CN111063782A - 发光二极管封装件 - Google Patents

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CN111063782A CN201911408298.9A CN201911408298A CN111063782A CN 111063782 A CN111063782 A CN 111063782A CN 201911408298 A CN201911408298 A CN 201911408298A CN 111063782 A CN111063782 A CN 111063782A
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Abstract

本发明涉及一种发光二极管封装件，包括：主体部，在上部具有腔室，并且具有沿一方向较长的形状；第一引线框架，结合于主体部的底部，包含第一贴装部、第一端子部和第一连接部；第二引线框架，与第一引线框架沿横向隔开且结合于主体部的底部，包含第二贴装部、第二端子部和第二连接部；发光二极管芯片，布置于主体部的腔室，与第一、第二贴装部电连接；密封部件，填充于腔室，以包围发光二极管芯片，其中，第一、第二引脚框架包括作为从上表面凹陷形成的槽的槽部，槽部沿第一、第二贴装部的轮廓形成，第一引线框架的与第一端子部连接的下部的边角被半蚀刻而形成为曲面，第二引线框架的与第二端子部连接的下部的边角被半蚀刻而形成为曲面。

Description

发光二极管封装件
本申请是申请日为2018年11月7日、申请号为201880005501.5、题为“发光二极管封装件及包括该发光二极管封装件的发光模块”的专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种发光二极管封装件。
背景技术
通常，发光二极管封装件在显示装置的背光源等多样的领域中作为光源而被使用。尤其，用作背光源的发光二极管封装件大致可以分为顶部型发光二极管封装件及侧视型发光二极管封装件。侧视型发光二极管封装件用于边缘(Edge)类型的背光模块而使光入射到导光板的侧表面。
用于边缘(Edge)类型的背光模块的发光二极管封装件通常需要在导光板的厚度方向(即，上下方向)上较窄地发光，而沿导光片的边缘部位在侧表面方向上较宽地发光。为此，用于该背光模块的侧视型发光二极管封装件大体上具有沿一侧方向细长的形状。
另外，对于现有的侧视型发光二极管封装件而言，两个极性的端子部全部形成于一个侧表面。因此，两个极性的端子具有较小的面积，并相互靠近地布置，从而当测试时发生探头与端子之间接触不良的问题。
并且，在现有的侧视型发光二极管封装件中，位于下表面的两个极性的连接部较薄且具有细长的形状。因此，发光二极管封装件难以确保用于与诸如背光电路基板等外部结构电连接的足够的面积。
发明内容
技术问题
本发明要解决的课题在于提供一种如下的发光二极管封装件，即，在封装件基板的两个侧表面分别仅形成一个极性的端子部，使得端子部具有较宽的面积，从而能够防止探头与端子部之间的接触不良。
本发明要解决的另一课题在于提供一种如下的发光二极管封装件，即，在封装件基板的两个侧表面分别仅形成一个极性的端子部，从而能够防止接触于两个极性的端子部的探头相互短路。
本发明要解决的又一课题在于提供一种如下的发光二极管封装件，即，能够防止探头与端子部之间的接触不良及探头之间的短路，从而执行准确的分类工序。
本发明要解决的又一课题在于提供一种如下的发光二极管模块，即，通过发光二极管封装件的准确的分类工序而具有可靠性。
技术方案
根据本发明的一实施例，提供一种包括主体部、第一引线框架及第二引线框架的发光二极管封装件。主体部在上部具有腔室，并且具有沿一方向较长的形状。第一引线框架结合于所述主体部的底部，并且包括在腔室暴露的第一贴装部、在主体部的一侧表面暴露的第一端子部和暴露于主体部的下表面的第一连接部。第二引线框架与第一引线框架沿横向隔开而结合于所述主体部的底部。并且，第二引线框架包括在腔室暴露的第二贴装部、沿一侧方向在主体部的另一侧表面暴露的第二端子部和暴露于主体部的下表面的第二连接部。在此，第一连接部包括：第1-1连接部，从第一端子部延伸；以及第1-2连接部，从第1-1连接部的一部分沿一方向朝向第二端子部侧延伸。并且，第二连接部包括：第2-1连接部，从第二端子部延伸；以及第2-2连接部，从第2-1连接部的一部分沿所述一方向朝向所述第一端子部侧延伸。
根据本发明的另一实施例，提供一种包括电路基板以及贴装在电路基板上的所述发光二极管封装件的发光模块。在此，发光二极管封装件向导光板的一侧表面射出光。
有益效果
根据本发明的实施例，在发光二极管封装件及包括该发光二极管封装件的发光模块中，在封装件基板的两个侧表面分别仅形成一个极性的端子部，使得端子部具有较宽的面积，从而能够防止探头与端子部之间的接触不良。进而，发光二极管封装件能够防止接触于两个极性的端子部的探头相互短路。并且，封装件基板能够防止探头与端子部之间的接触不良及探头之间的短路，从而提高可靠的发光二极管封装件的分类工序的可靠性。
附图说明
图1至图3是示出根据本发明的第一实施例的封装件基板的示意图。
图4及图5是示出根据本发明的第二实施例的封装件基板的示意图。
图6至图8是用于说明根据本发明的一实施例的发光二极管封装件的示意图。
图9及图10是示出根据本发明的另一实施例的发光二极管封装件的示意图。
图11是示出根据本发明的实施例的发光模块的示意图。
图12至图21是示出根据本发明的第三实施例的封装件基板的示意图。
图22至图24是示出根据本发明的又一实施例的发光二极管封装件的示意图。
具体实施方式
以下，参照附图详细说明本发明的实施例。为了能够将本发明的思想充分传递给本领域技术人员，作为示例提供以下介绍的实施例。因此，本发明并非由如下所述的实施例所限定，其可以具体化为其他形态。另外，在附图中，可能为了便利而夸张示出构成要素的宽度、长度、厚度等。在整个说明书中，相同的附图符号表示相同的构成要素，相似的附图符号表示相似的构成要素。
根据本发明的一实施例，一种发光二极管封装件包括主体部、第一引线框架及第二引线框架。主体部在上部具有腔室，并且具有沿一方向较长的形状。第一引线框架结合于主体部的底部，并且包括在腔室暴露的第一贴装部、在主体部的一侧表面暴露的第一端子部和暴露于主体部的下表面的第一连接部。第二引线框架与第一引线框架沿横向隔开而结合于所述主体部的底部。并且，第二引线框架包括在腔室暴露的第二贴装部、沿一侧方向在主体部的另一侧表面暴露的第二端子部和暴露于主体部的下表面的第二连接部。在此，第一连接部包括：第1-1连接部，从第一端子部延伸；以及第1-2连接部，从第1-1连接部的一部分沿一方向朝向第二端子部侧延伸。并且，第二连接部包括：第2-1连接部，从第二端子部延伸；以及第2-2连接部，从第2-1连接部的一部分沿所述一方向朝向所述第一端子部侧延伸。
第1-2连接部与第2-2连接部相互平行地布置。
并且，第一连接部及第二连接部中的至少一个横穿垂直于一方向的中心线。
在发光二极管封装件中，第1-1连接部的一部分具有大于另一部分的宽度，第1-1连接部的一部分包括从第一端子部延伸的部分。并且，第1-1连接部的另一部分包括第1-2连接部延伸的部分。
在发光二极管封装件中，第2-1连接部的一部分具有大于另一部分的宽度，第2-1连接部的一部分包括从第二端子部延伸的部分。并且，第2-1连接部的另一部分包括第2-2连接部延伸的部分。
主体部的腔室的宽度从下部至上部变大。
第一引脚框架还可以包括贯通第一引脚框架的第一贯通孔。并且，主体部的一部分位于第一贯通孔内。
第一贯通孔的上部的宽度小于下部的宽度。
第二引脚框架还可以包括贯通第二引脚框架的第二贯通孔。并且，主体部的一部分位于第二贯通孔内。
第二贯通孔的上部的宽度小于下部的宽度。
第一引脚框架还可以包括作为从上表面凹陷形成的槽的第一槽部。
第一槽部可以被主体部填充。
第二引脚框架还可以包括作为从上表面凹陷形成的槽的第二槽部。
第二槽部被主体部填充。
第1-2连接部与第2-1连接部之间的间隔距离及第2-2连接部与第1-1连接部之间的间隔距离可以大于第1-2连接部与第2-2连接部之间的间隔距离。并且，第1-2连接部与第2-1连接部之间的间隔距离及第2-2连接部与第1-1连接部之间的间隔距离可以小于第1-2连接部与主体部的侧表面之间的间隔距离及第2-2连接部与主体部的侧表面之间的间隔距离。
第一贴装部及第二贴装部可以为沿一方向较长地形成的结构。
发光二极管封装件还可以包括：发光二极管芯片，布置于主体部的腔室，且与第一贴装部及第二贴装部电连接；以及密封部件，填充于腔室，以包围发光二极管芯片。
所述发光二极管芯片包括具有沿一方向较长的形状的基板、发光结构体、第一凸起垫及第二凸起垫。发光结构体从所述基板下表面依次层叠有第一导电型半导体层、活性层和第二导电型半导体层。并且，第一凸起垫与第一导电型半导体层电连接。并且，第二凸起垫与第一凸起垫横向隔开，并与第二导电型半导体层电连接。并且，第一凸起垫及第二凸起垫沿基板的一方向较长地形成。并且，第一凸起垫位于第一贴装部上部，第二凸起垫位于第二贴装部上部。
根据本发明的另一实施例，提供一种包括电路基板以及贴装在电路基板上的所述发光二极管封装件的发光模块。在此，发光二极管封装件向导光板的一侧表面射出光。
电路基板包括：第一区域，用于布置发光二极管封装件，并在上表面形成有电路图案；以及第二区域，垂直于第一区域。
在所述发光模块中，位于发光二极管封装件的下表面的第一连接部及第二连接部与电路基板的第一区域的电路基板连接。并且，在所述发光模块中，发光二极管封装件的射出光的上表面与导光板的一侧表面相向。
发光二极管封装件可以为多个。
以下，参照附图进行具体说明。
图1至图3是示出根据本发明的第一实施例的封装件基板的示意图。
图1是根据第一实施例的封装件基板的剖面图，图2是根据第一实施例的封装件基板的下部平面图，图3是根据第一实施例的封装件基板的上部平面图。这里，图1是沿图3的A1-A2方向截取的剖面图。
参照图1至图3，根据第一实施例的封装件基板100包括第一引线框架110、第二引线框架120及主体部130。
主体部130以包围第一引线框架110及第二引线框架120并使第一引线框架110及第二引线框架120相互隔开布置的方式对其进行支撑。例如，主体部130利用热固性树脂形成。
主体部130沿一方向具有细长的形状。因此，主体部130包括沿一方向具有长边的侧表面以及沿另一方向具有短边的侧表面。例如，主体部130的下表面可以为包括彼此相向的两条长边以及彼此相向的两条短边的矩形形态。在主体部130的上部形成有收容发光二极管芯片(未图示)的腔室131。参照图1，腔室131为宽度从下部开始越向上部越大的锥形(taper)结构。然而，腔室131并不局限于此，也可以形成为上部与下部的宽度相同的结构。
第一引线框架110及第二引线框架120结合于主体部130的底部。并且，第一引线框架110及第二引线框架120布置为在主体部130内沿横向隔开，并且通过主体部130而相互绝缘。
第一引线框架110包括第一贴装部111、第一槽部112、第一端子部113及第一连接部114。
在第一引线框架110的上表面形成有第一贴装部111及第一槽部112。第一槽部112是第一引线框架110的上表面半蚀刻的且形成为从上表面凹陷的结构。第一槽部112被主体部130填充。通过第一槽部112增加主体部130与第一引线框架110的相接面积，从而提高第一引线框架110与主体部130之间的结合力。并且，通过第一槽部112增加从主体部130的侧表面到腔室131内部的浸透路径，从而能够防止水分等外部物质浸透到腔室131内。
第一贴装部111在腔室131内暴露。第一贴装部111是发光二极管芯片(未图示)在第一引线框架110进行贴装并电连接的部分。沿第一贴装部111的周围形成第一槽部112。从而，第一贴装部111相比于被主体部130填充的第一槽部112向上部凸出，因此腔室131的底表面暴露。参照图3，第一贴装部111可以沿包含主体部130的长边的一侧表面较长地形成。
第一引线框架110的侧表面从主体部130的一侧表面向外部凸出。第一端子部113包括在主体部130的一侧表面暴露的第一引线框架110的侧表面。即，第一端子部113是第一引线框架110在主体部130的一侧表面凸出的部分的侧表面。在此，主体部130的一侧表面是包括主体部130的短边的一个侧表面。
第一连接部114在主体部130的下表面暴露。第一连接部114是与电路基板等外部构成部电连接的部分。第一连接部114包括第1-1连接部115及第1-2连接部116。
第1-1连接部115与第一端子部113连接。根据本实施例，第1-1连接部115从第一端子部113延伸，因此，可以具有与第一端子部113相同或相似大小的宽度。参照图1至图3，第一端子部113是第一引线框架110在主体部130的一侧表面凸出的部分的侧表面，因此第1-1连接部115也包括第一引线框架110的凸出部分的下表面。即，第1-1连接部115并非限定位于主体部130区域，而是构成为延伸至主体部130的外部区域的较大的面积。
第1-2连接部116从第1-1连接部115的一部分延伸，并形成为较长的结构。此时，第1-2连接部116从第1-1连接部115朝向位于第一端子部113相反方向的第二端子部123方向延伸。参照图3，第1-2连接部116具有比第1-1连接部115窄的宽度。
当对本实施例进行说明时，为了便于说明，将第一连接部114区分为第1-1连接部115及第1-2连接部116，但是它们为相互连接的一体型。
第二引线框架120包括第二贴装部121、第二槽部122、第二端子部123及第二连接部124。
在第二引线框架120的上表面形成有第二贴装部121及第二槽部122。第二槽部122是第二引线框架120的上表面半蚀刻的且形成为从上表面凹陷的结构。第二槽部122被主体部130填充。通过第二槽部122增加主体部130与第二引线框架120的相接面积，从而提高第二引线框架120与主体部130之间的结合力。并且，与第一槽部112相同，通过第二槽部122增加用于使水分等外部物质浸透至腔室131内的路径。
参照图1，第一槽部112及第二槽部122位于主体部130的腔室131外部。然而，第一槽部112及第二槽部122并非必须一定位于腔室131外部。第一槽部112及第二槽部122的位置可以根据需要进行变更。
第二贴装部121在腔室131内暴露。第二贴装部121是发光二极管芯片(未图示)在第二引线框架120进行贴装并电连接的部分。沿第二贴装部121的周围形成第二槽部122。从而，第二贴装部121相比于被主体部130填充的第二槽部122向上部凸出，因此在腔室131的底表面暴露。参照图3，第二贴装部121可以沿包含主体部130的长边的另一侧表面较长地形成。如上所述形成的第二贴装部121布置为与第一贴装部111沿横向隔开。
在本发明的实施例中，以第一贴装部111与第二贴装部121相互隔开而较长地形成的结构为例进行说明，但是并不局限于此。第一贴装部111与第二贴装部121的结构可以根据收容于腔室131的发光二极管芯片的结构进行变更。
第二引线框架120的侧表面从主体部130的包括短边的另一侧表面向外部凸出。第二端子部123包括在主体部130的另一侧表面暴露的第二引线框架120的侧表面。即，第二端子部123是第二引线框架120在主体部130的另一侧表面凸出的部分的侧表面。
如图所示，第一端子部113从主体部130的一侧表面凸出，并且沿主体部130的一侧表面形成。并且，第二端子部123从主体部130的另一侧表面凸出，并且沿主体部130的另一侧表面形成。
如此，在主体部130的一侧表面及另一侧表面向侧方向凸出形成的第一端子部113及第二端子部123能够反射光。
从背光单元朝向导光板(未图示)的光的一部分可以被导光板反射而朝向电路基板(未图示)。此时，若在背光单元应用本实施例的封装件基板100，则通过向外部凸出的第一端子部113及第二端子部123能够使朝向电路基板的光反射而再次入射至导光板(未图示)。即，根据本实施例的封装件基板100防止在导光板反射的光被封装件与封装件之间的缝隙吸收并将其反射而再次入射至导光板。因此，根据本发明的实施例的封装件基板100应用于背光单元，能够防止因封装件与封装件之间的缝隙而在导光板发生暗点。以往，两个极性的端子部全部形成于封装件基板的一个侧表面，因此各个端子部只能形成为具有较窄的宽度。即，在现有的封装件基板中，电子部的面积是不充足的。因此，在判别封装件基板或发光二极管封装件的不良品及良品的分类工序中，发生因探头与端子部之间的接触不良而导致良品判别为不良品的情况。
根据本发明的实施例的封装件基板100可以将第一端子部113及第二端子部123利用为当测试封装件基板100或发光二极管封装件时通过探头(probe)施加电流的部分。根据本实施例，在主体部130的一侧表面仅布置第一端子部113，因此，第一端子部113可以形成为较大的面积。并且，在主体部130的另一侧表面仅布置第二端子部123，因此，第二端子部123可以形成为较大的面积。由于封装件基板100在主体部130的一个侧表面仅形成一个端子部，因此端子部具有比现有的封装件基板的端子部大的面积。
据此，在本发明的实施例的封装件基板100中，探头所接触的端子部的面积充足，因此能够防止探头与端子部之间的接触不良。因此，能够防止对封装件基板或发光二极管封装件执行的分类工序中所存在的测试错误，从而能够提高测试可靠性。
第二连接部124在主体部130的下表面暴露。第二连接部124包括第2-1连接部125及第2-2连接部126。
第2-1连接部125与第二端子部123连接。根据本实施例，第2-1连接部125从第二端子部123延伸，因此，可以具有与第二端子部123相同或相似大小的宽度。并且，与第1-1连接部115相同，第2-1连接部125也并非限定位于主体部130区域，而是构成为延伸至主体部130的外部区域的较大的面积。
第2-2连接部126从第2-1连接部125的一部分延伸，并形成为较长的结构。此时，第2-2连接部126从第2-1连接部125朝向第一端子部113方向延伸。参照图3，第2-2连接部126具有比第2-1连接部125窄的宽度。
参照图2，第1-2连接部116与第2-2连接部126相互平行地布置。并且，第1-2连接部116及第2-2连接部126中的至少一个横穿垂直于一方向的中心线。
在现有的封装件基板中，连接部限定位于主体部的内部区域，并形成为宽度窄的较长的结构。然而，在根据本发明的实施例的封装件基板100包括具有较大的宽度且延伸至主体部130的外部区域的第1-1连接部115和第2-1连接部125以及长度较长的第1-2连接部116及第2-2连接部126。据此，根据本发明的实施例的封装件基板100中，相比于现有的封装件基板，连接部构成为较大的面积，因此能够实现与外部构成稳定且可靠地电连接。
并且，在本发明的封装件基板100中，每一个侧表面仅形成一个极性的端子部，因此通过侧表面与外部构成进行稳定的电连接比较容易。并且，在本发明的封装件基板100中，能够将位于下表面的第一连接部114及第二连接部124以及形成于侧表面的第一端子部113及第二端子部123全部用于与外部构成进行电连接。即，封装件基板100能够通过包括下表面及侧表面的更大的面积与外部构成电连接。
并且，以往，在封装件基板的两侧表面分别均布置有两个极性的端子。从而，两个端子相互靠近地布置，因此当探头在一个侧表面与两个极性的端子接触时可能发生短路。在根据本发明的实施例的封装件基板100中，在一个侧表面仅布置一个极性的端子，因此能够防止当探头与两个极性的端子接触时发生短路。
并且，在根据本发明的实施例的封装件基板100中，第一连接部114及第二连接部124中的至少一个横穿垂直于一方向的中心线，因此能够增加封装件基板100中央部的强度。
根据本发明的实施例的，第1-1连接部115及第2-1连接部125形成为一部分具有大于另一部分的宽度。第1-1连接部115中具有较大宽度的一部分包括从第一端子部113延伸的部分，第2-1连接部125中具有较大宽度的一部分包括从第二端子部123延伸的部分。并且，第1-1连接部115中具有较小宽度的一部分包括第1-2连接部116延伸的部分，第2-1连接部125中具有较小宽度的一部分包括第2-2连接部126延伸的部分。
为了便于说明，将第1-1连接部115及第2-1连接部125中的一部分扩展为具有较大宽度的部分说明为第一扩展部117及第二扩展部127。参照图2，第一连接部114及第二连接部124的除了第一扩展部117及第二扩展部127之外的其余部分全部位于第一扩展部117及第二扩展部127的内侧区域。
第一扩展部117及第二扩展部127的侧表面为在用于将相互连接的多个引线框架分离为单个的分离工序中被切割(Cutting)的部分。若没有第一扩展部117及第二扩展部127，则在分离引线框架的工序中，切割刀划过第一引线框架110及第二引线框架120各自的一个侧表面，从而可能发生毛刺(burr)。即，第一扩展部117及第二扩展部127能够防止在引线框架的分离工序中除了第一扩展部117及第二扩展部127之外的部分与切割刀接触，从而能够防止发生毛刺。
并且，第一扩展部117及第二扩展部127与第一端子部113及第二端子部123连接，从而一部分从主体部130的两侧表面凸出。因此，第一扩展部117及第二扩展部127也能够与第一端子部113及第二端子部123一同起到反射光的作用。如上所述，第一扩展部117及第二扩展部127形成为具有如下的宽度：能够防止在引线框架的分离工序中发生毛刺并且能够使尽量多的光反射。
并且，根据本发明的实施例，第1-2连接部116与第2-1连接部125以及第2-2连接部126与第1-1连接部115之间的间隔距离大于第1-2连接部116与第2-2连接部126之间的间隔距离。
由于第1-1连接部115及第2-1连接部125具有较大的面积，因此当封装件基板100与外部构成粘结时，涂覆大量的粘结剂。此时，若粘结剂的量增加，则当封装件基板100在贴装于外部构成的状态下被加压时，粘结剂可能流出至第1-1连接部115及第2-1连接部125的外面区域。此时，第1-1连接部115与第2-2连接部126可能彼此导通，或者第2-1连接部125与第1-2连接部116可能彼此导通。因此，为了防止该情况，以第1-2连接部116与第2-2连接部126不会通过粘结剂导通的程度的间隔距离为基准，第1-2连接部116与第2-1连接部125以及第2-2连接部126与第1-1连接部115应该具有大于该基准的间隔距离。
然而，若第1-2连接部116与第2-1连接部125以及第2-2连接部126与第1-1连接部115具有过大的间隔距离，则封装件基板100的尺寸增大。因此，为了防止封装件基板100变大或变长，第1-2连接部116与第2-1连接部125以及第2-2连接部126与第1-1连接部115之间的间隔距离应该小于第1-2连接部116与主体部130的侧表面之间的间隔距离以及第2-2连接部126与主体部130的侧表面之间的间隔距离。
图4及图5是示出根据本发明的第二实施例的封装件基板的示意图。
图4是根据第二实施例的封装件基板的剖面图，图5是根据第二实施例的封装件基板的下部平面图。这里，图4是沿图5的B1-B2方向截取的剖面图。
当对根据第二实施例的封装件基板200进行说明时，省略针对与根据第一实施例的封装件基板(图1至图3的100)相同的构成部的说明，以差异为主进行说明。
参照图4及图5，在根据第二实施例的封装件基板200中，在第一引线框架210形成第一贯通孔211，在第二引线框架220形成第二贯通孔221。
第一贯通孔211形成于第一引线框架210的第一槽部112与第一端子部113之间，并且形成为从第一引线框架210的上表面贯通至下表面。并且，第二贯通孔221形成于第二引线框架220的第二槽部122与第二端子部123之间，并且形成为从第二引线框架220的上表面贯通至下表面。
贯通第一引线框架210的第一贯通孔211及贯通第二引线框架220的第二贯通孔221被主体部130填充。通过第一贯通孔211及第二贯通孔221增加第一引线框架210及第二引线框架220与主体部130之间的相接面积，从而提高相互之间的结合力。
第一贯通孔211及第二贯通孔221可以是上部与下部具有相同宽度或者上部与下部的宽度互不相同的阶梯结构。
例如，如图4所示，第一贯通孔211及第二贯通孔221可以为上部宽度小于下部宽度的形态。在这种情况下，填充于第一贯通孔211的下部的主体部130卡定于宽度较小的第一贯通孔211的上部，从而主体部130能够固定于第一引线框架210。并且，在第二贯通孔221的上部比下部宽度小的情况下，主体部130能够固定于第二引线框架220。因此，具有如此结构的第一贯通孔211及第二贯通孔221的封装件基板200能够实现主体部130与第一引线框架210及第二引线框架220之间更坚固的结合。
图6至图8是用于说明根据本发明的一实施例的发光二极管封装件的示意图。
图6是示出根据本发明的一实施例的发光二极管封装件的示意图。并且，图7是贴装于发光二极管封装件的发光二极管芯片的下部平面图，图8是沿图7的A1-A2方向截取的发光二极管芯片的剖面图。
根据一实施例的发光二极管封装件300包括封装件基板200、发光二极管芯片400及密封部件310。
图6所示的封装件基板200是第二实施例的封装件基板。然而，封装件基板200并非局限于第二实施例的封装件基板，也可以是第一实施例的封装件基板。发光二极管芯片400布置于封装件基板200的腔室131。发光二极管芯片400可以是在下表面形成有两个极性的凸起垫(未图示)的结构。并且，发光二极管芯片400的凸起垫可以是与封装件基板200的第一贴装部111及第二贴装部121对应的结构。
参照图7及图8，根据一实施例的发光二极管芯片400包括基板410、发光结构体420、欧姆反射层430、第一绝缘层440、第一垫金属层451、第二垫金属层452、第二绝缘层460、第一凸起垫470及第二凸起垫480。包括上述构成的发光二极管芯片400为下部轮廓具有长边及短边的沿一方向较长的结构。在此，长边为下部边缘中长度较长的边，短边为下部边缘中长度较短的边。
所述基板410为只要使氮化镓系半导体层生长的基板即可，不受特别的限定。例如，基板410可以是蓝宝石基板、氮化镓基板、SiC基板等多种基板，并且可以是图案化的蓝宝石基板。基板410为具有长边及短边的矩形形状。
在基板410下部形成有发光结构体420。发光结构体420包括第一导电型半导体层421、活性层422、第二导电型半导体层423。
第一导电型半导体层421形成于基板410下部。第一导电型半导体层421可以是在基板410上生长的层，并且可以是氮化镓系半导体层。第一导电型半导体层421可以是掺杂有n型杂质，例如Si的氮化镓系半导体层。在此，虽然将第一导电型半导体层421与基板410区分而进行说明，但是在基板410是氮化镓基板的情况下，其之间的边界可以不作明确的区分。
在第一导电型半导体层421下部布置有台面M。台面M可以位于第一导电型半导体层421区域内。因此，第一导电型半导体层的边缘部位区域可以不被台面M覆盖而暴露于外部。并且，台面M可以包括第一导电型半导体层421的一部分。
台面M包括第二导电型半导体层423及活性层422。活性层422形成于第一导电型半导体层421下部，第二导电型半导体层423形成于活性层422下部。活性层422可以具有单一量子阱结构或多量子阱结构。活性层422内的阱层的组成及厚度决定生成的光的波长。尤其，通过调节阱层的组成，可以提供生成紫外线、蓝色光或绿色光的活性层。
第二导电型半导体层423可以是掺杂有p型杂质，例如Mg的氮化镓系半导体层。
第一导电型半导体层421及第二导电型半导体层423可以分别为单层，然而并不局限于此。第一导电型半导体层421及第二导电型半导体层423也可以是多层，并且也可以包括超晶格层。
第一导电型半导体层421、活性层422及第二导电型半导体层423可以利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)或分子束外延(MBE)等公知方法在腔室内，在基板410上生长而形成。
台面M具有以越远离第一导电型半导体层421而面积越小的方式倾斜的侧表面。据此，能够稳定地形成覆盖台面M的侧表面的层。
另外，台面M可以根据基板410的形状而具有细长的矩形形状，沿基板410的长度方向可以包括使第一导电型半导体层421暴露的凹槽。如图7所示，凹槽可以从与基板的一侧短边邻近的台面M的短边中央沿基板410的长度方向经过台面M的中心。凹槽的长度小于台面M的长边的长度，因此，台面M的另一短边与凹槽隔开。
欧姆反射层430形成于第二导电型半导体层423下部而与第二导电型半导体层423接触。欧姆反射层430在台面M下部区域遍布台面M的几乎全部区域而布置。参照图8，欧姆反射层430并未布置为覆盖台面M的整个下部区域。例如，欧姆反射层430可以覆盖台面M下部区域的80％以上，进一步，欧姆反射层430可以覆盖台面M下部区域的90％以上。虽然本附图未图示，但是在台面M的下部区域还可以以覆盖欧姆反射层430周围的台面M的方式形成欧姆氧化层(未图示)。在欧姆反射层430的周围布置有欧姆氧化层(未图示)的情况下，欧姆接触区域增加，因此能够降低发光二极管的正向电压。
欧姆反射层430可以包括具有反射性的金属层。因此，欧姆反射层430可以将在活性层422生成并向欧姆反射层430传播的光向基板410反射。例如，欧姆反射层430可以形成为单一反射金属层或者包括欧姆层及反射层。例如，欧姆层可以利用诸如Ni等金属构成，反射层可以利用诸如Ag或Al等反射率高的金属构成。并且，欧姆反射层430可以包括阻挡层。阻挡层可以利用Ni、Ti及Au构成。例如，欧姆反射层可以构成为Ni/Ag/Ni/Ti/Ni/Ti/Au/Ti的层叠结构。
在另一实施例中，欧姆反射层430也可以包括：透明氧化物层，与第二导电型半导体层423欧姆接触；绝缘层，覆盖透明氧化物层并具有使透明氧化物层暴露的开口部；以及金属反射层，覆盖所述绝缘层并通过绝缘层的开口部连接到透明氧化物层。通过如上所述的结构可以提供全方向反射器(omnidirectional reflector)。
另外，第一绝缘层440覆盖台面M及欧姆反射层430。并且，第一绝缘层440可以覆盖台面M的侧表面。此时，第一绝缘层440可以覆盖在台面M侧表面暴露的第一导电型半导体层421的一部分。如上所述形成的第一绝缘层440使沿台面M外围布置的第一导电型半导体层421暴露。
并且，在第一绝缘层440形成有使欧姆反射层430暴露的至少一个开口部441。形成于第一绝缘层440的开口部441在以后要形成第二垫金属层452的台面M下部形成。通过该开口部441，第二垫金属层452与第二导电型半导体层423连接并相互电连接。
第一绝缘层440可以利用SiO2或Si3N4的单一层形成。然而第一绝缘层440并不局限于此。例如，第一绝缘层440可形成为包括氮化硅膜和氧化硅膜的多层结构，并且也可以包括氧化硅膜及氧化钛膜交替层叠的分布式布拉格反射器。
第一垫金属层451形成于第一绝缘层440下部以及通过第一绝缘层440暴露的第一导电型半导体层421一部分的下部。第一垫金属层451通过第一绝缘层440与台面M及欧姆反射层430绝缘。如上所述形成的第一垫金属层451与第一导电型半导体层421接触，并且相互电连接。
第二垫金属层452在形成有开口部441的第一绝缘层440的下部及开口部441形成，并且形成为与第一垫金属层451隔开。如上所述形成的第二垫金属层452通过开口部441电连接于欧姆反射层430。
第一垫金属层451及第二垫金属层452可以在相同工序中使用相同材料而一起形成。第一垫金属层451及第二垫金属层452可以包括如A1层等欧姆反射层，且欧姆反射层可以在Ti、Cr或Ni等的粘结层下部形成。并且，在所述欧姆反射层下部可以形成Ni、Cr、Au等的单层或复合层结构的保护层。例如，第一垫金属层451及第二垫金属层452可以构成为Cr/Al/Ni/Ti/Ni/Ti/Au/Ti的多层结构。
第二绝缘层460形成为覆盖第一垫金属层451及第二垫金属层452。第二绝缘层460可以覆盖沿台面M周围暴露的第一导电型半导体层421。此时，第二绝缘层460可以使位于基板410的边缘部位的第一导电型半导体层421暴露。
第二绝缘层460包括使第一垫金属层451暴露的第一开口部461，以及使第二垫金属层452暴露的第二开口部462。第一开口部461及第二开口部462可以布置于台面M下部区域。
参照图7，第二绝缘层460的第一开口部461及第二开口部462相互隔开，并且沿基板410的长边较长地形成。并且，第一开口部461及第二开口部462中的至少一个可以形成为横穿中心线C。在此，中心线C是与发光二极管芯片400或基板410的下表面的短边平行并穿过下表面的中心的线。即，中心线C是在发光二极管芯片的两条短边之间的中心连接至长边的线。在图7中，第一开口部461及第二开口部462全部形成为横穿中心线C。
第二绝缘层460可以利用SiO2或Si3N4的单一层形成，然而并不局限于此。例如，第二绝缘层460可以具有包括氮化硅膜和氧化硅膜的多层结构，并且也可以包括氧化硅膜及氧化钛膜交替层叠的分布式布拉格反射器。
第一凸起垫470及第二凸起垫480分别形成于第一垫金属层451及第二垫金属层452下部，并且相比于第二绝缘层460向下部凸出形成。
第一凸起垫470形成于通过第二绝缘层460的第一开口部461暴露的第一垫金属层451下部。如此形成的第一凸起垫470通过第一垫金属层451与第一导电型半导体层421电连接。
第二凸起垫480形成于通过第二绝缘层460的第二开口部462暴露的第二垫金属层452下部。如此形成的第二凸起垫480通过第二垫金属层452及欧姆反射层430与第二导电型半导体层423电连接。第二垫金属层452可以省略。此时，第二凸起垫480可以直接接触于欧姆反射层430。
如图8所示，第一凸起垫470及第二凸起垫480的下部可以形成为具有大于上部的宽度，从而覆盖第二绝缘层460的下表面的一部分。如此形成的第一凸起垫470及第二凸起垫480形成为下部覆盖第二绝缘层460的下表面，从而能够具有较大的与外部构成接触的接触面积。因此，能够实现发光二极管芯片400与外部构成之间可靠的连接。
在本实施例中，以发光二极管芯片400包括覆盖第二绝缘层460的下表面的第一凸起垫470及第二凸起垫480的结构进行了说明。然而，发光二极管芯片400的结构并不局限于此。例如，第一凸起垫470及第二凸起垫480可以限定位于通过第一开口部461及第二开口部462暴露的第一垫金属层451下部。第一凸起垫470及第二凸起垫480沿第二绝缘层460的第一开口部461及第二开口部462形成。因此，第一凸起垫470沿发光二极管芯片400的一条长边较长地布置。并且，第二凸起垫480沿发光二极管芯片400的另一条长边较长地布置。即，第一凸起垫470及第二凸起垫480沿横向隔开，并沿发光二极管芯片400的两条长边较长地布置。参照图7，第一凸起垫470及第二凸起垫480具有全部横穿中心线C的程度的长度。
第一凸起垫470及第二凸起垫480利用导电性物质形成。例如，第一凸起垫470及第二凸起垫480可以形成为利用Au或TiN构成的单一金属层，或者是Au层与TiN层层叠的多层金属层。这仅为一实施例，第一凸起垫470及第二凸起垫480的材质并不局限于此，也可以利用导电性金属中的任意一种形成。
以往，在具有矩形轮廓的发光二极管芯片中，两个凸起垫分别形成于中心线的两侧。对于如上所述形成的发光二极管芯片而言，两侧相比于中心，金属密度更高。因此，细长形状的发光二极管芯片具有以中心线为基准容易弯曲或折断的问题。
然而，在根据本实施例的发光二极管芯片400中，第一凸起垫470及第二凸起垫480形成为横穿中心线，因此能够防止以中心线为基准弯曲或折断的问题。
在本实施例中，虽然第一凸起垫470及第二凸起垫480全部形成为横穿中心线C，但是第一凸起垫470及第二凸起垫480的结构可以根据封装件基板200的第一贴装部111及第二贴装部121的结构进行变更。
发光二极管芯片400的凸起垫与封装件基板200的第一贴装部111及第二贴装部121之间夹设有导电性粘结剂，从而能够将发光二极管芯片400固定于封装件基板200。例如，发光二极管芯片400可以在较长形成的第一凸起垫470及第二凸起垫480以与在封装件基板200较长形成的第一贴装部111及第二贴装部121对应的方式贴装于封装件基板200之后进行粘结。密封部件310填充于封装件基板200的腔室131而覆盖发光二极管芯片400。密封部件310将腔室131密封，从而防止水分、灰尘等从外部浸透至发光二极管封装件300的内部。密封部件310可以利用环氧树脂或硅树脂形成。并且，密封部件310可以根据需要还包括能够使发光二极管芯片400的光的波长进行转换的荧光体或漫射剂。
虽然根据本实施例的发光二极管封装件300形成为较长的结构，但是第一引线框架210及第二引线框架220形成为横穿中心线C，因此提高了中心部的强度。因此，即使发光二极管封装件300形成为较长的结构，也能够防止发生弯曲或折断，从而能够提高发光二极管封装件300以及安装有发光二极管封装件300的产品的可靠性。
图9及图10是用于说明根据本发明的另一实施例的发光二极管封装件的示意图。
图9是示出根据另一实施例的发光二极管封装件的剖面图。并且，图10是根据另一实施例的发光二极管封装件的上部平面图。
参照图9及图10，根据另一实施例的发光二极管封装件500包括封装件基板530、发光二极管芯片400、齐纳二极管芯片520及密封部件310。
封装件基板530是在第一实施例的封装件基板(图1至图3的100)进一步形成第一齐纳连接部511及第二齐纳连接部512的结构。或者，封装件基板530也可以是在第二实施例的封装件基板(图4及图5的200)进一步形成第一齐纳连接部511及第二齐纳连接部512的结构。
第一齐纳连接部511形成于第一引线框架540的上表面。第一齐纳连接部511位于第一引线框架540的第一槽部112与主体部130的腔室131之间。
第二齐纳连接部512形成于第二引线框架550的上表面。第二齐纳连接部512位于在第二引线框架550的第二贴装部121的形成有第一端子部113的方向的一端与主体部130的腔室131之间。
因此，第一齐纳连接部511与第二齐纳连接部512形成为彼此沿横向隔开。
在如此形成的第一齐纳连接部511及第二齐纳连接部512贴装有齐纳二极管芯片520，第一齐纳连接部511及第二齐纳连接部512与齐纳二极管芯片520电连接。此时，齐纳二极管芯片520与发光二极管芯片400并联。
根据本发明的实施例的发光二极管封装件500内部不仅贴装有发光二极管芯片400，还贴装有齐纳二极管芯片520，从而发光二极管芯片400与齐纳二极管芯片520通过相同的引线框架电连接。因此，相比于在发光二极管芯片400与齐纳二极管芯片520单独地进行封装之后通过单独的电路基板连接，能够防止由于外部环境造成的短路。并且，根据本发明的实施例的发光二极管封装件500相比于发光二极管芯片400与齐纳二极管芯片520单独地进行封装时面积消耗更小，从而能够实现光量增加以及产品的小型化。
图11是示出根据本发明的实施例的发光模块的示意图。
参照图11，根据实施例的发光模块10包括电路基板11及发光二极管封装件300。在此，发光二极管封装件300为图6所述的根据一实施例的发光二极管封装件。针对发光二极管封装件300的详细说明参照图6。
在电路基板11贴装有发光二极管封装件300。并且，在电路基板11形成有与贴装的发光二极管封装件300电连接的布线。例如，电路基板11可以是在绝缘层形成有布线的印刷电路板或者柔性印刷电路板。或者，电路基板11可以是在形成于金属层表面的绝缘层形成有布线的金属基板。或者，电路基板11可以是树脂、玻璃环氧等合成树脂基板或陶瓷基板。或者，电路基板11可以选择环氧树脂模塑料(EMC：Epoxy Mold Compound)、聚酰亚胺(PI：polyimide)、陶瓷、石墨烯、玻璃合成纤维及其组合中的任意一种以上构成。
电路基板11区分为第一区域12及第二区域13。
在第一区域12贴装有发光二极管封装件300。发光二极管封装件300贴装于第一区域12，从而与电路基板11的布线电连接。第一区域12布置为与从发光二极管封装件300射出的光入射的导光板20的侧表面相向。
第二区域13折叠为垂直于第一区域12。即，第二区域13形成为从第一区域12朝向导光板20凸出。
在电路基板11的第一区域12布置有多个发光二极管封装件300。多个发光二极管封装件300沿第一区域12的长度方向对齐地布置。
发光二极管封装件300包括封装件基板(未图示)以及贴装于封装件基板的发光二极管芯片(未图示)。根据本发明的实施例的发光二极管封装件300是沿一方向较长地形成的结构。在发光二极管封装件300的两侧表面布置有端子部，并且在一个侧表面仅布置一个极性的端子部。并且，在发光二极管封装件300的下表面布置有与端子部连接且一部分较长地形成的连接部。即，发光二极管封装件300的连接部构成为较大的面积，包括与端子部连接的一部分以及从该一部分较长地形成的部分。因此，发光二极管封装件300通过较大的面积与电路基板11连接，因此能够实现与电路基板11可靠地电连接。
在本实施例的发光二极管封装件300的下表面暴露有连接部，并通过上表面射出光。即，发光二极管封装件300的下表面为粘结面，上表面为发光面。电路基板11具有第一区域12与第二区域13垂直的结构。由于电路基板11的这种结构，当将本实施例的发光二极管封装件300粘结于电路基板11的第一区域12时，发光二极管封装件300的发光面可以与导光板20的作为入射面的一侧表面相向布置。据此，从发光二极管封装件300的发光面射出的光通过导光板20的入射面入射至导光板20内部。
通过如上所述的发光二极管封装件300及电路基板11，本发明的发光模块10无需为了实现侧视型而进行弯曲引线框架来使其位于发光二极管封装件的侧表面等成型。
并且，如图所示，第一端子部113及第二端子部123形成为从发光二极管封装件300的两侧表面凸出。第一端子部113形成为沿发光二极管封装件300的一侧表面凸出。并且，第二端子部123形成为沿发光二极管封装件300的另一侧表面凸出。
从多个发光二极管封装件300射出的光中的一部分被导光板20反射而朝向电路基板11。若在导光板20反射的光通过多个发光二极管封装件之间而被电路基板11吸收，则在导光板的射出面发生暗点。然而本实施例的发光模块10能够通过从发光二极管封装件300的两侧表面凸出的第一端子部113及第二端子部123使朝向电路基板11的光反射而再次入射至导光板20。据此，发光模块10使得朝向多个发光二极管封装件300之间的光反射而不被电路基板11吸收，因此能够防止因多个发光二极管封装件300之间而在导光板发生暗点。
图12至图21是示出根据本发明的第三实施例的封装件基板的示意图。并且，图22至图24是示出根据本发明的又一实施例的发光二极管封装件的示意图。在此，图22至图24的发光二极管封装件是应用根据本发明的第三实施例的封装件基板的发光二极管封装件。
图12至图14是根据第三实施例的封装件基板的引线框架的示意图。图15是根据第三实施例的封装件基板的平面图。图16是根据第三实施例的封装件基板的仰视图。图17是根据第三实施例的封装件基板的侧视图。并且，图18至图21是根据第三实施例的封装件基板的剖面图。
在针对根据第三实施例的封装件基板600的说明中，省略对与上述实施例的封装件基板相同的构成部的说明或进行简单说明，以差异为主进行说明。
根据第三实施例的封装件基板600包括第一引线框架610、第二引线框架620及主体部630。
主体部630的下部包围第一引线框架610及第二引线框架620，在主体部630的上部形成有腔室631。第一引线框架610及第二引线框架620布置为在主体部630内彼此沿横向隔开，并通过主体部630相互绝缘。如图12至图14所示，第一引线框架610包括第一贴装部611、第一槽部612、第一齐纳连接部661、第一端子部613、第一连接部614及第一凸出部619。第二引线框架620包括第二贴装部621、第二槽部622、第二齐纳连接部662、第二端子部623、第二连接部624及第二凸出部629。
图12图示了第一引线框架610及第二引线框架620的上部及下部的外部模样。
在图12中，实线示出在上部可见的第一引线框架610及第二引线框架620的外部模样。即，图12的实线相当于图13所示的第一引线框架610及第二引线框架620的平面图。并且，在图12中，虚线示出被上部遮挡而不可见的第一引线框架610及第二引线框架620的下部的外部模样。即，图12的虚线以及与虚线连接的实线相当于图14所示的第一引线框架610及第二引线框架620的仰视图。
参照图13，在第一引线框架610及第二引线框架620被阴影图案化处理的部分是在上表面被半蚀刻的部分。
在第一引线框架610的上表面被半蚀刻的部分相当于第一槽部612。如图13所示，第一槽部612形成于第一贴装部611的周围。
并且，在第二引线框架620的上表面被半蚀刻的部分相当于第二槽部622。如图14所示，第二槽部622形成于第二贴装部621的周围。参照图14，在第一引线框架610及第二引线框架620被阴影图案化处理的部分是在下表面被半蚀刻的部分。
在第一引线框架610的下部，沿除了与第二引线框架620的第2-2连接部626相向的部分及第一端子部613之外的位于第1-1连接部615、第1-2连接部616及第1-3连接部618的短轴方向的外侧轮廓进行半蚀刻。通过这种半蚀刻，多个第一凸出部619的下部的一部分被暴露。
并且，在第一引线框架610的下部，作为相互分离的下表面的第1-2连接部616与第1-3连接部618之间的一部分被半蚀刻。
在第1-2连接部616与第1-3连接部618之间的一侧被半蚀刻的部分为第一贴装部611的下部的一部分。观察该部分的剖面，如图18所示，第一引线框架610为第一贴装部611的下部的一部分被半蚀刻而形成第三槽部650的结构。第三槽部650被主体部630填充，从而能够提高第一引线框架610与主体部630之间的粘结力。
并且，在第1-2连接部616与第1-3连接部618之间的另一侧被半蚀刻的部分为多个第一凸出部619中的一个的下部的一部分。在此，一侧是与第二引线框架620相向的侧部，另一侧是与一侧相反方向的侧部。
因此，虽然第1-2连接部616与第1-3连接部618相互分离，但是其上部通过第一贴装部611及一个第一凸出部619相互连接。通过这种结构，在第一贴装部611与第一凸出部619之间形成有第1-2连接部616与第1-3连接部618隔开的隔开空间640。即，第一引线框架610是在第一贴装部611与第一凸出部619之间形成有贯通孔的结构。如图20所示，由于隔开空间640被主体部630填充，从而能够提高第一引线框架610及第二引线框架620与主体部630之间的粘结力。
并且，第一贯通孔641的下部被半蚀刻，从而第一贯通孔641为下部具有大于上部的直径的结构。
并且，第一毛刺防止部645通过位于第一引线框架610的短轴方向的侧表面的边角在第一引线框架610的下表面被半蚀刻而形成。在两个第一毛刺防止部645之间布置有第一端子部613。
在第二引线框架620的下表面被半蚀刻的部分相当于第二凸出部629、第二贯通孔642及第二毛刺防止部646。
在第二引线框架620的下部，沿除了与第一引线框架610相向的部分及第二端子部623之外的位于第2-1连接部625和第2-2连接部626的短轴方向的外侧轮廓进行半蚀刻。通过这种半蚀刻，多个第二凸出部629的下部的一部分被暴露。
并且，第二贯通孔642的下部被半蚀刻，从而第二贯通孔642为下部具有大于上部的直径的结构。
并且，第二毛刺防止部646通过位于第二引线框架620的短轴方向的侧表面的边角在第二引线框架620的下表面被半蚀刻而形成。在两个第二毛刺防止部646之间布置有第二端子部623。
第一毛刺防止部645及第二毛刺防止部646用于防止当为了使相互连接的多个封装件基板或发光二极管封装件相互分离而执行切割(dicing)时在切断面的边角部分发生毛刺(burr)。
第一引线框架610及第二引线框架620的厚度(图18的d6)可以是与贴装于封装件基板600的发光二极管芯片的宽度相同的大小。在此，第一引线框架610及第二引线框架620的厚度是从没有被蚀刻的部分的上表面到下表面为止的距离。并且，发光二极管芯片的宽度是位于发光二极管的长轴方向的两侧表面之间的距离。例如，第一引线框架610及第二引线框架620的厚度d6可以是250μm，贴装于封装件基板600的发光二极管芯片的宽度也可以是250μm。
并且，例如，封装件基板600的整体厚度可以为700μm，整体宽度可以是7000μm。在此，封装件基板600的整体厚度为从第一引线框架610的第一连接部614及第二引线框架620的第二连接部624暴露的主体部630的下表面到形成有腔室631的主体部630的上表面为止的距离。并且，封装件基板600的整体宽度为从第一引线框架610的第一端子部613暴露的主体部630的一侧表面到第二引线框架620的第二端子部623暴露的主体部630的另一侧表面为止的距离。在封装件基板600贴装有发光二极管芯片，在腔室631填充有密封部件的发光二极管封装件(图22至图24的700)的整体厚度及整体宽度与封装件基板600相同。
在第一引线框架610的上表面形成有第一贴装部611、第一槽部612及第一齐纳连接部661。并且，在第二引线框架620的上表面形成有第二贴装部621、第二槽部622及第二齐纳连接部662。
参照图15，第一贴装部611、第二贴装部621、第一齐纳连接部661及第二齐纳连接部662通过封装件基板600的腔室631暴露于外部。
第一槽部612沿第一贴装部611的轮廓形成，第二槽部622沿第二贴装部621的轮廓形成。即，第一槽部612形成为包围第一贴装部611，第一贴装部611形成为包围第二贴装部621。换句话而言，在腔室631的底部中第一贴装部611及第二贴装部621的周围的主体部630被暴露的部分的下部形成有第一槽部612及第二槽部622。这样形成的第一槽部612使第一贴装部611与第一齐纳连接部661区分，第二槽部622使第二贴装部621与第二齐纳连接部662区分。
如图22至图24所示，在第一贴装部611及第二贴装部621贴装有发光二极管芯片710，第一贴装部611及第二贴装部621与发光二极管芯片710电连接。并且，第一齐纳连接部661及第二齐纳连接部662与齐纳二极管芯片720电连接。发光二极管芯片710的凸起垫711分别布置于第一贴装部611及第二贴装部621上。
第一贴装部611及第二贴装部621的尺寸及第一贴装部611与第二贴装部621之间的距离对应于发光二极管芯片710的凸起垫711的尺寸及凸起垫711之间的距离。即，第一贴装部611与第二贴装部621之间的间隔d1及尺寸与发光二极管芯片710的两个凸起垫之间的间隔及尺寸大致相同。在这种情况下，如图22所示，只要当发光二极管芯片710贴装于封装件基板600时能够覆盖第一贴装部611及第二贴装部621而使第一贴装部611及第二贴装部621不暴露于外部，第一贴装部611及第二贴装部621的尺寸无需非限定于发光二极管芯片710的凸起垫的尺寸。为了提高发光二极管芯片710与封装件基板600之间的粘合力，第一贴装部611及第二贴装部621可以形成为具有大于发光二极管芯片710的凸起垫的面积，以涂覆大量的导电性粘结剂730。在这种情况下，即使发光二极管芯片710贴装于封装件基板600，第一贴装部611及第二贴装部621也可以暴露于外部。
例如，第一贴装部611与第二贴装部621之间的间隔d1为250μm。
第一贴装部611与主体部630的一内壁之间的距离d2及第二贴装部621与主体部630的另一内壁之间的距离d3考虑发光二极管封装件的尺寸及发光效率而确定。在此，主体部630的内壁是构成腔室631的内壁，所述一内壁及另一内壁是位于主体部630的短轴方向的彼此相向的内壁。
若d2及d3过大，则发光二极管封装件的尺寸变大。并且，若d2及d3过小，发光二极管芯片710与主体部630的内壁的距离过短。在这种情况下，从发光二极管芯片710的侧壁射出的光可能在主体部630的内壁反射而再次入射至发光二极管芯片710。因此，发光二极管封装件的发光效率降低。本实施例的封装件基板600贴装有形成为凸起垫711偏向一侧方向的发光二极管芯片710。因此，为了发光二极管芯片710与封装件基板600的准确连接，第一贴装部611及第二贴装部621也形成为偏向一侧方向。例如，d2为130μm，d3为120μm。然而，d2及d3并不局限于具有互不相同的大小，d2及d3的大小可以根据凸起垫711的位置相同或不同。例如，d2及d3也可以均为130μm或120μm。
第一引线框架610的第一端子部613从位于主体部630的长轴方向的一侧表面凸出。即，第一端子部613在主体部630的长度较短的一侧表面凸出。并且，第二引线框架620的第二端子部623从位于主体部630的长轴方向的另一侧表面凸出。例如，第一引线框架610及第二引线框架620各自的凸出距离d4可以是200μm。
第一端子部613的上部宽度及第二端子部623的上部宽度可以与主体部630的另一侧表面的宽度相同。在此，宽度是位于封装件基板600的短轴方向的彼此相向的两侧表面之间的距离。
第一引线框架610在位于主体部630的短轴方向的较长长度的一侧表面形成多个第一凸出部619。在此，形成有第一凸出部619的第一引线框架610的一侧表面是与和第二引线框架620相向的较长长度的另一侧表面相向的面。
多个第一凸出部619沿第一引线框架610的一侧表面整齐地布置，并相互隔开。各个第一凸出部619通过与第一引线框架610的较长长度的一侧表面连接的部分在下部被半蚀刻而形成。从而，如图20及图21所示，各个第一凸出部619在第一引线框架610的上表面向侧部方向凸出。并且，在第一引线框架610通过被半蚀刻而具有凹陷的结构的第一凸出部619的下部被主体部630填充。
如图17所示，第一引线框架610的第一凸出部619在主体部630的较长长度的一侧表面暴露。
第二引线框架620在位于主体部630的短轴方向的较长长度的一侧表面形成多个第二凸出部629。在此，形成有第二凸出部629的第二引线框架620的一侧表面是与和第一引线框架610相向的较长长度的另一侧表面相对的面。
多个第二凸出部629沿第二引线框架620的一侧表面整齐地布置，并相互隔开。各个第二凸出部629通过与第二引线框架620的较长长度的一侧表面连接的部分在下部被半蚀刻而形成。从而，如图20及图21所示，各个第二凸出部629在第二引线框架620的上表面向侧部方向凸出。并且，在第二引线框架620通过被半蚀刻而具有凹陷的结构的第二凸出部629的下部被主体部630填充。
第二引线框架620的第二凸出部629在主体部630的较长长度的另一面暴露。
通过第一凸出部619及第二凸出部629，本实施例的第一引线框架610及第二引线框架620与主体部630相接面积增加。
主体部630具有在位于长轴方向的一侧表面或另一侧表面中的任意一个面的上部边角被半蚀刻的结构。这是表示封装件基板600的电极方向的电极标记637。电极标记637可以位于与封装件基板600的外部电源的阳极及阴极中的任意一个连接的引线框架的上部。
参照图16，第一引线框架610的第一连接部614及第二引线框架620的第二连接部624在主体部630的下表面暴露。第一连接部614划分为第1-1连接部615、第1-2连接部616及第1-3连接部618，第二连接部624划分为第2-1连接部625及第2-2连接部626。
第1-1连接部615从第一端子部613延伸而与第1-2连接部616连接。即，第1-1连接部615并非限定位于主体部630区域，而构成为延伸至主体部630外部区域为止的较大的面积。
第1-2连接部616从第1-1连接部615的一部分延伸，并且具有小于第1-1连接部615的宽度。第1-2连接部616具有沿主体部630的另一侧表面方向较长地延伸的结构。
第1-3连接部618与第1-2连接部616隔开，位于第1-2连接部616与第2-2连接部626之间。第1-3连接部618与第1-2连接部616隔开。然而，第1-2连接部616与第1-3连接部618的上部部分的一部分在第一引线框架610连接。即，在第一引线框架610，对应于第1-2连接部616及第1-3连接部618的下部与其上部的一部分相互隔开。然而，在第一引线框架610，第1-2连接部616及第1-3连接部618的上部的一部分通过第一贴装部611及第一凸出部619相互连接。在第一引线框架610，第1-2连接部616与第1-3连接部618之间的间隔空间被主体部630填充。通过这种结构，第一引线框架610与主体部630之间的相接面积增加，从而提高了相接力。并且，使作为主体部630的材料的树脂能够在第一引线框架610与第二引线框架620之间良好地流动。因此，能够提高主体部630与第一引线框架610及第二引线框架620之间的气密性。并且，通过在第一引线框架610的上部具有隔开空间的部分，在发光二极管封装件(图22至图24的700)的腔室631进行封装工序时注入或者封装之后产生的空气、气体等能够排出至外部。
第2-1连接部625从第二端子部623延伸而与第2-2连接部626连接。并且，第2-2连接部626从第2-1连接部625的一部分延伸，并且具有小于第2-1连接部625的宽度。第2-2连接部626具有沿主体部630的另一侧表面方向较长地延伸的结构。
根据本实施例，第一引线框架610及第二引线框架620的所有边角部分形成为具有曲率。由于第一引线框架610及第二引线框架620形成为边角部分具有曲率，因此能够增加与主体部630的粘结面积，从而提高粘结力。在引线框架的边角为直角的情况下，构成主体部的树脂无法流动至边角的内侧，从而在引线框架与主体部630之间产生空间。然而在本实施例中，由于第一引线框架610及第二引线框架620的边角具有曲率，因此构成主体部630的树脂能够流动至边角内侧而完全填充。据此，在根据本实施例的封装件基板600中，能够提高第一引线框架610及第二引线框架620与主体部630之间的气密性。
在本实施例中，第一引线框架610形成有两个第一贯通孔641，在第二引线框架620也形成有两个第二贯通孔642。
第一贯通孔641位于第1-1连接部615，并且形成为从第一引线框架610的上表面贯通到下表面。并且，第二贯通孔642位于第2-1连接部625，形成为从第二引线框架620的上表面贯通到下表面。
两个第一贯通孔641及第二贯通孔642被主体部630填充，从而提高了第一引线框架610及第二引线框架620与主体部630之间的粘合力。
根据本实施例，第一贯通孔641及第二贯通孔642形成为至少具有能够通过第一引线框架610及第二引线框架620的注塑工序形成的程度的尺寸。并且，两个第一贯通孔641及第二贯通孔642在第1-1连接部615及第2-1连接部625内可以尽可能大地形成。第一贯通孔641及第二贯通孔642形成越大，与主体部630之间的气密性能够越好。即，第一贯通孔641及第二贯通孔642的大小可以考虑第一引线框架610及第二引线框架620的注塑工序、与主体部630的粘结力及气密性来形成。例如，第一贯通孔641及第二贯通孔642可以具有300μm的直径d5。
并且，参照图16，第一引线框架610及第二引线框架620的第一曲面A及第二曲面B具有互不相同的曲率。
第一引线框架610的第一曲面A作为第1-1连接部615与第1-2连接部616连接的部分，与第二引脚框架620的第2-2连接部626的边角相向。并且，第二引线框架620的第一曲面A作为第2-1连接部625与第2-2连接部626连接的部分，与第一引线框架610的第1-3连接部618的边角相向。
第一引线框架610的第一连接部614及第二引脚框架620的第二连接部624是与导电性粘结剂接触的部分。此时，由于第一曲面A是在第一连接部614及第二连接部624宽度突然变小的部分，因此相比于其他部分，粘结剂从第一连接部614及第二连接部624的内侧向主体部630侧扩散的可能性较高。若与第一连接部614接触的导电性粘结剂扩散而与第二连接部624接触或者与第二连接部624接触的导电性粘结剂扩散而与第一连接部614接触，则第一引线框架610与第二引线框架620可能彼此短路。为了防止这种情况，第一引线框架610的第一曲面A应该与相向的第二引线框架620的第2-2连接部626的边角尽量隔开。并且，第二引线框架620的第一曲面A应该与相向的第一引线框架610的第1-3连接部618的边角尽量隔开。据此，第一引线框架610及第二引线框架620的第一曲面A具有较小的曲率，以与相向的其他引线框架的边角尽可能远地隔开。
第一引线框架610的第二曲面B是第1-1连接部615被曲面处理为宽度与第一端子部613相等然后变小的部分。并且，第二引脚框架620的第二曲面B是第2-1连接部625被曲面处理为宽度与第二端子部615相等然后变小的部分。第一引线框架610及第二引脚框架620的第二曲面B均与位于短轴方向的主体部630的侧表面相近。
位于短轴方向的主体部630的两侧表面相比于主体部630的中心部分，与第一引线框架610及第二引脚框架620的相接面积更小。因此，与主体部630的两侧表面相邻的第一引线框架610及第二引脚框架620的第二曲面B形成为具有较大的曲率，以增加与主体部630的相接面积。并且，由于第一引线框架610及第二引脚框架620的第二曲面B具有较大的曲率，因此主体部630能够与整个第二曲面B贴合。因此，通过第一引线框架610及第二引脚框架620的具有较大的曲率的第二曲面B提高了第一引线框架610及第二引脚框架620与主体部630之间的相接力及贴合力。应用这种封装件基板600的发光二极管封装件气密性良好，从而能够防止气体、水分、灰尘等从外部浸透至内部。
如此，根据本实施例，在第一引线框架610及第二引脚框架620中，考虑到防止由于导电性粘结剂造成的短路、提高与主体部630的粘结力及贴合力，第二曲面B形成为具有比第一曲面A相对更大的曲率。
并且，图18是将根据本发明的第三实施例的封装件基板600沿长轴方向截断的剖面图(E1-E2)。图19是将根据本发明的第三实施例的封装件基板600沿长轴方向截断的另一剖面图(E3-E4)。并且，图20是将根据本发明的第三实施例的封装件基板600沿短轴方向截断的剖面图(E5-E6)。并且，图21是将根据本发明的第三实施例的封装件基板600沿短轴方向截断的另一剖面图(E7-E8)。
参照图15及图18，在主体部630的内壁的上部形成槽635。槽635在主体部630的内壁向主体部630的外壁方向形成。如此形成的槽635形成于主体部630的上表面与构成腔室631的内壁之间。即，封装件基板600的上部成为由于槽635而具有连接主体部630的上表面与内壁的边角凹陷的多段结构。
在图15中，图示了槽635形成在位于主体部630的长轴方向的内壁的情形，然而槽635形成的位置并不局限于此。例如，槽635也可以形成于主体部630的整个内壁。
当在腔室631的内部填充密封部件(未图示)或由于温度等变化造成密封部件的体积膨胀时，可能发生密封部件从主体部630的腔室631溢出的情况。此时，填充腔室631并溢出的密封部件位于槽635。从而，通过槽635能够防止密封部件覆盖主体部630的上表面。
比较图18及图20，主体部630的位于短轴方向的内壁的倾斜度α2小于位于长轴方向的内壁的倾斜度α1。在此，倾斜角是腔室631的底部与内壁构成的倾斜角。即，主体部630形成为位于短轴方向的内壁比位于长轴方向的内壁更陡峭。
并且，参照图22至图24，当将发光二极管芯片710贴装于封装件基板600时，发光二极管芯片710与内壁之间的距离在短轴方向上比在长轴方向上更短。即，位于短轴方向的主体部630的内壁与发光二极管芯片710的侧表面之间的距离较短。因此，位于短轴方向的主体部630的内壁的倾斜度应该考虑主体部630的有限的短轴方向的宽度及主体部630通过注塑工序形成的情形。并且，从发光二极管芯片710的侧表面射出的光应该沿封装件基板600的上部方向反射。从而，位于短轴方向的主体部630的内壁应该能够防止从发光二极管芯片710的侧表面射出的光在主体部630的内壁反射而再次入射至发光二极管芯片710。如此，位于短轴方向的主体部630的内壁的倾斜度α2应该考虑与发光二极管芯片710的距离、注塑工序及光的再次入射问题等。
位于长轴方向的主体部630的内壁与发光二极管芯片710的距离大于位于短轴方向的主体部630的内壁与发光二极管芯片710的距离。即，位于长轴方向的主体部630的内壁与发光二极管芯片710之间应形成有足够的空间。因此，位于长轴方向的主体部630的内壁的倾斜度α1应该考虑使得发光二极管芯片710的光不会再次入射至发光二极管芯片710而朝向封装件基板600的上部方向。
例如，在主体部630位于长轴方向的内壁的倾斜度α1为147°，位于短轴方向的内壁的倾斜度α2为122°。
这样形成的发光二极管封装件700能够防止发光二极管芯片710的光在内壁反射而再次入射至发光二极管芯片710，从而能够最小化发光二极管封装件的光损失。
图22至图24是示出根据本发明的又一实施例的发光二极管封装件的示意图。
图22是根据又一实施例的发光二极管封装件的上部平面图。并且，图23是图22的发光二极管封装件的剖面图(F1-F2)。并且，图24是图22的发光二极管封装件的另一剖面图(F3-F4)。
发光二极管封装件700包括封装件基板600、发光二极管芯片710、齐纳二极管芯片720及密封部件750。在此，封装件基板600是通过图12至图21说明的根据第三实施例的封装件基板。
在发光二极管芯片710的下部布置有凸起垫711。在此，发光二极管芯片710的凸起垫711包括与发光二极管芯片710内部的n型半导体层电连接的凸起垫以及与p型半导体层电连接的凸起垫。
发光二极管芯片710布置于第一贴装部611及第二贴装部621上。此时，第一贴装部611及第二贴装部621与凸起垫711之间布置有导电性粘结剂730。发光二极管芯片710通过导电性粘结剂730固定于第一贴装部611及第二贴装部621上，并与第一贴装部611及第二贴装部621电连接。例如，导电性粘结剂730为焊料(Solder)。
齐纳二极管芯片720布置于第二齐纳连接部662上，并通过引线与第二齐纳连接部662连接。此时，齐纳二极管芯片720的上部及下部可以布置有分别与齐纳二极管芯片720的内部电连接的凸起垫721。
在齐纳二极管芯片720的凸起垫721与第二齐纳连接部662之间可以布置有导电性粘结剂730。进而，齐纳二极管芯片720通过导电性粘结剂730固定于第二齐纳连接部662上部，并与第二齐纳连接部662电连接。
第一贴装部611与第一齐纳连接部661形成于第一引脚框架610且相互电连接。并且，第二贴装部621与第二齐纳连接部662形成于第二引脚框架620且相互电连接。
据此，在本实施例的发光二极管封装件700中，发光二极管芯片710与齐纳二极管芯片720并联电连接。
在布置有发光二极管芯片710及齐纳二极管芯片720的封装件基板600的腔室631填充有密封部件750。
如上所述，针对本发明的具体的说明借助于参照附图的实施例而进行，但是上述实施例中，仅仅说明了本发明的优选的示例，因此本发明不应被理解为局限于上述的实施例，本发明的权利范围应当按权利要求书记载的范围以及其等同概念来理解。

Claims (10)

1.一种发光二极管封装件，包括：
主体部，在上部具有腔室，并且具有沿一方向较长的形状；
第一引线框架，结合于所述主体部的底部，并且包含在所述腔室暴露的第一贴装部、在所述主体部的长度较短的一侧表面暴露的第一端子部和暴露于所述主体部的下表面的第一连接部；
第二引线框架，与所述第一引线框架沿横向隔开且结合于所述主体部的底部，并且包含在所述腔室暴露的第二贴装部、在所述主体部的长度较短的另一侧表面暴露的第二端子部和暴露于所述主体部的下表面的第二连接部；
发光二极管芯片，布置于所述主体部的所述腔室，且与所述第一贴装部及所述第二贴装部电连接；以及
密封部件，填充于所述腔室，以包围所述发光二极管芯片，
其中，所述第一引脚框架及所述第二引脚框架包括作为从上表面凹陷形成的槽的槽部，
所述槽部沿所述第一贴装部及所述第二贴装部的轮廓形成，
所述第一引线框架的与所述第一端子部连接的下部的边角被半蚀刻而形成为曲面，
所述第二引线框架的与所述第二端子部连接的下部的边角被半蚀刻而形成为曲面。
2.根据权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，还包括：
至少一个凸出部，从所述第一引线框架及所述第二引线框架中的至少一个的侧表面凸出，
所述凸出部从所述主体部的长度较长的侧表面暴露。
3.根据权利要求2所述的发光二极管封装件，其中，
所述槽部形成于所述凸出部与所述第一贴装部或所述第二贴装部之间。
4.根据权利要求2所述的发光二极管封装件，其中，
所述凸出部为多个，
所述槽部形成于多个所述凸出部之间，
多个所述凸出部通过所述槽部相互隔开。
5.根据权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，
所述第一连接部包括：第1-1连接部，从所述第一端子部延伸；以及第1-2连接部，从所述第1-1连接部的一部分沿所述一方向朝向所述第二端子部延伸，并且宽度小于所述第1-1连接部，
所述第二连接部包括：第2-1连接部，从所述第二端子部延伸；以及第2-2连接部，从所述第2-1连接部的一部分沿所述一方向朝向所述第一端子部延伸，并且宽度小于所述第2-1连接部。
6.根据权利要求5所述的发光二极管封装件，其中，
所述第一引线框架包括：
第一曲面，作为使所述第1-1连接部与所述第1-2连接部连接的部分且与所述第2-2连接部相向；以及
第二曲面，连接与第一端子部连接而具有较大宽度的区域和与所述第1-2连接部而具有相对较小的宽度的区域，
其中，所述第一引线框架中，所述第二曲面具有大于所述第一曲面的曲率，
所述第二引线框包括：
第一曲面，作为使所述第2-1连接部与所述第2-2连接部连接的部分并且与所述第1-2连接部相向；以及
第二曲面，连接与第二端子部连接而具有较大宽度的区域和与所述第2-2连接部连接而具有相对较小的宽度的区域，
其中，所述第二引线框架中，所述第二曲面具有大于所述第一曲面的曲率。
7.根据权利要求5所述的发光二极管封装件，其中，
所述第1-2连接部与所述第2-1连接部之间的间隔距离及所述第2-2连接部与所述第1-1连接部之间的间隔距离：
大于所述第1-2连接部与所述第2-2连接部之间的间隔距离，
小于所述第1-2连接部与所述主体部的侧表面之间的间隔距离及所述第2-2连接部与所述主体部的侧表面之间的间隔距离。
8.根据权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，
所述发光二极管芯片包括：
基板，具有沿一方向较长的形状；
发光结构体，从所述基板下表面依次层叠有第一导电型半导体层、活性层和第二导电型半导体层；
第一凸起垫，与所述第一导电型半导体层电连接；以及
第二凸起垫，与所述第一凸起垫横向隔开，并与所述第二导电型半导体层电连接，
其中，所述第一凸起垫及所述第二凸起垫沿所述基板的一方向较长地形成，
所述第一凸起垫位于所述第一贴装部上部，所述第二凸起垫位于所述第二贴装部上部。
9.根据权利要求8所述的发光二极管封装件，其中，
所述第一凸起垫与所述第二凸起垫之间的间隔距离和所述第一贴装部与所述第二贴装部之间的间隔距离相同。
10.根据权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，还包括：
布置于所述腔室的齐纳二极管芯片，
所述第一引线框架及所述第二引线框架还包括暴露于所述腔室并与所述齐纳二极管芯片电连接的齐纳连接部，
所述齐纳二极管芯片通过所述第一引线框架及所述第二引线框架与所述发光二极管芯片并联连接。
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