JPH07263471A - ダイボンディング装置およびダイボンディング方法 - Google Patents

ダイボンディング装置およびダイボンディング方法

Info

Publication number
JPH07263471A
JPH07263471A JP7410694A JP7410694A JPH07263471A JP H07263471 A JPH07263471 A JP H07263471A JP 7410694 A JP7410694 A JP 7410694A JP 7410694 A JP7410694 A JP 7410694A JP H07263471 A JPH07263471 A JP H07263471A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
die
mounting surface
nozzle
bonding material
supply nozzle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7410694A
Other languages
English (en)
Inventor
Kentaro Arai
健太郎 新井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP7410694A priority Critical patent/JPH07263471A/ja
Publication of JPH07263471A publication Critical patent/JPH07263471A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/741Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
    • H01L24/743Apparatus for manufacturing layer connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83194Lateral distribution of the layer connectors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ダイ実装面に接合材料を介してダイを接合す
る際の気泡の発生を防止するとともに、ダイ実装面に対
してダイの擦り合わせを行わなくても十分な接合強度が
得られるようにする。 【構成】 ウエハから個片に分割されたダイを接合する
ための接合材料をダイ実装面3aに供給する供給ノズル
2と、供給ノズル2をダイ実装面3aに対して平行移動
させるノズル駆動部7とを備えている。供給ノズル2は
接合材料を吐出させるための複数の筒体2cを有し、各
々の筒体2cはダイの外形寸法に応じてノズル進行方向
Yと直交する方向Xに所定間隔で配列されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置(IC)の
製造工程において、ウエハから個片に分割されたダイを
リードフレーム面やパッケージ面といった、いわゆるダ
イ実装面に接合する際に用いられるダイボンディング装
置とこれを用いたダイボンディング方法に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】図10は従来のダイボンディング装置を
説明する図である。図10において、31は接合材料を
入れてある容器で、この容器31の先端部には供給ノズ
ル32が装着されている。供給ノズル32には複数の筒
体32aが配設されており、これらの筒体32aから接
合材料が吐出する構造となっている。
【0003】ここで、実際にダイをダイ実装面に接合す
る場合の手順について説明する。先ず、図10に示すよ
うに、容器31内の接合材料に一定の圧力を加えて、供
給ノズル32の各筒体32aから接合材料を吐出させ、
リードフレーム33のダイ実装面33aに接合材料を供
給する。これにより、リードフレーム33のダイ実装面
33aには、図11(a),(b)に示すように、筒体
32aの配列に応じて半球状の接合材料34が点状に供
給される。
【0004】こうしてダイ実装面33aに接合材料34
を供給したら、図12(a)に示すように、ダイ移送用
の吸着保持具35によってダイ36を吸着保持し、その
ままダイ実装面33aの真上に配置する。次いで、図1
2(b)に示すように、吸着保持具35を下降させ、先
に供給した接合材料34を介してダイ実装面33aにダ
イ6を圧接する。さらに、図12(c)に示すように、
ダイ36をダイ実装面33aに圧接した状態で吸着保持
具35をダイ実装面33aと平行に縦横方向に微動さ
せ、ダイ実装面33aに対するダイ36の擦り合わせ
(スクラブ)を行う。これにより、ウエハから個片に分
割されたダイ36がリードフレーム33のダイ実装面3
3aに接合材料34を介して接合される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
例においては、供給ノズル32からダイ実装面33aに
供給された接合材料34がダイ36の裏面に対して一様
に広がらず、ダイ36とダイ実装面33aとの間に気泡
(ボイド)が生じ、ダイ実装面33aに対するダイ36
の接合強度が十分に得られないという問題があった。こ
のため、ダイ36の接合強度(ダイシア強度等)が不十
分となり、これがダイ36の剥離やクラック発生等の一
要因となっていた。また、ダイ36とダイ実装面33a
との間に気泡が生じると、その後のワイヤボンィング工
程において金線等のワイヤを超音波圧着にてダイ36に
接続する際に、超音波振動が十分にダイ36に伝わらな
くなるため、ワイヤの接続不良を招いてしまう。さら
に、吸着保持具35にてダイ36を微動させた際に、ダ
イ36に傷やクラック等が発生し、半導体素子としての
機能が損なわれてしまう。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明のダイボンディン
グ装置は、ウエハから個片に分割されたダイを接合する
ための接合材料をダイ実装面に供給する供給ノズルと、
この供給ノズルをダイ実装面に対して平行移動させるノ
ズル駆動部とを備えている。そして供給ノズルは接合材
料を吐出させるための複数の筒体を有しており、さらに
これらの筒体はダイの外形寸法に応じてノズル進行方向
と直交する方向に所定間隔で配列されている。また本発
明のダイボンディング方法は、上記ダイボンディング装
置を用いてなされるものであり、先ず、ノズル駆動部の
作動により供給ノズルをノズル進行方向に沿って移動さ
せつつ、複数の筒体から吐出させた接合材料をダイ実装
面に供給し、次いで、先に供給した接合材料を介してダ
イ実装面にダイを接合する。
【0007】
【作用】本発明においては、ノズル駆動部の作動によっ
て供給ノズルがノズル進行方向に沿って移動する。この
とき、供給ノズルの各々の筒体からは接合材料が吐出さ
れ、この吐出された接合材料がダイ実装面に線状に且つ
均一に供給される。この状態でダイ実装面にダイを圧接
することにより、双方との境界面に接合材料がよくなじ
んで均一に広がるため、ダイ実装面に対してダイの擦り
合わせを行わなくても十分な接合強度が得られるように
なる。
【0008】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図1は本発明に係わるダイボン
ディング装置の第1実施例を説明する図である。先ず、
図1(a)において、1は接合材料(例えばAgまたは
Au粉末を含んだエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂な
どの導電性接着剤)を入れてある容器(シリンジ等)
で、この容器1の先端部には供給ノズル2が装着されて
いる。供給ノズル2は、図示せぬウエハからダイシング
装置にて個片に分割されたダイを接合するための接合材
料をリードフレーム3のダイ実装面3aに供給するもの
である。また、容器1に装着された供給ノズル2はノズ
ル駆動部4によって支持されている。ノズル駆動部4
は、例えば図示はしないが直交2軸方向に移動自在なX
Yステージと、このXYステージを上記直交2軸方向
(図中X,Y方向)にそれぞれ移動させる駆動モータと
によって構成されている。そして、ノズル駆動部4を作
動させることで、容器1に装着された供給ノズル2がダ
イ実装面3aに対して平行移動する構成となっている。
【0009】図1(b)は第1実施例における供給ノズ
ルの構造を示している。図示のように供給ノズル2は、
ベース部2aと、このベース部2aの一方に設けられて
容器1に装着される装着部2bと、その反対側に設けら
れた複数の筒体2cとによって構成されている。ここ
で、供給ノズル2に設けられた複数の筒体2cは、接合
すべきダイ(不図示)の外形寸法に応じてノズル進行方
向(図中Y方向)と直交する方向(図中X方向)に所定
の間隔、例えばおよそ筒体2c1本分の間隔をおいて一
列に配列されている。そして、容器1内に蓄えられた接
合材料は、図示せぬ加圧手段の加圧作用によって容器1
から供給ノズル2に圧出され、そこで装着部2bおよび
ベース部2aを介して各々の筒体2cから吐出する構造
になっている。ちなみに、個々の筒体2cの孔径は同一
径でも異径でも構わないが、同一径に設定したほうが接
合材料の吐出量が均等になるため好適である。また、ノ
ズル進行方向の設定についても、直交2軸方向X,Yの
うち、X方向側をノズル進行方向とし、Y方向側をノズ
ル進行方向と直交する方向として設定するようにしても
よい。
【0010】続いて、上記構成からなるダイボンディン
グ装置を用いてダイをダイ実装面3aに接合する際のダ
イボンディング方法について図2を参照しつつ説明す
る。先ず、図2(a)に示したダイ実装面3aの一端P
1(図中●で示す位置)に供給ノズル2の筒体2cを配
置し、そこを起点に容器1内の接合材料に一定の圧力を
加えて、各筒体2cから接合材料の吐出を開始する。ま
た、これと同時にノズル駆動部4を作動させて、ノズル
進行方向(この場合はY方向)に沿って供給ノズル2を
ダイ実装面3aの他端P2側に移動させる。続いて、供
給ノズル2の筒体2cがダイ実装面3aの他端P2に到
達したら、ノズル進行方向Yと直交する方向(この場合
はX方向)に対し、各筒体2cの配列間隔(この場合は
筒体2c1本分の距離)だけ移動させる。さらに、ダイ
実装面3aの他端P2から一端P1に向けて供給ノズル
2をノズル進行方向Yに沿って移動させ、その後、供給
ノズル2の筒体2cが移動開始位置であるダイ実装面3
aの一端P1に到達した時点で各筒体2cからの接合材
料の吐出を停止する。
【0011】これにより、リードフレーム3のダイ実装
面3aには、供給ノズル2の筒体2cから吐出させた接
合材料5がノズル進行方向Yに沿って線状に供給される
とともに、上記供給ノズル2の往復移動により線状に供
給された接合材料5間の隙間が埋められる。その結果、
図2(c)に示すように、リードフレーム3のダイ実装
面3a上には材料自体の流動性とも相まって一様に平ら
に接合材料5が供給される。
【0012】次いで、図示せぬ吸着保持具にて吸着保持
したダイを、その吸着保持具の下降動作により接合材料
5を介してダイ実装面3aに圧接する。このとき、接合
材料5はダイ実装面3aに対して一様に平らに供給され
ているため、ダイとダイ実装面3aの境界部分に接合材
料5がよくなじみ、その境界部分に気泡(ボイド)を生
じることなく、双方の間で均一に広がる。したがって、
従来のようにダイ実装面3aに対してダイの擦り合わせ
を行わなくても双方の間には十分な接合強度が得られ
る。
【0013】なお、上記第1実施例の説明においては、
ノズル進行方向と直交する方向Xに対し、およそ筒体2
c1本分の間隔を隔てて複数の筒体2cを配列するよう
にしたが、本発明のダイボンディング装置はこれに限ら
ず、例えば図3に示すように、ノズル進行方向と直交す
る方向Xに対し、複数の筒体2cを互いに隣接させて配
列するようにしてもよい。こうした配列構造を採用すれ
ば、ダイ実装面3aに接合材料を供給する際に、ダイ実
装面3aの一端P1(図2(a))と他端(図2
(a))との間で供給ノズル2を往復移動させることな
く、その移動区間をいずれか一方から他方に向けて一方
向に移動させるだけで済むようになり、その分だけダイ
実装面3aに接合材料5を供給する際の所要時間を短縮
できることになる。
【0014】また、上記第1実施例では、ノズル進行方
向と直交する方向Xに対し、複数の筒体2cを一列に配
列するようにしたが、これについても一列に限定される
ことなく、複数列に配列するようにしてもよい。例え
ば、図4に示すように、ノズル進行方向と直交する方向
Xに対し、供給ノズル2のベース部2aに複数の筒体2
cを二列に配列するとともに、第一列目の筒体2cの隙
間に位置する状態で第二列目の筒体2cを配置する。こ
うした配列構造を採用すれば、ダイ実装面3aに接合材
料を供給する際に、第一列目の筒体2cから吐出させた
接合材料の隙間が第二列目の筒体2cから吐出させた接
合材料によって埋められるようになる。したがって、上
記同様にダイ実装面3aの一端P1(図2(a))と他
端(図2(a))との間で供給ノズル2を一方向に移動
させるだけで済むようになるため、その分だけダイ実装
面3aに接合材料5を供給する際の所要時間を短縮でき
ることになる。
【0015】さらに、他の配列形態としては、例えば図
5に示すように、ノズル進行方向Yと直交する方向Xに
対し、供給ノズル2のベース部2aに複数の筒体2cを
二列に配列するとともに、ノズル進行方向Yにおける第
一列目の筒体2cと第二列面の筒体2cの離間寸法L1
を、同方向Yにおけるダイ実装面3aの長さ寸法L2の
半分、つまりL1=L2/2に設定する。こうした配列
構造を採用すれば、ダイ実装面3aに接合材料を供給す
る際に、ノズル進行方向Yに沿って供給ノズル2を往復
移動させるときの移動区間が半分で済むようになるた
め、その分だけダイ実装面3aに接合材料5を供給する
際の所要時間を短縮できることになる。
【0016】次に、本発明に係わるダイボンディング装
置の第2実施例について図6を参照しつつ説明する。本
第2実施例におけるダイボンディング装置の特徴とする
ところは、上記第1実施例との比較において、接合材料
をダイ実装面に供給する供給ノズルの構造的な違いにあ
る。すなわち、本第2実施例においては、図6(a),
(b)に示すように、ノズル進行方向と直交する方向X
に配列された複数の筒体2cのうち、供給ノズル2の中
央寄りに配置された筒体2cの孔径が外寄りに配置され
た筒体2cの孔径よりも大きく設定されている。すなわ
ち、図6(b)に示す各筒体2cの孔径D1,D2,D
3のうち、供給ノズル2の中央部分に配置された筒体2
cの孔径D1はその両側に配置された筒体2cの孔径D
2よりも大きく設定され(D1>D2)、且つその筒体
2cの孔径D2はさらに外寄りに配置された筒体2cの
孔径D3よりも大きく設定されている(D2>D3)。
【0017】続いて、本第2実施例のダイボンディング
装置を用いてダイをダイ実装面に接合する際のダイボン
ディング方法について説明する。先ず、図7(a)に示
すように、ダイ実装面3aの一端P1(図中●で示す位
置)に供給ノズル2の筒体2cを配置し、そこを起点に
容器1内の接合材料に一定の圧力を加えて、供給ノズル
2の筒体2cから接合材料の吐出を開始する。また、こ
れと同時にノズル駆動部4を作動させ、ノズル進行方向
(この場合はY方向)に沿って供給ノズル2をダイ実装
面3aの一端P1から他端P2に移動させる。そして、
供給ノズル2の筒体2cがダイ実装面3aの他端P2に
到達した時点で筒体2cからの接合材料の吐出を停止す
る。その間、供給ノズル2の各筒体2cからは、それぞ
れの孔径D1,D2,D3に対応した量の接合材料が吐
出することになる。
【0018】図8は本第2実施例におけるダイ実装面3
aへの接合材料5の吐出状態を示しており、図中(a)
はその斜視図、(b)はその側面図である。図8に示す
ように、リードフレーム3のダイ実装面3aに対して
は、供給ノズル2に設けられた筒体2cからそれぞれの
孔径D1,D2,D3に対応した量の接合材料5a,5
b,5cが供給される。このうち、供給ノズル2の中央
部に配置された筒体2cからの接合材料5aはその吐出
幅および吐出高さがW1,H1となり、その外側に配置
された筒体2cからの接合材料5bはその吐出幅および
吐出高さがW2,H2、そして最も外寄りに配置された
筒体2cからの接合材料5cはその吐出幅および吐出高
さがW3,H3となり、孔径が最も大きい中央部の筒体
2cから吐出させた接合材料5aがその吐出幅および吐
出高さ共に最大となっている。
【0019】こうしてダイ実装面3aに供給された接合
材料5を介して、上記第1実施例と同様にダイ(不図
示)をダイ実装面3aに圧接すると、接合材料5は材料
自体の流動性によって図8(b)に示すようにスムース
に外側に流れ、ダイとダイ実装面3aとの間に空隙を生
じることなく、それらの境界部分に均一に広がる。した
がって、上記第1実施例と同様に、ダイ実装面3aに対
してダイの擦り合わせを行わなくても双方の間には十分
な接合強度が得られる。
【0020】なお、ノズル進行方向Yに対する供給ノズ
ル2の移動パターンとしては、図7(b)に示すよう
に、ダイ実装面3aの中間点P3を起点として、筒体2
cからの接合材料の吐出を開始すると同時にノズル駆動
部(不図示)の作動により供給ノズル2の移動を開始
し、ダイ実装面3aの一端P1側に供給ノズル2を移動
させたのち、その一端P1側から今度は他端P2側に移
動させ、さらに他端P2側からノズル移動始点である中
間位置P3に戻し、この時点で接合材料の吐出を停止す
るようにしてもよい。
【0021】こうした供給ノズル2の移動パターンを採
用することにより、接合材料の吐出開始位置と吐出終了
位置とが同じ位置(P3)となるため、吐出開始位置と
吐出終了位置における接合材料の吐出量のバラツキ(一
般的には吐出開始位置での吐出量の方が吐出終了位置で
のそれよりも少なめとなる)が解消され、ダイ実装面3
aの全域にわたってより均一に接合材料を供給できるよ
うになる。
【0022】図9は本実施例における他のダイボンディ
ング方法を説明する図であり、図中(a)は供給ノズル
の移動パターンを示し、図中(b),(c)はダイ実装
面に対する接合材料の吐出状態を示している。このダイ
ボンディング方法では、図示せぬノズル駆動部の作動に
より供給ノズル2をノズル進行方向Yに沿ってダイ実装
面3aの一端P1から他端P2に移動させる際に、上記
ノズル進行方向Yと直交する方向Xに供給ノズル2を微
動させるようにしている。
【0023】このダイボンディング方法を採用すること
により、図9(b),(c)に示すように、各々の筒体
2cから吐出させた接合材料5(5a,5b,5c)が
リードフレーム3のダイ実装面3aに対して、より密に
供給されるようになるため、ダイ実装面3aにダイ(不
図示)を圧接した際の接合材料5の広がりがスムースに
なり、ダイ実装面3aとダイとの境界部分に対する接合
材料5のなじみがよくなる。
【0024】なお、上記実施例の説明では、ウエハから
分割されたダイをリードフレーム3のダイ実装面3aに
接合する場合について述べたが、本発明はリードフレー
ム3だけでなく、図示せぬパッケージに形成されたダイ
実装面に対してダイを接合する場合においても適用でき
ることは言うまでもない。
【0025】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
ノズル駆動部の作動により供給ノズルをノズル進行方向
に沿って移動させながら、供給ノズルの各筒体から接合
材料を吐出させることで、接合材料がダイ実装面に線状
に且つ均一に供給され、これによりダイ実装面にダイを
圧接するだけで、双方の間には気泡(ボイド)を生じる
ことなく十分な接合強度が得られる。したがって、従来
のようにダイ実装面に対してダイの擦り合わせ(スクラ
ブ)を行う必要がなくなるので、その分だけダイボンデ
ィング工程における工数を削減できるとともに、ダイ実
装面との擦り合わせに起因したダイの傷やクラック発生
等を回避できることになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係わるダイボンディング装置の第1実
施例を説明する図である。
【図2】第1実施例におけるダイボンディング方法を説
明する図である。
【図3】第1実施例における筒体の他の配列構造を説明
する図(その1)である。
【図4】第1実施例における筒体の他の配列構造を説明
する図(その2)である。
【図5】第1実施例における筒体の他の配列構造を説明
する図(その3)である。
【図6】本発明に係わるダイボンディング装置の第2実
施例を説明する図である。
【図7】第2実施例におけるダイボンディング方法を説
明する図である。
【図8】第2実施例における接合材料の吐出状態を説明
する図である。
【図9】本発明に係わるダイボンディング方法の他の実
施例を説明する図である。
【図10】従来のダイボンディング装置を説明する図で
ある。
【図11】従来例における接合材料の吐出状態を説明す
る図である。
【図12】従来のダイボンディング方法を説明する図で
ある。
【符号の説明】
2 供給ノズル 2c 筒体 3a ダイ実装面 4 ノズル駆動部 5 接合材料

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ウエハから個片に分割されたダイを接合
    するための接合材料をダイ実装面に供給する供給ノズル
    と、 前記供給ノズルを前記ダイ実装面に対して平行移動させ
    るノズル駆動部とを備え、 前記供給ノズルは、前記接合材料を吐出させるための複
    数の筒体を有し、且つ各々の筒体が前記ダイの外形寸法
    に応じてノズル進行方向と直交する方向に所定間隔で配
    列されていることを特徴とするダイボンディング装置。
  2. 【請求項2】 前記複数の筒体が互いに隣接して配列さ
    れていることを特徴とする請求項1記載のダイボンディ
    ング装置。
  3. 【請求項3】 前記複数の筒体のうち、前記供給ノズル
    の中央寄りに配置された筒体の孔径が外寄りに配置され
    た筒体の孔径よりも大きく設定されていることを特徴と
    する請求項1記載のダイボンディング装置。
  4. 【請求項4】 請求項1記載のダイボンディング装置を
    用いたダイボンディング方法において、 前記ノズル駆動部の作動により前記供給ノズルを前記ノ
    ズル進行方向に沿って移動させつつ、前記複数の筒体か
    ら吐出させた接合材料を前記ダイ実装面に供給し、 次いで、前記ダイ実装面に前記接合材料を介してダイを
    接合することを特徴とするダイボンディング方法。
  5. 【請求項5】 前記供給ノズルを前記ノズル進行方向と
    直交する方向に微動させつつ移動させることを特徴とす
    る請求項4記載のダイボンディング方法。
JP7410694A 1994-03-18 1994-03-18 ダイボンディング装置およびダイボンディング方法 Pending JPH07263471A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7410694A JPH07263471A (ja) 1994-03-18 1994-03-18 ダイボンディング装置およびダイボンディング方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7410694A JPH07263471A (ja) 1994-03-18 1994-03-18 ダイボンディング装置およびダイボンディング方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH07263471A true JPH07263471A (ja) 1995-10-13

Family

ID=13537615

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7410694A Pending JPH07263471A (ja) 1994-03-18 1994-03-18 ダイボンディング装置およびダイボンディング方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH07263471A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006100440A (ja) * 2004-09-28 2006-04-13 Kyocera Corp サブマウントおよび半導体装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006100440A (ja) * 2004-09-28 2006-04-13 Kyocera Corp サブマウントおよび半導体装置
JP4726457B2 (ja) * 2004-09-28 2011-07-20 京セラ株式会社 サブマウント

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20020062823A (ko) 배선 본딩 도구에 사용하는 캐필러리 튜브를 세정하는세정 장치
US20060027623A1 (en) Bonding structure, wire bonding method, actuator device and liquid jet head
EP1134034A1 (en) Method of forming paste
US6808379B2 (en) Cleaner for molding apparatus of semiconductor chip packages
JP3011694B2 (ja) ダイボンディング装置
JPH07263471A (ja) ダイボンディング装置およびダイボンディング方法
JP4176292B2 (ja) シングルポイントボンディング装置
JPH02299249A (ja) ワイヤボンデイング方法
KR20050030549A (ko) 시스템 케리어의 핑거들을 가열판 상에 압축시키는다운홀더를 구비하는 와이어 본더
JPH0945737A (ja) 超音波接合方法および装置
JPH08181175A (ja) ワイヤボンディング方法
JP2002009100A (ja) 微小ボールバンプ形成装置
JPH1056034A (ja) ボンディング装置
JP3996412B2 (ja) 電子部品実装方法
KR20060007501A (ko) 반도체 칩 패키지용 다이 어태치 장치의 디스펜싱 툴
JP5648916B2 (ja) 電子装置及びその製造方法並びに画像形成装置
JP2021130187A (ja) 小径真直ピン先端のフラット加工および半球面加工を行う方法および装置
JPH05109869A (ja) ダイボンデイング装置
JPH07245329A (ja) ボンディング装置及びボンディング方法
JPS62156828A (ja) ワイヤボンデイング装置
JP2005005382A (ja) 半導体装置の製造方法およびそれに使用されるボンディング装置
JP3409688B2 (ja) 電子部品のボンディングツールおよびボンディング装置
JPH1041333A (ja) キャピラリ及びワイヤボンディング方法
JPH0799219A (ja) 半導体装置の製造方法及びその製造装置
JP2004014715A (ja) チップボンディング方法、及びチップボンディング装置