CN1961431A - 表面安装型发光芯片封装件 - Google Patents
表面安装型发光芯片封装件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1961431A CN1961431A CNA2004800409569A CN200480040956A CN1961431A CN 1961431 A CN1961431 A CN 1961431A CN A2004800409569 A CNA2004800409569 A CN A2004800409569A CN 200480040956 A CN200480040956 A CN 200480040956A CN 1961431 A CN1961431 A CN 1961431A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light emitting
- chip carrier
- interarea
- chip
- lead frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title description 33
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 73
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims description 22
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 14
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 13
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 12
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004100 electronic packaging Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
Abstract
一种表面安装型发光封装件,包括:芯片载体,具有顶部主面和底部主面;至少一个发光芯片,连接到芯片载体的顶部主面;导线架,连接到芯片载体的顶部主面上,当表面安装到相连的支撑体时,该芯片载体的底部主面与相连的支撑体热接触,而没有导线架在其中干涉。
Description
本申请要求于2003年12月9日提交的美国临时申请第60/527,969号的优先权。
技术领域
本发明涉及照明技术领域,尤其涉及用于指示灯、照明应用等的表面安装型发光二极管,且这些会详细描述。然而,接下来会发现在其它领域也可以方便地使用表面安装型发光装置。
背景技术
表面安装型发光封装件通常使用发光芯片,例如发光二极管芯片、垂直腔体表面发光激光器(vertical cavity surface emitting laser)等。在一些配置中,该芯片连接于导热的次黏着基台(sub-mount),其中次黏着基台再与导线架(引线框)相连接。该次黏着基台提供了各种优点,例如,改善电气互连的工艺性、改善热接触和热传导等。导线架适合通过焊接而表面安装于印刷电路板或其它支撑体。
该配置具有某种缺点。热传递路径包括两个中间元件,即次黏着基台和导线架。另外,连接到导线架的电连接典型地涉及到容易损坏丝焊。次黏着基台和导线架之间的机械连接一般受环氧树脂或其它类型的密封包覆成型材料的部分影响。该材料具有相对较高的热膨胀系数,其可以加强丝焊或机械连接。
本发明旨在提供一种克服上述缺陷和其它缺陷的改进装置和方法。
发明内容
根据一个方面,公开了一种发光封装件,芯片载体包括顶部主面和底部主面(principal surface),至少一个发光芯片连接到芯片载体的顶部主面,导线架连接到芯片载体的顶部主面。
根据另一方面,公开了一种发光体,芯片载体具有顶部主面和底部主面,至少一个发光芯片连接到芯片载体的顶部主面,导线架与至少一个发光芯片的电极进行电接触,提供了包括印刷电路的支撑体,导线架与印刷电路进行电接触,芯片载体被固定于支撑体而在其中没有插入导线架。
根据又一方面,发光封装件包括芯片载体和连接到芯片载体的发光芯片。
根据再一方面,发光封装件包括发光芯片和电连接到发光芯片的电极的导线架。
对于本领域的技术人员来说,根据阅读和理解本说明书,本发明的多个优点和好处将会更加明显。
附图说明
本发明可以具体到部件和部件的设置,以及以不同的处理操作和处理操作的设置。附图仅是用于说明优选实施例的目的,并不用于限制本发明。发光封装的附图没有按照规定比例。
图1示出了表面安装到印刷电路板的发光封装件表面的侧视图;
图2A和图2B示出另一个发光封装件的俯视图和侧视图;
图3示出又一个发光封装件的顶视图;
图4A、4B和4C分别示出具有四个发光芯片倒装于其中的芯片载体的俯视图、导线架的俯视图、以及由图4A和4B所示部件构成的发光封装件的侧视图;
图5A、5B和5C分别示出具有四个发光芯片连接于其上的芯片载体的俯视图,其中,每个芯片的前侧丝焊到芯片载体、导线架的顶视图、以及由图5A和图5B所示部件构成的发光封装件的侧视图。
具体实施方式
参照图1,表面安装型发光封装件10包括发光芯片12,例如,连接于电绝缘芯片载体14的发光二极管、共振腔发光二极管、或垂直腔体表面发光激光器等。在图1中,示出了倒装连接结构,其中,发光芯片12的前侧电极连接到设置在芯片载体14的顶部主面26上的导电层20、22。绝缘间隙28可以是空隙,或者充满诸如环氧树脂或者其它电介质的电绝缘材料。导电层20、22限定了电极性相反的第一端子和第二端子。倒装的电极结合32、34可以是热超声波结合、导电环氧树脂结合、焊接结合等。
优选地,芯片载体14有良好的导热性。至少芯片载体14的顶部主面26基本上是电绝缘的。芯片载体14可由绝缘材料(例如,半绝缘硅、陶瓷、或热传导但电绝缘的塑料)制成。可选地,芯片载体14可以由具有绝缘层或至少在顶部主面26上涂布有涂层的导电材料制成。例如,芯片载体14可以由具有设置在顶部主面26上的二氧化硅层的导电硅制成,或者芯片载体14可以由具有设置在顶部主面26上的绝缘体的金属制成,等等。
导电层20、22从发光芯片12被倒装连接的芯片粘装区域延伸出去。具有导电性但相互之间电绝缘的导线架元件40、42被固定并电接触到导电层20、22远离粘装区域的部分。导线架40、42连接到芯片载体14的顶部主面26。导线架元件40包括远离芯片载体14的电引脚46和弯曲部48,从而引脚46与芯片载体14的底部主面50基本共面。类似的,导线架元件42包括远离芯片载体14的电引脚52和弯曲部54,从而引脚52与芯片载体14的底部主面50基本共面。导线架元件40、42与芯片载体14的顶部主面26的电结合以及物理结合通过焊接接缝54、56来适当地实现。导线架40、42适当地由铜或其它高导电性材料制成。
包覆成型或密封剂60设置在发光芯片12和芯片载体14的顶部主面26之上,并且还密封了导线架元件40、42靠近芯片载体14的部分。导线架元件40、42的引脚46、52以及芯片载体14的底部主面50延伸出密封剂60。可选地,波长转换磷光层62覆盖密封剂60,并且荧光地或者磷光地将由发光芯片12发射的光转换为另一个波长或多个波长的范围。
芯片载体14和发光芯片12以及导线架40、42连接到芯片载体14的顶部主面26,与可选的密封剂60以及磷光层62一起共同限定表面安装在印刷电路板70上的表面可安装单元。在图1的具体实施例中,印刷电路板70包括金属板72,例如,铜板或铝板,绝缘涂层74设置在金属板72上。印刷线路设置在绝缘涂层74上,并且限定所选的电路或回路,包括电接线端、焊接焊盘,或者焊垫80、82。导线架元件40的引脚46焊接到印刷电路端80,而导线架元件42的引脚52焊接到印刷电路端82。印刷线路还包括任选的导热端84,而没有与电路连接。优选地,芯片载体14的底部主面50焊接或以其它方式连接到导热端84,以在其中提供充分传热的路径,从而在发光芯片12中产生的热量可以通过充分导热的芯片载体14传到导热端84,并且由此传到印刷电路板70。可选地,芯片载体14的底部主面50包括用于焊接连接到电路板或者其它涂层的金属层,以提高热接触和热传递。
在一个实施例中,将引脚46、52连接到电接线端80、82的连接和将芯片载体14的底部主面50连接到导热端84的连接是相同的。例如,这些连接均可以在单独的结合处理中通过焊接接缝制成。可选地,与用于将引脚46、52连接到电连接端80、82的连接的类型相比,不同类型的连接被用于将芯片载体14的底部主面50连接到导热端84。在后者的方法中,芯片载体14的热连接和引脚46、52的电连接可以分别地将导热性和导电性最优化。
图2A和2B示出了发光封装件110的俯视图和侧视图。封装件110与图1所示的封装件10类似。与封装件10中的元件相一致的发光封装件110中的元件由附图标记加100标示。封装件110包括发光芯片112,倒装在设置在芯片载体114的顶部主面126上的导电层120、122。间隙128将导电层120、122电气隔开。导线架元件140、142以焊接或其它电接触方式或机械接触与设置在芯片载体114的顶部主面126上的导电层120、122连接。每个导线架元件140、142包括弯曲部148、154,使得远离芯片载体114的电引脚146、152基本与芯片载体114的底部主面150共面。
由于在封装件10中,至少芯片载体114的顶部主面126是电绝缘的,而具有绝缘层的芯片载体114既可以是绝缘的,也可以是导电的,其中该绝缘层上设有电绝缘顶部主面126。优选地,芯片载体114也充分导热。导线架140、142是导电的,并且合适地由铜或其它金属制成。所示的封装件110并不包括密封剂或荧光体,然而,这些部件可以任意地增加。如果增加封装件,芯片载体114的底部主面150以及引脚146、152应延伸出封装件。
优选地,发光封装件110并不包括引线焊接。而是导线架140、142和发光芯片112通过导电层120、122进行电连接。在图2A中能够很清楚的看出,导电层120、122是大区域层,即使限制了导电层120、122的厚度也可提供了良好的导电性。此外,导电层120、122可以是反射层而使光的反射增加的。发光封装件110适合于表面安装在印刷电路板或其它基板上。为了执行表面安装,引脚146、152以焊接或其它方式电连接到印刷电路的焊盘、焊垫、或其它电接触端,而芯片载体114的底部主面150优选地以焊接或其它方式热连接到印刷电路板或其它基板。
参照图3,图中描述了发光封装件210。封装件210与图1中的封装件10类似。与封装件10的元件相一致发光封装件210的元件由附图标记加200标示。封装件210包括发光芯片212,连接到设置在芯片载体214的顶部主面上的导电层220。然而,与封装件10不同的是,在封装件210中,发光芯片212不是倒装连接的,而是发光芯片212以非倒转的结构连接而且包括导电背面,其中该导电背面用作电极使用热超声波结合、导电环氧树脂、焊料等电连接于导电层220。发光芯片212的前侧电极引线焊接到通过间隙228与导电层220相分离的另一个导电层222。丝焊290越过间隙228将发光芯片212的前侧电极292电连接到导电层222。
导线架元件240、242以焊接或其它方式电接触和机械连接到设置在芯片载体214的顶部主面上的导电层220、222。与封装件10、110对应的导线架元件类似,每个导线架元件240、242包括弯曲部248、254,使得电引脚246、252基本上与芯片载体214的底部主面共面。与封装件10类似,密封剂260密封发光芯片212、丝焊290、芯片载体214的顶部主面、以及导线架元件240、242的部分,而引脚246、252以及芯片载体214的底部主面延伸出密封剂260。另外,发光封装件210包括磷光涂层262。
虽然图1和图3中示出了涂覆磷光剂的密封剂,容易理解,可以使用没有磷光剂的密封剂,或者磷光剂可以散布在密封剂中,或者磷光剂可以以其它方式设置来与发光芯片产生的光相互作用。另外,可以包括磷光层而没有密封剂,或者如图2所示,既不包括密封剂也不包括磷光剂。
参照图4A、4B和4C,描述了发光封装件310。封装件310与图1中的封装件10类似。与封装件10的元件相一致的发光封装件310的元件由附图标记加300标示。封装件310包括四个发光芯片312A、312B、312C、312D,倒装于设置在芯片载体314的顶部主面上的导电层320、322、324。导电层320、322、324与设置在层320、322之间的层324一起被设置,并且作为连续的互连端子。导电层320、324由间隙328分隔,而导电层322、324由间隙330分隔。发光芯片312A、312B越过间隙328与连接到导电层320、324的电极倒装连接,而发光芯片312C、312D越过间隙330与连接到导电层322、324的电极倒装连接。因此,发光芯片312A、312B为彼此并联,类似地,发光芯片312C、312D为彼此并联。芯片312A、312B的并联与芯片312C、312D的并联通过连续的互连端子导电层324串联连接。
导线架元件340、342以焊接或者其它方式电接触和机械连接到设置在芯片载体314的顶部主面上的导电层320、322。与封装件10、110对应的导线架元件类似,每个导线架元件340、342包括弯曲部348、354,使得电引脚346、352基本与芯片载体314的底部主面共面,从而发光芯片封装件310可以通过焊接或其它方式表面安装,将导线架元件340、342的引脚346、352连接到印刷电路板或其它支撑体。优选地,表面安装还包括在芯片载体314的底部主面和印刷电路板或其它支撑体之间形成焊接连接或者其它热接触。尽管在发光封装件310中没有包括密封剂或磷光剂,应该明白,可以选择性地包括密封剂、磷光剂、光学部件等。
在另一个实施例中,发光芯片312B、312D分别被越过间隙328、330的齐纳二极管代替。齐纳二极管为发光芯片312A、312C提供静电放电保护。另外,容易想到,在与由芯片载体314的顶部主面上的导电区域限定的互连电路上增加其它电子元件是类似的。该其它电子元件可以控制发光芯片的状态,例如,提供输入电压的调节、电流限制等。
参照图5A、5B和5C,其描述了发光封装件410。封装件410与图4A、图4B和图4C所示的封装件310类似。与封装件310的元件相一致的发光封装件410的元件由附图标记加100标示。封装件410包括四个发光芯片412A、412B、412C、412D,电连接到设置在芯片载体414的顶部主面上的导电层420、422、424。导电层420、422、424与设置在层420、422之间的层424设置在一起,并且作为连续互连端子。导电层420、424通过间隙428分隔,导电层422、424通过间隙430分隔。发光芯片412A、412B正向设置且每个芯片的导电背面作为结合导电层420的电极。类似的,发光芯片412C、412D正向设置且每个芯片的导电背面作为结合导电层424的电极。发光芯片412A的前侧电极通过引脚490A越过间隙428丝焊到导电层424。类似的,发光芯片412B的前侧电极通过引脚490B越过间隙428丝焊到导电层424。发光芯片412C的前侧电极通过引脚490C越过间隙430丝焊到导电层422。发光芯片412D的前侧电极通过引脚490D越过间隙430丝焊到导电层422。因此,发光芯片412A、412B为并联连接,类似的,发光芯片412C、412D为并联连接。芯片412A、412B的并联与芯片412C、412D的并联通过连续互连导电层424串联连接。
导线架元件440、442以焊接或其它方式电接触和连接到设置在芯片载体414的顶部主面上的导电层420、422。与封装件10、110相应的导线架元件类似,每个导线架元件440、442包括弯曲部448、454,使得电引脚446、452基本与芯片载体414的底部主面共面,从而发光芯片封装件410可以通过焊接或其它方式而表面安装,将引脚446、452连接到印刷电路板或者其它支撑体。优选地,表面安装还包括在芯片载体414的底部主面和印刷电路板或其它支撑体之间形成焊接接缝或其它传热接点。尽管在发光封装件410中没有包括密封剂或磷光剂,可以理解,可以选择性地包括密封剂、磷光剂、光学部件等。
在图3和图5中,单独的丝焊用于电连接每个芯片的前侧电极,相应于芯片的导电背侧,具有每个芯片的第二电极。然而,还可以使用绝缘背侧和两个前侧接点,每个前侧接点都丝焊到一个设置在芯片载体的前主面上的导电膜中。
本文所描述的发光封装件适合通过使用电子封装工艺来构造。下面示出一个工艺的实例。优选地,该工艺以芯片载体晶片开始,其中,芯片载体晶片将被切割成小片以产生大量的发光封装件,每个发光封装件均包括从芯片载体晶片上切割的芯片载体。如果芯片载体是导电的,优选地应该涂覆、氧化或其它工艺处理,以至少在顶部主面上形成绝缘层。结合在导电层之间确定绝缘间隙的平板印刷技术,通过使用金属蒸发、电镀等在芯片载体的顶部主面上形成两个或两个以上的构成布线(patterned)的导电层。这些带有布线的导电层是电端子导电层,例如图1中封装件的层20、22。任选地,芯片载体的底部主面也被金属化,以容许焊接连接而改善整个底部主面的热传导性。发光芯片通过倒装接合、丝焊等机械地和电子地连接到芯片载体。然后,芯片载体晶片被切割以产生多个连接有发光芯片的芯片载体。
每个通过切割产生的芯片载体在以下的示例工艺中被处理。芯片载体的顶部主面焊接到导线架。优选地,在该焊接过程中,通过标签或其它固定件将两个导线架元件固定在一起,在一个实施例中,多个这种导线架以直线或二维阵列固定在一起,有助于自动化处理。传递模塑法工艺用于在发光芯片、芯片载体的顶部主面以及导线架的部分之上形成密封剂。设计模压(molding die),使得芯片载体的引脚和底部主面延伸出成型的密封剂。然后,导线架的标签被切割或者裁剪,以电气分离导线架元件,产生最终的适合于通过焊接等表面安装的发光封装件。
通过参照优选实施例描述了本发明,明显地,根据阅读和理解前面详细的描述,可以有其他的修改和改动。可以想到,本发明可以包括所有这些在权利要求及其等同物范围内的修改和改动。
Claims (37)
1.一种发光封装件,包括:
芯片载体,具有顶部主面和底部主面;
至少一个发光芯片,连接到所述芯片载体的所述顶部主面;以及
导线架,连接于所述芯片载体的所述顶部主面。
2.根据权利要求1所述的发光封装件,还包括:
密封剂,至少密封所述发光芯片以及所述芯片载体的所述顶部主面,所述芯片载体的所述底部主面和所述导线架的引脚延伸出所述密封剂。
3.根据权利要求1所述的发光封装件,还包括:
一个或多个导电材料区域,设置在所述芯片载体的所述顶部主面上,所述导线架对所述顶部主面的附着电连接所述一个或多个所述导电材料区域。
4.根据权利要求3所述的发光封装件,其中,所述一个或多个导电材料区域包括:
第一导电材料区域,用于限定第一电端子;
第二导电材料区域,与所述第一区域电绝缘,所述第二区域限定了与所述第一电端子电极性相反的第二电端子;
所述发光芯片的电极与所述第一和第二电端子电连接;以及
所述导线架连接到所述第一和第二电端子。
5.根据权利要求4所述的发光封装件,其中,所述发光芯片倒装连接于所述第一和第二电端子。
6.根据权利要求4所述的发光封装件,其中,所述发光芯片使用热超声波结合、焊接以及传导性环氧树脂中的一种倒装连接于所述第一和第二电端子。
7.根据权利要求4所述的发光封装件,其中,所述发光芯片的至少一个电极丝焊到所述第一和第二电端子中的一个。
8.根据权利要求7所述的发光封装件,其中,所述发光芯片的另一个电极丝焊到所述第一和第二电端子中的另一个。
9.根据权利要求3所述的发光封装件,其中,所述一个或多个导电材料区域包括:
第一导电材料区域,限定了第一电端子,
第二导电材料区域,与所述第一区域电绝缘,所述第二区域限定了与所述第一电端子电极性相反的第二电端子,以及
第三导电材料区域,与所述第一和第二导电材料区域电绝缘,所述第三导电材料区域限定连续互连终端;以及
所述发光芯片包括第一和第二发光芯片,所述第一发光芯片的电极与所述第一电端子和所述连续互连电端子进行电连接,以及所述第二发光芯片的电极与所述第二电端子和所述连续互连电端子进行电连接,并且所述导线架连接到所述第一和第二电端子。
10.根据权利要求9所述的发光封装件,其中,所述发光芯片还包括:
第三发光芯片,所述第三发光芯片的电极与所述第一电端子和所述连续互连电端子电连接。
11.根据权利要求10所述的发光封装件,其中,所述发光芯片还包括:
第四发光芯片,所述第四发光芯片的电极与所述第二电端子和所述连续互连电端子电连接。
12.根据权利要求9所述的发光封装件,还包括:
至少一个齐纳二极管,与所述第一电端子和连续互连电端子,以及所述第二电端子和连续互连电端子中的至少一个电连接。
13.根据权利要求3所述的发光封装件,还包括:
至少一个电子部件,与所述一个或多个导电材料区域电接触,所述至少一个电子部件调节所述至少一个发光芯片的状态。
14.根据权利要求13所述的发光封装件,其中,所述至少一个电子部件包括:
齐纳二极管,与所述发光芯片并联连接,以提供静电放电保护。
15.根据权利要求1所述的发光封装件,其中,所述发光芯片通过所述导线架接收电能,而不通过所述芯片载体的所述底部主面接收电能。
16.根据权利要求1所述的发光封装件,其中,所述芯片载体的所述底部主面与所述导线架电绝缘。
17.根据权利要求1所述的发光封装件,其中,所述导线架具有从所述导线架连接到所述芯片载体的所述顶部主面的部分延伸出来的电引脚,所述电引脚被成形以包括与所述芯片载体的所述底部主面基本共面的引脚部分。
18.根据权利要求17所述的发光封装件,其中,所述芯片载体的所述底部主面与所述导线架是基本不导电和电绝缘中的至少一种。
19.根据权利要求18所述的发光封装件,其中,所述芯片载体、发光芯片,以及导线架限定了表面可安装单元,所述发光封装件还包括:
印刷电路,所述表面可安装单元被安装在所述印刷电路上,而所述引脚部分与电接触到所述印刷电路的所述芯片载体的所述底部主面基本共面。
20.根据权利要求19所述的发光封装件,还包括:
印刷电路板,包括所述印刷电路,所述芯片载体的所述底部主面与所述印刷电路板热接触。
21.根据权利要求19所述的发光封装件,还包括:
印刷电路板,所述印刷电路板上设置有所述印刷电路,所述芯片载体的所述底部主面与所述印刷电路板直接接触。
22.根据权利要求21所述的发光封装件,其中,所述芯片载体焊接到所述印刷电路板。
23.根据权利要求21所述的发光封装件,其中,所述芯片载体焊接于所述印刷电路板,所述焊接连接是热传导的,但所述发光芯片工作时,并不传导电流。
24.根据权利要求21所述的发光封装件,其中,所述引脚部分接触所述印刷电路之间的连接和所述印刷电路板接触所述芯片载体的底部主面的连接不同。
25.根据权利要求21所述的发光封装件,还包括:
密封剂,至少密封所述发光芯片和所述芯片载体的所述顶部主面、所述芯片载体的所述底部主面,并且与所述芯片载体的底部主面基本共面的至少所述引脚部分延伸出所述密封剂。
26.根据权利要求1所述的发光封装件,其中,所述芯片载体包括:半绝缘硅片。
27.根据权利要求1所述的发光封装件,其中,所述芯片载体包括:导电硅,至少所述顶部主面涂覆有绝缘层。
28.根据权利要求1所述的发光封装件,其中,所述芯片载体包括:金属,至少所述顶部主面涂覆有绝缘层。
29.根据权利要求1所述的发光封装件,其中,所述芯片载体包括:导热塑料。
30.根据权利要求1所述的发光封装件,其中,所述芯片载体包括:陶瓷。
31.根据权利要求1所述的发光封装件,其中,所述芯片载体是电绝缘的,而所述导线架是导电的。
32.一种发光体,包括:
芯片载体,具有顶部主面和底部主面;
至少一个发光芯片,连接到所述芯片载体的所述顶部主面;
导线架,电接触到所述至少一个发光芯片的电极;以及
支撑体,包括印刷电路,所述导线架电接触所述印刷电路,所述芯片载体固定于所述支撑体而没有所述导线架在其中干涉。
33.根据权利要求32所述的发光体,其中,所述导线架包括:
第一导线架元件,从所述芯片载体的顶部主面延伸到所述印刷电路的第一端子;以及
第二导线架元件,从所述芯片载体的顶部主面延伸到所述印刷电路的第二端子。
34.根据权利要求33所述的发光体,其中,所述芯片载体还包括:
第一导电层,设置在所述顶部主面上,并且电接触所述第一导线架元件;以及
第二导电层,设置在所述顶部主面上,并且电接触所述第二导线架元件。
35.根据权利要求34所述的发光体,其中,所述发光芯片的电极与所述第一和第二导电层电连接。
36.根据权利要求34所述的发光体,其中,所述第一和第二导线架元件机械地连接到所述芯片载体的所述顶部主面上。
37.根据权利要求34所述的发光体,其中,所述至少一个发光芯片包括至少两个发光芯片,并且所述芯片载体还包括:
第三导电层,设置在所述顶部主面上,所述两个发光芯片的电极与所述第三导电层接触。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US52796903P | 2003-12-09 | 2003-12-09 | |
US60/527,969 | 2003-12-09 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1961431A true CN1961431A (zh) | 2007-05-09 |
Family
ID=34676803
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNA2004800409569A Pending CN1961431A (zh) | 2003-12-09 | 2004-12-09 | 表面安装型发光芯片封装件 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080035947A1 (zh) |
EP (1) | EP1700350A2 (zh) |
JP (1) | JP5349755B2 (zh) |
KR (1) | KR101311635B1 (zh) |
CN (1) | CN1961431A (zh) |
WO (1) | WO2005057672A2 (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103189980A (zh) * | 2010-09-20 | 2013-07-03 | 克里公司 | 多芯片led器件 |
CN103307483A (zh) * | 2013-06-03 | 2013-09-18 | 杭州杭科光电股份有限公司 | 基于印刷电路板的led光源模组 |
CN114108161A (zh) * | 2020-04-27 | 2022-03-01 | 苹果公司 | 织物安装部件 |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10340424B2 (en) | 2002-08-30 | 2019-07-02 | GE Lighting Solutions, LLC | Light emitting diode component |
KR100623024B1 (ko) * | 2004-06-10 | 2006-09-19 | 엘지전자 주식회사 | 고출력 led 패키지 |
KR101232505B1 (ko) * | 2005-06-30 | 2013-02-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광다이오드 패키지 제조방법, 백라이트 유닛 및액정표시장치 |
DE102006000476A1 (de) * | 2005-09-22 | 2007-05-24 | Lexedis Lighting Gesmbh | Lichtemissionsvorrichtung |
JP5080758B2 (ja) * | 2005-10-07 | 2012-11-21 | 日立マクセル株式会社 | 半導体装置 |
JP4483772B2 (ja) * | 2005-11-21 | 2010-06-16 | パナソニック電工株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
JP4483771B2 (ja) * | 2005-11-21 | 2010-06-16 | パナソニック電工株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
JP2007201420A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-08-09 | Sharp Corp | 半導体発光装置、半導体発光素子、および半導体発光装置の製造方法 |
JP2007180234A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光光源及び照明器具 |
US7842960B2 (en) | 2006-09-06 | 2010-11-30 | Lumination Llc | Light emitting packages and methods of making same |
KR100826982B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2008-05-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 메모리 모듈 |
US9640737B2 (en) | 2011-01-31 | 2017-05-02 | Cree, Inc. | Horizontal light emitting diodes including phosphor particles |
US9754926B2 (en) | 2011-01-31 | 2017-09-05 | Cree, Inc. | Light emitting diode (LED) arrays including direct die attach and related assemblies |
GB2458972B (en) * | 2008-08-05 | 2010-09-01 | Photonstar Led Ltd | Thermally optimised led chip-on-board module |
JP2010177375A (ja) * | 2009-01-28 | 2010-08-12 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
US8593040B2 (en) | 2009-10-02 | 2013-11-26 | Ge Lighting Solutions Llc | LED lamp with surface area enhancing fins |
TWI390703B (zh) * | 2010-01-28 | 2013-03-21 | Advanced Optoelectronic Tech | 正向發光之發光二極體封裝結構及製程 |
US8506105B2 (en) | 2010-08-25 | 2013-08-13 | Generla Electric Company | Thermal management systems for solid state lighting and other electronic systems |
US9831220B2 (en) | 2011-01-31 | 2017-11-28 | Cree, Inc. | Light emitting diode (LED) arrays including direct die attach and related assemblies |
US9053958B2 (en) * | 2011-01-31 | 2015-06-09 | Cree, Inc. | Light emitting diode (LED) arrays including direct die attach and related assemblies |
DE102011079708B4 (de) * | 2011-07-25 | 2022-08-11 | Osram Gmbh | Trägervorrichtung, elektrische vorrichtung mit einer trägervorrichtung und verfahren zur herstellung dieser |
US9500355B2 (en) | 2012-05-04 | 2016-11-22 | GE Lighting Solutions, LLC | Lamp with light emitting elements surrounding active cooling device |
USD749051S1 (en) | 2012-05-31 | 2016-02-09 | Cree, Inc. | Light emitting diode (LED) package |
US9349929B2 (en) | 2012-05-31 | 2016-05-24 | Cree, Inc. | Light emitter packages, systems, and methods |
US10439112B2 (en) * | 2012-05-31 | 2019-10-08 | Cree, Inc. | Light emitter packages, systems, and methods having improved performance |
US10663142B2 (en) | 2014-03-31 | 2020-05-26 | Bridgelux Inc. | Light-emitting device with reflective ceramic substrate |
KR102189129B1 (ko) * | 2014-06-02 | 2020-12-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 모듈 |
JP2014225022A (ja) * | 2014-06-18 | 2014-12-04 | 株式会社東芝 | 照明装置、撮像装置及び携帯端末 |
DE102016100320A1 (de) * | 2016-01-11 | 2017-07-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement, optoelektronisches Modul und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
JP6704175B2 (ja) * | 2016-01-27 | 2020-06-03 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | Ledモジュール及びそれを用いた照明器具 |
KR102608419B1 (ko) * | 2016-07-12 | 2023-12-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 표시장치의 제조방법 |
Family Cites Families (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63107483U (zh) * | 1986-12-29 | 1988-07-11 | ||
JPH06302757A (ja) * | 1993-04-15 | 1994-10-28 | Ibiden Co Ltd | 電子部品搭載装置及びその実装方法 |
JPH073141U (ja) * | 1993-06-04 | 1995-01-17 | 沖電気工業株式会社 | 高速・高周波用ic部品の基板構造 |
US5428704A (en) * | 1993-07-19 | 1995-06-27 | Motorola, Inc. | Optoelectronic interface and method of making |
US5369529A (en) * | 1993-07-19 | 1994-11-29 | Motorola, Inc. | Reflective optoelectronic interface device and method of making |
US5384873A (en) * | 1993-10-04 | 1995-01-24 | Motorola, Inc. | Optical interface unit and method of making |
JP2646988B2 (ja) * | 1993-12-24 | 1997-08-27 | 日本電気株式会社 | 樹脂封止型半導体装置 |
JPH088355A (ja) * | 1994-06-21 | 1996-01-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
JP2546195B2 (ja) * | 1994-10-06 | 1996-10-23 | 日本電気株式会社 | 樹脂封止型半導体装置 |
KR100214463B1 (ko) * | 1995-12-06 | 1999-08-02 | 구본준 | 클립형 리드프레임과 이를 사용한 패키지의 제조방법 |
JPH09270537A (ja) * | 1996-04-01 | 1997-10-14 | Nichia Chem Ind Ltd | 光電変換装置 |
AU5087698A (en) * | 1996-11-06 | 1998-05-29 | Siliconix Incorporated | Heat sink-lead frame structure |
US6093940A (en) * | 1997-04-14 | 2000-07-25 | Rohm Co., Ltd. | Light-emitting diode chip component and a light-emitting device |
JP3741512B2 (ja) * | 1997-04-14 | 2006-02-01 | ローム株式会社 | Ledチップ部品 |
DE29825062U1 (de) * | 1997-07-29 | 2004-07-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
US6005262A (en) * | 1997-08-20 | 1999-12-21 | Lucent Technologies Inc. | Flip-chip bonded VCSEL CMOS circuit with silicon monitor detector |
JPH11168235A (ja) * | 1997-12-05 | 1999-06-22 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光ダイオード |
US6184544B1 (en) * | 1998-01-29 | 2001-02-06 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device with light reflective current diffusion layer |
JP3893735B2 (ja) * | 1998-04-24 | 2007-03-14 | 松下電器産業株式会社 | 発光装置 |
US5914501A (en) * | 1998-08-27 | 1999-06-22 | Hewlett-Packard Company | Light emitting diode assembly having integrated electrostatic discharge protection |
US6392778B1 (en) * | 1999-03-17 | 2002-05-21 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Opto-electronic element |
JP3964590B2 (ja) * | 1999-12-27 | 2007-08-22 | 東芝電子エンジニアリング株式会社 | 光半導体パッケージ |
JP2001223388A (ja) * | 2000-02-09 | 2001-08-17 | Nippon Leiz Co Ltd | 光源装置 |
AU3226101A (en) * | 2000-02-09 | 2001-08-20 | Nippon Leiz Corporation | Light source |
US6384473B1 (en) * | 2000-05-16 | 2002-05-07 | Sandia Corporation | Microelectronic device package with an integral window |
JP4386552B2 (ja) * | 2000-08-03 | 2009-12-16 | ローム株式会社 | 受発光型半導体装置の構造 |
JP5110744B2 (ja) * | 2000-12-21 | 2012-12-26 | フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー | 発光装置及びその製造方法 |
DE10196351D2 (de) * | 2001-04-18 | 2004-04-15 | Infineon Technologies Ag | Sendemodul für eine optische Signalübertragung |
JP2003008071A (ja) * | 2001-06-22 | 2003-01-10 | Stanley Electric Co Ltd | Led基板アセンブリを使用したledランプ |
US6498355B1 (en) * | 2001-10-09 | 2002-12-24 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | High flux LED array |
JP4211359B2 (ja) * | 2002-03-06 | 2009-01-21 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP3088472U (ja) * | 2002-03-08 | 2002-09-13 | 東貝光電科技股▲ふん▼有限公司 | 発光ダイオード |
JP3877642B2 (ja) * | 2002-05-21 | 2007-02-07 | ローム株式会社 | 半導体チップを使用した半導体装置 |
-
2004
- 2004-12-09 US US10/582,377 patent/US20080035947A1/en not_active Abandoned
- 2004-12-09 WO PCT/US2004/041392 patent/WO2005057672A2/en active Application Filing
- 2004-12-09 KR KR1020067013794A patent/KR101311635B1/ko active IP Right Grant
- 2004-12-09 CN CNA2004800409569A patent/CN1961431A/zh active Pending
- 2004-12-09 JP JP2006544014A patent/JP5349755B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-12-09 EP EP04813682A patent/EP1700350A2/en not_active Withdrawn
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103189980A (zh) * | 2010-09-20 | 2013-07-03 | 克里公司 | 多芯片led器件 |
CN103307483A (zh) * | 2013-06-03 | 2013-09-18 | 杭州杭科光电股份有限公司 | 基于印刷电路板的led光源模组 |
CN114108161A (zh) * | 2020-04-27 | 2022-03-01 | 苹果公司 | 织物安装部件 |
US11576262B2 (en) | 2020-04-27 | 2023-02-07 | Apple Inc. | Fabric-mounted components |
US11864322B2 (en) | 2020-04-27 | 2024-01-02 | Apple Inc. | Fabric-mounted components |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2005057672A3 (en) | 2006-04-06 |
JP5349755B2 (ja) | 2013-11-20 |
KR20060134969A (ko) | 2006-12-28 |
US20080035947A1 (en) | 2008-02-14 |
JP2007514320A (ja) | 2007-05-31 |
EP1700350A2 (en) | 2006-09-13 |
WO2005057672A2 (en) | 2005-06-23 |
KR101311635B1 (ko) | 2013-09-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1961431A (zh) | 表面安装型发光芯片封装件 | |
US7192163B2 (en) | Light-emitting unit with enhanced thermal dissipation and method for fabricating the same | |
JP4305896B2 (ja) | 高輝度発光装置及びその製造方法 | |
US8017964B2 (en) | Light emitting device | |
US7642563B2 (en) | LED package with metal PCB | |
JP4122784B2 (ja) | 発光装置 | |
KR100623024B1 (ko) | 고출력 led 패키지 | |
CN102237466B (zh) | 发光组件封装结构及其制程 | |
CN102388473A (zh) | 发光二极管封装 | |
CN101233624B (zh) | 交流发光器件 | |
WO2012064405A1 (en) | Led-based light source utilizing asymmetric conductors | |
WO2009139787A1 (en) | Light-emitting diode package assembly | |
CN1550044A (zh) | 表面可装配的光耦合器预装件 | |
KR200299491Y1 (ko) | 표면실장형 발광다이오드 | |
US20170250333A1 (en) | Substrate for Optical Device | |
CN102610735A (zh) | 一种具有电热分离结构的发光器件及其制造方法 | |
CN102185090A (zh) | 一种采用cob封装的发光器件及其制造方法 | |
US20110181182A1 (en) | Top view light emitting device package and fabrication method thereof | |
CN100461474C (zh) | 倒装芯片式发光二极管封装结构及其封装方法 | |
CN109698263B (zh) | 一种封装基板、半导体器件及其制作方法 | |
WO2008123765A1 (en) | Solid state light source mounted directly on aluminum substrate for better thermal performance and method of manufacturing the same | |
US20060157859A1 (en) | Led packaging method and package structure | |
KR20130015482A (ko) | 발광 다이오드 패키지 및 그의 제조 방법 | |
TW565955B (en) | Sub-mount for light emitting diode | |
KR101233731B1 (ko) | Led 조명 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |