CN102468293A - 直接电性连接于交流电源的多晶封装结构 - Google Patents

Abstract

一种直接电性连接于交流电源的多晶封装结构，其包括一基板单元、一发光单元、一控制模块、一边框单元及一封装单元；基板单元具有一第一置晶区域及一第二置晶区域；发光单元具有多个电性设置于第一置晶区域上的发光二极管芯片；控制模块具有限流单元与桥式整流单元，其皆电性设置于第二置晶区域上且电性连接于发光单元；边框单元具有一围绕上述多个发光二极管芯片的第一环绕式边框胶体及一围绕限流单元与桥式整流单元的第二环绕式边框胶体；封装单元具有一覆盖上述多个发光二极管芯片的第一封装胶体及一覆盖限流单元与桥式整流单元的第二封装胶体。本发明实施例所提供的多晶封装结构，可直接电性连接于交流电源，而以交流电源作为供电的源头。

Description

直接电性连接于交流电源的多晶封装结构

技术领域

本发明涉及一种多晶封装结构，尤指一种直接电性连接于交流电源的多晶封装结构。

背景技术

电灯的发明可以说是彻底地改变了全人类的生活方式，倘若我们的生活没有电灯，夜晚或天气状况不佳的时候，一切的工作都将要停摆；倘若受限于照明，极有可能使房屋建筑方式或人类生活方式都彻底改变，全人类都将因此而无法进步，继续停留在较落后的年代。，今日市面上所使用的照明设备，例如：日光灯、钨丝灯、甚至到现在较广为大众所接受的省电灯泡，皆已普遍应用于日常生活当中。然而，此类电灯大多具有光衰减快、高耗电量、容易产生高热、寿命短、易碎或不易回收等缺点。因此，使用发光二极管的封装结构因应而生。

发明内容

本发明解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种多晶封装结构，其可直接电性连接于交流电源(例如市电交流插座)，而以交流电源作为供电的源头。

为解决以上所描述的技术问题，本发明提供一种直接电性连接于交流电源的多晶封装结构，其包括：一基板单元、一发光单元、一控制模块、一边框单元及一封装单元。基板单元具有一基板本体、一位于基板本体上表面的第一置晶区域、及一位于基板本体上表面的第二置晶区域。发光单元具有多个电性设置于第一置晶区域上的发光二极管芯片。控制模块具有至少一电性设置于第二置晶区域上的限流单元及至少一电性设置于第二置晶区域上的桥式整流单元，其中限流单元与桥式整流单元皆电性连接于发光单元。边框单元具有一环绕地成形于基板本体上表面的第一环绕式边框胶体及一环绕地成形于基板本体上表面的第二环绕式边框胶体，其中第一环绕式边框胶体围绕上述多个发光二极管芯片，以形成一对应于第一置晶区域的第一胶体限位空间，且第二环绕式边框胶体围绕限流单元与桥式整流单元，以形成一对应于第二置晶区域的第二胶体限位空间。封装单元具有一填充于第一胶体限位空间内以覆盖上述多个发光二极管芯片的第一封装胶体及一填充于第二胶体限位空间内以覆盖限流单元与桥式整流单元的第二封装胶体。

本发明提供另一种直接电性连接于交流电源的多晶封装结构，其包括：一基板单元、一发光单元、一控制模块、一边框单元及一封装单元。基板单元具有一基板本体、两个位于基板本体上表面的第一置晶区域、及一位于基板本体上表面的第二置晶区域。发光单元具有至少一用于产生第一种色温的第一发光模块及至少一用于产生第二种色温的第二发光模块，其中第一发光模块具有多个电性设置于其中一第一置晶区域上的第一发光二极管芯片，且第二发光模块具有多个电性设置于另外一第一置晶区域上的第二发光二极管芯片。控制模块具有至少一电性设置于第二置晶区域上的限流单元及至少一电性设置于第二置晶区域上的桥式整流单元，其中限流单元与桥式整流单元皆电性连接于发光单元。边框单元具有两个环绕地成形于基板本体上表面的第一环绕式边框胶体及一环绕地成形于基板本体上表面的第二环绕式边框胶体，且其中一个第一环绕式边框胶体围绕另外一个第一环绕式边框胶体，其中上述两个第一环绕式边框胶体分别围绕第一发光模块及第二发光模块，以分别形成两个相对应上述两个第一置晶区域的第一胶体限位空间，第二发光模块位于上述两个第一环绕式边框胶体之间，且第二环绕式边框胶体围绕限流单元与桥式整流单元，以形成一对应于第二置晶区域的第二胶体限位空间。封装单元具有两个分别填充于上述两个第一胶体限位空间内以分别覆盖第一发光模块及第二发光模块的第一封装胶体及一填充于第二胶体限位空间内以覆盖限流单元与桥式整流单元的第二封装胶体。

本发明还提供一种直接电性连接于交流电源的多晶封装结构，其包括：一基板单元、一发光单元、一控制模块及一封装单元。基板单元具有一基板本体及一位于基板本体上表面的置晶区域。发光单元具有多个电性设置于置晶区域上的发光二极管芯片。控制模块具有一电性设置于基板本体上的环绕式基板、至少一电性设置于环绕式基板上的限流单元、至少一电性设置于环绕式基板上的桥式整流单元、及一用于覆盖限流单元与桥式整流单元的不透光封装胶体，其中限流单元与桥式整流单元皆电性连接于发光单元，且环绕式基板围绕上述多个发光二极管芯片，以形成一限位空间。封装单元具有一填充于限位空间内以覆盖上述多个发光二极管芯片的透光封装胶体。

综上所述，本发明实施例所提供的多晶封装结构，其可通过“将上述多个发光二极管芯片、上述至少一限流单元与上述至少一桥式整流单元电性连接于同一基板单元上”的设计，以使得本发明的多晶封装结构可直接电性连接于交流电源(例如市电交流插座)，而以交流电源作为供电的源头。

为了能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。

附图说明

图1A为本发明第一实施例的的立体示意图；

图1B为本发明第一实施例的的侧视剖面示意图；

图1C为本发明第一实施例的的俯视图；

图1D为本发明第一实施例的功能方块图；

图2A为本发明第二实施例的的俯视图；

图2B为本发明第二实施例的的侧视剖面示意图；

图3为本发明第三实施例的的俯视图；

图4A为本发明第四实施例的的俯视图；

图4B为本发明第四实施例的的侧视剖面示意图；

图5A为本发明第五实施例的的俯视图；

图5B为本发明第五实施例的的侧视剖面示意图；

图6A为本发明第六实施例的的俯视图；

图6B为本发明第六实施例的的侧视剖面示意图；

图7A为本发明第七实施例的的俯视图；

图7B为本发明第七实施例的的侧视剖面示意图；

图8为本发明第八实施例的的俯视图；

图9A为本发明第九实施例的的俯视图；

图9B为本发明第九实施例的的侧视剖面示意图；

图10为本发明第十实施例的的侧视剖面示意图；

图11为本发明第十一实施例的的侧视剖面示意图；

图12为本发明第十二实施例的的侧视剖面示意图；

图13为本发明使用多个备用焊垫的局部俯视图；

图14A为本发明额外使用浪涌吸收器、稳压单元与保险丝的功能方块图；及

图14B为本发明额外使用浪涌吸收器、稳压单元与保险丝的电路功能方块图。

【主要元件附图标记说明】

交流电源             S

多晶封装结构         Z

基板单元             1         基板本体       10

电路基板             100

                  散热层               101

                  导电焊垫             102

                  正极焊垫             P

                  负极焊垫             N

                  绝缘层               103

                  置晶区域             11

                  第一置晶区域         11’

                  第二置晶区域         12

                  隔热狭缝             13发光单元      2    发光二极管芯片       20

                  正极                 201

                  负极                 202

第一发光模块 2a   第一发光二极管芯片   20a

第二发光模块 2b   第一发光二极管芯片   20b

控制模块     C    限流单元             C1

                  桥式整流单元         C2

                  稳压单元             C3

                  保险丝               C4

                  浪涌吸收器           C5

                  环绕式基板           C’

                  不透光封装胶体       C”

边框单元     3    环绕式边框胶体       30

                  第一环绕式边框胶体   30’

                  第一环绕式边框胶体   30a

                  第一环绕式边框胶体   30b

                  圆弧切线             T

                  角度                 θ

                  高度                 H

                  宽度                 D

                  限位空间             300

                  第一胶体限位空间     300’

                  第二环绕式边框胶体   31

                  第二胶体限位空间     310

封装单元     4    透光封装胶体         40

                  第一封装胶体         40’

                  第一封装胶体         40a

                  第一封装胶体         40b

                     第二封装胶体          41

导线单元         W   导线                  W1

第一组发光结构   N1

第二组发光结构   N2

蓝色光束         L1

白色光束         L2

具体实施方式

请参阅图1A至图1D所示，图1A为立体示意图，图1B为侧视剖面示意图，图1C为俯视图，图1D为功能方块图。由上述图中可知，本发明第一实施例提供一种直接电性连接于交流电源S(例如市电交流插座)的多晶封装结构Z，其包括：一基板单元1、一发光单元2、一控制模块C、一边框单元3及一封装单元4。

其中，基板单元1具有一基板本体10、一位于基板本体10上表面的第一置晶区域11’、及一位于基板本体10上表面的第二置晶区域12。举例来说，基板本体10可具有一电路基板100、一设置于电路基板100底部的散热层101、多个设置于电路基板100上表面的导电焊垫102、及一设置于电路基板100上表面并用于露出上述多个导电焊垫102的绝缘层103。因此，散热层101可用于增加电路基板100的散热效能，并且上述多个绝缘层103可为一种可用于只让上述多个导电焊垫102裸露出来并且达到局限焊接区域的防焊层。然而，上述对于基板本体10的界定并非用以限定本发明，举凡任何型式的基板皆为本发明可应用的范畴。例如：基板本体10可为一印刷电路板、一软基板、一铝基板、一陶瓷基板或一铜基板等。

再者，发光单元2具有多个电性设置于第一置晶区域11’上的发光二极管芯片20。举例来说，每一个发光二极管芯片20可为一蓝色发光二极管芯片，且每一个发光二极管芯片20可通过连线焊接(wire-bonding)的方式，以电性地设置于基板单元1的第一置晶区域11’上。换言之，设计者可预先在基板单元1上规划出一特定的第一置晶区域11’，以使得上述多个发光二极管芯片20可电性地放置在基板单元1的第一置晶区域11’所界定的范围内。

此外，控制模块C具有至少一电性设置于第二置晶区域12上的限流单元C1(例如限流芯片)及至少一电性设置于第二置晶区域12上的桥式整流单元C2(例如桥式整流器或桥式整流芯片)，当然本发明也可以因应不同的电流需求，而使用多个电性设置于第二置晶区域12上的限流单元C1，其中限流单元C1与桥式整流单元C2皆电性连接于发光单元2，以提供一特定的直流电流给发光单元2使用。举例来说，限流单元C1与桥式整流单元C2皆可通过连线焊接(wire-bonding)的方式，以电性设置于基板单元1的第二置晶区域12上且电性连接于交流电源S与发光单元2之间(如图1D所示)。换言之，设计者可预先在基板单元1上规划出一特定的第二置晶区域12，以使得限流单元C1与桥式整流单元C2皆可电性地放置在基板单元1的第二置晶区域12所界定的范围内。另外，因为桥式整流单元C2可将交流电源S转换成直流电源，且限流单元C1可限制供应给发光单元2的直流电流量，以使得发光单元2能够得到稳定的直流电流供应。

另外，边框单元3具有一可通过涂布的方式而环绕地成形于基板本体10上表面的第一环绕式边框胶体30’及一可通过涂布的方式而环绕地成形于基板本体10上表面的第二环绕式边框胶体31，其中第一环绕式边框胶体30’围绕些发光二极管芯片20，以形成一对应于第一置晶区域11’的第一胶体限位空间300’，且第二环绕式边框胶体31围绕限流单元C1与桥式整流单元C2，以形成一对应于第二置晶区域12的第二胶体限位空间310。此外，第一环绕式边框胶体30’与第二环绕式边框胶体31彼此分离一特定距离。

举例来说，第一环绕式边框胶体30’(或第二环绕式边框胶体31)的制作方法，至少包括下列几个步骤：(1)首先，环绕地涂布液态胶材(图未示)于基板本体10上表面，其中液态胶材可被随意地围绕成一特定的形状(例如圆形、方形、长方形等等)，液态胶材的触变指数(thixotropic index)可介于4至6之间，涂布液态胶材于基板本体10上表面的压力可介于350至450kpa之间，涂布液态胶材于基板本体10上表面的速度可介于5至15mm/s之间，并且环绕地涂布液态胶材于基板本体10上表面的起始点与终止点为大约相同的位置，因此起始点与终止点会有一胶体些许凸出的外观；(2)然后，再固化液态胶材以形成第一环绕式边框胶体30’，其中液态胶材可通过烘烤的方式硬化，烘烤的温度可介于120至140度之间，且烘烤的时间可介于20至40分钟之间。因此，第一环绕式边框胶体30’的上表面可呈现一圆弧形，第一环绕式边框胶体30’相对于基板本体10上表面的圆弧切线T的角度θ可介于40至50度之间，第一环绕式边框胶体30’的顶面相对于基板本体10上表面的高度H可介于0.3至0.7mm之间，第一环绕式边框胶体30’底部的宽度D可介于1.5至3mm之间，第一环绕式边框胶体30’的触变指数可介于4至6之间，且第一环绕式边框胶体30’可为一混有无机添加物的白色热硬化边框胶体。

再者，封装单元4具有一填充于第一胶体限位空间300’内以覆盖上述多个发光二极管芯片20的第一封装胶体40’及一填充于第二胶体限位空间310内以覆盖限流单元C1与桥式整流单元C2的第二封装胶体41，其中第一封装胶体40’与第二封装胶体41彼此分离一特定距离，且第一环绕式边框胶体30’与第二封装胶体41彼此分离一特定距离。举例来说，由于第一封装胶体40’可为一透光胶体(例如荧光胶体或透明胶体)，因此上述多个发光二极管芯片20(例如多个蓝色发光二极管芯片)所投射出来的蓝色光束L1可穿过第一封装胶体40’(例如荧光胶体)，以产生类似日光灯源的白色光束L2。另外，第二封装胶体41可为一不透光胶体，其用于覆盖限流单元C1与桥式整流单元C2，以避免限流单元C1与桥式整流单元C2受到上述白色光束L2的照射而产生损坏的情况。

另外，第一实施例的基板单元1更进一步包括有：至少一贯穿基板本体10的隔热狭缝13，且隔热狭缝13可位于发光单元2与控制模块C之间或位于第一环绕式边框胶体30’与第二环绕式边框胶体31之间。因此，通过隔热狭缝13的使用，可大大减少控制模块C与发光单元2之间的热传路径，进而使得本发明可有效减缓由控制模块C的一或多个限流单元C1与桥式整流单元C2所产生的热量传导至发光单元2的速度。

第二实施例

请参阅图2A与图2B所示，图2A为立体示意图，图2B为侧视剖面示意图。由上述图中可知，本发明第二实施例提供一种直接电性连接于交流电源(图未示)的多晶封装结构Z，其包括：一基板单元1、一发光单元2、一控制模块C、一边框单元3及一封装单元4。由图2A与图1A(或图2B与图1B)的比较可知，本发明第二实施例与第一实施例最大的差别在于：第二实施例的基板单元1可省略隔热狭缝13的制作。举例来说，当控制模块C不会产生过多的热量时，则可考虑使用本发明第二实施例的方案。

第三实施例

请参阅图3所示，其为俯视图。由上述图中可知，本发明第三实施例提供一种直接电性连接于交流电源(图未示)的多晶封装结构Z，其包括：一基板单元1、一发光单元2、一控制模块C、一边框单元3及一封装单元4。由图3与图1C的比较可知，本发明第三实施例与第一实施例最大的差别在于：控制模块C位于第一环绕式边框胶体30’与第二环绕式边框胶体31之间，第二环绕式边框胶体31围绕第一环绕式边框胶体30’，第二封装胶体41围绕第一封装胶体40’，且第一环绕式边框胶体30’与第二封装胶体41彼此相连。换言之，第一环绕式边框胶体30’只围绕上述多个发光二极管芯片20，而第二环绕式边框胶体31同时围绕上述多个发光二极管芯片20、第一环绕式边框胶体30’、限流单元C1与桥式整流单元C2，因此第一环绕式边框胶体30’与第二环绕式边框胶体31排列成一类似同心圆的图案。

再者，与第一实施例相同的是，基板单元1可更进一步包括有：至少一贯穿基板本体10的隔热狭缝13，且隔热狭缝13可位于发光单元2与控制模块C之间或位于第一环绕式边框胶体30’与第二环绕式边框胶体31之间。因此，通过隔热狭缝13的使用，可大大减少控制模块C与发光单元2之间的热传路径，进而使得本发明可有效减缓由控制模块C的一或多个限流单元C1与桥式整流单元C2所产生的热量传导至发光单元2的速度。当然，第二实施例亦可依据不同的设计需求而省略隔热狭缝13的制作。

第四实施例

请参阅图4A与图4B所示，图4A为俯视示意图，图4B为侧视剖面示意图。由上述图中可知，本发明第四实施例提供一种直接电性连接于交流电源(图未示)的多晶封装结构Z，其包括：一基板单元1、一发光单元2、一控制模块C、一边框单元3及一封装单元4。

其中，基板单元1具有一基板本体10、两个位于基板本体10上表面的第一置晶区域11’、及一位于基板本体10上表面的第二置晶区域12。举例来说，基板本体10可具有一电路基板100、一设置于电路基板100底部的散热层101、多个设置于电路基板100上表面的导电焊垫102、及一设置于电路基板100上表面并用于露出上述多个导电焊垫102的绝缘层103。

再者，发光单元2具有至少一用于产生第一种色温的第一发光模块2a及至少一用于产生第二种色温的第二发光模块2b，其中第一发光模块2a具有多个电性设置于其中一第一置晶区域11’上的第一发光二极管芯片20a，且第二发光模块2b具有多个电性设置于另外一第一置晶区域11’上的第二发光二极管芯片20b。举例来说，每一个第一发光二极管芯片20a与每一个第二发光二极管芯片20b皆为蓝色发光二极管芯片，且每一个第一发光二极管芯片20a与每一个第二发光二极管芯片20b皆可通过连线焊接(wire-bonding)的方式，以分别电性设置于上述两个第一置晶区域11’上。

此外，控制模块C具有至少一电性设置于第二置晶区域12上的限流单元C1及至少一电性设置于第二置晶区域12上的桥式整流单元C2，其中限流单元C1与桥式整流单元C2皆电性连接于发光单元2，以提供一特定的电流给发光单元2使用。当然本发明也可以因应不同的电流需求，而使用多个电性设置于第二置晶区域12上的限流单元C 1(例如使用两个限流单元C1，其分别应用于第一发光模块2a与第二发光模块2b)。举例来说，限流单元C1与桥式整流单元C2皆可通过连线焊接(wire-bonding)的方式，以电性设置于基板单元1的第二置晶区域12上且电性连接于交流电源(图未示)与发光单元2之间。因此，与第一实施例(如图1D所示)相同的是，因为桥式整流单元C2可将交流电源(图未示)转换成直流电源，且限流单元C1可限制供应给发光单元2的直流电流量，以使得发光单元2能够得到稳定的直流电流供应。

另外，边框单元3具有两个环绕地成形于基板本体10上表面的第一环绕式边框胶体30’及一环绕地成形于基板本体10上表面的第二环绕式边框胶体31，其中上述两个第一环绕式边框胶体30’分别围绕第一发光模块2a及第二发光模块2b，以分别形成两个相对应上述两个第一置晶区域11’的第一胶体限位空间300’，且第二环绕式边框胶体31围绕限流单元C1与桥式整流单元C2，以形成一对应于第二置晶区域12的第二胶体限位空间310。此外，上述两个第一环绕式边框胶体30’彼此分离一特定距离，且上述两个第一环绕式边框胶体30’彼此并联地排列在基板本体10上，另外每一个第一环绕式边框胶体30’与第二环绕式边框胶体31彼此分离一特定距离。

再者，封装单元4具有两个分别填充于上述两个第一胶体限位空间300’内以分别覆盖第一发光模块2a及第二发光模块2b的第一封装胶体40a、40b及一填充于第二胶体限位空间310内以覆盖限流单元C1与桥式整流单元C2的第二封装胶体41，其中每一个第一封装胶体40a、40b与第二封装胶体41彼此分离一特定距离，且每一个第一环绕式边框胶体30’与第二封装胶体41彼此分离一特定距离。举例来说，其中一第一封装胶体40a可为一具有一第一颜色的荧光胶体，另外一第一封装胶体40b可为一具有一第二颜色的荧光胶体，且第二封装胶体41可为一具有遮光效果的不透光胶体。

另外，第四实施例的基板单元1更进一步包括有：至少一贯穿基板本体10的隔热狭缝13，且隔热狭缝13可位于发光单元2与控制模块C的间或位于其中一第一环绕式边框胶体30’与第二环绕式边框胶体31之间。因此，通过隔热狭缝13的使用，可大大减少控制模块C与发光单元2之间的热传路径，进而使得本发明可有效减缓由控制模块C的一或多个限流单元C1与桥式整流单元C2所产生的热量传导至发光单元2的速度。

再者，第一组发光结构N1可包括：基板本体10、多个第一发光二极管芯片20a、其中一第一环绕式边框胶体30’及其中一第一封装胶体40a。第二组发光结构N2可包括：基板本体10、多个第二发光二极管芯片20b、另外一第一环绕式边框胶体30’及另外一第一封装胶体40b。

第五实施例

请参阅图5A与图5B所示，图5A为俯视图，图5B为侧视剖面示意图。由上述图中可知，本发明第五实施例提供一种直接电性连接于交流电源(图未示)的多晶封装结构Z，其包括：一基板单元1、一发光单元2、一控制模块C、一边框单元3及一封装单元4。由图5A与图4A(或图5B与图4B)的比较可知，本发明第五实施例与第四实施例最大的差别在于：边框单元3的两个第一环绕式边框胶体30’可彼此并联排列且连接在一起。

第六实施例

请参阅图6A与图6B所示，图6A为俯视图，图6B为侧视剖面示意图。由上述图中可知，本发明第六实施例提供一种直接电性连接于交流电源(图未示)的多晶封装结构Z，其包括：一基板单元1、一发光单元2、一控制模块C、一边框单元3及一封装单元4。由图6A与图5A(或图6B与图5B)的比较可知，本发明第五实施例与第四实施例最大的差别在于：在第五实施例中，依据不同的设计需求，每一个第一环绕式边框胶体30’可为荧光胶体。换句话说，本发明可随着不同的需求而选择性地添加荧光粉于每一个第一环绕式边框胶体30’内，进而有效降低发生于封装单元4的两个第一封装胶体40a、40b之间的暗带情况。

第七实施例

请参阅图7A与图7B所示，图7A为俯视示意图，图7B为侧视剖面示意图。由上述图中可知，本发明第七实施例提供一种直接电性连接于交流电源(图未示)的多晶封装结构Z，其包括：一基板单元1、一发光单元2、一控制模块C、一边框单元3及一封装单元4。

其中，基板单元1具有一基板本体10、两个位于基板本体10上表面的第一置晶区域11’、及一位于基板本体10上表面的第二置晶区域12。发光单元2具有至少一用于产生第一种色温的第一发光模块2a及至少一用于产生第二种色温的第二发光模块2b，其中第一发光模块2a具有多个电性设置于其中一第一置晶区域11’上的第一发光二极管芯片20a，且第二发光模块2b具有多个电性设置于另外一第一置晶区域11’上的第二发光二极管芯片20b。控制模块C具有至少一电性设置于第二置晶区域12上的限流单元C1及至少一电性设置于第二置晶区域12上的桥式整流单元C2，其中限流单元C1与桥式整流单元C2皆电性连接于发光单元2。

再者，边框单元3具有两个环绕地成形于基板本体10上表面的第一环绕式边框胶体30a、30b及一环绕地成形于基板本体10上表面的第二环绕式边框胶体31，且其中一个第一环绕式边框胶体30b围绕另外一个第一环绕式边框胶体30a，因此上述两个第一环绕式边框胶体30a、30b排列成一类似同心圆的图案。上述两个第一环绕式边框胶体30a、30b分别围绕第一发光模块2a及第二发光模块2b，以分别形成两个相对应上述两个第一置晶区域11’的第一胶体限位空间300’，第二发光模块2b位于上述两个第一环绕式边框胶体30a、30b之间，且第二环绕式边框胶体31围绕限流单元C1与桥式整流单元C2，以形成一对应于第二置晶区域12的第二胶体限位空间310。封装单元4具有两个分别填充于上述两个第一胶体限位空间300’内以分别覆盖第一发光模块2a及第二发光模块2b的第一封装胶体40a、40b及一填充于第二胶体限位空间310内以覆盖限流单元C1与桥式整流单元C2的第二封装胶体41。

再者，与第一实施例相同的是，基板单元1可更进一步包括有：至少一贯穿基板本体10的隔热狭缝13，且隔热狭缝13可位于发光单元2与控制模块C之间或位于其中一第一环绕式边框胶体30b与第二环绕式边框胶体31之间。因此，通过隔热狭缝13的使用，可大大减少控制模块C与发光单元2之间的热传路径，进而使得本发明可有效减缓由控制模块C的一或多个限流单元C1与桥式整流单元C2所产生的热量传导至发光单元2的速度。当然，第七实施例亦可依据不同的设计需求而省略隔热狭缝13的制作。

另外，第一组发光结构N1可包括：基板本体10、多个第一发光二极管芯片20a、其中一第一环绕式边框胶体30a及其中一第一封装胶体40a。第二组发光结构N2可包括：基板本体10、多个第二发光二极管芯片20b、另外一第一环绕式边框胶体30b及另外一第一封装胶体40b。其中，具有较低色温的第一组发光结构N1被设置于内圈，而具有较高色温的第二组发光结构N2则设置于外圈。

第八实施例

请参阅图8所示，其为俯视示意图。由上述图中可知，本发明第八实施例提供一种直接电性连接于交流电源(图未示)的多晶封装结构Z，其包括：一基板单元1、一发光单元2、一控制模块C、一边框单元3及一封装单元4。由图8与图7A的比较可知，本发明第八实施例与第七实施例最大的差别在于：在第八实施例中，第一组发光结构N1与第二组发光结构N2的位置相互颠倒，因此具有较低色温的第一组发光结构N1被设置于外圈，而具有较高色温的第二组发光结构N2则设置于内圈。

第九实施例

请参阅图9A与图9B所示，图9A为俯视示意图，图9B为侧视剖面示意图。由上述图中可知，本发明第九实施例提供一种直接电性连接于交流电源(图未示)的多晶封装结构Z，其包括：一基板单元1、一发光单元2、一控制模块C、一边框单元3及一封装单元4。由图9A与图7A(或图9B与图7B)的比较可知，本发明第九实施例与第七实施例最大的差别在于：在第九实施例中，依据不同的设计需求，上述两个第一环绕式边框胶体30a、30b皆可为荧光胶体。换句话说，本发明可随着不同的需求而选择性地添加荧光粉于上述两个第一环绕式边框胶体30a、30b内，以使得光源(如图9B中向上的箭头所示)能够被导引至上述两个第一封装胶体40a、40b之间，进而降低发生于上述两个第一封装胶体40a、40b之间的暗带情况。

第十实施例

请参阅图10所示，其为侧视剖面示意图。由上述图中可知，本发明第十实施例提供一种直接电性连接于交流电源(图未示)的多晶封装结构Z，其包括：一基板单元1、一发光单元2、一控制模块C、一边框单元3及一封装单元4。由图10与图7B的比较可知，本发明第十实施例与第七实施例最大的差别在于：在第十实施例中，依据不同的设计需求，内圈的第一环绕式边框胶体30a可为荧光胶体，而外圈的第一环绕式边框胶体30b可为反光胶体。换句话说，本发明可随着不同的需求而选择性地添加荧光粉于内圈的第一环绕式边框胶体30a内，以使得光源(如图10中向上的箭头所示)能够被导引至上述两个第一封装胶体40a、40b之间，进而降低发生于上述两个第一封装胶体40a、40b之间的暗带情况。此外，通过“外圈的第一环绕式边框胶体30b为反光胶体”的设计，以使得本发明所投出的光源能得到较佳的聚光效果。

第十一实施例

请参阅图11所示，其为侧视剖面示意图。由上述图中可知，本发明第十一实施例提供一种直接电性连接于交流电源(图未示)的多晶封装结构Z，其包括：一基板单元1、一发光单元2、一控制模块C及一封装单元4。其中，基板单元1具有一基板本体10及一位于基板本体10上表面的置晶区域11。发光单元2具有多个电性设置于置晶区域11上的发光二极管芯片20。控制模块C具有一电性设置于基板本体10上的环绕式基板C’、至少一电性设置于环绕式基板C’上的限流单元C1、至少一电性设置于环绕式基板C’上的桥式整流单元C2、及一用于覆盖限流单元C1与桥式整流单元C2的不透光封装胶体C”，其中限流单元C1与桥式整流单元C2皆电性连接于发光单元2，且环绕式基板C’围绕上述多个发光二极管芯片20，以形成一限位空间300。封装单元4具有一填充于限位空间300内以覆盖上述多个发光二极管芯片20的透光封装胶体40。

第十二实施例

请参阅图12所示，其为侧视剖面示意图。由上述图中可知，本发明第十二实施例提供一种直接电性连接于交流电源(图未示)的多晶封装结构Z，其包括：一基板单元1、一发光单元2、一控制模块C、一边框单元3及一封装单元4。其中，基板单元1具有一基板本体10及一位于基板本体10上表面的置晶区域11。发光单元2具有多个电性设置于置晶区域11上的发光二极管芯片20。边框单元3具有一环绕地成形于基板本体10上表面的环绕式边框胶体30，其中环绕式边框胶体30围绕上述多个发光二极管芯片20，以形成一对应于置晶区域11的限位空间300。封装单元4具有一填充于限位空间300内以覆盖上述多个发光二极管芯片20的透光封装胶体40。控制模块C具有一电性设置于基板本体10上的环绕式基板C’、至少一电性设置于环绕式基板C’上的限流单元C 1、至少一电性设置于环绕式基板C’上的桥式整流单元C2、及一用于覆盖限流单元C1与桥式整流单元C2的不透光封装胶体C”，其中限流单元C1与桥式整流单元C2皆电性连接于发光单元2。

第一实施例至第十二实施例

再者，请参阅图13所示，上述第一实施例至第十二实施例中，基板单元1具有多个设置于基板本体10上表面的正极焊垫P及多个设置于基板本体10上表面的负极焊垫N，每一个发光二极管芯片20具有一正极201及一负极202，每一个发光二极管芯片20的正极201相对应上述多个正极焊垫P中的至少两个，且每一个发光二极管芯片20的负极202相对应上述多个负极焊垫N中的至少两个。另外，本发明更进一步包括：一导线单元W，其具有多条导线W1，其中每两条导线W1分别电性连接于每一个发光二极管芯片20的正极201与上述至少两个正极焊垫P中的其中一个之间及电性连接于每一个发光二极管芯片20的负极202与上述至少两个负极焊垫N中的其中一个之间。

因为每一个发光二极管芯片的正极201与负极202分别具有至少一个备用正极焊垫P及至少一个备用负极焊垫N，所以当导线W1的一末端打在(焊接在)其中一个正极焊垫P或负极焊垫N上而失败时(造成浮焊，亦即导线W1与“正极焊垫P或负极焊垫N”之间没有产生电性连接)，制造者不需清除因为连线焊接失败而形成于正极焊垫P表面上的焊渣(或负极焊垫N表面上的焊渣)，导线W1的一末端即可打在另外一个正极焊垫P(或另外一个负极焊垫N)上，以节省连线焊接的时间(提升连线焊接的效率)并增加连线焊接的良率。

再者，请参阅图14A与图14B所示，其为本发明另外一种功能方块图。由图中可知，上述第一实施例至第十二实施例中，控制模块C可更进一步包括：至少一电性设置于第二置晶区域12上的浪涌吸收器C5、至少一电性设置于第二置晶区域12上的保险丝C4、及至少一电性设置于第二置晶区域12上的稳压单元C3(例如塑胶电容)，并且浪涌吸收器C5、保险丝C4、稳压单元C3、桥式整流单元C2及限流单元C1可依序或选择性地排列在第二置晶区域12上且电性连接于交流电源S与发光单元2之间。换言之，浪涌吸收器C5、保险丝C4、稳压单元C3、桥式整流单元C2及限流单元C1可同时设置在第二置晶区域12上，以使得从交流电源S所输出的交流电(AC)可依序经过保险丝C4、浪涌吸收器C3、桥式整流单元C2及限流单元C1，进而能够提供稳定的直流电(DC)给发光单元2使用。

综上所述，本发明通过涂布的方式以成形一可为任意形状的第一环绕式边框胶体(例如环绕式白色胶体)，并且通过第一环绕式边框胶体以局限一第一封装胶体(例如荧光胶体)的位置并且调整第一封装胶体的表面形状，因此本发明的多晶封装结构能够“提高发光二极管芯片的发光效率”及“控制发光二极管芯片的出光角度”。换言之，通过第一环绕式边框胶体的使用，以使得第一封装胶体被限位在第一胶体限位空间内，进而可控制“第一封装胶体的使用量及位置”；再者通过控制第一封装胶体的使用量及位置，以调整第一封装胶体的表面形状及高度，进而控制“上述多个发光二极管芯片所产生的白色光束的出光角度”。另外，本发明可通过第一环绕式边框胶体的使用，以使得上述多个发光二极管芯片所产生的光束投射到第一环绕式边框胶体的内壁而产生反射，进而可增加本发明的发光效率。

再者，本发明每一个发光二极管芯片的正极与负极分别相对应至少两个正极焊垫及至少两个负极焊垫，因此每一个发光二极管芯片的正极与负极分别具有至少一个备用正极焊垫及至少一个备用负极焊垫，以使得本发明可有效节省连线焊接的时间(提升连线焊接的效率)并增加连线焊接的成功率。

另外，本发明可通过“将上述多个发光二极管芯片、上述至少一限流单元与上述至少一桥式整流单元电性连接于同一基板单元上”的设计，以使得本发明的多晶封装结构可直接电性连接于交流电源(例如市电交流插座)，而以交流电源作为供电的源头。

以上所述仅为本发明的较佳可行实施例，非因此局限本发明的保护范围，故举运用本发明说明书及附图内容所为的等效技术变化，均包含于本发明的权利要求保护范围内。

Claims (10)

1.一种直接电性连接于交流电源的多晶封装结构，其特征在于，包括：

一基板单元，其具有一基板本体、一位于该基板本体上表面的第一置晶区域、及一位于该基板本体上表面的第二置晶区域；

一发光单元，其具有多个电性设置于该第一置晶区域上的发光二极管芯片；

一控制模块，其具有至少一电性设置于该第二置晶区域上的限流单元及至少一电性设置于该第二置晶区域上的桥式整流单元，其中上述至少一限流单元与上述至少一桥式整流单元皆电性连接于该发光单元；

一边框单元，其具有一环绕地成形于该基板本体上表面的第一环绕式边框胶体及一环绕地成形于该基板本体上表面的第二环绕式边框胶体，其中该第一环绕式边框胶体围绕上述多个发光二极管芯片，以形成一对应于该第一置晶区域的第一胶体限位空间，且该第二环绕式边框胶体围绕上述至少一限流单元与上述至少一桥式整流单元，以形成一对应于该第二置晶区域的第二胶体限位空间；以及

一封装单元，其具有一填充于该第一胶体限位空间内以覆盖上述多个发光二极管芯片的第一封装胶体及一填充于该第二胶体限位空间内以覆盖上述至少一限流单元与上述至少一桥式整流单元的第二封装胶体。

2.如权利要求1所述的直接电性连接于交流电源的多晶封装结构，其特征在于，该控制模块更进一步包括：至少一电性设置于该第二置晶区域上的浪涌吸收器、至少一电性设置于该第二置晶区域上的保险丝、及至少一电性设置于该第二置晶区域上的稳压单元，且上述至少一浪涌吸收器、上述至少一保险丝、上述至少一稳压单元、上述至少一桥式整流单元及上述至少一限流单元排列在该第二置晶区域上且电性连接于该交流电源与该发光单元之间。

3.如权利要求1所述的直接电性连接于交流电源的多晶封装结构，其特征在于，该第一环绕式边框胶体的上表面为一圆弧形，该第一环绕式边框胶体相对于该基板本体上表面的圆弧切线的角度介于40至50度之间，该第一环绕式边框胶体的顶面相对于该基板本体上表面的高度介于0.3至0.7mm之间，该第一环绕式边框胶体底部的宽度介于1.5至3mm之间，该第一环绕式边框胶体的触变指数介于4至6之间，且该第一环绕式边框胶体为一混有无机添加物的白色热硬化边框胶体。

4.如权利要求1所述的直接电性连接于交流电源的多晶封装结构，其特征在于，该基板单元具有多个设置于该基板本体上表面的正极焊垫及多个设置于该基板本体上表面的负极焊垫，每一个发光二极管芯片具有一正极及一负极，每一个发光二极管芯片的正极相对应上述多个正极焊垫中的至少两个，且每一个发光二极管芯片的负极相对应上述多个负极焊垫中的至少两个。

5.如权利要求4所述的直接电性连接于交流电源的多晶封装结构，其特征在于，更进一步包括：一导线单元，其具有多条导线，其中每两条导线分别电性连接于每一个发光二极管芯片的正极与上述至少两个正极焊垫中的其中一个之间及电性连接于每一个发光二极管芯片的负极与上述至少两个负极焊垫中的其中一个之间。

6.如权利要求1所述的直接电性连接于交流电源的多晶封装结构，其特征在于，该第一环绕式边框胶体与该第二环绕式边框胶体彼此分离一特定距离，该第一封装胶体与该第二封装胶体彼此分离一特定距离，且该第一环绕式边框胶体与该第二封装胶体彼此分离一特定距离。

7.如权利要求1所述的直接电性连接于交流电源的多晶封装结构，其特征在于，该第二环绕式边框胶体围绕该第一环绕式边框胶体，该第二封装胶体围绕该第一封装胶体，且该第一环绕式边框胶体与该第二封装胶体彼此相连。

8.如权利要求1所述的直接电性连接于交流电源的多晶封装结构，其特征在于，该基板单元具有至少一贯穿该基板本体的隔热狭缝，且上述至少一隔热狭缝位于该发光单元与该控制模块之间或位于该第一环绕式边框胶体与该第二环绕式边框胶体之间。

9.一种直接电性连接于交流电源的多晶封装结构，其特征在于，包括：

一基板单元，其具有一基板本体、两个位于该基板本体上表面的第一置晶区域、及一位于该基板本体上表面的第二置晶区域；

一发光单元，其具有至少一用于产生第一种色温的第一发光模块及至少一用于产生第二种色温的第二发光模块，其中上述至少一第一发光模块具有多个电性设置于其中一第一置晶区域上的第一发光二极管芯片，且上述至少一第二发光模块具有多个电性设置于另外一第一置晶区域上的第二发光二极管芯片；

一控制模块，其具有至少一电性设置于该第二置晶区域上的限流单元及至少一电性设置于该第二置晶区域上的桥式整流单元，其中上述至少一限流单元与上述至少一桥式整流单元皆电性连接于该发光单元；

一边框单元，其具有两个环绕地成形于该基板本体上表面的第一环绕式边框胶体及一环绕地成形于该基板本体上表面的第二环绕式边框胶体，且其中一个第一环绕式边框胶体围绕另外一个第一环绕式边框胶体，其中上述两个第一环绕式边框胶体分别围绕上述至少一第一发光模块及上述至少一第二发光模块，以分别形成两个相对应上述两个第一置晶区域的第一胶体限位空间，上述至少一第二发光模块位于上述两个第一环绕式边框胶体之间，且该第二环绕式边框胶体围绕上述至少一限流单元与上述至少一桥式整流单元，以形成一对应于该第二置晶区域的第二胶体限位空间；以及

一封装单元，其具有两个分别填充于上述两个第一胶体限位空间内以分别覆盖上述至少一第一发光模块及上述至少一第二发光模块的第一封装胶体及一填充于该第二胶体限位空间内以覆盖上述至少一限流单元与上述至少一桥式整流单元的第二封装胶体。

10.一种直接电性连接于交流电源的多晶封装结构，其特征在于，包括：

一基板单元，其具有一基板本体及一位于该基板本体上表面的置晶区域；

一发光单元，其具有多个电性设置于该置晶区域上的发光二极管芯片；

一控制模块，其具有一电性设置于该基板本体上的环绕式基板、至少一电性设置于该环绕式基板上的限流单元、至少一电性设置于该环绕式基板上的桥式整流单元、及一用于覆盖上述至少一限流单元与上述至少一桥式整流单元的不透光封装胶体，其中上述至少一限流单元与上述至少一桥式整流单元皆电性连接于该发光单元，且该环绕式基板围绕上述多个发光二极管芯片，以形成一限位空间；以及

一封装单元，其具有一填充于该限位空间内以覆盖上述多个发光二极管芯片的透光封装胶体。

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