JP2001068499A - ワイヤーボンディング装置およびワイヤーボンディング方法 - Google Patents

ワイヤーボンディング装置およびワイヤーボンディング方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ボンディング工程での不良発生を防止し、パ
ッケージ自体の信頼性を向上させる。 【解決手段】 チップ上のパッド2とリードフレーム上
のリード3をワイヤー1で接合するボンディングツール
11と、パッド2およびリード3と、ワイヤー3との接
合界面にレーザ31を照射するレーザ照射器21とを備
えたワイヤーボンディング装置において、接合界面2a
がボンディング時に移動しても、接合界面2aが局部的
に加熱されるように、レーザ照射器21のレーザの照射
位置,照射角度を制御する手段を備え、ボンディングし
ながら接合界面2aにレーザ31を照射する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ワイヤーボンディ
ング装置およびワイヤーボンディング方法に関し、特
に、レーザ照射を利用したワイヤーボンディング装置お
よびワイヤーボンディング方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のワイヤーボンディング方法を図1
0,図11に示す。
【0003】図10は、ワイヤー材に金を使用した従来
のワイヤーボンディング方法の概略を示す斜視図であ
る。従来のボンディング方法では、図10に示すよう
に、超音波によりツールの円錐部に引き込まれた金ボー
ル1aを振動させながら、デバイスのパッド2上に上方
より加圧し、デバイス下部からは熱を与えることにより
金ボール1aとデバイスのパッド2とを接合させてい
る。
【0004】図11は、図10の従来のボンディング方
法のツール先端拡大部を示す断面図である。上述したよ
うに熱を加えることにより、チップ4とリードフレーム
アイランド部6を接合しているAgペースト5が熱によ
り再軟化し、ボンディング時に超音波によりチップが振
動してしまい、超音波が逃げてしまう。更にこのとき、
チップ4のサイズが小さいと、リードフレームアイラン
ド部6との接合面積が小さいため、超音波の逃げが顕著
となり、不着による不良が発生する。また、付着による
不良を防ぐために超音波のパワーや、上方からの加圧を
上げると、超音波によりパッド2上層部のAl層を破壊
してしまう不良であるAlハガレや、上方からの加圧に
よるパッドの更にその下層部にあるSi層を破壊してし
まう不良であるVクラックが発生する。また、従来のボ
ンディング工程で、エラーで設備が停止した場合、通常
より長い時間、リードフレームアイランド部が高温にさ
らされ、表面に酸化膜が生ずる場合がある。このような
場合、酸化膜によりアイランド部と封止樹脂との密着性
が悪くなり、この部分より樹脂ハガレが発生し、パッケ
ージの信頼性が低下する。
【0005】また、特開昭63−078543号公報の
ワイヤーボンディング方法は、パッド部にレーザを照射
し加熱した後に金ボールをボンディングしている若しく
はボンディング中に対してのみレーザを照射し、パッド
部を加熱しているのみであり、金線若しくは金ボールに
はレーザが照射されない、レーザにより加熱されないこ
とを示している。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
従来のボンディング方法では、図10,図11で説明し
たように、ボンディング工程での不良が発生するという
問題があった。
【0007】また、パッケージ自体の信頼性が低下する
という問題があった。
【0008】このような問題点を解決するには、従来の
設備,方法では解決不可能であった。
【0009】そこで、本発明の目的は、上記問題を解決
するために、ボンディング工程での不良発生を防止する
ことにある。
【0010】また、本発明の他の目的は、パッケージ自
体の信頼性を向上させることにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のワイヤーボンディング装置は、チップ上の
パッドおよびリードフレーム上のリードとワイヤーとの
接合に使用するボンディングツールと、ワイヤーとの接
合界面にレーザを照射するレーザ照射器とを備えた、チ
ップ上のパッドとリードフレーム上のリードとをワイヤ
ーで電気的に結線するワイヤーボンディング装置におい
て、接合界面がボンディング時に移動しても、接合界面
が局部的に加熱されるように、レーザ照射器のレーザの
照射位置,照射角度を制御する手段を備えたことを特徴
とする。
【0012】また、照射位置,照射角度を制御する手段
は、ボンディングツールの高さ情報により制御するのが
好ましい。
【0013】さらに、レーザ照射器は、ボンディングツ
ールを囲むように配置されるのが好ましい。
【0014】また、本発明のワイヤーボンディング方法
は、チップ上のパッドおよびリードフレーム上のリード
とワイヤーとの接合に使用するボンディングツールと、
ワイヤーとの接合界面にレーザを照射するレーザ照射器
とを用いた、チップ上のパッドとリードフレーム上のリ
ードとをワイヤーで電気的に結線するワイヤーボンディ
ング方法において、接合界面がボンディング時に移動し
ても、接合界面を局部的に加熱できるように、レーザ照
射器のレーザの照射位置,照射角度を制御することを特
徴とする。
【0015】また、制御は、ボンディングツールの高さ
情報により制御するのが好ましい。
【0016】さらに、レーザを、ボンディングツールの
四方から照射するのが好ましい。
【0017】
【発明の実施の形態】次に、図面を参照して本発明をワ
イヤー材に金を使用し、ワイヤーの先端にボールを形成
するボールボンディングに適用した実施例について詳細
に説明する。
【0018】まず、図1〜図3を参照して、本発明のワ
イヤーボンディング装置の実施例について説明する。
【0019】図1は、本発明のワイヤーボンディング装
置の実施例の構成を示す概略図である。この図は、特
に、ワイヤーボンディング装置のボンドヘッド部分を示
す。この装置は、ボンディングツール11,超音波ホー
ンを支えボンディングツール11を上下させるボンディ
ングアーム13,ボンディングツール11を上下に駆動
するツール上下駆動装置14,超音波発生部15,超音
波ホーン12,ボンディングワイヤーを把持するワイヤ
ークランパ16,レーザ照射器21からなる。このう
ち、レーザ照射器21は、位置,角度がボンディングツ
ール11の高さ情報より制御され、ボンディングツール
11の先端方向にレーザ31が照射する向きに、ボンデ
ィングツール11を囲むように配置され、その数は1個
以上で構成される。
【0020】図2,図3は、本発明のワイヤーボンディ
ング装置の実施例の動作を示す概略図である。図2は、
本発明のワイヤーボンディング装置の実施例におけるパ
ッドとワイヤーとの接合を示す拡大図であり、図3は、
ワイヤーとリードとの接合を示す拡大図である。
【0021】まず、図2に示すように、ボンディングツ
ール11をパッドとワイヤーとを接合する場合は、レー
ザ照射器21からレーザ31をパッド2とボール1aと
の接合界面2aに照射し、接合界面2aを活性化させる
ことでボンディングワイヤー1と接合対象であるパッド
2とを接合させる。
【0022】また、図3に示すように、ボンディングツ
ール11をワイヤーとリードとを接合する場合は、レー
ザ照射器21からレーザ31をリード3とボール1aと
の接合界面3aに照射し、接合界面3aを活性化させる
ことでボンディングワイヤー1とリード3とを接合させ
る。
【0023】次に、図4〜図8を参照して、本発明のワ
イヤーボンディング方法の実施例について説明する。本
発明のワイヤーボンディング方法の実施例においては、
特に、チップ上の電極端子であるパッドと、リードフレ
ームの電極であるリードとを金線(ワイヤー)で接合す
る工程を含む。図4〜図6にパッド側接合方法を、図
7,図8にリード側接合方法を示す。
【0024】まず、図4〜図6を参照して、本発明のワ
イヤーボンディング方法の実施例におけるパッドとワイ
ヤーとの接続方法について説明する。図4は、パッドと
ワイヤーとの接続方法を示すフローチャートであり、図
5は、図4の(b),(c)におけるパッドとワイヤー
との接続方法の概略を示す斜視図であり、図6は、図4
の拡大図であり、図6(b),図6(c)は、それぞれ
図4(b),図4(c)の拡大図である。
【0025】まず、図4を参照して、本発明のワイヤー
ボンディング方法におけるパッド側接合方法を工程順に
説明する。図4(a)にツールを降下させる工程を、図
4(b)に接触検出してボンディングを開始するまでの
工程を、図4(c)にボンディング工程を、図4(d)
にツールを上昇させる工程を示す。まず、図4(a)に
おいて、ワイヤー1先端に形成されたボール1aがボン
ディングツール11と共に降下し、それと連動してボー
ル1aの最下端にレーザ31が当たるようにレーザ照射
器21が位置,角度を調整する。次に、図4(b)にお
いて、ボール1aのボンディングパッド2との接触を感
知すると、ボール1aの最下端、即ちボール1aとボン
ディングパッド2との接触部(接合界面2a)に向かっ
てレーザ31が照射される。このレーザ31の照射によ
る熱エネルギーにより接合界面2aが活性化し、ボール
1aと、ボンディングパッド2との接合界面2aが接合
され易くなる。この後、図4(c)において、ボンディ
ングツール11に荷重をかけながら、超音波を印加する
ことで徐々にボンディングツール11の高さが下がり、
それに伴いボール1aがつぶれるとともに、ボール1a
とボンディングパッド2との接合界面は、図4(a),
(b)に示すとおりに移動する。このとき、ボンディン
グツール11の高さと連動して、レーザ照射器21の位
置,照射角度を制御し、レーザ31がボール1aとボン
ディングパッド2との接合境界2aに常に照射されるよ
うにする。ボール1aが接合に十分なツブレ径となった
ときにレーザ照射及び超音波の印加を停止し、図4
(d)に示すようにボンディングツール11を上昇し、
接合完了となる。
【0026】次に、図5を参照して、図4の(b),
(c)の工程におけるパッドとワイヤーとの接合方法に
ついて説明する。この方法は、半導体組立工程のボンデ
ィング時において、レーザ照射器21からレーザ31を
接合界面2aに照射し、接合界面2aを活性化させるこ
とでボンディングワイヤー1とパッド2とを接合させる
ことを特徴とする。
【0027】また、図6(b),図6(c)は、それぞ
れ図4(b),図4(c)の接合部の拡大図である。本
発明のワイヤーボンディング方法の実施例では、ボンデ
ィング時においてレーザ31を接合時に移動する接合界
面2aに接合過程の間、照射するようにレーザ照射器2
1の位置,角度を制御することを特徴とする。
【0028】次に、図7を参照して、ワイヤーとリード
との接続方法におけるリード側接続方法を工程順に説明
する。図7は、パッド2に接続されたワイヤー1とリー
ド3との接続の動作を工程順に示す図である。図7
(a)において、パッド2に接続されたワイヤー1がボ
ンディングツール11に通った状態で、ワイヤー1と共
にリード3上に降下し、それと連動してワイヤー1のリ
ード3との接続部にレーザ31が当たるようにレーザ照
射器21が位置,角度を調整する。図7(b)において
ワイヤー1のリード3との接触を感知すると、ワイヤー
1とリード3との接触部(接合界面3a)に向かってレ
ーザ31が照射される。このレーザ31の照射による熱
エネルギーにより接合界面3aが活性化し、ワイヤー1
と、リード3との接合界面3aが接合され易くなる。こ
の後、図7(c)において、ボンディングツール11に
荷重と超音波をかけることで徐々にボンディングツール
11の高さが下がり、それに伴いワイヤー1がつぶれ、
ワイヤー1とリード3との接合界面3aは、ボンディン
グツール11の中心から徐々に移動する。このとき、ボ
ンディングツール11の高さと連動するように、レーザ
照射器21の位置・照射角度を調整し、レーザ31がワ
イヤー1とリード3との境界を常に照射するように制御
する。ワイヤー1が接合に十分な形状となったときにレ
ーザ照射及び超音波の印加を停止し、図7(d)で示す
ようにボンディングツール11を上昇し、図7(e)で
示すようにワイヤーテールが十分な長さになったところ
で、ワイヤークランプを閉じ、そのままボンディングツ
ール11を上昇させワイヤー1をカットして接合完了と
なる。接合完了後、図7(f)に示すようにパッド2側
接合のためのボール1aを電気スパークなどで形成しボ
ンディングサイクルが完了する。
【0029】次に、図8を参照して、図7(b),
(c)の工程におけるワイヤーとリードとの接続方法に
ついて説明する。この方法は、半導体組立工程のボンデ
ィング時において、レーザ照射器21からレーザ31を
接合界面3aに照射し、接合界面3aを活性化させるこ
とでボンディングワイヤー1とリード3とを接合させる
ことを特徴とする。
【0030】次に、図9は、本発明のワイヤーボンディ
ング装置の実施例におけるレーザ照射を示すフロー図で
ある。図9に示すように、レーザZ制御系として、位
置,速度,加速度がある。これらをレーザ制御処理系に
て処理し、レーザ照射器高さZ,レーザ照射器角度θ,
レーザ出力を調整する。
【0031】次に、本発明の他の実施例について説明す
る。
【0032】本発明のボンディング方法の第2の実施例
としては、超音波を使用しない熱圧着式ボンダーに適用
した例であり、上記実施例に記載された動作の説明同様
に動作するが、超音波を用いずに熱圧着により接続す
る。接合界面がレーザ照射により十分に活性化すること
で超音波を用いずに接合することが可能となる。
【0033】また、本発明の第3の実施例は、ウエッジ
ボンダーへ適用した例である。ウエッジボンダーにおい
ては、決められた一方向のみにワイヤーで結線する動作
ができないため、デバイス側を回転させる機能が付いて
いる。その為、熱エネルギーを併用するために下方から
加熱をする機能を付加する為には、機構が複雑であるヘ
ッド自体が可動テーブルごと回転動作するロータリーヘ
ッド式とするしかなかった。しかしながら本発明を適用
することで、上方からの加熱が可能となり、機構が複雑
であるロータリーヘッドを使用することなく熱エネルギ
ーを併用したウエッジボンディングが可能となる。これ
により、超音波のパワーを小さくしたボンディングを行
うことで、Alハガレ、Vクラックなどの不良の発生を
防ぐことが出来る。
【0034】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のボンディ
ング方法では、レーザで局部的に加熱をすることでリー
ドフレーム下方よりヒーターで加熱する従来の方法と比
較して効率よく熱エネルギーを接合エネルギーとして使
用することができ、リードフレームアイランド部とチッ
プを接合しているAgペーストを加熱することなく、ボ
ンディングが可能となるという効果を奏する。
【0035】また、従来よりも超音波のパワーを下げて
ボンディングが可能となるという効果を奏する。
【0036】さらに、上記のことから、パッドへのダ
メージ(Alハガレ,Vクラック)、超音波のロス
(接合部の固定が不十分の時)や他の原因による接合不
良(Aハガレ,Eハガレ)、リードフレームの酸化に
よる封入後のモールドの剥離などの不良を押さえること
が可能となるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例におけるボンドヘッドの構成を
示す概略図である。
【図2】本発明の実施例におけるツール先端拡大図(パ
ッド側接合時)である。
【図3】本発明の実施例におけるツール先端拡大図(リ
ード側接合時)である。
【図4】本発明の実施例におけるパッド側接続方法を
(a)〜(d)と工程順に示す断面図である。
【図5】図4の(b),(c)の工程における、本発明
のパッド側接続方法を示す概略図である。
【図6】本発明の実施例におけるパッド側接続方法を示
す拡大断面図である。図6(b),(c)は、それぞれ
図4(b),(c)に対応する図である。
【図7】本発明の実施例におけるリード側接続方法を
(a)〜(f)と工程順に示す断面図である。
【図8】図7の(b),(c)の工程における、本発明
のリード側接続方法を示す斜視図である。
【図9】本発明の実施例におけるレーザ照射制御を示す
フロー図である。
【図10】従来例におけるパッド側接続方法を示す図で
ある。
【図11】従来例におけるツール先端拡大図(パッド側
接合時)である。
【符号の説明】
1 ワイヤー 1a ボール 2 ボンディングパッド 2a ボール・パッド接合界面 3 リード 3a ワイヤー・リード接合界面 4 チップ 5 Agペースト 6 リードフレームアイランド部 11 ボンディングツール 12 超音波ホーン 13 ボンディングアーム 14 ツール上下駆動装置 15 超音波発生装置 16 ワイヤークランパ 21 レーザ照射器 31 レーザ光

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】チップ上のパッドおよびリードフレーム上
    のリードとワイヤーとの接合に使用するボンディングツ
    ールと、前記ワイヤーとの接合界面にレーザを照射する
    レーザ照射器とを備えた、チップ上のパッドとリードフ
    レーム上のリードとをワイヤーで電気的に結線するワイ
    ヤーボンディング装置において、 前記接合界面がボンディング時に移動しても、前記接合
    界面が局部的に加熱されるように、前記レーザ照射器の
    レーザの照射位置,照射角度を制御する手段を備えたこ
    とを特徴とするワイヤーボンディング装置。
  2. 【請求項2】前記照射位置,照射角度を制御する手段
    は、前記ボンディングツールの高さ情報により制御する
    ことを特徴とする、請求項1に記載のワイヤーボンディ
    ング装置。
  3. 【請求項3】前記レーザ照射器は、前記ボンディングツ
    ールを囲むように配置されたことを特徴とする、請求項
    1または2に記載のワイヤーボンディング装置。
  4. 【請求項4】チップ上のパッドおよびリードフレーム上
    のリードとワイヤーとの接合に使用するボンディングツ
    ールと、前記ワイヤーとの接合界面にレーザを照射する
    レーザ照射器とを用いた、チップ上のパッドとリードフ
    レーム上のリードとをワイヤーで電気的に結線するワイ
    ヤーボンディング方法において、 前記接合界面がボンディング時に移動しても、前記接合
    界面を局部的に加熱できるように、前記レーザ照射器の
    レーザの照射位置,照射角度を制御することを特徴とす
    るワイヤーボンディング装置。
  5. 【請求項5】前記制御は、前記ボンディングツールの高
    さ情報により制御することを特徴とする、請求項4に記
    載のワイヤーボンディング方法。
  6. 【請求項6】前記レーザを、前記ボンディングツールの
    四方から照射することを特徴とする、請求項4または5
    に記載のワイヤーボンディング方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007010510A2 (en) * 2006-04-03 2007-01-25 Michael Mayer Method and device for wire bonding with low mechanical stress
WO2007010510A3 (en) * 2006-04-03 2007-06-07 Michael Mayer Method and device for wire bonding with low mechanical stress
US9347987B2 (en) 2009-11-06 2016-05-24 Intel Corporation Direct liquid-contact micro-channel heat transfer devices, methods of temperature control for semiconductive devices, and processes of forming same
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