JP4726457B2 - サブマウント - Google Patents
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Description
部が盛り上がった形状と成る(図4(b)参照)。この溶融状態を維持している間にろう材層14上に半導体素子16を加圧搭載し(図4(c)参照)、その後、急冷することにより、半導体素子16とサブマウント11は強固に接合される(図4(d)参照)。
に、2つの端部の厚みが中央部の厚みよりも厚く、ろう材層の2つの端部と中央部との厚みの差は0.5〜3μmであることにより、半導体素子をサブマウントに搭載する際に、半
導体素子の両端部直下のろう材の量が少なくなることなく、半導体素子を歪みなくサブマウントに搭載することができ、その結果、歪みによる半導体素子の特性不良や破壊が生じることのない高性能のサブマウントを提供することができる。
さくなると、サブマウント1を加熱してろう材層4が溶融した瞬間に、両端部4a、4cと、中央部4bとが濡れ拡がり一体化する傾向があり、100μmより大きくなると、半導
体素子6を接着しても両端部4a、4cと、中央部4bとの間隔が濡れ拡がりきれず、半導体素子6とサブマウント1との接着部に隙間が発生する傾向にあり、その結果、半導体素子6とサブマウント1との接着強度が劣化するとともに、半導体素子6が発生する熱の放熱性も劣化する傾向にある。
2:絶縁基板
3:配線導体層
4:ろう材層
4a、4c:端部
4b:中央部
5:半導体素子搭載部
6:半導体素子
Claims (1)
- 絶縁基板の上面に配線導体層が形成されるとともに、該配線導体層上に長方形状の半導体素子を搭載するための長方形状のろう材層が形成されているサブマウントにおいて、前記ろう材層は、前記ろう材層の両短辺側の2つの端部と中央部とに3分割されており、前記ろう材層の前記2つの端部と前記中央部との間隔は10〜100μmであるとともに、2つの前記端部の厚みが前記中央部の厚みよりも厚く、前記ろう材層の前記2つの端部と前記中央部との厚みの差は0.5〜3μmであることを特徴とするサブマウント。
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JP2004282789A JP4726457B2 (ja) | 2004-09-28 | 2004-09-28 | サブマウント |
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Citations (5)
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---|---|---|---|---|
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2004
- 2004-09-28 JP JP2004282789A patent/JP4726457B2/ja not_active Expired - Fee Related
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