线框121和131中的每一个都不会被露出，并且能够防止湿气渗透。此外，第一本体141的顶表面反射光，使得光的取向角可以增加。
引线框121和131包括第一引线框121和第二引线框131，如图2和5所示。第一引线框121包括第一槽123和第一孔122。第一槽123可形成为距离第一引线框121的顶表面的预置深度，并且限定在芯片区域A1的外周部处，其中芯片区域A1包括发光芯片161的接合区域。在该情况下，芯片区域A1的外周部可以是在芯片区域A1与第一引线框121的一个侧边之间、以及芯片区域A1与第一引线框121的两个或更多个的侧边之间的区域。第一槽123的深度可以低于没有第一槽123的第一引线框121的厚度，或者可以等于另一槽的深度。这表示第一引线框121的与第一槽123相反的底部可以是平坦的或突出。第一本体141的第三耦接部145可以与第一槽123耦接。
以彼此间隔开的方式布置多个第一孔122。孔122设置在第一槽123与第一引线框121的侧边之间。第一本体141的材料可以填充在各个第一孔122中。
第二引线框131包括第二槽133和第二孔132。第二槽133可以具有预置深度，并且可以沿第二引线框131的宽度D1的方向形成。此外，第二槽133的长度可以大于第二引线框131的长度D12。第二槽133的宽度可以大于空间即宽度G1以填充第一本体141的间隙。第二槽133可以形成在接合区域A2的外侧。换句话说，第二槽133可以对应于第一引线框121来形成。多个第二孔132布置在第二槽133的外侧并且彼此间隔开预定的距离。第二槽133和第二孔132可以填充有构成第一本体141的材料。第二槽133的深度可以低于没有第二槽133的第二引线框131的厚度，或者可以等于第二引线框131在其它区域中的厚度。这表示第二引线框131的与第二槽133相反的底部可以是平坦的或突出。
第一孔122和第二孔132中的一个或至少两个孔可以形成有具有如图2所示的较宽下部和较窄上部的宽度，但实施方案不限于此。第一孔122、第二孔132、第一槽123和第二槽133中的至少一个可以不形成在第一和第二引线框121和131中，但实施方案不限于此。此外，多个第一和第二槽123和133可以在引线框121和131中彼此间隔开，但实施方案不限于此。
第一引线框121的第一端部124对应于第二引线框131的第二端部134。第一端部124可以从第一引线框121的侧边朝向第二端部134突出，并且第二端部134可以从第二引线框131朝向第一端部124突出。第一和第二引线框121和131之间的间隙115是间隔G1并且可以宽于第一和第二端部124和134之间的间隔。由于减少了第一引线框121的第一端部124与第二引线框131的第二端部134之间的间隔，所以能够确保发光芯片161、第一导线166以及第二导线167的接合空间。或者，第一和第二端部124和134可以不突出。在该情况下，间隙115的间隔G1可以恒定的。
第一引线框121包括在第一端部124和第一引线框121的侧边处凹进的第一阶梯结构128。第一阶梯结构128可以通过蚀刻第一引线框121的底表面的预置区域来形成。例如，第一阶梯结构128可以通过蚀刻第一端部124的底表面以及第一引线框121的邻近第一本体141的第三和第四侧边S3和S4的侧边部的底表面来凹进。第一阶梯结构128可以形成在第一引线框121的底表面的至少一个侧边中，但实施方案不限于此。
第二引线框131包括在第二端部134和第二引线框131的侧边处凹进的第二阶梯结构138。第二阶梯结构138可以通过蚀刻第二引线框131的底表面的预置区域来凹进。例如，第二阶梯结构138可以通过蚀刻第二引线框131的第二端部134的底表面以及第二引线框131的邻近第一本体141的第三和第四侧边S3和S4的侧边部的底表面来形成。然而实施方案不限于此。
构成第一本体141的材料填充在第一和第二阶梯结构128和138中，由此防止湿气渗透并且支撑第一本体141的耦接。当与没有第一和第二阶梯结构128和138的区域相比时，每个引线框121或131的底表面的面积可以宽于每个引线框121和131的顶表面的面积。
尽管已经描述了使用两个引线框的第一实施方案，但是也可以形成三个引线框或多个引线框。此外，当从顶部观察时，第一和第二引线框121和131可以具有矩形形状或其它形状。此外，引线框121和131的至少一部分可以被弯曲，但实施方案不限于此。
第一引线框121的宽度D11可以长于第二引线框131的宽度D12。由于发光芯片布置在第一引线框121上，所以第一引线框121的顶表面的面积可以宽于第二引线框131的顶表面的面积。
第一和第二引线框121和131包括金属材料，例如钛(Ti)、铜(Cu)、镍(Ni)、金(Au)、铬(Cr)、钽(Ta)、铂(Pt)、锡(Sn)、银(Ag)和磷(P)中的至少之一。第一和第二引线框121和131可以包括单个金属层或不同的金属层，但实施方案不限于此。
如图2、3、5和6所示，第一本体141形成在第一和第二引线框121和131上。第一本体141将第一引线框121与第二引线框131物理地间隔开，并且固定地支撑第一和第二引线框121和131。
第一本体141可以填充在第一和第二引线框121和131的第一和第二槽123和133、第一和第二引线框121和131的第一和第二孔122和132、以及第一和第二引线框121和131之间的间隙中。此外，第一本体141可以在第一和第二引线框121和131的顶表面上形成预定的厚度。第一本体141的底表面可以与第一和第二引线框121和131平整(in line)对齐。第一本体141的顶表面147可以设置成高于第一和第二引线框121和131的顶表面。
第一本体141包括如下材料：其反射率相对于从发光芯片161发射的波长高于其透射率。例如，第一本体141可以包括具有至少70％的反射率的材料。如果构成第一本体141的材料具有至少70％的反射率，则构成第一本体141的材料可以包括反射性材料或非透射性材料。第一本体141可以包括基于树脂的绝缘材料，例如可以包括树脂材料如聚邻苯二甲酰胺(PPA)。或者，第一本体141可以包括热固性树脂(包括硅树脂、环氧树脂)、热固性树脂如塑性材料、高耐热材料或高耐光材料。如果第一本体141包括硅树脂或环氧树脂，则第一本体141包括具有金属氧化物的白树脂。金属氧化物包括例如TiO2、SiO2、或Al2O3的材料。
此外，第一本体141可选择性地包括酸酐、抗氧化剂、脱离剂、光学反射器、无机填充剂、固化催化剂、光稳定剂、润滑剂或二氧化钛。
第一本体141可以通过使用选自环氧树脂、改性环氧树脂、硅树脂、改性硅树脂、丙烯酸树脂和聚氨酯树脂中的至少之一来模制。例如，第一本体141可以通过使用B阶固态环氧树脂组合物来形成，该B阶固态环氧树脂组合物可通过如下方法获得：将环氧树脂如三缩水甘油酯或氢化双酚A二缩水甘油醚与酸酐促进剂如六氢邻苯二甲酸酐、3-甲基六氢邻苯二甲酸酐或4-甲基六氢邻苯二甲酸酐混合，然后在将用作硬化促进剂的DBU(1.8-二氮杂二环(5，4，0)十一烯-7)以及用作促进剂的乙二醇、钛氧化物颜料或玻璃纤维添加到环氧树脂中之后对该混合物进行部分硬化，但实施方案不限于此。
此外，遮光材料或分散剂被添加到第一本体141中，由此减少透射光。此外，为了具有预定的功能，第一本体141包括选自与热固性树脂混合的分散剂、颜料、磷光体、反射性材料、遮光材料、光稳定剂以及润滑剂中的至少之一。
第一本体141的顶表面147的面积可以大于第二本体151的底表面的面积。第一本体141支撑设置在顶表面147上的第二本体151。在第二本体151的底表面下的第一本体141的顶表面147能够有效地反射入射光，其中第一本体141的顶表面147显著大于第二本体151的底表面。因此，可以减少光损失并且可以增加光提取效率。
参考图6和8，第一本体141的位于引线框121和131的顶表面下的部分被定义为第一本体141的下部，并且第一本体141的位于引线框121和131的顶表面上的部分被定义为第一本体141的上部。此外，第一本体141分为内部区域B1和外部区域B2。内部区域B1靠近发光芯片161和/或开放区域150-1。外部区域B2设置在内部区域B1的外侧，并且邻近第一本体141的外表面。
第一本体141的内部区域B1的顶表面可以具有倾斜表面、凸表面或凹表面。内部区域B1的高度可以低于发光芯片161的顶表面的高度。在该情况下，内部区域B1的邻近外部区域B2的部分的厚度可以大于内部区域B1的邻近开放区域150-1的部分的厚度。内部区域B1的厚度可以是在引线框121和131的顶表面与内部区域B1的顶表面之间的间隔。内部区域B1的邻近外部区域B2的部分可以具有内部区域B1中的最大厚度，并且内部区域B的邻近开放区域150-1的部分可以具有内部区域B1中的最小厚度。
假设内部区域B1的厚度等于引线框121和131中的每一个的顶表面与内部区域B1的顶表面之间的间隔，则内部区域B1的厚度从发光芯片161朝外逐渐地增加。外部区域B2的顶表面从内部区域B1延伸，并且外部区域B2相对于第一和第二引线框121和131的顶表面的厚度T1大于内部区域B1的厚度。外部区域B2的厚度T1等于每一个121或131的顶表面与外部区域B2的顶表面之间的间隔，如图8所示。外部区域B2的顶表面可以具有平坦表面；其厚度从发光芯片161朝外逐渐地增加的倾斜表面；凸表面或凹表面。在该情况下，凸出结构是从发光芯片161的光轴向上突出的结构，并且凹进结构是从发光芯片161的光轴向下凹进的结构。
第一本体141的顶表面147与引线框121或131的顶表面之间的最大间隔是第一本体141的外部区域B2的厚度T1，并且厚度T1可以是至少50μm，例如可以在50μm至300μm之间的范围内。第一本体141的外部区域B2可以是第一本体141中最厚的区域μm。此外，第一本体141的顶表面147可以与发光芯片161的顶表面的水平延伸线对齐，或者可以与发光芯片161的顶表面的水平延伸线保持至少1μm的间隔(T2-T1)。因此，从发光芯片161发射的光能够被有效地反射。内部区域B1的厚度小于外部区域B2的厚度T2，使得从发光芯片161水平地定向的第二光L2能够被有效地反射。在该情况下，发光芯片161的厚度T2可以在80μm至500μm的范围内，例如可以在80μm至150μm的范围内，但实施方案不限于此。
第一本体141的内部区域B1的顶表面相对于引线框121或131的顶表面倾斜预定的角度。例如，内部区域B1的顶表面可以相对于引线框121或131的顶表面倾斜1°至25°的角度。
外部区域B2的顶表面可以平行于引线框121或131的顶表面。在该情况下，第一本体141的内部区域B1的顶表面的延伸线X1与垂直于发光芯片161的顶表面的垂线Y1之间的角度可以是89°或更小，例如可以在65°至89°的范围内。此外，第一本体141的内部区域B1的顶表面可以具有135°至180°的角度。发光器件的光定向角能够根据第一本体141的内部区域B1的顶表面的延伸线X1与垂直于发光芯片161的顶表面的垂线Y1之间的角度来调节。
如图2和6所示，第一本体141包括间隙部142以及第一至第四耦接部142、144、145和146。间隙部142设置在第一引线框121与第二引线框131之间的间隙115处。间隙部142的下部的宽度可以宽于间隙部142的上部的宽度。间隙142的顶表面可以与引线框121或131的顶表面平整布置，或者可以突出成高于引线框121或131的顶表面。在该情况下，如果间隙部142的顶表面突出成高于引线框121或131的顶表面，则间隙部142的上部形成为高于第一引线框121的第一端部124的顶表面以及第二引线框131的第二端部134的顶表面，由此防止了湿气渗透。
第一耦接部143形成在第一引线框121的第一孔122中，并且第二耦接部144形成在第二引线框131的第二孔132中。第三耦接部145形成在第一引线框121的第一槽123中，并且第四耦接部146形成在第二引线框131的第二槽133中。第一本体141可以通过间隙部142和耦接部143、144、145和146与第一和第二引线框121和131牢固地耦接。
第一本体141包括具有上开口部的开放区域150-1，并且开放区域150-1可以形成在第三和第四耦接部145和146内部。换句话说，第一和第二槽123和133可以形成第一本体141的开放区域150-1的边界区域。第三和第四耦接部145和146形成在第二引线框131的第一和第二槽123和133中，并且第三和第四耦接部145和146的顶表面可以是倾斜的、可以具有阶梯差异(step difference)，或者可以是平坦表面。
如图6和7所示，第一本体141的内侧部148从第一引线框121的第一槽123朝向开放区域150-1延伸，以增加第二本体151的内侧部152A的接触面积。此外，由于第一和第二本体141和151彼此耦接，所以能够提高第一和第二本体141和151的强度。
第一本体141是有效地反射发光芯片161的光的构件，并且可以包括树脂模制件。第一本体141包括具有开放的中央区域的区域150-1。第一和第二引线框121和131的顶表面可以通过开放区域150-1露出。开放区域150-1可以具有圆形形状或多边形形状。此外，开放区域150-1的一部分可以具有弯曲形状。第一本体141可以具有大致矩形形状。当从顶部观察时，第一本体141的外周部可以形成多边形形状。在从顶部观察时，尽管第一本体141具有矩形形状，但是第一本体141可以具有椭圆形状、圆形形状、或其它多边形形状。
如图1和2所示，第一本体141可以包括彼此相对的第一和第二侧边S1和S2以及与第一和第二侧边S1和S2邻近并彼此相对的第三和第四侧边S3和S4。第一至第四侧边S1至S4中的每一个均可以具有成角度的表面或弯曲表面。
第一引线框121的外侧部分从第一本体141的第一侧边S1突出，并且第二引线框131的外侧部分从第二侧边S2突出。如图1和4所示，第一本体141的第三和第四侧边S3和S4形成为朝外越过第一和第二引线框121和131的外侧部分。构成第一本体141的第三和第四侧边S3和S4的外侧部分149覆盖第一和第二引线框121和131的外表面。外侧部分149的下端部149A从第一本体141的外侧部分149沿第一和第二引线框121和131的底表面延伸，可以与如图5所示的阶梯结构128和138耦接.
如图2所示，第二本体151可以形成在第一本体141上。第二本体151可以包括透射性材料。例如，第二本体151可以包括硅基树脂或环氧基树脂。第二本体151可以通过注塑模制法形成，并且可以包括透明材料。因此，第二本体151允许从发光芯片161发射的第一和第二光L1和L2有效地从中通过。
第二本体151的外表面S5可以从光学透镜181的光出射表面182向内设置，并且可以与光学透镜181的光出射表面182的内侧部分接触。因此，可以增加第二本体151与光学透镜181之间的耦接强度。当从顶部观察时，第二本体151可以具有圆形形状。或者，当从顶部观察时，第二本体151可以具有多边形形状或椭圆形状，但实施方案不限于此。第二本体151的外表面S5可以是光出射区域。此外，第二本体151的外表面S5可以是相对于第一和第二引线框121和131的顶表面倾斜或垂直的表面。或者，第二本体151的外表面S5可以具有弯曲表面，例如，可以具有半球形状。弯曲外表面能够提供较宽的光出射表面。
第二本体151的宽度可以小于第一本体141的宽度D3，如图1所示。或者，第二本体151的宽度可以等于或大于第一本体141的宽度D3。因此，第一和第二本体141和151之间的接触面积增加，由此防止湿气渗透进入包括不同材料的第一和第二本体141和151之间的界面中，并且提高在第一和第二本体141和151之间的界面中接合的可靠性。
第二本体151包括第二热固性树脂，其相对于从发光芯片161发射的波长具有至少70％的透射率。第二热固性树脂可以包括选自硅树脂、透射性环氧树脂、改性环氧树脂、透射性硅树脂、改性硅树脂、丙烯酸酯树脂、以及聚氨酯树脂中的至少之一。第二本体151包括第二热固性树脂和选自填充剂、分散剂、颜料、磷光体、反射性材料中的至少之一的混合物，以具有预定的功能。此外，第二热固性树脂可以包括分散剂。例如，分散剂可优选包括钛酸钡、氧化钛、氧化铝和氧化硅。
如图6和7所示，第二本体151具有第一开口150，并且第一开口150具有露出引线框121和131的一部分的开放上部。第一开口150可以包括图5的芯片区域A1和接合区域A2。
第一开口150的宽度可以小于第一本体141的开放区域150-1的宽度。第二本体151的内侧边152可以垂直于第一引线框121或第二引线框131的顶表面，或者可以倾斜90°至180°的角度。
第二本体151的内侧边152可以比第一本体141的内侧边148更靠近发光芯片161，并且可以与引线框121和131的顶表面接触。此外，第二本体151的内侧边152A可以与第一本体141的顶表面接触以增加与第一本体141的粘合强度。此结构能够有效地防止湿气渗透。
第二本体151的内侧边152成为第一开口150的周向表面。第二本体151的内侧边152的高度可以厚于发光芯片161的厚度，并且可以高于图2所示的导线166和167的顶点。例如，内侧边152的厚度可以在大约250μm至500μm的范围内，但实施方案不限于此。当从顶部观察时，第一开口150可以具有彼此不同或彼此相等的X轴长度X和Z轴宽度，但实施方案不限于此。
如图7所示，可以在第二本体151的上部上形成凹凸结构、不平坦结构或阶梯差异结构。第二本体151具有在第二本体151的上部的内侧部分处突出的第一突出部153、设置在第二本体151的上部的外侧部分处的第二突出部155、以及形成在第一和第二突出部153和155之间的第三槽154。第一和第二突出部153和155可以突出不同的高度，并且第三槽154可以形成在低于第一突出部153的顶表面的深度处。第二本体151和光学透镜181之间的耦接强度可以通过形成在如图2所示的第二本体151的上部处的第一突出部153、第二突出部155以及第三槽154来增加。
如图2所示，一个或多个发光芯片161可以设置在第一开口150中。发光芯片161可以设置在经由第一本体141的第一开口150的底表面露出的第一和第二引线框121和131中的至少之一上。
发光芯片161可以通过粘合构件接合到第一引线框121上、通过第一导线165与第一引线框121连接、通过第二导线166与第二引线框131连接。粘合构件可以包括绝缘材料或导电材料。
或者，发光芯片161可以通过导电粘合构件接合到第一引线框121、并且通过导线与第二引线框131连接。发光芯片161可以通过倒装法(flip scheme)接合到第一和第二引线框121和131。发光芯片161通过接收来自第一和第二引线框121和131的功率来驱动。
发光芯片161可以具有如图16所示的包括水平地布置的电极的芯片结构，或可以具有如图17所示的包括垂直地布置的电极的芯片结构，但实施方案不限于此。
发光芯片161可以包括具有半导体化合物的LED芯片，例如，可以包括UV(紫外)LED芯片、蓝色LED芯片、绿色LED芯片、白色LED芯片以及红色LED芯片中的至少之一。发光芯片161可以包括第II-VI族化合物半导体和第III-V族化合物半导体中的至少之一。发光芯片161的有源层可以具有双接合结构、单阱结构、多阱结构、单量子阱结构、多量子阱结构、量子线结构以及量子点结构中的至少之一。可以通过交替地布置阱层/势垒层来形成有源层。例如，阱层/势垒层可以通过2-30个周期的InGaN/GaN、GaN/AlGaN、InGaN/AlGaN，InGaN/InGaN或InAlGaN/InAlGaN的堆叠结构来形成。此外，有源层可以包括半导体如ZnS、ZnSe、SiC、GaP、GaAlAs、AlN、InN和AlInGaP，但实施方案不限于此。有源层的光发射波长可以发射为选自紫外波段的光至可见波段的光之一，但实施方案不限于此。
参考图1、3和4，第二开口150A与第一开口150间隔开。第二开口150A是开放第一和第二本体141和151的区域。第二开口150A是露出第一和第二引线框121和131的区域，并且可以定义为第二区域。保护装置163可以布置在暴露于第二开口150A的第一和第二引线框121和131中的至少一个引线框上。可以通过使用导电粘合剂接合保护装置163，但实施方案不限于此。保护装置163可以安装在第一引线框121上，并且可以通过第三导线168连接到第二引线框131。
第一和第二本体141和151用作第一和第二开口150和150A之间的间隔件。设置在第一和第二开口150和150A之间的第一本体141的厚度可以等于、小于或大于保护装置163的厚度。在第一本体141的厚度大于保护装置163的厚度的情况下，减少了光损失。第二开口150A的外周可以相对于第一和第二引线框121和131垂直或倾斜。尽管保护装置163设置在第二开口150A中，但保护装置163可以设置在另一区域中，或者可以被移除。此外，实施方案不限于此。
树脂层171形成在第二本体151的第一开口150中。树脂层171可以包括透射性树脂材料如硅树脂或环氧树脂。树脂层171可以包括相对于从发光芯片发射的波长具有至少70％的透射率(例如相对于从发光芯片发射的波长具有至少90％的透射率)的材料。波长可以是蓝色峰波长、UV波长、红色峰波长或绿色峰波长。
树脂层171的顶表面可以高于发光芯片161的顶表面。树脂层171的顶表面可以高于导线165和166的顶点。树脂层171的顶表面的外周可以等于或不同于第二本体151的顶表面，但实施方案不限于此。
树脂层171的顶表面可以包括平坦表面、凹表面、凸表面和粗糙表面中的至少之一，但实施方案不限于此。
树脂层171的折射率是1.6或或更小，并且第二本体151的折射率可以等于或小于树脂层171的折射率。此外，第二本体151与树脂层171之间的折射率差异可以是±0.2。例如，第二本体151的折射率可以在大约1.4至1.8之间的范围内，但实施方案不限于此。
树脂层171可以包括选自填充剂、分散剂、颜料、磷光体和反射性材料中的至少之一。混合在树脂层171中的磷光体吸收从发光芯片161发射的光并且将此光转换成具有不同波长的光。磷光体可以包括黄色磷光体、绿色磷光体、蓝色磷光体和红色磷光体中的至少之一。例如，磷光体可以包括选自下列物质中的至少之一：主要由镧系元素如Eu或Ce的元素活化的氮化物基磷光体、氧氮化物基磷光体和硅铝氧氮聚合材料(sialon)基磷光体；主要由镧系元素如Eu或过渡金属元素如锰活化的碱土卤素磷灰石磷光体；碱土金属硼酸卤素磷光体；碱土金属铝酸盐磷光体；碱土硅酸盐；碱土硫化物；碱土硫代镓酸盐；碱土氮化硅；锗酸盐(germinate)；主要由镧系元素如Ce活化的稀土铝酸盐；稀土硅酸盐；以及主要由镧系元素如Eu活化的有机螯合剂，但实施方案不限于此。
树脂层171可以形成有一定的宽度以覆盖发光芯片161的表面，并可以与发光芯片161的顶表面和侧边接触。或者，磷光体层可以形成在发光芯片161与树脂层171之间，并且可以仅形成在发光芯片161的顶表面上。
如图2所示，光学透镜181设置在树脂层171上。光学透镜181可以包括透射性树脂材料如硅树脂或环氧树脂或者玻璃材料。光学透镜181的折射率可以等于或小于树脂层171的折射率。光学透镜181可以设置在树脂层171和第二本体151的上部上。为了接合，可以在第一本体141的顶表面、第二本体151的底表面以及第二本体151的顶表面中的至少之一上形成粘合剂层。
光学透镜181的光出射表面182的一部分可以形成为向外越过第二本体151的外表面S5，并且与第一本体141的顶表面接触。光学透镜181的光出射表面182的一部分可以覆盖第二本体151的外周以与第二本体151的外表面S5紧密接触，并且可以调节由第一本体141反射的第二光L2或穿过第二本体151的第一光L1的定向角，如图2所示。
光学透镜181的外周可以具有用于光分配目的的圆形形状，并且在从顶部观察时可以具有圆形形状或椭圆形状。
凹陷部185可以形成在光学透镜181的顶表面的中央部分处。凹陷部185对应于发光芯片161来形成，并且从光学透镜181朝发光芯片161向下形成。光学透镜181的凹陷部185包括全反射面，其中，从第一本体141的顶表面反射的光能够被朝向另一方向和透射一部分光的光反射面182折射。全反射面由凹陷部185形成，并且光反射面182围绕全反射面设置以折射从全反射面反射的光。当从顶部观察时，凹陷部185可以具有圆形形状。凹陷部185的横截面可以具有半球形状或圆锥形状。可以在凹陷部185中填充反射构件。反射构件形成在凹陷部185中的预置深度处以反射穿过凹陷部185表面的光。反射构件可以包括具有金属氧化物的树脂材料，并且在树脂材料中可以添加至少3wt％的金属氧化物。反射构件可以包括其折射率大于光学透镜181的折射率的材料。
参考图3和4，光学透镜181的一部分183填充在第二开口150A中，或者树脂层的一部分可以形成在第二开口150A中，但实施方案不限于此。
凹陷部185可以不形成在光学透镜181的顶表面的中央部分中。光学透镜181可以具有半球形状或可以具有凹凸图案。
多个支撑套筒可以形成在光学透镜181的下部的外周处。支撑套筒与衬底或外盖耦接以固定光学透镜181。此外，在之前的注塑模制之后，光学透镜181可以与发光器件的第二本体147的上部耦接，但实施方案不限于此。
参考图1和2，从发光器件100的发光芯片161发射的光沿横向方向或沿向上方向发射。在该情况下，通过树脂层171的光部分通过第二本体151，而光的其余部分经由树脂层171的顶表面入射进入光学透镜181。光的入射进入光学透镜181的部分通过凹陷部185的全反射表面来反射，并且反射光可以通过第二本体151的顶表面反射。此外，通过第二本体151的光部分可以通过第一本体141的顶表面来反射。因此，发光器件100可以通过低于发光芯片161的顶表面的第一本体141在大致水平方向上发光，使得主束可以以如图15所示的至少135°的定向角来发射。此外，如图8所示，随着角θ1增加，光定向角进一步增加。随着角θ1减小，光定向角进一步减小。因此，光定向角θ1能够根据第一本体141的倾斜表面或厚度来调节。
[制造第一实施方案的发光器件的方法]
如图5和6所示，具有开放区域150-1的第一本体141通过使用反射率大于透射率的树脂材料经由模制法在引线框121和131上注塑模制。在如图7所示已经形成第一本体141之后，通过使用透射率大于反射率的树脂材料经由传递法或注塑法来注塑模制透射性第二本体151。第一和第二开口150和151形成在第二本体151中。此外，如图2和3所示，发光芯片161安装在通过第二本体151的第一开口150露出的引线框121和131上，并且保护装置163安装在通过第二开口150A露出的引线框121和131上。此外，发光芯片161和保护装置163经由导线165、166和168电连接至引线框121和131。此外，树脂层171通过点胶法或模制法形成在第二本体151的第一开口150中，并且在树脂层171中可以添加磷光体。光学透镜181与树脂层171的上部耦接。光学透镜181可以通过传递模制法来注塑模制，或者先前准备好的光学透镜181可以通过接合法接合。另一树脂层还可以介于树脂层171与光学透镜181之间，但实施方案不限于此。可以在第一本体141和第二本体151的顶表面上形成粘合剂层，但实施方案不限于此。
[第二实施方案]
图9是示出根据第二实施方案的发光器件的视图。在以下第二实施方案的描述中，与第一实施方案的部件相同的部件将参考第一实施方案。
参考图9，发光器件包括引线框121和131、第一本体141、第二本体151、第一树脂层172、第二树脂层173和光学透镜181。
第一树脂层172对应于图2的树脂层而形成在第一开口150中。第一树脂层172可以包括透射性树脂材料，并且其中可以具有磷光体。
第二树脂层173设置在第一树脂层172和光学透镜181之间。第二树脂层173的一部分可以设置在第二本体151和光学透镜181之间。第二树脂层173可以包括透射性树脂材料例如硅树脂或环氧树脂。第二树脂层173其中可以具有杂质如磷光体或其中可以不具有杂质如磷光体。
第二树脂层173的顶表面的高度可以等于或高于第二本体151的顶表面的高度。光学透镜181可以设置在第二本体151和第二树脂层173的外部上。光学透镜181的光反射面182的一部分可以与第二本体151的外部接触并且与第一本体141的外部的顶表面接触。因此，可以增加光学透镜的耦接强度。
第一和第二树脂层172和173中的至少之一可以包括填充剂、分散剂、颜料、磷光体和反射材料中的至少之一。磷光体包含在第一树脂层172中，第二树脂层173可以不包括杂质如磷光体。此外，第一和第二树脂层172和173可以包括反射相同波长或不同波长的磷光体，但实施方案不限于此。
第一粘合剂层191介于第一本体141与第二本体151之间并且将包括不同树脂材料的第一本体141和第二本体151彼此接合。第二粘合剂层173介于第二本体151与第二树脂层173之间并且可以在第二本体151与第二树脂层173之间接合。第二树脂层173的顶表面上设置有第三粘合剂层193，并且第三粘合剂层193可以提高与光学透镜181的粘合强度。
第一至第三粘合剂191、192和193可以包括树脂材料如硅树脂或环氧树脂以提高粘合强度，并且可以具有1μm至10μm的厚度。
第一粘合剂层191可以包括反射金属或散射剂以提高反射率，第二和第三粘合剂层192和193可以包括分散剂或磷光体，但实施方案不限于此。
[第三实施方案]
图10是示出根据第三实施方案的发光器件的视图。在下文中，在以下第三实施方案的描述中，与第一实施方案相同的部件将参考第一实施方案。
参考图10，在发光器件中，第一开口150形成在第二本体151中，树脂层例如磷光体层175设置在第一开口150中。磷光体层175的表面可以以距离发光芯片161的中央一致的距离形成在发光芯片161的外周。磷光体层175具有半球形状，使得能够均匀地调节具有通过磷光体转换的波长的光的分配。磷光体层175的顶表面可以从第二本体151的顶表面更多地突出，并且磷光体层175的底表面的宽度可以大于发光芯片161的宽度。磷光体层175的下部的宽度可以小于第一导线165与第二导线166之间的间隔，但实施方案不限于此。
第二本体151的第一开口150的磷光体层175的外周部可以填充有光学透镜181的一部分184，可以包括树脂材料，或者可以间隔的形式设置。填充在第一开口150中的材料可以与磷光体层175接触。当具有较高透射率的第二本体151围绕发光芯片161设置，使得从发光芯片161发射第一光并且发射具有通过磷光体层175转换的第二光时，第一和第二光可以至少130°的光定向角来发射。
[第四实施方案]
图11是示出根据第四实施方案的发光器件的视图。下文中，在以下第四实施方案的描述中，与第一实施方案相同的部件将参考第一实施方案。
参考图11，发光器件是通过对具有较高透射率的第二本体151的上部154A进行修改来形成的实例。第二本体151的上部154A可以具有阶梯差异结构。第二本体151的上部154A具有从邻近发光芯片161的内侧部分到其外侧部分逐渐变小的厚度。第二本体151的上部154A具有阶梯差异结构，使得与光学透镜181的接触面积增加。因此，粘合强度得以提高。
此外，第一本体151可以在其内侧部分处具有较小的厚度并且在其外侧部分具有较大的厚度，使得第二本体151支撑光学透镜181和第一本体141，并且从发光芯片161发射的光被透射。
[第五实施方案]
图12是示出根据第五实施方案的发光器件的视图。下文中，在以下第五实施方案的描述中，与第一实施方案相同的部件将参考第一实施方案。
参考图12，在发光器件中，可以在第一和第二引线框121和131中形成第一至第四凹凸结构P1、P2、P3和P4。第一和第二凹凸结构P1和P2具有预置图案，并且可以在暴露于第一引线框121的第一孔122的第一引线框121的阶梯差异区域处以及暴露于第二引线框131的第二孔132的第二引线框131的阶梯差异区域处形成。第一和第二凹凸结构P1和P2可以增加与第一本体141的第一耦接部分143以及第一本体141的第二耦接部分144的接触面积。因此，能够防止湿气渗透到第一本体141与引线框121和131的孔122和132之间。凹凸结构P1和P2可以包括点阵形状、条形状和网孔形状中的至少之一。
此外，第三和第四凹凸结构P3和P4在第一引线框121的第一端部124以及第二引线框131的第二端部134的底表面上形成有预置图案，使得第三和第四凹凸结构P3和P4可以增加与第一本体141的间隙部分142的粘合面积。能够防止湿气渗透通过第一本体141与引线框121和131之间的间隙部分142。
或者，精细的凹凸结构额外地形成在第一和第二引线框121和131的顶表面上，由此增强与第一本体141的粘合，使得能够防止湿气渗透。
具有预置形状的第五凹凸结构P5形成在第一本体141的顶表面上，并且增加第二本体151与光学透镜181的光反射面182之间的粘合面积，从而能够防止湿气渗透。
第二本体151的上部154B可以具有从其外部向其内部逐渐地降低的阶梯差异结构。树脂层174可以从第二本体151的上部154B到第二本体151的内部来形成，但实施方案不限于此。
树脂层174可以包括透射性树脂材料，并且其中可以具有磷光体。或者，磷光体层可以接合到树脂层174与发光芯片161之间的区域，即发光芯片161的顶表面上。
[第六实施方案]
图13是示出根据第六实施方案的发光器件的视图。下文中，在以下第六实施方案的描述中，与第一实施方案相同的部件将参考第一实施方案。
参考图13，发光器件包括第一引线框221、第二引线框231、第一本体241、第二本体251、树脂层271以及光学透镜281.
第一引线框221包括具有腔225的热辐射部222、第一连接部223以及第一引线部224。腔225由于热辐射部222的弯曲而具有凹陷内部。第一连接部223从热辐射部222弯曲并在第二本体251的第一开口250上露出。
第一引线部224从第一连接部223弯曲并且经由第一本体241延伸至第一本体241的底表面。第一引线部224可以向外突出越过第一本体241的第二侧边S12。
第一引线框221可以包括槽和孔中的至少之一以用于与第一本体241耦接，但实施方案不限于此。发光芯片261设置在热辐射部222的腔225的底表面上。腔225的侧边与第一本体241的底表面垂直或相对于第一本体241的底表面倾斜至少90°的角度，由此反射发光芯片261的光。热辐射部222可以通过衬底或热辐射板辐射从发光器件261发射的热量。
第二引线框231包括第二连接部233和第二引线部234，第二连接部233暴露于第二本体251的第一开口250，并且第二引线部234经由第一本体241从第二连接部233延伸到第一本体241的底表面。第二引线部234可以向外突出越过第一本体241的第一侧边S11。
第一引线框221的第一连接部223和第二引线框231的第二连接部233在第二本体251的第一开口250中露出，并且第二本体251在其中央部分设置有腔225。
第一引线框221的第一连接部223和第二引线框231的第二连接部233暴露于第一本体241的上部。发光芯片261可以通过第一导线266连接至第一连接部223，并且可以通过第二导线267连接至第二连接部233。
第一本体241可以包括具有高于透射率的反射率的材料。第一本体241设置在第一引线框221和第二引线框231的下方，并且第一本体241的一部分可以形成在第一和第二引线框221和231之间的间隙235处。此外，第一本体241的外侧部分可以形成在第一和第二引线框221和231的顶表面上。
第一本体241的顶表面244的外侧部分是倾斜的，并且顶表面244的邻近第一侧边S11的外侧部分与顶表面244的邻近第二侧边S12的外侧部分之间的角度可以在140°至170°之间的范围内。
具有高透射率的第二本体251围绕第一本体241的顶表面布置。第二本体251透射入射角以加宽光定向角。第二本体251的内侧边252可以是倾斜的，但实施方案不限于此。
在腔225中形成有树脂层271。树脂层271可以包括树脂材料如硅树脂或环氧树脂。树脂层271可以包括填充剂、分散剂、颜料、磷光体以及反射性材料中的至少之一。
第二本体251的上部253具有阶梯差异结构，光学透镜281的光出射表面282的下部可以耦接至该阶梯差异结构。光学透镜281在其中央部分设置有凹陷部285。光学透镜281的底表面可以与树脂层271的顶表面接触，或可以与树脂层271间隔开。还可以在光学透镜281与树脂层271之间设置有另一树脂层，但实施方案不限于此。
第二本体251在其第一开口250中设置有导线266和267或不同的树脂层。第二本体251的外表面S15可以与第一本体241的第一和第二侧边S11和S12垂直地平整对齐，但实施方案不限于此。
[第七实施方案]
图14是示出根据第七实施方案的发光器件的视图。下文中，在以下第七实施方案的描述中，与第一实施方案相同的部件将参考第一实施方案。
参考图14，发光器件包括第一引线框321、第二引线框331、在第一和第二引线框321和331之间的第三引线框325、在第三引线框325上的树脂层371、具有反射率并支撑第一至第三引线框321、331和325的第一本体341、在第一本体341上的具有透射率的第二本体351、以及在树脂层371上的光学透镜381。
第一引线框321介于第一本体341的第一侧边S11与第三引线框352之间，并且包括第一连接部322和第一引线部323。第一连接部322暴露于第一本体341的顶表面，并且通过第一导线366与发光器件361连接。第一引线部323是弯曲的或从第一本体341中的第一连接部322延伸，使得第一引线部323设置在第一本体341的底表面上。第一引线部323可以朝第一本体341的第一侧边S11突出。
第二引线框331介于第一本体341的第二侧边S12与第三引线框325之间，并且包括第二连接部332和第二引线部333。第二连接部332暴露于第一本体341的顶表面并通过第二导线367连接至发光芯片361。第二引线部333在第一本体341中弯曲，并且在突出第一本体341的第二侧边S12的同时延伸至第一本体341的底表面。
第三引线框325包括具有腔320的热辐射部326以及从热辐射部326弯曲的支撑部327。发光芯片361设置在腔320的底表面上，并且热辐射部326的底表面可以暴露于第一本体341的底表面。支撑部327可以暴露于第一本体341的顶表面，但实施方案不限于此。热辐射部326可以通过热辐射板或设置在下部的衬底辐射从发光芯片361产生的热量。
第一本体341包括介于第一和第三引线框321和325之间的第一间隙部342以及介于第三和第二引线框325和331之间的第二间隙部343。
第一引线框321的第一连接部322以及第二引线框331的第二连接部332暴露于第二本体351的第一开口350中，并且腔320设置在第二本体351的中央部分处。
发光芯片361设置在腔320的底表面上。发光芯片361通过第一导线366连接至第一引线框321的第一连接部322，并且通过第二导线367连接至第二连接部332。
在腔320中形成有透射支撑层371。透射支撑层371可以与第一本体341的顶表面平整对齐，但实施方案不限于此。树脂层371可以包括树脂材料如硅树脂或环氧树脂。树脂层371可以包括填充剂、分散剂、颜料、磷光体以及反射性材料中的至少之一。
第一本体341对应于第一实施方案的第一本体。第一本体341的外侧部分的顶表面344可以是倾斜的，并且围绕第一本体341的倾斜面的内角可以在至少135°至小于180°的范围内。
第二本体351可以对应于第一实施方案的第二本体，并且形成在第二本体351内侧的第一开口350的宽度可以大于腔320的顶表面的宽度，但实施方案不限于此。
发光芯片361的顶表面可以低于第一本体341的顶表面，但实施方案不限于此。从发光芯片361发射的光可以通过光学透镜381的凹陷部385反射，并且被反射的光可以通过第一本体341的顶表面和倾斜面反射。入射到第二本体351中的光被透射以加宽光的定向角。
光学透镜381的光出射表面可以向内布置成越过第二本体351的侧边S15，但实施方案不限于此。
或者，发光芯片361的顶表面可以暴露于第一本体341的顶表面。在该情况下，从发光芯片361发射的光通过第一本体341的顶表面和倾斜面反射或者穿过第二本体351。因此，光定向角能够被加宽。在该情况下，腔320的深度可以根据第三引线框325的热辐射部326的弯曲而改变，并且腔320的深度可以调节。
将参考图16和17的实例描述根据实施方案的发光器件芯片。
图16是示出根据实施方案的发光芯片的一个实例的侧截面图。
参考图16，发光芯片包括衬底411、缓冲层412、发光结构410、第一电极416以及第二电极417。衬底411可以包括具有透射性材料或非透射性材料的衬底，并且可以包括导电材料衬底或绝缘材料衬底。
缓冲层412减少了构成衬底411的材料与构成发光结构410的材料之间的晶格常数差异，并且可以包括氮化物半导体。在缓冲层412与发光结构410之间还设置有未掺杂有掺杂剂的氮化物半导体层，使得可以提高晶体的品质。
发光结构410包括第一半导体导电层413、有源层414以及第二半导体导电层415。
第一半导体导电层413可以包括掺杂有第一导电掺杂剂的的III-V族化合物半导体。例如，第一半导体导电层413可以包括具有组成式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料。详细地，第一半导体导电层413可以包括层的堆叠结构，该层包括选自GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP中的一种。如果第一半导体导电层413是n型半导体层，则第一导电掺杂剂包括n型掺杂剂如Si、Ge、Sn、Se、或Te。
可以在第一半导体导电层413与有源层414之间形成第一覆层。第一覆层可以包括GaN基半导体，并且第一覆层的带隙可以等于或大于有源层414的带隙。第一覆层具有第一导电类型并限制载流子。
有源层414设置在第一半导体导电层413上，并且包括单量子阱结构、多量子阱结构(MQW)、量子线结构或量子点结构。有源层414具有阱层和势垒层的周期。阱层可以具有组成式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)，势垒层可以具有组成式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)。阱层/势垒层的至少一个周期可以通过InGaN/GaN、GaN/AlGaN、InGaN/AlGaN、InGaN/InGaN和InAlGaN/InAlGaN的堆叠结构来使用。势垒层可以包括其带隙大于阱层的带隙的半导体材料。
第二半导体导电层415形成在有源层414上。第二半导体导电层415包括掺杂有第二导电掺杂剂的半导体，例如，包括具有组成式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体。详细地，第二半导体导电层415可以包括选自化合物半导体如GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP中的一种。如果第二半导体导电层415是p型半导体层，则半导体导电掺杂剂包括p型掺杂剂如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba。
第二半导体导电层415可以包括超晶格结构，并且该超晶格结构可以包括InGaN/GaN超晶格结构或AlGaN/GaN超晶格结构。第二半导体导电层415的超晶格结构扩散异常电流，由此保护有源层414。
此外，发光结构410可以具有相反的导电类型。例如，第一半导体导电层413可以包括p型半导体层，第二半导体层415可以包括n型半导体层。第二半导体层415可以在其上设置有极性与第二导电类型的极性相反的第一半导体导电层。
发光结构410可以通过使用n-p结结构、p-n结结构、n-p-n结结构、p-n-p结结构中的一种来实现。“p”表示p型半导体，“n”表示n型半导体，并且“-”表示p型半导体直接或间接地连接至n型半导体。在下文中，为了便于解释，将描述发光结构410的最上层是第二半导体导电层415的情形。
第一电极416设置在第一半导体导电层413上，并且具有电流扩散层的第二电极417设置在第二半导体导电层415上。第一和第二电极416和417通过导线或其它连接方式彼此连接。
图17是示出根据实施方案的发光芯片的另一实例的视图。下文中，在以下实施方案的描述中，除简要描述之外，将省略与图16的部件相同的部件的细节。
参考图17，在根据实施方案的发光芯片中，在发光结构410的下方形成有接触层421，在接触层421的下方形成有反射层424，在反射层424的下方形成有支撑构件425，并且围绕反射层424和发光结构410形成有保护层423。
可以在发光结构410上形成有一个或多个第一电极416，并且第一电极416包括接合到导线的焊垫。
发光芯片可以通过在第二半导体导电层415下方形成接触层421、保护层423、反射层424和支撑构件423之后移除生长衬底来形成。
接触层421可以与发光结构410的下层如第二半导体导电层欧姆接触，并且可以包括金属氧化物、金属氮化物、绝缘材料或导电材料。例如，接触层421可以包括ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟铝锌氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、AZO(铝锌氧化物)、ATO(锑锡氧化物)、GZO(镓锌氧化物)、Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf及其选择性组合。接触层可以通过使用金属材料和透明材料如IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、或ATO形成为多层结构。例如，接触层421可以具有IZO/Ni、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni或AZO/Ag/Ni的堆叠结构。用于阻挡电流的层还可以形成在对应于电极416的接触层421中。
保护层423可以包括金属氧化物或绝缘材料。例如，保护层423可选地包括ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟铝锌氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、AZO(铝锌氧化物)、ATO(锑锡氧化物)、GZO(镓锌氧化物)、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3或TiO2。保护层423可以通过溅射法或沉积法形成。构成反射层424的金属可以防止发光结构层410被缩短。
反射层424可包括金属如Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf及其选择性组合。反射层424的宽度可以大于发光结构410的宽度，由此提高光的反射效率。还可以在反射层424与支撑构件425之间设置有用于接合的金属层和用于热扩散的金属层，但实施方案不限于此。
支撑构件425用作衬底，并且可以包括金属如Cu、Au、Ni、Mo、或Cu-W以及载体晶片如Si、Ge、GaAs、ZnO和SiC。粘合剂层还可以形成在支撑构件425与反射层424之间，并且将这两层彼此接合在一起。所公开的发光芯片用于举例说明之目的，实施方案不限于此。发光芯片可以选择性地应用到根据实施方案的发光器件，但实施方案不限于此。
<照明系统>
根据实施方案的发光器件能够应用到照明系统中。照明系统包括其中排列有多个发光器件的结构。照明系统包括在图18和19中示出的显示装置、在图20和21中示出的照明装置、照明灯、信号灯、用于车辆的车头灯以及电子显示器。
图18是示出具有根据实施方案的发光器件的显示装置的分解立体图。
参考图18，根据实施方案的显示装置1000包括导光板1041、向导光板1041供给光的发光模块1031、在导光板1041下方的反射构件1022、在导光板1041上的光学片1051、在光学片1051上的显示面板1061以及容置导光板1041、发光模块1031和反光构件1022的底盖1011，但实施方案不限于此。
底盖1011、反射片1022、导光板1041以及光学片1051可定义为光单元1050。
导光板1041扩散由发光模块1031供给的光以提供表面光。导光板1041可以包括透明材料。例如，导光板1041可以包括丙烯酰基树脂如PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PC(聚碳酸酯)、COC(环烯烃共聚物)和PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)树脂。
发光模块1031设置在导光板1041的至少一侧上以将光供给到导光板1041的至少一侧。发光模块1031用作显示装置的光源。
至少一个发光模块1031设置为从导光板1041的一侧直接地或间接地提供光。发光模块1031可以包括板1033以及根据实施方案的发光器件或发光器件100。发光器件或发光器件100布置在板1033上并彼此间隔开预定的间隔。
板1033可以包括具有电路图案(未示出)的印刷电路板(PCB)。此外，板1033还可以包括金属芯PCB(MCPCB)或柔性PCB(FPCB)以及常规PCB，但实施方案不限于此。如果发光器件100安装在底盖1011的侧面上或散热板上，则可以省略板1033。散热板与底盖1011的顶表面部分地接触。
此外，发光器件100布置为使得发射发光器件100发出的光的光出射表面与导光板1041在板1033上间隔开预定的距离，但实施方案不限于此。发光器件100可以将光直接地或间接地供给到作为导光板1041一侧的光入射面，但实施方案不限于此。
反射构件1022设置在导光板1041下方。反射构件1022朝显示面板1061反射向下穿过导光板1041的底表面的光，由此提高光单元1050的亮度。例如，反射构件1022可以包括PET、PC或PVC树脂，但实施方案不限于此。反射构件1022可以用作底盖1011的顶表面，但实施方案不限于此。
底盖1011可以将导光板1041、发光模块1031以及反射构件1022容置在其中。为此，底盖1011具有容置部1012，容置部1012具有开放顶表面的盒状形状，但实施方案不限于此。底盖1011可以与顶盖(未示出)耦接，但实施方案不限于此。
底盖1011可以通过使用金属材料或树脂材料、通过压制工艺或挤出工艺来制造。此外，底盖1011可以包括具有优异导热率的金属或非金属材料，但实施方案不限于此。
例如，显示面板1061是包括彼此相对的第一和第二透明衬底以及介于第一和第二衬底之间的液晶层的LCD面板。偏光片可以附接至显示面板1061的至少之一，但实施方案不限于此。显示面板1061通过允许光穿过其中来显示信息。显示装置1000能够应用到各种便携式终端、笔记本计算机的监视器、监视器或便携式计算机以及电视中。
光学片1051设置在显示面板1061与导光板1041之间，并且包括至少一个透射片。例如，光学片1051包括选自扩散片、水平和垂直棱镜片以及增亮片中的至少之一。扩散片扩散入射光，水平和垂直棱镜片将入射光聚集到显示面板1061上，并且增亮片通过重新利用损失的光来提高亮度。此外，保护片能够设置在显示面板1061中，但实施方案不限于此。
导光板1041和光学片1051能够沿如光学构件那样的发光模块1031的光路径来布置，但实施方案不限于此。
图19是示出根据实施方案的显示装置的截面图。
参考图19，显示装置1100包括底盖1152、其上布置有发光器件100的板1120、光学构件1154以及显示面板1155。
板1120和发光器件100可以构成发光模块1160。此外，底盖1152、至少一个发光模块1160以及光学构件1154可以构成照明单元。底盖1151可设置有容置部1153，但实施方案不限于此。发光模块1160包括板1120以及多个布置在板1120上的发光器件或发光器件100.
光学构件1154可以包括选自透镜、导光板、扩散片、水平和垂直棱镜片、增亮片中的至少一个。导光板可以包括PC或PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)。可以省略导光板。扩散片扩散入射光，水平和垂直棱镜片使入射光聚集在显示区域上，并且增亮片通过重新利用损失的光来提高亮度。
光学构件1154设置在发光模块1160上方以将从发光模块1160发射的光转换成表面光。
图20是根据一个实施方案的照明单元的立体图。
参考图20，照明单元1500可以包括壳1510、包括在壳1510中的发光模块1530以及包括在壳1510中并从外电源向其供给电力的连接端子1520。
壳1510可以优选由具有良好热屏蔽特性的材料如金属或树脂材料形成。
发光模块1530可以包括板1532以及安装在根据实施方案的板1532上的至少一个发光器件100。发光器件100可以包括多个通过彼此间隔开预定距离的方式而排列的发光器件封装件。
板1532可以是其上印制有电路图案的绝缘衬底，并且例如可以包括印刷电路板(PCB)、金属芯PCB、柔性PCB、陶瓷PCB、FR-4衬底等。
同样，板1532可以由有效地反射光的材料形成，并且板1532的表面可以形成能够有效地反射光的颜色，例如白色或银色。
至少一个发光器件100可以安装在板1532上。发光器件100中的每一个都可以包括至少一个发光二极管(LED)芯片。LED芯片可以包括发射红光、绿光、蓝光或白光的彩色LED以及发射紫外线(UV)的UV LED。
发光模块1530可以具有各种发光器件的组合以获得期望的颜色和亮度。例如，发光模块1530可以具有白色LED、红色LED以及绿色LED的组合以获得较高的显色指数(CRI)。
连接端子1520可以电连接至发光模块1530以供给电力。连接端子1520可以旋入并耦接至插座类型的外电源，但本公开内容不限于此。例如，连接端子1520可以制成管脚的类型并插入到外电源中，或者通过电源线连接至外电源。
图21是示出具有根据实施方案的发光器件的照明单元的另一实例的立体分解图。
参考图21，根据实施方案的照明器件可以包括盖2100、发光模块2200、热辐射构件2400、供电部2600、内壳2700、以及插头2800。此外，根据实施方案的发光器件还可以包括构件2300和保持器2500中的至少一个。发光模块2200可以包括根据实施方案的发光器件或发光器件封装件。
例如，盖2100具有球形或半球形。盖2100可以具有中空结构，并且盖2100的一部分可以是开放的。盖2100可以光学地(optically)连接至发光模块2200，并且可以与热辐射构件2400耦接。盖2100可以具有与热辐射构件2400耦接的凹部。
盖2100的内表面可以涂覆有用作扩散剂的乳白色颜料。通过使用乳白色材料可以使从发光模块2200发射的光分散或扩散，使得光能够被发射到外部。
盖2100可以包括玻璃、塑料、PP、PE或PC。在该情况下，PC具有良好的耐光性、良好的耐热性以及良好的强度。盖2100可以是透明的，使得可以在外部辨识发光模块2200。此外，盖2100可以是不透明的。盖2100可以通过吹塑模制法形成。
发光模块2200可以设置在热辐射构件2400的一个表面上。因此，从发光模块2200散出的热量被传递到热辐射构件2400。发光模块2200可以包括发光器件2210、连接板2230以及连接器2250。
构件2300设置在热辐射构件2400的顶表面上，并且包括具有多个发光器件2210的导槽2310以及插入到导槽2310中的连接器2250。导槽2310对应于发光器件2210的衬底和连接器2250。
可以将白色颜料涂覆在构件2300的表面上。构件2300朝向盖2100对由盖2100的内表面反射回发光模块2200的白光进行反射。因此，根据实施方案的照明装置的照明效率得以提高。
构件2300可以包括绝缘材料。发光模块2200的连接板2230可以包括导电材料。因此，热辐射构件2400可以电连接至连接板2230。构件2300包括绝缘材料以防止连接板2230与热辐射构件2400之间的电短路。热辐射构件2400容置从发光模块2200散出的热量以及从供电部2600散出的热量并对这些热量进行辐射。
套筒2500阻塞绝缘部2710设置在内壳2700中的容置槽2719。因此，容置在内壳2700的绝缘部2710中的供电部2600被封闭。套筒2500具有导向突出部2510。导向突出部2510可以包括允许供电部2600的突出部2610穿过的孔。
供电部2600对从外部接受到的电信号进行处理和转换，并将电信号供给到发光模块2200。供电部2600容置在内壳2700的容置槽2719中，并且通过套筒2500封闭在内壳2700中。
供电部2600可以包括突出部2610、导向部2630、基板2650以及延伸部2670。
导向部2630从基板2650的一侧向外突出。导向部2630可以插入到套筒2500中。在基板250的一个表面上可以布置多个部分。例如，这些部分包括DC变换器、驱动发光模块220的驱动芯片、以及保护发光模块2200的ESD(静电放电)保护装置，但实施方案不限于此。
延伸部2670从基板2650的另一侧向外突出。延伸部2670插入到内2700的连接部2750，并且接受来自外部的电信号。例如，延伸部2670可以等于或小于内壳2700的连接部2750的宽度。延伸部2670可以通过导线电连接至插口2800。
内壳2700可以在其中布置有与供电部2600一体的模制部分。模制部分通过硬化模制液体来形成，使得供电部2600可以固定到内壳2700中。
如上所述，根据实施方案，发光器件的光定向角能够被增加。根据实施方案，能够通过堆叠多个本体来增加本体的强度。根据实施方案，能够减少布置在各个发光模块中的发光器件的数量。实施方案能够提高发光器件和具有该发光器件的照明单元的可靠性。
在本说明书中提及的任何“一个实施方案”、“实施方案”、“示例性实施方案”等意指结合实施方案描述的特定特征、结构或特性包含在本发明的至少一个实施方案中。在本说明书中任何地方出现的上述短语不一定全都参考相同的实施方案。此外，在结合任何实施方案描述特定的特征、结构或特性时，本领域技术人员可以在本发明的保护范围内结合实施方案中的其它实施方案来实现这些特征、结构或特性。
尽管参考本发明的多个示例性实施方案已经描述了实施方案，然而应当理解：本领域技术人员能够设计许多其它的落入本公开的原理的范围和精神内的变型和实施方案。更具体地，可以对本公开、附图和随附权利要求的范围内的本组合装置的组合部分和/或装置进行各种改变和变型。除组合部件和/或装置的改变和变型之外，其它使用对于本领域技术人员而言也是明显的。

Claims (20)

1.一种发光器件，包括：
多个引线框；
反射率高于透射率的第一本体，所述第一本体设置在所述引线框的顶表面上并且在所述多个引线框的顶表面的预定区域处具有开放区域；
透射率高于反射率的第二本体，所述第二本体具有与所述第一本体的所述开放区域对应的第一开口，并且设置在所述第一本体的顶表面上；
在从所述第二本体的所述第一开口中露出的所述多个引线框中的至少之一上的发光芯片；以及
第一树脂层，所述第一树脂层设置在所述第二本体的所述第一开口中以覆盖所述发光芯片。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一本体的所述顶表面与所述第二本体的底表面接触，并且所述第一本体的所述顶表面的高度低于所述发光芯片的顶表面的高度。
3.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述第一本体包括与所述发光芯片相邻的内部区域以及比所述内部区域厚并从所述内部区域延伸的外部区域。
4.根据权利要求3所述的发光器件，其中所述第一本体的所述内部区域的顶表面相对于垂直于所述发光芯片的垂直线倾斜65°至89°的角度。
5.根据权利要求3或4所述的发光器件，其中所述第一本体的所述外部区域的顶表面的高度低于所述发光芯片的所述顶表面的高度。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的发光器件，其中所述多个引线框中的第一引线框设置在所述发光芯片下方，所述第一引线框包括在所述发光芯片的外周部处凹进的第一槽以及围绕所述第一槽设置的多个孔，并且其中所述第一本体设置在所述第一槽和所述多个孔中。
7.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述多个引线框包括与所述第一引线框间隔开并且电连接至所述发光芯片的第二引线框，其中所述第二引线框包括第二槽和多个第二孔，所述第二槽设置为与所述第一开口相邻并且具有宽度大于所述第一开口的宽度的线形状，所述多个第二孔设置在所述第二槽之外，所述第一本体设置在所述第二槽和所述多个第二孔中，并且所述多个第二孔的下部的宽度大于所述多个第二孔的上部的宽度。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的发光器件，其中所述第一本体包括设置在所述多个引线框之间的间隙部，并且所述间隙部具有较宽的下部和较窄的上部。
9.根据权利要求1至4中任一项所述的发光器件，其中所述第一本体和所述第二本体包括彼此不同的材料。
10.根据权利要求9所述的发光器件，其中所述第一本体包括白树脂材料，并且所述第二本体包括透射性有机硅材料或透射性环氧树脂材料。
11.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述第一本体包括相对于从所述发光芯片发出的波长具有至少70％的反射率的材料，并且所述第二本体包括相对于从所述发光芯片发出的波长具有至少70％的透射率的材料。
12.根据权利要求1至4中任一项所述的发光器件，其中所述第二本体包括内侧部，所述内侧部比所述第一本体的内部区域更靠近所述发光芯片并且与暴露于所述第一本体的所述开放区域的所述引线框接触。
13.根据权利要求1至4中任一项所述的发光器件，还包括设置在所述第一树脂层中并且设置在所述发光芯片的顶表面上的磷光体。
14.根据权利要求13所述的发光器件，还包括设置在所述第一树脂层和所述第二本体上的光学透镜以及从所述第二本体的上部突出并与所述光学透镜耦接的多个突起。
15.根据权利要求14所述的发光器件，还包括在所述第一树脂层与所述光学透镜之间的第二树脂层。
16.根据权利要求14所述的发光器件，其中所述光学透镜包括凹陷部，所述凹陷部的上部中央朝所述发光芯片凹进。
17.根据权利要求1至4中任一项所述的发光器件，其中所述第一本体和所述第二本体包括与所述第一开口间隔开的第二开口，所述第二开口的底表面露出所述多个引线框，并且在经由所述第二开口露出的多个引线框中的至少之一上设置有保护装置。
18.根据权利要求1至4中任一项所述的发光器件，还包括在所述第一本体和所述第二本体之间的透射性粘合剂层。
19.一种发光器件，包括：
具有腔的第一引线框；
与所述第一引线框间隔开的第二引线框；
反射率大于透射率的第一本体，所述第一本体设置在所述第一引线框和所述第二引线框上，并且露出所述第一引线框和所述第二引线框的顶表面的预定区域；
透射率大于反射率的第二本体，所述第二本体具有与所述第一本体的中央区域对应的第一开口，并且设置在所述第一本体的顶表面上；
设置在所述第一引线框的腔内并且电连接至所述第一引线框和所述第二引线框的发光芯片；以及
在所述腔内的第一树脂层。
20.根据权利要求19所述的发光器件，其中所述第一引线框包括暴露于所述第一本体的所述中央区域的第一连接部和从所述第一连接部延伸到所述本体的底表面的第一引线部，并且所述第二引线框包括暴露于所述第一本体的所述中央区域的第二连接部和从所述第二连接部延伸到所述本体的所述底表面的第二引线部。
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