JP4258367B2 - 光部品搭載用パッケージ及びその製造方法 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 46
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 75
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 11
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 8
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 claims description 2
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 5
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
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- H01L2924/12041—LED
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- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
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- H01L2924/12042—LASER
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12043—Photo diode
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
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- H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
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- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
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Description
本発明は、光部品搭載用パッケージ及びその製造方法に関するものである。
光部品搭載するためのパッケージとして、特開平１１−２６５９５７号公報（特許文献１）に記載のグリーンシートにキャビティ部を打ち抜きにより形成したものを枠体、別のグリーンシートにスルーホール，メタライズ処理等を施したものを底板とし、枠体と底板を積層，熱プレス加工，還元雰囲気での焼結を行い所定の寸法に積層体を切断する手法がある。また、特開２０００−１３８３０５号公報（特許文献２）に記載の射出成形法あるいはトランスファー成形法によりエポキシ樹脂製の枠体を形成し、枠体とセラミックス基板をエポキシ樹脂接着剤により接合する手法がある。
特許文献１のグリーンシートを用いる手法は、焼結工程が有るため、枠体及び底板の面荒れ発生，熱履歴起因のメタライズ信頼性低下，熱収縮起因の寸法ばらつき発生などの課題がある。面荒れ発生は、光部品と底板との接触面積低下を引き起こし、光部品の作動時に発生する多量の熱を良好に放散させることが困難であり、誤動作や熱破壊などの課題が発生する。焼結による熱履歴は、メタライズの信頼性を低下させるだけではなく、焼結温度により薄膜はんだ，アルミニウム等の低融点金属が溶解してしまうためパッケージの構成に制約が生じる。
また、特許文献２の枠体としてエポキシ樹脂を用いる手法は、枠体の作製に成形法を適用するため、金型をパッケージの形状が代わる度に製作し直さなければならず、枠体完成寸法のばらつきが大きい。エポキシ樹脂とセラミックス基板の熱膨張差に起因する熱ストレスにより剥離やクラックが発生する可能性が有り、エポキシ樹脂自体の耐熱性，熱伝導性も低い。
本発明の目的は、絶縁基板と枠体との接合信頼性，熱放散特性，面状態，寸法精度の良好な光部品搭載用パッケージ及びその製造方法を提供することである。
本発明は、絶縁基板にＳｉ製枠体を搭載した光部品搭載用パッケージにおいて、前記光部品搭載用パッケージの絶縁基板をＳｉＣ基板とすることを特徴とする。
本発明によると、絶縁基板と枠体との接合信頼性，熱放散特性，面状態，寸法精度の良好な光部品搭載用パッケージ及びその製造方法を提供することができる。
発光ダイオード，レーザダイオードなどの発熱する光部品を組み込んだパッケージは、光部品の温度上昇による特性劣化を抑える必要がある。本発明の実施の形態では、発熱する光部品の組み込みを前提としたパッケージの構造及び製造方法について説明する。
本発明の実施の形態では、絶縁基板の上にＳｉ製の枠体を載せて接合した構造とすることにより、接合信頼性，熱放散特性，面状態，寸法精度が良好で、膜構成の多様化が可能となるようにしたものである。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。図１（ａ）は実施の形態に係るパッケージを概略的に示した断面図であり、図１（ｂ）は平面図である。
図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、光部品搭載用パッケージは、絶縁基板２の上にウェットエッチングを表裏面から実施して形成したＳｉ製の枠体１を載せた構成になっている。つまり、光部品搭載用パッケージの絶縁基板２にＳｉ製の枠体１を搭載している。絶縁基板２の上面には、入出力端子３ａ及び入出力端子３ｂが形成され、絶縁基板２の下面には、入出力パッド４ａ及び入出力パッド４ｂが形成されている。これらは、スルーホール７を介して電気的に接続されている。入出力端子３ａと入出力パッド４ａとは、スルーホール７により電気的に接続され、入出力端子３ｂと入出力パッド４ｂとは、スルーホール７により電気的に接続されている。
ここで、Ｓｉ製の枠体１と絶縁基板２の接合を本パッケージ内蔵の薄膜はんだ６の融点よりも低い温度で行うことにより、薄膜はんだ６を形成することも可能である。
絶縁基板２に形成される入出力端子３ａ，入出力端子３ｂ，入出力パッド４ａ，入出力パッド４ｂ，薄膜はんだ６は、絶縁基板としてミラー加工を施した面状態が平滑なＳｉＣ，ＡｌＮ，アルミナなどのセラミックス基板を用いる場合、高精度のパターニングが可能である。
Ｓｉ製の枠体１は、結晶面（１００）のＳｉ基板にウェットエッチングを表裏面から実施することにより形成され、斜面の結晶面は（１１１）面、すなわち平坦面とのなす角は結晶学的に５４.７４°となる。斜面の面状態はＲａ＝０.０２〜０.０６μｍ であり、焼結体（Ｒａ＝０.２μｍ 程度）と比較して格段に平滑である。更に、この斜面にＡｌ薄膜５をマスク蒸着等により形成することにより、光の反射特性を向上させることが出来る。この場合の薄膜としては、ＡｌだけでなくＡｕ，Ａｇ等も有効である。斜面にＡｌ薄膜５を形成した後にＳｉ製の枠体１と絶縁基板２を接合するため、斜面のＡｌ薄膜５は絶縁基板２に接触することは無い。
図１（ａ）及び図２（ｂ）の構造では、本パッケージ内蔵の薄膜はんだ６の融点よりも融点の低い薄膜はんだ９を用いて絶縁基板２とＳｉ製の枠体１の接合を実施しているが、薄膜はんだ９の代わりに薄膜Ａｕによる固相接合、またはガラス，樹脂，ロウ剤等の接着剤による接着接合などを適用しても良い。
次に、パッケージの製造方法の実施例について、図６，図７，図８を用いて説明する。
まず、絶縁基板の加工工程について、図６を用いて説明する。
（１）ミラー加工を施したＳｉＣ基板１１を準備する。
（２）ＳｉＣ基板１１にスルーホール７を形成し、スルーホール内へメタライズ処理を施す。
（３）スルーホール付きＳｉＣ基板１１′の上面に入出力端子３ａ，３ｂ、下面に入出力パッド４ａ，４ｂを形成する。
（４）スルーホール付きＳｉＣ基板１１′の上面にＳｉ基板との接合に用いる薄膜はんだ９とパッケージに内蔵される薄膜はんだ６を形成する。ここで薄膜はんだ９としては、融点が薄膜はんだ６よりも低い温度のはんだを用いる。
（１）ミラー加工を施したＳｉＣ基板１１を準備する。
（２）ＳｉＣ基板１１にスルーホール７を形成し、スルーホール内へメタライズ処理を施す。
（３）スルーホール付きＳｉＣ基板１１′の上面に入出力端子３ａ，３ｂ、下面に入出力パッド４ａ，４ｂを形成する。
（４）スルーホール付きＳｉＣ基板１１′の上面にＳｉ基板との接合に用いる薄膜はんだ９とパッケージに内蔵される薄膜はんだ６を形成する。ここで薄膜はんだ９としては、融点が薄膜はんだ６よりも低い温度のはんだを用いる。
図７を用い、Ｓｉ製の枠体の加工工程について、説明する。
（１）Ｓｉ基板１２を準備する。
（２）Ｓｉ基板１２の表裏面にホト加工を施した後、Ｓｉ基板１２を水酸化カリウム水溶液などのアルカリ水溶液に浸漬し、貫通穴を形成する。
（３）貫通穴を形成したＳｉ基板１２′の下面にメタライズ１３を形成する。このメタライズ１３形成の目的は、薄膜はんだ９との接合用である。
（４）貫通穴を形成したＳｉ基板１２′の斜面に必要に応じてＡｌなどの光反射用の薄膜５を形成する。薄膜の形成は、マスクなどを用いて斜面内のみに形成しても良いし、Ｓｉ基板上面から全面に形成しても良い。
（１）Ｓｉ基板１２を準備する。
（２）Ｓｉ基板１２の表裏面にホト加工を施した後、Ｓｉ基板１２を水酸化カリウム水溶液などのアルカリ水溶液に浸漬し、貫通穴を形成する。
（３）貫通穴を形成したＳｉ基板１２′の下面にメタライズ１３を形成する。このメタライズ１３形成の目的は、薄膜はんだ９との接合用である。
（４）貫通穴を形成したＳｉ基板１２′の斜面に必要に応じてＡｌなどの光反射用の薄膜５を形成する。薄膜の形成は、マスクなどを用いて斜面内のみに形成しても良いし、Ｓｉ基板上面から全面に形成しても良い。
図８を用い、貫通穴を形成したＳｉ基板１２′とスルーホール付きＳｉＣ基板１１′との接合以降の工程について、説明する。
（１）スルーホール付きＳｉＣ基板１１′と貫通穴を形成したＳｉ基板１２′を薄膜はんだ９を介して接合する。薄膜はんだ９の融点よりも２０〜５０℃程度高い温度に設定したヒーターの上にＳｉＣ基板１１′とＳｉ基板１２′を載せ、Ｓｉ基板１２′の上方から加圧することにより基板同士の接合を実施する。
（２）ＳｉＣ基板１１′とＳｉ基板１２′を接合した積層体を所定の外形寸法に切断することにより、図１に示す絶縁基板２の上にＳｉ製枠体１を載せた構造のパッケージか完成する。
（１）スルーホール付きＳｉＣ基板１１′と貫通穴を形成したＳｉ基板１２′を薄膜はんだ９を介して接合する。薄膜はんだ９の融点よりも２０〜５０℃程度高い温度に設定したヒーターの上にＳｉＣ基板１１′とＳｉ基板１２′を載せ、Ｓｉ基板１２′の上方から加圧することにより基板同士の接合を実施する。
（２）ＳｉＣ基板１１′とＳｉ基板１２′を接合した積層体を所定の外形寸法に切断することにより、図１に示す絶縁基板２の上にＳｉ製枠体１を載せた構造のパッケージか完成する。
図９に本パッケージに発光ダイオード１４，フォトダイオード１５，蛍光体１６，レンズ１７を組み込んだ一実施例を示す。発光ダイオード１４からの発熱はＳｉＣ製の絶縁基板２から効果的に放散され、発光される光は反射特性が良好な斜面のＡｌ薄膜５により効果的に反射される。
上記の工程により製作したパッケージは、従来のグリーンシートを用いるパッケージ、エポキシ樹脂製の枠体とセラミックス基板を接合するパッケージと比較して、以下に示す優位性を有する。
（１）枠体であるＳｉの熱膨張係数が３.５×１０-6／Ｋ 、絶縁基板であるＳｉＣの熱膨張係数が３.２×１０-6／Ｋ とほぼ同一であるため、熱履歴に対する接合信頼性が極めて良い。このため図１に示す１〜２個の光部品を搭載する小さなパッケージだけでなく、図１０に示すような数百〜数千個の光部品を同時に搭載する基板状態のパッケージを作製することも容易である。
（２）ＳｉＣの熱伝導が３００Ｗ／ｍ・Ｋ、Ｓｉの熱伝導が１４５Ｗ／ｍ・Ｋと良好であるため、光部品からの発熱を容易に放散させることが可能であり、光部品の温度上昇による特性劣化を抑えることが容易である。
（３）ＳｉＣ基板とＳｉ基板は共に基板の状態で作製するため、ホトリソグラフィー等の半導体プロセスをそのまま適用することができ、経済的に作製することが出来る。また、焼結などの熱収縮の発生する工程が無いため、完成品の寸法精度が良好である。
（１）枠体であるＳｉの熱膨張係数が３.５×１０-6／Ｋ 、絶縁基板であるＳｉＣの熱膨張係数が３.２×１０-6／Ｋ とほぼ同一であるため、熱履歴に対する接合信頼性が極めて良い。このため図１に示す１〜２個の光部品を搭載する小さなパッケージだけでなく、図１０に示すような数百〜数千個の光部品を同時に搭載する基板状態のパッケージを作製することも容易である。
（２）ＳｉＣの熱伝導が３００Ｗ／ｍ・Ｋ、Ｓｉの熱伝導が１４５Ｗ／ｍ・Ｋと良好であるため、光部品からの発熱を容易に放散させることが可能であり、光部品の温度上昇による特性劣化を抑えることが容易である。
（３）ＳｉＣ基板とＳｉ基板は共に基板の状態で作製するため、ホトリソグラフィー等の半導体プロセスをそのまま適用することができ、経済的に作製することが出来る。また、焼結などの熱収縮の発生する工程が無いため、完成品の寸法精度が良好である。
図２（ａ）は実施の形態に係るパッケージを概略的に示した断面図であり、図２（ｂ）は平面図である。
本実施例は、実施例１に記載のパッケージを、更に、小型化したものであり、図７に示す枠体であるＳｉ基板１２′を形成後、追加でウェットエッチングを実施し、つまり、ウェットエッチングを表裏面から実施してＳｉ製の枠体１′を形成し、５４.７４° 斜面同士で形成される角を所望の量だけ落とすことにより形成している。
図３（ａ）は実施の形態に係るパッケージを概略的に示した断面図であり、図３（ｂ）は平面図である。
本実施例は、実施例２に記載のパッケージを、更に、小型化したものであり、図７に示す枠体であるＳｉ基板１２′を形成後、追加ウェットエッチング量を実施例２の場合よりも多く行い、５４.７４° 斜面同士で形成される角を完全に落すことにより形成される。なお本構造は、Ｓｉ基板にドライエッチングを施し貫通穴を形成することによっても製作可能である。Ｓｉ製の枠体１″は、ウェットエッチングを表裏面から実施、またはドライエッチングを実施して形成している。
図４（ａ）は実施の形態に係るパッケージを概略的に示した断面図であり、図４（ｂ）は平面図である。
本実施例は、図７に示す枠体であるＳｉ基板１２′の形成工程にて、片面からのみホト加工を施したものである。実施例１に記載のパッケージと比較しサイズは大きくなるが、Ａｌ薄膜５の形成された斜面の領域が広くなるため反射効率がより良好となる。Ｓｉ製の枠体１′′′は、ウェットエッチングを表面からのみ実施して形成している。
図５（ａ）は実施の形態に係るパッケージを概略的に示した断面図であり、図４（ｂ）は平面図である。
本実施例は、実施例４に記載のパッケージと比較し、ＳｉＣ基板の表裏面の導通をスルーホール形成の代わりに側面メタライズにより確保したものである。表裏面の導通確保に側面メタライズを適用する手法は、実施例１，実施例２，実施例３にも適用可能である。
本発明は、光部品搭載用パッケージ及びその製造方法であって、絶縁基板と枠体との接合信頼性，熱放散特性，面状態，寸法精度の向上が図れる。
１，１′，１″，１′′′…Ｓｉ製の枠体、２…絶縁基板、３ａ，３ｂ…入出力端子、４ａ，４ｂ…入出力パッド、５…薄膜、６，９…薄膜はんだ、７…スルーホール、８…側面メタライズ、１０…熱酸化膜、０１…ＳｉＣ基板、１１′…スルーホール付きＳｉＣ基板、１２…Ｓｉ基板、１２′…貫通穴を形成したＳｉ基板、１３…貫通穴を形成したＳｉ基板の下面のメタライズ、１４…発光ダイオード、１５…フォトダイオード、１６…蛍光体、１７…レンズ、１８…基板状態のパッケージ。
Claims (10)
- 絶縁基板にＳｉ製枠体を搭載した光部品搭載用パッケージにおいて、
前記光部品搭載用パッケージの絶縁基板をＳｉＣ基板とすることを特徴とする光部品搭載用パッケージ。 - 請求項１に記載の光部品搭載用パッケージにおいて、
前記Ｓｉ製枠体は、ウェットエッチングまたはドライエッチングにより形成した貫通穴構造であることを特徴とする光部品搭載用パッケージ。 - 請求項１に記載の光部品搭載用パッケージにおいて、
前記Ｓｉ製枠体と、前記光部品搭載用パッケージの絶縁基板との接合構造を、薄膜はんだによる接合構造，薄膜Ａｕによる固相接合構造、或いは、接着剤による接着接合構造とすることを特徴とする光部品搭載用パッケージ。 - 請求項１に記載の光部品搭載用パッケージにおいて、
前記光部品搭載用パッケージの絶縁基板の上面に形成される入出力端子と絶縁基板の下面に形成される入出力パッドとの電気的接続構造を、スルーホールへのメタライズ処理により形成することを特徴とする光部品搭載用パッケージ。 - 請求項１に記載の光部品搭載用パッケージにおいて、
前記光部品搭載用パッケージの絶縁基板の上面に形成される入出力端子と絶縁基板の下面に形成される入出力パッドとの電気的接続構造を、側面メタライズより形成することを特徴とする光部品搭載用パッケージ。 - 請求項１に記載の光部品搭載用パッケージにおいて、
前記Ｓｉ製枠体に斜面が形成され、該斜面に光の反射特性を向上させる薄膜を形成することを特徴とする光部品搭載用パッケージ。 - 請求項１に記載の光部品搭載用パッケージにおいて、
前記Ｓｉ製枠体として、表面からウェットエッチングにて貫通穴を形成したＳｉ製枠体を適用することを特徴とする光部品搭載用パッケージ。 - 請求項１に記載の光部品搭載用パッケージにおいて、
前記Ｓｉ製枠体として、表裏面からウェットエッチングにて貫通穴を形成したＳｉ製枠体を適用することを特徴とする光部品搭載用パッケージ。 - 請求項１に記載の光部品搭載用パッケージにおいて、
前記Ｓｉ製枠体として、ドライエッチングにて貫通穴を形成したＳｉ製枠体を適用することを特徴とする光部品搭載用パッケージ。 - 光部品を搭載する光部品搭載用パッケージの製造方法であって、
前記光部品搭載用パッケージの絶縁性のＳｉＣ基板に、Ｓｉ製枠体を接合することを特徴とする光部品搭載用パッケージの製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003420285A JP4258367B2 (ja) | 2003-12-18 | 2003-12-18 | 光部品搭載用パッケージ及びその製造方法 |
| TW093133662A TWI270184B (en) | 2003-12-18 | 2004-11-04 | Package for mounting an optical element and a method of manufacturing the same |
| US10/988,521 US8008675B2 (en) | 2003-12-18 | 2004-11-16 | Package for mounting an optical element and a method of manufacturing the same |
| EP04029564A EP1544912A3 (en) | 2003-12-18 | 2004-12-14 | Package for mounting an optical element and a method of manufacturing the same |
| CN2004101013611A CN1630069B (zh) | 2003-12-18 | 2004-12-17 | 装载光学元件用组件及其制造方法 |
| US11/695,213 US20070170453A1 (en) | 2003-12-18 | 2007-04-02 | Package for mounting an optical element and a method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003420285A JP4258367B2 (ja) | 2003-12-18 | 2003-12-18 | 光部品搭載用パッケージ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005183558A JP2005183558A (ja) | 2005-07-07 |
| JP4258367B2 true JP4258367B2 (ja) | 2009-04-30 |
Family
ID=34510654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003420285A Expired - Fee Related JP4258367B2 (ja) | 2003-12-18 | 2003-12-18 | 光部品搭載用パッケージ及びその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US8008675B2 (ja) |
| EP (1) | EP1544912A3 (ja) |
| JP (1) | JP4258367B2 (ja) |
| CN (1) | CN1630069B (ja) |
| TW (1) | TWI270184B (ja) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006086176A (ja) | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Hitachi Kyowa Engineering Co Ltd | Ｌｅｄ用サブマウント及びその製造方法 |
| JP4668722B2 (ja) * | 2005-08-02 | 2011-04-13 | 日立協和エンジニアリング株式会社 | サブマウント及びその製造方法 |
| JP5192666B2 (ja) * | 2006-03-28 | 2013-05-08 | パナソニック株式会社 | 発光装置 |
| JP4981342B2 (ja) | 2006-04-04 | 2012-07-18 | 日立協和エンジニアリング株式会社 | サブマウントおよびその製造方法 |
| CN100394623C (zh) * | 2006-04-27 | 2008-06-11 | 矽畿科技股份有限公司 | 光二极管的封装基座结构及其制作方法 |
| JP2007324417A (ja) * | 2006-06-01 | 2007-12-13 | Sharp Corp | 半導体発光装置とその製造方法 |
| JP5564162B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2014-07-30 | フューチャー ライト リミテッド ライアビリティ カンパニー | 発光ダイオード装置 |
| KR101360732B1 (ko) * | 2007-06-27 | 2014-02-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
| JP5143497B2 (ja) * | 2007-08-20 | 2013-02-13 | 日本カーバイド工業株式会社 | 電子部品収納用セラミックパッケージ及びその製造方法 |
| DE102007039291A1 (de) | 2007-08-20 | 2009-02-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleitermodul und Verfahren zur Herstellung eines solchen |
| JP5049757B2 (ja) * | 2007-11-29 | 2012-10-17 | 株式会社フジクラ | 発光装置 |
| JP2009164225A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
| JP5390938B2 (ja) * | 2009-05-29 | 2014-01-15 | パナソニック株式会社 | 発光装置 |
| KR101850432B1 (ko) * | 2011-07-11 | 2018-04-19 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 모듈 |
| JP2012216868A (ja) * | 2012-07-10 | 2012-11-08 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 電子部品用パッケージ及び電子部品装置 |
| US9356185B2 (en) * | 2014-06-20 | 2016-05-31 | Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. | Compact light sensing modules including reflective surfaces to enhance light collection and/or emission, and methods of fabricating such modules |
| US10319674B2 (en) * | 2014-10-29 | 2019-06-11 | Infineon Technologies Americas Corp. | Packaged assembly for high density power applications |
| JP7007560B2 (ja) * | 2017-09-28 | 2022-01-24 | 日亜化学工業株式会社 | 光源装置 |
| CN113611785B (zh) | 2018-02-01 | 2022-05-27 | 新唐科技日本株式会社 | 半导体装置 |
| WO2023038757A1 (en) * | 2021-09-09 | 2023-03-16 | Applied Materials, Inc. | Stiffener frame for semiconductor device packages |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4189825A (en) * | 1975-06-04 | 1980-02-26 | Raytheon Company | Integrated test and assembly device |
| JPS5896757A (ja) * | 1981-12-04 | 1983-06-08 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| US4729010A (en) * | 1985-08-05 | 1988-03-01 | Hitachi, Ltd. | Integrated circuit package with low-thermal expansion lead pieces |
| US5674758A (en) * | 1995-06-06 | 1997-10-07 | Regents Of The University Of California | Silicon on insulator achieved using electrochemical etching |
| JP3307186B2 (ja) | 1995-09-11 | 2002-07-24 | 株式会社デンソー | 半導体表面処理用治具 |
| JP2001518692A (ja) * | 1997-07-29 | 2001-10-16 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー オッフェネ ハンデルスゲゼルシャフト | 光電素子 |
| JP3415762B2 (ja) | 1998-03-16 | 2003-06-09 | 株式会社住友金属エレクトロデバイス | セラミックパッケージ基体及びその製造方法 |
| JP2000138305A (ja) | 1998-10-30 | 2000-05-16 | Kyocera Corp | 半導体受光素子収納用容器の製造方法 |
| JP3349109B2 (ja) | 1999-03-04 | 2002-11-20 | 株式会社シチズン電子 | 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 |
| JP3349111B2 (ja) | 1999-03-15 | 2002-11-20 | 株式会社シチズン電子 | 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 |
| JP2000294831A (ja) | 1999-04-08 | 2000-10-20 | Omron Corp | 半導体発光装置、半導体発光装置アレイ、フォトセンサおよびフォトセンサアレイ |
| JP2001094045A (ja) * | 1999-09-22 | 2001-04-06 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
| JP2001308443A (ja) | 2000-04-26 | 2001-11-02 | Hitachi Ltd | サブマウント |
| US6614103B1 (en) * | 2000-09-01 | 2003-09-02 | General Electric Company | Plastic packaging of LED arrays |
| CN1177377C (zh) | 2000-09-01 | 2004-11-24 | 西铁城电子股份有限公司 | 表面装配型发光二极管及其制造方法 |
| US7345316B2 (en) * | 2000-10-25 | 2008-03-18 | Shipley Company, L.L.C. | Wafer level packaging for optoelectronic devices |
| US6932519B2 (en) * | 2000-11-16 | 2005-08-23 | Shipley Company, L.L.C. | Optical device package |
| JP3772098B2 (ja) * | 2001-05-15 | 2006-05-10 | シャープ株式会社 | 窒化物系半導体発光装置 |
| JP4053257B2 (ja) * | 2001-06-14 | 2008-02-27 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US6531328B1 (en) * | 2001-10-11 | 2003-03-11 | Solidlite Corporation | Packaging of light-emitting diode |
| US6599768B1 (en) * | 2002-08-20 | 2003-07-29 | United Epitaxy Co., Ltd. | Surface mounting method for high power light emitting diode |
| JP2004128273A (ja) * | 2002-10-03 | 2004-04-22 | Sharp Corp | 発光素子 |
| US20040188696A1 (en) * | 2003-03-28 | 2004-09-30 | Gelcore, Llc | LED power package |
| US7279355B2 (en) * | 2003-06-27 | 2007-10-09 | Avago Technologies Ecbuip (Singapore) Pte Ltd | Method for fabricating a packaging device for semiconductor die and semiconductor device incorporating same |
-
2003
- 2003-12-18 JP JP2003420285A patent/JP4258367B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-11-04 TW TW093133662A patent/TWI270184B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-11-16 US US10/988,521 patent/US8008675B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-12-14 EP EP04029564A patent/EP1544912A3/en not_active Withdrawn
- 2004-12-17 CN CN2004101013611A patent/CN1630069B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-04-02 US US11/695,213 patent/US20070170453A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20070170453A1 (en) | 2007-07-26 |
| CN1630069B (zh) | 2010-05-05 |
| EP1544912A2 (en) | 2005-06-22 |
| US8008675B2 (en) | 2011-08-30 |
| JP2005183558A (ja) | 2005-07-07 |
| TWI270184B (en) | 2007-01-01 |
| CN1630069A (zh) | 2005-06-22 |
| EP1544912A3 (en) | 2012-05-02 |
| US20050132747A1 (en) | 2005-06-23 |
| TW200522290A (en) | 2005-07-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
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|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120220 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130220 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130220 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140220 Year of fee payment: 5 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
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|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |