TWI408794B - 混光式多晶封裝結構 - Google Patents

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混光式多晶封裝結構
本發明係有關於一種混光式多晶封裝結構，尤指一種用於增加演色性之混光式多晶封裝結構。
按，電燈的發明可以說是徹底地改變了全人類的生活方式，倘若我們的生活沒有電燈，夜晚或天氣狀況不佳的時候，一切的工作都將要停擺；倘若受限於照明，極有可能使房屋建築方式或人類生活方式都徹底改變，全人類都將因此而無法進步，繼續停留在較落後的年代。是以，今日市面上所使用的照明設備，例如：日光燈、鎢絲燈、甚至到現在較廣為大眾所接受之省電燈泡，皆已普遍應用於日常生活當中。然而，此類電燈大多具有光衰減快、高耗電量、容易產生高熱、壽命短、易碎或不易回收等缺點。因此，為了解決上述的問題，使用發光二極體所製成的發光結構因應而生。然而，傳統使用發光二極體所製成的發光結構皆有演色性不足的情況。
本發明實施例在於提供一種混光式多晶封裝結構，其可用於增加演色性。
本發明其中一實施例提供一種混光式多晶封裝結構，其包括：一基板單元、一發光單元、一邊框單元及一封裝單元。基板單元具有一基板本體及至少兩個設置於基板本體上表面的置晶區域。發光單元具有至少一用於產生紅光的第一發光模組及至少一用於產生藍光的第二發光模組，其中第一發光模組具有多個電性設置於基板單元的其中一置晶區域上之紅色發光二極體晶粒，且第二發光模組具有多個電性設置於基板單元的另外一置晶區域上之藍色發光二極體晶粒。邊框單元具有透過塗佈的方式而圍繞地成形於基板本體上表面之至少一第一圍繞式邊框膠體及至少一第二圍繞式邊框膠體，其中第一圍繞式邊框膠體圍繞第一發光模組，以形成至少一位於其中一置晶區域上方之第一膠體限位空間，且第二圍繞式邊框膠體圍繞第二發光模組及第一圍繞式邊框膠體，以形成至少一位於另外一置晶區域上方且位於第一圍繞式邊框膠體與第二圍繞式邊框膠體之間之第二膠體限位空間。封裝單元具有設置於基板本體上表面以分別覆蓋第一發光模組及第二發光模組之一透明膠體及一螢光膠體，其中透明膠體被局限在第一膠體限位空間內，且螢光膠體被局限在第二膠體限位空間內。因此，多個紅色發光二極體晶粒與透明膠體配合而位於內圈，且多個藍色發光二極體晶粒與螢光膠體配合而位於外圈。
本發明再一實施例提供一種混光式多晶封裝結構，其包括：一基板單元、一發光單元、一邊框單元及一封裝單元。其與上述其中一實施例不同的是：可使用多個紅色發光元件來取替多個紅色發光二極體晶粒，且可省略透明膠體的使用。換言之，第一發光模組的多個紅色發光元件因已封裝完成，故可直接透過SMT的方式電性連接於基板單元。本發明另外一實施例提供一種混光式多晶封裝結構，其包括：一基板單元、一發光單元、一邊框單元及一封裝單元。其與上述其中一實施例不同的是：多個紅色發光二極體晶粒與透明膠體配合而位於外圈，且多個藍色發光二極體晶粒與螢光膠體配合而位於內圈。
本發明另外再一實施例提供一種混光式多晶封裝結構，其包括：一基板單元、一發光單元、一邊框單元及一封裝單元。其與上述另外一實施例不同的是：可使用多個紅色發光元件來取替多個紅色發光二極體晶粒，且可省略透明膠體的使用。換言之，第一發光模組的多個紅色發光元件因已封裝完成，故可直接透過SMT的方式電性連接於基板單元。
綜上所述，本發明實施例所提供的多晶封裝結構，其可透過“多個紅色發光二極體晶粒與透明膠體配合後所產生的紅色光源(或多個已封裝完成的紅色發光元件)”與“藍色發光二極體晶粒與螢光膠體配合後所產生的白色光源”相互產生混光效果，進而提升本發明混光式多晶封裝結構所能夠呈現的演色性。
為使能更進一步瞭解本發明之特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明之詳細說明與附圖，然而所附圖式僅提供參考與說明用，並非用來對本發明加以限制者。
 [第一實施例]
請參閱圖1A與圖1B所示，本發明第一實施例提供一種混光式多晶封裝結構M，其包括：一基板單元1、一發光單元、一邊框單元3及一封裝單元4。
基板單元1具有至少一基板本體10及至少兩個設置於基板本體10上表面之置晶區域11。此外，基板本體10具有一電路基板100、一設置於電路基板100底部之散熱層101、多個設置於電路基板100上表面之導電焊墊102、及一設置於電路基板100上表面並用於露出上述多個導電焊墊102之絕緣層103。因此，散熱層101可用於增加電路基板100的散熱效能，且上述多個絕緣層103為一種可用於只讓上述多個導電焊墊102裸露出來並且達到局限焊接區域的防焊層。
發光單元具有至少一用於產生紅光的第一發光模組2a及至少一用於產生藍光的第二發光模組2b，其中第一發光模組2a具有多個電性設置於基板單元1的其中一置晶區域11上之紅色發光二極體晶粒(未封裝的裸晶)20a，且第二發光模組2b具有多個電性設置於基板單元1的另外一置晶區域11上之藍色發光二極體晶粒(裸晶)20b。換言之，設計者可預先在基板單元1上規劃出至少兩塊預定的置晶區域11，以使得上述多個紅色發光二極體晶粒20a及上述多個藍色發光二極體晶粒20b可透過打線的方式分別電性設置在基板單元1的兩個置晶區域11上。
邊框單元3具有透過塗佈或任何其他的成形方式而圍繞地成形於基板本體10上表面之至少一第一圍繞式邊框膠體30a及至少一第二圍繞式邊框膠體30b，其中第一圍繞式邊框膠體30a圍繞第一發光模組2a，以形成至少一位於其中一置晶區域11上方之第一膠體限位空間300a，且第二圍繞式邊框膠體30b圍繞第二發光模組2b及第一圍繞式邊框膠體30a，以形成至少一位於另外一置晶區域11上方且位於第一圍繞式邊框膠體30a與第二圍繞式邊框膠體30b之間之第二膠體限位空間300b。
再者，第一與第二圍繞式邊框膠體(30a,30b)皆具有一接合凸部300(或一接合凹部)，亦即當第一與第二圍繞式邊框膠體(30a,30b)的圍繞成形製作程序快結束時，接合凸部300(或一接合凹部)即會自然產生。此外，第一與第二圍繞式邊框膠體(30a,30b)的上表面皆為一圓弧形，第一與第二圍繞式邊框膠體(30a,30b)相對於基板本體10上表面之圓弧切線T的角度θ皆可介於40至50度之間，第一與第二圍繞式邊框膠體(30a,30b)的頂面相對於基板本體10上表面的高度H皆可介於0.3至0.7 mm之間，第一與第二圍繞式邊框膠體(30a,30b)底部的寬度W皆可介於1.5至3 mm之間，第一與第二圍繞式邊框膠體(30a,30b)的觸變指數(thixotropic index)皆可介於4至6之間，且第一與第二圍繞式邊框膠體(30a,30b)皆為一內部具有無機添加顆粒的白色熱硬化邊框膠體。
封裝單元4具有成形於基板本體10上表面以分別覆蓋第一發光模組2a及第二發光模組2b之一透明膠體40a及一螢光膠體40b，其中透明膠體40a被局限在第一膠體限位空間300a內，且螢光膠體40b被局限在第二膠體限位空間300b內。另外，第一圍繞式邊框膠體30a與第二圍繞式邊框膠體30b排列成一同心圓狀，第二發光模組2b設置於第一圍繞式邊框膠體30a與第二圍繞式邊框膠體30b之間，且上述多個藍色發光二極體晶粒20b可經由圍繞第一圍繞式邊框膠體30a的方式來設置(如圖1A所示)。
另外，設置於內圈的第一組發光結構N1包括：基板本體10、多個紅色發光二極體晶粒20a、第一圍繞式邊框膠體30a及透明膠體40a。設置於外圈的第二組發光結構N2包括：基板本體10、多個藍色發光二極體晶粒20b、第二圍繞式邊框膠體30b及螢光膠體40b。再者，依據不同的設計需求，第一組發光結構N1與第二組發光結構N2可共用同一個基板單元1(如第一實施例所舉的例子)或分別使用不同的基板單元，且第一組發光結構N1與第二組發光結構N2組合成本發明混光式多晶封裝結構M。
此外，如同圖1C所示的光譜圖，由於“多個紅色發光二極體晶粒20a與透明膠體40a配合後所產生的紅色光源”與“藍色發光二極體晶粒20b與螢光膠體40b配合後所產生的白色光源”可以相互產生混光效果，進而提升本發明混光式多晶封裝結構M所能夠呈現的演色性(例如，平均演色性Ra的提升，特別是正紅色演色性R9 的提升)。關於本案在電壓為24(V)與電流為1.25(A)的條件下，所得到的相關實驗數據，如下所示：
再者，混光式多晶封裝結構M更進一步包括：一限流單元C，其具有至少兩個電性(例如打線方式)設置於基板本體10上表面且與第二圍繞式邊框膠體30b彼此分離一特定距離之限流晶片C1。此外，邊框單元3具有至少兩個透過塗佈的方式而圍繞地成形於基板本體10上表面且分別圍繞上述兩個限流晶片C1之第三圍繞式邊框膠體30c(其製作方法與上述第一、二圍繞式邊框膠體(30a,30b)相同，且上述兩個第三圍繞式邊框膠體30c亦可組合成一用於同時圍繞上述兩個限流晶片C1的第三圍繞式邊框膠體)，且封裝單元4具有至少兩個分別覆蓋上述兩個限流晶片C1且分別被上述兩個第三圍繞式邊框膠體30c所圍繞之不透光膠體40c，以避免上述兩個限流晶片C1受到光線的照射而產生損壞的情況。
另外，基板單元1具有至少一貫穿基板本體10之隔熱狹縫12，且隔熱狹縫12位於發光單元(亦即第一發光模組2a與第二發光模組2b)與限流單元C之間或位於第二圍繞式邊框膠體30b與第三圍繞式邊框膠體30c之間。因此，透過隔熱狹縫12的使用，可大大減少限流單元C與發光單元之間的熱傳路徑，進而使得本發明可有效減緩由限流單元C的一或多個限流晶片C1所產生的熱量傳導至發光單元的速度。
請參閱圖1D與圖1E所示，第一發光模組2a與第二發光模組2b可經由並聯的方式電性連接於基板本體10，上述多個紅色發光二極體晶片20a與兩個限流晶片C1中的其中一個彼此電性串聯，且上述多個藍色發光二極體晶片20b與兩個限流晶片C1中的另外一個彼此電性串聯。因為限流晶片C1可作為定電壓源供應器S與第一發光模組2a之間的橋樑及作為定電壓源供應器S與第二發光模組2b之間的橋樑，以使得發光單元能夠從定電壓源供應器S得到穩定的電流供應。
當然，上述多個紅色發光二極體晶片20a可相互並聯而形成一並聯的紅色發光二極體晶片群組，上述多個藍色發光二極體晶片20b亦可分成多個並聯的藍色發光二極體晶片群組，且上述並聯的紅色發光二極體晶片群組與多個並聯的藍色發光二極體晶片群組可串聯在一起。另外，上述多個紅色發光二極體晶片20a可以同時被點亮，亦可進行分區點別(亦即只有部分的紅色發光二極體晶片20a被點亮)。上述多個藍色發光二極體晶片20b可以同時被點亮，亦可進行分區點別(亦即只有部分的藍色發光二極體晶片20b被點亮)。
[第二實施例]
請參閱圖2所示，本發明第二實施例提供一種混光式多晶封裝結構M。由圖2與圖1的比較可知，本發明第二實施例與第一實施例最大的差別在於：在第二實施例中，第一發光模組2a與第二發光模組2b的位置相互顛倒，而使得第一發光模組2a被置於外圈，第二發光模組2b被置於內圈。換言之，第一圍繞式邊框膠體30a圍繞第二發光模組2b，第二圍繞式邊框膠體30b圍繞第一發光模組2a及第一圍繞式邊框膠體30a，且第一發光模組2a設置於第一圍繞式邊框膠體30a與第二圍繞式邊框膠體30b之間。螢光膠體40b被局限在第一膠體限位空間300a內，透明膠體40a被局限在第二膠體限位空間300b內。
因此，本發明可隨著設計者的需求，而將具有“多個紅色發光二極體晶粒20a與透明膠體40a”的第一組發光結構N1設置於內圈，並將具有“藍色發光二極體晶粒20b與螢光膠體40b”的第二組發光結構N2設置於外圈(如第一實施例所示)或將具有“多個紅色發光二極體晶粒20a與透明膠體40a”的第一組發光結構N1設置於外圈，並將具有“藍色發光二極體晶粒20b與螢光膠體40b”的第二組發光結構N2設置於內圈(如第二實施例所示)。
[第三實施例]
請參閱圖3所示，本發明第三實施例提供一種混光式多晶封裝結構M，其包括：一基板單元1、一發光單元、一邊框單元3及一封裝單元4。本發明第三實施例與第一實施例最大的不同在於：在第三實施例中，依據不同的設計需求，第一圍繞式邊框膠體30a及第二圍繞式邊框膠體30b可為透明膠體或螢光膠體中的其中一種。舉例來說，本發明可隨著不同的需求而選擇性地添加螢光粉於第一圍繞式邊框膠體30a及第二圍繞式邊框膠體30b內，以使得光源能夠被導引至透明膠體40a與螢光膠體40b之間而出光(如圖中向上或斜上的箭頭所示)，進而降低透明膠體40a與螢光膠體40b之間的暗帶情況。
[第四實施例]
請參閱圖4所示，本發明第四實施例提供一種混光式多晶封裝結構M，其包括：一基板單元1、一發光單元、一邊框單元3及一封裝單元4。本發明第四實施例與第一實施例最大的不同在於：在第四實施例中，依據不同的設計需求，第一圍繞式邊框膠體30a可為透明膠體或螢光膠體，且第二圍繞式邊框膠體30b可為反光膠體。舉例來說，本發明可隨著不同的需求而選擇性地添加螢光粉於第一圍繞式邊框膠體30a，以使得光源能夠被導引至透明膠體40a與螢光膠體40b之間而出光(如圖中向上的箭頭所示)，進而降低透明膠體40a與螢光膠體40b之間的暗帶情況。此外，因為第二圍繞式邊框膠體30b為反光膠體，所以使得混光式多晶封裝結構M所投出的光源能得到較佳的聚光效果。
[第五實施例]
請參閱圖5所示，本發明第五實施例提供一種混光式多晶封裝結構M，其包括：一基板單元1、一發光單元、一邊框單元3及一封裝單元4。基板單元1具有一基板本體10及至少兩個設置於基板本體10上表面的置晶區域11。發光單元具有至少一用於產生紅光的第一發光模組2a及至少一用於產生藍光的第二發光模組2b，其中第一發光模組2a具有多個電性設置於基板單元1的其中一置晶區域11上之紅色發光元件20a’(例如每一個紅色發光元件20a’可為已封裝完成的紅色LED封裝元件，其可透過SMT的方式電性連接於基板單元1)，且第二發光模組2b具有多個電性設置於基板單元1的另外一置晶區域11上之藍色發光二極體晶粒20b。邊框單元3具有透過塗佈的方式而圍繞地成形於基板本體10上表面之至少一第一圍繞式邊框膠體30a及至少一第二圍繞式邊框膠體30b，其中第一圍繞式邊框膠體30a圍繞第一發光模組2a，且第二圍繞式邊框膠體30b圍繞第二發光模組2b及第一圍繞式邊框膠體30a，以形成至少一位於另外一置晶區域11上方且位於第一圍繞式邊框膠體30a與第二圍繞式邊框膠體30b之間之膠體限位空間300b’。第一與第二圍繞式邊框膠體(30a、30b)皆具有一接合凸部300(或一接合凹部)。封裝單元4具有一設置於基板本體10上表面以覆蓋第二發光模組2b之螢光膠體40b，其中螢光膠體40b被局限在膠體限位空間300b’內。
[第五實施例]
請參閱圖6所示，本發明第六實施例提供一種混光式多晶封裝結構M，其包括：一基板單元1、一發光單元、一邊框單元3及一封裝單元4。基板單元1具有一基板本體10及至少兩個設置於基板本體10上表面的置晶區域11。發光單元具有至少一用於產生紅光的第一發光模組2a及至少一用於產生藍光的第二發光模組2b，其中第一發光模組2a具有多個電性設置於基板單元1的其中一置晶區域11上之紅色發光元件20a’(例如每一個紅色發光元件20a’可為已封裝完成的紅色LED封裝元件，其可透過SMT的方式電性連接於基板單元1)，且第二發光模組2b具有多個電性設置於基板單元1的另外一置晶區域11上之藍色發光二極體晶粒20b。邊框單元3具有透過塗佈的方式而圍繞地成形於基板本體10上表面之至少一第一圍繞式邊框膠體30a及至少一第二圍繞式邊框膠體30b，其中第一圍繞式邊框膠體30a圍繞第二發光模組2b，以形成至少一位於其中一置晶區域11上方之膠體限位空間300a’，且第二圍繞式邊框膠體30b圍繞第一發光模組2a及第一圍繞式邊框膠體30a。封裝單元4具有一設置於基板本體10上表面以覆蓋第二發光模組2b之螢光膠體40b，其中螢光膠體40b被局限在膠體限位空間300a’內。
[第一實施例至第五實施例]
請參閱圖7所示，在本發明第一至第五實施例中，基板單元1具有多個設置於基板本體10上表面的正極焊墊P及多個設置於基板本體10上表面的負極焊墊N；其中每一個紅色發光二極體晶片20a具有一正極201a及一負極202a，每一個紅色發光二極體晶片20a的正極201a對應於上述多個正極焊墊P中的至少兩個，每一個紅色發光二極體晶片20a的負極202a對應於上述多個負極焊墊N中的至少兩個；其中每一個藍色發光二極體晶片20b具有一正極201b及一負極202b，每一個藍色發光二極體晶片20b的正極201b對應於上述多個正極焊墊P中的至少兩個，每一個藍色發光二極體晶片20b的負極202b對應於上述多個負極焊墊N中的至少兩個。
再者，混光式多晶封裝結構M更進一步包括：一導線單元W，其具有多條第一導線W1及多條第二導線W2；其中每兩條第一導線W1分別電性連接於每一個紅色發光二極體晶片20a的正極201a與上述至少兩個所對應的正極焊墊P中的其中一個之間及電性連接於每一個紅色發光二極體晶片20a的負極202a與上述至少兩個所對應的負極焊墊N中的其中一個之間；其中每兩條第二導線W2分別電性連接於每一個藍色發光二極體晶片20b的正極201b與上述至少兩個所對應的正極焊墊P中的其中一個之間及電性連接於每一個藍色發光二極體晶片20b的負極202b與上述至少兩個所對應的負極焊墊N中的其中一個之間。
以紅色發光二極體晶片20a為例來說，因為每一個紅色發光二極體晶片20a之正極201a與負極202a分別具有至少一個備用正極焊墊P及至少一個備用負極焊墊N，所以當第一導線W1的一末端打在(焊接在)其中一個正極焊墊P或負極焊墊N上而失敗時(造成浮焊，亦即第一導線W1與“正極焊墊P或負極焊墊N”之間沒有產生電性連接)，製造者不需清除因為打線失敗而形成於正極焊墊P表面上的焊渣(或負極焊墊N表面上的焊渣)，第一導線W1的一末端即可打在另外一個正極焊墊P(或另外一個負極焊墊N)上，以節省打線的時間(提升打線的效率)並增加打線的良率。
[第一實施例至第五實施例]
請參閱圖8A所示，在本發明第一至第五實施例中，電路基板100具有兩個電極層100’，其分別可為正電極與負電極。其中，每一個紅色發光二極體晶片20a可透過一黏著體A1以固定於其中一電極層100’上，且位於每一個紅色發光二極體晶片20a的上表面的正極(圖未示)與負極(圖未示)可分別透過兩條第一導線W1，以分別電性連接於上述兩個電極層100’。每一個藍色發光二極體晶片20b亦可透過一黏著體A1以固定於其中一電極層100’上，且位於每一個藍色發光二極體晶片20b的上表面的正極(圖未示)與負極(圖未示)可分別透過兩條第二導線W2，以分別電性連接於上述兩個電極層100’。
請參閱圖8B所示，在本發明第一至第五實施例中，電路基板100具有兩個電極層100’，其分別可為正電極與負電極。其中，位於每一個紅色發光二極體晶片20a的下表面的其中一電極(圖未示)可透過一導電體A2以固定且電性連接於其中一電極層100’，且位於每一個紅色發光二極體晶片20a的上表面的另外一電極(圖未示)可透過一條第一導線W1，以電性連接於另外一電極層100’。位於每一個藍色發光二極體晶片20b的下表面的其中一電極(圖未示)可透過一導電體A2以固定且電性連接於其中一電極層100’，且位於每一個藍色發光二極體晶片20b的上表面的另外一電極(圖未示)可透過一條第二導線W2，以電性連接於另外一電極層100’。
[實施例的可能功效]
綜上所述，由於“多個紅色發光二極體晶粒與透明膠體配合後所產生的紅色光源(或多個已封裝完成的紅色發光元件)”與“藍色發光二極體晶粒與螢光膠體配合後所產生的白色光源”可以相互產生混光效果，進而提升本發明混光式多晶封裝結構所能夠呈現的演色性。
另外，本發明透過塗佈的方式以成形一可為任意形狀之圍繞式邊框膠體(圍繞式白色膠體)，且透過圍繞式邊框膠體以局限一透光封裝膠體(透明膠體或透光膠體)的位置且調整透光封裝膠體的表面形狀，因此本發明能夠「提高發光二極體晶粒的發光效率」及「控制發光二極體晶粒的出光角度」。換言之，藉由圍繞式邊框膠體的使用，以使得透光封裝膠體被限位在膠體限位空間內，進而可控制「透光封裝膠體的使用量及位置」。再者藉由控制透光封裝膠體的使用量及位置，以調整透光封裝膠體的表面形狀及高度，進而控制多個發光二極體晶粒所產生之光束的出光角度」。另外，本發明亦可藉由圍繞式邊框膠體的使用，以使得多個發光二極體晶粒所產生的光束投射到圍繞式邊框膠體的內壁而產生反射，進而可增加本發明的發光效率。
以上所述僅為本發明之較佳可行實施例，非因此侷限本發明之專利範圍，故舉凡運用本發明說明書及圖式內容所為之等效技術變化，均包含於本發明之範圍內。
M．．．混光式多晶封裝結構
N1．．．第一組發光結構
N2．．．第二組發光結構
1．．．基板單元
10．．．基板本體
100．．．電路基板
100’．．．電極層
101．．．散熱層
102．．．導電焊墊
103．．．絕緣層
11．．．置晶區域
12．．．隔熱狹縫
2a．．．第一發光模組
20a．．．紅色發光二極體晶粒
201a．．．正極
202a．．．負極
20a’．．．紅色發光元件
2b．．．第二發光模組
20b．．．藍色發光二極體晶粒
201b．．．正極
202b．．．負極
3．．．邊框單元
30a．．．第一圍繞式邊框膠體
30b．．．第二圍繞式邊框膠體
30c．．．第三圍繞式邊框膠體
300．．．接合凸部
300a．．．第一膠體限位空間
300a’．．．膠體限位空間
300b．．．第二膠體限位空間
300b’．．．膠體限位空間
T．．．圓弧切線
θ．．．角度
H．．．高度
W．．．寬度
4．．．封裝單元
40a．．．透明膠體
40b．．．螢光膠體
40c．．．不透光膠體
C．．．限流單元
C1．．．限流晶片
W．．．導線單元
W1．．．第一導線
W2．．．第二導線
S．．．定電壓源供應器
A1．．．黏著體
A2．．．導電體
圖1A為本發明第一實施例的上視示意圖；
圖1B為本發明第一實施例的側視剖面示意圖；
圖1C為本發明第一實施例進行混光後的光譜圖；
圖1D為本發明第一實施例的功能方塊圖；
圖1E為本發明第一實施例選用兩個限流晶片的電路示意圖；
圖2為本發明第二實施例的上視示意圖；
圖3為本發明第三實施例的側視剖面示意圖；
圖4為本發明第四實施例的側視剖面示意圖；
圖5為本發明第五實施例的上視示意圖；
圖6為本發明第六實施例的上視示意圖；
圖7為本發明使用多個備用焊墊的局部上視示意圖；
圖8A為本發明使用另外一種電路基板的局部側視示意圖；以及
圖8B為本發明使用另外再一種電路基板的局部側視示意圖。
M．．．混光式多晶封裝結構
N1．．．第一組發光結構
N2．．．第二組發光結構
1．．．基板單元
10．．．基板本體
11．．．置晶區域
12．．．隔熱狹縫
2a．．．第一發光模組
20a．．．紅色發光二極體晶粒
2b．．．第二發光模組
20b．．．藍色發光二極體晶粒
3．．．邊框單元
30a．．．第一圍繞式邊框膠體
30b．．．第二圍繞式邊框膠體
30c．．．第三圍繞式邊框膠體
300．．．接合凸部
300a．．．第一膠體限位空間
300b．．．第二膠體限位空間
4．．．封裝單元
40a．．．透明膠體
40b．．．螢光膠體
40c．．．不透光膠體
C．．．限流單元
C1．．．限流晶片

Claims (20)

  1. 一種混光式多晶封裝結構，其包括：一基板單元，其具有一基板本體及至少兩個設置於該基板本體上表面的置晶區域；一發光單元，其具有至少一用於產生紅光的第一發光模組及至少一用於產生藍光的第二發光模組，其中上述至少一第一發光模組具有多個電性設置於該基板單元的其中一置晶區域上之紅色發光二極體晶粒，且上述至少一第二發光模組具有多個電性設置於該基板單元的另外一置晶區域上之藍色發光二極體晶粒；一邊框單元，其具有透過塗佈的方式而圍繞地成形於該基板本體上表面之至少一第一圍繞式邊框膠體及至少一第二圍繞式邊框膠體，其中上述至少一第一圍繞式邊框膠體圍繞上述至少一第一發光模組，以形成至少一位於其中一置晶區域上方之第一膠體限位空間，且上述至少一第二圍繞式邊框膠體圍繞上述至少一第二發光模組及上述至少一第一圍繞式邊框膠體，以形成至少一位於另外一置晶區域上方且位於上述至少一第一圍繞式邊框膠體與上述至少一第二圍繞式邊框膠體之間之第二膠體限位空間；以及一封裝單元，其具有設置於該基板本體上表面以分別覆蓋上述至少一第一發光模組及上述至少一第二發光模組之一透明膠體及一螢光膠體，其中該透明膠體被局限在上述至少一第一膠體限位空間內，且該螢光膠體被局限在上述至少一第二膠體限位空間內。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之混光式多晶封裝結構，其中上述至少一第一與第二圍繞式邊框膠體皆具有一接合凸部或一接合凹部。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之混光式多晶封裝結構，其中上述至少一第一圍繞式邊框膠體與上述至少一第二圍繞式邊框膠體排列成一同心圓狀，上述至少一第二發光模組設置於上述至少一第一圍繞式邊框膠體與上述至少一第二圍繞式邊框膠體之間，且上述多個藍色發光二極體晶粒圍繞上述至少一第一圍繞式邊框膠體。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之混光式多晶封裝結構，其中上述至少一第一圍繞式邊框膠體為透明膠體或螢光膠體，且上述至少一第二圍繞式邊框膠體為透明膠體、螢光膠體或反光膠體。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之混光式多晶封裝結構，其中上述至少一第一與第二圍繞式邊框膠體的上表面皆為一圓弧形，上述至少一第一與第二圍繞式邊框膠體相對於該基板本體上表面之圓弧切線的角度皆介於40至50度之間，上述至少一第一與第二圍繞式邊框膠體的頂面相對於該基板本體上表面的高度皆介於0.3至0.7 mm之間，上述至少一第一與第二圍繞式邊框膠體底部的寬度皆介於1.5至3 mm之間，上述至少一第一與第二圍繞式邊框膠體的觸變指數皆介於4至6之間，且上述至少一第一與第二圍繞式邊框膠體皆為一內部具有無機添加顆粒的白色熱硬化邊框膠體。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之混光式多晶封裝結構，其中該基板單元具有多個設置於該基板本體上表面的正極焊墊及多個設置於該基板本體上表面的負極焊墊；其中每一個紅色發光二極體晶片具有一正極及一負極，每一個紅色發光二極體晶片的正極對應於上述多個正極焊墊中的至少兩個，每一個紅色發光二極體晶片的負極對應於上述多個負極焊墊中的至少兩個；其中每一個藍色發光二極體晶片具有一正極及一負極，每一個藍色發光二極體晶片的正極對應於上述多個正極焊墊中的至少兩個，每一個藍色發光二極體晶片的負極對應於上述多個負極焊墊中的至少兩個。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之混光式多晶封裝結構，更進一步包括：一導線單元，其具有多條第一導線及多條第二導線；其中每兩條第一導線分別電性連接於每一個紅色發光二極體晶片的正極與上述至少兩個所對應的正極焊墊中的其中一個之間及電性連接於每一個紅色發光二極體晶片的負極與上述至少兩個所對應的負極焊墊中的其中一個之間；其中每兩條第二導線分別電性連接於每一個藍色發光二極體晶片的正極與上述至少兩個所對應的正極焊墊中的其中一個之間及電性連接於每一個藍色發光二極體晶片的負極與上述至少兩個所對應的負極焊墊中的其中一個之間。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之混光式多晶封裝結構，更進一步包括：一限流單元，其具有至少兩個電性設置於該基板本體上表面且與上述至少一第二圍繞式邊框膠體彼此分離一特定距離之限流晶片，其中該邊框單元具有至少兩個透過塗佈的方式而圍繞地成形於該基板本體上表面且分別圍繞上述至少兩個限流晶片之第三圍繞式邊框膠體，該封裝單元具有至少兩個分別覆蓋上述至少兩個限流晶片且分別被上述至少兩個第三圍繞式邊框膠體所圍繞之不透光膠體，上述至少一第一發光模組與上述至少一第二發光模組以並聯的方式電性連接於該基板本體，上述多個紅色發光二極體晶片與上述至少兩個限流晶片中的其中一個彼此電性串聯，且上述多個藍色發光二極體晶片與上述至少兩個限流晶片中的另外一個彼此電性串聯。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之混光式多晶封裝結構，其中該基板單元具有至少一貫穿該基板本體之隔熱狹縫，且上述至少一隔熱狹縫位於該發光單元與該限流單元之間或位於上述至少一第二圍繞式邊框膠體與上述至少一第三圍繞式邊框膠體之間。
  10. 一種混光式多晶封裝結構，其包括：一基板單元，其具有一基板本體及至少兩個設置於該基板本體上表面的置晶區域；一發光單元，其具有至少一用於產生紅光的第一發光模組及至少一用於產生藍光的第二發光模組，其中上述至少一第一發光模組具有多個電性設置於該基板單元的其中一置晶區域上之紅色發光二極體晶粒，且上述至少一第二發光模組具有多個電性設置於該基板單元的另外一置晶區域上之藍色發光二極體晶粒；一邊框單元，其具有透過塗佈的方式而圍繞地成形於該基板本體上表面之至少一第一圍繞式邊框膠體及至少一第二圍繞式邊框膠體，其中上述至少一第一圍繞式邊框膠體圍繞上述至少一第二發光模組，以形成至少一位於其中一置晶區域上方之第一膠體限位空間，且上述至少一第二圍繞式邊框膠體圍繞上述至少一第一發光模組及上述至少一第一圍繞式邊框膠體，以形成至少一位於另外一置晶區域上方且位於上述至少一第一圍繞式邊框膠體與上述至少一第二圍繞式邊框膠體之間之第二膠體限位空間；以及一封裝單元，其具有設置於該基板本體上表面以分別覆蓋上述至少一第一發光模組及上述至少一第二發光模組之一透明膠體及一螢光膠體，其中該螢光膠體被局限在上述至少一第一膠體限位空間內，且該透明膠體被局限在上述至少一第二膠體限位空間內。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之混光式多晶封裝結構，其中上述至少一第一與第二圍繞式邊框膠體皆具有一接合凸部或一接合凹部。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之混光式多晶封裝結構，其中上述至少一第一圍繞式邊框膠體與上述至少一第二圍繞式邊框膠體排列成一同心圓狀，上述至少一第一發光模組設置於上述至少一第一圍繞式邊框膠體與上述至少一第二圍繞式邊框膠體之間，且上述多個紅色發光二極體晶粒圍繞上述至少一第一圍繞式邊框膠體。
  13. 如申請專利範圍第10項所述之混光式多晶封裝結構，其中上述至少一第一圍繞式邊框膠體為透明膠體或螢光膠體，且上述至少一第二圍繞式邊框膠體為透明膠體、螢光膠體或反光膠體。
  14. 如申請專利範圍第10項所述之混光式多晶封裝結構，其中上述至少一第一與第二圍繞式邊框膠體的上表面皆為一圓弧形，上述至少一第一與第二圍繞式邊框膠體相對於該基板本體上表面之圓弧切線的角度皆介於40至50度之間，上述至少一第一與第二圍繞式邊框膠體的頂面相對於該基板本體上表面的高度皆介於0.3至0.7 mm之間，上述至少一第一與第二圍繞式邊框膠體底部的寬度皆介於1.5至3 mm之間，上述至少一第一與第二圍繞式邊框膠體的觸變指數皆介於4至6之間，且上述至少一第一與第二圍繞式邊框膠體皆為一內部具有無機添加顆粒的白色熱硬化邊框膠體。
  15. 如申請專利範圍第10項所述之混光式多晶封裝結構，其中該基板單元具有多個設置於該基板本體上表面的正極焊墊及多個設置於該基板本體上表面的負極焊墊；其中每一個紅色發光二極體晶片具有一正極及一負極，每一個紅色發光二極體晶片的正極對應於上述多個正極焊墊中的至少兩個，每一個紅色發光二極體晶片的負極對應於上述多個負極焊墊中的至少兩個；其中每一個藍色發光二極體晶片具有一正極及一負極，每一個藍色發光二極體晶片的正極對應於上述多個正極焊墊中的至少兩個，每一個藍色發光二極體晶片的負極對應於上述多個負極焊墊中的至少兩個。
  16. 如申請專利範圍第10項所述之混光式多晶封裝結構，更進一步包括：一限流單元，其具有至少兩個電性設置於該基板本體上表面且與上述至少一第二圍繞式邊框膠體彼此分離一特定距離之限流晶片，其中該邊框單元具有至少兩個透過塗佈的方式而圍繞地成形於該基板本體上表面且分別圍繞上述至少兩個限流晶片之第三圍繞式邊框膠體，該封裝單元具有至少兩個分別覆蓋上述至少兩個限流晶片且分別被上述至少兩個第三圍繞式邊框膠體所圍繞之不透光膠體，上述至少一第一發光模組與上述至少一第二發光模組以並聯的方式電性連接於該基板本體，上述多個紅色發光二極體晶片與上述至少兩個限流晶片中的其中一個彼此電性串聯，且上述多個藍色發光二極體晶片與上述至少兩個限流晶片中的另外一個彼此電性串聯。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之混光式多晶封裝結構，其中該基板單元具有至少一貫穿該基板本體之隔熱狹縫，且上述至少一隔熱狹縫位於該發光單元與該限流單元之間或位於上述至少一第二圍繞式邊框膠體與上述至少一第三圍繞式邊框膠體之間。
  18. 一種混光式多晶封裝結構，其包括：一基板單元，其具有一基板本體及至少兩個設置於該基板本體上表面的置晶區域；一發光單元，其具有至少一用於產生紅光的第一發光模組及至少一用於產生藍光的第二發光模組，其中上述至少一第一發光模組具有多個電性設置於該基板單元的其中一置晶區域上之紅色發光元件，且上述至少一第二發光模組具有多個電性設置於該基板單元的另外一置晶區域上之藍色發光二極體晶粒；一邊框單元，其具有透過塗佈的方式而圍繞地成形於該基板本體上表面之至少一第一圍繞式邊框膠體及至少一第二圍繞式邊框膠體，其中上述至少一第一圍繞式邊框膠體圍繞上述至少一第一發光模組，且上述至少一第二圍繞式邊框膠體圍繞上述至少一第二發光模組及上述至少一第一圍繞式邊框膠體，以形成至少一位於上述另外一置晶區域上方且位於上述至少一第一圍繞式邊框膠體與上述至少一第二圍繞式邊框膠體之間之膠體限位空間；以及一封裝單元，其具有一設置於該基板本體上表面以覆蓋上述至少一第二發光模組之螢光膠體，其中該螢光膠體被局限在上述至少一膠體限位空間內。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之混光式多晶封裝結構，其中上述至少一第一與第二圍繞式邊框膠體皆具有一接合凸部或一接合凹部。
  20. 一種混光式多晶封裝結構，其包括：一基板單元，其具有一基板本體及至少兩個設置於該基板本體上表面的置晶區域；一發光單元，其具有至少一用於產生紅光的第一發光模組及至少一用於產生藍光的第二發光模組，其中上述至少一第一發光模組具有多個電性設置於該基板單元的其中一置晶區域上之紅色發光元件，且上述至少一第二發光模組具有多個電性設置於該基板單元的另外一置晶區域上之藍色發光二極體晶粒；一邊框單元，其具有透過塗佈的方式而圍繞地成形於該基板本體上表面之至少一第一圍繞式邊框膠體及至少一第二圍繞式邊框膠體，其中上述至少一第一圍繞式邊框膠體圍繞上述至少一第二發光模組，以形成至少一位於其中一置晶區域上方之膠體限位空間，且上述至少一第二圍繞式邊框膠體圍繞上述至少一第一發光模組及上述至少一第一圍繞式邊框膠體；以及一封裝單元，其具有一設置於該基板本體上表面以覆蓋上述至少一第二發光模組之螢光膠體，其中該螢光膠體被局限在上述至少一膠體限位空間內。
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