CN105390586A - 发光器件封装 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种发光器件封装。实施例提供一种发光器件封装，包括：第一引线框架，该第一引线框架包括第一接触区和第一暴露区；第二引线框架，该第二引线框架与第一引线框架隔开，第二引线框架包括第二接触区和第二暴露区；底部，该底部位于在第一接触区和第一暴露区之间、在第二接触区和第二暴露区之间、以及在第一接触区和第二接触区之间；发光器件，该发光器件电连接到第一和第二接触区；以及封装主体，该封装主体具有配置为暴露第一和第二接触区、第一和第二暴露区和底部的空腔，其中底部具有比第一和第二引线框架的热膨胀系数大的热膨胀系数。

Description

发光器件封装
相关申请的交叉引用
本申请要求于2014年8月22日在韩国申请的韩国专利申请No.10-2014-0109577和于2014年11月13日在韩国申请的韩国专利申请No.10-2014-0157996的优先权，其如在此处充分地阐述的通过引用整体包含在此。
技术领域
实施例涉及一种发光器件封装。
背景技术
由于器件材料和薄膜生长技术的发展，发光器件，诸如，发光二极管或者激光二极管使用III-V或者II-VI族化合物半导体，其能够发出各种颜色的可见和紫外光，诸如，红色、绿色和蓝色。与常规的光源，诸如，例如，荧光灯和白炽灯相比较，这些发光器件也能够通过荧光物质或者彩色合成的使用发出具有高发光效能的白色光，并且具有低电耗、半永久性寿命、快速响应速度、安全和环境友好的若干优点。
因此，发光器件的应用区域被扩展直至光通信装置的传输模块、替换冷阴极荧光灯(CCFL)(其起液晶显示器(LCD)装置的背光的作用)的发光二极管背光、替换荧光灯或者白炽灯的白色光发射二极管照明装置、车辆照明灯和交通指挥灯。
发光器件封装在发光装置或者显示装置中广泛地使用。该发光器件封装可以通常地包括主体、位于在主体内的引线框架，和布置在引线框架的任何一个上的发光器件(例如，LED)。
发明内容
实施例提供一种发光器件封装，其能够防止在发光芯片粘结的可靠性方面的恶化，并且提高光提取效率。
在一个实施例中，一种发光器件封装，包括：第一引线框架，该第一引线框架包括第一接触区和第一暴露区；第二引线框架，该第二引线框架与第一引线框架隔开，第二引线框架包括第二接触区和第二暴露区；底部，该底部位于在第一接触区和第一暴露区之间、在第二接触区和第二暴露区之间、和在第一接触区和第二接触区之间；发光器件，该发光器件电连接到第一和第二接触区；以及封装主体，该封装主体具有配置为暴露第一和第二接触区、第一和第二暴露区和底部的空腔，其中底部具有比第一和第二引线框架的热膨胀系数大的热膨胀系数。
经由封装主体的空腔暴露的底部可以具有比第一和第二接触区的表面面积和第一和第二暴露区的表面面积的总和小的表面面积。
该底部可以与第一和第二引线框架相互电隔离。
该发光器件可以包括第一电极和第二电极，以及第一电极可以粘结到第一接触区，以及第二电极可以粘结到第二接触区。
该底部的热膨胀系数可以等于或者小于封装主体的热膨胀系数。
第一引线框架可以具有位于在第一接触区和第一暴露区之间的第一凹槽，以及第二引线框架可以具有位于在第二接触区和第二暴露区之间的第二凹槽，以及该底部可以具有位于第一和第二凹槽中的部分。
该发光器件可以具有与第一边界线垂直地对准的边缘，以及第一边界线可以包括在底部和第一暴露区之间的边界线，以及在底部和第二暴露区之间的边界线。
该发光器件可以具有与底部的至少一部分垂直地对准的边缘。
该发光器件封装可以进一步包括位于第一和第二接触区和第一和第二暴露区的反射构件。
经由封装主体的空腔暴露的底部的表面面积对第一和第二接触区的表面面积和第一和第二暴露区的表面面积的总和的比可以是在1:1.5至1:2.5的范围之内。
根据另一个实施例，一种发光器件封装，包括：第一引线框架，该第一引线框架包括第一接触区和第一暴露区；第二引线框架，该第二引线框架与第一引线框架隔开，第二引线框架包括第二接触区和第二暴露区；底部，该底部包括位于在第一接触区和第一暴露区之间的第一衰减部分、位于在第二接触区和第二暴露区之间的第二衰减部分、和位于在第一接触区和第二接触区之间的第三衰减部分；发光器件，该发光器件电连接到第一和第二接触区；以及封装主体，该封装主体具有配置为暴露第一和第二接触区、第一和第二暴露区和底部的空腔，其中底部具有比第一和第二接触区的表面面积和第一和第二暴露区的表面面积的总和小的表面面积，以及底部具有比第一和第二引线框架的热膨胀系数大的热膨胀系数。
底部可以具有比第一和第二接触区和第一和第二暴露区的反射率大的反射率。
底部可以进一步包括位于在第一引线框架和第二接触区之间的第四衰减部分、和位于在第二引线框架和第一接触区之间的第五衰减部分。
底部可以进一步包括位于在第一暴露区和第二暴露区之间的第六衰减部分。
第一引线框架可以具有位于在第一接触区和第一暴露区之间的第一凹槽，以及第二引线框架可以具有位于在第二接触区和第二暴露区之间的第二凹槽，以及第一衰减部分可以位于第一凹槽中，并且第二衰减部分可以位于第二凹槽中。
第一凹槽可以具有与第一引线框架的下表面隔开的下表面，并且第二凹槽可以具有与第二引线框架的下表面隔开的下表面。
第三至第六衰减部分可以与第一引线框架和第二引线框架相互电隔离。
根据另一个实施例，一种发光器件封装，包括：具有空腔的封装主体；提供在空腔的底表面处的第一引线框架和第二引线框架；发光器件，该发光器件经由导电粘结剂分别地电连接到第一引线框架和第二引线框架；以及反射层，该反射层布置在空腔的底表面上，该反射层包括钛氧化物。
根据再一个实施例，一种发光器件封装，包括：具有空腔的封装主体；提供在空腔的底表面处的第一引线框架和第二引线框架；发光器件，该发光器件经由导线被电连接到第一引线框架和第二引线框架中的至少一个；以及反射层，该反射层布置在空腔的底表面上，该反射层包括钛氧化物。
该反射层可以包括基础材料和钛氧化物，并且反射层的基础材料可以是与封装主体相同的材料。该反射层可以包括作为基础材料的硅。
该反射层可以具有等于或者大于导电粘结剂高度的高度。
空腔的底表面可以包括对应于发光器件的第一区域和围绕第一区域的第二区域，并且反射层可以布置在第一区域中。
空腔的底表面可以包括对应于发光器件的第一区域和围绕第一区域的第二区域，并且反射层可以布置在第二区域中。
反射层可以与导电粘结剂接触。
反射层可以位于围绕导电粘结剂。反射层可以与导线接触。
附图说明
设置和实施例可以参考以下的附图详细描述，其中相同的附图标记涉及相同的要素，并且其中：
图1是图示根据实施例的发光器件封装的透视图；
图2是图示与图1相比，发光器件和树脂层被省略的发光器件封装的透视图；
图3是在图2中图示的发光器件封装的平面图；
图4是沿着方向AB截取的在图1中图示的发光器件封装的截面图；
图5是沿着方向CD截取的在图1中图示的发光器件封装的截面图；
图6是图示在图3中图示的第一和第二引线框架122和124的平面图；
图7是图示相互结合在图6中图示的第一和第二引线框架和在图3中图示的封装主体的平面图；
图8是图示在图1中图示的发光器件的一个实施例的图；
图9是图示在图4中图示的第一粘合构件的一个实施例的图；
图10是图示根据另一个实施例的发光器件封装的截面图；
图11是图示根据另一个实施例的发光器件封装的截面图；
图12是图示根据另一个实施例的发光器件封装的截面图；
图13是图示根据另一个实施例的发光器件封装的截面图；
图14A至14C是图示根据其他实施例的发光器件封装的图；
图15是图示根据另一个实施例的发光器件封装的图；
图16是图示根据再一个实施例的发光器件封装的图；
图17是图示根据实施例的任何一个的包括发光器件封装的照明装置的图；
图18是图示根据实施例的任何一个的包括发光器件封装的显示装置的图；以及
图19是图示根据实施例的任何一个的包括发光器件封装的头灯的图。
具体实施方式
在下文中，具体地实现以上目的的示范的实施例将参考伴随的附图详细描述。在实施例的以下的描述中，应该理解，当每个单元称为形成在另一个单元“上”或者“下”的时候，其可以直接在另一个单元“上”或者“下”，或者以在其间的一个或多个插入单元间接地形成。此外，还应该理解，在单元“上”或者“下”可以指的是单元的向上的方向和向下的方向。
在附图中，为了清楚和描述的便利，尺寸被放大、省略或者示意地图示。此外，组成单元的尺寸没有彻底地反映实际尺寸。只要可能，贯穿本附图将使用相同的附图标记以涉及相同的或者类似的部分。
图1是图示根据一个实施例的发光器件封装100的透视图，图2是图示与图1相比，发光器件130和树脂层160被省略的发光器件封装的透视图，图3是在图2中图示的发光器件封装100的平面图，图4是沿着方向AB截取的在图1中图示的发光器件封装100的截面图，以及图5是沿着方向CD截取的在图1中图示的发光器件封装100的截面图。
参考图1至5，发光器件封装100包括封装主体110、第一和第二引线框架122和124、发光器件130、粘合构件140、底部150和树脂层160。
封装主体110可以由具有好的电绝缘或者热传导性的板形成，例如，基于硅的晶片级封装、硅板、金刚砂(SiC)板或者氮化铝(AIN)板，并且可以采取由多个板组成的堆叠的形式。
可替选地，封装主体110可以由树脂材料，诸如，例如，己二酸聚丙烯酯(PPA)、EMC树脂或者PCT树脂形成，而不局限于此。此外，实施例不局限于如上所述的主体的材料、结构和形状。
封装主体110可以具有由侧面102和底端103限定的空腔105。空腔的侧面102可以相对于空腔105的底端103倾斜。在这里，空腔105的底端103可以包括接触区122a和124a、底部150和暴露区122b和124b，在下面将描述其。
第一引线框架122和第二引线框架124可以在封装主体110的表面上相互间隔开，以便考虑到发光器件130的布置或者热耗散相互电隔离。
第一引线框架122和第二引线框架124可以由从钛(Ti)、铜(Cu)、镍(Ni)、金(Au)、铬(Cr)、钽(Ta)、铂(Pt)、锡(Sn)、银(Ag)，和磷(P)中选择出来的至少一个形成，或者可以由包括前面提到的材料的至少一个的任何合金形成。第一引线框架122和第二引线框架124可以具有单层或者多层结构。
反射构件可以覆盖在第一和第二引线框架122和124的表面上以反射从发光器件130发出的光。例如，反射构件可以由银形成，而不局限于此。
第一和第二引线框架122和124每个的至少一部分可以经由封装主体110的空腔105暴露。
例如，第一和第二引线框架122和124每个的下表面可以经由封装主体110的下表面暴露。此外，第一和第二引线框架122和124每个的一端可以经由封装主体110的侧面暴露。
此外，第一和第二引线框架122和124每个的上表面的一部分可以经由封装主体110的空腔105的底端103暴露。
第一引线框架122的上表面可以包括第一接触区122a和第一暴露区122b，并且第二引线框架124的上表面可以包括第二接触区122b和第二暴露区124b。
图6是图示在图3中图示的第一和第二引线框架122和124的平面图，以及图7是图示相互结合在图6中图示的第一和第二引线框架122和124和在图3中图示的封装主体110的平面图。
在图6中，虚线601对应于封装主体110的空腔105的下端。虚线601的内部示出经由空腔105和底部150暴露的第一和第二引线框架122和124的上表面。第一实线602表示在底部150和第一暴露区122b之间的边界线，并且第二实线603表示在底部150和第二暴露区124b之间的边界线。
第一和第二实线602和603表示与发光器件130的边缘相对应的第一和第二引线框架122和124的区域。此外，在图7中图示的虚线130a表示发光器件130的轮廓线。
参考图3、6和7，第一引线框架122的一端包括第一凸起部分和第一凹处部分，并且第二引线框架124包括面对第一凹处部分的第二凸起部分和面对第一凸起部分的第二凹处部分。
例如，第一引线框架122的第一凸起部分的一端可以位于对应于第二引线框架124的第二凹处部分，第二引线框架124的第二凸起部分的一端可以位于对应于第一引线框架122的第一凹处部分，并且第一引线框架122的第一凸起部分的一侧可以位于面对第二引线框架124的第二凸起部分的一侧。
在第一引线框架122的第一凸起部分和第二引线框架124的第二凹处部分之间的第一空间660a和650a、在第一引线框架122的第一凸起部分的一侧和第二引线框架124的第二凸起部分的一侧之间的第二空间630a、和在第二引线框架124的第二凸起部分的一端和第一引线框架122的第一凹处部分之间的第三空间640a和660b可以是相互电隔离第一引线框架122和第二引线框架124的空间。
在第一空间660a和650a和第二空间630a之间以及在第二空间630a和第三空间640a和660b之间的部分可以具有弯曲形状。例如，在第一空间660a和650a和第二空间630a之间以及在第二空间630a和第三空间640a和660b之间的角度可以是直角，而不局限于此。
第一接触区122a可以位于第一引线框架122的第一凸起部分的一侧，并且第二接触区124a可以位于第二引线框架124的第二凸起部分的一侧。
第一引线框架122的上表面可以包括第一接触区122a和第一暴露区122b。第一接触区122a和第一暴露区122b可以从空腔105中暴露。第一接触区122a和第一暴露区122b可以通过底部150相互隔离或者远离。
此外，第二引线框架124的上表面可以包括第二接触区124a和第二暴露区124b。
第二接触区124a和第二暴露区124b可以从空腔105中暴露。第二接触区124a和第二暴露区124b可以通过底部150相互隔离或者远离。
第一接触区122a和第二接触区124a可以电连接到发光器件130，在下面将描述其。例如，发光器件130可以包括第一电极(例如，N型电极)和第二电极(例如，P型电极)。发光器件130的第一电极可以粘结到第一接触区122a，并且发光器件130的第二电极可以粘结到第二接触区124a。
底部150可以位于在第一引线框架122的第一接触区122a和第一暴露区122b之间、在第二引线框架124的第二接触区124a和第二暴露区124b之间、以及在第一引线框架122的第一接触区122a和第二引线框架124的第二接触区124a之间。
此外，底部150也可以位于在第一引线框架122和第二接触区124a之间和在第二引线框架124和第一接触区122a之间。
此外，底部150也可以位于在第一暴露区122b和第二暴露区124b之间，其被布置相互面对。
例如，底部150可以包括位于在第一接触区122a和第一暴露区122b之间的第一衰减部分610、位于在第二接触区124a和第二暴露区124b之间的第二衰减部分620、位于在第一接触区122a和第二接触区124a之间的第三衰减部分630、位于在第一引线框架122和第二接触区124a之间的第四衰减部分640、位于在第二引线框架124和第一接触区122a之间的第五衰减部分650、以及位于在第一暴露区122b和第二暴露区124b之间的第六衰减部分660。
底部150的反射率可以高于第一和第二引线框架122和124的上表面的反射率。例如，底部150的光反射率可以高于第一和第二接触区122a和124a的光反射率和第一和第二暴露区122b和124b的光反射率。
该底部150与第一引线框架122和第二引线框架124相互电隔离。例如，第三至第六衰减部分630至660可以与第一引线框架122和第二引线框架124相互电隔离。
第一引线框架122可以具有位于在第一接触区122a和第一暴露区122b之间的第一凹槽(401，参见图4)，以及第二引线框架124可以具有位于在第二接触区124a和第二暴露区124b之间的第二凹槽(404，参见图4)。底部150的一部分可以位于第一和第二凹槽401和402中。
例如，第一衰减部分610可以位于第一凹槽401中，并且第二衰减部分620可以位于第二凹槽402中。第一凹槽401的下表面可以与第一引线框架122的下表面隔开，并且第二凹槽402的下表面可以与第二引线框架124的下表面隔开。
例如，第一至第六衰减部分的上表面是平的，并且平行于第一和第二接触部分122a和124a的上表面和第一和第二暴露部分122b和124b的上表面。此外，例如，第一至第六衰减部分的上表面、第一和第二接触部分122a和124a的上表面、和第一和第二暴露部分122b和124b的上表面可以是在同一平面上。
底部150的热膨胀系数可以大于发光器件130的热膨胀系数和第一和第二引线框架122和124或者粘合构件140的热膨胀系数。
例如，由GaN形成的发光器件130的热膨胀系数可以是5.59，由Cu形成的第一和第二引线框架122和124的热膨胀系数可以是16.5，并且粘合构件140的热膨胀系数可以是22。
此外，底部150的热膨胀系数可以大于第一和第二引线框架122和124的热膨胀系数，并且可以等于或者小于封装主体110的热膨胀系数。
例如，底部150可以由与封装主体110相同的材料形成，并且可以与封装主体110集成，而不局限于此。在另一个实施例中，底部150可以由单独的材料形成，其具有小于封装主体110的热膨胀系数的热膨胀系数。
例如，由EMC树脂形成的封装主体110的热膨胀系数可以是33，并且底部150的热膨胀系数可以等于或者小于EMC树脂的热膨胀系数。
经由空腔105暴露的底部150的表面面积可以小于经由空腔105暴露的第一和第二接触区122a和124a的表面面积和第一和第二暴露区122b和124b的表面面积的总和。
例如，经由空腔105暴露的第一至第六衰减部分610至660的表面面积可以小于经由空腔105暴露的第一和第二接触区122a和124a的表面面积和第一和第二暴露区122b和124b的表面面积的总和。
参考图6和7，发光器件130的边缘可以在垂直方向上与第一边界线701对准。在这里，垂直方向可以是垂直于第一和第二引线框架122和124的上表面的方向，并且发光器件130的边缘可以是发光器件130的侧面。
第一边界线701可以由在底部150和第一暴露区122b之间的边界线602和在底部150和第二暴露区124b之间的第二边界线603组成。例如，图6的实线602和603可以与图7的虚线130a重合。
由于发光器件130的侧面与第一边界线701对准，所以从发光器件130发出的光可以增加从发光器件130发出的光由底部150反射的表面面积，其可以提高光提取效率。
经由封装主体110的空腔105暴露的底部150的表面面积对经由封装主体110的空腔105暴露的第一和第二引线框架122和124的表面面积的比可以是在1:1.5至1:2.5的范围之内。
例如，经由封装主体110的空腔105暴露的底部150的表面面积对第一和第二接触区122a和124a的表面面积和第一和第二暴露区122b和124b的表面面积的总和的比可以是在1:1.5至1:2.5的范围之内。
优选地，经由封装主体110的空腔105暴露的底部150的表面面积对第一和第二接触区122a和124a的表面面积和第一和第二暴露区122b和124b的表面面积的总和的比可以是在1:1.5至1:2的范围之内。
当经由封装主体110的空腔105暴露的底部150的表面面积对第一和第二接触区122a和124a的表面面积和第一和第二暴露区122b和124b的表面面积的总和的比低于1:1.5时，底部150不能用来衰减热胀，由于强的热应力，其可能导致在发光芯片可靠性方面的恶化。
另一方面，当经由封装主体110的空腔105暴露的底部150的表面面积对第一和第二接触区122a和124a的表面面积和第一和第二暴露区122b和124b的表面面积的总和的比超过1:2.5时，光提取效率可以降低。
底部150可以用来衰减由在发光器件130、粘合构件140和第一和第二引线框架122和124的热膨胀系数之间的差别所引起的应力。
通常，由于由半导体层形成的发光器件和例如由具有高的反射率的EMC树脂形成的封装主体在其热膨胀系数之间具有大的差别，由于从发光器件产生的热量，发光器件和粘合构件可以强烈地受到热应力的影响。由于发光器件的钝化层被破坏，这个强的热应力可能导致绝缘缺陷，并且由于粘合构件被损坏，也可能导致接触缺陷。
由于封装主体的反射率通常地高于第一和第二引线框架的反射率，为了提高光提取效率，仅仅粘结到发光器件的第一和第二引线框架的上表面的一部分可以经由封装主体的空腔暴露，并且经由空腔暴露的余部可以是具有高的反射率的封装主体。
也就是说，发光器件封装具有一种结构，其中经由空腔暴露的封装主体的表面面积大于经由空腔暴露的第一和第二引线框架的表面面积，在封装主体和发光器件的热膨胀系数之间的差比在引线框架和发光器件的热膨胀系数之间的差具有更大的差。因此，由于热应力可能出现发光器件的绝缘缺陷，或者可能出现粘合构件的接触缺陷。
该实施例可以提高光提取效率，并且通过保持经由封装主体110的空腔105暴露的底部150的表面面积和经由封装主体110的空腔105暴露的第一和第二引线框架122和124的表面面积在给定的范围内，衰减在发光器件130和封装主体110的热膨胀系数之间的差。
经由在发光器件130和封装主体110的热膨胀系数之间差的衰减，该实施例可以防止由于热应力导致的发光器件130的绝缘缺陷，并且也可以防止由粘合构件140的破坏所引起的接触缺陷，其可能防止在发光芯片粘结的可靠性方面的恶化。
由于经由空腔105暴露的底部150的表面面积小于经由空腔105暴露的第一和第二引线框架122和124的表面面积，所以在发光器件130的热胀和封装主体110的热胀之间的差可以衰减。
第一和第二接触区122a和124a的表面面积可以是对发光器件130倒装焊接需要的最小面积，将在下面描述其。因为封装主体110的反射率高于第一和第二引线框架122和124的反射率，所以通过尽可能最小化第一和第二接触区122a和124a的表面面积，这用来提高发光器件封装100的光提取效率。
发光器件130被布置在第一和第二引线框架122和124上。
例如，发光器件130可以布置在第一和第二接触区122a和124a和热胀衰减面上。
图8是图示在图1中图示的发光器件130的一个实施例的图。
参考图8，发光器件130包括衬底310、发光结构320、导电层330、第一电极342、第二电极344和钝化层350。例如，发光器件130可以是倒装型发光二极管。
衬底310可以是发光衬底，诸如，例如，蓝宝石衬底、硅(Si)衬底、氧化锌(ZnO)衬底和氮化物半导体衬底的任何一个，或者可以是从GaN、InGaN、AlGaN、AlInGaN、SiC、GaP、InP、Ga2O3和GaAs中选择出来的至少一个在其上堆叠的衬底。
发光结构320可以包括多个III-V族化合物半导体层。例如，发光结构320可以包括第一导电半导体层322、第二导电半导体层326以及在第一导电半导体层322和第二导电半导体层326之间的有源层324。
发光结构320的侧面可以在每单位芯片基础上用于分割的绝缘蚀刻期间被配置为斜坡。例如，发光结构320的侧面可以是从衬底310的上表面倾斜的斜坡。
第一导电半导体层322可以由III-V族化合物半导体形成，并且可以掺杂有第一导电掺杂物。第一导电半导体层322可以由半导体材料形成，半导体材料可以具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成等分，并且可以是从例如在AlGaN、GaN、AlN、InGaN、InA、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP等等之中选择出来的。第一导电半导体层322可以掺杂有N型掺杂物，诸如，例如，Si、Ge、Sn、Se和Te。
有源层324可以使用在从第二导电半导体层326和第一导电半导体层322提供的电子和空穴重新结合期间产生的能量产生光。
有源层324可以由具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成等分的半导体材料形成。有源层324可以具有单个量子阱结构、多个量子阱(MQW)结构、量子点结构或者量子线结构的任何一个。
在有源层324具有多个量子阱结构的情形下，有源层324可以采取多个阱层和多个阻挡层的堆叠的形式。例如，有源层324的阱层/阻挡层可以具有InGaN/GaN、InGaN/InGaN、GaN/AlGaN、InAlGaN/GaN、GaAs(InGaAs)/AlGaAs和GaP(InGaP)/AlGaP的至少一对配置，不局限于此。此时，阱层的能量带间隙可以小于阻挡层的能量带间隙。
第二导电半导体层326可以由III-V族化合物半导体形成，并且可以掺杂有第二导电掺杂物。第二导电半导体层326可以由半导体材料形成，半导体材料可以具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成等分，并且可以是从例如在AlGaN、GaN、AlN、InGaN、InA、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP等等之中选择出来的。第二导电半导体层326可以掺杂有P型掺杂物，诸如，例如，Mg、Zn、Ca、Sr和Ba。
掺杂有N型或者P型掺杂物的包盖层(未图示)可以形成在有源层324和第一导电半导体层322之间，或者在有源层324和第二导电半导体层326之间。包盖层可以是包括AlGaN或者InAlGaN的半导体层。
虽然以上的描述图示第一导电半导体层322包括N型半导体层，并且第二导电半导体层326包括P型半导体层，但是该实施例不局限于此。第一导电半导体层322可以包括P型半导体层，并且第二导电半导体层326可以包括N型半导体层。此外，N型或者P型半导体层可以进一步提供在第二导电半导体层326之下。
因此，发光结构320可以包括nn、pn、npn和pnp粘结结构的至少一个。此外，第一导电半导体层322和第二导电半导体层326的掺杂物可以具有均匀或者不均匀掺杂密度。也就是说，发光结构320的配置可以以各种的方式改变，并且发光结构320可以发出具有各种波长的光。
该导电层330可以布置在第二导电半导体层326上。
例如，导电层330可以位于在第二导电半导体层326和第二电极344之间，并且可以是与第二导电半导体层326欧姆接触。导电层330可以降低全反射，并且呈现高亮度透光度，从而提高从有源层324到第二导电半导体层326的光的提取效率。虽然在图8中未图示，为了提高光提取效率，第二导电半导体层326或者导电层330可以具有起皱表面。
导电层330可以由以与第二导电半导体层326欧姆接触的金属形成，并且例如，可以包括从Au、Pd、Pt、Ru、Re、Mg、Zn、Hf、Ta、Rh、Ir、W、Ti、Ag、Cr、Mo、Nb、Al、Ni、Cu、WTi、V及其合金中选择出来的至少一个。
可替选地，导电层330可以使用基于在发射光的波长处呈现高透光度的透明氧化物的材料，例如，铟氧化锡(ITO)、氧化锡(TO)、铟氧化锌(IZO)、铟锌氧化锡(IZTO)、铟锌铝氧化物(IAZO)、铟镓氧化锌(IGZO)、铟镓氧化锡(IGTO)、锌铝氧化物(AZO)、锑氧化锡(ATO)、镓氧化锌(GZO)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni、Ag、Ni/IrOx/Au或者Ni/IrOx/Au/ITO的一个或多个以单个层或者多个层形成。
发光结构320可以被蚀刻以暴露用于第一电极342的布置的第一导电半导体层322的区域。例如，发光结构320可以被配置使得第一导电半导体层322的区域被作为第二导电半导体层326暴露，有源层324和第一导电半导体层322被部分地蚀刻。
第一电极342可以布置在暴露的第一导电半导体层322上，并且与第一导电半导体层322接触。此外，第二电极344可以穿过导电层330的一部分以与第二导电半导体层326接触，而不局限于此。
第二电极344可以被布置在导电层330的上表面上，并且与导电层330接触。第一电极342和第二电极344可以由导电金属形成，例如，从Au、Pd、Pt、Ru、Re、Mg、Zn、Hf、Ta、Rh、Ir、W、Ti、Ag、Cr、Mo、Nb、Al、Ni、Cu、WTi、V或者其合金中选择出来的至少一个。
钝化层350可以被布置在发光结构320的侧面上。
例如，钝化层350可以覆盖发光结构320的侧面。此外，钝化层350可以被布置在除去其中布置第一电极342的区域的第一导电半导体层322的暴露的剩余区域上。此外，钝化层350可以被布置在除去其中布置第二电极344的区域的导电层330的上表面的剩余区域上。
钝化层350可以暴露第一电极342的上表面的至少一部分和第二电极344的上表面的至少一部分。钝化层350可以由绝缘材料，例如，SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4或者Al2O3形成。
此外，钝化层350可以是具有双层结构的分布布拉格反射层，其中具有不同折光率的至少双层至少某时被交替地堆叠一个在另一个之上。
钝化层350可以具有一种结构，其中具有第一折光率的第一层和具有第二折光率(其小于第一折光率)的第二层至少某时被交替地堆叠一个在另一个之上。
例如，钝化层350可以包括包含TiO2层和SiO2层的至少一个堆叠。第一层和第二层每个的厚度可以是λ/4，这里λ可以指的是从发光结构320发出的光的波长。
该粘合构件140插入在第一和第二引线框架122和124的第一和第二接触区122a和124a和发光器件130之间，并且用来将发光器件130粘结到第一和第二接触区122a和124a。此外，粘合构件140可以相互电子地连接第一和第二接触区122a和124a以及发光器件130。
粘合构件140可以包括第一粘合构件140-1和第二粘合构件140-2。
第一粘合构件140-1可以插入在发光器件130的第一电极342和第一引线框架122的第一接触区122a之间，以将发光器件130的第一电极342粘结到第一引线框架122的第一接触区122a。此外，第一粘合构件140-1可以相互电连接第一引线框架122的第一接触区122a和发光器件130的第一电极342。
第二粘合构件140-2可以插入在发光器件130的第二电极344和第二引线框架124的第二接触区124a之间，以将发光器件130的第二电极344粘结到第二引线框架124的第二接触区124a。此外，第二粘合构件140-2可以相互电连接第二引线框架124的第二接触区124a和发光器件130的第二电极344。
第一和第二粘合构件140-1和140-2可以是凸起型，并且可以相互隔开。发光器件130可以是粘结到第一和第二接触区122a和124a的弹抛片。
图9是图示在图4中图示的第一粘合构件140-1的一个实施例的图。
参考图9，第一粘合构件140-1可以包括第一扩散防止粘合层140a(其与发光器件130的第一电极342接触)、第二扩散防止粘合层140b(其与第一引线框架122的第一接触区122a接触)、和凸起140c(其相互连接第一扩散防止粘合层140a和第二扩散防止粘合层140b)。
凸起140c可以位于在发光器件130的第一电极342和第一引线框架122的第一接触区122a之间，并且可以相互电连接发光器件130的第一电极342和第一引线框架122的第一接触区122a。
第一扩散防止粘合层140a被位于在发光器件130的第一电极342和凸起140c之间，并且相互粘结发光器件130的第一电极342和凸起140c。
第一扩散防止粘合层140a用来提高在发光器件130的第一电极342和凸起140c之间的粘合力，并且防止存在于凸起140c之中的离子经由第一电极342透过或者扩散进发光结构320。
第二扩散防止粘合层140b位于在凸起140c和第一引线框架122的第一接触区122a之间，并且相互粘结凸起140c和第一引线框架122的第一接触区122a。
第二扩散防止粘合层140b用来提高在凸起140c和第一引线框架122的第一接触区122a之间的粘合力，并且防止存在于凸起140c之中的离子透过或者扩散进第一引线框架122。
虽然在图9中图示的第一粘合构件140-1包括二个扩散防止粘合层140a和140b，但是在另一个实施例中，二个扩散防止粘合层140a和140b的至少一个可以被省略。
第二粘合构件140-2可以具有与第一粘合构件140-1相同的配置，并且因此，其描述将在下面被省略，以便避免重复。
树脂层160包络发光器件130以保护发光器件130避免外界环境。例如，树脂层160可以填充封装主体110的空腔105以包络发光器件130、粘合构件140和底部150。
树脂层160可以由无色的透明聚合树脂材料，诸如环氧树脂或者硅形成。树脂层160可以包括荧光体以改变从发光器件130发出的光的波长。该树脂层160的热膨胀系数可以小于底部150的热膨胀系数。
经由提供具有等于或者大于封装主体110的热膨胀系数和小于粘合构件140和引线框架122和124的热膨胀系数的热膨胀系数的底部150，该实施例可以防止由于热应力导致的发光器件130的绝缘缺陷，以及也防止由粘合构件140的破坏所引起的接触缺陷，从而防止在发光芯片粘结的可靠性方面的恶化。
图10是图示根据另一个实施例的发光器件封装200的截面图。与图1和4相同的附图标记表示相同的组件，并且这些相同的组件将不描述，或者将简单地描述。
参考图10，发光器件封装200包括封装主体110、第一和第二引线框架122和124、发光器件130、粘合构件140、底部150、反射构件155和树脂层160。
反射构件155被布置在经由封装主体110的空腔105暴露的第一和第二引线框架122和124的上表面上。
例如，反射构件155可以被布置在第一引线框架122的第一接触区122a和第一暴露区122b以及第二引线框架124的第二接触区124a和第二暴露区124b上。
例如，反射构件155的组成材料可以是反射金属，例如，Ag，而不局限于此。该反射构件155的反射率可以低于底部150的反射率。
在另一个实施例中，除了在图10中图示的反射构件155之外，反射构件可以另外提供在没有经由空腔105暴露的第一和第二引线框架的上表面上。
图11是图示根据另一个实施例的发光器件封装的截面图。与图1和4相同的附图标记表示相同的组件，并且这些相同的组件将不描述，或者将简单地描述。
参考图11，发光器件封装300包括封装主体110a、第一和第二引线框架122和124、发光器件130、粘合构件140、底部150和树脂层160。
封装主体110a可以包括第一部分510和第二部分520，其具有不同的热膨胀系数。
例如，封装主体110a可以具有与在图1和4中图示的封装主体110相同的形状。但是，第一部分510的上表面的一部分可以形成封装主体110a的空腔105的底端103，并且第二部分520的内侧壁可以形成封装主体110a的空腔105的侧面102。
封装主体110a的第一部分510可以是其中布置第一和第二引线框架122和124的一部分，并且可以位于在虚拟的参考面101下面，其平行于第一和第二引线框架122和124的上表面。
封装主体110a的第二部分520可以是位于第一部分510的一部分。例如，封装主体110a的第二部分520可以位于在参考面101之上。
虽然在图1和4中图示的封装主体110由单个材料形成，但是在图11中图示的封装主体110a具有差别在于其包括具有第一热膨胀系数的第一部分510和具有不同于第一热膨胀系数的第二热膨胀系数的第二部分520。例如，第一热膨胀系数可以大于第二热膨胀系数。
例如，第一热膨胀系数可以等于第一和第二引线框架122和124的热膨胀系数，并且第二热膨胀系数可以等于树脂层160的热膨胀系数。
由于封装主体110a的第一部分510与第一和第二引线框架122和124接触，其由具有第一热膨胀系数的材料形成，并且封装主体110a的第二部分510与树脂层160接触，其由具有第二热膨胀系数的材料形成，有可能减少可归因于在热膨胀系数之间的差别的热应力，以防止由于热应力导致发光器件130的钝化层350的损坏，并且防止粘合构件140的破坏。
底部150的热膨胀系数可以大于封装主体110a的第一部分510的热膨胀系数。底部150可以与以上参考图1至5描述的相同。
根据另一个实施例的发光器件封装可以进一步包括反射构件，例如，Ag，其如在图11中图示的被布置在第一和第二引线框架122和124上。
图12是图示根据另一个实施例的发光器件封装400的截面图。与图1和4相同的附图标记表示相同的组件，并且这些相同的组件将不描述，或者将简单地描述。
与在图4中图示的实施例相比，根据图12的实施例的发光器件130的边缘可以与底部150的至少一部分垂直地对准。例如，发光器件130的侧面可以在第一边界线701和第二边界线702之间垂直地对准。
第一边界线701包括在底部150和第一暴露区122b之间的边界线602和在底部150和第二暴露区124b之间的边界线603。第二边界线702可以包括在底部150和第一和第二接触区122a和124a之间的边界线。
其中发光器件130的边缘在第一边界线701和第二边界线702之间对准的图12的这种配置也可以适用于如上所述的实施例100、200和300。
图13是图示根据另一个实施例的发光器件封装500的截面图。
与图3相同的附图标记表示相同的组件，并且这些相同的组件将不描述，或者将简单地描述。
发光器件封装500的底部150-1具有与在图3中图示的底部150不同的形状。
在图3的实施例中，在底部150和第一和第二暴露区122b和124b之间的边界线可以具有四边形的形状，例如，正方形的形状。但是，在图13的实施例中，在底部150和第一和第二暴露区122b和124b之间的边界线可以具有圆形或者椭圆形状。
底部150-1的形状不局限于前面提到的形状，并且可以实现为各种的形状，诸如，例如，多边、圆形、椭圆形状。
为了实现甚至光提取和甚至热膨胀衰减，底部150-1的形状可以关于空腔105的中心对称，而不局限于此。
图14A至14C是图示根据其他实施例的发光器件封装的图。
参考图14A，发光器件封装1200a包括具有空腔1105的封装主体1210、位于封装主体1210中的第一引线框架1220a和第二引线框架1220b、位于封装主体1210中并且经由导电粘合剂1246a和1246c电连接到第一引线框架1220a和第二引线框架1220b的发光器件1240、位于空腔1105的下部区域中的反射层1280a、以及位于空腔1105的上部区域中的铸模部分1260。
封装主体1210可以由硅材料、合成树脂材料或者金属材料形成。当封装主体210由导电材料，诸如，例如，金属材料形成时，虽然未图示，绝缘层可以覆盖在封装主体1210的表面上，以防止在第一和第二引线框架1220a和1220b之间电气短路。
空腔1105可以形成在封装主体1210内部，并且可以包括发光器件1240布置在其上的底表面1103、和相对于底表面1103通过预先确定的斜率倾斜的侧壁1102。
第一引线框架1220a和第二引线框架1220b部分地从空腔1105的底表面1103中暴露，并且布置在封装主体1210的内部以便相互电隔离。第一引线框架1220a和第二引线框架1220b用来对发光器件1240提供电流。此外，第一引线框架1220a和第二引线框架1220b可以通过反射从发光器件1240发出的光提高发光效能，并且可以向外地辐射在发光器件1240中产生的热量。
发光器件1240可以是倒装型发光器件。例如，发光器件1240可以包括衬底1241和布置在衬底1241上的发光结构1242，发光结构1242包括第一导电半导体层1242a、有源层1242b和第二导电半导体层1242c。
衬底1241可以由与如上参考图8所述的衬底310相同的材料形成。
第一导电半导体层1242a可以由与如上参考图8所述的第一导电半导体层322相同的材料形成，有源层1242b可以由与如上参考图8所述的有源层324相同的材料形成，并且第二导电半导体层1242c可以由与如上参考图8所述的第二导电半导体层326相同的材料形成。
虽然未图示，电子阻挡层可以插入在有源层1242b和第二导电半导体层1242c之间。电子阻挡层可以具有超点阵结构。例如，超点阵可以包括掺杂有第二导电掺杂物的AlGaN层和GaN层，其被交替地布置。
发光器件1240可以进一步包括布置在第二导电半导体层1242c上的发光导电层1245。发光导电层1245可以由与如上参考图8所述的导电层330相同的材料形成。
发光器件1240可以进一步包括电连接到第一导电半导体层1242a的第一电极1244a和电连接到发光导电层1245的第二电极1244b。第一电极1244a和第二电极1244c可以由与如上参考图8所述的第一电极342和第二电极344相同的材料形成。
为了在第一导电半导体层1242a上布置第一电极1244a，发光导电层1245、第二导电半导体层1242c、有源层1242b和第一导电半导体层1242a被以这个顺序部分地蚀刻，以暴露第一导电半导体层1242a的表面的一部分。第一电极1244a可以布置在暴露的表面上。
钝化层1248可以围绕发光结构1242形成。钝化层1248可以由绝缘材料，诸如，非导体的氧化物或者氮化物形成。在一个示例中，钝化层1248可以是二氧化硅(SiO2)层、氮氧化物层或者铝氧化物层。此外，如图示的，钝化层248不能在其中布置第一电极1244a和第二电极1244c的区域中形成。
发光器件1240的第一电极1244a和第二电极1244c可以经由导电粘合剂1246a和1246c分别地与第一引线框架1220a和第二引线框架1220b电接触。导电粘合剂1246a和1246c可以由导电材料，诸如，例如，焊锡形成。
反射层1280a可以布置在空腔1105的底表面1103上。
反射层1280a可以被配置使得反射材料1285包括在基础材料中。反射材料1285可以是二氧化钛(TiO2)，并且基础材料可以是硅。尤其是，当反射层1280a的基础材料与封装主体1210的基础材料相同时，可以在反射层1280a和封装主体1210之间实现极好的耦合力。
反射层1280a的高度h1可以等于或者高于导电粘合剂1246a和1246c的高度。虽然导电粘合剂1246a和1246c图示为具有不同的高度，但是相应的高度可以是大约30μm，并且在其间的差可以是在几微米的范围之内。发光器件240的高度h2可以是在从100μm到200μm的范围之内。例如，反射层1280a的高度h1可以是从空腔1105的底表面1103到反射层1280a的上表面的高度，导电粘合剂1246a和1246c的高度可以是从空腔1105的底表面1103到导电粘合剂1246a和1246c的最上端的高度。
反射层1280a可以被布置为围绕导电粘合剂1246a和1246c，并且可以与导电粘合剂1246a和1246c接触。
反射层1280a的这个布置被提供，因为在导电粘合剂1246a和1246c被施加于第一引线框架1220a和第二引线框架1220c，并且发光器件1240的第一电极1244a和第二电极1244c被粘结到导电粘合剂1246a和1246c之后，反射层1280a的材料被注入到空腔1105的底表面1103。
空腔1105的下部区域可以提供有反射层1280a，并且空腔1105的上部区域可以被填充有铸模部分1260。铸模部分1260可以包括基础材料，诸如，基于硅或者环氧树脂的材料和荧光体1265。荧光体1265可以由在从有源层1242b发出的第一波长范围中的光激励，从而在宽于第一波长范围的第二波长范围中发射光。
由于反射层1280a和铸模部分1260可以包括相同的基础材料，所以可以在接口上执行粘结等等而不产生裂缝。
当在图14A中空腔1105的底表面1103被分成对应于发光器件1240的第一区域A和围绕第一区域A的第二区域B时，反射层1280a被布置在第一区域A和第二区域B两者上。例如，第二区域B可以是除去第一区域A之外的空腔1105的底表面1103的剩余区域。
在根据该实施例的发光器件封装1200a中，从有源层1242b发出，并且送往空腔1105的底表面1103的光可以由反射层1280a反射，其可以提高光提取效率。尤其是，具有如上所述高度的反射层1280a可以防止由导电粘合剂1246a和1246c光的吸收。
此外，虽然当基于银(Ag)的反射材料覆盖在引线框架1220a和1220b上时，光的特征可能由于反射材料的氧化而恶化，但是该实施例不具有这个问题，并且由硅和钛氧化物的混合物形成的反射层1280a具有98％的反射率，其优于基于Ag的反射材料的90％的反射率。
根据在图14B中图示的实施例的发光器件封装1200b类似于在图14A中图示的实施例，但是，具有反射层1280b被仅仅布置在对应于发光器件1240的第一区域A上，以及包括荧光体1265的铸模部分1260被布置在第二区域B上的差别。
根据在图14C中图示的实施例的发光器件封装1200c类似于在图14A中图示的实施例，但是，具有反射层1280c被仅仅布置在对应于发光器件1240的周围的第二区域B上，以及包括荧光体1265的铸模部分1260被布置在第一区域A上的差别。
图15是图示根据另一个实施例的发光器件封装1300的截面图。以下的描述将集中于与在图14A至14C中图示的实施例的差别。
根据该实施例的发光器件封装可以包括水平式发光器件1340，而不是在图14A至14C中图示的倒装型发光器件。在发光器件封装1300中，虽然大的光通量没有送往空腔1105的底表面1103，但是由空腔1105的侧壁1102反射的光被送往空腔1105的底表面1103，然后由反射层1380反射，其可以改善发光效能。
发光器件1340类似于图14A的发光器件1240，但是被倒置。此外，虽然未图示，发光器件1340可以经由导电或者非导电粘合剂粘合于封装主体1310。
第一电极1344a和第二电极1344c分别地经由导线1345a和1345c被电连接到第一引线框架1320a和第二引线框架1320b。反射层1380被布置在空腔1105的底表面1103上。反射层1380包括在基础材料中分布的反射材料1385，并且其详细组成成分可以与图14A至14C的描述相同。
为了实现与第一和第二引线框架1320a和1320b电接触，在图14A至14C中描述的导电粘合剂1246a和1246c被以导线1345a和1345c替换。因而，由于没有通过导电粘合剂1246a和1246c光吸收的可能性，所以反射层1380可以具有比图14A至14C的反射层1280a、1280b或者1280c小的厚度h3。
在图15的实施例中，反射层1380位于围绕与第一和第二引线框架1320a和1320b接触的相应的导线1345a和1345c的一端，但是，不接触相应的导线1345a和1345c的一端。但是，在另一个实施例中，反射层1380可以与相应的导线1345a和1345c的一端的外周表面接触。
图16是图示根据再一个实施例的发光器件封装1400的截面图。以下的描述将集中于与以上描述的实施例的差别。
参考图16，发光器件封装1400可以包括竖直式发光器件1440，而不是在图14A至14C中图示的倒装型发光器件1240。
在发光器件封装1400中，虽然大的光通量没有送往空腔1105的底表面1103，但是由空腔1105的侧壁1102反射的光被送往空腔1105的底表面1103，然后由反射层1480反射，其可以改善发光效能。
发光器件1440可以包括第二电极1449、布置在第二电极1449上的发光结构1442、钝化层1448和第一电极1444a。
第二电极1449可以包括导电支撑衬底1449d、粘结层1449c、反射层1449b和欧姆层1449a。
光提取结构可以形成在发光结构1442的表面上。
发光结构1442可以包括第一导电半导体层1442a、有源层1442b和第二导电半导体层1442c。
欧姆层1449a可以具有大约200μm的厚度。电阻层1449a可以由从铟氧化锡(ITO)、铟氧化锌(IZO)、铟锌氧化锡(IZTO)、铟锌铝氧化物(IAZO)、铟镓氧化锌(IGZO)、铟镓氧化锡(IGTO)、锌铝氧化物(AZO)、锑氧化锡(ATO)、镓氧化锌(GZO)、IZO氮化物(IZON)、Al-GaZnO(AGZO)、In-GaZnO(IGZO)、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO、Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Ir、Sn、In、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf中选择出来的至少一个形成，但是，不局限于这些材料。
反射层1449b可以是由铝(Al)、银(Ag)、镍(Ni)、铂(Pt)、铑(Rh)、或者包括Al、Ag、Pt或者Rh的合金形成的金属层。铝、银等等可以有效地反射从有源层1442b发出的光以显著地提高发光器件1440的光提取效率。
导电支撑衬底1449d(例如，金属支撑衬底)可以由具有高导电性的金属形成。尤其是，支撑衬底1449d可以由具有高导热性的金属形成，因为其需要充分地消散在发光器件1440的操作期间产生的热量。
例如，导电支撑衬底1449d可以由金属或者半导体材料形成。此外，导电支撑衬底1449d可以由具有高导电性和热传导性的材料形成。例如，导电支撑衬底1449d可以由从钼(Mo)、硅(Si)、钨(W)、铜(Cu)和铝(Al)、或者其合金的组中选择出来的材料形成。此外，支撑衬底1449d可以有选择地包括金(Au)、铜(Cu)合金、镍(Ni)、铜钨合金(Cu-W)、载体晶片(例如，GaN、Si、Ge、GaAs、ZnO、SiGe、SiC、SiGe、Ga2O3)。
导电支撑衬底1449d可以具有足够的机械强度以在划线过程和中断过程期间有效地分解为芯片，而不会导致氮化半导体器件的弯曲。
粘结层1449c可以插入在反射层1449b和导电支撑衬底1449d之间以将其相互粘结。例如，粘结层1449c可以由从金(Au)、锡(Sn)、铟(In)、铝(Al)、硅(Si)、银(Ag)、镍(Ni)和铜(Cu)、或者其合金的组中选择出来的材料形成。
第一电极1444a可以布置在第一导电半导体层1442a上，并且可以由铝(Al)、钛(Ti)、铬(Cr)、镍(Ni)、铜(Cu)和金(Au)的至少一个形成。第一电极1444a可以具有单层或者多层结构。
发光器件1440的第二电极1449可以经由导电粘合剂层1450电连接到第二引线框架1420b。第一电极1444a可以经由导线1445a电连接到第一引线框架1420a。此外，反射层1480被布置在空腔1105的底表面1103上。反射层1480可以包括在基础材料中分布的反射材料1485，并且其详细成分可以与以上描述的相同。
作为使用导线1445a实现在第一引线框架1420a和第一电极1444a之间电接触的结果，由反射层1480暴露的第一引线框架1420a的区域的表面面积可以降低，其可以提高光提取效率。
反射层1480的厚度h4可以大于导电粘合剂层1450的厚度。从而，该实施例可以通过防止导电粘合剂层1450的光的吸收提高光提取效率。
在图16中图示的反射层1480被围绕导线1445a(其接触第一引线框架1420a)的一端布置，并且因此，反射层1480不与导线1445a的一端接触。但是，在另一个实施例中，反射层1480可以与导线1445a的一端的外周表面接触。
如上所述的发光器件封装可以包括多个发光器件，而不是单个发光器件，而不局限于此。
根据该实施例的多个发光器件封装可以布置在板上，并且光学构件，诸如，例如，光导板、棱镜片和漫射片可以布置在发光器件封装的光路中。发光器件封装、板和光学构件可以起背光单元的作用。
其他实施例可以实现为显示装置、指示器装置和包括发光器件的照明系统或者根据以上描述的实施例的发光器件封装。例如，照明系统可以包括电灯、车辆灯和街灯。
图17是图示根据实施例的任何一个的包括发光器件封装的照明装置的图。
参考图17，照明装置可以包括盖子710、光源模块720、辐射体740、电源760、内壳770和插座780。此外，根据该实施例的照明装置可以进一步包括构件730和/或保持器750。
盖子710可以采取凹陷球状或者半球的形式，其一部分开口。盖子710可以光学地耦合到光源模块720。例如，盖子710可以执行从光源模块720发出的光的漫射、散射或者激励。盖子710可以是一种光学构件。
盖子710可以耦合到辐射体740。为此，盖子710可以具有用于辐射体740的耦合部分。
盖子710的内表面可以涂有乳白色的涂料。乳白色的涂料可以包括对漫射光的漫射器。盖子710的内表面可以具有大于盖子710的外表面的表面光洁度的表面光洁度。这用来充分地漫射和散射来自光源模块720的光以便向外辐射光。
盖子710可以例如由玻璃、塑料、聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)或者聚碳酸酯(PC)形成。在这里，聚碳酸酯具有高的耐光性、耐热性和强度。盖子710可以是透明的，以允许光源模块720以从外面可看，而不局限于此。盖子1100可以是不透明的。盖子1100可以是通过吹塑形成。
光源模块720可以布置在辐射体740的一个表面上，并且从光源模块720产生的热量可以通过传导传输给辐射体840。光源模块720可以包括光源单元721、连接板723和连接器725。光源单元721的每个可以包括根据该实施例的发光器件封装100至500、1200a、1200c、1300和1400的一个。
构件730可以布置在辐射体740的上表面上，并且具有相应的光源单元721和连接器725被插入的引导凹口731。引导凹口731可以对应于连接器725和光源单元721的板或者与连接器725和光源单元721的板对准。
反光材料可以施加或者涂在构件730的表面上。
例如，白漆可以施加或者涂在构件730的表面上。当光从盖子730的内表面反射，并且返回到光源模块720时，构件730可以再次反射光到盖子710。这可以导致提高根据该实施例的照明装置的发光效能。
构件730可以例如由绝缘材料形成。光源模块720的连接板723可以由电子地导电材料形成。因此，在辐射体740和连接板723之间的电接触可以存在。由绝缘材料形成的构件730可以防止在接线板723和辐射体740之间的电气短路。辐射体740可以辐射出来自光源模块720的热量和来自电源760的热量。
保持器750阻止内壳770的绝缘部分710的容纳膛径771。因而，在内壳770的绝缘部分710中容纳的电源760可以被密封。保持器750可以具有引导突起751，并且引导突起751可以具有用于穿透电源760的突起761的孔。
电源760处理或者转换外部电信号以将其提供给光源模块720。电源760可以容纳在内壳770的容纳膛径771中，并且通过保持器750密封在内壳770中。电源760可以包括突起761、引导部分763、基底765和扩展部767。
引导部分763可以从基底765的一侧向外地突出。引导部分763可以插入到保持器750中。多个单元可以布置在基底765的一个表面上。该单元，例如，可以包括DC转换器，其转换来自外部电源的交流电(AC)电源为直流(DC)电源、控制光源模块720驱动的驱动芯片、以及保护光源模块720的电子静电放电(ESD)保护单元，而不局限于此。
扩展部767可以从基底765的另一侧向外地突出。扩展部767可以插入进内壳770的连接部分775，并且从外面接收电信号。例如，扩展部767可以具有等于或者小于内壳770的连接部分775的宽度的宽度。扩展部767可以电连接到“正电线”的一端和“负电线”的一端，并且“正电线”和“负电线”的另一端可以电连接到插座780。
内壳770可以在其中容纳铸模部分以及电源760。铸模部分通过硬化铸模液体制备，并且帮助电源760固定在内壳770中。
图18是图示根据实施例的任何一个的包括发光器件封装的显示装置的图。
参考图18，显示装置800可以包括底盖810、布置在底盖810上的反射板820、发光的光发出模块830和835、布置在反射板820前面以引导从在显示装置800的前方的光发出模块830和835发出的光的光导板840、包括布置在光导板840的前面的棱镜片850和860的光片、布置在光片的前面的显示板870、连接到显示板870以提供图像信号给显示板870的图像信号输出电路872、和布置在显示板870的前面的滤色器880。在这里，底盖810、反射板820、发光模块830和835、光导板840和光片可以构成背光单元。
发光模块可以包括安装在板830上的发光器件封装835。在这里，板830可以是印刷电路板(PCB)等等。发光器件封装835可以基于以上描述的实施例100至500、1200a至1200c、1300和1400的任何一个。
底盖810可以容纳显示装置800的组成部分。反射板820可以是如在图中示范性地图示的单独的元件，或者可以是涂在光导板840的背面或者底盖810的前面上的高反射率材料。
在这里，反射板820可以由具有高反射率的材料形成，并且可以形成为超薄的形状。例如，反射板820可以由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)形成。
光导板840可以例如由聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或者聚碳酸酯(PC)、聚乙烯(PE)形成。
第一棱镜片850可以包括支撑膜和形成在支撑膜的一个表面上的半透明的弹性聚合物材料。聚合材料可以形成提供有多个重复地形成的3维结构的棱镜层。在这里，该结构可以限定包括如图示的重复地形成的背脊和波谷的条型图案。
此外，在第二棱镜片860中，形成在支撑膜的一个表面上的背脊和波谷的方向可以垂直于形成在第一棱镜片850的支撑膜的一个表面上的背脊和波谷的方向。这允许从发光模块和反射板发送的光去贯穿显示板870均匀分布。
此外，虽然未图示，漫射片可以位于在光导板840和第一棱镜片850之间。漫射片可以由基于聚酯和聚碳酸酯的材料的任何一个形成，并且可以经由折射和从背光单元传入的光的散射，最大化光投射角度。此外，漫射片可以包括包含光扩散器的支撑层、以及分别地形成在发光表面(面对第一棱镜片)和光引入表面(面对反射片)上的第一和第二层，所述第一和第二层不包含光扩散器。
在该实施例中，漫射片、第一棱镜片850和第二棱镜片860起光片的作用。作为光片、微透镜阵列的其他组合的示例，可以提供漫射片和微透镜阵列的组合，或者单个棱镜片和微透镜阵列的组合。
显示板870可以是液晶显示板，或者可以是需要光源的各种其他种类的显示器件的任何一个。
图19是图示根据实施例的任何一个的包括发光器件封装的头灯900的图。参考图19，头灯900包括发光模块901、反射器902、遮光器903和透镜904。
发光模块901可以包括布置在板(未图示)上的多个发光器件封装(未图示)。在这种情况下，发光器件封装可以基于以上描述的实施例100至500、1200a至1200c、1300和1400的任何一个。
反射器902在给定的方向中，例如，在前方向912中反射从发光模块901发出的光911。
遮光器903位于在反射器902和透镜904之间，并且用来阻挡或者反射由反射器902反射的光的一部分，从而送往透镜904，由此在配置期望的光分布图案时帮助设计者。遮光器903的一侧部分903-1和另一侧部分903-2可以具有不同的高度。
从发光模块901发出的光由反射器902和遮光器903反射，并且此后，穿过透镜904，从而直达车辆的前方。透镜904可以向前地折射由反射器902反射的光。
如从以上的描述中清晰可见的，该实施例可以防止由于热应力导致的发光器件的绝缘缺陷，可以防止当粘合构件由于热应力损坏时导致的接触缺陷，可以防止在发光芯片粘结的可靠性方面的恶化，并且可以提高光提取效率。
虽然已经参考其许多说明性的实施例描述了一些实施例，应该理解，许多其他改进和实施例可以由本领域技术人员设计，其将落在本公开的原理的精神和范围内。更具体地，不同的变化和改进在构成部分和/或在本公开、附图和所附的权利要求范围内的对象组合安排的方案中是可允许的。除了在构成部分和/或安排中的变化和改进之外，可替选的使用对于本领域技术人员来说也将是显而易见的。

Claims (10)

1.一种发光器件封装，包括：
第一引线框架，所述第一引线框架包括第一接触区和第一暴露区；
第二引线框架，所述第二引线框架与所述第一引线框架隔开，所述第二引线框架包括第二接触区和第二暴露区；
底部，所述底部位于在所述第一接触区和所述第一暴露区之间、在所述第二接触区和所述第二暴露区之间、以及在所述第一接触区和所述第二接触区之间；
发光器件，所述发光器件电连接到所述第一和第二接触区；以及
封装主体，所述封装主体具有配置为暴露所述第一和第二接触区、所述第一和第二暴露区和所述底部的空腔，
其中，所述底部具有比所述第一和第二引线框架的热膨胀系数大的热膨胀系数。
2.根据权利要求1所述的封装，其中，经由所述封装主体的空腔暴露的底部具有比所述第一和第二接触区的表面面积和所述第一和第二暴露区的表面面积的总和小的表面面积。
3.根据权利要求1所述的封装，其中，所述底部与所述第一和第二引线框架相互电隔离。
4.根据权利要求1所述的封装，其中，所述发光器件包括第一电极和第二电极，以及
其中，所述第一电极粘结到所述第一接触区，以及所述第二电极粘结到所述第二接触区。
5.根据权利要求1所述的封装，其中，所述底部的热膨胀系数等于或者小于所述封装主体的热膨胀系数。
6.根据权利要求1所述的封装，其中，所述第一引线框架具有位于在所述第一接触区和所述第一暴露区之间的第一凹槽，以及所述第二引线框架具有位于在所述第二接触区和所述第二暴露区之间的第二凹槽，以及
其中，所述底部具有位于所述第一和第二凹槽中的部分。
7.根据权利要求1所述的封装，其中，所述发光器件具有与第一边界线垂直地对准的边缘，以及所述第一边界线包括在所述底部和所述第一暴露区之间的边界线、以及在所述底部和所述第二暴露区之间的边界线。
8.根据权利要求1所述的封装，其中，所述发光器件具有与所述底部的至少一部分垂直地对准的边缘。
9.一种发光器件封装，包括：
第一引线框架，所述第一引线框架包括第一接触区和第一暴露区；
第二引线框架，所述第二引线框架与所述第一引线框架隔开，所述第二引线框架包括第二接触区和第二暴露区；
底部，所述底部包括位于在所述第一接触区和所述第一暴露区之间的第一衰减部分、位于在所述第二接触区和所述第二暴露区之间的第二衰减部分、以及位于在所述第一接触区和所述第二接触区之间的第三衰减部分；
发光器件，所述发光器件电连接到所述第一和第二接触区；以及
封装主体，所述封装主体具有配置为暴露所述第一和第二接触区、所述第一和第二暴露区以及所述底部的空腔，
其中，所述底部具有比所述第一和第二接触区的表面面积和所述第一和第二暴露区的表面面积的总和小的表面面积，以及所述底部具有比所述第一和第二引线框架的热膨胀系数大的热膨胀系数。
10.一种发光器件封装，包括：
封装主体，所述封装主体具有空腔；
第一引线框架和第二引线框架，所述第一引线框架和第二引线框架提供在所述空腔的底表面处；
发光器件，所述发光器件经由导线被电连接到所述第一引线框架和所述第二引线框架的至少一个；以及
反射层，所述反射层布置在所述空腔的底表面上，所述反射层包括钛氧化物。
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