JPH0799219A - 半導体装置の製造方法及びその製造装置 - Google Patents

半導体装置の製造方法及びその製造装置

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JPH0799219A
JPH0799219A JP5242334A JP24233493A JPH0799219A JP H0799219 A JPH0799219 A JP H0799219A JP 5242334 A JP5242334 A JP 5242334A JP 24233493 A JP24233493 A JP 24233493A JP H0799219 A JPH0799219 A JP H0799219A
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JP
Japan
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bonding
electrode
lead
semiconductor
semiconductor device
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Pending
Application number
JP5242334A
Other languages
English (en)
Inventor
Tomonori Kato
友規 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Original Assignee
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd, Kansai Nippon Electric Co Ltd filed Critical Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
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Publication of JPH0799219A publication Critical patent/JPH0799219A/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/50Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto

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  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高集積度化されたTAB式半導体装置のボン
ディング時のリード位置ずれによる短絡事故を防止す
る。 【構成】 支持テーブル24上に載置した半導体ペレッ
ト2のバンプ電極3をTABテープ10のインナーリー
ド4に位置合わせして固定する。インナーリード4の上
方よりアーム23の先端に固定したボンディングツール
22でボンディング予定部のバンプ電極3上を所定の加
重で押圧する。ボンディング時、支持テーブル24に配
設したX、Y2方向の超音波振動子25、26を選択駆
動して、ボンディング予定部のバンプ電極3にインナー
リード4の導出方向に対応した方向の超音波振動を付与
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は半導体装置の製造方
法、特に透孔を有する絶縁フィルムに透孔内に延在する
インナリードを含む導電パターンを形成したTABテー
プを用いたTAB式半導体装置の製造方法及びその製造
装置に関する。
【0002】
【従来の技術】この種TAB式半導体装置1の一例を図
2及び図3を用いて説明する。
【0003】図に於いて、2は半導体ペレットで表面周
辺に多数のバンプ電極3を形成している。4は一端が半
導体ペレット2のバンプ電極3に接続され、他端が外方
に延びる多数本のインナーリード、5は一端がインナー
リード4に接続され、さらに外方に延びる多数本のアウ
ターリードである。6は半導体ペレット2を支持するア
イランド、7は半導体ペレットを含む主要部をモールド
成形して被覆した樹脂である。
【0004】かかるTAB式半導体装置1の製造には、
図示しないが、半導体ペレット2のバンプ電極3に接続
されるインナーリード4を所定間隔で被着したTABテ
ープが用いられ、このTABテープのインナーリード4
を半導体ペレット2のバンプ電極3上に配置させ、イン
ナーリード4をバンプ電極3上に押付けてその重合部を
超音波で接合する超音波ボンディング法が採用されてい
る。
【0005】図4は上記TAB式半導体装置1の半導体
ペレット2にインナーリード4を超音波振動で接続する
ボンディング装置8であり、特開昭59−111340
号公報および特開昭62−296433号公報などで開
示されたもので、概略以下のように構成されている。
【0006】即ち、同図において9は上面に半導体ペレ
ット2が位置決め固定される支持テーブル、10は半導
体ペレット2のバンプ電極3に接続されるインナーリー
ド4を所定ピッチで被着したTABテープであり、不図
示の搬送手段により駆動されて、インナーリード4が接
合位置に送られる。11はインナーリード4を半導体ペ
レット2のバンプ電極3上から所定の加熱温度、所定の
加重で押圧するボンディングツール、12、13はその
加熱装置と加圧装置である。また、14は支持テーブル
9をボンディングツール11に対して相対的に振動さ
せ、接合部に超音波振動を付与する超音波発生装置であ
る。
【0007】かかるボンディング装置8はインナーリー
ド4をバンプ電極3上に押付けた状態で接合部に超音波
振動が付与され、接合部は熱、圧力、超音波で接合す
る。この接合時、支持テーブル9が超音波発生装置14
で振動され、支持テーブル9に支持された半導体ペレッ
ト2の接合部を直接超音波で振動する構成であるから、
ボンディングツール11側に超音波発生装置14を備え
てインナーリード4を介して接合部に超音波を付与する
ボンディング装置に比べて、接合部への超音波振動が効
率よく伝達され、ボンディング強度が改善される。
【0008】しかしながら、近時、TAB式半導体装置
1は高集積度化が要請され、半導体ペレット2のバンプ
電極3の微小化、配列間隔も極めて狭く設定されてお
り、また、これに対応してインナーリード4も幅を狭小
にし、配列間隔も限界まで狭くしなければならない状況
である。
【0009】したがって、上記のように、バンプ電極3
を一括して熱圧着するギャングボンディング方式におい
ては、バンプ電極3の高さやインナーリード4の厚さの
バラツキにより、ボンディングツール11の接合部にか
かる加重がばらつき、全てのインナーリード4に対して
均一なボンディング品質を保つことが困難になってきて
いる。
【0010】また、バンプ電極3およびインナーリード
4が微細化しているため、僅かに位置ずれしても隣接す
るインナーリード4と短絡したり、ボンディング不良に
なるなどの問題が生じていた。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】このため、小径のボン
ディングツールを用い、半導体ペレットのバンプ電極を
一点ずつボンディングする一点式のボンディング方式が
検討されている。
【0012】図5はかかる一点式のボンディング装置1
5の一例であり、ボンディングツール16は先端部が半
導体ペレット2のバンプ電極3と略同径の小径に形成さ
れ、後端に超音波振動子17を取付けたホーン18の先
端に立植して取付けられている。そして、このボンディ
ング装置15では支持テーブル9に加熱装置12が配設
されており、支持テーブル9上に位置決めされた半導体
ペレット2を所定温度に加熱支持する。そして、各バン
プ電極3上にTABテープ10のインナーリード4が、
不図示の搬送手段により駆動されて、各バンプ電極3の
接合位置に送られる。
【0013】かかる一点式のボンディング装置15はホ
ーン18に取付けたボンディングツール16を、図示し
ない画像認識装置などにより半導体ペレット2の各バン
プ電極3の接合位置上に配置されたインナーリード4上
に配置させた後、加圧装置13を作動してインナーリー
ド4上から押圧し、この押圧状態で超音波振動子17を
作動させて、ホーン18を介してボンディングツール1
6に伝達された超音波を接合部に印加することにより、
該バンプ電極3のボンディングを行い、このボンディン
グ操作を半導体ペレット2の全バンプ電極3について行
うものである。
【0014】このような一点式のボンディング装置15
はボンディングツール16の先端部を半導体ペレット2
のバンプ電極3と略同径の小径に形成し、半導体ペレッ
ト2のバンプ電極3を一点ずつボンディングするから、
前記一括ボンディングのギャングボンディング方式のボ
ンディング装置8に比べて、バンプ電極3の高さやイン
ナーリード4の厚さのバラツキによるボンディングツー
ル16の加重のばらつきが解消する。
【0015】しかしながら、半導体ペレット2の各バン
プ電極3の接合部に付与される超音波はホーン18と同
軸方向に印加されるため、図6に示すように、ホーン1
8と交差する方向に配置されたバンプ電極3aの接合部
にはインナーリード4aの導出方向に沿った方向に超音
波振動が付与され、ホーン18に沿う方向に配置された
バンプ電極3bの接合部にはインナーリード4bの導出
方向と交差する方向に超音波振動が付与される。
【0016】このため、ホーン18と交差する方向に配
置されたバンプ電極3aとホーン18に沿う方向に配置
されたバンプ電極3bとでは接合部に印加される超音波
の印加効率が異なり、ボンディング強度に差が生じる。
また、ホーン18に沿う方向に配置されたバンプ電極3
bと接続されるインナーリード4bにはリードの導出方
向と交差した方向に超音波が印加され、接合時に超音波
の振動によりリードがずれ易いといった問題があった。
【0017】尚、ここで上記半導体ペレットの電極を一
点ずつボンディングする方法として、例えば、特開平2
−299249号公報や特開平3−101143号公報
に開示されたワイヤボンディング方法がある。
【0018】しかしながら、これらの公報に開示された
ボンディング方法は、ボンディングツールを取付けるホ
ーンのボンディングヘッドなどの機構部をXY駆動可能
に構成して、ホーンに超音波と機構部の振動とを分離し
て付与する構成のものであり、前者のものは接合時にボ
ンディングツールにスクラブ動作を付与してボンディン
グ強度を得るようにしたものであり、また後者のものは
接合前に機構部の振動を付与してワイヤボンディングの
ワイヤの垂れや曲がりを防止せんとしただけのものであ
る。
【0019】そして、これらのボンディング技術はキャ
ピラリでガイドされたワイヤを電極上にボンディングす
る構成のものであり、画像認識技術を併用することで電
極とワイヤの位置ずれを完全に防止できるのに対して、
TAB式半導体装置では、インナーリードはボンディン
グツールにガイドされていないため、インナーリードを
電極に重ね合わせる時や加重を印加して振動を付与した
時にリードが電極から位置ずれし、短絡事故やボンディ
ング不良を生じるという問題は解決し得ないものであっ
た。
【0020】したがって、本発明は上記の問題に鑑みな
されたものであり、ペレットの周辺から多数の電極リー
ドを四方外方に導出したTAB式半導体装置において、
リードが電極から位置ずれして短絡事故を生じたり、ボ
ンディング不良を生じることなく製造できる半導体装置
の製造方法およびその装置を得ることを目的としてい
る。
【0021】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の半導体装置の製造方法は、支持テーブル上
に支持された半導体ペレットの電極上に電極リードを重
合させ、アーム先端に固定されたボンディングツールを
前記電極リード上に押付けて、重合部に超音波を付与し
てボンディングする半導体装置の製造方法に於いて、前
記支持テーブルを半導体ペレットから延びる電極リード
の引出し方向に振動可能に構成し、前記重合部に付与す
る超音波を電極リードの引出し方向に対応した方向に付
与するようにしたことを特徴としている。また、本発明
の半導体装置の製造装置は、支持テーブル上に支持され
た半導体ペレットの電極上に電極リードを重合させ、ア
ーム先端に固定されたボンディングツールを前記電極リ
ード上に押付けて、重合部に超音波を付与してボンディ
ングする半導体装置の製造装置において、前記支持テー
ブルは支持テーブル上に支持された半導体ペレットの載
置面と水平方向に振動可能に構成され、かつ前記重合部
に付与される超音波は半導体ペレットの電極上に重合さ
れる電極リードの配置方向に振動軸が設定されたことを
特徴としている。
【0022】
【作用】ボンディングツールでの押圧時、支持テーブル
より印加される超音波が半導体ペレットの重合部に直接
的に付与されてボンディング強度が得られると共に、ペ
レットの周辺から多数の電極リードを四方外方に導出す
る各電極の重合部は、それぞれ電極リードの引出し方向
に超音波振動が印加され、ボンディング時の超音波振動
によるリードの位置ずれが防止される。
【0023】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面と共に説明す
る。
【0024】図1は本発明の実施例で、TAB式半導体
装置1のインナーリード4を半導体ペレット2のバンプ
電極3に接合するボンディング装置21である。
【0025】このボンディング装置21は上記したボン
ディング装置15と同様に、ボンディングツール22の
先端部を被ボンディング半導体ペレット2のバンプ電極
3と略同径の小径に形成し、半導体ペレット2の各バン
プ電極3をTABテープ10の各インナーリード4に一
点ずつボンディングする一点式のボンディング装置であ
る。
【0026】このボンディング装置21において、上記
図5のボンディング装置15と異なる点は、ボンディン
グツール22を超音波振動機能の付与されていない、加
圧機能のみのアーム23の先端に立植して取付けた点
と、半導体ペレット2を支持する支持テーブル24に
X、Y方向の超音波振動子25、26を取付け、これら
の超音波振動子25、26を半導体ペレット2に重合さ
れるインナーリード4の導出方向に対応させて駆動制御
させるように構成した点のみであり、その他の構成は上
記ボンディング装置15と同様である。したがって、同
じ機能部品は図5と同一参照符号を付し、その説明は略
す。
【0027】支持テーブル24はX、Y方向にそれぞれ
2つ、計4つの超音波振動子25a、25b,26a、
26bが取付けられ、下面側をスペーサ27を介してX
Yテーブル28上に取付けて構成されている。
【0028】図7はこのボンディング装置21における
ボンディング時の半導体ペレット2上のバンプ電極3の
配置位置と上記超音波振動子25、26の駆動制御の関
係を示す図である。
【0029】同図において、半導体ペレット2表面の紙
面の左右両側に配置され、X方向に導出されるインナー
リード4bに接合するバンプ電極3bは、ボンディング
時、X方向の超音波振動子25a、25bによって駆動
される。また、半導体ペレット2の紙面の上下側に配置
され、Y方向に導出されるインナーリード4aに接合す
るバンプ電極3aは、ボンディング時、Y方向の超音波
振動子26a、26bによって駆動される。かかる超音
波振動子25、26の駆動制御は、図示しないが、半導
体ペレット2上の各バンプ電極3を逐次ボンディング駆
動する際のシーケンス制御と共に制御される。
【0030】このような構成のボンディング装置21の
ボンディング操作は前記ボンディング装置15と同様に
なされる。即ち、支持テーブル24上に載置された半導
体ペレット2は、支持テーブル24をXYテーブル28
上で摺動させてTABテープ10のインナーリード4の
接合位置に各バンプ電極3を合わせて位置決め固定され
る。そして、アーム23に取付けられたボンディングツ
ール22は半導体ペレット2のボンディングされるバン
プ電極3上に配置されたインナーリード4上に配置され
た後、加圧装置13が作動され、インナーリード4上か
ら所定の加圧力で押圧する。そして、この押圧状態にお
いて、半導体ペレット2表面の左右両側に配置されたバ
ンプ電極3bの場合は、X方向の超音波振動子25a、
25bが駆動され、インナーリード4bの導出方向に沿
った超音波振動が付与される。また、半導体ペレット2
の上下側に配置されたバンプ電極3aの場合は、Y方向
の超音波振動子26a、26bが駆動され、インナーリ
ード4bの導出方向に沿った超音波振動が付与される。
【0031】したがって、半導体ペレット2上の各バン
プ電極3は、ツール22を固定したアーム23との配置
位置とは関係なく、総て接合されるインナーリード4の
導出方向に沿った超音波振動が印加され、超音波振動に
よるリードの位置ずれが解消される。
【0032】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば半導体ペ
レットが載置される支持テーブルを半導体ペレットから
延びる電極リードの引出し方向に振動可能に構成し、重
合部に付与する超音波を電極リードの引出し方向に対応
した方向に印加するように構成したから、ボンディング
時超音波の振動でリードがずれることがなくなり、バン
プ電極の微小化、配列間隔の狭く設定されたTAB式半
導体装置のボンディング時のリード短絡事故やボンディ
ング不良に対処することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のTAB式半導体装置の製造装置で、ボ
ンディング装置の側面図。
【図2】TAB式半導体装置の一部破断正面図。
【図3】図2の半導体装置の側断面図。
【図4】従来のボンディング装置の側面図。
【図5】従来の他のボンディング装置の側面図。
【図6】図5のボンディング装置の作動説明図。
【図7】図1のボンディング装置の作動説明図。
【符号の説明】
2 半導体ペレット 3 バンプ電極 4 インナーリード(電極リード) 10 TABテープ 21 ボンディング装置 22 ボンディングツール 23 アーム 24 支持テーブル 25 X方向の超音波振動子 26 Y方向の超音波振動子 27 スペーサ 28 XYテーブル

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 支持テーブル上に支持された半導体ペレ
    ットの電極上に電極リードを重合させ、アーム先端に固
    定されたボンディングツールを前記電極リード上に押付
    けて、重合部に超音波を付与してボンディングする半導
    体装置の製造方法に於いて、 前記支持テーブルを半導体ペレットから延びる電極リー
    ドの引出し方向に振動可能に構成し、前記重合部に付与
    する超音波を電極リードの引出し方向に対応した方向に
    付与するようにしたことを特徴とする半導体装置の製造
    方法。
  2. 【請求項2】 支持テーブル上に支持された半導体ペレ
    ットの電極上に電極リードを重合させ、アーム先端に固
    定されたボンディングツールを前記電極リード上に押付
    けて、重合部に超音波を付与してボンディングする半導
    体装置の製造装置において、 前記支持テーブルは支持テーブル上に支持された半導体
    ペレットの載置面と水平方向に振動可能に構成され、か
    つ前記重合部に付与される超音波は半導体ペレットの電
    極上に重合される電極リードの配置方向に振動軸が設定
    されたことを特徴とする半導体装置の製造装置。
JP5242334A 1993-09-29 1993-09-29 半導体装置の製造方法及びその製造装置 Pending JPH0799219A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010000704A (ja) * 2008-06-20 2010-01-07 Canon Inc 記録ヘッド及び記録ヘッドの製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2010000704A (ja) * 2008-06-20 2010-01-07 Canon Inc 記録ヘッド及び記録ヘッドの製造方法

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Effective date: 20020603