CN103811597A - 发光器件和发光器件阵列 - Google Patents

发光器件和发光器件阵列 Download PDF

Info

Publication number
CN103811597A
CN103811597A CN201310534465.0A CN201310534465A CN103811597A CN 103811597 A CN103811597 A CN 103811597A CN 201310534465 A CN201310534465 A CN 201310534465A CN 103811597 A CN103811597 A CN 103811597A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
light
adhesion
electrode
luminescent device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201310534465.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103811597B (zh
Inventor
崔炳然
范熙荣
李容京
李知桓
朱炫承
洪奇锡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd
Original Assignee
LG Innotek Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Innotek Co Ltd filed Critical LG Innotek Co Ltd
Publication of CN103811597A publication Critical patent/CN103811597A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103811597B publication Critical patent/CN103811597B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
    • H01L33/145—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure with a current-blocking structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明涉及一种发光器件和包括该发光器件的发光器件阵列。公开了一种发光器件，该发光器件包括：衬底；包括具有不同导电类型的下半导体层和上半导体层，以及布置在下半导体层与上半导体层之间的有源层的发光结构，该发光结构布置在衬底上；以及布置在上半导体层上的第一电极层，其中第一电极层包括彼此重叠的第一粘附层和第一接合层，其中在第一粘附层与第一接合层之间未布置反射层。

Description

发光器件和发光器件阵列
技术领域
实施方案涉及一种发光器件以及包括该发光器件的发光器件阵列。
背景技术
基于氮化镓（GaN）的金属有机化学气相沉积和分子束外延的生长，研制了显示出高亮度并且能够表现白光的红色、绿色和蓝色发光二极管（LED）。
这样的发光二极管（LED）具有优异的生态友好性，这是因为其不含环境有害物质（例如在如白炽灯或荧光灯的常规照明装置中使用的汞（Hg））并且由于长寿命和低功耗的优点，所以使用这样的发光二极管作为常规光源的替代者。这种LED竞争力的关键因素是基于高效率高电力芯片和封装技术实现高亮度。
为了实现高亮度，重要的是提高光提取效率。正在研究使用倒装芯片结构、表面结构化、图案化蓝宝石衬底（PSS）、光子晶体技术和抗反射层结构等各种方法来提高光提取效率。
一般而言，发光器件可包括发光结构，该发光结构包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层、布置在衬底上的用来向第一导电型半导体层提供第一电力的第一电极和用来向第二导电型半导体层提供第二电力的第二电极。
发明内容
实施方案提供了一种用来提高产率并且提供增强的光视效能的发光器件和包括该发光器件的发光器件阵列。
在一个实施方案中，发光器件包括：衬底；发光结构，所述发光结构包括具有不同导电类型的下半导体层和上半导体层以及布置在下半导体层与上半导体层之间的有源层，发光结构布置在衬底上；以及布置在上半导体层上的第一电极层，其中第一电极层包括彼此重叠的第一粘附层（adhesivelayer）和第一接合层（bondinglayer），其中在第一粘附层与第一接合层之间未布置有反射层。第一电极层还可包括布置在第一粘附层上的第一阻挡层，使得第一阻挡层接触第一粘附层。
发光器件还可以包括布置在下半导体层上的第二电极层，其中第二电极层包括彼此重叠的第二粘附层和第二接合层，其中在第二粘附层与第二接合层之间未布置有反射层。第二电极层还可以包括布置在第二粘附层上的第二阻挡层，使得第二阻挡层接触第二粘附层。
第一粘附层或第二粘附层可包括Cr、Rd或Ti中的至少一种。第一阻挡层可包括Ni、Cr、Ti或Pt中的至少一种。第一粘附层的厚度至少可为2nm至15nm。下半导体层的侧表面是倾斜的。
发光器件还可包括布置在上半导体层与第一电极层之间的导电层，并且还可以包括布置在导电层与上半导体层之间的电流阻挡层。导电层可以布置为包围电流阻挡层的上部和侧部。
电流阻挡层可以为分布式布拉格反射体。分布式布拉格反射体可包括绝缘材料，该绝缘材料包括交替层叠两次或更多次的具有不同折射率的第一层和第二层。第一电极层的宽度可为5μm至100μm。
第一接合层的厚度可以为100nm至2000nm。
在另一实施方案中，发光器件阵列包括：衬底、在衬底上沿着水平方向彼此间隔开的多个发光器件、用来连接多个发光器件中的两个发光器件的导电互连层、以及布置在发光器件与导电互连层之间的第一绝缘层。其中单独的发光器件包括：发光结构，该发光结构包括具有不同导电类型的下半导体层和上半导体层以及布置在下半导体层与上半导体层之间的有源层；布置在上半导体层上的第一电极层；以及布置在下半导体层上的第二电极层；其中导电互连层将两个发光器件中一个的第一电极层与两个发光器件中另一个的第二电极层连接，其中第一电极层包括彼此重叠的第一粘附层和第一接合层，其中在第一粘附层与第一接合层之间未布置反射层。
第二电极层包括彼此重叠的第二粘附层和第二接合层，其中在第二粘附层与第二接合层之间未布置反射层。第二电极层还可包括布置在第二粘附层上的第二阻挡层，使得第二阻挡层接触第二粘附层。
导电接合层可包括彼此重叠的第三粘附层和第三接合层，其中在第三粘附层与第三接合层之间未布置有反射层。
导电互连层还可包括在第三粘附层上的第三阻挡层，使得第三阻挡层接触第三粘附层。
第一粘附层、第二粘附层或第三粘附层可包括Cr、Rd或Ti中的至少一种。第一阻挡层、第二阻挡层或第三阻挡层可包括Ni、Cr、Ti或Pt中的至少一种。第一粘附层、第二粘附层或第三粘附层的厚度可为至少5nm至15nm。
发光器件阵列还可包括布置在第一绝缘层与发光器件之间的第二绝缘层。
第一绝缘层和第二绝缘层中的至少一个可以为分布式布拉格反射体。
通过导电互连层连接的两个发光器件的第一电极层和第二电极层以及导电互连层可彼此结合为一体。
导电互连层的厚度可大于第一电极层的厚度。每个发光器件还可包括布置在上半导体层与第一电极层之间的导电层。
每个发光器件还可包括在发光结构与第一电极层之间的与第一绝缘层间隔开的电流阻挡层。
第一导电层可以布置为包围电流阻挡层的上部和侧部，并且电流阻挡层可以为分布式布拉格反射体。
第一电极层的宽度可以为5μm至100μm。
发光器件可以通过导电互连层串联连接。
附图说明
参照下列附图详细描述布置和实施方式，在附图中，相同的附图标记指代相同的元件，其中：
图1是示出了根据一个实施方案的发光器件的截面图；
图2A至图2F是示出了图1中部分“A”的实施方案的视图；
图3是示出了使用根据该实施方案的发光器件的发光器件阵列的截面图；
图4是示出了根据另一实施方案的发光器件阵列的截面图；
图5是示出了根据又一实施方案的发光器件阵列的截面图；
图6是示出了根据又一实施方案的发光器件阵列的截面图；
图7是示出了根据又一实施方案的发光器件阵列的俯视图；
图8是沿着图7中示出的发光器件阵列的线8-8’取的截面图；
图9是沿着图7中示出的发光器件阵列的线9-9’取的截面图；
图10是沿着图7中示出的发光器件阵列的线10-10’取的截面图；
图11是沿着图7中示出的发光器件阵列的线11-11’取的截面图；
图12是示出了图7中示出的发光器件阵列的电路图；
图13是示出了根据又一实施方案的包括发光器件的发光器件阵列的截面图；
图14是示出了包括根据一个实施方案的发光器件封装件的照明装置的分解立体图；以及
图15是示出了包括根据一个实施方案的发光器件封装件的显示装置的视图。
具体实施方式
下文中，为了更好理解，将参照附图对实施方案进行描述。然而，实施方案可以以许多不同形式实施，并且实施方案不应该解释为限于本文所提出的实施方案。相反，提供这些实施方案使得本公开内容是彻底且完整的，并且向本领域技术人员充分表达本公开内容的范围。
在描述实施方案之前，关于优选实施方案的描述，应理解当一个元件被称为形成在另一元件“上”或“下”时，所述一个元件可以直接形成在另一元件“上”或“下”，或者可经由它们之间存在的中间元件间接地形成在另一个元件“上”或“下”。当元件被称为在“上”或“下”时，基于该元件可以包括“在元件下”以及“在元件上”。
在附图中，为了便于描述以及清楚起见，可以放大、忽略或示意性地示出每个层的厚度或者尺寸。另外，每个构成元件的尺寸或面积不完全反映其实际尺寸。
图1是示出了根据一个实施方案的发光器件100的截面图。
图1中示例性示出的发光器件100包括衬底10、缓冲层12、发光结构20、第一电极层30、第二电极层40和导电层50a。
衬底10可以使用适合于半导体材料生长的载体晶片来形成。此外，衬底10可以由具有优异的热导率的材料形成或者可以是导电衬底或绝缘衬底。此外，衬底10可由透光材料形成，并且可具有不会引起整个氮化物发光结构20弯曲并且使得能够通过划线和断裂工艺有效地划分成分开芯片的机械强度。例如，衬底10可以包括蓝宝石（氧化铝）、GaN、SiC、ZnO、Si、GaP、InP、Ga2O3、GaAs或Ge中的至少一种。衬底10还可以在其上表面提供不规则性。
缓冲层12可以布置在衬底10与发光结构20之间，并且可以使用第III至第V族元素化合物半导体形成。缓冲层12起到减小衬底10与发光结构20之间的晶格常数失配的作用。例如，缓冲层12可包含AlN或未掺杂的氮化物，但是本公开内容不限于此。根据衬底10的类型和发光结构20的类型可以省略缓冲层12。
发光结构20包括以如下顺序布置在缓冲层12上的层：下半导体层22、有源层24和上半导体层26。下半导体层22和上半导体层26可具有不同的导电类型。
下半导体层22可以布置在缓冲层12与有源层24之间，可包含半导体化合物，可通过半导体化合物（如第III至第V族或第II至第VI族化合物）实现，并且可掺杂有第一导电型掺杂剂。例如，下半导体层22可以包含具有经验式为AlxInyGa(1-x-y)N(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)、InAlGaN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP或AlGaInP的半导体材料中的至少一种。下半导体层22可为第一导电型半导体层。当下半导体层22为n型半导体层时，第一导电型掺杂剂可以包括n型掺杂剂，如Si、Ge、Sn、Se或Te。下半导体层22可具有单层结构或多层结构，但是本公开内容不限于此。
有源层24可以布置在下半导体层22与上半导体层26之间，并且可以具有单阱结构、双异质结构、多阱结构、单量子阱结构、多量子阱（MQW）结构、量子点结构或量子线结构中的至少一种。有源层24可以形成为具有包括使用第III族至第V族化合物半导体材料（例如，InGaN/GaN、InGaN/InGaN、GaN/AlGaN、InAlGaN/GaN、GaAs(InGaAs)/AlGaAs或GaP(InGaP)/AlGaP中的至少一种）的阱层和阻挡层的对结构，但是本公开内容不限于此。阱层可由具有比阻挡层的能带隙小的能带隙的材料形成。
上半导体层26可以布置在有源层24上并且含有半导体化合物。上半导体层26可以通过第III族至第V族或第II族至第VI族化合物半导体等（例如InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP或AlGaInP的半导体材料中的至少一种）实现。
与作为第一导电型半导体层的下半导体层22不同，上半导体层26可以为第二导电型半导体层并且掺杂有第二导电型掺杂剂。当上半导体层26为p型半导体层时，第二导电型掺杂剂可为p型掺杂剂，如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba。上半导体层26可具有单层结构或多层结构，但是本公开内容不限于此。
下半导体层22可以通过n型半导体层实现，上半导体层26可通过p型半导体层实现。因此，发光结构20可包括n-p结结构、p-n结结构、n-p-n结结构或p-n-p结结构中的至少一种。
同时，第一电极层30布置在上半导体层26上，第二电极层40布置在下半导体层22上。为了将第二电极层40布置在下半导体层22上，可以使发光结构20露出下半导体层22的一部分。即，可以通过经由台面蚀刻来蚀刻上半导体层26、有源层24和下半导体层22的一部分来露出下半导体层22的一部分。在这种情况下，下半导体层22的露出表面可以布置为低于有源层24的下表面。
图2A至图2F是示出了图1中部分“A”的实施方案的视图。
参照图2A，根据一个实施方案的第一电极层30可以包括彼此重叠的第一粘附层32和第一接合层34。即，第一粘附层32布置在上半导体层26上，第一接合层34布置在第一粘附层32上。在这种情况下，在第一粘附层32与第一接合层34之间未插入反射层。即，第一电极层30不包括反射层。
第一粘附层32可包括与上半导体层26欧姆接触的材料。例如，第一粘附层32可以形成为使用Cr、Rd或Ti中的至少一种材料的单层结构或多层结构。此外，第一粘附层32的厚度（T1）可为至少5nm至15nm。例如，如果第一粘附层32的厚度（T1）小于2nm时则粘附强度可能劣化，如果厚度（T1）超过15nm，则电阻可能增加。因此，第一粘附层32的厚度（T1）可为2nm至10nm。
此外，第一接合层34可以布置为使得第一接合层34接触第一粘附层32。如下文所述，当在第一接合层34与第一粘附层32之间布置有第一阻挡层36时，第一接合层34可以布置在第一粘附层32的上部中，而不接触第一粘附层32。第一接合层34可含有Au。例如，当第一接合层34的厚度（T2）小于100nm时，可能难以实现导线接合，而当如果厚度（T2）超过2000nm时，考虑到Au的高成本，导电效率可能不足。因此，第一接合层34的厚度（T2）可为100nm至2000nm，例如140nm。
当第一电极层30的宽度W1小于1μm时，难以实现第一电极层30，当宽度W1超过100μm时，第一电极层30吸收光，从而使光提取效率劣化。因此，第一电极层30的宽度W1可为1μm至100μm，例如5μm至100μm。
在另一实施方案中，如在图2B中示例性示出的，第一电极层30还可包括布置在第一粘附层32与第一接合层34之间的第一阻挡层36。第一阻挡层36可以布置为使其接触第一粘附层32和第一接合层34二者。
第一阻挡层36可以由使用Ni、Cr、Ti或Pt中的至少一种材料的单层或多层形成。例如，第一阻挡层36可以由Cr和Pt的合金形成。此外，第一阻挡层36的厚度（T3）可为200nm至300nm，例如，250nm。
布置在图1中所示的下半导体层22上的第二电极层40可以包括彼此重叠的第二粘附层和第二接合层。第二粘附层可以形成为具有使用Cr、Rd或Ti中的至少一种材料的单层结构或多层结构，并且第二接合层可以包含Au。
第二粘附层和第二接合层可以分别具有与第一粘附层32和第一接合层34的结构和材料相同的结构和材料，但是本公开内容不限于此。即，与第一电极层30中一样，第二电极层40可具有其中在第二粘附层与第二接合层之间未设置反射层的结构，但是第二电极层40可具有其中在第二粘附层与第二接合层之间设置反射层的结构。此外，第二电极层40可具有与第一电极层30的结构和材料不同的结构和材料。即，第二电极层40可包括第二粘附层和第二接合层，第一电极层30可包括第一粘附层32、第一阻挡层36和第一接合层34。
此外，第二电极层40还可包括布置在第二粘附层与第二接合层之间的第二阻挡层。第二阻挡层可以布置为使其接触第二粘附层和第二接合层二者。第二阻挡层可以形成为使用含有Ni、Cr、Ti或Pt中的至少一种的材料的单层结构或多层结构。
第二阻挡层可由与第一阻挡层36相同的材料形成，但是本公开内容不限于此。即，如图2B所示，第二阻挡层可布置在第二粘附层与第二接合层之间，可具有与其中在第一粘附层32与第一接合层34之间插入第一阻挡层36的结构相同的结构。或者，第二阻挡层可具有与第一阻挡层36的厚度和材料不同的厚度和材料。
例如，第二电极层40可包括第二粘附层、第二阻挡层和第二接合层，第一电极层30可包括第一粘附层32和第一接合层34。
此外，如图1所示，下半导体层22的侧表面可以相对于衬底10以倾角（θ1）倾斜，而相邻于露出的下半导体层22的下半导体层22的侧表面可以相对于衬底10以倾角（θ2）倾斜。倾角（θ1和θ2）可为30°至80°。同样，当下半导体层22的侧表面倾斜时，可以提高从有源层24发射的光提取效率。然而，当倾角（θ1和θ2）小于30°时，有源层24的面积可减小，发光效率可因此劣化，而当倾角超过80°时，可能不能获得光提取效率。因此，倾角（θ1和θ2）可为30°至80°，例如70°。
当在第一粘附层32与第一阻挡层36之间布置反射层时，反射层反射从有源层24发射的光，并由此减小了由第一电极层30的金属吸收的光的量。然而，当在第一粘附层32与第一阻挡层36之间布置反射层时，存在如下问题：由Au制成的第一接合层34与由Al制成的反射层经由插入其间的由Ni制成的第一阻挡层36互相扩散。
此外，为了获得足够的反射率，反射层的厚度通常可为50nm至300nm。由于该厚反射层的存在，第一粘附层32形成为具有小厚度，例如小于2nm，从而降低第一电极层30与发光结构20之间的粘附强度。
然而，在本实施方案中，在第一粘附层32与第一接合层34之间未布置反射层。此外，在第二粘附层与第二接合层之间未布置反射层。因此，第一粘附层32可以形成为具有与反射层的厚度对应的大厚度，从而提高了在第一电极层30与发光结构20之间的粘附强度，并且消除了在反射层与第一接合层34之间互相扩散的风险。因此，如上所述，在本实施方案中，第一粘附层32可具有2nm或更大的大厚度（T1）。
此外，如图1所示，发光器件还可包括布置在上半导体层26与第一电极层30之间的导电层50a。图1的导电层50a布置在上半导体层26上，但是本公开内容不限于此，并且导电层50a可以以各种布置进行布置。例如，参照图2C至图2D，导电层50b可布置为使其包围电流阻挡层60的上部和侧部。
导电层50a和50b降低了总反射并且呈现出优异的透光率，因而增加了从有源层24向上半导体层26发射的光的提取效率。导电层50a和50b可以通过使用具有在可见光发射波长处的高透射率的透明氧化物基材料的单层结构或多层结构实现，所述透明氧化物基材料为例如铟锡氧化物（ITO）、氧化锡（TO）、铟锌氧化物（IZO）、铟锌锡氧化物（IZTO）、铟铝锌氧化物（IAZO）、铟镓锌氧化物（IGZO）、铟镓锡氧化物（IGTO）、铝锌氧化物（AZO）、铝锡氧化物（ATO）、镓锌氧化物（GZO）、IrOX、RuOX、RuOX/ITO、Ni、Ag、Au、Ni/IrOX/Au或Ni/IrOX/Au/ITO中的至少一种。
此外，如在图2C至图2F中示例性示出的，根据本实施方案的发光器件还可包括布置在第一电极层30与上半导体层26之间的电流阻挡层60。电流阻挡层60使得从第一电极层30导向有源层24的载流子能够有效扩散，并且有助于提高有源层24的发光强度。
电流阻挡层60可由如二氧化硅（SiO2）的材料形成或者可具有充满空气的腔。或者，如图2C所示，电流阻挡层60可以通过分布式布拉格反射体（DBR，在下文中称为“第一分布式布拉格反射体”；60a或60b）实现。分布式布拉格反射体是指用以提高反射率的彼此重叠的具有不同折射率的一个或更多个绝缘层。在图2C中示例性示出的第一分布式布拉格反射体60a和60b起到未布置在第一粘附层32与第一接合层34之间的反射层的作用，并且起到电流阻挡层60的作用。第一分布式布拉格反射体60a和60b可以更有效地执行反射层的作用，这是因为它们具有比反射层的90%或更小的反射率更大的反射率，例如98%。
如图2C所示，具有不同折射率的第一层62a或62b和第二层64a或64b交替层叠两次，但是第一层和第二层可以层叠大于两次。
第一层62a或62b为低折射率层，例如包括折射率为1.4的二氧化硅（SiO2）或折射率为1.6的氧化铝（Al2O3）。此外，第二层64a或64b为高折射率层，例如包括折射率为2.05至2.25的氮化硅（Si3N4）、折射率为2或更大的二氧化钛（TiO2）、或折射率为3或更大的Si-H。
此外，在第一分布式布拉格反射体60a或60b中，第一层62a或62b和第二层64a或64b中的每一层的厚度可以为λ/(4n)。在此，λ表示从有源层24发射的光的波长，n表示相应层的折射率。
参照图2C，通过DBR实现的电流阻挡层60的宽度W2可为第一电极层30的宽度W1的1倍至10倍。
在下文中，将参照附图描述使用每个发光器件均对应于上述发光器件的多个发光器件的半导体器件阵列。
图3是示出了使用根据该实施方案的发光器件的发光器件阵列200A的截面图。
图3中示例性示出的发光器件阵列200A包括衬底210、多个发光器件D1和D2、导电互连层170和第一绝缘层180。
衬底210可以使用适合于半导体材料生长的载体晶片形成。此外，衬底210可以由具有优异的热导率的材料形成，或者可以为导电衬底或绝缘衬底。此外，衬底210可以由透光材料形成，并且可以具有不会引起发光器件D1和D2的整个氮化物发光结构220a和220b弯曲的机械强度。例如，衬底210可以含有蓝宝石（Al2O3）、GaN、SiC、ZnO、Si、GaP、InP、Ga2O3、GaAs或Ge中的至少一种。还可在衬底210上表面上提供不规则性。
多个发光器件（例如D1和D2）可以在衬底210上沿水平方向彼此间隔开。如图3所示，为了便于描述，仅示出了两个发光器件D1和D2，但是可以在衬底210上以图3所示的形式布置多于两个的发光器件。
多个发光器件D1和D2中的每一个都具有图1中示例性示出的结构。即，第一发光器件D1包括发光结构220a、第一电极层130a和第二电极层140a，第二发光器件D2包括发光结构220b、第一电极层130b和第二电极层140b。发光结构220a或220b与图1中示例性示出的发光结构20相同。即，发光结构220a包括：具有不同导电类型的下半导体层222a和上半导体层226a、以及布置在下半导体层222a和上半导体层226a之间的有源层224a；而发光结构220b包括：具有不同导电类型的下半导体层222b和上半导体层226b、以及布置在下半导体层222b和上半导体层226b之间的有源层224b。下半导体层222a或222b、有源层224a或224b和上半导体层226a或226b分别与图1中示例性示出的下半导体层22、有源层24和上半导体层26相同。因此，省略其详细描述。
此外，第一电极层130a和130b分别布置在上半导体层226a和226b上，而第二电极层140a和140b分别布置在下半导体层222a和222b上。
第一电极层130a和130b分别包括第一粘附层132a和132b、第一阻挡层136a和136b以及第一接合层134a和134b。第二电极层140a和140b分别包括第二粘附层142a和142b、第二阻挡层146a和146b以及第二接合层144a和144b。第一粘附层132a和132b、第一阻挡层136a和136b以及第一接合层134a和134b分别与图1中示例性示出的第一粘附层32、第一阻挡层36和第一接合层34对应。第二粘附层142a和142b、第二阻挡层146a和146b以及第二接合层144a和144b与图1中示例性示出的第二电极层40的第二粘附层、第二阻挡层和第二接合层对应。即，在第一电极层130a和130b中，在第一粘附层132a或132b与第一接合层134a或134b之间未插入反射层。在第二电极层140a和140b中，在第二粘附层142a或142b与第二接合层144a或144b之间未插入反射层。此外，第一电极层130a和130b以及第二电极层140a和140b分别与图1中示例性示出的第一电极层30和第二电极层40相同。因此，省略其详细说明。
在下文中，为了便于描述，第一电极层130a和130b分别包括第一粘附层132a和132b、第一阻挡层136a和136b以及第一接合层134a和134b，第二电极层140a和140b分别包括第二粘附层142a和142b、第二阻挡层146a和146b以及第二接合层144a和144b。然而，以下描述同样可以适用于以下情况：其中第一电极层130a和130b分别仅包括第一粘附层132a和132b和第一接合层134a和134b；而其中第二电极层140a和140b仅包括第二粘附层142a和142b和第二接合层144a和144b。
图3的发光器件D1或D2还可包括插入发光结构220a或220b与第一电极层130a或130b之间的导电层150a或150b。图3的导电层150a或150b与图1的导电层50a对应，因此省略其详细说明。
图3中示例性示出的一个发光器件D1布置在衬底210上的第一区A1中，另一个发光器件D2布置在衬底210上的第二区A2中。发光器件D1和D2彼此间隔开预定距离（d）。例如，所述距离（d）为2μm至7μm，例如5μm。
图3的发光器件阵列200A还包括第一绝缘层180。第一绝缘层180布置在多个发光器件D1和D2与导电互连层170之间，并且起到将发光器件D1和D2与导电互连层170电隔离的作用。
同时，导电互连层170起到连接多个发光器件中的两个相邻的发光器件（例如D1和D2）的作用。即，导电互连层170起到将两个发光器件D1和D2中的一个发光器件（D2）的第一电极层130b电连接到两个发光器件D1和D2中的另一发光器件（D1）的第二电极层140a的作用。如图3所示，两个发光器件D1和D2可以经由导电互联层170串联电连接，但是本公开内容不限于此。即，发光器件D1和D2可以经由导电互连层170并联电连接。
导电互连层170包括彼此重叠的第三粘附层172和第三接合层174，并且在第三粘附层172和第三接合层174之间未插入反射层。第三粘附层172可形成为具有使用Cr、Rd或Ti中至少一种材料的单层结构或多层结构，并且第三接合层174包含Au。
第三粘附层172和第三接合层174可分别具有与图1中示出的第一粘附层32和第一接合层34相同的结构和材料，或者可分别具有与第一粘附层32和第一接合层34的结构和材料不同的结构和材料。
图4是示出了根据另一实施方案的发光器件阵列200B的截面图。
此外，如图4中示例性示出的，导电互连层170还可以包括接触第三粘附层172的上部并且布置在第三粘附层172和第三接合层174之间的第三阻挡层176。第三阻挡层176可以形成为具有使用Ni、Cr、Ti或Pt中至少一种的单层结构或多层结构。
第三阻挡层176可与图2B的第一阻挡层36具有的相同的材料或不同的材料。
同样，导电互连层170可以具有与图1的第一电极层30相同的结构和材料，但是导电互连层170的厚度可以大于第一电极层130b的厚度。
在图3中示例性示出的发光器件阵列200A中，第一电极层130b、第二电极层140a和导电互连层170可以分开形成。另一方面，在图4中示例性示出的发光器件阵列200B中，导电互连层170、第一电极层130b和第二电极层140a可以一体化形成。
在图4中示例性示出的整体结构中，第二电极层140a布置在第三区A3中，第一电极层130b布置在第四区A4中。导电互连层170布置在边界区域S处的衬底210的上部，并且将第二电极层140a电连接到第一电极层130b。
此外，图3的发光器件阵列200A具有一个第一绝缘层180，同时图4的发光器件阵列200B还可包括第二绝缘层182。第二绝缘层182布置在第一绝缘层180与多个发光器件之间。
除了在图3和图4中示出的区别之外，图4中示例性示出的发光器件阵列200B与图3中示例性示出的发光器件阵列200A相同，因此省略其详细说明。
图3和图4中示例性示出的第一绝缘层180和第二绝缘层182中的至少一个可以为分布式布拉格反射体（在下文中称为“第二分布式布拉格反射体”）。第二分布式布拉格反射体180和182可有效地实现反射层的功能，如参照第一分布式布拉格反射体60a和60b所描述的。此外，类似于第一分布式布拉格反射体60a和60b，第二分布式布拉格反射体180和182可以包括绝缘材料，该绝缘材料包括彼此重叠两次或更多次的具有不同折射率的第一层和第二层。第二分布式布拉格反射体180和182的第一层包括低折射率层，例如SiO2或Al2O3，并且第二层为高折射率层，例如Si3N4、TiO2或Si-H。此外，在第二分布式布拉格反射体180和182中，第一层和第二层中的每一层的厚度为λ/(4n)。
用于第二分布式布拉格反射体180和182的材料与第一分布式布拉格反射体60a和60b的材料相同或不同，并且第二分布式布拉格反射体180和182的结构（例如叠层的数目）和厚度与第一分布式布拉格反射体60a和60b的结构和厚度相同或不同。
图5是示出了根据又一实施方案的发光器件阵列200C的截面图。
与图3和图4示出的发光器件阵列200A和200B不同，在图5中示例性示出的发光器件阵列200C中，相应的发光器件D1和D2还可包括在上半导体层226a和226b与第一电极层130a和130b之间沿着水平方向与第一绝缘层180间隔开的电流阻挡层160a和160b。在这种情况下，第一电极层130a和130b可以布置为使其包围电流阻挡层160a和160b的上部和侧部。例如，第一粘附层132a和132b可以布置为使其包围电流阻挡层160a和160b的上部和侧部。同样，除了还布置有电流阻挡层160a和160b并且省略了导电层150a和150b之外，图5的发光器件阵列200C与图4的发光器件阵列200B相同，因此省略其详细说明。
图6是示出了根据又一实施方案的发光器件阵列200D的截面图。
如图6中示例性示出的，发光器件阵列200D还可包括在电流阻挡层160a和160b与第一电极层130a和130b之间的导电层150a和150b。除了该特征之外，图6的发光器件阵列200D与图5的发光器件阵列200C相同，因此省略了重复的特征。
图5和图6的电流阻挡层160a和160b可以包括分布式布拉格反射体（在下文中称为“第三分布式布拉格反射体”）。第三分布式布拉格反射体160a和160b可以起到反射层和电流阻挡层的作用，如参照第一分布式布拉格反射体60a和60b所描述的。
第三分布式布拉格反射体160a和160b可以包括绝缘材料，该绝缘材料包括彼此重叠两次或更多次的具有不同折射率的第一层和第二层。第三分布式布拉格反射体160a和160b的第一层为低折射率层，例如SiO2层或Al2O3层，第二层为高折射率层，例如Si3N4层、TiO2层或Si-H层。此外，在第三分布式布拉格反射体160a和160b中，第一层和第二层中的每一层的厚度为λ/(4n)。
第三分布式布拉格反射体160a和160b的材料可以与第一分布式布拉格反射体60a和60b的材料或第二分布式布拉格反射体180和182的材料相同或不同，第三分布式布拉格反射体160a和160b的结构（例如第一层/第二层的叠层数目）和厚度可以与第一分布式布拉格反射体60a和60b的结构和厚度相同或不同。
图7是示出了根据又一实施方案的发光器件阵列200E的俯视图，图8是沿着图7中示出的发光器件阵列200E的线8-8’取的截面图，图9是沿着图7中示出的发光器件阵列200E的线9-9’取的截面图，图10是沿着图7中示出的发光器件阵列200E的线10-10’取的截面图，以及图11是沿着图7中示出的发光器件阵列200E的线11-11’取的截面图。
参照图7至图11，发光器件阵列200E包括衬底210、缓冲层212、划分成多个发光区P1至Pn（n>1，自然数）的发光结构220、导电层150a、第一绝缘层180、第一电极层250、导电互连层240-1至240-m（m≥1，自然数）、至少一个中间焊垫262或264，以及第二电极层140。
衬底210、缓冲层212和发光结构220分别对应于图1的衬底10、缓冲层12和发光结构20，因此省略其详细说明。
下半导体层222可以作为n型半导体层实现，上半导体层226可以作为p型半导体层实现。因此，发光结构220可以包括n-p结结构、p-n结结构、n-p-n结结构或p-n-p结结构中的至少一种。
发光结构220包括彼此间隔开的多个发光区P1至Pn（n>1，自然数）和多个边界区域（S）。每个边界区域S可以布置在发光区P1至Pn（n>1，自然数）之间。或者，边界区域S可以布置在发光区P1至Pn（n>1，自然数）中的每一个发光区的周围。边界区域S可以是为了将发光结构220划分成多个发光区P1至Pn（n>1，自然数）而通过台面蚀刻发光结构220而形成的下半导体层222的露出部分。发光区P1至Pn（n>1，自然数）中的面积可相同，但是本公开内容不限于此。
在单个芯片中的发光结构220可以通过边界区域S划分成发光区P1至Pn（n>1，自然数）。
导电层150a布置在上半导体层226上，并且与图1的导电层50a相同，因此省略其详细说明。
第一绝缘层180与图3至图6中示例性示出的第一绝缘层180相同，并且包括如上所述的第二分布式布拉格反射体。第二分布式布拉格反射体180布置在多个发光区P1至Pn（n>1，自然数）和边界区域S中。例如，第二分布式布拉格反射体180可以覆盖发光区P1至Pn（n>1，自然数）的上部和侧部，并且可以覆盖边界区域S。
第二分布式布拉格反射体180反射从发光区P1至Pn（n>1，自然数）中发射的光。因此，第二分布式布拉格反射体180防止从发光区P1至Pn（n>1，自然数）中发射的光被第二电极层140、导电互连层240-1至240-n（n>1，自然数）和中间焊垫262和264所吸收。因此，在本实施方案中，提高了光视效能。
参照图7和图8，第一电极层250布置在多个发光区P1至Pn（例如，n=9）中的一个发光区域（例如，P1）中的上半导体层226上。第一电极层250可以接触上半导体层226或导电层150a。例如，第一电极层250可以接触串联连接的发光区中的第一发光区域（例如，P1）的导电层150a。
第一电极层250可以包括布置在第二分布式布拉格反射体180上的第一焊垫252和分支电极254。供给第一电力的导线（未示出）接合到第一焊垫252，并且分支电极254可具有从第一焊垫252分支、穿过第二分布式布拉格反射体180并且接触导电层150a的至少一部分256。构成第一电极层250的第一结合层（junctionlayer）132、第一阻挡层136和第一接合层134与图2B中所示的第一结合层32、第一阻挡层36和第一接合层34相同，因此省略其详细说明。此外，第一电极层250可以仅包括第一结合层132和第一接合层134。
参照图7和图11，第二电极层140可以布置在发光区P1至Pn（例如，n=9）中的一个发光区域（例如，P9）中的下半导体层222上并且接触下半导体层222。第二电极层140可包括与用于供给第二电力的导线（未示出）接合的第二焊垫。在图7的实施方案中，第二电极层140可以用作第二焊垫。这里，第二结合层142、第二阻挡层146和第二接合层144分别与图2B中所示的第一结合层32、第一阻挡层36和第一接合层34相同，因此省略其详细描述。此外，第二电极层140可以仅包括第二结合层142和第二接合层144。
导电互连层240-1至240-m（例如，m=8）布置在第二分布式布拉格反射体180上并且将多个发光区P1至Pn（例如，n=9）串联电连接。例如，导电互连层240-1至240-m（例如，m=8）从布置有第一电极层250的第一发光区P1作为起点到布置有第二电极层140的第九发光区P9作为终点将多个发光区P1至P9串联连接。
导电互连层240-1至240-m包括第三粘附层172、第三阻挡层176和第三接合层174。这里，第三结合层172、第三阻挡层176和第三接合层174分别与图2B中示出的第一结合层32、第一阻挡层36和第一接合层34相同，因此省略其详细说明。此外，导电互连层240-1至240-m可以仅包括第三结合层172和第三接合层174。
每个导电互连层（例如，240-1）可以将相邻发光区（例如，P1和P2）中的一个发光区P1的下半导体层222电连接到另一发光区（例如，P2）的导电层150a。
在另一实施方案中，其中省略了导电层150a，导电互连层（例如，240-1）可以将一个发光区（例如，P1）的下半导体层222电连接到另一发光区（例如，P2）的上半导体层226。
包括在发光器件阵列200E中的、彼此串联连接的多个发光区P1至Pn（n>1，自然数）依次称为第一发光区至第n发光区。即，其中布置有第一电极层250的发光区称为第一发光区P1，其中布置有第二电极层140的发光区称为第n发光区。这里，“相邻的发光区”可以为第k发光区和第k+1发光区，第k导电互连层可以将第k发光区与第k+1发光区串联连接，其中1≤k≤n-1。
即，第k导电互连层可以将第k发光区的下半导体层222与第k+1发光区的上半导体层226或导电层150a电连接。
例如，参照图8，第k导电互连层（例如，k=2）可以布置在第k发光区（例如，k=2）、第k+1发光区（例如，k=2）和第k发光区（例如，k=2）与第k+1发光区（例如，k=2）之间的边界区域S中。第k导电互连层（例如，240-2）可具有穿过第二分布式布拉格反射体180并且接触第k+1发光区（例如，P3）的导电层150a（或上半导体层226）的至少一个第一部分（例如，272）。图7中示出的实线圈表示导电互连层240-1至240-m（例如，m=8）的第一部分272。
第二分布式布拉格反射体180可以布置在发光结构220与布置在边界区域S中的导电互连层（例如，240-2）之间。
此外，第k导电互连层（例如，240-2）可以具有穿过第k发光区（例如，P2）的第二分布式布拉格反射体180、导电层150a、上半导体层226和有源层224并且接触下半导体层222的至少一个第二部分（例如，274）。图7中示出的虚线圈表示导电互连层240-1至240-m（例如，m=8）的第二部分274。
第二分布式布拉格反射体180布置在第k导电互连层（例如，240-2）与导电层150a之间，布置在第k导电互连层（例如，240-2）的第二部分274与上半导体层226之间，以及布置在第k导电互连层（例如，240-2）的第二部分274与有源层224之间，并且将这些层彼此电隔离。即，第二分布式布拉格反射体180可以用于将第k发光区（例如，P2）的导电层150a、上半导体层226和有源层224与第k导电互连层（例如，240-2）电隔离。
在图3至图6中示例性示出的发光器件阵列200A至200D的情况下，为了形成与下半导体层222连接的第二电极层140，通过蚀刻发光结构220进行台面蚀刻以露出下半导体层222。一般而言，发光器件的发光区与台面蚀刻的部分成比例减小。
然而，在图7至图11中示例性示出的发光器件阵列中，第k导电互连层（例如，240-2）的第二部分（例如，274）可以具有填充有电极材料的孔或槽，因此，通过台面蚀刻而失去的发光区的量减小，因而在本实施方案中，发光区域增加。
参照图8，第k导电互连层（例如，240-2）的第二部分274的下表面278可以布置为低于有源层224的下表面276。
参照图7、图8和图10，中间焊垫262或264布置在发光区P1至Pn（n>1，自然数）中的至少一个发光区中的第二分布式布拉格反射体180上，并且与上半导体层226或导电层150a电连接。中间焊垫262或264可以设置有与导线接合的区域以供给第一电力。
例如，在发光区（例如，P2至P8）中，在至少一个发光区（例如，P3或P6中的至少一个）（不包括布置有第一电极层250和第二电极层140的发光区（例如，P1和P9））中的第二分布式布拉格反射体180上可以布置有中间焊垫262或264。
第二分布式布拉格反射体180布置在中间焊垫262或264与导电层150a之间，中间焊垫262与布置在相同发光区（例如，P3）中的导电互连层（例如，240-2）连接，并且中间焊垫264可以与布置在相同发光区（例如，P6）中的导电互连层（例如，240-5）连接。
然而，在另一实施方案中，中间焊垫的一部分可以穿过第二分布式布拉格反射体180并且与导电层150a直接连接。在这种情况下，布置在相同发光区中的中间焊垫与导电互连层可以彼此连接，或者可以彼此不连接。
图12是示出了图7中示出的发光器件阵列200E的电路图。参照图7和图12，发光器件阵列200E可以具有共用的（－）端子（例如一个第二焊垫140），可以具有两个或更多个（+）端子（例如，第一焊垫252和中间焊垫262或264中的至少一个）。
因此，发光器件阵列200E包括多个（+）端子焊垫252、262和264，因此，能够使用各种驱动电压并且能够以各种亮度发光。例如，当驱动一个发光区的驱动电压为3.4V时，在施加到发光器件阵列200E的驱动电压为23.8V的情况下，可以通过向第一中间焊垫262供给第一电力来驱动第三发光区P3至第九发光区P9。
此外，当施加到发光器件阵列200E的驱动电压为13.6V时，可以通过向第二中间焊垫264供给第一电力来驱动第六发光区P6至第九发光区P9。
此外，当施加到发光器件阵列200E的驱动电压为30.6V时，可以通过向第一焊垫252供给第一电力来驱动第一发光区P1至第九发光区P9。
同样，在该实施方案中，该阵列可以设计为根据通过向中间焊垫262或264和第一焊垫252中的一个供给第一电力所施加的驱动电压来驱动发光区的部分或全部。
此外，当驱动电压为高电压时，发光区可以设置为与该高电压对应的数目。例如，当驱动一个发光区的驱动电压为4V，施加到发光器件阵列200E的驱动电压为200V时，该阵列可以设计为设置有50（n=50）个发光区。
此外，导电互连层240-1至240-m（m≥1，自然数）点接触导电层150a或下半导体层222，因此增加了发光区域，分配了电流，并由此提高了光视效能。
第二分布式布拉格反射体180防止了在第一电极层250、导电互连层240-1至240-n（n>1，自然数）和中间焊垫262或264中的光的吸收和损失，由此在本实施方案中提高了光视效能。
图13是示出了根据又一实施方案的包括发光器件的发光器件阵列200F的截面图。
参照图13，发光器件阵列200F包括副安装座（submount）310、第一金属层332、第二金属层334、第一凸起单元310和第二凸起单元320以及发光器件阵列340。
图13的发光器件阵列是其中图7中示出的发光器件阵列200E通过倒装芯片形式实现的实施例，但是本实施方案不限于此。在另一实施方案中，发光器件阵列200A至200D可以以图13中示出的倒装芯片的形式实现。
发光器件340安装有副安装座310。副安装座310可以通过封装件本体、印刷电路板等实现，并且可具有使得发光器件340能够倒装芯片接合的各种形状。
发光器件阵列340布置在副安装座310上，并且经由第一凸起单元310和第二凸起单元320与副安装座310电连接。图13中示出的发光器件阵列340具有与图11中示出的发光器件阵列200E相同的截面。因此，相同的元件不再重复描述。
副安装座310可以包括树脂（例如聚邻苯二甲酰胺（PPA）、液晶聚合物（LCP）或聚酰胺9T（PA9T））、金属、光敏玻璃、蓝宝石、陶瓷、印刷电路板等。然而，根据本实施方案用于副安装座310的材料不限于此。
第一金属层332和第二金属层334在副安装座310上沿着水平方向彼此间隔开。副安装座310的上表面可以面对发光器件阵列340。第一金属层332和第二金属层334可以由导电金属（例如铝（Al）或铑（Rh））构成。
第一凸起单元310和第二凸起单元320布置在副安装座310与发光器件阵列340之间。第一凸起单元310将第二电极层140与第一金属层332电连接。
第二凸起单元320可以将第一电极层250和中间焊垫262或264中的任意一个与第二金属层334电连接。
第一凸起单元310包括第一抗扩散粘附层312、第一凸起体314和第二抗扩散粘附层316。第一凸起体314布置在第二电极层140与第一金属层332之间。第一抗扩散粘附层312布置在第二电极层140与第一凸起体314之间，并且使第一凸起体314与第二电极层140结合。即，第一抗扩散粘附层312提高了第一凸起体314与第二电极层140之间的粘附强度，并且防止包含在第一凸起体314中的离子通过第二电极层140渗入或扩散到发光结构220中。
第二抗扩散粘附层316布置在第一凸起体314与第一金属层332之间，并且使第一凸起体314与第一金属层332结合。第二抗扩散粘附层316提高了第一凸起体314与第一金属层332之间的粘附强度，并且防止包含在第一凸起体314中的离子通过第一金属层332渗入或扩散到副安装座310中。
第二凸起单元320包括第三抗扩散粘附层322、第二凸起体324、和第四抗扩散粘附层326。第二凸起体324布置在第一电极层250和中间焊垫262或264中的一个与第二金属层334之间。
第三抗扩散粘附层322布置在第一电极层250和中间焊垫262或264中的任意一个与第二凸起体324之间，并且使两个元件结合。即，第三抗扩散粘附层322提高了粘附强度，并且防止包含在第二凸起体324中的离子通过第一电极层250或中间焊垫262或264渗入或扩散到发光结构220中。
第四抗扩散粘附层326布置在第二凸起体324与第二金属层334之间，并且使第二凸起体324与第二金属层334结合。即，第四抗扩散粘附层326提高了第二凸起体324与第二金属层334之间的粘附强度，并且防止包含在第二凸起体324中的离子通过第二金属层334渗入或扩散到副安装座310中。
第一抗扩散粘附层至第四抗扩散粘附层312、316、322和326可以包含Pt、Ti、W/Ti或Au或其合金中的至少一种。此外，第一凸起体314和第二凸起体324可以包含钛（Ti）、铜（Cu）、镍（Ni）、金（Au）、铬（Cr）、钽（Ta）、铂（Pt）或锡（Sn）中的至少一种。
在本实施方案中，通过第二分布式布拉格反射体180防止了在第一电极层250、导电互连层240-1至240-n（n>1，自然数）和中间焊垫262或264中的光的吸收和损失，由此，提高了光视效能。
根据本实施方案，在发光器件和包括发光器件的发光器件阵列的电极层和导电互连层中，在接合层与粘附层之间未插入反射层，使得粘附层可以形成为具有大厚度。因此，可以提高电极层与发光结构之间的粘附强度，可以增强导电互连层与绝缘层之间的粘附强度，由此解决了例如由于常规薄粘附层而导致的产品缺陷和产率降低的问题，使得代替绝缘层而布置的分布式布拉格反射体能够用作反射层，从而提高了光视效能。
根据本实施方案的包括发光器件或发光器件阵列的多个发光器件封装件的阵列可以安装到衬底和光学构件上（例如导光板、棱镜片和扩散片等），可以布置在发光器件封装件的光学路径上。发光器件封装件、衬底和光学构件可以起到背光单元的作用。
根据其他实施方案，包括发光器件或发光器件阵列的发光器件封装件可以实现用于显示装置、指示装置和照明系统，例如，照明系统可以包括灯或街灯。
图14是示出了包括根据一种实施方案的发光器件封装件的发光器件的分解立体图。参照图14，发光器件包括：发出光的光源750、容纳光源750的壳体700、用于散发光源750的热的散热器740、以及将光源750和散热器740与壳体700连接的保持器760。
壳体700包括与电插座（未示出）连接的插座连接器710和与插座连接器710连接的本体构件730，其中本体构件730包括光源750。本体构件730可以设置有空气通道孔720。
壳体700的本体构件730在其表面上设置有一个或更多个空气通道孔720。空气通道孔720可以径向布置在本体构件730中或者可以以各种布置而布置。
光源750包括设置在衬底754上的多个发光器件封装件752。衬底754具有能够插入到壳体700的开口中的形状并且由具有高热导率的材料制成以将热量传递到如下所述的散热器740。例如，发光器件封装可以包括根据前述实施方案的发光器件或发光器件阵列。
保持器760可以设置在光源750下方并且可以包括框和其它空气通道孔。此外，虽然未示出，但是在光源750下方设置有用于扩散、散射或汇聚由光源750的发光器件封装件752发出的光的光学构件。
图15是示出了包括根据一种实施方案的发光器件的显示装置的视图。
参照图15，根据本实施方案的显示装置800包括：底盖810、设置在底盖810上的反射板820、用于发射光的光源模块830和835、布置在反射板820的前方以将由光源发射的光朝显示装置前方引导的导光板840、布置在导光板840前方的包括第一棱镜片850和第二棱镜片860的光学片、布置在光学片前方的显示面板870、与显示面板870连接并且将图像信号提供到显示面板870的图像信号输出电路872以及设置在显示面板870前方的滤色器880。底盖810、反射板820、光源模块830和835、导光板840和光学片可以构成背光单元。
光源模块包括安装在衬底830上的发光器件封装件835。电路衬底830可以是PCB等，并且发光器件封装件835与根据本实施方案的发光器件或发光器件阵列相同。
底盖810可以容纳显示装置800的构成部件。如附图所示，反射板820可以设置为独立的元件或者可以涂敷有设置在导光板840的背面或底盖810的前方的具有高反射率的材料。
在此，反射板820可以由可以具有超薄结构的高反射率材料制成并且其实例包括聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）。
此外，导光板840可以由聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、聚碳酸酯（PC）或聚乙烯（PE）形成。
第一棱镜片850形成在使用透光的弹性聚合物的支撑膜的侧表面处，并且聚合物可以包括具有多个重复形成的三维结构的棱镜层。在此，如附图所示，多个图案可以设置为凸部和凹部重复交替的条纹图案。
布置在第二棱镜片860中的支撑膜的一侧上的凸部和凹部的方向可以垂直于布置在第一棱镜片850中的支撑膜的一侧上的凸部和凹部的方向，使得来自光源模块和反射板的已变换的光可以沿着显示面板870的所有方向均匀地分布。
尽管未示出，但是扩散片可以设置在导光板840与第一棱镜片850之间。扩散片可以由聚酯或聚碳酸酯材料制成并且通过折射和散射从背光单元发射的光使得光的投影角最大化。此外，扩散片包括包含光扩散剂的支撑层、分别形成在光发射面（第一棱镜片方向）和光入射面（反射片方向）的第一层和第二层，并且扩散片不包含光扩散剂。
在本实施方案中第一棱镜片850和第二棱镜片860构成光学片并且光学片可以设置为例如微透镜阵列、扩散片和微透镜阵列的组合或棱镜片和微透镜阵列的组合。
显示面板870可以设置有液晶面板，并且可以设置有液晶面板以及其它需要光源的显示装置。
虽然已经参考大量示意性实施方案描述了实施方案，但是应当理解，本领域技术人员可以在本公开内容的原理的精神和范围内设计出大量其它的修改和实施方案。更具体地，可以在本公开内容、附图和所附权利要求的范围内对主要组合布置的组成部件和/或布置进行各种变化和修改。除了组成部件和/或布置方面的变化和修改，替代用途对于本领域技术人员来说也是明显的。

Claims (15)

1.一种发光器件，包括：
衬底；
发光结构，所述发光结构包括具有不同导电类型的下半导体层和上半导体层，以及布置在所述下半导体层与所述上半导体层之间的有源层，所述发光结构布置在所述衬底上；和
布置在所述上半导体层上的第一电极层，
其中所述第一电极层包括彼此重叠的第一粘附层和第一接合层，以及
其中在所述第一粘附层与所述第一接合层之间未布置有反射层。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极层还包括布置在所述第一粘附层上的第一阻挡层，使得所述第一阻挡层接触所述第一粘附层。
3.根据权利要求1和2中任一项所述的发光器件，还包括布置在所述下半导体层上的第二电极层，
其中所述第二电极层包括彼此重叠的第二粘附层和第二接合层，以及
其中在所述第二粘附层与所述第二接合层之间未布置有反射层。
4.根据权利要求3所述的发光器件，其中所述第二电极层还包括布置在所述第二粘附层上的第二阻挡层，使得所述第二阻挡层接触所述第二粘附层。
5.根据权利要求1和2中任一项所述的发光器件，其中所述第一粘附层包括Cr、Rd或Ti中的至少一种。
6.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述第一阻挡层包括Ni、Cr、Ti或Pt中的至少一种。
7.根据权利要求1、2和6中的任一项所述的发光器件，其中所述第一粘附层的厚度为至少2nm至15nm。
8.根据权利要求1、2和6中的任一项所述的发光器件，其中所述下半导体层的侧表面是倾斜的。
9.根据权利要求1、2和6中的任一项所述的发光器件，还包括布置在所述上半导体层与所述第一电极层之间的导电层。
10.根据权利要求9所述的发光器件，还包括布置在所述导电层与所述上半导体层之间的电流阻挡层。
11.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述电流阻挡层为分布式布拉格反射体。
12.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述分布式布拉格反射体包括绝缘材料，所述绝缘材料包括交替层叠两次或更多次的具有不同折射率的第一层和第二层。
13.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述导电层布置为包围所述电流阻挡层的上部和侧部。
14.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述第一电极层的宽度为5μm至100μm。
15.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一接合层的厚度为100nm至2000nm。
CN201310534465.0A 2012-11-05 2013-11-01 发光器件和发光器件阵列 Active CN103811597B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2012-0124381 2012-11-05
KR1020120124381A KR102087933B1 (ko) 2012-11-05 2012-11-05 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 소자 어레이

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103811597A true CN103811597A (zh) 2014-05-21
CN103811597B CN103811597B (zh) 2018-12-21

Family

ID=49513856

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310534465.0A Active CN103811597B (zh) 2012-11-05 2013-11-01 发光器件和发光器件阵列

Country Status (5)

Country Link
US (2) US9236526B2 (zh)
EP (1) EP2728632B1 (zh)
JP (1) JP2014093532A (zh)
KR (1) KR102087933B1 (zh)
CN (1) CN103811597B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105870280A (zh) * 2015-01-21 2016-08-17 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管晶粒
CN107112394A (zh) * 2014-12-24 2017-08-29 Lg伊诺特有限公司 发光二极管和包括发光二极管的发光二极管阵列
CN110429166A (zh) * 2019-08-23 2019-11-08 厦门乾照光电股份有限公司 一种led芯片
CN110491897A (zh) * 2015-04-22 2019-11-22 新世纪光电股份有限公司 发光元件及其制造方法

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7067849B2 (en) 2001-07-17 2006-06-27 Lg Electronics Inc. Diode having high brightness and method thereof
US6949395B2 (en) * 2001-10-22 2005-09-27 Oriol, Inc. Method of making diode having reflective layer
US7148520B2 (en) 2001-10-26 2006-12-12 Lg Electronics Inc. Diode having vertical structure and method of manufacturing the same
JP2010517274A (ja) 2007-01-22 2010-05-20 クリー レッド ライティング ソリューションズ、インコーポレイテッド 外部で相互接続された発光素子のアレイを用いる照明デバイスとその製造方法
US9490409B2 (en) * 2011-10-24 2016-11-08 Formosa Epitaxy Incorporation Light emmiting diode chip
US11160148B2 (en) 2017-06-13 2021-10-26 Ideal Industries Lighting Llc Adaptive area lamp
US11792898B2 (en) 2012-07-01 2023-10-17 Ideal Industries Lighting Llc Enhanced fixtures for area lighting
TWI527263B (zh) * 2013-07-17 2016-03-21 新世紀光電股份有限公司 發光二極體結構
US9502614B2 (en) * 2014-06-04 2016-11-22 Formosa Epitaxy Incorporation Light emitting diode chip, light emitting device, and wafer-level structure of light emitting diode
JP6269362B2 (ja) * 2014-07-15 2018-01-31 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子とその製造方法
KR101888608B1 (ko) 2014-10-17 2018-09-20 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 조명 장치
DE102014115740A1 (de) * 2014-10-29 2016-05-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
JP6327564B2 (ja) * 2014-11-12 2018-05-23 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 半導体デバイス
KR102256632B1 (ko) * 2015-01-21 2021-05-26 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 제조하는 전자 빔 증착 장치
US10147849B2 (en) * 2015-05-05 2018-12-04 Xiangneng Hualei Optoelectronic Co., Ltd Manufacturing method of flip-chip structure of group III semiconductor light emitting device
KR102641239B1 (ko) * 2015-07-10 2024-02-29 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드, 그것을 제조하는 방법 및 그것을 갖는 발광 소자 모듈
JP6651843B2 (ja) 2015-12-25 2020-02-19 日亜化学工業株式会社 発光素子
CN109417082B (zh) * 2016-03-18 2023-08-01 Lg伊诺特有限公司 半导体器件以及包括半导体器件的显示装置
US10529696B2 (en) 2016-04-12 2020-01-07 Cree, Inc. High density pixelated LED and devices and methods thereof
WO2017213455A1 (ko) * 2016-06-10 2017-12-14 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자
US10964862B2 (en) * 2016-09-30 2021-03-30 Sensor Electronic Technology, Inc. Semiconductor heterostructure with multiple active regions
US10734363B2 (en) 2017-08-03 2020-08-04 Cree, Inc. High density pixelated-LED chips and chip array devices
TWI780195B (zh) 2017-08-03 2022-10-11 美商克里公司 高密度像素化發光二極體晶片和晶片陣列裝置以及製造方法
KR102370621B1 (ko) * 2017-08-24 2022-03-04 삼성전자주식회사 발광 패키지 및 이를 포함하는 발광 모듈
CN111108613B (zh) 2017-09-13 2024-01-16 夏普株式会社 Led单元、图像显示元件及其制造方法
US10529773B2 (en) 2018-02-14 2020-01-07 Cree, Inc. Solid state lighting devices with opposing emission directions
JP6822429B2 (ja) * 2018-02-19 2021-01-27 日亜化学工業株式会社 発光素子
CN108447955B (zh) 2018-03-16 2019-07-23 厦门市三安光电科技有限公司 发光二极管芯片结构及其制作方法
JP7206628B2 (ja) * 2018-04-27 2023-01-18 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびプロジェクター
US10903265B2 (en) 2018-12-21 2021-01-26 Cree, Inc. Pixelated-LED chips and chip array devices, and fabrication methods
CN109713103B (zh) * 2018-12-28 2021-03-02 映瑞光电科技(上海)有限公司 一种led芯片
EP4052296A1 (en) 2019-10-29 2022-09-07 Creeled, Inc. Texturing for high density pixelated-led chips
US11145789B2 (en) * 2019-11-04 2021-10-12 Epistar Corporation Light-emitting device
KR20210069247A (ko) 2019-12-03 2021-06-11 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
US12027501B2 (en) * 2020-04-02 2024-07-02 Nichia Corporation Surface light source and method of manufacturing surface light source
US11437548B2 (en) 2020-10-23 2022-09-06 Creeled, Inc. Pixelated-LED chips with inter-pixel underfill materials, and fabrication methods

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5744828A (en) * 1995-07-13 1998-04-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device with blocking layer
US20100078656A1 (en) * 2008-09-30 2010-04-01 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting device and method of fabricating the same
TW201104922A (en) * 2009-05-14 2011-02-01 Showa Denko Kk Semiconductor light emitting element, manufacturing method thereof, lamp, lighting equipment, electronic equipment, mechanical equipment and electrode
TWM409542U (en) * 2011-02-01 2011-08-11 Epistar Corp A light-emitting device
CN102169934A (zh) * 2010-02-26 2011-08-31 三星Led株式会社 具有多单元阵列的半导体发光装置及其制造方法
WO2012067311A1 (en) * 2010-11-18 2012-05-24 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode chip having electrode pad
US20120267673A1 (en) * 2011-04-20 2012-10-25 Showa Denko K.K. Semiconductor light-emitting element, electrode structure and light-emitting device

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10294531A (ja) * 1997-02-21 1998-11-04 Toshiba Corp 窒化物化合物半導体発光素子
JPH114020A (ja) * 1997-04-15 1999-01-06 Toshiba Corp 半導体発光素子及びその製造方法、並びに半導体発光装置
JP2002164575A (ja) * 2000-11-27 2002-06-07 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体発光素子
US6864571B2 (en) * 2003-07-07 2005-03-08 Gelcore Llc Electronic devices and methods for making same using nanotube regions to assist in thermal heat-sinking
JP2005079152A (ja) * 2003-08-28 2005-03-24 Toshiba Corp 半導体発光素子及びその製造方法
JP3802910B2 (ja) * 2004-09-13 2006-08-02 ローム株式会社 半導体発光装置
EP1897151A4 (en) 2005-06-22 2010-03-10 Seoul Opto Device Co Ltd ILLUMINATING ELEMENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
JP2007281037A (ja) * 2006-04-03 2007-10-25 Dowa Holdings Co Ltd 半導体発光素子及びその製造方法
JP4929924B2 (ja) 2006-08-25 2012-05-09 サンケン電気株式会社 半導体発光素子、その製造方法、及び複合半導体装置
CN102779918B (zh) 2007-02-01 2015-09-02 日亚化学工业株式会社 半导体发光元件
JP5130730B2 (ja) * 2007-02-01 2013-01-30 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
US8085825B2 (en) * 2007-03-06 2011-12-27 Sanyo Electric Co., Ltd. Method of fabricating semiconductor laser diode apparatus and semiconductor laser diode apparatus
US8299501B2 (en) * 2007-05-30 2012-10-30 Nichia Corporation Nitride semiconductor device
JP5196160B2 (ja) * 2008-10-17 2013-05-15 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
KR101257572B1 (ko) * 2008-12-15 2013-04-23 도요타 고세이 가부시키가이샤 반도체 발광 소자
JP2010238802A (ja) * 2009-03-30 2010-10-21 Showa Denko Kk 半導体発光素子、電極構造、半導体発光素子の製造方法、電極構造の製造方法
KR101072034B1 (ko) * 2009-10-15 2011-10-10 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
CN103003966B (zh) * 2010-05-18 2016-08-10 首尔半导体株式会社 具有波长变换层的发光二级管芯片及其制造方法，以及包括其的封装件及其制造方法
JP2012028749A (ja) * 2010-07-22 2012-02-09 Seoul Opto Devices Co Ltd 発光ダイオード
KR101746004B1 (ko) * 2010-10-29 2017-06-27 엘지이노텍 주식회사 발광소자
KR20120053571A (ko) * 2010-11-18 2012-05-29 서울옵토디바이스주식회사 복수의 메사 구조체를 갖는 발광 다이오드 칩
JP2012151441A (ja) * 2010-12-28 2012-08-09 Ricoh Co Ltd 光デバイス、光走査装置及び画像形成装置
TWI555226B (zh) * 2011-07-12 2016-10-21 晶元光電股份有限公司 具有多層發光疊層的發光元件

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5744828A (en) * 1995-07-13 1998-04-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device with blocking layer
US20100078656A1 (en) * 2008-09-30 2010-04-01 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting device and method of fabricating the same
TW201104922A (en) * 2009-05-14 2011-02-01 Showa Denko Kk Semiconductor light emitting element, manufacturing method thereof, lamp, lighting equipment, electronic equipment, mechanical equipment and electrode
US20120049232A1 (en) * 2009-05-14 2012-03-01 Showa Denko K.K. Semiconductor light-emitting element, method for producing the same, lamp, lighting device, electronic equipment, mechanical device and electrode
CN102169934A (zh) * 2010-02-26 2011-08-31 三星Led株式会社 具有多单元阵列的半导体发光装置及其制造方法
WO2012067311A1 (en) * 2010-11-18 2012-05-24 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode chip having electrode pad
TWM409542U (en) * 2011-02-01 2011-08-11 Epistar Corp A light-emitting device
US20120267673A1 (en) * 2011-04-20 2012-10-25 Showa Denko K.K. Semiconductor light-emitting element, electrode structure and light-emitting device

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107112394A (zh) * 2014-12-24 2017-08-29 Lg伊诺特有限公司 发光二极管和包括发光二极管的发光二极管阵列
US10186640B2 (en) 2014-12-24 2019-01-22 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting diode and light emitting diode array comprising same
CN107112394B (zh) * 2014-12-24 2020-02-14 Lg伊诺特有限公司 发光二极管和包括发光二极管的发光二极管阵列
CN105870280A (zh) * 2015-01-21 2016-08-17 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管晶粒
CN105870280B (zh) * 2015-01-21 2019-07-09 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管晶粒
CN110491897A (zh) * 2015-04-22 2019-11-22 新世纪光电股份有限公司 发光元件及其制造方法
US10784307B2 (en) 2015-04-22 2020-09-22 Genesis Photonics Inc. Light-emitting device and method for manufacturing the same
CN110491897B (zh) * 2015-04-22 2021-04-13 新世纪光电股份有限公司 发光元件及其制造方法
CN110429166A (zh) * 2019-08-23 2019-11-08 厦门乾照光电股份有限公司 一种led芯片
CN110429166B (zh) * 2019-08-23 2020-12-04 厦门乾照光电股份有限公司 一种led芯片

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014093532A (ja) 2014-05-19
KR20140057968A (ko) 2014-05-14
EP2728632A3 (en) 2014-07-09
EP2728632A2 (en) 2014-05-07
US9236526B2 (en) 2016-01-12
CN103811597B (zh) 2018-12-21
US9640583B2 (en) 2017-05-02
KR102087933B1 (ko) 2020-04-14
US20140124730A1 (en) 2014-05-08
US20160093667A1 (en) 2016-03-31
EP2728632B1 (en) 2021-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103811597B (zh) 发光器件和发光器件阵列
US9735199B2 (en) Light emitting device
US9620682B2 (en) Light emitting device
KR101888604B1 (ko) 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR101871372B1 (ko) 발광 소자
US9812626B2 (en) Light emitting device
US9837577B2 (en) Light emitting device
CN102214757A (zh) 发光器件、发光器件封装以及照明系统

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20210818

Address after: 168 Changsheng North Road, Taicang City, Suzhou City, Jiangsu Province

Patentee after: Suzhou Leyu Semiconductor Co.,Ltd.

Address before: Seoul, South Kerean

Patentee before: LG INNOTEK Co.,Ltd.