CN109994589A - 发光器件封装 - Google Patents

发光器件封装 Download PDF

Info

Publication number
CN109994589A
CN109994589A CN201910001305.7A CN201910001305A CN109994589A CN 109994589 A CN109994589 A CN 109994589A CN 201910001305 A CN201910001305 A CN 201910001305A CN 109994589 A CN109994589 A CN 109994589A
Authority
CN
China
Prior art keywords
opening
light emitting
engaging portion
recess
ontology
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910001305.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109994589B (zh
Inventor
金元中
宋俊午
金基石
任仓满
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd
Original Assignee
LG Innotek Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Innotek Co Ltd filed Critical LG Innotek Co Ltd
Publication of CN109994589A publication Critical patent/CN109994589A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109994589B publication Critical patent/CN109994589B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

根据实施例的发光器件封装包括：本体，该本体包括上表面、下表面、将上表面和下表面连接的侧表面、以及贯穿该上表面和下表面的第一开口和第二开口；以及发光器件，该发光器件包括分别布置在第一开口和第二开口上的第一结合部和第二结合部，其中所述本体可以包括设置在下表面上的凹部，该凹部可以与第一开口和第二开口竖直地重叠，并且该凹部可以在所述本体的侧表面处暴露。

Description

发光器件封装
技术领域
实施例涉及一种半导体器件封装、制造半导体器件封装的方法和光源设备。
背景技术
包括诸如GaN和AlGaN的化合物的半导体器件具有许多优点，例如宽且易于调节的带隙能，所以该器件能够以各种方式用作发光器件、光接收器件和各种二极管。
特别地，由于薄膜生长技术和器件材料的发展，通过使用III-V族或II-VI族化合物半导体物质获得的诸如发光二极管和激光二极管的发光器件能够实现具有各种波段的光，例如红光、绿光、蓝光和紫外线。另外，通过使用III-V族或II-VI族化合物半导体物质获得的诸如发光二极管和激光二极管的发光器件能够通过使用荧光物质或组合颜色来实现具有高效率的白光源。与诸如荧光灯和白炽灯的传统光源相比，这种发光器件具有诸如低功耗、半永久寿命、响应速度快、安全和环保的优点。
此外，随着器件材料的发展，当使用III-V族或II-VI族化合物半导体物质来制造诸如光电探测器或太阳能电池的光接收器件时，通过吸收具有各种波长域的光来生成光电流，使得能够使用具有各种波长域的光，例如从伽马射线到无线电波。另外，上述光接收器件具有诸如响应速度快、安全、环保和易于控制器件材料等的优点，使得光接收器件能够方便地用于功率控制、超高频电路或通信模块。
因此，半导体器件已经应用并扩展到光通信工具的传输模块、替代构成液晶显示器(LCD)的背光的冷阴极荧光灯(CCFL)的发光二极管背光源、可替代荧光灯或白炽灯泡的白色发光二极管照明设备、车辆前照灯、交通灯和用于检测天然气或火灾的传感器。另外，半导体器件的应用能够扩展到高频应用电路、功率控制设备或通信模块。
例如，发光器件可以被提供为具有通过使用元素周期表中的III-V族元素或II-VI族元素将电能转换成光能的特性的pn结二极管，并且能够通过调节化合物半导体物质的组分比来实现各种波长。
例如，因为氮化物半导体具有高的热稳定性和宽的带隙能，所以在光学器件和高功率电子器件的开发领域中已经受到极大关注。特别地，使用氮化物半导体的蓝色发光器件、绿色发光器件、紫外(UV)发光器件和红色发光器件被商业化并广泛使用。
例如，紫外发光器件是指产生分布在200nm至400nm的波长范围内的光的发光二极管。在上述波长范围中，短波长可以用于灭菌、净化等，而长波长可以用于光刻机、固化设备等。
按照长波长的顺序，紫外线可以被分类成UV-A(315nm至400nm)、UV-B(280nm至315nm)和UV-C(200nm至280nm)。UV-A(315nm至400nm)域被应用于各种领域，例如工业UV固化、印刷油墨固化、曝光机、假币的鉴别、光催化灭菌、特殊照明(例如水族箱/农业)，UV-B(280nm至315nm)域被应用于医疗用途，并且UV-C(200nm至280nm)域被应用于空气净化、水净化、灭菌产品等。
同时，由于已经要求能够提供高输出的半导体器件，因此正在进行能够通过施加高功率源来增加输出功率的半导体器件的研究。
另外，关于半导体器件封装，已经进行了提高半导体器件的光提取效率和提高封装阶段中的光强度的方法的研究。另外，关于半导体器件封装，已经进行了提高封装电极和半导体器件之间的结合强度的方法的研究。
另外，关于半导体器件封装，已经进行了通过提高工艺效率和改变结构来降低制造成本和提高制造产量的方法的研究。
发明内容
实施例可以提供能够改进光提取效率和电特性的半导体器件封装、制造半导体器件封装的方法和光源设备。
实施例可以提供能够降低制造成本并提高制造产量的半导体器件封装、制造半导体器件封装的方法和光源设备。
实施例可以提供一种半导体器件封装和制造半导体器件封装的方法，其可以防止在将半导体器件封装重新结合到基板等的工艺期间在半导体器件封装的结合区域中发生重熔现象(re-melting phenomenon)。
根据实施例的发光器件封装包括：本体，该本体包括上表面、下表面、将上表面和下表面连接的侧表面、以及贯穿该上表面和下表面的第一开口和第二开口；以及发光器件，该发光器件包括分别布置在第一开口和第二开口上的第一结合部和第二结合部，其中，所述本体可以包括设置在下表面上的凹部，其中，该凹部可以与第一开口和第二开口竖直地重叠，并且其中，该凹部可以在所述本体的侧表面处暴露。
根据实施例，所述本体的侧表面可以包括彼此面对的第一侧表面和第二侧表面，并且所述凹部可以贯穿第一侧表面和第二侧表面。
根据实施例，所述本体的侧表面可以具有在第一侧表面处彼此间隔开的至少两个暴露部分。
根据实施例，该凹部可以包括：第一凹部，该第一凹部在与从发光器件的第一结合部朝向发光器件的第二结合部的第一方向相同的方向上延伸；和第二凹部，该第二凹部在与第一方向垂直的第二方向上延伸。
根据实施例，所述本体可以包括第一部分和第二部分，其中，该第二部分可以布置在发光器件下方以提供第一开口和第二开口，其中第一部分可以设置在第二部分周围，其中第二部分的厚度可以设置成小于第一部分的厚度，其中第一部分的下表面和第二部分的下表面可以设置成彼此成台阶状，并且其中第二部分的下表面可以布置得高于第一部分的下表面。
根据实施例的发光器件封装还可以包括：第一树脂，该第一树脂布置在所述本体和发光器件之间；以及上凹部，该上凹部设置在第二部分的上表面上，并且第一树脂可以布置在该上凹部处。
根据实施例，该上凹部可以包括第一上凹部和第二上凹部，并且第一上部凹部可以围绕第一开口设置，并且第二上部凹部可以围绕第二开口设置。
根据实施例，该上凹部还可以包括第三上凹部，并且该第三上凹部可以在第一开口和第二开口之间布置在所述上表面上。
根据实施例，第一结合部和第二结合部可以在第三方向上与第一开口和第二开口重叠，其中第三方向可以垂直于第一方向和第二方向，并且可以是从所述本体的下表面朝向所述本体的上表面的方向。
根据实施例，第一结合部和第二结合部的下表面的面积可以设置成分别大于第一开口和第二开口的上部区域的面积。
根据实施例的发光器件封装可以包括导体，该导体布置在第一开口和第二开口中并分别电连接到第一结合部和第二结合部。
根据实施例的发光器件封装可以包括布置在所述本体的下表面下方的电路板，并且所述本体的第二部分的下表面可以布置成与电路板的上表面间隔开以提供空间。
根据实施例的发光器件封装包括：本体，该本体包括上表面、下表面、将上表面和下表面连接的侧表面、以及从上表面贯穿到下表面的第一开口和第二开口；以及发光器件，该发光器件包括布置在第一开口上的第一结合部和布置在第二开口上的第二结合部，其中所述本体可以包括设置在下表面上的凹部，并且其中该凹部可以通过贯穿所述本体的侧表面当中的、彼此面对的第一侧表面和第二侧表面而设置。
根据实施例，该凹部可以布置在所述本体的下表面上，并且包括多个区域，所述多个区域被布置成在从所述本体的下表面朝向所述本体的上表面的方向上凹进，并且所述多个区域中的至少两个区域可以设置成彼此连接。
根据实施例，该凹部可以包括贯穿第一侧表面和第二侧表面的第一下凹部、以及贯穿第一侧表面和第二侧表面的第二下凹部，并且第一下凹部和第二下凹部可以布置成与第一侧表面和第二侧表面间隔开。
根据实施例，第一下凹部可以设置成暴露于第一侧表面和第二侧表面，并且第二下凹部可以布置成暴露于第一侧表面和第二侧表面。
根据实施例，该凹部可以包括：第一凹部，该第一凹部在与从发光器件的第一结合部朝向其第二结合部的第一方向相同的方向上延伸；和第二凹部，该第二凹部在与第一方向垂直的第二方向上延伸。
根据实施例，该凹部可以设置在第一开口和第二开口的周围。
根据实施例的发光器件封装可以包括导体，该导体布置在第一开口和第二开口中并分别电连接到第一结合部和第二结合部。
根据实施例的发光器件封装可以包括布置在所述本体的下表面下方的电路板，并且所述本体的下表面的一部分可以布置成与电路板的上表面间隔开。
有利效果
根据实施例的半导体器件封装和制造半导体器件封装的方法能够改善光提取效率、电特性和可靠性。
根据实施例的半导体器件封装和制造半导体器件封装的方法能够提高工艺效率并提出了新的封装结构，从而降低了制造成本并提高制造产量。
根据实施例，半导体器件封装设置有具有高反射率的本体，从而能够防止反射器变色，从而提高半导体器件封装的可靠性。
根据实施例，半导体器件封装和制造半导体器件的方法能够防止在将半导体器件封装重新结合到基板等或对半导体器件封装进行热处理的工艺期间在半导体器件封装的结合区域中发生重熔现象。
附图说明
图1是示出了根据本发明的实施例的发光器件封装的平面图。
图2是图1中所示的发光器件封装的底视图。
图3是沿着图1中所示的发光器件封装的线D-D截取的剖视图。
图4是说明图1中所示的发光器件封装的分解透视图。
图5是示出了根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例的视图。
图6是示出了根据本发明的实施例的发光器件封装的又一示例的视图。
图7是示出了根据本发明的实施例的发光器件封装的又一示例的视图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图描述实施例。在对实施例的描述中，将会理解，当一个层(或膜)、区域、图案或结构被称为在另一层(或膜)、区域、图案或结构“上”或“下方”时，“上”和“下方”的术语包括“直接”或“通过插入有另一层(间接)”的含义。此外，将基于附图进行关于每层“上”和“下方”的参考，但实施例不限于此。
在下文中，将参考附图详细描述根据本发明的实施例的半导体器件封装和制造半导体器件封装的方法。在下文中，将基于其中应用发光器件作为半导体器件的一个示例的情形来描述。
首先，将参考图1至图4描述根据本发明的实施例的发光器件封装。
图1示出了其中未安装发光器件120以便可以容易地确认根据实施例的发光器件封装100的结构的状态，并且图3和4示出了本体110和发光器件120之间的布置关系。
如图1至图4中所示，根据实施例的发光器件封装100可以包括本体110和发光器件120。
本体110可以包括第一本体111和第二本体113。第二本体113可以布置在第一本体111上。第二本体113可以布置在第一本体111的上表面的外周处。第二本体113可以提供在第一本体111的上表面上的腔体C。
换句话说，第一本体111可以被称为下本体，而第二本体113可以被称为上本体。
第二本体113可以在向上方向上反射从发光器件120发射的光。第二本体113可以布置成相对于第一本体111的上表面倾斜。
本体110可以包括腔体C。腔体C可以包括底表面和侧表面，该侧表面从所述底表面倾斜到本体110的上表面。
第一本体111可以包括第一部分111a、第二部分111b和第三部分111c。第一本体111可以包括具有不同厚度的部分。
例如，第一部分111a可以设有第二厚度T2，并且第二部分111b可以设有第一厚度T1。另外，第三部分111c可以设有在第一部分111a的厚度和第二部分111b的厚度之间的厚度范围。
第一本体111可以包括由第一部分111a和第二部分111b之间的厚度差提供的台阶状区域。第二部分111b的下表面可以布置得高于第一部分111a的下表面。
稍后将描述根据实施例的发光器件封装的台阶状区域的效果。
例如，本体110可以由从由聚邻苯二甲酰胺(PPA)、多氯三苯基(PCT)、液晶聚合物(LCP)、聚酰胺9T(PA9T)、硅树脂、环氧树脂模制化合物(EMC)、硅树脂模制化合物(SMC)、陶瓷、光敏玻璃(PSG)、蓝宝石(Al2O3)等组成的组中选出的至少一种形成。另外，本体110可以包括高折射率填料，例如TiO2或SiO2。
根据实施例，发光器件120可以包括第一结合部121、第二结合部122、发光结构123和基板124。
发光结构123可以包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层，以及布置在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的有源层。第一结合部121可以电连接到第一导电型半导体层。另外，第二结合部122可以电连接到第二导电型半导体层。
发光器件120可以布置在本体110上。发光器件120可以布置在第一本体111上。发光器件120可以布置在由第二本体113提供的腔体C中。
第一结合部121可以布置在发光器件120的下表面上。第二结合部122可以布置在发光器件120的下表面上。第一结合部121和第二结合部122可以布置成在发光器件120的下表面上彼此间隔开。
第一结合部121可以布置在发光结构123和第一本体111之间。第二结合部122可以布置在发光结构123和第一本体111之间。
第一结合部121和第二结合部122可以通过使用从由Ti、Al、Sn、In、Ir、Ta、Pd、Co、Cr、Mg、Zn、Ni、Si、Ge、Ag、Ag合金、Au、Hf、Pt、Ru、Rh、Sn、Cu、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO和Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO或其合金组成的组中选出的至少一种材料被形成为单层或多层。
如图1和图2所示，根据实施例的发光器件封装100可以包括第一开口TH1和第二开口TH2。
例如，第一开口TH1和第二开口TH2可以由第一本体111的第二部分111b提供。另外，第一本体111的第一部分111a可以设置在第二部分111b周围。
本体110可以包括从腔体C的底表面贯穿到本体110的下表面的第一开口TH1。本体110可以包括从腔体C的底表面贯穿到本体110的下表面的第二开口TH2。
第一开口TH1可以设置在第一本体111处。第一开口TH1可以通过贯穿第一本体111被设置。第一开口TH1可以通过在第一方向上贯穿第一本体111的上表面和下表面被设置。
第一开口TH1可以设置在第一本体111的第二部分111b处。第一开口TH1可以通过贯穿第二部分111b来设置。可以通过在第一方向贯穿第二部分111b的上表面和下表面来设置第一开口TH1。
第一开口TH1可以布置在发光器件120下方。第一开口TH1可以设置成与发光器件120的第一结合部121重叠。第一开口TH1可以设置成在从第一本体111的上表面朝向第一本体111的下表面的第一方向上与发光器件120的第一结合部121重叠。
例如，第一结合部121的下表面可以布置得高于第一开口TH1的上表面。第一结合部121的下表面可以布置得高于第一本体111的上表面。
第二开口TH2可以设置在第一本体111处。第二开口TH2可以通过贯穿第一本体111来设置。第二开口TH2可以通过在第一方向上贯穿第一本体111的上表面和下表面来设置。
第二开口TH2可以设置在第一本体111的第二部分111b处。第二开口TH2可以通过贯穿第二部分111b来设置。第二开口TH2可以通过在第一方向上贯穿第二部分111b的上表面和下表面来设置。
第二开口TH2可以布置在发光器件120下方。第二开口TH2可以设置成与发光器件120的第二结合部122重叠。第二开口TH2可以设置成在从第一本体111的上表面朝向第一本体111的下表面的第一方向上与发光器件120的第二结合部122重叠。
例如，第二结合部122的下表面可以布置得高于第二开口TH2的上表面。第二结合部122的下表面可以布置得高于第一本体111的上表面。
第一开口TH1和第二开口TH2可以布置成彼此间隔开。第一开口TH1和第二开口TH2可以布置成在发光器件120的下表面下方彼此间隔开。
根据实施例，第一开口TH1的上部区域的宽度可以设置成小于第一结合部121的下表面的宽度。另外，第二开口TH1的上部区域的宽度可以设置成小于第二结合部122的下表面的宽度。
另外，第一开口TH1的上部区域的宽度可以设置成小于或等于第一开口TH1的下部区域的宽度。此外，第二开口TH2的上部区域的宽度可以设置成小于或等于第二开口TH2的下部区域的宽度。
第一开口TH1可以以倾斜的形状设置，其中宽度随着从下部区域朝向上部区域而逐渐减小。第二开口TH2可以以倾斜的形状设置，其中宽度随着从下部区域朝向上部区域而逐渐减小。
然而，本发明不限于此，并且第一开口TH1和第二开口TH2的上部区域和下部区域之间的倾斜表面可以具有多个具有不同斜率的倾斜表面，并且这些倾斜表面可以布置成具有曲率。
第一本体111的下表面区域中的、第一开口TH1和第二开口TH2之间的宽度可以设置为几百微米。作为示例，第一本体111的下表面区域中的、第一开口TH1和第二开口TH2之间的宽度可以设置为100至300微米。
第一本体111的下表面区域中的、第一开口TH1和第二开口TH2之间的宽度可以选择为被设置超过预定距离，以便于在根据实施例的发光器件封装100后来安装在电路板、子底座等上时防止发生焊盘之间的短路。
根据实施例的发光器件封装100可以包括凹部。发光器件封装100可以包括多个凹部。所述多个凹部可以设置在第一本体111的上表面上。
例如，根据实施例的发光器件封装100可以包括第一上凹部R10、第二上凹部R20和第三上凹部R30。
第一上凹部R10可以设置在第一本体111的上表面上。第一上凹部R10可以设置成在从第一本体111的上表面朝向其下表面的方向上凹进。第一上凹部R10可以设置成与第一开口TH1间隔开。
第一上凹部R10可以设置在第一开口TH1的周边处。第一上凹部R10可以布置在第一结合部121的周边处。第一上凹部R10可以布置在发光器件120下方。
第二上凹部R20可以设置在第一本体111的上表面上。第二上凹部R20可以设置成在从第一本体111的上表面朝向其下表面的方向上凹进。第二上凹部R20可以设置成与第二开口TH2间隔开。
第二上凹部R20可以设置在第二开口TH2的周边处。第二上凹部R20可以布置在第二结合部122的周边处。第二上凹部R20可以布置在发光器件120下方。
当从根据实施例的发光器件封装100的上方观察时，第一上凹部R10和第二上凹部R20可以布置成与发光器件120重叠。第一上凹部R10可以布置成在第一结合部121的三个侧表面上重叠。另外，第二上凹部R20可以布置成在第二结合部122的三个侧表面上重叠。
第一上凹部R10可以包括在发光器件120的短轴方向上延伸的第一区域、沿着发光器件120的长轴方向从第一区域的一端延伸的第二区域、以及沿着发光器件120的长轴方向从第一区域的另一端延伸的第三区域。第一上凹部R10的第二区域和第一上凹部R10的第三区域可以彼此平行地设置。
第二上凹部R20可以包括在发光器件120的短轴方向上延伸的第一区域、沿着发光器件120的长轴方向从第一区域的一端延伸的第二区域、以及沿着发光器件120的长轴方向从第一区域的另一端延伸的第三区域。第二上凹部R20的第二区域和第二上凹部R20的第三区域可以彼此平行地设置。
例如，第一上凹部R10的第一区域和第二上凹部R20的第一区域可以彼此平行地设置。
根据实施例，第一上凹部R10的第二区域可以沿着发光器件120的长轴方向从第一上凹部R10的第一区域延伸，并且可以连接到第二上凹部R20的第二区域。第一上凹部R10的第三区域可以沿着发光器件120的长轴方向从第一上凹部R10的第一区域延伸，并且可以连接到第二上凹部R20的第三区域。
第三上凹部R30可以设置在第一上凹部R10和第二上凹部R20之间。第三上凹部R30可以设置在第一开口TH1和第二开口TH2之间。第三上凹部R30可以设置成与第一上凹部R10连接。第三上凹部R30可以设置成与第二上凹部R20连接。
当从发光器件120的向上方向观察时，第三上凹部R30可以布置在第一结合部121和第二结合部122之间。
根据另一实施例，第一至第三上凹部R10、R20和R30可以不彼此连接，而是可以布置成彼此间隔开。
第一至第三上凹部R10、R20和R30的宽度和深度可以设置为几十微米。作为示例，第一至第三上凹部R10、R20和R30的宽度和深度可以设置为20至40微米。
第一至第三上凹部R10、R20和R30的横截面可以设置为多边形形状。另外，第一至第三上凹部R10、R20和R30的横截面可以设置为弯曲形状。作为示例，第一至第三上凹部R10、R20和R30的横截面可以设置为矩形形状或三角形形状。
根据实施例的发光器件封装100可以包括第一树脂130。
第一树脂130可以布置在发光器件120和第一本体111之间。第一树脂130可以布置在第一结合部121和第二结合部122之间。作为示例，第一树脂130可以布置成与第一结合部121的侧表面和第二结合部122的侧表面接触。
第一树脂130可以在发光器件120和第一本体111之间提供稳定的固定力。作为示例，第一树脂130可以布置成与第一本体111的上表面直接接触。第一树脂130可以布置成与发光器件120的下表面直接接触。
第一树脂130可以设置在由第二本体113提供的腔体的整个底表面上。第一树脂130可以布置在第一本体111的由第二本体113暴露的上表面上。当从发光器件120的向上方向观察时，第一树脂130可以布置在发光器件120的外周处。
另外，可以考虑第一树脂130、本体110和发光器件120之间的热膨胀系数(CTE)匹配来选择第一树脂130的物理性质。第一树脂130可以选自具有低CTE值的树脂。这里，第一树脂130可以被称为低CTE底部反射器(LCBR)，并且可以改进由于热冲击导致的破裂或剥离的问题。
例如，第一树脂130可以被提供为绝缘粘合剂。作为示例，第一树脂130可以包括以下项中的至少一种：环氧基材料、硅树脂基材料、和包括环氧基材料和硅树脂基材料的混合材料。此外，作为示例，当第一树脂130具有反射功能时，该粘合剂可以包括白色硅树脂。第一树脂130可以被称为粘合剂。
第一树脂130可以在第一本体111和发光器件120之间提供稳定的固定力，并且当光被发射到发光器件120的下表面时，可以在发光器件120和本体110之间提供光漫射功能。当光从发光器件120发射到发光器件120的下表面时，第一树脂130提供光漫射功能，从而提高发光器件封装100的光提取效率。
根据实施例，第一树脂130可以设置在本体110的、设有第一开口TH1和第二开口TH2的部分区域中。作为示例，第一树脂130可以通过诸如涂覆、点图(dotting)或注入的方法设置在第一本体111的上表面的部分区域上。
第一树脂130可以设置在第一至第三上凹部R10、R20和R30处。第一树脂130可以设置在第一至第三上凹部R10、R20和R30的部分区域处。
当第一树脂130设置在第一至第三上凹部R10、R20和R30处时，可以容易地控制第一树脂130的注入区域和注入量。
然后，发光器件120可以附接在第一本体111上。因此，第一树脂130可以在发光器件120和第一本体111之间扩散和移动。第一树脂130可以设置成扩散到第一结合部121和第二结合部122的周边。第一树脂130可以布置在第一和第二结合部112、122与第一和第二开口TH1、TH2之间的区域中。另外，可以通过使用粘度和表面张力来控制第一树脂130以免移动到第一开口TH1和第二开口TH2中。
另外，第一树脂130可以布置在发光器件120下方并且可以发挥密封功能。第一树脂130可以密封第一开口TH1和第二开口TH2的上部区域。第一树脂130可以密封第一结合部121和第二结合部122的外周区域。因此，可以防止水分或异物从第一开口TH1和第二开口TH2的区域进入布置有发光器件120的区域。
第一至第三上凹部R10、R20和R30可以提供适当的空间，在该空间中，可以在发光器件120的下部处执行一种底部填充工艺。第一至第三上凹部R10、R20和R30可以设置为第一深度或更大深度，使得第一树脂130可以足够多地设置在发光器件120的下表面和第一本体111的上表面之间。此外，第一至第三上凹部R10、R20和R30可以设置为第二深度或更小深度，以提供第一本体111的稳定强度。
作为示例，第一至第三上凹部R10、R20和R30的深度T1可以设置为几十微米。第一至第三上凹部R10、R20和R30的深度T1可以设置为40至60微米。
另外，根据实施例的发光器件封装100可以包括第二树脂140。
第二树脂140可以设置在发光器件120上。第二树脂140可以布置在第一本体111上。第二树脂140可以布置在由第二本体113提供的腔体C中。
第二树脂140可以包括绝缘材料。第二树脂140可以被提供为透明模制构件。例如，第二树脂140可以包括硅树脂基树脂或环氧基树脂。
另外，第二树脂140可以包括波长转换装置，该波长转换装置被构造成接收从发光器件120发射的光并提供经过波长转换的光。作为示例，第二树脂140可以包括磷光体、量子点等。
另外，根据实施例，发光结构123可以设置为化合物半导体。作为示例，发光结构123可以设置为II-VI族或III-V族化合物半导体。例如，发光结构123可以设置有从铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)、磷(P)、砷(As)和氮(N)中选出的至少两种或更多种元素。
发光结构123可以包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层。
第一导电型半导体层和第二导电型半导体层可以实施为II-VI族或III-V族化合物半导体中的至少一种。第一导电型半导体层和第二导电型半导体层可以由具有经验式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的半导体材料形成。例如，第一导电型半导体层和第二导电型半导体层可以包括从由GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP等组成的组中选出的至少一种。第一导电型半导体层可以是掺杂有诸如Si、Ge、Sn、Se或Te的n型掺杂剂的n型半导体层。第二导电型半导体层可以是掺杂有诸如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba的p型掺杂剂的p型半导体层。
有源层可以实施为化合物半导体。有源层可以实施为III-V族或II-VI族化合物半导体中的至少一种。当有源层被实施为多阱结构时，有源层可以包括交替布置的多个阱层和多个势垒层，并且有源层可以布置为具有经验式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的半导体材料。例如，有源层可以包括从由InGaN/GaN、GaN/AlGaN、AlGaN/AlGaN、InGaN/AlGaN、InGaN/InGaN、AlGaAs/GaAs、InGaAs/GaAs、InGaP/GaP、AlInGaP/InGaP和InP/GaAs组成的组中选出的至少一种。
根据实施例的发光器件封装100可以被提供有作为空空间的第一开口TH1和第二开口TH2。另外，在稍后将发光器件封装100安装在子底座、主基板等上的过程中，可以在第一开口TH1和第二开口TH2的区域中形成导体。
在根据实施例的发光器件封装100中，考虑到导体可以稍后设置在第一开口TH1和第二开口TH2中，第一本体111的厚度可以被选择为几十微米到几百微米。
例如，考虑到本体110的强度，第一本体111的第二部分111b的厚度可以被选择为70微米或更大。另外，其中设置有第一开口TH1和第二开口TH2的第二部分111b的厚度可以被选择为110微米或更小，以便所述导体被提供给第一开口TH1和第二开口TH2并且结合到第一结合部121和第二结合部122。
如上所述，根据实施例的发光器件封装100可以包括从第一本体111的下表面向其上部区域凹进地设置的多个区域S1、S2、S3和S4。所述多个区域S1、S2、S3和S4可以提供一种热空气路径。
所述多个区域S1、S2、S3和S4可以被称为设置在第一本体111的下表面上的凹部。所述多个区域S1、S2、S3和S4可以在第一本体111的下表面上提供一种下凹部。
第一本体111可以包括上表面、下表面、以及将上表面和下表面连接的侧表面。所述多个区域S1、S2、S3和S4可以设置在第一本体111的下表面上。
第一本体111可以提供贯穿所述上表面和下表面的第一开口TH1和第二开口TH2。第一本体111可以包括设置在下表面上的凹部，并且该凹部可以与第一开口TH1和第二开口TH2竖直地重叠，并且该凹部可以在第一本体111的侧表面处暴露。
所述多个区域S1、S2、S3和S4可以彼此连接。作为示例，所述多个区域S1、S2、S3和S4中的至少两个可以设置成彼此连接。所述多个区域S1、S2、S3和S4可以设置在第一开口TH1和第二开口TH2周围。
所述多个区域S1、S2、S3和S4中的每个区域均可以提供一个下凹部。另外，所述多个区域S1、S2、S3和S4的一部分可以连接以提供另一个下凹部。此外，可以提供将所述多个区域S1、S2、S3和S4的一部分连接的又一个下凹部。
该凹部可以包括贯穿第一侧表面和第二侧表面的第一下凹部。作为示例，该凹部可以包括连接第一区域S1和第三区域S3的第一下凹部。另外，该凹部可以包括贯穿第一侧表面和第二侧表面的第二下凹部。作为示例，该凹部可以包括连接第一区域S1和第三区域S3的第二下凹部。
第一下凹部和第二下凹部可以在第一侧表面和第二侧表面上彼此间隔开。第一下凹部可以布置成暴露于第一侧表面和第二侧表面。另外，第二下凹部可以布置成暴露于第一侧表面和第二侧表面。
所述多个区域S1、S2、S3和S4可以设置在与第一开口TH1和第二开口TH2贯穿地设置的方向垂直的方向上。第一开口TH1和第二开口TH2可以设置在从第一本体111的上表面到下表面贯穿的第一方向上。所述多个区域S1、S2、S3和S4可以设置在与第一方向垂直的第二方向上。
所述多个区域S1、S2、S3和S4中的第一区域S1和第二区域S2可以垂直于发光器件封装的长轴方向设置，并且可以布置成延伸到发光器件封装的第一长边的端部。所述多个区域S1、S2、S3和S4中的第三区域S3和第四区域S4可以垂直于发光器件封装的长轴方向设置，并且可以布置成延伸到发光器件封装的第二长边的端部。第一长边和第二长边可以彼此平行地布置。
该第一长边和第二长边可以布置在第一本体111的侧表面上，并且可以布置成彼此面对。第一开口TH1和第二开口TH2可以设置在第一长边和第二长边之间。
例如，所述多个区域S1、S2、S3和S4可以设置成延伸到第一本体111的侧表面。所述多个区域S1、S2、S3和S4可以在第一本体111的侧表面处暴露。
例如，第一长边可以被称为第一侧表面，并且第二长边可以被称为第二侧表面。第一侧表面和第二侧表面可以设置成彼此面对。由所述多个区域S1、S2、S3和S4形成的凹部可以通过贯穿第一侧表面和第二侧表面而设置。
另外，该凹部可以包括在第一侧表面处彼此间隔开的至少两个暴露部分。此外，该凹部可以包括在第二侧表面处彼此间隔开的至少两个暴露部分。作为示例，所述多个区域S1、S2、S3和S4中的与第一侧表面和第二侧表面接触的区域可以被称为暴露部分。
在根据实施例的发光器件封装中，该凹部可以包括：第一凹部，该第一凹部在与从发光器件120的第一结合部121朝向其第二结合部122的第一方向相同的方向上延伸；和第二凹部，该第二凹部在与第一方向垂直的第二方向上延伸。
例如，第一凹部可以设置在第一开口TH1和第二开口TH2周围，并且可以平行于从第一结合部121朝向第二结合部122的第一方向设置，并且可以是将S1区域和S2区域连接的凹入部。另外，第二凹部可以设置在与第一方向垂直的第二方向上，并且可以是布置在第一开口TH1和第二开口TH2之间的凹入部。第一凹部和第二凹部可以设置成彼此连接。
另外，第一凹部可以设置在第一开口TH1和第二开口TH2周围，并且可以平行于从第一结合部121朝向第二结合部122的第一方向设置，并且可以是将S3区域和S4区域连接的凹入部。另外，第二凹部可以设置在与第一方向垂直的第二方向上，并且可以是布置在第一开口TH1和第二开口TH2之间的凹入部。第一凹部和第二凹部可以设置成彼此连接。
在导体被设置在第一开口TH1和第二开口TH2中的情况下，为了将所提供的导体正常地结合到第一结合部121和第二结合部122，应通过回流工艺等供应可以熔化该导体的适当量的热量。
然而，由于根据实施例的发光器件封装100不包括具有优良导热性的导电框架，所以应用利用对流的热空气路径作为向设置在第一开口TH1和第二开口TH2中的导体供应足量的热量的方法。
根据实施例，由于可以通过由所述多个区域S1、S2、S3和S4提供的热空气路径将足量的热量供应到设置在第一开口TH1和第二开口TH2中的导体，所以能够防止在第一和第二结合部121、122与该导体之间发生诸如冷焊的结合故障。
同时，根据另一实施例的发光器件封装100，可以在导体被提供到第一开口TH1和第二开口TH2的状态下供应发光器件封装100。
在根据实施例的发光器件封装100中，电力可以通过设置在第一开口TH1中的导体连接到第一结合部121，并且电力可以通过设置在第二开口TH2中的导体连接到第二结合部122。
因此，发光器件120可以由通过第一结合部121和第二结合部122供应的驱动电力驱动。另外，从发光器件120发射的光可以在本体110的向上方向被提供。
同时，可以供应根据上述实施例的发光器件封装100以安装在子底座、电路板等上。
然而，当传统的发光器件封装安装在子底座、电路板等上时，可以应用诸如回流工艺的高温工艺。此时，在回流工艺中，在引线框架和设置在发光器件封装件处的发光器件之间的接合区域中发生重熔现象，从而可能削弱电连接和物理联接的稳定性。
然而，按照根据实施例的发光器件封装和制造发光器件封装的方法，根据实施例的发光器件120的第一结合部121和第二结合部122可以通过该导体被提供有驱动电力。另外，该导体的熔点可以被选择为具有比通常的结合材料的熔点高的值。
因此，即使当根据实施例的发光器件封装100通过回流工艺被结合到主基板等时，由于不会发生重熔现象，所以存在电连接和物理结合力不劣化的优点。
此外，按照根据实施例的发光器件封装100和制造发光器件封装的方法，导电膏可以用作导体，并且不必在制造该发光器件封装的过程中将本体110暴露于高温。因此，根据实施例，能够防止本体110暴露于高温并损坏或变色。
因此，可以扩宽构成本体110的材料的选择范围。根据实施例，可以使用相对低成本的树脂材料以及诸如陶瓷的昂贵材料来提供本体110。
例如，本体110可以包括从由聚邻苯二甲酰胺(PPA)、多氯三苯基(PCT)、环氧模制化合物(EMC)、硅树脂模制化合物(SMC)组成的组中选出的至少一种。
同时，按照根据上述实施例的发光器件封装，本体110可以仅包括具有平坦上表面的支撑构件，并且可以布置成不包括倾斜反射器。
换句话说，按照根据实施例的发光器件封装，本体110可以设置有提供腔体C的结构。另外，本体110可以设置有具有平坦上表面的结构而不提供腔体C。
接下来，将参考图5描述根据实施例的发光器件封装的另一示例。图5是示出了根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例的视图。
在参考图5描述根据实施例的发光器件封装时，可以省略对与参考图1至图4描述的内容重复的内容的描述。
图5中示出的根据本发明的实施例的发光器件封装300是其中参考图1至图4描述的发光器件封装100被安装在电路板310上并被供应的示例。
如图5中所示，根据实施例的发光器件封装300可以包括电路板310、本体110和发光器件120。
电路板310可以包括第一焊盘、第二焊盘和基板。用于控制发光器件120的驱动的电源电路可以设置在基板上。
本体110可以布置在电路板310上。电路板310的第一焊盘区域和第一结合部121可以通过导体133电连接。此外，电路板310的第二焊盘区域和第二结合部122可以通过导体133电连接。
作为示例，导体133可以被提供为导电粘合剂。导体133可以设置在电路板310的第一焊盘区域和第二焊盘区域上。在将本体110安装在电路板310上的过程中，导体133可以移动到第一开口TH1和第二开口TH2中并且可以设置成与第一结合部121和第二结合部122接触并被结合到第一结合部121和第二结合部122。作为示例，导体133可以通过毛细管现象等扩散并移动到第一开口TH1和第二开口TH2中。
例如，导体133可以包括从由Ag、Au、Pt、Sn、Cu等或其合金组成的组中选出的至少一种材料。然而，本发明不限于此，并且，能够确保导电功能的材料可以用于该导体133。
例如，可以通过使用导电膏形成导体133。该导电膏可以包括焊膏、银膏等，并且可以由不同材料构成的多层组成，或者由其合金构成的多层或单层组成。作为示例，导体133可以包括SAC(Sn-Ag-Cu)材料。
本体110可以包括第一本体111和第二本体113。第二本体113可以布置在第一本体111上。第二本体113可以布置在第一本体111的上表面的外周处。第二本体113可以提供在第一本体111的上表面上的腔体C。
第一本体111可以包括第一部分111a、第二部分111b和第三部分111c。第一本体111可以包括具有不同厚度的部分。
例如，第一部分111a可以设有第二厚度T2，并且第二部分111b可以设有第一厚度T1。另外，第三部分111c可以设有在第一部分111a的厚度和第二部分111b的厚度之间的厚度范围。
第一本体111可以包括由第一部分111a和第二部分111b之间的厚度差提供的台阶状区域。第二部分111b的下表面可以布置得高于第一部分111a的下表面。
根据实施例，发光器件120可以包括第一结合部121、第二结合部122、发光结构123和基板124。
发光器件120可以布置在本体110上。发光器件120可以布置在第一本体111上。发光器件120可以布置在由第二本体113提供的腔体C中。
第一结合部121可以布置在发光器件120的下表面上。第二结合部122可以布置在发光器件120的下表面上。第一结合部121和第二结合部122可以布置成在发光器件120的下表面上彼此间隔开。
第一结合部121可以布置在发光结构123和第一本体111之间。第二结合部122可以布置在发光结构123和第一本体111之间。
根据实施例的发光器件封装300可以包括第一开口TH1和第二开口TH2。
第一开口TH1可以布置在第一本体111处。第一开口TH1可以通过贯穿第一本体111而设置。第一开口TH1可以通过在第一方向上贯穿第一本体111的上表面和下表面而设置。
第一开口TH1可以设置在第一本体111的第二部分111b处。第一开口TH1可以通过贯穿第二部分111b而设置。可以通过在第一方向上贯穿第二部分111b的上表面和下表面来设置第一开口TH1。
第一开口TH1可以布置在发光器件120下方。第一开口TH1可以设置成与发光器件120的第一结合部121重叠。第一开口TH1可以设置成在从第一本体111的上表面朝向其下表面的第一方向上与发光器件120的第一结合部121重叠。
例如，第一结合部121的下表面可以布置得高于第一开口TH1的上表面。第一结合部121的下表面可以布置得高于第一本体111的上表面。
第二开口TH2可以设置在第一本体111处。第二开口TH2可以通过贯穿第一本体111而设置。第二开口TH2可以通过在第一方向上贯穿第一本体111的上表面和下表面而设置。
第二开口TH2可以设置在第一本体111的第二部分111b处。第二开口TH2可以通过贯穿第二部分111b而设置。可以通过在第一方向上贯穿第二部分111b的上表面和下表面来设置第二开口TH2。
第二开口TH2可以布置在发光器件120下方。第二开口TH2可以设置成与发光器件120的第二结合部122重叠。第二开口TH2可以设置成在从第一本体111的上表面朝向其下表面的第一方向上与发光器件120的第二结合部122重叠。
例如，第二结合部122的下表面可以布置得高于第二开口TH2的上表面。第二结合部122的下表面可以布置得高于第一本体111的上表面。
第一开口TH1和第二开口TH2可以布置成彼此间隔开。第一开口TH1和第二开口TH2可以布置成在发光器件120的下表面下方彼此间隔开。
根据实施例，第一开口TH1的上部区域的宽度可以设置成小于第一结合部121的下表面的宽度。此外，第二开口TH2的上部区域的宽度可以设置成小于第二结合部122的下表面的宽度。
另外，第一开口TH1的上部区域的宽度可以设置成小于或等于第一开口TH1的下部区域的宽度。此外，第二开口TH2的上部区域的宽度可以设置成小于或等于第二开口TH2的下部区域的宽度。
第一开口TH1可以以倾斜的形状设置，其中宽度随着从下部区域朝向上部区域而逐渐减小。第二开口TH2可以以倾斜的形状设置，其中宽度随着从下部区域朝向上部区域而逐渐减小。
然而，本发明不限于此，并且第一开口TH1和第二开口TH2的上部区域和下部区域之间的倾斜表面可以具有多个具有不同斜率的倾斜表面，并且这些倾斜表面可以布置成具有曲率。
第一本体111的下表面区域中的、第一开口TH1和第二开口TH2之间的宽度可以设置为几百微米。作为示例，第一本体111的下表面区域中的、第一开口TH1和第二开口TH2之间的宽度可以设置为100至300微米。
根据实施例的发光器件封装300可以包括凹部。发光器件封装300可以包括多个凹部。所述多个凹部可以设置在第一本体111的上表面上。
例如，根据实施例的发光器件封装300可以包括第一上凹部R10、第二上凹部R20和第三上凹部R30。
另外，根据实施例的发光器件封装300可以包括第一树脂130。
第一树脂130可以布置在发光器件120和第一本体111之间。第一树脂130可以布置在第一结合部121和第二结合部122之间。作为示例，第一树脂130可以布置成与第一结合部121的侧表面和第二结合部122的侧表面接触。
第一树脂130可以在发光器件120和第一本体111之间提供稳定的固定力。作为示例，第一树脂130可以布置成与第一本体111的上表面直接接触。第一树脂130可以布置成与发光器件120的下表面直接接触。
根据实施例，第一树脂130可以设置在本体110的、设有第一开口TH1和第二开口TH2的部分区域中。作为示例，第一树脂130可以通过诸如涂覆、点图或注入的方法设置在第一本体111的上表面的部分区域上。
第一树脂130可以设置在第一至第三上凹部R10、R20和R30处。第一树脂130可以设置在第一至第三上凹部R10、R20和R30的部分区域处。
当第一树脂130设置在第一至第三上凹部R10、R20和R30处时，可以容易地控制第一树脂130的注入区域和注入量。
另外，第一树脂130可以布置在发光器件120下方并且可以发挥密封功能。第一树脂130可以密封第一开口TH1和第二开口TH2的上部区域。第一树脂130可以密封第一结合部121和第二结合部122的外周区域。因此，可以防止水分或异物从第一开口TH1和第二开口TH2的区域进入布置有发光器件120的区域。
另外，根据实施例的发光器件封装300可以包括第二树脂140。
第二树脂140可以设置在发光器件120上。第二树脂140可以布置在第一本体111上。第二树脂140可以布置在由第二本体113提供的腔体C中。
例如，考虑到本体110的强度，第一本体111的第二部分111b的厚度可以被选择为70微米或更大。另外，其中设置有第一开口TH1和第二开口TH2的第二部分111b的厚度可以被选择为110微米或更小，以便导体133被提供给第一开口TH1和第二开口TH2并且结合到第一结合部121和第二结合部122。
根据实施例的发光器件封装300可以包括如上所述的从第一本体111的下表面向其上部区域凹进地设置的多个区域S1、S2、S3和S4。所述多个区域S1、S2、S3和S4可以提供一种热空气路径。
所述多个区域S1、S2、S3和S4可以被称为设置在第一本体111的下表面上的凹部。多个区域S1、S2、S3和S4可以在第一本体111的下表面上提供一种下凹部。
第一本体111可以包括上表面、下表面以及将上表面和下表面连接的侧表面。所述多个区域S1、S2、S3和S4可以设置在第一本体111的下表面上。
第一本体111可以提供贯穿所述上表面和下表面的第一开口TH1和第二开口TH2。第一本体111可以包括设置在下表面上的凹部，并且该凹部可以与第一开口TH1和第二开口TH2竖直地重叠，并且该凹部可以在第一本体111的侧表面处暴露。
所述多个区域S1、S2、S3和S4可以彼此连接。作为示例，所述多个区域S1、S2、S3和S4中的至少两个可以设置成彼此连接。所述多个区域S1、S2、S3和S4可以设置在第一开口TH1和第二开口TH2周围。
所述多个区域S1、S2、S3和S4中的每个区域均可以提供一个下凹部。另外，所述多个区域S1、S2、S3和S4的一部分可以连接以提供另一个下凹部。此外，可以提供将所述多个区域S1、S2、S3和S4的一部分连接的又一下凹部。
所述多个区域S1、S2、S3和S4可以设置在与第一开口TH1和第二开口TH2贯穿地设置的方向垂直的方向上。第一开口TH1和第二开口TH2可以设置在从第一本体111的上表面到下表面贯穿的第一方向上。多个区域S1、S2、S3和S4可以设置在与第一方向垂直的第二方向上。
所述多个区域S1、S2、S3和S4中的第一区域S1和第二区域S2可以垂直于发光器件封装的长轴方向设置，并且可以布置成延伸到发光器件封装的第一长边的端部。所述多个区域S1、S2、S3和S4中的第三区域S3和第四区域S4可以垂直于发光器件封装的长轴方向设置，并且可以布置成延伸到发光器件封装的第二长边的端部。第一长边和第二长边可以彼此平行地布置。
该第一长边和第二长边可以布置在第一本体111的侧表面上，并且可以布置成彼此面对。第一开口TH1和第二开口TH2可以设置在第一长边和第二长边之间。
例如，所述多个区域S1、S2、S3和S4可以设置成延伸到第一本体111的侧表面。所述多个区域S1、S2、S3和S4可以在第一本体111的侧表面上处暴露。
例如，第一长边可以被称为第一侧表面，并且第二长边可以被称为第二侧表面。第一侧表面和第二侧表面可以设置成彼此面对。由所述多个区域S1、S2、S3和S4形成的凹部可以通过贯穿第一侧表面和第二侧表面而设置。
另外，该凹部可以包括在第一侧表面处彼此间隔开的至少两个暴露部分。此外，该凹部可以包括在第二侧表面处彼此间隔开的至少两个暴露部分。作为示例，所述多个区域S1、S2、S3和S4中的与第一侧表面和第二侧表面接触的区域可以被称为暴露部分。
在根据实施例的发光器件封装中，该凹部可以包括：第一凹部，该第一凹部在与从发光器件120的第一结合部121朝向其第二结合部122的第一方向相同的方向上延伸；和第二凹部，该第二凹部在与第一方向垂直的第二方向上延伸。
例如，第一凹部可以设置在第一开口TH1和第二开口TH2周围，并且可以平行于从第一结合部121朝向第二结合部122的第一方向设置，并且可以是将S1区域和S2区域连接的凹入部。另外，第二凹部可以设置在与第一方向垂直的第二方向上，并且可以是布置在第一开口TH1和第二开口TH2之间的凹入部。第一凹部和第二凹部可以设置成彼此连接。
另外，第一凹部可以设置在第一开口TH1和第二开口TH2周围，并且可以平行于从第一结合部121朝向第二结合部122的第一方向设置，并且可以是将S3区域和S4区域连接的凹入部。另外，第二凹部可以设置在第一方向垂直的第二方向上，并且可以是布置在第一开口TH1和第二开口TH2之间的凹入部。第一凹部和第二凹部可以设置成彼此连接。
在导体133被设置在第一开口TH1和第二开口TH2中的情况下，为了将所提供的导体133正常地结合到第一结合部121和第二结合部122，应将通过回流工艺等供应可以熔化导体133的适当量的热量。
然而，由于根据实施例的发光器件封装300不包括具有优良导热性的导电框架，所以应用利用对流的热空气路径作为向设置在第一开口TH1和第二开口TH2中的导体133供应足量的热量的方法。
可以在第一本体111的第二部分111b的下表面与电路板310的上表面之间提供空间，并且该空间可以用作热空气路径。
根据实施例，由于可以通过由所述多个区域S1、S2、S3和S4提供的热空气路径将足量的热量供应到设置在第一开口TH1和第二开口TH2中的导体133，所以能够防止在第一和第二结合部121、122与导体133之间发生诸如冷焊的结合故障。
接下来，将参考图6描述根据实施例的发光器件封装的另一示例。图6是示出了根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例的视图。
在参考图6描述根据实施例的发光器件封装时，可以省略对与参考图1至图5描述的内容重复的内容的描述。
图6中示出的根据本发明的实施例的发光器件封装400是其中封装本体110被安装在电路板310上并供应的示例。
如图6中所示，根据实施例的发光器件封装400可以包括电路板310、本体110和发光器件120。
电路板310可以包括第一焊盘、第二焊盘和基板。用于控制发光器件120的驱动的电源电路可以设置在该基板上。
本体110可以布置在电路板310上。电路板310的第一焊盘区域和第一结合部121可以通过导体133电连接。此外，电路板310的第二焊盘区域和第二结合部122可以通过导体133电连接。
作为示例，导体133可以被提供为导电粘合剂。导体133可以设置在电路板310的第一焊盘区域和第二焊盘区域上。在将本体110安装在电路板310上的过程中，导体133可以移动到第一开口TH1和第二开口TH2中，并且可以设置成与第一结合部121和第二结合部122接触并结合到第一结合部121和第二结合部122。作为示例，导体133可以通过毛细管现象等扩散并移动到第一开口TH1和第二开口TH2中。
例如，导体133可以包括从由Ag、Au、Pt、Sn、Cu等或其合金组成的组中选出的至少一种材料。然而，本发明不限于此，并且，能够确保导电功能的材料可以用于导体133。
例如，可以通过使用导电膏形成导体133。该导电膏可以包括焊膏、银膏等，并且可以由不同材料构成的多层组成，或者由其合金构成的多层或单层组成。作为示例，导体133可以包括SAC(Sn-Ag-Cu)材料。
本体110可以包括第一本体111和第二本体113。第二本体113可以布置在第一本体111上。第二本体113可以布置在第一本体111的上表面的外周处。第二本体113可以提供在第一本体111的上表面上的腔体C。
第一本体111可以包括第一部分111a、第二部分111b、第三部分111c和第四部分111d。第一本体111可以包括具有不同厚度的部分。
例如，第一部分111a可以设有第二厚度T2，并且第二部分111b可以设有第一厚度T1。第三部分111c可以设有在第一部分111a的厚度和第二部分111b的厚度之间的厚度范围。第四部分111d可以设有与第一部分111a的厚度相同的厚度。
第一本体111可以包括由第一部分111a和第二部分111b之间的厚度差提供的台阶状区域。第二部分111b的下表面可以布置得高于第一部分111a的下表面。
根据实施例，发光器件120可以包括第一结合部121、第二结合部122、发光结构123和基板124。
发光器件120可以布置在本体110上。发光器件120可以布置在第一本体111上。发光器件120可以布置在由第二本体113提供的腔体C中。
第一结合部121可以布置在发光器件120的下表面上。第二结合部122可以布置在发光器件120的下表面上。第一结合部121和第二结合部122可以布置成在发光器件120的下表面上彼此间隔开。
第一结合部121可以布置在发光结构123和第一本体111之间。第二结合部122可以布置在发光结构123和第一本体111之间。
根据实施例的发光器件封装400可以包括第一开口TH1和第二开口TH2。
本体110可以包括从腔体C的底表面贯穿到本体110的下表面的第一开口TH1。本体110可以包括从腔体C的底表面贯穿到本体110的下表面的第二开口TH2。
第一开口TH1可以设置在第一本体111处。第一开口TH1可以通过贯穿第一本体111而设置。第一开口TH1可以通过在第一方向上贯穿第一本体111的上表面和下表面而设置。
第一开口TH1可以设置在第一本体111的第二部分111b中。第一开口TH1可以通过贯穿第二部分111b而设置。可以通过在第一方向上贯穿第二部分111b的上表面和下表面来设置第一开口TH1。第一开口TH1可以设置在第二部分111b和第四部分111d之间。
第一开口TH1可以布置在发光器件120下方。第一开口TH1可以设置成与发光器件120的第一结合部121重叠。第一开口TH1可以设置成在从第一本体111的上表面朝向其下表面的第一方向上与发光器件120的第一结合部121重叠。
例如，第一结合部121的下表面可以布置得高于第一开口TH1的上表面。第一结合部121的下表面可以布置得高于第一本体111的上表面。
第二开口TH2可以设置在第一本体111处。第二开口TH2可以通过贯穿第一本体111而设置。第二开口TH2可以通过在第一方向上贯穿第一本体111的上表面和下表面而设置。
第二开口TH2可以设置在第一本体111的第二部分111b处。第二开口TH2可以通过贯穿第二部分111b而设置。可以通过在第一方向上贯穿第二部分111b的上表面和下表面来设置第二开口TH2。第二开口TH2可以设置在第二部分111b和第四部分111d之间。
第二开口TH2可以布置在发光器件120下方。第二开口TH2可以设置成与发光器件120的第二结合部122重叠。第二开口TH2可以设置成在从第一本体111的上表面朝向其下表面的第一方向上与发光器件120的第二结合部122重叠。
例如，第二结合部122的下表面可以布置得高于第二开口TH2的上表面。第二结合部122的下表面可以布置得高于第一本体111的上表面。
第一开口TH1和第二开口TH2可以布置成彼此间隔开。第一开口TH1和第二开口TH2可以布置成在发光器件120的下表面下方彼此间隔开。
根据实施例，第一开口TH1的上部区域的宽度可以设置成小于第一结合部121的下表面的宽度。此外，第二开口TH2的上部区域的宽度可以设置成小于第二结合部122的下表面的宽度。
另外，第一开口TH1的上部区域的宽度可以设置成小于或等于第一开口TH1的下部区域的宽度。此外，第二开口TH2的上部区域的宽度可以设置成小于或等于第二开口TH2的下部区域的宽度。
第一本体111的下表面区域中的、第一开口TH1和第二开口TH2之间的宽度可以设置为几百微米。作为示例，第一本体111的下表面区域中的、第一开口TH1和第二开口TH2之间的宽度可以设置为100至300微米。第四部分111d的下表面的宽度可以设置为100至300微米。
第一本体111的下表面区域中的、第一开口TH1和第二开口TH2之间的宽度可以选择为被设置超过预定距离，以便在根据实施例的发光器件封装400后来安装在电路板、子底座等上时防止发生焊盘之间的短路。
根据实施例的发光器件封装400可以包括凹部。发光器件封装400可以包括多个凹部。所述多个凹部可以设置在第一本体111的上表面上。
例如，根据实施例的发光器件封装400可以包括第一上凹部R10、第二上凹部R20和第三上凹部R30。
第一上凹部R10可以设置在第一本体111的上表面上。第一上凹部R10可以设置成在从第一本体111的上表面朝向其下表面的方向上凹进。第一上凹部R10可以设置成与第一开口TH1间隔开。
第一上凹部R10可以设置在第一开口TH1的周边处。第一上凹部R10可以布置在第一结合部121的周边处。第一上凹部R10可以布置在发光器件120下方。
第二上凹部R20可以设置在第一本体111的上表面上。第二上凹部R20可以设置成在从第一本体111的上表面朝向其下表面的方向上凹进。第二上凹部R20可以设置成与第二开口TH2间隔开。
第二上凹部R20可以设置在第二开口TH2的周边处。第二上凹部R20可以布置在第二结合部122的周边处。第二上凹部R20可以布置在发光器件120下方。
当从根据实施例的发光器件封装400的向上方向观察时，第一上凹部R10和第二上凹部R20可以布置成与发光器件120重叠。第一上凹部R10可以布置成在第一结合部121的三个侧表面上重叠。另外，第二上凹部R20可以布置成在第二结合部122的三个侧表面上重叠。
另外，根据实施例的发光器件封装400可以包括第一树脂130。
第一树脂130可以布置在发光器件120和第一本体111之间。第一树脂130可以布置在第一结合部121和第二结合部122之间。作为示例，第一树脂130可以布置成与第一结合部121的侧表面和第二结合部122的侧表面接触。
第一树脂130可以在发光器件120和第一本体111之间提供稳定的固定力。作为示例，第一树脂130可以布置成与第一本体111的上表面直接接触。第一树脂130可以布置成与发光器件120的下表面直接接触。
第一树脂130可以设置在由第二本体113提供的腔体的整个底表面上。第一树脂130可以布置在第一本体111的由第二本体113暴露的上表面上。当从发光器件120的向上方向观察时，第一树脂130可以布置在发光器件120的外周处。
另外，可以考虑第一树脂130、本体110和发光器件120之间的热膨胀系数(CTE)匹配来选择第一树脂130的物理性质。第一树脂130可以选自具有低CTE值的树脂。这里，第一树脂130可以被称为低CTE底部反射器(LCBR)，并且可以改进由于热冲击导致的破裂或剥离的问题。
例如，第一树脂130可以被提供为绝缘粘合剂。作为示例，第一树脂130可以包括以下项中的至少一种：环氧基材料、硅树脂基材料、和包括环氧基材料和硅树脂基材料的混合材料。此外，作为示例，当第一树脂130具有反射功能时，该粘合剂可以包括白色硅树脂。第一树脂130可以被称为粘合剂。
第一树脂130可以在第一本体111和发光器件120之间提供稳定的固定力，并且当光被发射到发光器件120的下表面时，可以在光发射器件120和本体110之间提供光漫射功能。当光从发光器件120发射到发光器件120的下表面时，第一树脂130提供光漫射功能，从而提高发光器件封装100的光提取效率。
根据实施例，第一树脂130可以设置在本体110的、设有第一开口TH1和第二开口TH2的部分区域中。作为示例，第一树脂130可以通过诸如涂覆、点图或注入的方法设置在第一本体111的上表面的部分区域上。
第一树脂130可以设置在第一至第三上凹部R10、R20和R30处。第一树脂130可以设置在第一至第三上凹部R10、R20和R30的部分区域处。
当第一树脂130设置在第一至第三上凹部R10、R20和R30处时，可以容易地控制第一树脂130的注入区域和注入量。
然后，发光器件120可以附接在第一本体111上。因此，第一树脂130可以在发光器件120和第一本体111之间扩散和移动。第一树脂130可以设置成扩散到第一结合部121和第二结合部122的周边。第一树脂130可以布置在第一和第二结合部121、122与第一和第二开口TH1、TH2之间的区域中。另外，可以通过使用粘度和表面张力来控制第一树脂130以免移动到第一开口TH1和第二开口TH2中。
另外，第一树脂130可以布置在发光器件120下方并且可以发挥密封功能。第一树脂130可以密封第一开口TH1和第二开口TH2的上部区域。第一树脂130可以密封第一结合部121和第二结合部122的外周区域。因此，可以防止水分或异物从第一开口TH1和第二开口TH2的区域进入布置有发光器件120的区域。
另外，根据实施例的发光器件封装400可以包括第二树脂140。
第二树脂140可以设置在发光器件120上。第二树脂140可以布置在第一本体111上。第二树脂140可以布置在由第二本体113提供的腔体C中。
第二树脂140可以包括绝缘材料。第二树脂140可以被提供为透明模制构件。例如，第二树脂140可以包括硅树脂基树脂或环氧基树脂。
另外，第二树脂140可以包括波长转换装置，该波长转换装置被构造成接收从发光器件120发射的光并提供经过波长转换的光。作为示例，第二树脂140可以包括磷光体、量子点等。
例如，考虑到本体110的强度，第一本体111的第二部分111b的厚度可以被选择为70微米或更大。另外，其中设置有第一开口TH1和第二开口TH2的第二部分111b的厚度可以被选择为110微米或更小，以便导体113被提供给第一开口TH1和第二开口TH2并且结合到第一结合部121和第二结合部122。
如上所述，根据实施例的发光器件封装400可以包括从第一本体111的下表面向其上部区域凹进地设置的多个区域S1、S2、S3和S4。所述多个区域S1、S2、S3和S4可以提供一种热空气路径。
所述多个区域S1、S2、S3和S4可以被称为设置在第一本体111的下表面上的凹部。所述多个区域S1、S2、S3和S4可以在第一本体111的下表面上提供一种下凹部。
第一本体111可以包括上表面、下表面、以及将上表面和下表面连接的侧表面。所述多个区域S1、S2、S3和S4可以设置在第一本体111的下表面上。
第一本体111可以提供贯穿上表面和下表面的第一开口TH1和第二开口TH2。第一本体111可以包括设置在下表面上的凹部，并且该凹部可以与第一开口TH1和第二开口TH2竖直地重叠，并且该凹部可以在第一本体111的侧表面处暴露。
所述多个区域S1、S2、S3和S4可以彼此连接。作为示例，所述多个区域S1、S2、S3和S4中的至少两个可以设置成彼此连接。所述多个区域S1、S2、S3和S4可以设置在第一开口TH1和第二开口TH2周围。
所述多个区域S1、S2、S3和S4中的每个区域均可以提供一个下凹部。另外，所述多个区域S1、S2、S3和S4的一部分可以连接以提供另一下凹部。此外，可以提供将所述多个区域S1、S2、S3和S4的一部分连接的又一个下凹部。
所述多个区域S1、S2、S3和S4可以设置在与第一开口TH1和第二开口TH2贯穿地设置的方向垂直的方向上。第一开口TH1和第二开口TH2可以设置在从第一本体111的上表面到下表面贯穿的第一方向上。所述多个区域S1、S2、S3和S4可以设置在与第一方向垂直的第二方向上。
所述多个区域S1、S2、S3和S4中的第一区域S1和第二区域S2可以垂直于发光器件封装的长轴方向设置，并且可以布置成延伸到发光器件封装的第一长边的端部。所述多个区域S1、S2、S3和S4中的第三区域S3和第四区域S4可以垂直于发光器件封装的长轴方向设置，并且可以布置成延伸到发光器件封装的第二长边的端部。第一长边和第二长边可以彼此平行地布置。
第一长边和第二长边可以布置在第一本体111的侧表面上，并且可以布置成彼此面对。第一开口TH1和第二开口TH2可以设置在第一长边和第二长边之间。
例如，所述多个区域S1、S2、S3和S4可以设置成延伸到第一本体111的侧表面。所述多个区域S1、S2、S3和S4可以在第一本体111的侧表面处暴露。
例如，第一长边可以被称为第一侧表面，并且第二长边可以被称为第二侧表面。第一侧表面和第二侧表面可以布置成彼此面对。由所述多个区域S1、S2、S3和S4形成的凹部可以通过贯穿第一侧表面和第二侧表面而设置。
另外，该凹部可以包括在第一侧表面处彼此间隔开的至少两个暴露部分。此外，该凹部可以包括在第二侧表面处彼此间隔开的至少两个暴露部分。作为示例，所述多个区域S1、S2、S3和S4中的与第一侧表面和第二侧表面接触的区域可以被称为暴露部分。
在根据实施例的发光器件封装中，该凹部可以包括：第一凹部，该第一凹部在与从发光器件120的第一结合部121朝向其第二结合部122的第一方向相同的方向上延伸；和第二凹部，该第二凹部在与第一方向垂直的第二方向上延伸。
例如，第一凹部可以设置在第一开口TH1和第二开口TH2周围，并且可以平行于从第一结合部121朝向第二结合部122的第一方向设置，并且可以是将S1区域和S2区域连接的凹入部。另外，第二凹部可以设置在与第一方向垂直的第二方向上，并且可以是布置在第一开口TH1和第二开口TH2之间的凹入部。第一凹部和第二凹部可以设置成彼此连接。
另外，第一凹部可以设置在第一开口TH1和第二开口TH2周围，并且可以平行于从第一结合部121朝向第二结合部122的第一方向设置，并且可以是将S3区域和S4区域连接的凹入部。另外，第二凹部可以设置在与第一方向垂直的第二方向上，并且可以是布置在第一开口TH1和第二开口TH2之间的凹入部。第一凹部和第二凹部可以设置成彼此连接。
在导体133设置在第一开口TH1和第二开口TH2中的情况下，为了将导体133正常地结合到第一结合部121和第二结合部122，应通过回流工艺等供应可以熔化导体133的适当量的热量。
然而，由于根据实施例的发光器件封装400不包括具有优良导热性的导电框架，所以应用利用对流的热空气路径作为向设置在第一开口TH1和第二开口TH2中的导体供应足量的热量的方法。
可以在第一本体111的第二部分111b的下表面和电路板310的上表面之间提供空间，并且该空间可以用作热空气路径。
根据实施例，由于可以通过由所述多个区域S1、S2、S3和S4提供的热空气路径将足量的热量供应到设置在第一开口TH1和第二开口TH2中的导体133，所以能够防止在第一和第二结合部121、122与导体133之间发生诸如冷焊的结合故障。
另外，由于具有与第一部分111a的厚度相同的厚度的第四部分111d布置在第一开口TH1和第二开口TH2之间，所以能够防止设置在第一开口TH1和第二开口TH2处的导体133扩散移动并彼此电连接。
接下来，将参考图7描述根据实施例的发光器件封装的另一示例。图图7是示出了根据本发明的实施例的发光器件封装的另一示例的视图。
在参考图7描述根据实施例的发光器件封装中，可以省略对与参考图1至图6描述的内容重复的内容的描述。
如图7中所示，根据上述实施例的发光器件封装可以包括本体110，该本体110设置有第一开口TH1和第二开口TH2。作为示例，本体110的上表面可以设置成在整个区域上是平坦的。第一开口TH1和第二开口TH2可以通过在从本体110的上表面朝向其下表面的第一方向上贯穿而设置。
作为示例，第一开口TH1和第二开口TH2可以以矩形形状设置在本体110的上表面上。另外，第一开口TH1和第二开口TH2可以以矩形形状设置在本体110的下表面上。
另外，根据另一实施例，第一开口TH1和第二开口TH2可以分别以圆形形状设置在本体110的上表面和下表面上。此外，第一开口TH1可以设置为多个开口，并且第二开口TH2可以设置为多个开口。
同时，作为示例，可以在上述发光器件封装中提供倒装芯片发光器件。
作为示例，该倒装芯片发光器件可以设置为在六个表面方向上发射光的透射式倒装芯片发光器件，或者可以设置为在五个表面方向上发射光的反射式倒装芯片发光器件。
在五个表面方向上发射光的反射式倒装芯片发光器件可以具有以下结构：其中，反射层布置在靠近封装本体110的方向上。例如，该反射式倒装芯片发光器件可以包括绝缘反射层(例如，分布式布拉格反射器、全向反射器等)和/或导电式反射层(例如，Ag、Al、Ni、Au等)。
此外，该倒装芯片发光器件可以包括电连接到第一导电型半导体层的第一电极、和电连接到第二导电型半导体层的第二电极，并且可以设置为其中在第一电极和第二电极之间发射光的、通常的水平式发光器件。
此外，在六个表面方向上发射光的倒装芯片发光器件可以设置为透射式倒装芯片发光器件，其包括：反射区域，在该反射区域中在第一电极焊盘和第二电极焊盘之间布置有反射层；和透射区域，该透射区域发射光。
这里，透射式倒装芯片发光器件是指将光发射到其六个表面(上表面、四个侧表面和下表面)的器件。另外，反射式倒装芯片发光器件是指将光发射到上表面和四个侧表面的器件。
同时，根据实施例的发光器件封装可以应用于光源设备。
此外，该光源设备可以包括基于工业领域的显示设备、照明设备、前照灯等。
作为光源设备的一个示例，该显示设备包括底盖、布置在底盖上的反射板、发射光并包括发光器件的发光模块、布置在反射板的前面并引导从发光模块发射的光的导光板、布置在导光板前面的包括棱镜片的光学片、布置在光学片前面的显示面板、连接到显示面板并将图像信号供应到显示面板的图像信号输出电路、以及布置在显示面板前面的滤色器。这里，所述底盖、反射板、发光模块、导光板和光学片可以形成背光单元。另外，该显示设备可以具有如下结构：其中布置有分别发射红光、绿光和蓝光的发光器件而不包括滤色器。
作为光源设备的另一示例，该前照灯可以包括：发光模块，该发光模块包括布置在基板上的发光器件封装；反射器，该反射器用于在预定方向上(例如，在向前方向上)反射从发光模块发射的光；透镜，该透镜用于向前折射所述光；以及遮挡物，该遮挡物用于阻挡或反射由反射器反射并被直射到透镜的光的一部分，以形成设计者所期望的光分布图案。
作为另一光源设备的照明设备可以包括盖、光源模块、散热器、电源、内壳和插座。另外，根据实施例的光源设备还可以包括构件和保持器中的至少一个。该光源模块可以包括根据实施例的发光器件封装。
在以上实施例中描述的特征、结构、效果等被包括在至少一个实施例中，并且不仅限于一个实施例。此外，关于实施例中描述的特征、结构、效果等，本领域普通技术人员可以通过组合或修改来实现其他实施例。因此，与这些组合和修改相关的内容应被解释为包括在实施例的范围内。
尽管在前述的描述中提出并阐述了优选的实施例，但本发明不应解释为局限于此。将显而易见的是，在不脱离本发明的实施例的固有特征的范围内，本领域普通技术人员可以进行各种变形和修改。例如，可以通过修改来实现实施例中具体示出的每个部件。另外，显而易见的是，与这些修改和变形相关的差异被包括在本发明的所附权利要求中设定的实施例的范围内。

Claims (10)

1.一种发光器件封装，包括：
本体，所述本体包括上表面、下表面、将所述上表面和所述下表面连接的侧表面、以及第一开口和第二开口，所述第一开口和所述第二开口贯穿所述上表面和所述下表面；和
发光器件，所述发光器件包括第一结合部和第二结合部，所述第一结合部和所述第二结合部分别布置在所述第一开口和所述第二开口上，
其中，所述本体包括设置在所述下表面上的凹部，
其中，所述凹部与所述第一开口及所述第二开口竖直地重叠，并且
其中，所述凹部在所述本体的侧表面处暴露。
2.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述本体的所述侧表面包括彼此面对的第一侧表面和第二侧表面，并且所述凹部贯穿所述第一侧表面和所述第二侧表面。
3.根据权利要求2所述的发光器件封装，其中，所述本体的所述侧表面具有在所述第一侧表面处彼此间隔开的至少两个暴露部分。
4.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述凹部包括：第一凹部，所述第一凹部在与从所述发光器件的所述第一结合部朝向所述发光器件的所述第二结合部的第一方向相同的方向上延伸；和第二凹部，所述第二凹部在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸。
5.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述本体包括第一部分和第二部分，
其中，所述第二部分布置在所述发光器件下方以提供所述第一开口和所述第二开口，并且所述第一部分设置在所述第二部分周围，
其中，所述第二部分的厚度被设置成小于所述第一部分的厚度，
其中，所述第一部分的下表面和所述第二部分的下表面被设置成彼此成台阶状，并且
其中，所述第二部分的下表面被布置得高于所述第一部分的下表面。
6.根据权利要求5所述的发光器件封装，包括：
第一树脂，所述第一树脂布置在所述本体和所述发光器件之间；和
上凹部，所述上凹部设置在所述第二部分的上表面上，
其中，所述第一树脂布置在所述上凹部处。
7.根据权利要求6所述的发光器件封装，其中，所述上凹部包括第一上凹部和第二上凹部，并且
其中，所述第一上凹部围绕所述第一开口设置，并且所述第二上凹部围绕所述第二开口设置。
8.根据权利要求7所述的发光器件封装，其中，所述上凹部还包括第三上凹部，并且
其中，所述第三上凹部在所述第一开口和所述第二开口之间布置在上表面上。
9.根据权利要求4所述的发光器件封装，其中，所述第一结合部分和第二结合部在第三方向上与所述第一开口和第二开口重叠，并且
其中，所述第三方向垂直于所述第一方向和所述第二方向，并且是从所述本体的下表面朝向所述本体的上表面的方向。
10.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述第一结合部和第二结合部的下表面的面积分别设置成大于所述第一开口和第二开口的上部区域的面积。
CN201910001305.7A 2018-01-03 2019-01-02 发光器件封装 Active CN109994589B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180000506A KR102473424B1 (ko) 2018-01-03 2018-01-03 발광소자 패키지
KR10-2018-0000506 2018-01-03

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109994589A true CN109994589A (zh) 2019-07-09
CN109994589B CN109994589B (zh) 2022-12-30

Family

ID=67057812

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910001305.7A Active CN109994589B (zh) 2018-01-03 2019-01-02 发光器件封装

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10763398B2 (zh)
KR (1) KR102473424B1 (zh)
CN (1) CN109994589B (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102455086B1 (ko) * 2017-09-12 2022-10-17 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지 및 광원장치
KR102392013B1 (ko) * 2017-09-15 2022-04-28 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지
CN110534628B (zh) * 2018-05-24 2021-03-09 光宝光电(常州)有限公司 发光装置及其制造方法
US11244930B2 (en) * 2018-08-10 2022-02-08 Innolux Corporation Electronic device with light emitting units with reduced power consumption
US11233180B2 (en) * 2018-08-31 2022-01-25 Lumileds Llc Phosphor converted LED with high color quality
DE102018125138A1 (de) * 2018-10-11 2020-04-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes bauteil und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden bauteils

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100059807A1 (en) * 2008-09-05 2010-03-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor device having bar type active pattern
KR20120130846A (ko) * 2011-05-24 2012-12-04 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
US20140332839A1 (en) * 2013-05-07 2014-11-13 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
US20150060928A1 (en) * 2013-08-27 2015-03-05 Glo Ab Packaged led device with castellations
JP2015192095A (ja) * 2014-03-28 2015-11-02 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ発光装置及びｌｅｄ発光装置の製造方法
CN105355625A (zh) * 2010-06-01 2016-02-24 Lg伊诺特有限公司 发光器件封装
US20160056356A1 (en) * 2014-08-22 2016-02-25 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
KR20160041599A (ko) * 2014-10-08 2016-04-18 서울반도체 주식회사 발광 디바이스
US20170244012A1 (en) * 2016-02-18 2017-08-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Lead frame and semiconductor package including the lead frame

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100705241B1 (ko) 2005-12-15 2007-04-09 엘지전자 주식회사 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법
KR101676669B1 (ko) 2010-05-20 2016-11-16 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
WO2012061182A1 (en) * 2010-11-03 2012-05-10 3M Innovative Properties Company Flexible led device with wire bond free die
KR102075749B1 (ko) 2013-08-08 2020-03-02 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
US9496247B2 (en) * 2013-08-26 2016-11-15 Optiz, Inc. Integrated camera module and method of making same
TW201626604A (zh) * 2015-01-14 2016-07-16 億光電子工業股份有限公司 發光二極體封裝結構
KR102530759B1 (ko) * 2016-06-14 2023-05-11 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
TWI790249B (zh) * 2017-07-13 2023-01-21 大陸商蘇州樂琻半導體有限公司 發光裝置及發光裝置封裝
TWI778103B (zh) * 2017-07-21 2022-09-21 大陸商蘇州樂琻半導體有限公司 發光裝置封裝

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100059807A1 (en) * 2008-09-05 2010-03-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor device having bar type active pattern
CN105355625A (zh) * 2010-06-01 2016-02-24 Lg伊诺特有限公司 发光器件封装
KR20120130846A (ko) * 2011-05-24 2012-12-04 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
US20140332839A1 (en) * 2013-05-07 2014-11-13 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
US20150060928A1 (en) * 2013-08-27 2015-03-05 Glo Ab Packaged led device with castellations
JP2015192095A (ja) * 2014-03-28 2015-11-02 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ発光装置及びｌｅｄ発光装置の製造方法
US20160056356A1 (en) * 2014-08-22 2016-02-25 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
CN105390586A (zh) * 2014-08-22 2016-03-09 Lg伊诺特有限公司 发光器件封装
KR20160041599A (ko) * 2014-10-08 2016-04-18 서울반도체 주식회사 발광 디바이스
US20170244012A1 (en) * 2016-02-18 2017-08-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Lead frame and semiconductor package including the lead frame

Also Published As

Publication number Publication date
KR102473424B1 (ko) 2022-12-02
US10763398B2 (en) 2020-09-01
CN109994589B (zh) 2022-12-30
US20190207062A1 (en) 2019-07-04
KR20190083042A (ko) 2019-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109964323A (zh) 发光器件封装和包括该发光器件封装的光源设备
TWI790249B (zh) 發光裝置及發光裝置封裝
CN109994589A (zh) 发光器件封装
CN109429532A (zh) 发光器件封装和光源设备
CN109983590A (zh) 发光器件封装和光源单元
KR102592720B1 (ko) 발광소자 패키지 및 광원 장치
TWI778103B (zh) 發光裝置封裝
CN109244224B (zh) 发光器件封装
CN109328400A (zh) 发光器件封装和光源设备
US11302846B2 (en) Light emitting device package and light source unit
CN109757120B (zh) 发光器件封装
US11205740B2 (en) Light emitting device package and lighting device including same
KR20190006889A (ko) 발광소자 패키지
CN109791966A (zh) 发光器件封装
TWI775911B (zh) 發光裝置封裝
KR20190014957A (ko) 반도체 소자 패키지 및 광원 장치
KR20190034016A (ko) 발광소자 패키지 및 조명 모듈
KR102610607B1 (ko) 발광소자 패키지
KR102542297B1 (ko) 발광소자 패키지
KR20190065011A (ko) 발광소자 패키지
KR20190069152A (ko) 발광소자 패키지 및 광원 장치
KR102509064B1 (ko) 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명장치
KR20190136827A (ko) 발광 소자 패키지, 발광 소자 패키지 제조 방법 및 광원 장치
KR20190074133A (ko) 발광소자 패키지
KR20190028014A (ko) 발광소자 패키지

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20210715

Address after: 168 Changsheng North Road, Taicang City, Suzhou City, Jiangsu Province

Applicant after: Suzhou Leyu Semiconductor Co.,Ltd.

Address before: Seoul, South Kerean

Applicant before: LG INNOTEK Co.,Ltd.

TA01 Transfer of patent application right
CB02 Change of applicant information

Address after: 215499 No. 168, Changsheng North Road, Taicang City, Suzhou City, Jiangsu Province

Applicant after: Suzhou Liyu Semiconductor Co.,Ltd.

Address before: 215499 No. 168, Changsheng North Road, Taicang City, Suzhou City, Jiangsu Province

Applicant before: Suzhou Leyu Semiconductor Co.,Ltd.

CB02 Change of applicant information
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant