CN102388473A - 发光二极管封装 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种发光二极管封装，包括：封装体，所述封装体包括LED；底部传热金属层，所述底部传热金属层形成在封装体的底表面上；以及金属板，所述金属板与底部传热金属层接合。底部传热金属层经由Ag环氧基树脂粘合剂或焊料而接合至金属板，且金属板仅包括金属而不包括树脂层。

Description

发光二极管封装
技术领域
本发明涉及一种通过直接连接发光二极管封装与金属板而具有改进的散热路径的发光二极管封装。
背景技术
发光二极管(LED)是包括诸如GaAs、AlGaAs、GaN、InGaN、AlGaInP等化合物半导体材料的双端二极管元件。当将电力施加给阴极端子和阳极端子时，LED发出可见光，可见光具有根据电子和空穴的复合而产生的光能。
可以通过将红光LED、绿光LED和蓝光LED三色组合、或者将荧光物与蓝光LED组合来实现发出白光的白光LED。白光LED的出现将LED的应用领域从电子产品的指示器延伸到日用产品、广告面板等，近来，由于LED芯片具有高效率，它们被用来替代一般的照明光源，例如街灯、车辆前照灯、荧光灯等。
高功率、高亮度的LED正应用于各种照明装置。随着LED的接合表面产生越来越多的热，LED的效率和使用寿命受到影响。因此，对于高功率、高亮度的LED封装，急需一种用于释放或耗散LED芯片所产生的热的设计。
施加给LED封装的能量中约15％的能量转化为光，而约85％的能量以热量的形式消耗。LED芯片温度的增加使得LED封装的故障率增加。
对于树脂注塑型LED封装，塑料树脂的低导热率妨碍了在至少0.2W/mK的LED芯片中设置有效的散热结构(或热沉结构)。为此，目前树脂注塑型LED封装用于低亮度或采用小于0.1瓦的LED芯片的指示器。为了改善树脂注塑型LED封装的散热结构，已开发出具有位于LED芯片下方的、由铜(300至400W/mK的热导率)或铝(150至180W/mK的热导率)制成的热沉的封装结构。
具有热沉的树脂注塑型LED封装因经由热沉金属直接释放热量而实现良好的散热，因此它可以应用于至少0.1瓦的LED封装。然而，这种树脂注塑型LED在树脂材料与热沉的金属核心之间可能因二者不同的热膨胀系数而出现裂纹，因而造成可靠性的问题。
为了改善散热结构，可以采用由金属制成的LED封装体。封装体的材料可以是铝、铜等。这种结构具有良好的散热特性，但是可能会造成可靠性问题，诸如由湿气或空气的渗透造成的电极氧化，这是由于与填充在发光部分中的透明硅或树脂的热膨胀系数上的差异导致用于与LED芯片的电极表面连接的金线被切断、或者金属与硅或树脂之间的界面破裂。
对于采用陶瓷作为封装体材料的LED封装，陶瓷使LED封装具有高的环境抵抗力、低的热膨胀系数、抗紫外线能力、与硅表面接合的性能，从而LED封装可以用作需要高可靠性的LED封装。陶瓷材料可以采用氧化铝或低温共烧结陶瓷(LTCC)材料。具有比金属的热导率低的、在15W/mK与20W/mK之间的氧化铝适用于0.2瓦至1瓦级别的LED封装，而具有3W/mK的低热导率的LTCC对于高功率LED封装是不足的。为了改进这一点，尝试了通过在LED封装中形成热通孔、并用诸如银(Ag)的金属填充热通孔来提高热释放效率。
对于由Laminar Ceramics Inc.公司(美国)开发的阵列型LED，共烧结具有相似热膨胀系数的金属和陶瓷，由此产生陶瓷层以实现电极间绝缘，并在陶瓷上设计电极和电路，以经由金属来释放LED芯片所产生的热，从而阵列型LED封装实现较好的散热性能。然而，为了同时烧结异质的陶瓷和金属，这种LED封装需要选择昂贵的特殊材料，且需要非常复杂的工艺管理，因而导致极高的制造成本。
为了释放LED封装的热，通常使用一种将LED封装焊接在昂贵的金属印刷电路板(PCB)或热复合板上的方法。在这种情况下，从LED封装产生的热经由金属PCB释放。金属PCB具有在铝基板上层叠树脂层、铜箔层、阻焊层的结构。树脂层用来提供铜箔层与铜箔层下方的金属基板之间的电绝缘，并形成铜箔层与金属基板之间的传热路径。从LED封装产生的热经受通过金属PCB的铜箔层的第一次传导，然后经由树脂层传递至下方的金属基板。因此，为了使散热结构有效，树脂层需要具有提高的热导率。金属PCB中使用的树脂层的热导率处在约1.0W/m至2.2W/mK的范围内。金属PCB需要以下方法：将铝和铜箔彼此面对面耦合、并将树脂置于它们之间、可靠地将具有不同热膨胀系数的两种金属接合，以及降低在接合性能和热膨胀中产生的两种金属之间的应力。铜的热膨胀系数约为17ppm/K，铝的热膨胀系数约为25ppm/K。为了满足金属PCB的树脂层中所需的性能，金属PCB中使用的树脂层具有约0.075mm至0.30mm的相对较厚的厚度。树脂层的这种厚度妨碍了金属PCB中的铜箔层与金属基板之间的热流动。关于金属PCB中的热传递，具体而言，从LED芯片产生的热借助于LED封装的封装体、以及金属PCB的焊接层、铜箔层、树脂层以及铝基板而沿着传热路径释放，在这种情况下，树脂层具有低的热传导，由此在热传导流动中造成热释放的瓶颈现象。
当以阵列形式在金属PCB上安装LED封装时，仅具有金属PCB的热释放效果低，因此可以在金属PCB的下表面安装热沉以释放热，在这种情况下，可以在金属PCB与热沉之间施加热油脂，以去除金属PCB与热沉之间的空气层。然而，在这种情况下，热油脂具有约2至3W/mK的低热导率，这妨碍了热流动。
发明内容
技术问题
本发明旨在提供一种能够实现散热结构的LED封装，以便以低成本提高LED效率并延长使用寿命。此外，本发明的另一个目的在于提供一种通过改进LED封装与金属板(或热沉)之间的接合方法来提高LED封装的热释放效率的方法。
技术方案
在本发明的一个方面中，一种发光二极管(LED)封装包括：封装体，所述封装体包括LED；底部传热金属层，所述底部传热金属层形成在封装体的底部上；以及金属板，所述金属板与底部传热金属层接合。
底部传热金属层通过诸如Ag环氧基树脂的粘合剂或焊料而与金属板接合，并且
金属板仅包括金属而不包括树脂层。
在本发明的另一方面中，一种发光二极管(LED)封装包括：封装体，所述封装体包括LED和齐纳二极管；传热金属填充件，所述传热金属填充件包括填充以穿通形式形成在封装体中的通孔的金属；以及金属板，所述金属板与传热金属填充件接合，其中，传热金属填充件通过诸如Ag环氧基树脂的粘合剂或焊料而与金属板接合，且金属板仅包括金属而不包括树脂层。
在本发明的另一个方面中，一种发光二极管(LED)封装包括：封装体，所述封装体包括LED和齐纳二极管；传热金属填充件，所述传热金属填充件包括填充以穿通形式形成在封装体中的通孔的金属；底部传热金属层，所述底部传热金属层形成在封装体的底部上；以及金属板，所述金属板与底部传热金属层接合。
技术效果
在本发明中，LED封装被接合到不具有树脂层的廉价金属板。因此，可以防止由于形成在现有金属PCB中的树脂层而出现的热量流动的瓶颈现象，从而可以最大化热释放效果，并且，由于代替昂贵的金属PCB而使用了廉价金属板，因此可以提高各种照明器件的成本。
附图说明
由以下对结合附图给出的优选实施例的描述，可以明显获知本发明的上述和其它目的和特征，在附图中：
图1是根据本发明第一实施例的LED封装的剖视图；
图2是图1所示的LED封装的平面图；
图3是图1所示的LED封装的仰视图；
图4是根据本发明第二实施例的LED封装的剖视图；
图5是根据本发明第三实施例的LED封装的剖视图；
图6是说明图1、图4和图5所示的LED封装与热沉之间的接合的剖视图；
图7和图8是说明图1、图4和图5所示的LED封装的电路配置实例的图；
图9是示出根据本发明第四实施例的LED封装的外部的立体图；
图10是图9所示的LED封装的剖视图；
图11是嵌入在图9所示的LED封装中的LED芯片的等效电路图；
图12是说明在LED封装中当LED封装焊接到金属板上时图9中的LED封装的阳极和阴极电极短路的实例的剖视图；
图13是示出LED封装的阳极和阴极电极被抬起以防止诸如图12的短路的实例的剖视图；
图14是说明与图13的LED封装接线连接的剖视图；
图15是示出用绝缘带或绝缘管包覆图13的LED封装的电极和接线的接合部分的实例的剖视图；
图16是说明将绝缘焊盘或绝缘板附接至其上接合了图13的LED的金属板的实例的剖视图；
图17是说明当图13的LED封装共同附接至单个金属板时所产生的LED短路缺陷的原因的等效电路图；
图18是说明图13的LED封装以一对一的方式与分离的金属板接合、且LED封装串联连接的实例的剖视图；
图19是如图18所示串联连接的LED封装的等效电路图；以及
图20是说明在单个金属板上串联连接多个LED封装的实例的剖视图。
最佳实施方式
本发明的发光二极管(LED)封装，包括：封装体，所述封装体包括LED；底部传热金属层，所述底部传热金属层形成在所述封装体的底部上；以及金属板，所述金属板与所述底部传热金属层接合。
具体实施方式
在根据本发明一个实施例的LED封装中，LED封装的封装体的整个底部包覆有可焊接的金属，且LED封装的底部直接焊接至廉价的金属板(或热沉)，以经由焊接层和金属板来释放从LED芯片产生的热量，从而增加热释放效率。这里，廉价的金属板(或热沉)仅包括金属而不包括树脂层。表面电镀镍以允许焊接的铜板或铝板可以用作所述金属板(热沉)。焊接金属可以包括96.5％的锡(Sn)、3％的银(Ag)和0.5％的铜(Cu)。
根据本发明另一个实施例，利用粘合剂(或接合件等)、诸如具有约3W/mK的热导率的Ag环氧基树脂等，将LED封装与不包括树脂层的廉价金属板接合。Ag环氧基树脂包括在其中所添加的Ag粉，从而它具有较高的热导率。
由于LED封装的底部焊接到金属板(或热沉)、或者经由薄的树脂层接合至金属板，因此将阳极电极和阴极电极形成在LED封装的上部、或者弯向金属板的上侧，以防止LED封装的电极经由金属板短路。金属板可以用作地线，在这种情况下，LED封装的底部金属层可以与阳极电极或阴极电极连接。
可以经由引线将电能从外部电源提供给焊接到金属板的LED封装，或者经由具有电路图案的FR4(阻燃剂合成物4)PCB和与之相连的引线而将电能从外部电源提供给焊接到金属板的LED封装。
将参照附图详细描述本发明的示例性实施例。在本说明书中，相同的附图标记表示相同的部件。在描述本发明时，如果相关已知功能或构造的详细描述被认为会不必要地对本发明的主旨造成歧义则省略这些解释，本领域技术人员应当可以理解这些解释。
考虑到对说明书描述的便利，可能选择以下描述中所使用的元件名称，但其可能与实际产品的部件名称不同。
参见图1，根据本发明第一实施例的LED封装100包括：封装体20、LED芯片11、金线12和13、阳极电极15、阴极电极16、树脂层14、顶部传热金属层17、底部传热金属层19和传热金属填充件18。
封装体20可以由树脂或陶瓷材料制成。封装体20的上表面形成有凹陷。在凹陷的底部上形成有顶部传热金属层17，LED芯片11焊接在顶部传热金属层17上。顶部传热金属层17形成在阳极电极15与阴极电极16之间，并与电极15和16分隔开。封装体20的限定出所述凹陷的内侧壁包括用以增强光反射效率的斜面。阳极和阴极电极15和16形成在所述斜面上，即形成在封装体20的上部上。阳极电极15可以经由金线12与LED芯片11的阳极连接。阴极电极16可以经由金线13与LED芯片11的阴极连接。树脂层14在封装体20上侧掩埋于凹陷中，以覆盖LED芯片11、顶部传热金属层17、金线12和13等，从而保护元件免受氧或潮气的物理影响或渗透。树脂层14可以具有曲面，以便起到透镜的作用。
在上表面和下表面上形成有穿通凹陷的一个或更多个通孔，传热金属填充件18填充所述一个或更多个通孔。传热金属填充件18可以包括镍(Ni)、银(Ag)或其合金。传热金属填充件18连接顶部传热金属层17与底部传热金属层19。顶部传热金属层17和底部传热金属层19可以具有在铜(Cu)电极层或银(Ag)电极层中的任何一个上电镀镍(Ni)、铜(Cu)、银(Ag)和锡(Sn)之中的任何一种金属层的结构。顶部传热金属层17可以与LED芯片11的接地端子连接。底部传热金属层19可以经由诸如Ag环氧基树脂等的粘合剂或焊料而与热沉接合。热沉可以与接地电源连接。
从LED芯片11产生的热量沿着包括LED芯片11、顶部传热金属层17、传热金属填充件18和底部传热金属层19的散热路径而释放。
图2是LED封装100的顶部平面图。图3是LED封装100的底部平面图。底部传热金属层19形成在图3所示的封装体19的底部上，从而增加LED封装100的热释放效率。
图4是根据本发明第二实施例的LED封装的剖视图。
参见图4，根据本发明第二实施例的LED封装100包括封装体28、LED芯片21、金线32和33、阳极电极25、阴极电极26、树脂层24和底部传热金属层27。阳极电极25和阴极电极26可以交换。
封装体28可以由树脂或陶瓷材料制成。封装体28的上表面形成有凹陷。在凹陷的底部上形成有阳极电极25和阴极电极26，LED芯片21形成在阴极电极26上。封装体20的限定出凹陷的内侧壁包括用以增强光反射效率的斜面。阳极电极25和阴极电极26延伸至封装体28的斜面和上表面。阳极电极25可以经由金线22与LED芯片21的阳极连接。阴极电极26可以经由金线23与LED芯片21的阴极连接。阴极电极26延伸至LED芯片21下方的部分。树脂层24在封装体28上侧掩埋于凹陷中，以覆盖LED芯片21、金线22和23等，从而保护元件免受氧或潮气的物理影响或渗透。
与图1的实施例不同，在图4的实施例中，封装体18的上部未形成有顶部传热金属层，且未形成有穿通封装体28的通孔。
底部传热金属层27可以具有在铜(Cu)电极层和银(Ag)电极层中的任何一个上电镀镍(Ni)、铜(Cu)、银(Ag)和锡(Sn)之中的任何一种金属层的结构。底部传热金属层27可以经由诸如Ag环氧基树脂的粘合剂和焊料中的一种而附接至金属板(或热沉)。金属板可以与接地电源连接。
从LED芯片21产生的热量沿着包括LED芯片21、阴极电极26、封装体28和底部传热金属层27的散热路径而释放。底部传热金属层27形成在如图3所示的封装体28的下表面，从而增加LED封装100的热释放效率。
图4的LED封装100经由图6所示的焊料51与金属板52(或热沉)接合。
图5是根据本发明第三实施例的LED器件的剖视图。
参见图5，LED封装100包括封装体38、LED芯片31、金线32和33、阳极电极35、阴极电极36、树脂层34、顶部传热金属层40、底部传热金属层37和传热金属填充件39。阳极电极35和阴极电极36可以交换。
封装体38可以由树脂或陶瓷材料制成。封装体38的上表面形成有凹陷。在凹陷的底部上形成有阳极电极35、阴极电极36以及顶部传热金属层40。LED芯片31形成在顶部传热金属层40上。顶部传热金属层40形成在阳极电极35与阴极电极36之间，并以预定间隔与电极35和36分隔开。封装体38的限定出凹陷的内侧壁包括用以增强光反射效率的斜面。阳极电极35和阴极电极36延伸至封装体38的斜面和上表面。阳极电极35可以经由金线32与LED芯片31的阳极连接。阴极电极36可以经由金线33与LED芯片31的阴极连接。树脂层34在封装体38上侧掩埋于凹陷中，以覆盖LED芯片31、上部电极35和36、金线32和33等，从而保护元件免受氧或潮气的物理影响或渗透。
在封装体28中形成了穿通上表面和下表面上的凹陷的单个通孔，单个传热金属填充件39填充所述单个通孔。单个传热金属填充件39的金属可以包括镍(Ni)、银(Ag)或其合金中的一种。单个传热金属填充件39连接顶部传热金属层40与底部传热金属层37。顶部传热金属层40和底部传热金属层37可以具有在铜(Cu)电极层或银(Ag)电极层中的任何一个上电镀镍(Ni)、铜(Cu)、银(Ag)和锡(Sn)之中的任何一种金属层的结构。底部传热金属层37可以经由诸如Ag环氧基树脂等的粘合剂或焊料而与金属板(或热沉)连接。金属板60可以与接地电源连接。
底部传热金属层37可以包括形成有镍层的铝。可以在电镀铝的镍层上层叠金(Au)、银(Ag)和铜(Cu)中的一种或更多种。底部传热金属层37可以经由诸如Ag环氧基树脂等的粘合剂、焊料等而与金属板(或热沉)连接。
从LED芯片31产生的热量沿着包括LED芯片31、顶部传热金属层40、单个传热金属填充件39和底部传热金属层37的散热路径而释放。底部传热金属层37形成在如图3所示的封装体38的下表面上，从而增加LED封装100的热释放效率。
图5的LED封装经由图6的焊料而与不包括树脂层的廉价金属板(或热沉)52接合，且经由引线53和54将电能从外部电源提供给图5的LED封装。
不具有树脂层的廉价金属板(或热沉)52可以经由图6的焊料51附接至形成在图1至图5所示的LED封装100的下表面的底部传热金属层19。金属板52可以由电镀有铜(Cu)、银(Ag)、金(Cu)和镍(Ni)中的任何金属的铝制成，以允许焊接底部传热金属层19和金属板52。这是因为铜(Cu)、银(Ag)、金(Cu)和镍(Ni)的表面可以被焊接，而铝(Al)不行。可以经由化学电镀在铝上电镀诸如铜(Cu)、银(Ag)、金(Cu)和镍(Ni)的金属。图6中的LED封装100的热量沿着包括LED芯片11、顶部传热金属层17、传热金属填充件18、底部传热金属层19、焊接材料(一种材料)和金属板(或热沉)52的散热路径而释放。
在图6中，附图标记53表示将LED封装100的阳极电极15与印刷电路板(PCB)电连接的正极引线，附图标记54表示将LED封装100的阴极电极16与印刷电路板电连接的负极引线。外部电源经由印刷电路板(PCB)、引线53和54、阳极电极15和阴极电极16、以及金线12和13提供电流给LED芯片11。
在图6中，LED封装100和热沉52可以由诸如Ag环氧基树脂等的粘合剂接合在一起，而取代焊料51，虽然这可能会稍微影响热释放效果。
图7图示以阵列电路的形式连接上述实施例中的LED封装的实例。
对于将LED封装100实现为100瓦的LED封装的情况下的电路配置实例，蓝光LED的驱动电压约为3.4V，且在大多数情况下，经由将AC电能转变为DC电能的适配器来接收12V或24V的DC电能。
当使用12V的DC电能且串联连接三个LED封装100时，利用电阻将电能调整为10.2V，并调整流经LED芯片的过电流。由于电阻需要补偿12V与10.2V之间约1.8V的差，因此会影响施加给LED芯片的电流的效率，且还会从电阻产生热量，成为散热系统的负担。
如果如图7所示使用DC 24V且串联连接7个LED封装，则由于串联电路所需的DC电压是23.8V，因此电阻所消耗的电能电平低，从而减少了电阻所产生的热量。
图7的LED阵列包括多个FR4 PCB 61和金属板64，所述多个FR4 PCB 61具有用于串联连接LED封装100的电路，LED封装100中的每个经由焊料接合在金属板64上。两行LED与单个FR4 PCB 61连接。每行LED包括7个LED封装100。LED封装100经由引线53和54与FR4 PCB 61的端子62和63连接。FR4 PCB 61经由连接器和缆线与24V的外部电源连接。
图7的LED阵列的每个LED封装100中所包括的LED芯片被实现成2瓦的LED芯片。如果具有这种LED的LED封装100的数量为49，则可以构成现有的100瓦的荧光灯。金属板64可以实现成允许焊接的铜板、以及电镀有银(Ag)、金(Au)、镍(Ni)等金属的铝板。
图8图示将LED封装与外部电源连接的实例。
参见图8，金属板71中形成有铆接孔71a和71b，LED封装100和FR4 PCB 74经由焊料接合在一起。FR4 PCB 74设置有电路和端子72和73，用以将LED封装100的引线53和54与外部电源80的接线75和76连接。可以将金属板71实现为允许焊接的铜板、或电镀有诸如银(Ag)、金(Au)、镍(Ni)等金属的铝板。
图9是说明根据本发明第四实施例的LED封装的外部的透视图。图10是图9所示的LED封装的剖视图。图11是图9所示的LED封装中所设置的LED芯片的等效电路图。
参见图9至11，根据本发明第四实施例的LED封装100包括封装体50、阳极电极45、阴极电极46、透镜44和传热金属填充件49。
封装体50可以由树脂或陶瓷材料形成。封装体50上形成有凹陷。凹陷中的LED芯片(未示出)的阳极电极45和阴极电极46穿通封装体50的侧面而突出到外部。阳极电极45与LED芯片的阳极端子连接。阴极电极46与LED芯片的阴极端子连接。封装体50上形成有透镜44，用以覆盖LED芯片，由此保护LED芯片免受氧或潮气的物理影响或渗透。
封装体50中形成有通孔，传热金属填充件49的金属填充通孔。传热金属填充件49的金属包括镍(Ni)、银(Ag)或其合金。
封装体50的传热金属填充件49可以经由诸如Ag环氧基树脂的粘合剂或焊料而直接接合在金属板(或热沉)上。在另一实施例中，单独形成在封装体50的底部上、以与传热金属填充件49连接的底部传热金属层(未示出)可以经由诸如Ag环氧基树脂的粘合剂或焊料而附接到金属板(或热沉)。金属板(或热沉)可以与接地电源连接。
根据本发明第四实施例的LED封装100的LED芯片经由图11的传热金属填充件49而与齐纳(Zener)二极管42连接。在图11中，附图标记41表示LED芯片的LED。LED 41和齐纳二极管42经由传热金属填充件49连接在一起。LED 41的阳极端子经由传热金属填充件49与齐纳二极管42的阴极端子连接，且LED 41的阴极端子与齐纳二极管42的阳极端子连接。
如果如图12所示的根据本发明第四实施例的LED封装100经由焊料或经由Ag环氧基树脂原样地接合到金属板80，则LED封装100的阳极电极45和阴极电极46与金属板80接触，从而导致阳极电极45与阴极电极46之间短路。在这种情况下，阳极电压和阴极电压变得等电位，从而LED 41不发光。为此，如图13所示那样将LED封装100的阳极电极45和阴极电极46抬起，以与金属板80分隔开。
为了将外部电能施加给LED封装100、或将LED封装100与另一个LED连接，可以经由图14所示的焊料111将LED封装的阳极电极45和阴极电极46与接线110连接。为了可靠地将LED封装100的电极45和46与金属板80绝缘，用图15所示的绝缘带或绝缘管(或热收缩管)包覆LED封装100的电极45和46与接线111的接合部分，或者可以如图16所示那样将绝缘焊盘或绝缘板120接合至金属板80。在这种情况下，绝缘焊盘或绝缘板120必须附接至除了LED封装100的下表面与金属板80之间的接合表面部分之外的表面部分。绝缘焊盘或绝缘板120可以仅附接至金属板80面对电极45和46与接线110的接合部分的部分。绝缘焊盘或绝缘板120可以实现为反射板，以增加照明效率。
在根据本发明第四实施例的LED封装100的情况下，不能将多个LED封装100与单个金属板60接合。这是因为，当图17所示的第一和第二LED封装经由诸如Ag环氧基树脂的粘合剂或焊料与单个金属板80接合时，LED 41和齐纳二极管42可能经由金属填充件49和金属板80而被短路，故电极的电压变得等电位。因此，在图18所示的LED封装100的情况下，LED封装100必须以一对一的方式与分离的金属板80接合。在图18中，附图标记90表示支撑金属板80且电隔离金属板80的绝缘框架，LED封装100分别接合在金属板80上。优选地，绝缘框架90由作为电绝缘体且具有高热导率的材料制成。LED封装100经由接线110串联连接。图19是图12中的串联连接的LED封装的等效电路图。
具有不经由金属填充件49连接LED和齐纳二极管、且所述传热金属填充件与LED的阳极和阴极端子连接的结构的LED封装，可以共同接合在图20所示的单个金属板80上。这是因为，多个LED封装100可以在没有短路问题的情况下接合到金属板80。
如上所述，根据本发明，将不具有树脂层的金属板与LED封装100的下表面接合，使得来自于LED封装的热量经由金属板而释放。因此，可以防止因热量导致的LED芯片的效率变差、以及其使用寿命缩短，由此增强可靠性。相比于现有技术，可以用相同的功耗获得更多的光。这能允许减少LED封装的数量、以及发光光源所需的热沉的数量，并且降低产品的制造成本、细小度和紧凑度。另外，由于代替昂贵的金属PCB而使用廉价金属板和FR4PCB，因此可以进一步减少发光光源产品的制造成本。
LED封装100可以应用于在现有技术中所描述的任何发光光源。
在本发明的所有实施例中，可以防止由于形成在现有金属PCB中的树脂层而出现的热量流动的瓶颈现象，从而可以最大化热释放效果，并且，由于代替昂贵的金属PCB而使用了廉价金属板(或热沉)，因此可以提高使用LED的各种照明器件的经济效率。
尽管已经结合数个说明性实施例描述了实施例，但是应当理解的是，可以由本领域技术人员设计其它各种修改和实施例，而所述修改和实施例将落入本发明原理的范围内。更具体而言，可以在说明书、附图和权利要求的范围之内，对主题组合装置的组成部件和/或装置进行各种变化和修改。除了对组成部件和/或装置的变化和修改之外，对本领域技术人员而言，替代用途也将是明显的。
工业应用性
在本发明中，可以防止由于形成在现有金属PCB中的树脂层而出现的热量流动的瓶颈现象，从而可以最大化热释放效果，并且，由于代替昂贵的金属PCB而使用了廉价金属板(或热沉)，因此可以提高使用LED的各种照明器件的经济效率。

Claims (10)

1.一种发光二极管LED封装，包括：
封装体，所述封装体包括LED；
底部传热金属层，所述底部传热金属层形成在所述封装体的底部上；以及
金属板，所述金属板与所述底部传热金属层接合；
其中，所述底部传热金属层经由诸如Ag环氧基树脂的粘合剂或焊料而与所述金属板接合，并且
其中，所述金属板仅包括金属而不包括树脂层。
2.如权利要求1所述的LED封装，其中，所述底部传热金属层具有在铜(Cu)电极层或银(Ag)电极层上电镀镍(Ni)、铜(Cu)、银(Ag)和锡(Sn)之中的任何一种金属层的结构。
3.如权利要求1所述的LED封装，还包括传热金属填充件，所述传热金属填充件包括填充以穿通形式形成在所述封装体中的通孔的金属。
4.如权利要求3所述的LED封装，还包括顶部传热金属层，所述顶部传热金属层安装在所述封装体之内，使得所述顶部传热金属层形成在包括所述LED的LED芯片下方，
其中，所述顶部传热金属层经由所述传热金属填充件连接至所述底部传热金属层。
5.如权利要求1所述的LED封装，其中，所述封装体还包括：
阳极电极，所述阳极电极与所述LED的阳极端子连接；以及
阴极电极，所述阴极电极与所述LED的阴极端子连接，
其中，所述阳极电极和所述阴极电极形成在所述封装体的上表面上。
6.如权利要求1所述的LED封装，其中，所述LED封装包括多个LED封装，所述多个LED封装与单个金属板接合且串联连接。
7.一种发光二极管LED封装，包括：
封装体，所述封装体包括LED和齐纳二极管；
传热金属填充件，所述传热金属填充件包括填充以穿通形式形成在所述封装体中的通孔的金属；以及
金属板，所述金属板与所述传热金属填充件接合，
其中，所述传热金属填充件通过诸如Ag环氧基树脂的粘合剂或焊料而与所述金属板接合，且
其中，所述金属板仅包括金属而不包括树脂层。
8.一种发光二极管LED封装，包括：
封装体，所述封装体包括LED和齐纳二极管；
传热金属填充件，所述传热金属填充件包括填充以穿通形式形成在所述封装体中的通孔的金属；
底部传热金属层，所述底部传热金属层形成在所述封装体的底部上；以及
金属板，所述金属板与所述底部传热金属层接合，
其中，所述底部传热金属层通过诸如Ag环氧基树脂的粘合剂或焊料而与所述金属板接合，且
其中，所述金属板仅包括金属而不包括树脂层。
9.如权利要求7或8所述的LED封装，其中，所述LED封装以一对一的方式与金属板接合，
其中，多个LED封装以一对一的方式所接合的多个金属板分隔开以彼此绝缘，与所述金属板分别接合的所述多个LED封装串联连接，并且
其中，所述封装体还包括与所述LED的阳极端子连接的阳极电极、以及与所述LED的阴极端子连接的阴极电极，并且
其中，所述阴极电极和所述阳极电极从所述封装体的侧表面突出，且被弯曲以与所述金属板分隔开。
10.如权利要求7或8所述的LED封装，其中，所述封装体还包括：
阳极电极，所述阳极电极与所述LED的阳极端子连接；以及
阴极电极，所述阴极电极与所述LED的阴极端子连接，
其中，所述阴极电极和所述阳极电极从所述封装体的侧表面突出，且被弯曲以与所述金属板分隔开，并且
其中，所述电极和引线通过焊料接合且接合部分被绝缘体包覆，或者绝缘体附接至所述金属板面向所述电极与所述导线的接合部分的部分。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103208717A (zh) * 2013-04-10 2013-07-17 深圳市大族激光科技股份有限公司 半导体单芯管的转接装置
CN108140705A (zh) * 2015-09-25 2018-06-08 三菱综合材料株式会社 发光模块用基板、发光模块、带制冷器的发光模块用基板及发光模块用基板的制造方法
CN113646577A (zh) * 2019-03-22 2021-11-12 Lg伊诺特有限公司 照明模块及具有该照明模块的照明装置

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101126548B1 (ko) * 2010-07-13 2012-03-22 한국생산기술연구원 열전달 비아홀 및 열전박막을 가지는 방열기판 및 이에 대한 제조방법
CN102368529A (zh) * 2011-06-03 2012-03-07 王双喜 一种大功率led光源封装结构
FR2984679B1 (fr) * 2011-12-15 2015-03-06 Valeo Sys Controle Moteur Sas Liaison thermiquement conductrice et electriquement isolante entre au moins un composant electronique et un radiateur en tout ou partie metallique
KR101925315B1 (ko) * 2011-12-21 2019-02-27 엘지이노텍 주식회사 라이트 유닛 및 이를 포함하는 발광 모듈
US9997684B2 (en) * 2012-03-30 2018-06-12 Lumileds Llc Pre-rotated overmoulded bidirectional spreading lens for stretched leadframe architecture
KR101304614B1 (ko) * 2012-05-16 2013-09-05 영남대학교 산학협력단 엘이디 패키지
WO2014021663A1 (ko) * 2012-08-03 2014-02-06 주식회사 포인트엔지니어링 광디바이스 제조 방법 및 이에 의해 제조된 광디바이스
KR20140039740A (ko) 2012-09-25 2014-04-02 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
US10413251B2 (en) 2012-10-07 2019-09-17 Rhythm Diagnostic Systems, Inc. Wearable cardiac monitor
US10244949B2 (en) 2012-10-07 2019-04-02 Rhythm Diagnostic Systems, Inc. Health monitoring systems and methods
US10610159B2 (en) 2012-10-07 2020-04-07 Rhythm Diagnostic Systems, Inc. Health monitoring systems and methods
DE102013102556A1 (de) * 2013-03-13 2014-09-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil, Leuchtmodul und Kraftfahrzeugscheinwerfer
JP6189663B2 (ja) * 2013-07-25 2017-08-30 三菱航空機株式会社 航空機の天井照明装置、および航空機
FR3020178B1 (fr) * 2014-04-17 2017-10-06 Valeo Comfort & Driving Assistance Dispositif de retroeclairage notamment pour afficheur tete haute et afficheur tete haute pour vehicule automobile
EP2988341B1 (en) 2014-08-22 2017-04-05 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
US20160311699A1 (en) * 2015-04-21 2016-10-27 Chris Burseth Device and system to improve asepsis in dental apparatus
EP3119168B1 (en) 2015-07-17 2021-12-01 Goodrich Lighting Systems GmbH Aircraft led light unit
WO2018218010A1 (en) * 2017-05-24 2018-11-29 Osram Sylvania Inc. Lighting device modules
CN107256922B (zh) * 2017-07-14 2023-05-26 湖南粤港模科实业有限公司 一种铝箔式散热器与芯片封装一体化光源结构
CN108305926B (zh) * 2018-02-08 2020-02-07 开发晶照明（厦门）有限公司 Led支架、led模组、以及led支架的制造方法
US11903700B2 (en) 2019-08-28 2024-02-20 Rds Vital signs monitoring systems and methods
US10986722B1 (en) * 2019-11-15 2021-04-20 Goodrich Corporation High performance heat sink for double sided printed circuit boards
JP7480656B2 (ja) * 2020-09-23 2024-05-10 ウシオ電機株式会社 光源ユニット及び加熱処理装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1627544A (zh) * 2003-12-12 2005-06-15 中国科学院半导体研究所 倒装焊技术制作氮化镓基发光二极管管芯的方法
CN1627178A (zh) * 2003-12-08 2005-06-15 索尼株式会社 光学装置和图像生成装置
CN1702880A (zh) * 2005-06-27 2005-11-30 金芃 半导体发光二极管(led)通孔倒扣焊芯片及生产工艺
US20070085101A1 (en) * 2005-10-19 2007-04-19 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting diode package
JP2007180320A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光モジュールとその製造方法
CN101039548A (zh) * 2006-03-17 2007-09-19 三星电机株式会社 阳极氧化金属基板模块
CN101212126A (zh) * 2006-12-28 2008-07-02 联合材料公司 散热构件和利用其的半导体装置
CN201152507Y (zh) * 2007-10-26 2008-11-19 齐瀚光电股份有限公司 发光二极管灯具
CN101325236A (zh) * 2008-07-30 2008-12-17 鹤山丽得电子实业有限公司 发光二极管芯片及其制造方法

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5857767A (en) * 1996-09-23 1999-01-12 Relume Corporation Thermal management system for L.E.D. arrays
CN1146868C (zh) * 1998-07-21 2004-04-21 西加特技术有限责任公司 磁头传感器的散热器件及其散热方法
US6084297A (en) * 1998-09-03 2000-07-04 Micron Technology, Inc. Cavity ball grid array apparatus
US6885035B2 (en) * 1999-12-22 2005-04-26 Lumileds Lighting U.S., Llc Multi-chip semiconductor LED assembly
US6614103B1 (en) * 2000-09-01 2003-09-02 General Electric Company Plastic packaging of LED arrays
US6841931B2 (en) * 2001-04-12 2005-01-11 Toyoda Gosei Co., Ltd. LED lamp
US7244965B2 (en) * 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
JP4305896B2 (ja) * 2002-11-15 2009-07-29 シチズン電子株式会社 高輝度発光装置及びその製造方法
KR101045507B1 (ko) * 2003-03-18 2011-06-30 스미토모 덴키 고교 가부시키가이샤 발광 소자 탑재용 부재 및 그것을 사용한 반도체 장치
US20040188696A1 (en) * 2003-03-28 2004-09-30 Gelcore, Llc LED power package
US7633093B2 (en) * 2003-05-05 2009-12-15 Lighting Science Group Corporation Method of making optical light engines with elevated LEDs and resulting product
CN100511732C (zh) * 2003-06-18 2009-07-08 丰田合成株式会社 发光器件
US20050077616A1 (en) * 2003-10-09 2005-04-14 Ng Kee Yean High power light emitting diode device
KR100623024B1 (ko) * 2004-06-10 2006-09-19 엘지전자 주식회사 고출력 ｌｅｄ 패키지
US20060124953A1 (en) * 2004-12-14 2006-06-15 Negley Gerald H Semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and cover plates, and methods of packaging same
KR100646093B1 (ko) * 2004-12-17 2006-11-15 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
CN2814676Y (zh) * 2005-06-03 2006-09-06 明达光电(厦门)有限公司 带凹槽式基板的发光二极管封装结构
US7550319B2 (en) * 2005-09-01 2009-06-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Low temperature co-fired ceramic (LTCC) tape compositions, light emitting diode (LED) modules, lighting devices and method of forming thereof
JP2007180318A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光モジュールとその製造方法
US20070275540A1 (en) * 2006-05-24 2007-11-29 Hackitt Dale A Backside via formation prior to die attachment
KR20090024788A (ko) 2006-06-09 2009-03-09 엘리먼트 씩스 (프로덕션) (피티와이) 리미티드 초경질 복합 물질
US7808013B2 (en) * 2006-10-31 2010-10-05 Cree, Inc. Integrated heat spreaders for light emitting devices (LEDs) and related assemblies
TWM345342U (en) * 2007-12-31 2008-11-21 Everlight Electronics Co Ltd Light-emitting diode packaging structure and light-emitting diode packaging module
JP5549104B2 (ja) * 2008-05-29 2014-07-16 株式会社リコー 発光装置、光走査装置及び画像形成装置
KR20100001763A (ko) 2008-06-27 2010-01-06 현대자동차주식회사 자동차의 도어글라스와 윈도우 레귤레이터의 마운팅구조
KR101018191B1 (ko) * 2008-11-27 2011-02-28 삼성엘이디 주식회사 세라믹 패키지 및 이를 구비하는 헤드램프 모듈
US7851819B2 (en) * 2009-02-26 2010-12-14 Bridgelux, Inc. Transparent heat spreader for LEDs
US8283681B2 (en) * 2010-03-30 2012-10-09 Sanyo Electric Co., Ltd. Lighting device and method of manufacturing the same

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1627178A (zh) * 2003-12-08 2005-06-15 索尼株式会社 光学装置和图像生成装置
CN1627544A (zh) * 2003-12-12 2005-06-15 中国科学院半导体研究所 倒装焊技术制作氮化镓基发光二极管管芯的方法
CN1702880A (zh) * 2005-06-27 2005-11-30 金芃 半导体发光二极管(led)通孔倒扣焊芯片及生产工艺
US20070085101A1 (en) * 2005-10-19 2007-04-19 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting diode package
JP2007180320A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光モジュールとその製造方法
CN101039548A (zh) * 2006-03-17 2007-09-19 三星电机株式会社 阳极氧化金属基板模块
CN101212126A (zh) * 2006-12-28 2008-07-02 联合材料公司 散热构件和利用其的半导体装置
CN201152507Y (zh) * 2007-10-26 2008-11-19 齐瀚光电股份有限公司 发光二极管灯具
CN101325236A (zh) * 2008-07-30 2008-12-17 鹤山丽得电子实业有限公司 发光二极管芯片及其制造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103208717A (zh) * 2013-04-10 2013-07-17 深圳市大族激光科技股份有限公司 半导体单芯管的转接装置
CN103208717B (zh) * 2013-04-10 2015-08-05 大族激光科技产业集团股份有限公司 半导体单芯管的转接装置
CN108140705A (zh) * 2015-09-25 2018-06-08 三菱综合材料株式会社 发光模块用基板、发光模块、带制冷器的发光模块用基板及发光模块用基板的制造方法
CN108140705B (zh) * 2015-09-25 2021-03-12 三菱综合材料株式会社 发光模块用基板、发光模块、带制冷器的发光模块用基板及发光模块用基板的制造方法
CN113646577A (zh) * 2019-03-22 2021-11-12 Lg伊诺特有限公司 照明模块及具有该照明模块的照明装置
CN113646577B (zh) * 2019-03-22 2023-09-08 Lg伊诺特有限公司 照明模块及具有该照明模块的照明装置

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